JP2011106030A - 金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法並びに金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料 - Google Patents

金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法並びに金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料 Download PDF

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Abstract

【課題】金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法並びにフラーライドを含む材料を提供する。
【解決手段】金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法において、金属ナノクラスターとフラーレン型のクラスターとを、金属ナノクラスターのフラーライド中のフラーレン分子を保持して、機械的に合金化することを特徴とする、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法並びに金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料によって解決される。
【選択図】図1

Description

本発明は、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法並びに金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料に関する。
材料のナノ構造化は、転位運動(もしくは転位増加)の阻止効果によって強度及び硬度を高める。例えば、前記効果は、多結晶性材料のナノ結晶の寸法が金属について約10〜60nmである場合に起こる。更に、ナノ構造化は、輸送特性と光学特性を変更する。前記効果は、通常は半導体のために使用される。例えば、ナノ構造化された材料のフォノン遮断効果/電子伝達効果は、熱電材料の最小感度を高めるために使用される。ナノ構造化された材料の典型的な合成手順の1つは、予め合成された出発ナノブロックからの集合体の焼結である。前記のナノブロックそれ自体は、ナノ複合材料であってよい。
今まで、ナノ構造化による材料の機械的特性、輸送特性及び光学特性の改善は、別個の問題として見なされていた。そうしたなか、高められた強度と硬度(転位阻止効果)を有するナノ構造化された金属の特性と、1つの汎用的なナノブロックにおける輸送特性と光学特性の設計及び改変の可能性とを組み合わせれば、原理的に新しい構造材料、例えば半導体ケーブル用の外部層のための構造材料を作り出すことができる。出発ナノブロックの特性は、そのナノブロックが焼結の間に破壊されなければ、集合体の特性を決定する。
産業上利用のために、以下の必要条件が重要となる。前記のナノブロックの製造は、工学的な観点から効率的でなければならない。特に大量生産が可能であるべきである。前記のナノブロックは、集合体の材料の焼結のために好適でなければならない。前記のナノブロックの合成の間の監視及び制御の手法が、迅速かつ簡単でなければならない。
定義上、C60ボール(並びに拡大されたボールC70、C80もしくはC36など)形状の分子は、フラーレンと呼ばれる。用語"フラーレン"に加えて、用語"フラーライト"及び"フラーライド"が使用される。フラーレンの誘導体、例えば共有結合によって結合された重合フラーレン分子は、フラーライトと呼ばれる。フラーレン/フラーライトと、他の化学的エレメント、クラスターなどとの化学的組成物は、フラーライド、例えば金属フラーライドと呼ばれる。
フラーレンの金属による電子構造の改変(金属フラーライド)は、US5,391,323号、US5,196,396号及びUS5,698,497号で提案されている。前記の改変は、フラーレンを基礎とする材料の導電性を高める。EP1199281号A1、US5,294,600号、US5,324,495号、US5,223,47号及びUS5,348,936号において、金属フラーライドの製造方法が提案されている。これらの方法の基本的なアイデアは、液体媒体におけるイオン交換反応により金属フラーライドを製造することである。合成の後に、金属フラーライドは、Men(Cxmである。前記式中、Cxは、フラーレンアニオン、好ましくはC60もしくはC70であり、かつMeは、金属カチオンであり、n及びmは、フラーレンと金属の価数によって決定され、nは、一般には、m=1の場合に10を超えない(US5,348,936号を参照)。
US5,223,479号において、半導体性の金属ドープされたフラーレンは、その製造方法により、比較的高い化学量論的純度において提供される。一実施態様においては、該方法は、式M360[式中、Mはアルカリ金属である]のフラーレンを提供する。前記方法は、C60とアルカリ金属とを、式My60[式中、yは、3より大きい]を有する化合物の製造に有効な量でかつそれに有効な反応条件下で接触させ、そして前記のMy60と一部のC60とを、前記のM360の製造に有効な量でかつそれに有効な反応条件下で接触させることを含む。
