JP2007066700A - 放電灯点灯装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放電灯の寿命末期を確実に検出する放電灯点灯装置を得る。
【解決手段】 直列接続されるMOS−FET Q2、Q3の中点に接続されるカップリングコンデンサC2と、前記カップリングコンデンサC2に接続されるチョークコイルT2とを有するインバータ回路7と、前記カップリングコンデンサC2と前記チョークコイルT2の中点に接続され、正電位のピーク電圧を検出する正電位ピーク検出回路11及び負電位のピーク電圧を検出する負電位ピーク検出回路12と、検出する正電位及び負電位のピーク電圧に応じて前記放電灯Laの寿命末期を検出する寿命末期検出回路14とを有する保護回路8と、前記保護信号に基づいて前記インバータ回路7の出力を制御する制御回路9と、を備え、正常点灯時と寿命末期時の検出用コンデンサC4の電圧の差を大きくするとともに、寿命末期の状態による影響がなく確実に寿命末期を検出できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 直列接続されるMOS−FET Q2、Q3の中点に接続されるカップリングコンデンサC2と、前記カップリングコンデンサC2に接続されるチョークコイルT2とを有するインバータ回路7と、前記カップリングコンデンサC2と前記チョークコイルT2の中点に接続され、正電位のピーク電圧を検出する正電位ピーク検出回路11及び負電位のピーク電圧を検出する負電位ピーク検出回路12と、検出する正電位及び負電位のピーク電圧に応じて前記放電灯Laの寿命末期を検出する寿命末期検出回路14とを有する保護回路8と、前記保護信号に基づいて前記インバータ回路7の出力を制御する制御回路9と、を備え、正常点灯時と寿命末期時の検出用コンデンサC4の電圧の差を大きくするとともに、寿命末期の状態による影響がなく確実に寿命末期を検出できる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、放電灯の寿命末期を検出して、放電灯点灯装置のインバータ回路を保護する保護回路に関するものである。
放電灯負荷の寿命末期時に半波放電を生じることによる直流カット用コンデンサ(本願ではカップリングコンデンサと称する)の電圧変動の平均値を検出してインバータ回路の出力の低減或いは出力を停止させ、回路を保護するものが例えば特許文献1に開示されている。
従来の放電灯点灯装置は、直流カット用コンデンサの検出回路の抵抗と直流成分検出用コンデンサの時定数を動作周波数に対して十分長くすることによって、正常点灯時の直流成分検出用コンデンサの電圧を実質的に0Vとすることができる利点があった。
しかしながら、直流カット用コンデンサの電圧変動の平均値を検出してインバータ回路の出力の低減或いは出力を停止して回路を保護しているため、正常点灯時の直流成分検出用コンデンサの電圧と寿命末期時の直流成分検出用コンデンサの電圧との差が少なく、寿命末期の状態(特に寿命末期の初期状態)によっては検出できない恐れがあった。
また、検出回路の抵抗と直流成分検出用の時定数を動作周波数に対して十分長くすると、直流カット用コンデンサの電圧変動を検出するまで時間がかかる恐れがあった。
また、検出回路の抵抗と直流成分検出用の時定数を短くして、直流カット用コンデンサの電圧変動を検出するまでの時間を早くすると、短時間に高い電圧が直流成分検出用コンデンサに充電されるため、高耐圧の部品を選定する必要があった。
直流電圧を出力する電源回路と、前記電源回路の出力間に接続され、直列接続される第1及び第2のスイッチング素子と、直列接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子の中点に接続され、放電灯に流れる直流成分を抑制するカップリングコンデンサと、前記カップリングコンデンサに接続され放電灯に流れる電流を制限するチョークコイルと、前記放電灯に並列接続される始動用コンデンサと、を有し、前記チョークコイルと第2のスイッチング素子に接続される放電灯に電力を供給するインバータ回路と、前記インバータ回路の前記第1及び第2のスイッチング素子のスイッチングを制御するドライブ回路と、前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続され、前記放電灯に供給する正電位のピーク電圧を検出する正電位ピーク検出回路と、前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続され、前記放電灯に供給する負電位のピーク電圧を検出する負電位ピーク検出回路と、検出する正電位及び負電位のピーク電圧に応じて前記放電灯の寿命末期を検出する寿命末期検出回路とを有し、前記放電灯の寿命末期を検出すると保護信号を出力する保護回路と、前記保護回路の保護信号を入力し、その保護信号に基づく制御信号を前記ドライブ回路に出力して前記インバータ回路の出力を制御する制御回路と、を備える。
正常点灯時の検出用コンデンサの電圧と寿命末期時の検出用コンデンサの電圧との差を大きくできるとともに、寿命末期の初期状態など半波整流の程度が少ない場合であっても確実に寿命末期を検出できる。
実施の形態1.
