JP2011107149A - 試料の照射装置及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第1端および第2端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、1つ以上の入射ビームを、光ファイバの1つ以上の対応する第1端に選択的に伝達することによって、選択された1つ以上の入射ビームがファイバの1つ以上の対応する第2端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する1つ以上の第2端から出力された選択された1つ以上の入射ビームを受け取り、選択された1つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第2端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。
【選択図】図1
Description
Claims (43)
- 試料を照射する装置であって、
それぞれ第1端および第2端を有する複数の光ファイバ、
1つ以上の入射ビームを、前記光ファイバの1つ以上の対応する第1端に選択的に伝達することによって、前記選択された1つ以上の入射ビームが前記ファイバの1つ以上の対応する第2端から出力されるようにする照射セレクタ、および
前記ファイバの前記対応する1つ以上の第2端から出力された前記選択された1つ以上の入射ビームを受け取り、前記選択された1つ以上の入射ビームを前記試料に向けて導くレンズ構成
を備え、
前記レンズ構成および前記ファイバは、前記ファイバの前記第2端において前記試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記入射ビームはレーザビームである装置。
- 請求項1または2に記載の装置であって、前記照射セレクタは、
複数の照射源であって、それぞれの照射源は前記ファイバのうちの1つの対応する第1端に位置し、それぞれの照射源はオフまたはオンされるよう構成可能である照射源、および
選択的に前記照射源をオンまたはオフするよう動作可能であるコントローラ
を備える装置。 - 請求項1または2に記載の装置であって、前記照射セレクタは、
複数の照射源であって、それぞれの照射源はオフまたはオンされるよう構成可能であり、前記照射源の個数は前記ファイバの個数よりも少ない照射源、
前記照射源のそれぞれを前記ファイバの前記第1端の一つの近傍に位置付ける移動メカニズム、および
選択的に前記照射源をオンまたはオフし、前記移動メカニズムが前記照射源を前記ファイバの選択された第1端に位置付けるように動作可能であるコントローラ
を備える装置。 - 請求項1または2に記載の装置であって、前記照射セレクタは、
単一の入射ビームを出力する単一のビーム発生器、
複数のマスク領域を備える可動基板であって、それぞれの異なるマスク領域は、透明および不透明部分の異なるセットを含み、それぞれのマスク領域は前記単一の入射ビームの断面の大部分をカバーするよう大きさが決められている可動基板、
前記可動基板を動かすことによって、前記基板の前記マスク領域のうちの選択されたものが前記単一の入射ビームの断面上に位置するようにする移動メカニズム、および
前記移動メカニズムが、前記基板の前記マスク領域の選択されたものを前記入射ビーム断面上に位置付けるよう動作可能であるコントローラ
を備える装置。 - 請求項5に記載の装置であって、前記単一のビーム発生器は、ガスレーザ発生器である装置。
- 請求項1または2に記載の装置であって、前記照射セレクタは、
単一の入射ビームを出力する単一のビーム発生器、
前記単一の入射ビームを受け取り、複数の入射ビームを出力する回折光学要素、
前記入射ビームを受け取り、それらをそれぞれ前記第1ファイバ端の一つに向けて導くレンズ要素、
前記入射ビームを受け取り、閉鎖および開放位置に構成可能な複数のシャッタ、および
1つ以上の選択されたシャッタを開放または閉鎖するよう動作可能であるコントローラ
を備える装置。 - 請求項7に記載の装置であって、前記レンズ要素はレンズレット群のアレイである装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の装置であって、前記試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の装置であって、ファイバの長さを変えて前記1つ以上の入射ビーム中のスペックルノイズを低減するファイバ変調器をさらに備える装置。
- 請求項10に記載の装置であって、前記ファイバ変調器は、前記ファイバの一部に結合され、圧電変調器に電圧差を印加することによって選択的に圧電変調器のサイズを変え、それにより前記結合されたファイバを伸長する電圧発生器を有する圧電変調器である装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記圧電変調器は、四角形の形状であり前記ファイバにエポキシで結合される装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記圧電変調器は、周囲に前記ファイバが巻かれた円筒形状を有する装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の装置であって、前記入射ビームを受け取り、変化された位相を持つ前記入射ビームを出力し、それにより前記入射ビーム中のスペックルノイズを低減する回転ディフューザをさらに備える装置。
- 試料を検査する検査システムであって、
請求項11〜13のいずれかに記載の装置、
前記1つ以上の入射ビームに応答して前記試料から放射される1つ以上の出力ビームを導く第2レンズ構成、および
前記1つ以上の出力ビームを受け取り、前記1つ以上の出力ビームに基づいて画像または信号を発生する検出器
を備える検査システム。 - 請求項15に記載の検査システムであって、前記コントローラは、前記検出器からの前記画像または信号を分析することによって、前記試料がなんらかの欠陥を有するかを決定するようさらに動作可能である検査システム。
- 請求項16に記載の検査システムであって、前記コントローラは、前記検出器からの前記画像または信号を分析することによって、前記試料を特徴付けるようさらに動作可能である検査システム。
- 請求項15〜17のいずれかに記載の検査システムであって、前記第2レンズ構成は、前記出力ビームのプロファイルの選択された部分を伝達するよう構成可能である画像化開口を含む検査システム。