US5,348,936号においては、また、半導体性の金属ドープされたフラーレンが提供される。一実施態様においては、該方法は、式Mxq[式中、Mは、金属であり、xは、0より大きいが、約10未満であり、かつqは、少なくとも60である]のフラーレンを提供する。
US5,196,396号においては、半導体フラーレン組成物の製造方法において、フラーレンと合金とを、特にC60と1種のアルカリ金属を含む二元合金もしくは2種のアルカリ金属を含む三元合金とを、蒸気相中で反応させることを含む方法が記載されている。
US5,324,495号においては、式An(Cxm[式中、Aは、金属カチオンであり、かつCxは、フラーレンアニオンである]を有する金属フラーライド組成物の製造方法が提供される。好ましくは、Cxは、C60もしくはC70である。nは、フラーレンアニオンの価数の絶対値に等しい数である。mは、価数Aの絶対値に等しい。n及びmの値は、もしあれば、その最も大きい共通因数によって割られ、金属フラーライド組成物は電荷的に中性である。この方法は、金属とフラーレンとを、フラーレンが少なくとも部分的に可溶性の溶剤もしくは溶剤の混合物中で、溶剤の凝固点より高く溶剤の沸点以下の温度で、金属フラーライド組成物の形成に十分な時間にわたり反応させることを含む。
金属−フラーレン相互作用の、特にラマン散乱による効果的な制御は、V.N.Denisov他によるOptics and Spectroscopy,Vol.76.No.2,pp.242−253(1994)に報告されている。ラマンスペクトルは、少なくとも1424cm-1、1468cm-1及び1574cm-1のバンドについて、金属からフラーレンへと移る電子あたり5cm-1の低周波シフトを示す。類似のシフトは、P.Rudolf他によるReport of Brookhaven National Laboratory,契約番号DE−AC02−98CH10886,エネルギー省(2000年)において金属フラーライドのIRスペクトルについて観察されている。
前記検討された金属フラーライド材料は、限られた工学的用途しか有さない。例えば、前記の金属フラーライドは、弱い分子結晶である。高められた金属特性を有する材料の作成のためには、US6,245,312号に記載されるように、高圧、好ましくは8GPa及び高温、好ましくは900℃より高温が必要とされる。
高圧捩りにより製造されるアルミニウム・フラーレン複合材料の合成は、T.Tokunaga他のScripta Materialia 58(2008)735−738で報告されている。この刊行物における出発材料は、75μmのアルミニウム粉末と5質量%のフラーレンとの混合物である。高圧捩りは、2.5GPaの圧力を用いて実施されている。高圧捩りは、金属のナノ構造化のためによく知られた手法である。該刊行物によれば、75μmの粒を有する出発アルミニウム粉末へのフラーレンの添加は、フラーレンなしでの500nmと比較して、処理後にアルミニウムの結晶寸法を80nmへと低下させる。アルミニウム−フラーレン結合について又はアルミニウムの輸送特性の改変についてのデータは報告されていない。
ボールミルにおけるMeとフラーレンC60もしくはC70との機械的合金化は、また、M.Umemoto他によるMaterial Science Forum,Vols 312−314,pp.93−102(1999)において報告されている。この刊行物によれば、"C60(C70)の分子構造は、金属がCu、Fe、NiもしくはSnである場合に喪失する"。Alの場合に、C60の残りのフラクションは、初期量の約1%である。
US5,391,323号 US5,196,396号 US5,698,497号 EP1199281号A1 US5,294,600号 US5,324,495号 US5,223,47号 US5,348,936号 US5,223,479号 US6,245,312号
Optics and Spectroscopy,Vol.76.No.2,pp.242−253(1994) Report of Brookhaven National Laboratory Scripta Materialia 58(2008)735−738 Material Science Forum,Vols 312−314,pp.93−102(1999)
従って、本発明の第一の課題は、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法を提供することである。本発明の第二の課題は、フラーライドを含む材料を提供することである。
前記の第一の課題は、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法において、金属ナノクラスターとフラーレン型のクラスターとを、金属ナノクラスターのフラーライド中のフラーレン分子を保持して、機械的に合金化することを特徴とする、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法によって解決される。前記の第二の課題は、金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料によって解決される。従属形式請求項は、本発明の更なる展開を定義している。
本発明による金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法は、金属ナノクラスターとフラーレン型クラスターとを機械的に合金化することを特徴としている。金属ナノクラスターのフラーライドにおいてフラーレン分子は保持される。金属ナノクラスターのフラーライドであって、本発明による方法によって製造されたものは、上述の汎用的なナノブロックとして使用することができる。
