JP2011093757A - フツリン酸ガラス、近赤外線吸収フィルター、光学素子および半導体イメージセンサー用ガラス窓 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カチオン成分として、P5+を30〜50カチオン%、Zn2+を30〜50カチオン%、Na+を10〜30カチオン%、Li+を0〜7カチオン%、K+を0〜7カチオン%、Ba2+を0〜2カチオン%、含むフツリン酸ガラスであって、P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.4以上、かつF-とO2-との合計含有量に対するF-の含有量のモル比(F-/(F-+O2-))が0.05以上であるフツリン酸ガラス。
【選択図】なし
Description
更に本発明は、上記フツリン酸ガラスからなる近赤外線吸収フィルター、光学素子および半導体イメージセンサー用ガラス窓に関する。
したがって、フツリン酸ガラスから、近赤外線吸収フィルター、光学素子、半導体イメージセンサー用ガラス窓といったガラス成形品を得る際には、失透を起こすことなく高品質なガラス成形品を安定供給することが課題となっている。
本願発明者は、上記知見に基づき更に検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
[1]カチオン成分として、
P5+を30〜50カチオン%、
Zn2+を30〜50カチオン%、
Na+を10〜30カチオン%、
Li+を0〜7カチオン%、
K+を0〜7カチオン%、
Ba2+を0〜2カチオン%、
含むフツリン酸ガラスであって、
P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.4以上、かつF-とO2-との合計含有量に対するF-の含有量のモル比(F-/(F-+O2-))が0.05以上であるフツリン酸ガラス。
[2]Zn2+の含有量に対するP5+の含有量のモル比(P5+/Zn2+)が0.7〜1.3の範囲である[1]に記載のフツリン酸ガラス。
[3]P5+、Zn2+およびNa+の合計含有量が80カチオン%以上である[1]または[2]に記載のフツリン酸ガラス。
[4]Cu2+を1〜7カチオン%含み、P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.6以下である[1]〜[3]のいずれかに記載のフツリン酸ガラス。
[5]Uの含有量が5ppb以下、Thの含有量が5ppb以下である[1]〜[4]のいずれかに記載のフツリン酸ガラス。
[6][1]〜[5]のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる近赤外線吸収フィルター。
[7][1]〜[5]のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子。
[8][1]〜[5]のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる半導体イメージセンサー用ガラス窓。
[9][1]〜[5]のいずれかに記載のフツリン酸ガラスの製造方法であって、
上記ガラスを得るための成分を調合することによりガラス原料を作製すること、
作製したガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作製すること、
作製した熔融ガラスを成形すること、
を含み、前記成分の少なくとも1つとして硫酸塩を使用することを特徴とする、前記製造方法。
本発明のフツリン酸ガラスは、カチオン成分として、P5+を30〜50カチオン%、Zn2+を30〜50カチオン%、Na+を10〜30カチオン%、Li+を0〜7カチオン%、K+を0〜7カチオン%、Ba2+を0〜2カチオン%
含み、P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.4以上、かつF-とO2-との合計含有量に対するF-の含有量のモル比(F-/(F-+O2-))が0.05以上であるフツリン酸ガラスである。
以下、本発明のフツリン酸ガラスについて、更に詳細に説明する。以下において、特記しない限り「%」とは、「カチオン%」を意味するものとする。
Li+、K+、Ba2+の中で、K+は、ガラス熔融時の蒸気圧が高く、好ましくない揮発を助長し、また耐候性も悪化させるため、揮発性の抑制および耐候性向上の観点からも、その含有量を上記のように制限する。