図1は本実施の形態1を示す放電灯点灯装置の回路図である。
図1の放電灯点灯装置の回路図の構成について説明をする。
商用電源1が印加されるとノイズフィルタ2を介して全波整流回路3に供給されて全波整流され、この全波整流された電圧は昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4に供給されて、昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4で設定された電圧値まで昇圧して平滑コンデンサC1に直流電圧が充電される電源回路5を備えている。
図1は本実施の形態1を示す放電灯点灯装置の回路図である。
図1の放電灯点灯装置の回路図の構成について説明をする。
商用電源1が印加されるとノイズフィルタ2を介して全波整流回路3に供給されて全波整流され、この全波整流された電圧は昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4に供給されて、昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4で設定された電圧値まで昇圧して平滑コンデンサC1に直流電圧が充電される電源回路5を備えている。
昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4は、前記全波整流回路3の出力側の両端に接続され分圧する直列接続される抵抗R1、R2と、一端を全波整流回路の高電位側に接続されるトランスT1と、前記トランスT1の他端をアノード端子に接続されカソード端子を平滑コンデンサC1に接続されるダイオードD1と、前記トランスT1とダイオードD1の中点にドレイン端子が接続されゲート端子が制御IC IC1に接続されソース端子がセンス抵抗R3に接続されるMOS−FET Q1と、前記トランスT1の二次側に接続されトランスT1のエネルギーが放出され二次側が0Vになることを検出し、前記抵抗R1とR2の中点に接続され全波整流波形をモニタリングして、前記MOS−FET Q1のソース端子とセンス抵抗R3の中点に接続され電流波形(三角波)の頂点の軌跡を前記モニタリングする全波整流波形と略同形となるように制御するとともに、前記平滑コンデンサC1の両端に接続されて分圧する直列接続される抵抗R4、R5の中点の電圧が所定の電圧になるように前記MOS−FET Q1のゲート端子に接続されるMOS−FET Q1のスイッチングを制御する制御IC IC1と、前記トランスT1及びMOS−FET Q1をスイッチングさせて昇圧する電圧を充電するとともに平滑する平滑コンデンサC1と、を備えている。この平滑コンデンサC1に充電される直流電圧は平滑されて点灯回路6に供給される。
なお、この電源回路5は昇圧チョッパ形アクティブフィルタ4を用いて直流電圧を生成しているが、これに限定されることがなく、全波整流した電圧をコンデンサで平滑するコンデンサインプット型としてもよい。
また、電源回路5の低電位側は放電灯点灯装置を構成する各回路の基準電位(以下グランドと称する)となっている。
また、電源回路5は、平滑コンデンサC1に充電される直流電圧のほかに、制御用の電源、例えば平滑コンデンサC1の電圧を抵抗分圧などによって分圧して約15Vの直流電圧の制御電源Vccを生成している。
点灯回路6は、スイッチング素子をスイッチングして放電灯Laに高周波電力を供給するインバータ回路7と、放電灯Laの異常を検出してインバータ回路7を保護する保護回路8と、この保護回路8の保護信号を入力してその信号に基づいた制御信号を出力する制御回路9と、この制御回路9の制御信号に基づいてインバータ回路7の発振制御するドライブ回路10を備えている。
インバータ回路7は、電源回路5から供給される直流電圧の高電位側にMOS−FET Q2のドレイン端子が接続され、MOS−FET Q2のソース端子にMOS−FET Q3のドレイン端子、直流成分を抑制するカップリングコンデンサC2が接続され、カップリングコンデンサC2の他方の端子からチョークコイルT2に接続している。
このチョークコイルT2の他方の端子に負荷である放電灯Laのフィラメントf1に接続され、放電灯Laの他方のフィラメントf2はMOS−FET Q3のソース端子及び電源回路5の低電位側に接続され、MOS−FET Q2、Q3を交互にスイッチングさせて負荷である放電灯Laへ高周波電力を供給する。
また、フィラメントf1の他方の端子及びフィラメントf2の他方の端子間には始動用コンデンサC3が接続されている。
保護回路8は、インバータ回路7のカップリングコンデンサC2とチョークコイルT2の中点(以下A点と称する)に接続され、このA点に発生する正電位及び負電位の電圧のピーク値を検出してピーク検出信号を出力する正電位ピーク電圧回路11及び負電位ピーク電圧回路12と、このピーク検出信号を入力し、入力した負電位のピーク検出信号は信号変換回路に入力して正電位の信号に変換する信号変換回路13を有し、ピーク検出信号に応じて保護信号を出力する寿命末期検出回路14とを備えている。
正電位ピーク検出回路11は、インバータ回路7のA点とMOS−FET Q3のソース端子間に直列接続される抵抗R6A、R7Aを接続し、抵抗R6Aと抵抗R7Aの中点にダイオードD2Aのアノード端子が接続され、このダイオードD2Aのカソード端子に検出用コンデンサC4が接続されて、インバータ回路7のA点に発生する正電位のピーク電圧を検出する。