好ましくは、前記金属ナノクラスターは、フラーレン型クラスターと、遊星型ミル中での粉砕によって機械的に合金化される。好ましくは、5nm〜60nmの寸法の、特に10nm〜30nmの寸法の金属ナノクラスターのナノ粉末が使用される。更に、フラーレンであるC60、C70、C80もしくはC36ボール形状の分子を使用することができる。更に、アルミニウム−リチウム合金ナノクラスター、例えば慣用のアルミニウム−リチウム合金1430を使用することができる。
好ましくは、金属ナノクラスターの粉末は、遊星型ミル中での金属ナノクラスターの粉末とフラーレン型のクラスターとの機械的な合金化と組み合わせて製造することができる。
例えば、250g〜270gの重さ、好ましくは260gの重さを有する鋼製の粉砕用ボールを使用することができる。6mm〜8mmの直径、好ましくは7mmの直径を有する鋼製の粉砕用ボールは、遊星型ミル中で使用してよい。更に、機械的な合金化は、アルゴン及び水素を含む雰囲気中で実施してよい。
金属ナノクラスター及びフラーレン型のクラスターは、0.5mm〜0.6mmの寸法の顆粒で使用してよい。全質量で5g〜15gの金属ナノクラスター及びフラーレン型のクラスターを使用してよい。更に、95質量%〜99質量%の金属ナノクラスター及び5質量%〜1質量%のフラーレンを含む金属ナノクラスター及びフラーレン型のクラスターを使用することができる。好ましくは、使用される出発材料は、97質量%の金属ナノクラスター及び3質量%のフラーレンを含む。
粉砕用ボールは、800m/s2〜1200m/s2、好ましくは1000m/s2で加速してよい。金属ナノクラスターは、80分〜120分で、好ましくは100分で粉砕することができる。後続工程において、金属ナノクラスターは、フラーレンと一緒に、10分〜30分で、好ましくは20分で粉砕することができる。選択的に、金属ナノクラスターは、フラーレンと一緒に、80分〜140分で、好ましくは120分で粉砕することができる。
金属ナノクラスターとフラーレンとの結合は、共有結合、イオン結合もしくは部分的に共有結合で部分的にイオン結合であってよい。電子は、金属ナノ結晶からフラーレンへと移動し、こうして、これが金属とフラーレンの両方の輸送特性と光学特性のための条件を与える。移動した電子の数は、合成の間に制御可能な値である。転位の阻止効果は、金属ナノ結晶の寸法によって提供され、かつその効果は、金属クラスターの表面に結合されたフラーレンクラスターの存在によって増強される。
一般に、機械的な合金化は、金属とフラーレンとの間の新たな結合の生成を活性化する。金属ナノクラスターのフラーライドの合成の主要な特徴は、フラーレン分子の保持と、分子破壊の回避である。その合成手順は、材料特性、例えば金属ナノ結晶からフラーレンへと移動する電子の数及びフラーレンと金属クラスターとの化学結合の程度の最適化を、遊星型ミル中での化合物処理の時間の変動及び出発フラーレン濃度の変動によって可能にする。
金属ナノクラスターのフラーライドを、焼結させてよい。好ましくは、金属ナノクラスターのフラーライド中のフラーレン分子は、焼結プロセスの間に保持される。金属ナノクラスターのフラーライドを、高圧捩りによって焼結させてよい。高圧捩りは、室温で実施してよい。更に、圧力は、10GPa〜12GPaの値、好ましくは11GPaの値を有してよい。
一般に、物品、特に製品、素子もしくは部品を、金属ナノクラスターの合成されたフラーライドから製造するために、粉末冶金技術が使用される。焼結、例えば粉末冶金技術による焼結の主要な特徴は、金属ナノクラスターのフラーライドにおける、フラーレン分子の保持及び分子破壊の回避である。焼結の間のフラーレン破壊の抑制効果は、加熱時間及び加熱温度の最適化によって達成できる。焼結手順は、材料特性、例えば金属ナノ結晶からフラーレンへと移動される電子の数及びフラーレンと金属クラスターとの化学結合の程度の最適化を可能にする。材料特性の最適化は、粉末冶金技術のパラメータの変動、特に等静圧、高圧捩り、加熱時間、加熱温度などの変動によって達成できる。
合成された材料のラマンスペクトルは、金属ナノクラスターの合成されたフラーライドと、金属ナノクラスターのフラーライドから焼結された物品の両方におけるフラーレン状態の制御のために使用できる。ラマンスペクトルは、フラーレンの保持、金属ナノ結晶からフラーレンへと移動される電子の数又はフラーレンと金属クラスターとの化学結合の程度などのパラメータの制御のために使用することができる。ラマン分光法は、その制御のために唯一の手段ではない。代わりの手段は、IR、XPS及び他のものであってよい。
本発明による材料は、金属ナノクラスターのフラーライドを含む。本発明による材料は、前記の本発明による方法によって製造することができる。
金属ナノクラスターとフラーレンとの化学結合は、共有結合、イオン結合もしくは部分的に共有結合で部分的にイオン結合であってよい。更に、前記材料は、5nm〜60nmの寸法の、特に10nm〜30nmの寸法の金属ナノクラスターを含んでよい。
本発明による材料は、Men(Cxm[式中、Cxは、フラーレンであり、かつMeは、金属であり、かつmが1の場合に、nは、10以上である]として表現できる。前記の金属は、アルミニウム−リチウム合金、例えば慣用のアルミニウム−リチウム合金1430を含んでよい。前記のフラーレンは、C60、C70、C80もしくはC36ボール形状の分子を含んでよい。