- 請求項18に記載の検査システムであって、前記画像化開口は、前記出力ビームの全てを伝達し、前記出力ビームの非鏡面部分だけ伝達するよう構成可能であり、前記照射セレクタは、前記入射ビームの全てを前記第1ファイバ端の全ての上に伝達し、第1ファイバ端の外側環状部分上の暗視野モード検査に適する前記入射ビームの外側環状部分を伝達するよう構成可能である検査システム。
- 請求項16に記載の検査システムであって、単一の入射ビームを前記試料に向けて導く照射源をさらに備え、前記照射源はオンまたはオフするよう構成可能である検査システム。
- 請求項1〜20のいずれかに記載の装置であって、前記ファイバは円形状の断面を有する管状をなす装置。
- 請求項1〜20のいずれかに記載の装置であって、
約375nmおよび約405nmの間の波長をそれぞれ有する前記入射ビームを作る複数の光発生器、および
前記入射ビームの1つ以上の対応するものを前記光発生器の対応する1つ以上のものから受け取るようそれぞれ位置する複数の単一ステージ非線形結晶であって、それぞれの結晶は、前記受け取られた対応する1つの入射ビームの周波数を2倍にするか、または前記受け取られた対応する2つの入射ビームの周波数の和を取り、約187.5nmおよび約202.5nmの間の波長にし、それから前記照射セレクタに向けて前記入射ビームを出力するよう構成される非線形結晶
をさらに備える装置。 - 請求項22に記載の装置であって、前記光発生器はGaNベースのレーザダイオードである装置。
- 請求項22に記載の装置であって、前記光発生器はパルス型レーザである装置。
- 請求項22に記載の装置であって、前記光発生器は連続型レーザである装置。
- 請求項22〜25のいずれかに記載の装置であって、それぞれの結晶は、1つの対応する入射ビームを受け取るよう位置付けられ、前記受け取られた対応する1つの入射ビームの周波数を2倍にして約187.5nmおよび約202.5nmの間の波長にし、それから前記入射ビームを前記照射セレクタに向けて出力するよう構成された装置。
- 請求項22〜25に記載の装置であって、それぞれの結晶は、2つの前記対応する入射ビームを受け取るよう位置付けられ、前記受け取られた対応する2つの入射ビームの周波数の和を取って約187.5nmおよび約202.5nmの間の波長にし、それから前記入射ビームを前記照射セレクタに向けて出力するよう構成された装置。
- 請求項26に記載の装置であって、それぞれの結晶は、前記循環する1つの対応する入射ビームの少なくとも一部を透過し、約187.5nmおよび約202.5nmの間の波長を有する前記入射ビームを前記照射セレクタに向けて反射する、複数のリフレクタまたはプリズムおよびダイクロイック要素の間で前記1つの対応する入射ビームを循環させるように位置付けられた複数のリフレクタおよびプリズムを有する外部共振器の一部であり、前記それぞれの結晶は、前記循環する1つの対応する入射ビームのパス内に位置付けられた装置。
- 請求項22〜28のいずれかに記載の装置であって、それぞれの結晶は、KBBF(KBe2BO3F2)結晶である装置。
- 請求項22〜28のいずれかに記載の装置であって、それぞれの結晶は、BBO(ベータBaB2O4)結晶である装置。
- 試料を照射する方法であって、
1つ以上の入射ビームを複数の光ファイバの1つ以上の対応する第1端に選択的に伝達することによって、前記選択された1つ以上の入射ビームが前記ファイバの1つ以上の対応する第2端から出力されるようにすること、および
前記ファイバの前記第2端から出力された前記選択された1つ以上の入射ビームを前記試料に向けて導くこと
を含む方法。 - 請求項31に記載の方法であって、1つ以上の入射ビームを伝達することは、前記ファイバの対応する第1端に位置付けられた選択された1つ以上の照射源をオンまたはオフ状態に構成することを含む方法。
- 請求項32に記載の方法であって、前記ファイバの長さを変えることによって、前記1つ以上の入射ビーム中のスペックルノイズを低減させることをさらに含む方法。
- 試料を検査する方法であって、
請求項33に記載された方法、
前記1つ以上の入射ビームに応答して前記試料から放射する1つ以上の出力ビームを導くこと、および
前記1つ以上の入射ビームを検出器において受け取り、前記1つ以上の出力ビームに基づいて画像または信号を発生すること
を含む方法。 - 請求項34に記載の方法であって、前記検出器からの前記画像または信号を分析することによって、前記試料がなんらかの欠陥を有するかを決定することをさらに含む方法。
- 請求項34に記載の方法であって、前記検出器からの前記画像または信号を分析することによって、前記試料を特徴付けることをさらに含む方法。
- 請求項34に記載の方法であって、前記出力ビームのプロファイルの選択された部分だけを伝達することをさらに含む方法。
- 試料を検査する装置であって、
第1端および第2端をそれぞれ有する複数の光ファイバ、
複数の照射源であって、それぞれの照射源は、前記光ファイバの1つの対応する第1端に位置付けられ、それぞれの照射源は、オフまたはオンすることによって、1つ以上の入射ビームが前記ファイバの1つ以上の近接する第1端上に伝達されることによって、前記選択された1つ以上の入射ビームが前記ファイバの1つ以上の対応する第2端から出力されるよう構成可能な照射源、
前記ファイバの長さを変えることによって、前記1つ以上の入射ビーム中のスペックルノイズを低減させるファイバ変調器、
前記ファイバの前記対応する1つ以上の第2端から出力された前記選択された1つ以上の入射ビームを受け取り、前記選択された1つ以上の入射ビームを前記試料に向けて導く第1レンズ構成、
前記1つ以上の入射ビームに応答して前記試料から放射される1つ以上の出力ビームを導く第2レンズ構成、
前記1つ以上の入射ビームを受け取り、前記1つ以上の出力ビームに基づいて画像または信号を発生する検出器、および
前記照射源を選択的にオンまたはオフにし、前記検出器からの前記画像または信号を分析することによって前記試料を特徴付けるコントローラ
を備える装置。 - 試料を照射する装置であって、
それぞれ第1端および第2端を有する複数の光ファイバ、
複数の照射源であって、それぞれの照射源は、対応する第1ファイバ端に近接し、入射ビームを対応する第1ファイバ端上に伝達することによって、前記入射ビームが前記対応する第2ファイバ端から出力されるよう動作可能な照射源、
前記第2ファイバ端から出力された前記入射ビームを受け取り、前記入射ビームを前記試料に向けて導くレンズ構成であって、前記レンズ構成および前記ファイバは、前記ファイバの前記第2端において前記試料の画像化平面を画像化するよう互いについて構成されるレンズ構成、および
