CN101965650B - 热电纳米复合材料,制备该纳米复合材料的方法,以及该纳米复合材料的应用 - Google Patents
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- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 26
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 claims description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims description 2
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 5
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
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Abstract
本发明涉及一种热电纳米复合材料,制备该热电纳米复合材料的方法,以及该纳米复合材料的应用。本发明提供一种热电纳米复合材料,包括:具有至少一种碲化合物的多个均匀的陶瓷纳米颗粒;所述陶瓷纳米颗粒具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸;所述陶瓷纳米颗粒在每一情形下都被颗粒涂层涂覆;所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层。另外,本发明还涉及制备热电纳米复合材料的方法,该纳米复合材料包括:具有至少一种碲化合物的多个均匀的陶瓷纳米颗粒;所述均匀的陶瓷纳米颗粒具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸;所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下被颗粒涂层涂覆;所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层,所述方法包括:提供多个均匀陶瓷纳米颗粒的前体粉末,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,和具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10hm的范围内的平均颗粒尺寸,其中所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下包括含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的前体涂层,以及对前体粉末的热处理,从而通过将前体涂层转化为颗粒涂层而产生所述纳米复合材料。所述纳米复合材料显示出优异的热电特性,并用于热-电系统的部件中。
Description
发明背景
1、发明领域
本发明涉及一种热电纳米复合材料,制备该热电纳米复合材料的方法,以及该纳米复合材料的应用。
2、背景技术
用于热-电(heat-to-power)转化系统的最佳的传统热电(TE)材料具有的热电优值(figure ofmerit)约为1(S是塞贝克系数,是电导率,k是热导率,T是具有热电材料的热电设备的平均温度)。这限制了需要ZT>2.5时的实际应用。
对于纳米结构化的材料,已经验证到在2.5到4范围的ZT。纳米结构化的主要目标和效果是通过产生声子阻塞/电子传输效应的条件来控制ZT。纳米结构化的材料使用均相外延生长方法来合成。这种方法不能为工业生产纳米结构化的热电材料提供可能性。
在WO2006/137923A2中,提出了一种显示出增强的热电性质的热电纳米复合材料。该纳米复合材料包括两种或者更多种成分。这些成分是例如硅和锗的半导体。这些成分中的至少之一包括纳米结构化的材料,例如硅纳米颗粒。
在US 2004/0187905A1中,提供了一种包括多个陶瓷纳米颗粒(平均颗粒尺寸<100nm)的热电纳米复合材料,以及制备该纳米复合材料的方法。该纳米颗粒材料例如是如Be2Te3和Sb2Te3的化合物。该制备纳米复合材料的方法包括如下步骤:提供陶瓷材料的散装材料(bulk material),将该散装材料研磨为具有陶瓷纳米颗粒的陶瓷粉末,以及对该陶瓷粉末进行热处理。在开始研磨过程之前,可加入例如富勒烯的额外材料。加入富勒烯导致研磨过程中陶瓷粉末和富勒烯的机械合金化。该得到的纳米复合材料包括不均匀的(inhomogeneous)核壳陶瓷纳米颗粒。此外,在机械合金化过程中富勒烯被破坏。这些导致具有难以预知特性的不确定的几乎不能重现的热电纳米复合材料。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种具有优异可预知特性的热电纳米复合材料。本发明的另外一个目的是提供制备该热电纳米复合材料的方法。该方法应该是简单并可重现的。
这些目的通过权利要求所规定的本发明来实现。
本发明背后的思想是对已知的热电纳米复合材料进行改进,以及对制备热电纳米复合材料的方法进行改进。
