JP2011086607A - ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材フィルムと、上記基材フィルム上に形成される光熱変換層と、上記光熱変換層の上部に形成されるバッファ層と、上記バッファ層上に形成される転写層とを含み、上記バッファ層は、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ）またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板及び上記ドナー基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
したがって、本発明は、レーザ転写用ドナー基板において中問層と転写層との間または光熱変換層と転写層との間にバッファ層を形成することで、ドナー基板と転写物質の表面特性を向上させることができる。
【選択図】図５
【解決手段】本発明は、基材フィルムと、上記基材フィルム上に形成される光熱変換層と、上記光熱変換層の上部に形成されるバッファ層と、上記バッファ層上に形成される転写層とを含み、上記バッファ層は、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム合金（Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ）またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板及び上記ドナー基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
したがって、本発明は、レーザ転写用ドナー基板において中問層と転写層との間または光熱変換層と転写層との間にバッファ層を形成することで、ドナー基板と転写物質の表面特性を向上させることができる。
【選択図】図５
Description
本発明は、ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関し、特に、有機電界発光素子の有機層を形成するために使用するドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
一般に有機電界発光素子は、陽極及び陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数層から構成される。有機電界発光素子は使用する材料によって高分子と低分子に分類されるが、低分子有機ＥＬ(Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)デバイスの場合には真空蒸着により各層を導入し、高分子有機ＥＬデバイスの場合はスピンコーティング工程を用いて発光素子を形成することができる。
単色素子の場合、高分子を用いた有機電界発光素子はスピンコーティング工程を用いて簡単に素子を製造することができ、低分子に比べて駆動電圧は低いが、効率と寿命が低下するとの短所がある。また、フルカラー素子を製造する際は、それぞれ赤色、緑色、青色の高分子をパターニングしなければならないが、インクジェット技術やレーザ転写法を利用する場合、効率と寿命などの発光特性が悪くなるという問題点がある。
特に、レーザ転写法を用いてパターニングをする際は、単一高分子材料としては転写ができない材料が殆どである。レーザ熱転写法による高分子有機電界発光素子のパターン形成方法は、特許文献１ないし４に開示されている。
上記熱転写法を適用するためには、少なくとも光源、転写フィルム、そして基板を必要とし、光源からの光が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに変換され、この熱エネルギーにより転写フィルムの転写層形成物質が基板に転写されて所望のイメージが形成される。
図１は、通常のフルカラー有機電界発光素子の構造を示す断面図である。
図１に示すように、絶縁基板１００上に第１電極２００がパターニングされて形成される。上記第１電極２００では、背面発光構造の場合は透明電極に形成され、前面発光構造の場合は反射膜を含む導電性金属として形成される。
上記第１電極２００上部に画素領域を定義し、発光層との間に絶縁のために絶縁性物質として画素定義膜(ＰＤＬ)３００が形成される。
上記画素定義膜(ＰＤＬ)３００として定義された画素領域に有機発光層３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂを含む有機膜層を形成し、上記有機膜層は上記有機発光層３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂの以外にも正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうちの１つ以上の層をさらに含むことができる。上記有機発光層として高分子物質及び低分子物質の両方を用いることができる。
そして、上記有機膜層３３の上部には第２電極４００が形成される。上記第２電極４００は、第１電極２００が透明電極である場合には反射膜を含む導電性金属層として形成され、上記第１電極が反射膜を含む導電性金属層である場合には透明電極として形成される。そして、有機電界発光素子を封止することによって有機電界発光素子が完成される。
図２は、従来のレーザ転写用ドナー基板の構成を示す断面図である。
図２に示すように、従来のレーザ転写用ドナー基板３４は、基材フィルム３１、光熱変換層３２及び転写層３３からなり、上記光熱変換層３２から発生する汚染が有機膜である転写層３３に伝達されないように、上記光熱変換層３２と転写層３３との間に中問層(ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ；図３の３５を参照)を用いることができる。