前記ファイバの長さを変えて前記1つ以上の入射ビーム中のスペックルノイズを低減するファイバ変調器
を備える装置。 - 請求項39に記載の装置であって、前記ファイバ変調器は、前記ファイバの一部に結合され、圧電変調器に電圧差を印加することによって選択的に圧電変調器のサイズを変え、それにより前記結合されたファイバを伸長する電圧発生器を有する圧電変調器である装置。
- 請求項40に記載の装置であって、前記圧電変調器は、四角形の形状であり前記ファイバにエポキシで結合される装置。
- 請求項40に記載の装置であって、前記圧電変調器は、周囲に前記ファイバが巻かれた円筒形状を有する装置。
- 試料を検査する装置であって、
それぞれが約375nmおよび約405nmの間の波長を有する1つまたは2つの入射ビームを作る1つまたは2つの光発生器、
(i)1つの光発生器からの1つの入射ビームを受け取り、前記1つの入射ビームの周波数を2倍にするか、または(ii)2つの光発生器からの2つの入射ビームを受け取り、前記2つの入射ビームの周波数の和を取るかのいずれかをするよう構成された単一ステージ非線形結晶であって、約187.5nmおよび約202.5nmの間の波長を有する入射ビームを前記照射セレクタに向けて出力するようさらに構成される単一ステージ非線形結晶、
前記単一ステージ非線形結晶からの前記入射ビームを受け取り、前記入射ビームを前記試料に導くよう構成される第2レンズ構成、
前記入射ビームに応答して前記試料から放射する1つ以上の出力ビームを導く第2レンズ構成、および
前記1つ以上の出力ビームを受け取り、前記1つ以上の出力ビームに基づいて画像または信号を発生する検出器
を備える装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398295B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2014-05-27 | 주식회사 포스코 | 초음파 측정용 레이저-간섭계 효율 증대 장치 및 방법 |
JP2016065772A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | タカノ株式会社 | 外観検査システム |
KR102577017B1 (ko) * | 2023-06-22 | 2023-09-11 | 한남대학교 산학협력단 | 레이저 다이오드 스페클 감소장치 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7808699B2 (en) * | 2003-09-25 | 2010-10-05 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Microscope lens for total internal reflection microscopy and microscope |
US7319229B2 (en) * | 2003-12-29 | 2008-01-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Illumination apparatus and methods |
US7548358B2 (en) * | 2005-05-26 | 2009-06-16 | Inphase Technologies, Inc. | Phase conjugate reconstruction of a hologram |
US7397571B2 (en) * | 2005-05-26 | 2008-07-08 | Inphase Technologies, Inc. | Methods and systems for laser mode stabilization |
US7675025B2 (en) | 2005-05-26 | 2010-03-09 | Inphase Technologies, Inc. | Sensing absolute position of an encoded object |
US20060281021A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-14 | Inphase Technologies, Inc. | Illuminative treatment of holographic media |
US7466411B2 (en) * | 2005-05-26 | 2008-12-16 | Inphase Technologies, Inc. | Replacement and alignment of laser |
US7710624B2 (en) * | 2005-05-26 | 2010-05-04 | Inphase Technologies, Inc. | Controlling the transmission amplitude profile of a coherent light beam in a holographic memory system |
US20060280096A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-14 | Inphase Technologies, Inc. | Erasing holographic media |
US8305700B2 (en) * | 2005-05-26 | 2012-11-06 | Inphase Technologies, Inc. | Holographic drive head and component alignment |
US7480085B2 (en) * | 2005-05-26 | 2009-01-20 | Inphase Technologies, Inc. | Operational mode performance of a holographic memory system |
US20060275670A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Inphase Technologies, Inc. | Post-curing of holographic media |
US20060279819A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-14 | Inphase Technologies, Inc. | Laser mode stabilization using an etalon |