Ba2+は摩耗度、熱膨張係数を増加させる働きをするため、ガラスの加工性を低下させてしまう。こうした理由からも、Ba2+の含有量を上記範囲に制限する。
したがって、揮発性を極めて低レベルに抑える上から、モル比O2-/P5+を3.5以上(酸素原子/リン原子≧3.5)にすることが好ましいが、モル比O2-/P5+を3.4以上に調整、コントロールすることによっても、揮発成分の発生量を、製造を困難にしない程度まで減少させることができるため、本発明のフツリン酸ガラスでは、モル比O2-/P5+を3.4以上とする。モル比O2-/P5+を3.4以上とすることにより、ガラスの揮発性に加えてと侵蝕性も抑制することができる。なお、上記観点から、モル比O2-/P5+の好ましい範囲は3.45以上、より好ましい範囲は3.48以上、さらに好ましい範囲は3.50以上である。モル比O2-/P5+の上限は特に限定されないが、O2-の含有量が過剰になって、F-の含有量が不足したり、P5+の含有量が不足する事態を避ける上から、モル比O2-/P5+を3.8以下とすることが好ましく、3.75以下とすることがより好ましく、3.7以下とすることがさらに好ましく、3.6以下にすることが一層好ましい。
モル比O2-/P5+を3.4以上にする上から、モル比(F-/(F-+O2-))の上限を0.4とすることが好ましく、0.3とすることがより好ましく、0.2とすることがさらに好ましい。
上記のように、本発明のフツリン酸ガラスの主要アニオン成分は、F-およびO2-であるため、F-およびO2-の合計含有量を95アニオン%以上にすることが好ましく、97アニオン%以上にすることがより好ましく、98アニオン%以上にすることがさらに好ましく、99アニオン%以上にすることが一層好ましく、99.5アニオン%以上にすることがより一層好ましく、100アニオン%さらに一層好ましい。
その他、カチオン成分としてAl3+、Mg2+、Ca2+、Sr2+を導入することもできる。その場合、良好な熱的安定性を維持する上から、Al3+の含有量を0〜10カチオン%、Mg2+の含有量を0〜10カチオン%、Ca2+の含有量を0〜10カチオン%、Sr2+の含有量を0〜10カチオン%の各範囲にとどめることが好ましい。なお、上記観点から、Al3+の含有量を0〜5カチオン%の範囲とすることがより好ましく、0〜3カチオン%の範囲とすることがさらに好ましく、Al3+を含有させなくてもよい。Mg2+の含有量のより好ましい範囲は0〜7カチオン%、さらに好ましい範囲は0〜4カチオン%であり、Mg2+を含有させなくてもよい。Ca2+の含有量のより好ましい範囲は0〜7カチオン%、さらに好ましい範囲は0〜4カチオン%であり、Ca2+を含有させなくてもよい。Sr2+の含有量のより好ましい範囲は0〜7カチオン%、さらに好ましい範囲は0〜4%であり、Sr2+を含有させなくてもよい。
ここで外部透過率とは、互いに平行な光学研磨を施した平面を有する試料に、前記光学研磨を施した平面の一方に垂直に入射する光の強度Iinと、試料を透過し光の強度IoutによりIout/Iinによって表される量であり、試料表面における反射損失も含む透過率である。
U、ThはBa原料に混入しやすいため、Baを必須成分としない本発明のフツリン酸ガラスは、U、Thの混入抑制が容易であり、低アルファ線化に適している。すなわち、低アルファ線化を行う上からもBa2+の含有量を上記の範囲に制限することが好ましい。
なお、低アルファ線化にあたり、Baの使用量制限のほか、各ガラス原料に超高純度のものを使用し、ガラス熔融ルツボもU、Thを含まないものを使用して、不純物としてU、Thが極力混入しないようにガラスを製造すべきである。
Cuを含有するフツリン酸ガラスを低アルファ線化することにより、一つの部品で、近赤外線吸収フィルター機能とイメージセンサーのカバーガラスの機能が得られ、部品点数の省略に有効であるほか、撮像光学系のコンパクト化にも有効である。
更に本発明は、本発明のフツリン酸ガラスの製造方法に関する。本発明のフツリン酸ガラスの製造方法は、上記ガラスを得るための成分を調合することによりガラス原料を作製すること、作製したガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作製すること、作製した熔融ガラスを成形すること、を含み、前記成分の少なくとも1つとして硫酸塩を使用することを特徴とするものである。
