JP2011103459A - Pmosデバイスのゲートスタックのしきい値電圧を調整する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
【解決手段】ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法は、第1の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物であるゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、第2の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体VT調整層を形成するステップと、ゲート誘電体層およびVT調整層の上にゲート電極を形成するステップと、を含み、前記ゲートスタックの実効仕事関数が、誘電体VT調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、第2の電気陰性度が、第1の電気陰性度およびAl2O3のいずれよりも高い。
【選択図】図3
Description
Claims (16)
- ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
−第1の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である前記ゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、
−第2の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体VT調整層を形成するステップと、
−前記ゲート誘電体層および前記VT調整層の上に前記ゲート電極を形成するステップと、
を含み、
前記ゲートスタックの実効仕事関数が、前記誘電体VT調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、前記第2の電気陰性度が、前記第1の電気陰性度およびAl2O3の電気陰性度のいずれよりも高い、方法。 - 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ1:Ti、グループ2:MoおよびW、グループ3:Pb、グループ4:SbおよびBi、グループ5:Geのグループうちの1つから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ1:Tiから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ2:MoおよびWから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ3:Pbから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ4:SbおよびBiから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の電気陰性度を有する前記金属が、グループ5:Geから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記金属酸化物は、Bi2O3である、請求項1に記載の方法。
- 前記VT調整層が、前記半導体基板の上および前記ゲート誘電体層の下に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記VT調整層が、前記ゲート誘電体層の上に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記VT調整層が、前記ゲート誘電体層の中間に位置している、請求項1に記載の方法。
- ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
−金属または半金属が第1の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である前記ゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、
−第2の電気陰性度を有する1つ以上の元素で前記ゲート誘電体層をドープするステップと、
−前記ドープされたゲート誘電体層の上に前記ゲート電極を形成するステップと、
を含み、
前記ゲート誘電体層をドープする前記ステップが、前記ドーパントの量および種類を調整することによって前記ゲートスタックの実効仕事関数を所望の値に調整することを含み、前記第2の電気陰性度が、前記第1の電気陰性度より高い、方法。 - 前記ドーパントは、ハロゲン化合物である、請求項12に記載の方法。
- 前記ドーパントは、フッ素である、請求項12に記載の方法。
- ドープする前記ステップが、前記ゲート誘電体層をF2、NF3、TiF4またはTaF5にさらすことを含む、請求項14に記載の方法。
- ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
−半導体基板のPMOS領域の上に前記ゲート誘電体層を形成するステップと、
−前記ゲート誘電体層の上にGe、SbまたはTeをその任意の組成で含む誘電体VT調整層を形成するステップと、
−前記ゲート誘電体層および前記VT調整層の上に前記ゲート電極を形成するステップと、
を含み、
前記ゲートスタックの実効仕事関数が、前記誘電体VT調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整される、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24936109P | 2009-10-07 | 2009-10-07 | |
US61/249,361 | 2009-10-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011103459A true JP2011103459A (ja) | 2011-05-26 |
Family
ID=43823498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010239030A Pending JP2011103459A (ja) | 2009-10-07 | 2010-10-07 | Pmosデバイスのゲートスタックのしきい値電圧を調整する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8399344B2 (ja) |
JP (1) | JP2011103459A (ja) |
KR (1) | KR20110037916A (ja) |
TW (1) | TW201133644A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228429A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2013070052A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Samsung Display Co Ltd | 酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板 |
WO2015166572A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5718072B2 (ja) | 2010-07-30 | 2015-05-13 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ |
US9006092B2 (en) * | 2011-11-03 | 2015-04-14 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure having fluoride metal layer and process thereof |
JP5990976B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-09-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8791003B2 (en) * | 2012-06-21 | 2014-07-29 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits with fluorine passivation |
CN104103502B (zh) * | 2013-04-02 | 2017-02-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的形成方法 |
KR102262887B1 (ko) | 2014-07-21 | 2021-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10002937B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-06-19 | International Business Machines Corporation | Shared metal gate stack with tunable work function |
KR102376789B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2022-03-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
US10580703B2 (en) | 2018-05-02 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | Multivalent oxide cap for multiple work function gate stacks on high mobility channel materials |
KR20210050686A (ko) | 2019-10-29 | 2021-05-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4010A (en) * | 1845-04-22 | Island | ||
JP2006114747A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007080995A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007142266A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007184531A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007324594A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-13 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 実効仕事関数を調整するための方法 |
JP2007329237A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008306051A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009538542A (ja) * | 2006-05-26 | 2009-11-05 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 中間層を有する半導体素子の形成方法及びその構造 |
JP2010267964A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 非対称型半導体デバイス及び製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6806145B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-10-19 | Asm International, N.V. | Low temperature method of forming a gate stack with a high k layer deposited over an interfacial oxide layer |
JP5280670B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5314964B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2013-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-10-06 US US12/898,911 patent/US8399344B2/en active Active
- 2010-10-07 JP JP2010239030A patent/JP2011103459A/ja active Pending
- 2010-10-07 KR KR1020100097828A patent/KR20110037916A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-10-07 TW TW099134123A patent/TW201133644A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4010A (en) * | 1845-04-22 | Island | ||
JP2006114747A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007080995A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007142266A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007184531A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009538542A (ja) * | 2006-05-26 | 2009-11-05 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 中間層を有する半導体素子の形成方法及びその構造 |
JP2007324594A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-13 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 実効仕事関数を調整するための方法 |
JP2007329237A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008306051A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010267964A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 非対称型半導体デバイス及び製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228429A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2013070052A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Samsung Display Co Ltd | 酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板 |
WO2015166572A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10658469B2 (en) | 2014-05-01 | 2020-05-19 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device including a plurality of nitride semiconductor layers |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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