JP2011090790A - 放電灯点灯装置及び照明器具及び調光照明システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検出回路31−1は保護電圧の出力特性の変化を指令する調光指令値電圧(変化指令信号)を入力すると保護電圧の出力特性を調光指令値電圧に応じて変化させる。制御回路40は調光器200から受信した調光信号に応じた調光指令値電圧を検出回路31−1に出力した後、出力した調光指令値電圧の元となる調光信号に応じてインバータ回路30を制御する。制御回路40は検出回路31−1の出力特性の変化後にインバータ回路30を調光信号に応じて駆動制御して駆動制御の結果調光された放電灯FLの保護電圧を入力する。よって誤判定を確実に防止できる。
【選択図】図2
Description
図1は、実施の形態1の調光照明システム1000の構成を示す図である。調光照明システム1000は、調光信号を送信する調光器200と、複数の照明器具A〜Nを備えている。各照明器具は信号線を介して調光器200から調光信号を受信する。また各照明器具は、以下に説明する放電灯点灯装置100を備えている。
放電灯点灯装置100の特徴は、調光器200から調光信号を受信した場合、この調光信号に応じたインバータ回路30の調光制御前に、検出回路31−1の出力特性を変化させる(出力特性を切り替える)点にある。このように、減光に伴うランプ電圧の変化が速い場合であっても、減光処理(調光信号に応じたインバータ回路30の制御)前に検出回路31−1の保護電圧の出力特性を変化させる。このため、従来技術で述べたような「検出ランプ電圧の変化が遅れてしばらくの間高い電圧の出力状態が続く」というタイムラグの発生は起こりえない。以下、放電灯点灯装置100を詳しく説明する。
(1)整流器DBは、交流電源Vacをノイズフィルタ10を介して全波整流するダイオードブリッジよりなる。
(2)昇圧チョッパ回路20は、整流器DBの直流出力端間に接続され整流器DBの出力電圧を所定の直流電圧に変換する。
(3)インバータ回路30は、昇圧チョッパ回路20の直流出力を高周波電力に電力変換することにより放電灯FLに高周波電力を供給して放電灯FLを高周波で点灯させる。
(4)制御回路40は、インバータ回路30、昇圧チョッパ回路20、検出回路31−1、31−2を制御する。制御回路40は、例えばマイコン(マイクロコンピュータともいわれる)を含む回路を用いることができる。
また、調光器200からの調光信号が放電灯点灯装置100の制御回路40に入力され、制御回路40は、この調光信号に応じてインバータ回路30を制御して、放電灯FLの光出力が調節する。
(1)昇圧チョッパ回路20は、一端が整流器DBの高電位側に接続されるインダクタL2と、このインダクタL2の他端に接続されるスイッチング素子であるMOSFET(Q3)と、アノード端子がMOSFET(Q3)とインダクタL2との接続点に接続されるダイオードD1と、このダイオードD1のカソード端子に正極が接続され、整流器DBの低電位側に負極が接続される平滑コンデンサC1と、この平滑コンデンサC1に並列に接続される電圧検出回路21とを備えている。
(2)MOSFET(Q3)は、制御回路40により交流電源Vacの電源周波数よりも十分に高い周波数(例えば数百kHz)でオンオフされる。
(3)昇圧チョッパ回路20では、MOSFET(Q3)をオンオフさせると、MOSFET(Q3)のオン期間にインダクタL2に蓄積されたエネルギーが、MOSFET(Q3)のオフ期間にダイオードD1を介して放出される。そして、整流器DBの出力にインダクタL2から放出されるエネルギーが重畳される形で平滑コンデンサC1が充電されるため、平滑コンデンサC1の両端電圧を整流器DBの出力電圧よりも昇圧することができる。
(4)電圧検出回路21は、直列接続される抵抗R1と、抵抗R2とを備える。この電圧検出回路21は、平滑コンデンサC1の両端電圧を抵抗R1、R2を用いて分圧し、抵抗R2の両端電圧が制御回路40に入力されるようになっている。抵抗R2の両端電圧が入力された制御回路40は、電圧検出回路21の出力(抵抗R2の両端電圧)に基づいて、平滑コンデンサC1の両端電圧が一定化されるようにMOSFET(Q3)をオンオフする。
昇圧チョッパ回路20からの直流出力を電力変換するインバータ回路30は、ハーフブリッジ型のインバータ回路を構成している。インバータ回路30は、スイッチング素子であるMOSFET(Q1)、(Q2)と検出回路31−1との直列回路が、昇圧チョッパ回路20の出力端である平滑コンデンサC1の両端間に接続している。MOSFET(Q2)の両端間には、限流素子であるバラストチョークL1と、放電灯FLを介して接続される直流カット用コンデンサC3の直列回路が接続されている。また、放電灯FLの両端間に接続される始動用コンデンサC2を備えている。MOSFET(Q1)、(Q2)は、制御回路40に接続され、この制御回路40により、数十kHzの高い周波数で、交互にオンオフするように構成されている。