本発明の近赤外線吸収フィルターは、上記フツリン酸ガラスからなる。近赤外線吸収フィルターの代表的な態様は、フツリン酸ガラスを熔融、成形し、アニールした後、板状にスライスし、両面を光学研磨し、作製されるものである。フィルターの厚みは、波長615nmにおける外部透過率が50%になる厚さとすることが、CCD、CMOSなどの半導体イメージセンサーの色感度を補正する上から望ましい。フィルター表面には、反射防止膜(可視域における反射防止)や、近赤外線の遮断機能を高めるため、近赤外線反射膜などをコーティングしてもよい。本発明の近赤外線吸収フィルターは、CCDやCMOSなどの半導体イメージセンサーの色感度補正用として好適である。
本発明の光学素子は、上記フツリン酸ガラスからなる。光学素子としては、球面レンズ、非球面レンズ、プリズムなどを例示することができる。球面レンズの作製法には、ガラスを加工して、プレス用素材を作り、この素材を加熱、軟化し、プレス成形してレンズに近似した形状にし、研削、研磨する方法や、熔融ガラスをプレス成形型上に供給し、ガラスが軟化状態にある間にプレス成形し、成形品を研削、研磨する方法などがある。非球面レンズの作製法には、精密プレス成形用プリフォームと呼ばれるプレス用素材を作り、このプリフォームを加熱、プレス成形型を用いて精密プレス成形する方法などがある。
プリズムは、プレス成形品を研削、研磨するなどして作ることができる。
光学素子表面には、反射防止膜などのコーティングを施してもよい。
本発明の半導体イメージセンサー用ガラス窓は、上記フツリン酸ガラスからなる。半導体イメージセンサー用ガラス窓は、カバーガラスとも呼ばれるが、半導体イメージセンサーの受光面に極めて接近した位置に固定されるため、ガラス中にU、Thといった放射線源(特にアルファ線源)が含まれていると、そこから発生した放射線がイメージセンサーに入射し、ソフトエラーなどの不具合を発生させる。こうした不具合を解消する上から、U、Thの含有量(混入量)を極めて低レベルに抑えたカバーガラスが望まれる。本発明のフツリン酸ガラスは、先に説明したようにU、Thの含有量を低減することが可能であるため、カバーガラスとして好適である。
本発明の半導体イメージセンサー用ガラス窓の好ましい態様によれば、ガラス窓を構成するフツリン酸ガラス中に含まれるU、Thの含有量が各々、5ppb以下であるので、ソフトエラーなどの不具合は発生しない。更に、ガラス窓として、上記Cuを含む近赤外線吸収ガラスを使用することにより、カバーガラスと色感度補正用フィルターを一つの部品にすることができる。
表1に示す実施例1〜20の各ガラス組成が得られるように、二リン酸亜鉛などのリン酸塩や、硫酸ナトリウムなどの硫酸塩、フッ化ナトリウムなどのフッ化物といった原料を調合し、白金坩堝に投入して、900℃で、攪拌しながら2〜3時間かけて原料を加熱、熔解し、清澄、均質化し、均質なガラス融液を得た後、ガラス融液、すなわち、熔融ガラスを鋳型に鋳込んで、実施例1〜20に相当する20種のフツリン酸ガラスを得た。上記工程において、揮発成分の多量の発生によりガラス製造が困難となることはなかった。また、得られたガラスの内部には、結晶の析出や残留泡、異物、脈理は認められなかった。
次に、表1に示す比較例1〜4の各ガラス組成が得られるように、ガラス原料を調合し、上記実施例と同様にガラスを熔解、成形した。
比較例1は、フッ素成分を含まないため、熱的安定性が低く、ガラスを熔解した坩堝の底に結晶の析出が認められた。
比較例2は、Na+の含有量が少ないため、熱的安定性が低く、坩堝中で攪拌中に結晶化した。
比較例3は、Ba2+の含有量が多いため、熱的安定性が低く、坩堝中で攪拌中に結晶化した。
比較例4は、Li+の含有量が多いため、熱的安定性が低く、内部に微小結晶の分散が認められた。
実施例1〜20の各フツリン酸ガラスをアニールした後、板状にスライスした後、両面を光学研磨し、各ガラスからなる近赤外線吸収フィルターを作製した。各フィルターの厚みは、表1に示す波長615nmにおける外部透過率が50%になる厚さとした。フィルター表面には、反射防止膜(可視域における反射防止)や、近赤外線の遮断機能を高めるため、近赤外線反射膜などをコーティングしてもよい。
これら近赤外線吸収フィルターは、CCDやCMOSなどの半導体イメージセンサーの色感度補正用として使用することができる。