負電位ピーク検出回路12は、インバータ回路7のA点とMOS−FET Q3のソース端子間に直列接続される抵抗R6B、R7Bを接続し、抵抗R6Bと抵抗R7Bの中点にダイオードD2Bのカソード端子が接続され、このダイオードD2Bのアノード端子に検出用コンデンサC4が接続されて、インバータ回路7のA点に発生する負電位のピーク電圧を検出する。
なお、この実施の形態においてはダイオードD2Aのアノード端子とD2Bのカソード端子を接続して、さらに検出用コンデンサC4に接続(以下この接続点をB点と称する)して、正電位ピーク検出回路11と負電位ピーク検出回路12の検出用コンデンサC4を共通としており、検出用コンデンサC4は抵抗R6A、R7A及びダイオードD2Aに発生する電圧によって正電位側に充電され、抵抗R6B、R7B及びダイオードD2Bに発生する電圧によって負電位側に放電される。
また、抵抗R6Aと抵抗R6B及び抵抗R7Aと抵抗R7Bはほぼ同一の抵抗値、すなわち抵抗R6A、R7Aの分圧比と抵抗R6B、R7Bの分圧比をほぼ同一としている。
ドライブ回路10は、制御回路9の制御信号に応じてインバータ回路7のスイッチング素子であるMOS−FET Q2、Q3をスイッチングするドライブ制御ICなどで構成している。
なお、ドライブ回路10は、ドライブ制御ICなどによってインバータ回路7のスイッチング素子をスイッチングする他励式に限らず、放電灯Laに流れる電流を帰還してインバータ回路7のスイッチング素子をスイッチングする自励式としてもよい。
信号変換回路13は、カソード端子が検出用コンデンサC4に接続されるダイオードD6と、アノード端子がダイオードD6のアノード端子に接続され、カソード端子がトランジスタQ4のベース、コンデンサC5、ダイオードD5のカソード端子、制御電源Vccを分圧する抵抗R8、R9の中点に接続されるツェナーダイオードDz1と、コレクタ端子が、一端が制御電源Vccに接続されている抵抗R10の他端とコンデンサC6に接続され、エミッタ端子がグランドに接続されるトランジスタQ4とを備えている。
なお、このトランジスタQ4のベース−エミッタ間にコンデンサC5とダイオードD5が接続されているが、コンデンサC5はトランジスタQ4のベース−エミッタ間に発生するノイズを除去するためのものであり、ダイオードD5はトランジスタQ4のベース−エミッタ間に発生する逆方向電流をバイパスしてトランジスタQ4を保護するためのものである。
また、ダイオードD6は、インバータ回路7のA点に発生する電圧が正電位のときツェナーダイオードDz1に順方向電圧がかからないようにして、検出用コンデンサC4の電圧がツェナーダイオードDz1の順方向電圧及びトランジスタQ4のオン電圧まで低下するのを防止している。
寿命末期検出回路14は、ダイオードD3のアノード端子が検出用コンデンサC4に接続され、ダイオードD4のアノード端子は信号変換回路13の抵抗R10とコンデンサC6の中点に接続されており、このダイオードD3のカソード端子とダイオードD4のカソード端子が接続されてOR回路を構成している。
次にインバータ回路7及びドライブ回路10の動作について説明する。
商用電源1を投入すると電源回路5で直流電圧に変換され、変換された直流電圧はインバータ回路7に供給され、ドライブ回路10によってMOS−FET Q2、Q3を交互にオン/オフして放電灯Laに高周波電力を供給する。
商用電源1を投入すると電源回路5で直流電圧に変換され、変換された直流電圧はインバータ回路7に供給され、ドライブ回路10によってMOS−FET Q2、Q3を交互にオン/オフして放電灯Laに高周波電力を供給する。
放電灯Laが放電するまで、MOS−FET Q2をオン、MOS−FET Q3をオフしているとき、MOS−FET Q2→カップリングコンデンサC2→チョークコイルT2→フィラメントf1→始動用コンデンサC3→フィラメントf2のループで電流を流し、MOS−FET Q2をオフ、MOS−FET Q3をオンしているとき、チョークコイルT2→カップリングコンデンサC2→MOS−FET Q3→フィラメントf2→始動用コンデンサC3→フィラメントf1のループで電流を流して、チョークコイルT2と始動用コンデンサC3の共振電圧を放電灯Laのフィラメントf1とフィラメントf2の間に印加する。
ドライブ回路10によってMOS−FET Q2、Q3のスイッチング周波数を変えて、放電灯Laのフィラメントf1とフィラメントf2の間に印加される共振電圧を高くし、この共振電圧が放電灯Laの放電開始電圧を超えると放電灯Laが放電して点灯する。
放電灯Laが放電すると、MOS−FET Q2をオン、MOS−FET Q3をオフしているとき、MOS−FET Q2→カップリングコンデンサC2→チョークコイルT2→フィラメントf1→放電灯La(放電)及び始動用コンデンサC3に流れる循環電流→フィラメントf2のループで電流が流れ、MOS−FET Q2をオフ、MOS−FET Q3をオンしているとき、チョークコイルT2→カップリングコンデンサC2→MOS−FET Q3→フィラメントf2→放電灯La(放電)及び始動用コンデンサC3→フィラメントf1のループで電流が流れる。
このとき、カップリングコンデンサC2とチョークコイルT2の中点(A点)は、グランドに対して正負対称かつ電源回路5の直流電圧の1/2の電圧の矩形波の電圧波形となる。
フィラメントf1またはフィラメントf2に塗布されたエミッタ物質が飛散して放電灯Laが寿命末期になると、エミッタ物質が飛散した側のフィラメントf1側またはフィラメントf2側からは放電がし難くなり、放電灯Laは一方向から放電する半波放電となる。