本発明の利点は、以下の通りである。合成された汎用的なナノブロックは、フラーレンと化学結合された金属ナノクラスターから構成され、こうして、金属ナノクラスターのフラーライドを生成する。前記の汎用的なナノブロックは、機械的特性の改善と、輸送特性及び光学特性の設計及び改変の可能性とを結びつける。出発ナノブロックの特性は、そのナノブロックが焼結の間に破壊されなければ、集合体の特性を決定する。転位運動の阻止効果は、金属ナノクラスターの寸法によって提供され、かつその効果は、大抵、恐らくは金属クラスターの表面に結合されたフラーレンの存在によって増強される。電子は、金属ナノ結晶からフラーレンへと移動し、こうして、金属とフラーレンの両方の輸送特性と光学特性のための条件が与えられる。移動される電子の数は、合成と引き続いての焼結の間に制御できる値である。金属ナノクラスターのフラーライドを含む、汎用的なナノブロックの合成の主要な特徴は、フラーレンの保持と、分子破壊の回避である。物品、例えば製品、素子もしくは部品は、金属ナノクラスターのフラーライドを含む汎用的なナノブロックから焼結させることができる。金属ナノクラスターの合成されたフラーライドからの物品(製品、素子、部品)の焼結方法の主要な特徴は、金属ナノクラスターのフラーライドを含む汎用的なナノブロックにおける、フラーレンの保持及び分子破壊の回避である。
本発明の更なる特徴、特性及び利点は、以下の実施態様の記載と、それに付随する図面と組み合わせて明らかになる。記載された特徴は、単独でも互いに組み合わせても好ましいものである。
図1は、初期のフラーレンC60のラマンスペクトル、20分間の粉砕により合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル、120分間の粉砕により合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル、並びにアルミニウム−リチウムナノクラスターの焼結されたフラーライドのラマンスペクトルを示している。 図2は、崩壊したフラーレン産物のラマンスペクトルと、20分間の粉砕によって合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトルを示している。
本発明の第一の一実施態様を、ここで図1を参照して説明する。
慣用のアルミニウム−リチウム合金1430及び99.99%純度のフラーレンC60を、遊星型ミルの容器中に装入した。装入は、グローブボックス内で、Ar(99.999%純度)及び3%のH2(99.9999%純度)の雰囲気中で実施した。前記のグローブボックスは、スルースもしくはロックを装備している。前記のスルースは、作業中にAr及びH2によって放出される。遊星型ミルの鋼製ボールの直径は、約7.12mmであった。そのボールの重さは、259gであった。装入された材料の全質量は、9.7gの慣用のアルミニウム−リチウム合金1430と、0.3gのC60(3質量%)とを含めて、10gであった。出発材料は、約0.5mmの寸法の顆粒であった。粉砕用ボールの加速は、1000m/c2であった。
以下の2種類の例示した処理手法を使用した。第一の実施例においては、まず、アルミニウム−リチウム合金1430を、100分にわたり粉砕した。次いで、フラーレンC60を添加し、そしてアルミニウム−リチウム合金1430とフラーレンC60とを一緒に20分にわたり粉砕した。第二の実施例においては、アルミニウム−リチウム合金1430をフラーレンC60と一緒に120分にわたり粉砕した。
合金化後の材料は、両方の実施例において、平均寸法20nmを有するアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドである。金属ナノ結晶からフラーレンへと移動される電子の数及びフラーレンと金属クラスターとの化学結合の程度は、2つの実施例について異なっている。
アルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドを、X線と、透過型電子顕微鏡(TEM)によって分析した。前記合金中のアルミニウム−リチウムナノクラスターは、ナノ結晶であった。アルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドの平均寸法は、20nmであった。
X線回折データによれば、Al43は、処理後に生成しなかった。出発アルミニウム−リチウムに相当するバンドだけが、回折パターン中に存在する。平均結晶寸法Dは、粉末X線回折(XRD)スペクトルから、Selyakov−Scherrer法(A.Guinier.X−Ray Diffraction − In Crystals,Imperfect Crystals,and Amorphous Bodies,Dover Publication,New York(1963))によって測定された。Selyakov−Scherrer法によって得られたデータを、更に複雑なHall−Williamson法(G.K.Williamson and W.H.Hall.Acta Metallurgica 1,1953,22−31)によって検証した。この方法において、全てのピークに関するデータは、FWHM cosθ/λの、sinθ/λに対する座標でプロットされる。縦軸への二乗平均線の外挿は、1/Dの値をもたらす。TEMは、X線手段を用いて得た結果の検証のために使用した。