US7633662B2 (en) * | 2005-05-26 | 2009-12-15 | Inphase Technologies, Inc. | Holographic drive head alignments |
US7742211B2 (en) * | 2005-05-26 | 2010-06-22 | Inphase Technologies, Inc. | Sensing and correcting angular orientation of holographic media in a holographic memory system by partial reflection, the system including a galvano mirror |
DE102005033036B4 (de) * | 2005-07-15 | 2008-05-15 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Wafers |
WO2008076974A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-26 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for blocking specular reflection and suppressing modulation from periodic features on a specimen |
CN101836072B (zh) * | 2007-11-19 | 2013-04-17 | 株式会社尼康 | 干涉仪 |
US7733111B1 (en) * | 2008-03-11 | 2010-06-08 | Kla-Tencor Corporation | Segmented optical and electrical testing for photovoltaic devices |
CN102473663B (zh) * | 2009-07-22 | 2016-11-09 | 克拉-坦科股份有限公司 | 用环形照射的暗场检查系统 |
DE102010020183B4 (de) * | 2010-05-11 | 2013-07-11 | Precitec Kg | Laserschneidkopf und Verfahren zum Schneiden eines Werkstücks mittels eines Laserschneidkopfes |
US8462329B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-06-11 | Kla-Tencor Corp. | Multi-spot illumination for wafer inspection |
NL2008936A (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method. |
WO2013134068A1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations |
US9541749B2 (en) * | 2012-08-30 | 2017-01-10 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Systems and methods for random intensity illumination microscopy |
KR20140036593A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공 장치 |
US9581554B2 (en) * | 2013-05-30 | 2017-02-28 | Seagate Technology Llc | Photon emitter array |
US9341761B2 (en) * | 2014-03-18 | 2016-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Switchable laser and fiber based lamphouse for optimal power output in different wavelength bands and pixel sizes |
EP3122401B1 (en) * | 2014-03-28 | 2020-08-05 | Repro-Med Systems, Inc. | Compact mechanical pump |
US9599572B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-03-21 | Orbotech Ltd. | Optical inspection system and method |
KR102241978B1 (ko) | 2014-09-11 | 2021-04-19 | 삼성전자주식회사 | 피검체의 표면 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 광학 시스템 |
JP6743021B2 (ja) | 2014-12-31 | 2020-08-19 | ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション | 画像プロジェクタ用の個別レーザファイバ入力 |
US10067072B2 (en) * | 2015-07-10 | 2018-09-04 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for speckle suppression in laser dark-field systems |
CA3049647A1 (en) | 2017-01-10 | 2018-07-19 | Sunspring America, Inc. | Optical method for identifying defects on tube surfaces |
WO2018187653A2 (en) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser speckle reduction and photo-thermal speckle spectroscopy |