次に放電灯Laが正常のときの保護回路8の動作を説明する。
図2(a)は放電灯Laが正常のときのA点の電圧波形、図2(b)は放電灯Laが正常のときのB点の電圧波形を示している。
図2(a)は放電灯Laが正常のときのA点の電圧波形、図2(b)は放電灯Laが正常のときのB点の電圧波形を示している。
電源回路5の低電位側、すなわちグランドに対するインバータ回路7のA点に発生する電圧波形は、図2(a)に示すように放電灯Laが正常時は正負対称の矩形波の電圧波形となり、電源回路5から出力される直流電圧を480Vとするとき、正電位側には+240V、負電位側には−240Vの電圧となる。
なお、電源回路5から出力される直流電圧は480Vに限らず適宜設定され、インバータ回路7のA点に発生する電圧は、電源回路5から出力される直流電圧の1/2がそれぞれ正電位側、負電位側に発生する。
このとき、放電灯Laが正常のとき検出用コンデンサC4に発生する電圧は、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6Aと抵抗R7Aの分圧比で分圧される電圧が充電され、負電位ピーク検出回路12の抵抗R6BとR7Bの分圧比で分圧される電圧で放電される。
なお、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6Aと抵抗R7Aの分圧比と負電位ピーク検出回路12の抵抗R6Bと抵抗R7Bの分圧比をほぼ等しくしているので、図2(b)に示すように検出用コンデンサC4はほぼ等しい電圧で充放電され、ほぼ0Vとなる。
検出用コンデンサC4の電圧は信号変換回路13のダイオードD6を介してツェナーダイオードDz1のアノード端子に入力されるが、検出用コンデンサC4の電圧がほぼ0Vであるので、このツェナーダイオードDz1のアノード端子に印加されるほぼ0Vの電圧を基準とするツェナー電圧までツェナーダイオードDz1のカソード端子側に発生させることができる。
すなわち、ツェナーダイオードDz1のカソード端子側には、制御電源Vccを抵抗R8、R9で分圧した電圧がかかるので、トランジスタQ4のベースに電流が流れトランジスタQ4をオンする。このとき、トランジスタQ4はオンしているので、制御電源Vccから抵抗R10を介してコンデンサC6に流れる電流はトランジスタQ4によってバイパスされ、またコンデンサC6に充電されている電荷はトランジスタQ4によって放電され、ダイオードD4のアノード端子に電圧が発生しない。
したがって、寿命末期検出回路14に入力される検出用コンデンサC4の電圧は0Vであるので、ダイオードD3はオフとなり、また、信号変換回路13のコンデンサC6は充電されないのでダイオードD4もオフとなる。
すなわち、OR回路を構成しているダイオードD3とダイオードD4はともにオフとなるので、保護回路8は正常であることを示す保護信号を出力する。
次に放電灯Laのフィラメントf1側が寿命末期のときの保護回路8の動作について説明する。
図2(c)、(e)は放電灯Laが寿命末期のときのA点の電圧波形を示しており、図2(d)、(f)は放電灯Laが寿命末期のときのB点の電圧波形を示している。
図2(c)、(e)は放電灯Laが寿命末期のときのA点の電圧波形を示しており、図2(d)、(f)は放電灯Laが寿命末期のときのB点の電圧波形を示している。
放電灯Laの寿命末期状態によって、インバータ回路7のA点における電位は正電位側または負電位側に重畳される。この正電位側または負電位側への重畳は放電灯Laのフィラメントf1、f2に塗布されたエミッタ物質の状況によって変わり、例えばインバータ回路7の高電位側に接続されるフィラメントf1のエミッタ物質が飛散してフィラメントf1からの放電がし難くなったときは、例えば図2(c)、(e)に示すようにインバータ回路7のA点には正電位側に重畳された電位が発生する。
インバータ回路7のA点に発生する電圧が正電位側に重畳されると、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6A、R7Aで分圧される電圧も正電位側に重畳されるので、ダイオードD2Aのカソード端子には放電灯Laが正常のときの電圧よりも高い電圧が検出用コンデンサC4に充電される。
負電位ピーク検出回路12の抵抗R6B、R7Bで分圧される電圧も正電位側に重畳され、ダイオードD2Bのアノード端子には放電灯Laが正常のときの電圧よりも高い電圧が発生するので、検出用コンデンサC4の電荷が放電され難くなる。
ここで、放電灯Laが寿命末期のときにインバータ回路7のA点に発生する電圧は、放電灯Laの寿命末期の状況(例えばフィラメントf1またはフィラメントf2に塗布されるエミッタ物質の残留状態など)によって異なる。
例えば放電灯Laの寿命末期の初期状態では図2(c)に示すように半波整流が少ないので、正電位ピーク検出回路11によって充電される電圧よりも負電位ピーク検出回路12によって放電される電圧値が小さくなり、検出用コンデンサC4に発生する電圧は、例えば図2(d)に示すようにグランドに対する電圧が約10Vのほぼ一定の電圧値となる。
また、放電灯Laのフィラメントf1側から放電ができない場合は、図2(e)に示すようにインバータ回路7のA点に電圧波形が発生する。そのため、正電位ピーク検出回路11によって検出用コンデンサC4を充電するが、負電位ピーク検出回路12によって検出用コンデンサC4の電荷を放電することができない。したがって、検出用コンデンサC4は正電位ピーク検出回路11で検出するピーク電圧、例えば図2(f)に示すようにグランドに対する電圧が約12Vの一定の電圧値となる。