ラマンスペクトルは、フラーレンの保持、金属ナノ結晶からフラーレンへと移動される電子の数及びフラーレンと金属クラスターとの化学結合の程度などのパラメータの制御のために使用した。初期のフラーレンC60のラマンスペクトル、第一の実施例で合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル、第二の実施例で合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル並びにアルミニウム−リチウムナノクラスターの焼結されたフラーライドのラマンスペクトルを以下に説明し、それらは図1でプロットされている。
図1は、初期のフラーレンC60のラマンスペクトル(1)、20分間の粉砕により合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル(2)、120分間の粉砕により合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル(3)、並びにアルミニウム−リチウムナノクラスターの焼結されたフラーライドのラマンスペクトル(4)を示している。
ラマンスペクトルのx軸は、cm-1で示されるラマンシフトを示している。ラマンスペクトルのy軸は、任意の単位の強度を示している。初期のフラーレンC60のラマンスペクトル(1)は、700cm-1付近の幅広のバンド(17)と、1424cm-1でのバンド(5)、1468cm-1でのバンド(6)及び1574cm-1でのバンド(7)を示している。第一の実施例に記載されるように合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル(2)は、700cm-1付近の幅広のバンド(17)と、1425cm-1でのラマンバンド(8)及び1540cm-1でのラマンバンド(9)を示す。bcc結晶構造を有する重合されたフラーライドは、1450cm-1でのラマンバンドと1560cm-1でのラマンバンドを示す(図1には示されていない)。
重合されたフラーライドのラマンバンドと比較して、第一の実施例に記載されるように合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンバンド(2)は、1450cm-1でのラマンバンドについて−25cm-1の低周波シフトを示し、かつ1560cm-1でのラマンバンドについて−20cm-1の低周波シフトを示している。重合されたフラーライドのラマンバンドと比較して、第二の実施例において記載されるように合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンバンド(3)は、1330cm-1でのラマンバンド(10)と1470cm-1でのラマンバンド(11)を示す。これは、1450cm-1でのラマンバンドに関する−120cm-1の低周波シフトに相当し、かつ1560cm-1でのラマンバンドに関する−90cm-1の低周波シフトに相当する。
更に、図1は、第一の実施例において記載されるように合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドから高圧捩りによって焼結された、アルミニウム−リチウムナノクラスターの焼結されたフラーライドのラマンスペクトル(4)を示している。焼結プロセスの詳細は、第二の実施態様において説明される。ラマンスペクトル(4)は、1360cm-1でのラマンバンド(12)を示し、かつ1520cm-1でのラマンバンド(13)を示す。これらのラマンバンドは、重合されたフラーライドのラマンバンドと比較して、1450cm-1及び1560cm-1で、それぞれ−90cm-1及び−40cm-1の低周波シフトに相当する。
フラーレン/フラーライトのラマンスペクトルの十分に確立した解釈手法によれば、フラーレンは、合成の間に破壊されていなかった。フラーレン/フラーライトの特性的な特徴は、700cm-1付近のバンド幅の増大を伴う幅広のバンド(17)と、ラマンスペクトルにおける高周波正接モードの場合に重なり合うバンドである。
フラーライトのラマンスペクトルの解釈手法の詳細は、M.Popov,Y.Koga,S.Fujiwara,B.Mavrin,V.D.BlankによるCarbon nanocluster−based superhard materials.New Diamond and Frontier Carbon Technology Journal Vol.12(2002),No.4,pp229−260;V.Blank,S.Buga,G.Dubitsky,N.Serebryanaya,M.Popov and V.ProkhorovによるPerspectives of Fullerene Nanotechnology.Ed.E.Osawa,Kluwer Academic Publishers,Dordrecht/Boston/London,2002,pp.223−233;L.A.Chernozatonskii,N.R.Serebryanaya,B.N.MavrinによるChem.Phys.Let.316(2000),199において公表されている。全ての上述のラマンスペクトルの特徴は、フラーレン分子を乱す強力な化学結合の存在を示している。