本发明提供了一种热电纳米复合材料,包括:具有至少一种碲化合物的多个均匀(homogeneous)的陶瓷纳米颗粒;所述陶瓷纳米颗粒具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸;所述陶瓷纳米颗粒在每一情形下被颗粒涂层涂覆;所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层(the particle coating comprises at least one layer withnanostructured,substantially intact carbon material)。
另外,本发明还涉及制备热电纳米复合材料的方法,所述纳米复合材料包括:具有至少一种碲化合物的多个均匀的陶瓷纳米颗粒;所述均匀的陶瓷纳米颗粒具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸;所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下被颗粒涂层涂覆;所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层,所述方法包括:提供多个均匀陶瓷纳米颗粒的前体粉末,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,和具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸,其中所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下包括含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的前体涂层,以及对前体粉末的热处理,从而通过将前体涂层转化为颗粒涂层而产生所述纳米复合材料。
根据优选的实施方案,平均颗粒尺寸小于20nm。均匀的陶瓷纳米颗粒的物理性质和化学性质都是完全均一的。例如,这样的纳米颗粒不具有任何的核壳结构。不发生合金化。与现有技术的情况不同,碳不嵌入陶瓷的碲化合物中。此外,含纳米结构化的碳材料的涂层是完整的(intact)。这意味着碳材料均没有被损坏或者破坏。在机械合金化的情况下,将会发生纳米结构化的碳材料的损坏或者破坏。
作为纳米结构化的碳材料,可以使用任何合适的材料或者这些材料的混合物。在特别的实施方案中,纳米结构化的碳材料选自由富勒烯和碳纳米管组成的群组。碳纳米管可以是单壁碳纳米管(SWCNt)或者多壁碳纳米管(MWNT)。
特别地,富勒烯适合作为纳米结构化的碳材料(nanostructured carbonmaterial)。在优选实施方案中,富勒烯选自由C36、C60、C70和C81组成的群组。可以仅使用一种富勒烯。也可以使用两种或者更多种这些富勒烯的混合物。
该纳米结构化的碳材料可以以未改性的形式使用。使用该纳米结构化的碳材料的原材料(base material)。在另一实施方案中,该纳米结构化的碳材料是经化学改性的。这意味着使用了纳米结构化的碳材料的一种或者多种衍生物。例如,所用的富勒烯是官能化的。官能团连接到富勒烯的原材料上。此外,也可以使用富勒烯的二聚物或者三聚物。
颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的碳材料的层。在另一实施方案中,所述层是连续的或者间断的。例如通过互相分离的富勒烯的群岛(isles)来实现间断的层。
原则上,纳米结构化的碳材料的层数是任意的。但是特别地,低数目的这些层能够产生好的热电性能。因此,在优选实施方案中,颗粒涂层包括最多五个含纳米结构化的碳材料的层,特别是包括最多三个含纳米结构化的碳材料的层。特别地,含纳米结构化的碳材料的单层是合适的。
不同的碲化合物是可能的。在特别的实施方案中,碲化合物包括选自由锑(Sb)和铋(Bi)组成的群组中的至少一种元素。也可以使用如铅(Pb)或者硒(Se)的其它元素。根据优选实施方案,碲化合物是选自由Bi2Te3和Sb2Te3组成的群组中的至少一种碲化物。除这些化合物的固溶体之外,也可以使用这些化合物的混合物。
关于制备该热电纳米复合材料的方法,优选地,提供该前体粉末包括提供陶瓷粉末和碳粉末的混合物,其中陶瓷粉末包括多个均匀的陶瓷纳米颗粒,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,具有选自大约5nm至大约30nm,特别是至大约10nm的范围内的平均颗粒尺寸,并且其中碳粉末包括纳米结构化的、大体上完整的碳材料。
根据特别的实施方案,提供粉末混合物包括研磨陶瓷粉末的陶瓷原料,得到陶瓷粉末,将碳粉末加入陶瓷粉末中并混合陶瓷粉末和碳粉末,从而产生所述粉末混合物。碳粉末在研磨过程快要结束之前或者在研磨过程之后加入。研磨包括球磨或者其它类似的方法。
前体粉末可以直接热处理。在热处理之前对前体粉末进行压紧能获得更好的结果。因此,根据特别的实施方案,提供前体粉末包括对前体粉末进行机械压紧。将机械压力施加到前体粉末上。
在压制过程中形成所得的前体粉末。在压制过程后,在至多400℃的温度实施热处理,特别是在至多350℃实施热处理。
所得的热电纳米复合材料展示出优异的热电性能。所述热电纳米复合材料优选用于热-电系统的部件中,例如珀耳帖元件(Peltier element)。