次に、ガラス原料として超高純度原料を用い、U、Thが不純物として混入しないように注意を払って、実施例1〜20と同様のフツリン酸ガラスを作製した。なお、熔解条件などは実施例1〜20と同様とした。得られた各ガラス中のU、Thの含有量(混入量)をICP質量分析装置を用いて測定したところ、U、Thとも混入量は5ppb未満であった。
次に、実施例21と同様にしてスライス、両面光学研磨により、平板状の半導体イメージセンサーのパッケージ用カバーガラスを作製した。なお、光学研磨に使用する研磨剤に微量のU、Thが含まれることがあるため、研磨後はガラス表面に研磨剤が残留しないよう、ガラスを十分に洗浄した。このようにして作製したカバーガラスは、近赤外線吸収による色感度補正機能を有する。
上記20種のカバーガラスを、CCDを内蔵したアルミナ製のセラミックパッケージの開口部に装着、固定し、CCD内蔵パッケージを作製した。
同様に、上記20種のカバーガラスを、CMOSを内蔵したアルミナ製のセラミックパッケージの開口部に装着、固定し、CMOS内蔵パッケージを作製した。
次に、上記20種のカバーガラスを、CCDあるいはCMOSを内蔵した樹脂製パッケージの開口部に装着、固定し、イメージセンサー内蔵パッケージを作製した。
いずれの場合にも、色感度補正は良好であり、カバーガラスが放出する放射線に起因するソフトエラーなどの不具合は発生しなかった。
これらのカバーガラスは、近赤外線吸収フィルターとしての役割も果たすため、撮像装置のコンパクト化、部品点数の減少、コスト低減に有効である。
実施例1〜20の各種ガラスを研削、研磨して、精密プレス成形用プリフォームを作製し、加熱、軟化させて、SiC製あるいは超硬製のプレス成形型を用いて精密プレス成形し、上記各ガラスからなる非球面レンズを作製した。
また、実施例1〜20の各種ガラスを研削、研磨して、球面レンズを作製した。フツリン酸ガラスとしては、これら各ガラスの加工性が優れており、比較的容易に高精度のレンズを作製することができる。
このようにして得たレンズの表面には、反射防止膜などのコーティングを施してもよい。
Claims (9)
- カチオン成分として、
P5+を30〜50カチオン%、
Zn2+を30〜50カチオン%、
Na+を10〜30カチオン%、
Li+を0〜7カチオン%、
K+を0〜7カチオン%、
Ba2+を0〜2カチオン%、
含むフツリン酸ガラスであって、
P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.4以上、かつF-とO2-との合計含有量に対するF-の含有量のモル比(F-/(F-+O2-))が0.05以上であるフツリン酸ガラス。 - Zn2+の含有量に対するP5+の含有量のモル比(P5+/Zn2+)が0.7〜1.3の範囲である請求項1に記載のフツリン酸ガラス。
- P5+、Zn2+およびNa+の合計含有量が80カチオン%以上である請求項1または2に記載のフツリン酸ガラス。
- Cu2+を1〜7カチオン%含み、P5+の含有量に対するO2-の含有量のモル比(O2-/P5+)が3.6以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラス。
- Uの含有量が5ppb以下、Thの含有量が5ppb以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラス。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラスからなる近赤外線吸収フィルター。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラスからなる半導体イメージセンサー用ガラス窓。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のフツリン酸ガラスの製造方法であって、
上記ガラスを得るための成分を調合することによりガラス原料を作製すること、
作製したガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作製すること、
作製した熔融ガラスを成形すること、
を含み、前記成分の少なくとも1つとして硫酸塩を使用することを特徴とする、前記製造方法。
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