(1)制御回路40がMOSFET(Q1)をオンにした時には、平滑コンデンサC1→バラストチョークL1→放電灯FL・始動用コンデンサC2→直流カット用コンデンサC3→平滑コンデンサC1を通る経路で電流が流れる。
(2)また、制御回路40がMOSFET(Q2)をオンにした時には、直流カット用コンデンサC3を電源として次の経路で電流が流れる。直流カット用コンデンサC3→放電灯FL・始動用コンデンサC2→バラストチョークL1→スイッチング素子(Q2)→直流カット用コンデンサC3を通る経路で電流が流れる。これら(1)、(2)により、インバータ回路30は、放電灯FLに高周波電力を供給する。
制御回路40は、調光器200からの調光信号に基づいて、放電灯FLの光出力が調節できるようにMOSFET(Q1)、(Q2)の動作周波数を変化させている。また、制御回路40は、調光信号に応じた調光指令値電圧を検出回路31−1に出力する。また、検出回路31−1の検出した保護電圧を入力し、この保護電圧が予め設定した保護閾値電圧よりも高いとき、インバータ回路30の発振を停止させる。
検出回路31−1は、一端がA端子に接続され他端がB端子に接続される抵抗R3と、この抵抗R3に並列に接続される抵抗R4及びR5と、抵抗R5に並列に接続されるコンデンサC4と、一端が抵抗R4と抵抗R5の接続点に接続される抵抗R6と、抵抗R6の他端にコレクタ端子が接続されるトランジスタ(Q4)と、このトランジスタ(Q4)のベース端子−エミッタ端子に並列に接続される抵抗R7と、一端がトランジスタ(Q4)のベースに接続され、他端がC端子に接続される抵抗R8と、一端がC端子に接続され、他端がB端子に接続されるコンデンサC5を備える。
図4は、動作を示すフローチャートである。次に、図4を参照して、制御回路40および検出回路31−1の動作を説明する。
(1)S11において、制御回路40は、外部(調光器200)の送信した調光信号を受信する。
(2)S12において、制御回路40は受信した調光信号に応じた調光指令値電圧(変化指令信号)を生成し、この調光指令値電圧を検出回路31−1に出力する。
(3)S13において、検出回路31−1は、調光指令値電圧を入力すると、この調光指令値電圧に応じて保護電圧の出力特性が変化する。
(4)S14において、制御回路40は調光指令値電圧を検出回路31−1に出力した後に、受信した前記調光信号に応じてインバータ回路30を制御する。
(5)S15において、制御回路40は、出力特性変化後の検出回路31−1によって出力された保護電圧を入力し、入力した保護電圧の値に基づき、インバータ回路30の発振を停止させるかどうかを判定する。すなわち、制御回路40は、検出回路31−1の保護電圧の出力特性が切り替わった後、インバータ回路30を駆動する駆動信号をインバータ回路30に向けて出力して制御することで放電灯FLの光出力を変化させる。
以下の説明では、例えば全光点灯(100%点灯)と50%調光という2段階調光を想定する。調光器200から全光点灯を示す調光信号(100%点灯の信号)が出力された場合、制御回路40は、Lレベルの調光指令値電圧を生成し検出回路31−1のC端子に出力する。検出回路31−1は、このLレベルの調光指令値電圧が入力されると、トランジスタ(Q4)がオフとなる。これにより、抵抗R4と抵抗R5との分圧比により、D端子から出力される保護電圧が決定される。
一方、調光器200から制御回路40に調光点灯を示す調光信号(50%調光の信号)が入力された場合(S11)、制御回路40は、「Hレベルの調光指令値電圧」(変化指令信号)を生成し検出回路31−1のC端子に出力する(S12)。すなわち制御回路40は、調光器200から特定の調光信号(50%調光度の調光信号)を受信した場合にのみ、この特定の調光信号に応じた調光指令値電圧(Hレベル)を出力する。この調光指令値電圧がC端子から入力された検出回路31−1は、トランジスタ(Q4)がオンとなり、抵抗R5と抵抗R6とが並列接続となる。したがって、抵抗R4と抵抗R5、R6の並列接続抵抗の分圧比とから決まる保護電圧が決定(出力特性の変化:S13)し、この保護電圧をD端子から出力する。なお、抵抗R6の抵抗値は、全光時と略同等の保護電圧の出力となるように選定される。