アルミニウム−リチウムナノ結晶からフラーレンへと移動される電子の数は、金属からフラーレンへと移動される電子あたりの5cm-1の低周波シフト(少なくとも1424cm-1、1468cm-1及び1574cm-1のバンドに関して)から推定できる(V.N.Denisov他によるOptics and Spectroscopy,Vol.76,No.2,pp.242−253(1994);P.Rudolf他によるReport of Brookhaven National Laboratory,契約番号DE−AC02−98CH10886,エネルギー省,2000)。移動した電子のより正確な推定のために、アルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドと、出発フラーレンの代わりに、重合されたフラーライトのbcc相(M.Popov他によるNew Diamond and Frontier Carbon Technology Journal Vol.12(2002),No.4,pp229−260)とのシフトしたラマンバンドの比較を行った。推定を第1表に示す。
第1表 bccの重合されたものとアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドとについての高周波正接フラーレンモード
Figure 2011106030
まとめると、バンド幅は、フラーレンの化学結合の程度を示している。低周波シフトは、移動された電子の数を示している。これらの2つの事実は、フラーレンがアルミニウム−リチウムナノ結晶に結合されていることを示している。更に、化学結合の程度の指標としてのバンド幅と、移動された電子の数との間に相関がある(第1表を参照)。
本発明の第二の一実施態様を、ここで図1及び図2を参照して説明する。図1の説明に関しては、第一の実施態様が参照される。
本発明の実施態様の第一の実施例において、11GPaの圧力での高圧捩りによって室温でアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドから、1つのディスクを焼結させた。アルミニウム−リチウムナノクラスターの使用されるフラーライドは、アルミニウム−リチウム合金1430の100分間の粉砕と、引き続いてのC60の添加と、そのC60との合金の20分間の粉砕とによって、第一の実施態様の第一の実施例に記載されるように合成した。
フラーレン/フラーライトのラマンスペクトルの上述の解釈手法によれば、フラーレンは、合成の間に破壊されていなかった。焼結されたディスクのラマンスペクトル(4)は、図1に示されている。焼結されたディスクは、アルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドから構成される。移動された電子の数及びアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドの化学結合の程度などのパラメータは、第1表に列挙されている。
焼結されたディスクの硬度は、5GPa〜7GPaであるが、一方で、出発アルミニウム−リチウム合金1430は、0.8GPaの硬度を有している。
本発明による実施態様の第二の実施例においては、ディスクは、熱間等静圧プレスによって焼結された。この作業において、ディスクは、0.2キロバールで圧縮され、同時に480℃に加熱することによって焼結される。加熱時間は、約30分であり、一方、フラーライトの合成の間に、加熱時間は1分間を超過すべきでないことが知られている(M. Popov他によるNew Diamond and Frontier Carbon Technology Journal Vol.12(2002),No.4,pp229−260を参照)。長時間の加熱の結果として、フラーレンは破壊された。
図2は、崩壊したフラーレン産物のラマンスペクトル(18)と、20分間の粉砕によって合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル(2)を示している。図2におけるラマンスペクトル(18)は、崩壊したフラーレン産物を示し、それは、700cm-1と正接フラーレンモードの両方の不在を特徴としている。ラマンスペクトル(18)においては、1350cm-1での無秩序グラファイトのDモード(16)、1582cm-1でのグラフィーム型構造のGモード(15)に加えて、1620cm-1でのグラフィーム型構造の状態のフォノン密度のモード(14)が存在する。図2における、20分間の粉砕によって合成されたアルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのラマンスペクトル(2)は、比較のために示されている。
崩壊したフラーレンを有する焼結されたディスクの硬度は2GPaであるが、一方で、アルミニウム−リチウムナノクラスターのフラーライドのディスクは、5GPa〜7GPaの硬度を有する。
第二の実施態様は、焼結の間の金属ナノクラスターの保持並びにこの汎用的なナノブロックの独特な機械的特性の重要性を示している。

Claims (15)

  1. 金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法において、金属ナノクラスターとフラーレン型のクラスターとを、金属ナノクラスターのフラーライド中のフラーレン分子を保持して、機械的に合金化することを特徴とする、金属ナノクラスターのフラーライドの合成方法。
  2. 遊星型ミル中で粉砕することによって機械的に合金化することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 5nm〜60nmの寸法の金属ナノクラスターのナノ粉末を使用することを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