なお、放電灯Laが寿命末期のときに発生する検出用コンデンサC4の電圧は、電源回路5の直流電圧値、正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12の分圧比によって適宜設定される。
検出用コンデンサC4に充電される電圧は、信号変換回路13のダイオードD6によってツェナーダイオードDz1に印加する順方向電圧が遮断されるので、グランドを基準とする電圧がツェナーダイオードDz1のカソード端子側に制御電源Vccを抵抗R8、R9で分圧した電圧が印加される。そのため、放電灯Laが正常なときと同様、トランジスタQ4をオンするので、コンデンサC6は充電されない。
したがって、検出用コンデンサC4の電圧を寿命末期検出回路14に入力すると、検出コンデンサC4の電圧は正電位であるので、ダイオードD3のオン電圧である0.7Vを超えてダイオードD3をオンし、信号変換回路13のコンデンサC6は充電されないので、ダイオードD4をオフする。すなわち、ダイオードD3とダイオードD4はOR回路を構成しているので、保護回路8はダイオードD3の出力を寿命末期であることを示す保護信号を出力する。
なお、ダイオードD3をツェナーダイオードに変えてもよく、このツェナーダイオードのツェナー電圧によって正電位ピーク検出回路11で検出する電圧の閾値を高くすることができる。
次に放電灯Laのフィラメントf2側が寿命末期のときの保護回路8の動作について説明する。
図2(g)、(i)はは放電灯Laが寿命末期のときのA点の電圧波形を示しており、図2(h)、(j)は放電灯Laが寿命末期のときのB点の電圧波形を示している。
放電灯Laの寿命末期の状態が、インバータ回路7の低電位側に接続されるフィラメントf2のエミッタ物質が飛散してフィラメントf2からの放電がし難くなったときは、インバータ回路7のA点には負電位側に重畳された電位が発生する。
図2(g)、(i)はは放電灯Laが寿命末期のときのA点の電圧波形を示しており、図2(h)、(j)は放電灯Laが寿命末期のときのB点の電圧波形を示している。
放電灯Laの寿命末期の状態が、インバータ回路7の低電位側に接続されるフィラメントf2のエミッタ物質が飛散してフィラメントf2からの放電がし難くなったときは、インバータ回路7のA点には負電位側に重畳された電位が発生する。
インバータ回路7のA点に発生する電圧が負電位側に重畳されると、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6A、R7Aで分圧される電圧も負電位側に重畳されるので、ダイオードD2Aのカソード端子には放電灯Laが正常のときの電圧よりも低い電圧が検出用コンデンサC4に充電される。
負電位ピーク検出回路12の抵抗R6B、R7Bで分圧される電圧も負電位側に重畳され、ダイオードD2Bのアノード端子には放電灯Laが正常のときの電圧よりも低い電圧が発生するので、検出用コンデンサC4の電荷を放電し易くなる。
ここで、放電灯Laが寿命末期のときにインバータ回路7のA点に発生する電圧は、放電灯Laの寿命末期の状況(例えばフィラメントf1またはフィラメントf2に塗布されるエミッタ物質の残留状態など)によって異なる。
例えば放電灯Laの寿命末期の初期状態では図2(g)に示すように半波整流が少ないので、正電位ピーク検出回路11によって充電される電圧よりも負電位ピーク検出回路12によって放電される電圧値が大きくなり、検出用コンデンサC4に発生する電圧は、例えば図2(h)に示すようにグランドに対する電圧が約−10Vのほぼ一定の電圧値となる。
また、放電灯Laのフィラメントf2側から放電ができない場合は、図2(i)に示すようにインバータ回路7のA点に電圧波形が発生する。そのため、正電位ピーク検出回路11によって検出用コンデンサC4を充電することができず、負電位ピーク検出回路12によって検出用コンデンサC4を放電、すなわち負側に充電する。したがって、検出用コンデンサC4は負電位ピーク検出回路12で検出するピーク電圧、例えば図2(j)に示すようにグランドに対する電圧が約−12Vの一定の電圧値となる。
なお、放電灯Laが寿命末期のときに発生する検出用コンデンサC4の電圧は、電源回路5の直流電圧値、正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12の分圧比によって適宜設定される。
検出用コンデンサC4に充電される電圧は負電位であるので、信号変換回路13のダイオードD6を介してツェナーダイオードDz1のアノード端子側に印加される。このアノード端子側に印加される電圧が、グランドに対してツェナーダイオードDz1のツェナー電圧よりも低くなると、グランドに対するツェナーダイオードDz1の降伏電圧が相対的に下がるため、トランジスタQ4のベースにかかる電圧がグランドとほぼ同じ電圧またはグランドよりも低い電圧まで下がり、トランジスタQ4はオフする。そのため、コンデンサC6は、抵抗R10を介して制御電源Vccから供給される電流を充電する。
したがって、検出用コンデンサC4の電圧を寿命末期検出回路14に入力すると、検出用コンデンサC4の電圧は負電位であるのでダイオードD3をオフし、信号変換回路13のコンデンサC6が充電され、ダイオードD4のオン電圧である0.7Vを超えるのでダイオードD4をオンする。すなわち、ダイオードD3とダイオードD4はOR回路を構成しているので、保護回路8はダイオードD4の出力を寿命末期であることを示す保護信号として出力する。