WO2019239559A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | オリンパス株式会社 | 光ファイバユニット、照明装置、及び内視鏡システム |
JP7221648B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2023-02-14 | 三星電子株式会社 | 照明装置及び検査装置 |
US11156846B2 (en) * | 2019-04-19 | 2021-10-26 | Kla Corporation | High-brightness illumination source for optical metrology |
JP7367194B2 (ja) * | 2019-09-17 | 2023-10-23 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | アライメントソースとしてのレーザモジュール、メトロロジシステム、及びリソグラフィ装置 |
WO2021058338A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Metrology systems, coherence scrambler illumination sources and methods thereof |
JP7199396B2 (ja) | 2020-03-12 | 2023-01-05 | 株式会社日研工作所 | 工具管理システム、ツールプリセッタ、および端末 |
KR102440167B1 (ko) * | 2020-06-03 | 2022-09-06 | 주식회사 나무가 | 거리측정장치 및 거리측정장치의 구동 방법 |
US11888289B2 (en) | 2020-03-30 | 2024-01-30 | Namuga, Co., Ltd. | Light source module allowing differential control according to distance to subject and method for controlling the same |
WO2022122560A1 (en) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and coherence adjusters |
US20220187614A1 (en) * | 2020-12-14 | 2022-06-16 | Life Technologies Corporation | Reduced Speckle Illumination Systems And Methods |
WO2022258274A1 (en) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | Asml Holding N.V. | Metrology systems, temporal and spatial coherence scrambler and methods thereof |
CN113405779A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 基于光纤取样的强光取样装置及其制备方法 |
EP4209828A1 (en) * | 2022-01-07 | 2023-07-12 | Microsoft Technology Licensing, LLC | Despeckling method and apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59223411A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-15 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 光フアイバを用いた位相変調器 |
JPS63180929A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Nec Corp | 光位相制御器 |
JPH0215229A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ位相変調器 |
JP2000352697A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Hitachi Ltd | 光学像検出方法および外観検査装置 |
JP2002039960A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2003156698A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Toshiba Corp | レーザ光源装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3909823A (en) * | 1974-03-26 | 1975-09-30 | Keith L Knowlton | An optical fiber variable display system utilizing a single light source |
JPS61293657A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半田付け外観検査方法 |
JPH0695075B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1994-11-24 | 工業技術院長 | 表面性状検出方法 |
JPH0545588A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 走査型顕微鏡 |
TW463238B (en) * | 1997-04-18 | 2001-11-11 | Nippon Kogaku Kk | Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacturing the device |
US6006128A (en) * | 1997-06-02 | 1999-12-21 | Izatt; Joseph A. | Doppler flow imaging using optical coherence tomography |