  4. アルミニウム−リチウム合金ナノクラスターを使用することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
  5. 重さ250g〜270gを有する鋼製の粉砕用ボールを、及び/又は直径6mm〜8mmを有する鋼製の粉砕用ボールを、遊星型ミル中で使用することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
  6. アルゴン及び水素を含む雰囲気中で機械的に合金化することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
  7. 金属ナノクラスター及びフラーレン型のクラスターを、0.5mm〜0.6mmの寸法の顆粒で使用することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
  8. 95質量%〜99質量%の金属ナノクラスター及び5質量%〜1質量%のフラーレンを含む、金属ナノクラスター及びフラーレン型のクラスターを使用することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
  9. 粉砕用ボールを使用し、かつ前記粉砕用ボールを800m/s2〜1200m/s2で加速させることを特徴とする、請求項2から8までのいずれか1項に記載の方法。
  10. 金属ナノクラスターを、80分〜120分で粉砕し、そして金属ナノクラスターをフラーレンと一緒に、10分〜30分で粉砕するか、又は金属ナノクラスターをフラーレンと一緒に、80分〜140分で粉砕することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
  11. 金属ナノクラスターのフラーライドを焼結させることを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
  12. 金属ナノクラスターのフラーライドを含む材料。
  13. 金属ナノクラスターとフラーレンとの化学結合が、共有結合、イオン結合又は部分的に共有結合で部分的にイオン結合であることを特徴とする、請求項12に記載の材料。
  14. 5nm〜60nmの寸法の金属ナノクラスターを含むことを特徴とする、請求項12又は13に記載の材料。
  15. Men(Cxm[式中、Cxは、フラーレンであり、かつMeは、金属であり、かつmが1の場合に、nは10以上である]として表現されることを特徴とする、請求項12から14までのいずれか1項に記載の材料。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018195272A1 (en) 2017-04-20 2018-10-25 Lanahan Samuel J Truncated icosahedra assemblies
RU2716965C1 (ru) * 2019-12-17 2020-03-17 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) Способ получения наноструктурного композиционного материала на основе алюминия
RU2716930C1 (ru) * 2019-12-17 2020-03-17 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) Способ получения наноструктурного композиционного материала на основе алюминия

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07501782A (ja) * 1991-11-26 1995-02-23 エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー 新規なフレレン類の塩
JP2003327421A (ja) * 2003-06-09 2003-11-19 Toyo Tanso Kk 炭素クラスター製造用原料
JP2007169701A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Mitsubishi Material Cmi Kk 電気接点用材料及びその製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH10886A (fr) 1895-09-10 1896-02-29 Pitt William Augustus Moteur à quatre cylindres
US5698497A (en) 1991-03-18 1997-12-16 Lucent Technologies Inc. Superconductivity in carbonaceous compounds and devices using such compounds
JPH0570117A (ja) 1991-03-18 1993-03-23 American Teleph & Telegr Co <Att> 炭素性化合物における導電率およびその様な化合物を使用する装置
US5294600A (en) 1991-07-03 1994-03-15 Nec Corporation Superconducting material comprising Rbx Csy C60.