このように、保護回路8は正電位ピーク検出回路11、負電位ピーク検出回路12のいずれかが放電灯Laの寿命末期を検出するとインバータ回路7を保護する保護信号、例えば放電灯Laが正常時のとき0Vの直流電圧、放電灯Laが寿命末期のとき約10Vの直流電圧の保護信号を出力する。
制御回路9は、保護信号が0Vのときはインバータ回路7が通常の発振をする制御信号をドライブ回路10に出力し、保護信号が約10Vのときは、インバータ回路7の出力を低減する信号またはインバータ回路7の発振を停止する制御信号をドライブ回路10に出力する。
例えば、放電灯Laが正常点灯のとき50kHzの周波数でMOS−FET Q2、Q3をオン/オフして放電灯Laに高周波電力を供給し、放電灯Laが寿命末期であるときは正常点灯のときの周波数より高い周波数、例えば80kHzでMOS−FET Q2、Q3をオン/オフして、チョークコイルT2のインピーダンスを高くし放電灯Laに供給する電流を抑制してインバータ回路7の出力を低減させる、または、MOS−FET Q2、Q3をオフにしてインバータ回路7の発振を停止して放電灯Laを消灯させる。
このように、保護回路8は正電位ピーク検出回路11、負電位ピーク検出回路12及び寿命末期検出回路14を備えているので、放電灯Laの寿命末期の状態によらず確実に寿命末期を検出できるとともに、保護回路8の保護信号に応じて制御回路9がインバータ回路7の出力を低減または発振を停止してインバータ回路7を保護することができる。
また、放電灯Laが正常のときインバータ回路7のA点に発生する矩形波の電圧波形は放電灯Laのランプ電圧による影響がないので、定格電力の異なる放電灯La(例えばHf32の放電灯Laは、定格出力時の電力が32W、ランプ電流が255mA、高出力時の電力が45W、ランプ電流が425mA)であっても、同じ保護回路8で放電灯Laの寿命末期を検出することができ、放電灯Laの定格電力に応じてインバータ回路7のスイッチング周波数を変えて放電灯Laに供給する電力を適宜設定することができる。
また、本実施の形態において、正電位ピーク検出回路11の分圧比と負電位ピーク検出回路12の分圧比を略同じにして、放電灯Laが正常時に正負対称の電位を発生させて検出用コンデンサC4に発生する電圧をほぼ0Vとしたが、正電位ピーク検出回路11の分圧比と負電位ピーク検出回路12の分圧比を異なる比率として、検出用コンデンサC4に発生する電圧を正電位側或いは負電位側にシフトさせてもよい。
例えば、正電位ピーク検出回路11の抵抗R7Aと負電位ピーク検出回路12の抵抗R7Bの抵抗値を同じにして、負電位ピーク検出回路12の抵抗R6Bの抵抗値を正電位ピーク検出回路11の抵抗R6Aの抵抗値よりも大きくすると、放電灯Laが正常なときに検出用コンデンサC4に発生する電圧を負電位側にシフトする。このときの検出用コンデンサC4の電圧が基準となり、放電灯Laが寿命末期のときはこの基準の電圧よりも高い或いは低い電圧が発生する。
したがって、正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12を前記信号変換回路13のツェナーダイオードDz1のツェナー電圧に応じて容易に設計できる。
なお、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6Aと抵抗R7Aを直列接続したインピーダンスと負電位ピーク検出回路12の抵抗R6Bと抵抗R7Bを直列接続したインピーダンスが、インバータ回路7のA点に発生する電圧及び放電灯Laに流れる電流に影響のない範囲であれば、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6A、R7A及び負電位ピーク検出回路12の抵抗R6B、R7Bの抵抗値をそれぞれ異なる値にして分圧比を変えてもよい。
また、正電位ピーク検出回路11の抵抗R7Aと負電位ピーク検出回路12の抵抗R7Bの抵抗値を同じにして、正電位ピーク検出回路11の抵抗R6Aの抵抗値を負電位ピーク検出回路12の抵抗R6Bの抵抗値よりも大きくすると、放電灯Laが正常なときに検出用コンデンサC4に発生する電圧は正電位側にシフトする。このときの検出用コンデンサC4の電圧が基準となり、放電灯Laが寿命末期のときはこの基準の電圧よりも高い或いは低い電圧が発生する。
例えば、放電灯Laが寿命末期のときに正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12に発生する電圧をともに正電位になるように正電位ピーク検出回路11の抵抗R6A、R7Aの抵抗値と負電位ピーク検出回路12の抵抗値R6B、R7Bの抵抗値を設定してもよい。
この場合、図3に示すように寿命末期検出回路14を2つのコンパレータTL1、TL2を組み合わせてウインドウコンパレータ15で構成し、このウインドウコンパレータ15の上限及び下限の閾値を直列に接続された抵抗R11、R12、R13で制御電源Vccを分圧して設定して、検出用コンデンサC4の電圧をウインドウコンパレータ15に入力する。
ウインドウコンパレータ15に入力される検出用コンデンサC4の電圧が、この上限及び下限の閾値の範囲内であるときは放電灯Laが正常であると検出し、上限の閾値を超えるまたは下限の閾値を下回るときは放電灯Laが寿命末期であることを検出して、保護信号を出力するものである。
このように、寿命末期検出回路14をウインドウコンパレータ15で構成するなど回路設計を容易にすることができる。
実施の形態2.