除了上文中提到的优点,下面还要指出其它的优点:样品具有重现性,并且是机械稳定的。合成的过程允许通过改变纳米结构化的碳材料的浓度来优化样品的性能。这种热电纳米复合材料可以以足够用于设备生产的量合成,。
附图说明
本发明的进一步特征和优点通过结合附图对示例性实施方案的描述得以体现。
图1示出了被C60分子单层所覆盖的Bi2Te3的纳米颗粒(纳米微晶)的透射电子显微照片。
图2是相关材料的拉曼光谱。
具体实施方式
热电纳米复合材料,包括:多个均匀的陶瓷纳米颗粒。在第一个实施例中,碲化合物是p型的Bi2Te3(Bi2Te3以及26原子%的Sb2Te3),在第二个实施例中,碲化合物只为Bi2Te3。纳米颗粒的平均颗粒尺寸为大约20nm。陶瓷纳米颗粒在每一情形下都被颗粒涂层所涂覆。颗粒涂层在每一情形下包括一个含纳米结构化的、大体上完整的碳材料的层。纳米结构化的碳材料是未改性的富勒烯C60。
制备热电纳米复合材料的方法包括如下步骤:提供多个均匀的陶瓷纳米颗粒的前体粉末,其中所述均匀的陶瓷纳米颗粒包括含C60分子的前体涂层,并且对所述前体粉末进行热处理,使得通过将前体涂层转变为颗粒涂层来产生纳米复合材料。
初始材料如下:杂质含量低于10-4的p型Bi2Te3(Bi2Te3以及原子26%的Sb2Te3),杂质含量低于10-4的Bi2Te3,以及纯度为大约99.99%的富勒烯C60。
为了获得前体粉末,将碲化合物的散装材料研磨为陶瓷粉末,并与C60分子的碳粉末混合。为此,行星式磨机以17-19g(重力加速度)的加速度旋转。使用直径大约为7mm的不锈钢球。球与被处理材料的比例大约为8g。在氩气(Ar)气氛下的手套箱中进行被处理材料的装载。可以选择下面的处理过程:对Bi2Te3研磨1h,加入C60的粉末,并对Bi2Te3和C60进行0.5h的处理。在研磨过程后,在活塞-气缸室中在2GPa的压力下进行粉末的压紧。经压制的片在350℃在Ar气氛中在2h期间进行附聚(agglomerate)。样品的直径为10mm,厚度为1mm。
下述的过程用于表征样品:X-射线,拉曼光谱(图2),透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM),硬度测试。图1展示了具有关键元素的纳米复合材料1:被涂层11所覆盖的Bi2Te3的纳米晶粒(纳米颗粒)10,该涂层11含有C60分子的单层12。单层的厚度小于1nm。在图2中,示出了导致形成热电纳米复合材料(24)的C60初始材料(20),初始p型Bi2Te3(21),研磨过的p型Bi2Te3(22),p型Bi2Te3粉末和C60粉末的混合物(前体粉末,23),以及热处理过的前体粉末的拉曼光谱。
Claims (19)
1.热电纳米复合材料(1),包括:
-具有至少一种碲化合物的多个均匀的陶瓷纳米颗粒(11);
-所述陶瓷纳米颗粒具有选自5nm至30nm的范围内的平均颗粒尺寸;
-所述陶瓷纳米颗粒在每一情形下被颗粒涂层(11)所涂覆;
-所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层(12)。
2.如权利要求1所述的热电纳米复合材料,其中所述陶瓷纳米颗粒具有选自5nm至10nm的范围内的平均颗粒尺寸。
3.如权利要求1所述的热电纳米复合材料,其中所述纳米结构化的碳材料选自由富勒烯和碳纳米管组成的群组。
4.如权利要求3所述的热电纳米复合材料,其中所述富勒烯选自由C36,C60和C80组成的群组。
5.如权利要求1-4中任一项所述的热电纳米复合材料,其中所述纳米结构化的碳材料是经化学改性的。
6.如权利要求1-4中任一项所述的热电纳米复合材料,其中所述层是连续或者间断的。
7.如权利要求1-4中任一项所述的热电纳米复合材料,其中所述颗粒涂层包括最多五个含纳米结构化的碳材料的层。
8.如权利要求1-4中任一项所述的热电纳米复合材料,其中所述颗粒涂层包括最多三个含纳米结构化的碳材料的层。
9.如权利要求1-4中任一项所述的热电纳米复合材料,其中所述碲化合物包括选自由锑和铋组成的群组中的至少一种元素。
10.如权利要求1-4中任一项所述的纳米复合材料,其中所述碲化合物是选自由Bi2Te3和Sb2Te3组成的群组中的至少一种碲化物。
11.用于制备热电纳米复合材料的方法,
所述纳米复合材料包括:
-具有至少一种碲化合物的多个均匀的陶瓷纳米颗粒;
-所述均匀的陶瓷纳米颗粒具有选自5nm至30nm的范围内的平均颗粒尺寸;
-所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下被颗粒涂层所涂覆;
-所述颗粒涂层包括至少一个含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的层,
所述方法包括:
-提供多个均匀陶瓷纳米颗粒的前体粉末,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,和具有选自5nm至30nm的范围内的平均颗粒尺寸,其中所述均匀的陶瓷纳米颗粒在每一情形下包括含纳米结构化的、基本上完整的碳材料的前体涂层,以及