図6は、実施の形態2に示す検出回路31−2(保護電圧検出部)の詳細図である。実施の形態1と同じ構成については、同符号を付し、説明を省略する。実施の形態2では実施の形態1の検出回路31−1に対して検出回路の構成のみが異なるため、符号を変えて検出回路31−2とした。なお、本実施の形態2において、検出回路31−2以外の放電灯点灯装置100の回路構成は、実施の形態1と同様の構成であるため説明を省略する。
検出回路31−2は、A端子とB端子に接続される抵抗R3と、この抵抗R3に並列に接続される抵抗R4、R5と、抵抗R5に並列に接続されるコンデンサC4と、アノード端子が抵抗R4と抵抗R5の接続点に接続されるダイオードD2と、一端がこのダイオードD2のカソード端子に接続される抵抗R6と、この抵抗R6の他端に出力端子が接続され、非反転端子がC端子に接続されるオペアンプOPと、このオペアンプOPの反転端子と出力端子との間に接続される抵抗R9と、オペアンプOPの反転端子とB端子との間に接続される抵抗R10を備える。
次に、検出回路31−2の動作について説明する。実施の形態2の検出回路31−2は連続調光を想定する。この例では、制御回路40の出力する調光指令値電圧は、全光点灯時(調光度100%)から下限調光時(例えば調光度20%)の100%〜20%の間で、直流電圧値として、調光度に応じて均等に減少するものとする。このような調光指令値電圧(変化指令信号)をC端子から入力すると、検出回路31−2では、抵抗R9、R10からなる増幅率でオペアンプOPの出力電圧が変化する。これより、保護電圧部(D端子)とグランド間に置き換えた時の抵抗R6の等価抵抗値が可変となる。また、抵抗R5と抵抗R6とが並列接続となることで、抵抗R4と抵抗R5、R6の並列接続抵抗の分圧比により、保護電圧が決定する。なお、抵抗R9、R10は、全光点灯時(100%)〜下限調光時(20%)の間、略同じ保護電圧出力となるような値が選定される。すなわち検出回路31−2において1点鎖線で囲んだ構成によって、抵抗R6はC端子からの入力電圧応じて抵抗値の変化する可変抵抗の機能を有する。
Claims (7)
- 調光器の送信する調光信号に基づきインバータ回路を制御することによって、放電灯を調光点灯させる放電灯点灯装置において、
点灯中の前記放電灯の電圧に対応する電圧を示す保護電圧を検出して出力すると共に、前記保護電圧の出力特性の変化を指令する変化指令信号を入力すると、前記保護電圧の出力特性を前記変化指令信号に応じて変化させる保護電圧検出部と、
前記調光器から受信した前記調光信号に応じた前記変化指令信号を前記保護電圧検出部に出力し、前記保護電圧検出部への前記変化指令信号の出力後、出力した前記変化指令信号の元となる前記調光信号に応じて前記インバータ回路を制御するインバータ制御部と
を備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。 - 前記保護電圧検出部は、
前記変化指令信号を入力すると、寿命末期の前記放電灯が点灯中である場合にのみ所定の値を超える電圧を前記保護電圧として出力する出力特性に変化することを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装置。 - 前記インバータ制御部は、
前記調光器から特定の前記調光信号を受信した場合にのみ、前記特定の調光信号に応じた前記変化指令信号を出力することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の放電灯点灯装置。 - 前記保護電圧検出部は、
前記変化指令信号を入力すると、正常な前記放電灯が点灯中である場合には所定の値よりも小さい略一定の電圧を前記保護電圧として出力すると共に寿命末期の前記放電灯が点灯中である場合には前記略一定の電圧値を超える電圧を前記保護電圧として出力する出力特性に変化することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の放電灯点灯装置。 - 前記インバータ制御部は、
前記保護電圧検出部によって出力された前記保護電圧を入力し、入力した前記保護電圧の値に基づき、前記インバータ回路の発振を停止させるかどうかを判定することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の放電灯点灯装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の放電灯点灯装置を備えた照明器具。
- 調光信号を送信する調光器と、
請求項6記載の複数の照明器具と
を備えた調光照明システム。
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