本実施の形態は、実施の形態1に示す放電灯点灯装置を照明制御システムに組み込んだものである。
本実施の形態は、実施の形態1に示す放電灯点灯装置を照明制御システムに組み込んだものである。
図4は、本実施の形態を示す照明制御システムのブロック図であり、実施の形態1と同じ部分については同符号を付し、説明を省略する。
図4に示す照明制御システムは、PWM信号などの調光信号を出力する調光制御装置16と、この調光信号を入力して調光信号に応じた調光度となるドライブ信号を出力するとともに、保護回路8から放電灯Laの寿命末期を示す保護信号を入力するときは、その保護信号に応じてインバータ回路7の出力の低減またはインバータ回路7の発振を停止させる制御信号を出力する制御回路9とを備えている。
調光制御装置16から出力する調光信号に応じてインバータ回路7の発振周波数を変化させてチョークコイルT2のインピーダンスを変化させて、放電灯Laに流れる電流を制限して調光する。したがって、チョークコイルT2と放電灯Laのインピーダンスが変化するので、それぞれに印加される電圧は変化する。
しかしながら、インバータ回路7のA点にはグランドに対して電源回路5の直流電圧の240V、−240Vの矩形波電圧が発生するので、インバータ回路7の発振周波数によらず放電灯Laが正常時はインバータ回路7のA点に発生する電圧は正負対称となる。
また、放電灯Laが寿命末期のときは、放電灯Laのフィラメントf1またはフィラメントf2のエミッタ物質が飛散して一方からの放電がし難くなるので、インバータ回路7のA点における電位は正電位側または負電位側に重畳される。
したがって、保護回路8は放電灯Laの調光状態及びインバータ回路7の発振周波数の影響を受けにくく、放電灯Laの寿命末期を確実に検出することができる。
実施の形態3.
本実施の形態は、実施の形態1及び実施の形態2の検出用コンデンサC4を正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12にそれぞれ設けて、それぞれの検出用コンデンサの電圧を寿命末期検出回路14に入力してインバータ回路7を保護するものである。
本実施の形態は、実施の形態1及び実施の形態2の検出用コンデンサC4を正電位ピーク検出回路11及び負電位ピーク検出回路12にそれぞれ設けて、それぞれの検出用コンデンサの電圧を寿命末期検出回路14に入力してインバータ回路7を保護するものである。
図5は、本実施の形態を示す放電灯点灯装置の回路図であり、図6は、本実施の形態を示すインバータ回路7のA点と正電位ピーク検出回路及び負電位ピーク検出回路の検出用コンデンサの電圧波形を示しており、実施の形態1と同じ部分については同符号を付し、説明を省略する。
インバータ回路7のカップリングコンデンサC2とチョークコイルT2が接続されている中点(A点)とグランド間に正電位ピーク検出回路11A及び負電位ピーク検出回路12Aが接続されている。
正電位ピーク検出回路11Aは、インバータ回路7のA点に直列に接続される抵抗R6A、R7Aが接続され、抵抗R6Aと抵抗R7Aの中点にダイオードD2Aのアノード端子が接続され、ダイオードD2Aのカソード端子が検出用コンデンサC4Aに接続(以下C点と称する)されている。
負電位ピーク検出回路12Aは、インバータ回路7のA点に直列に接続される抵抗R6B、R7Bが接続され、抵抗R6Bと抵抗R7Bの中点にダイオードD2Bのカソード端子が接続され、ダイオードD2Bのアノード端子が検出用コンデンサC4Bに接続(以下D点と称する)されている。
放電灯Laが正常なとき、インバータ回路7のA点には図6(a)に示すように正負対称の電圧が発生し、正電位ピーク検出回路11AのC点には図6(b)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の正電位に対応するピーク電圧が発生し、負電位ピーク検出回路12AのD点には図6(c)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の負電位に対応するピーク電圧が発生する。したがって、正電位ピーク検出回路11Aの検出用コンデンサC4Aと負電位ピーク検出回路12Aの検出用コンデンサC4Bに充電される電圧は、グランドに対する電位差が略同じで正負の異なる電圧となる。
また、放電灯Laのフィラメントf1が寿命末期のとき、図6(d)に示すようにインバータ回路7のA点には正電位に重畳された電圧が発生し、正電位ピーク検出回路11AのC点には図6(e)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の正電位に対応するピーク電圧が発生し、負電位ピーク検出回路12AのD点には図6(f)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の負電位に対応するピーク電圧が発生する。
また、放電灯Laのフィラメントf2が寿命末期のとき、図6(g)に示すようにインバータ回路7のA点には負電位に重畳された電圧が発生し、正電位ピーク検出回路11AのC点には図6(h)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の正電位に対応するピーク電圧が発生し、負電位ピーク検出回路12AのD点には図6(i)に示すようにインバータ回路7のA点に発生する電圧波形の負電位に対応するピーク電圧が発生する。
正電位ピーク検出回路11Aの検出用コンデンサC4Aで検出される電圧及び負電位ピーク検出回路12Aの検出用コンデンサC4Bで検出される電圧はそれぞれ寿命末期検出回路14に入力される。
負電位ピーク検出回路12Aの検出用コンデンサC4Bで検出される電圧は、抵抗R14を介してオペアンプOP1の−端子に接続され、+端子はグランドに接続されている。オペアンプOP1の−端子とオペアンプOP1の出力間に抵抗R15が接続されている。この抵抗R14と抵抗R15はR14/R15の比でオペアンプOP1の−端子に入力される電圧を反転するとともに増幅してオペアンプOP1から出力されるが、本実施の形態においては抵抗R14とR15を同じ抵抗値にして、オペアンプOP1に入力する電圧と出力する電圧を等しくなるようにして、単に入力した電圧の正負を反転するようにしている。
