JP2011091110A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5792745B2 (ja) * 2011-10-28 2015-10-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置の製造方法
JP6122275B2 (ja) * 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8907392B2 (en) * 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
JP6019330B2 (ja) * 2012-02-09 2016-11-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器
CN104395991B (zh) * 2012-06-29 2017-06-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20150040873A (ko) * 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014199899A (ja) * 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI611511B (zh) * 2012-08-31 2018-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置
KR102006273B1 (ko) 2012-11-19 2019-08-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
JP6490914B2 (ja) * 2013-06-28 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6097653B2 (ja) 2013-08-05 2017-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた表示装置
KR102148957B1 (ko) 2013-09-02 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법
KR102294507B1 (ko) * 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105814481B (zh) * 2013-12-10 2018-09-18 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9766517B2 (en) * 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP6425508B2 (ja) * 2014-11-25 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ
US11152512B2 (en) * 2017-05-19 2021-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2020027862A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06317809A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
JP5250944B2 (ja) * 2006-04-28 2013-07-31 凸版印刷株式会社 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
CN103258857B (zh) * 2007-12-13 2016-05-11 出光兴产株式会社 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法

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