US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
US6208411B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Massively parallel inspection and imaging system |
US6800859B1 (en) * | 1998-12-28 | 2004-10-05 | Hitachi, Ltd. | Method and equipment for detecting pattern defect |
US6369888B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
JP4270884B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2009-06-03 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡システム |
JP3821021B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2006-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 非破壊食味特性測定装置 |
US7116413B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Inspection system for integrated applications |
JP2004138603A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Topcon Corp | レーザ光源装置及びこれを用いた表面検査装置 |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
US7092101B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-08-15 | Duke University | Methods and systems for static multimode multiplex spectroscopy |
JP4244305B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2009-03-25 | 株式会社トプコン | 照明光学系及びこれを用いたパターン欠陥検査装置 |
US7319229B2 (en) * | 2003-12-29 | 2008-01-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Illumination apparatus and methods |
-
2004
- 2004-12-15 US US11/015,852 patent/US7319229B2/en active Active
- 2004-12-17 JP JP2006547310A patent/JP5066366B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-17 WO PCT/US2004/043129 patent/WO2005065246A2/en active Application Filing
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010290415A patent/JP5337789B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59223411A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-15 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 光フアイバを用いた位相変調器 |
JPS63180929A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Nec Corp | 光位相制御器 |
JPH0215229A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ位相変調器 |
JP2000352697A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Hitachi Ltd | 光学像検出方法および外観検査装置 |
JP2002039960A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2003156698A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Toshiba Corp | レーザ光源装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398295B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2014-05-27 | 주식회사 포스코 | 초음파 측정용 레이저-간섭계 효율 증대 장치 및 방법 |
JP2016065772A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | タカノ株式会社 | 外観検査システム |
KR102577017B1 (ko) * | 2023-06-22 | 2023-09-11 | 한남대학교 산학협력단 | 레이저 다이오드 스페클 감소장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005065246A2 (en) | 2005-07-21 |
JP2007517230A (ja) | 2007-06-28 |
JP5066366B2 (ja) | 2012-11-07 |
US20050141810A1 (en) | 2005-06-30 |
WO2005065246A3 (en) | 2006-01-05 |
US7319229B2 (en) | 2008-01-15 |
JP5337789B2 (ja) | 2013-11-06 |
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