-对所述前体粉末的热处理,从而通过将所述前体涂层转化为颗粒涂层而生成所述纳米复合材料。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述平均颗粒尺寸为5nm至10nm。
13.如权利要求11所述的方法,其中提供所述前体粉末包括提供陶瓷粉末和碳粉末的粉末混合物,其中所述陶瓷粉末包括多个均匀的陶瓷纳米颗粒,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,和具有选自5nm至30nm的范围内的平均颗粒尺寸,并且其中所述碳粉末包括纳米结构化的、基本上完整的碳材料。
14.如权利要求12所述的方法,其中提供所述前体粉末包括提供陶瓷粉末和碳粉末的粉末混合物,其中所述陶瓷粉末包括多个均匀的陶瓷纳米颗粒,该陶瓷纳米颗粒具有至少一种碲化合物,和具有选自5nm至10nm的范围内的平均颗粒尺寸,并且其中所述碳粉末包括纳米结构化的、基本上完整的碳材料。
15.如权利要求13或14所述的方法,其中提供所述粉末混合物包括
-研磨陶瓷粉末的陶瓷原料,形成该陶瓷粉末,
-将所述碳粉末添加到所述陶瓷粉末中,以及
-混合该陶瓷粉末和碳粉末,从而产生所述粉末混合物。
16.如权利要求11-14中任一项所述的方法,其中提供前体粉末包括机械压紧所述前体粉末。
17.如权利要求11-14中任一项所述的方法,其中所述热处理在至多400℃实施。
18.如权利要求11-14中任一项所述的方法,其中所述热处理在至多350℃实施。
19.根据权利要求1-10中任一项所述的热电纳米复合材料作为热-电系统的热电部件的应用。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/RU2008/000120 WO2009110815A1 (en) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | Thermoelectric nanocomposite, method for making the nanocomposite and application of the nanocomposite |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101965650A CN101965650A (zh) | 2011-02-02 |
CN101965650B true CN101965650B (zh) | 2013-03-13 |
Family
ID=40120110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200880127648.8A Expired - Fee Related CN101965650B (zh) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 热电纳米复合材料,制备该纳米复合材料的方法,以及该纳米复合材料的应用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110108774A1 (zh) |
EP (1) | EP2248195B1 (zh) |
JP (1) | JP5210397B2 (zh) |
CN (1) | CN101965650B (zh) |
WO (1) | WO2009110815A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2008-02-29 EP EP08873181.5A patent/EP2248195B1/en not_active Not-in-force
- 2008-02-29 JP JP2010548636A patent/JP5210397B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-29 CN CN200880127648.8A patent/CN101965650B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-29 WO PCT/RU2008/000120 patent/WO2009110815A1/en active Application Filing
- 2008-02-29 US US12/735,981 patent/US20110108774A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009110815A1 (en) | 2009-09-11 |
EP2248195A1 (en) | 2010-11-10 |
CN101965650A (zh) | 2011-02-02 |
US20110108774A1 (en) | 2011-05-12 |
JP5210397B2 (ja) | 2013-06-12 |
EP2248195B1 (en) | 2013-07-31 |
JP2011513969A (ja) | 2011-04-28 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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