オペアンプOP1の出力をコンパレータTL3の−端子に入力し、正電位ピーク検出回路11Aの検出用コンデンサC4Aの検出電圧をコンパレータTL3の+端子に入力して、それぞれに入力される電圧が等しいときはLow信号をコンパレータTL3から出力し、入力される電圧に差があるときはHigh信号を出力する。したがって、コンパレータTL3の出力がLow信号のときは放電灯Laが正常、High信号のときは放電灯Laが寿命末期であることを示している。
保護回路8はこのコンパレータTL3の出力を保護信号として出力し、制御回路9はこの保護信号に応じた制御信号をドライブ回路10に出力して、インバータ回路7の出力を制御している。
なお、実施の形態2と同様に調光制御装置16の調光信号を制御回路9に入力して放電灯Laを調光してもよく、この場合も放電灯Laの調光状態によらず放電灯Laが正常のときにインバータ回路7のA点に発生する電圧は正負対称の電圧が発生し、放電灯Laが寿命末期のときにはインバータ回路7のA点に発生する電圧は正電位側または負電位側に重畳された正負非対称の電圧が発生するので、確実に放電灯Laの寿命末期を検出することができる。
放電灯の寿命末期における放電灯点灯装置のインバータ回路の保護に関するものである。
1 商用電源、2 ノイズフィルタ、3 全波整流回路、4 昇圧チョッパ形アクティブフィルタ、5 電源回路、6 点灯回路、7 インバータ回路、8 保護回路、9 制御回路、10 ドライブ回路、11 正電位ピーク検出回路、12 負電位ピーク検出回路、13 信号変換回路、14 寿命末期検出回路、15 ウインドウコンパレータ、16 調光制御装置、Vcc 制御電源、R1、R2、R4、R5、R6A、R6B、R7A、R7B、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15 抵抗、R3 センス抵抗、IC1 制御IC、T1 トランス、T2 チョークコイル、Q1、Q2、Q3 MOS−FET、La 放電灯、C1 平滑コンデンサ、C2 カップリングコンデンサ、C3 始動用コンデンサ、C4、C4A、C4B 検出用コンデンサ、C5、C6 コンデンサ、Dz1 ツェナーダイオード、D1、D2A、D2B、D3、D4、D5、D6 ダイオード、TL1、TL2、TL3 コンパレータ、OP1 オペアンプ。
Claims (5)
- 直流電圧を出力する電源回路と、
前記電源回路の出力間に接続され、直列接続される第1及び第2のスイッチング素子と、直列接続される第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子の中点に接続され、放電灯に流れる直流成分を抑制するカップリングコンデンサと、前記カップリングコンデンサに接続され放電灯に流れる電流を制限するチョークコイルと、前記放電灯に並列接続される始動用コンデンサと、を有し、前記チョークコイルと第2のスイッチング素子に接続される放電灯に電力を供給するインバータ回路と、
前記インバータ回路の前記第1及び第2のスイッチング素子のスイッチングを制御するドライブ回路と、
前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続され、前記放電灯に供給する正電位のピーク電圧を検出する正電位ピーク検出回路と、前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続され、前記放電灯に供給する負電位のピーク電圧を検出する負電位ピーク検出回路と、検出する正電位及び負電位のピーク電圧に応じて前記放電灯の寿命末期を検出する寿命末期検出回路とを有し、前記放電灯の寿命末期を検出すると保護信号を出力する保護回路と、
前記保護回路の保護信号を入力し、その保護信号に基づく制御信号を前記ドライブ回路に出力して前記インバータ回路の出力を制御する制御回路と、を備える放電灯点灯装置。 - 請求項1に記載の放電灯点灯装置において、
前記正電位ピーク検出回路は、直列接続され、前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続されて分圧する第1及び第2の抵抗と、前記第1及び第2の抵抗の中点にアノード側が接続される第1のダイオードと、前記第1のダイオードのカソード側に接続される第1のコンデンサと、を備え、
前記負電位ピーク検出回路は、直列接続され、前記インバータ回路の前記カップリングコンデンサと前記チョークコイルの中点に接続されて分圧する第3及び第4の抵抗と、前記第3及び第4の抵抗の中点にカソード側が接続される第2のダイオードと、前記第2のダイオードのアノード側に接続される第2のコンデンサと、を備えることを特徴とする放電灯点灯装置。 - 前記正電位ピーク検出回路の第1のコンデンサと、前記負電位ピーク検出回路の第2のコンデンサと、を共通にすることを特徴とする請求項2に記載の放電灯点灯装置。
- 前記第1及び第2の抵抗の分圧比と前記第3及び第4の分圧比が異なることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の放電灯点灯装置。
- 調光信号を出力する調光制御装置と、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の放電灯点灯装置とを備え、前記調光制御装置の調光信号と前記保護回路の保護信号を入力するとともに、前記調光信号及び前記保護信号に基づく制御信号を前記ドライブ回路に出力して前記インバータ回路の出力を制御する制御回路を備えることを特徴とする照明制御システム。
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