US5196396A (en) 1991-07-16 1993-03-23 The President And Fellows Of Harvard College Method of making a superconducting fullerene composition by reacting a fullerene with an alloy containing alkali metal
US5223479A (en) 1991-08-01 1993-06-29 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Process for preparing alkali metal-doped fullerenes
US5324495A (en) 1991-11-26 1994-06-28 Exxon Research And Engineering Company Method of making metal fulleride
JP3390028B2 (ja) * 1992-04-01 2003-03-24 シャープ株式会社 超伝導体膜およびその製造方法
US5702542A (en) * 1993-03-26 1997-12-30 Brown; Alexander M. Machinable metal-matrix composite
US5759725A (en) * 1994-12-01 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoconductors and electrophotographic photoreceptors containing amorphous fullerenes
RU2127225C1 (ru) 1996-10-11 1999-03-10 Бланк Владимир Давыдович Сверхтвердый углеродный материал, способ его получения и изделие, выполненное из сверхтвердого углеродного материала
WO2000066813A1 (en) * 1999-05-04 2000-11-09 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Process for producing a superconductive layered material and product obtainable therefrom
ATE314311T1 (de) 2000-10-20 2006-01-15 Pirelli & C Spa Verfahren zur herstellung eines metallischen fulleriden
US7306674B2 (en) * 2001-01-19 2007-12-11 Chevron U.S.A. Inc. Nucleation of diamond films using higher diamondoids
US6726892B1 (en) * 2001-02-14 2004-04-27 Quantum Fuel Systems Technologies Worldwide, Inc. Advanced aluminum alloys for hydrogen storage
US7531273B2 (en) * 2001-05-29 2009-05-12 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Fullerene-based secondary cell electrodes
CN1483670A (zh) * 2002-09-17 2004-03-24 中国科学院化学研究所 一种富勒醇的制备方法
US20050186104A1 (en) * 2003-03-26 2005-08-25 Kear Bernard H. Composite materials containing a nanostructured carbon binder phase and high pressure process for making the same
CN1328158C (zh) * 2004-09-27 2007-07-25 南京大学 氮化硼和硼-碳-氮纳米胶囊或类富勒烯纳米粒子的制备方法
KR20080033335A (ko) * 2005-07-01 2008-04-16 신벤션 아게 다공성 망상 복합 물질의 제조 방법
US7754179B2 (en) * 2005-12-21 2010-07-13 The Penn State Research Foundation Lower pressure synthesis of diamond material
US7875388B2 (en) * 2007-02-06 2011-01-25 3M Innovative Properties Company Electrodes including polyacrylate binders and methods of making and using the same
KR20090109570A (ko) * 2007-02-06 2009-10-20 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 신규한 결합제를 포함하는 전극과, 그의 제조 방법 및 사용 방법
CN100562492C (zh) * 2007-11-08 2009-11-25 太原理工大学 一种聚乙二醇介质电弧放电制备洋葱状富勒烯的方法
RU2008126683A (ru) * 2008-06-30 2010-01-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" (ВлГУ) (R Способ формирования наноструктур и твердофазных наноструктурированных материалов с заданным геометрическим распределением

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07501782A (ja) * 1991-11-26 1995-02-23 エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー 新規なフレレン類の塩
JP2003327421A (ja) * 2003-06-09 2003-11-19 Toyo Tanso Kk 炭素クラスター製造用原料
JP2007169701A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Mitsubishi Material Cmi Kk 電気接点用材料及びその製造方法

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