図３は、従来のドナー基板を使用する場合の転写モデルを示す断面図である。
図３に示すように、レーザ照射時に光熱変化層３２が膨脹するにつれて転写層３３が膨脹して、ドナー基板から分離して有機電界発光素子の基板に転写される。
しかし、図３のＡ部分のように、ドナー基板の表面と転写層３３との間の接着力がよくないため、ラミネート工程時にドナー基板上の有機物が基板上に付く現象が発生する。したがって、レーザを転写しない領域までも有機物質が基板表面を覆うことになるため、これが直接的な素子性能を低下させるという問題点となる。
したがって、本発明は上記のような従来技術の短所と問題点を解決するためのものであって、有機電界発光素子の製造時、発光層をレーザ転写法により形成する場合に転写不良を防止することのできるレーザ転写用ドナー基板を提供することに目的がある。
上記のような目的を達成するために、本発明は、基材フィルムと、上記基材フィルム上に形成される光熱変換層と、上記光熱変換層上部に形成されるバッファ層と、上記バッファ層上に形成される転写層とを含み、上記バッファ層は、マグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は、基材フィルム、光熱変換層、バッファ層及び転写層を含むレーザ転写用ドナー基板において、上記転写層は上記バッファ層上に形成され、上記バッファ層はマグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は上記バッファ層の厚さが１μｍ以下であることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は上記バッファ層のレーザビーム透過率が２０％以下であることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は上記光熱変換層上に形成される中問層をさらに含み、上記バッファ層は上記中問層上に形成されることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は上記中問層がアクリル樹脂(ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ)またはアルキド樹脂(ａｌｋｙｄ ｒｅｓｉｎ)からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板を提供する。
また、本発明は、下部電極が形成された素子基板を提供する段階と、上記素子基板から離隔されて位置し、基材フィルム、上記基材フィルム上に光熱変換層、バッファ層及び転写層を含むドナー基板を上記転写層が上記素子基板に向うように配置する段階と、上記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して上記転写層を上記下部電極上に転写して上記下部電極上に有機膜パターンを形成する段階とを含み、上記転写層は上記バッファ層の上に形成され、上記バッファ層は、マグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。
本発明によれば、レーザ転写用ドナー基板において、中問層と転写層との間または光熱変換層と転写層との間にバッファ層を形成し、ドナー基板と転写物質の表面特性を向上させることで、転写パターン特性が向上できるドナー基板を提供することができる。
また、本発明は、転写パターン特性を向上させ、素子特性を向上させることができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明する実施例に限定されるわけではなく、他の形態で具体化することができる。したがって、ここに（以下に）開示される実施例は発明の開示を完全なものとすると共に、当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供されるものである。なお、説明の都合上、図面において、層及び領域の厚みは誇張されており、図示する形態が実際とは異なる場合がある。明細書の全体において同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
図４は、本発明によるレーザを用いて有機電界発光素子に使用される発光有機膜を転写パターニングした際の転写メカニズムを示す図である。
通常、レーザを用いて有機膜３３を転写パターニングする際のメカニズムは、図４に示すように、基板Ｓ１に付着されていた有機膜Ｓ２(３３)がレーザの作用で基板Ｓ１から切り離されて基板Ｓ３に転写され、レーザが照射されてない部分と分離されることである。
転写特性を左右する因子は、基板Ｓ１とフィルムＳ２との第１接着力Ｗ１２とフィルム同士の粘着力Ｗ２２、そしてフィルムＳ２と基板Ｓ３との第２接着力Ｗ２３の３種類からなる。
このような第１接着力、第２接着力及び粘着力を各層の表面張力γ１、γ２、γ３と界面張力γ１２、γ２３とする場合、下記数式１ないし３のように示すことができる。
レーザ転写特性を向上させるためには、フィルム同士の粘着力を各基板とフィルムとの間の接着力よりも小さくしなければならない。
一般の有機電界発光素子は各層の物質として有機物質を用い、有機物質が用いられる場合は上記第１接着力及び第２接着力が粘着力より大きいため、基材フィルム３１及び光熱変換層(Ｌｉｇｈｔ-Ｔｏ-Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ; ＬＴＨＣ)３２を含むドナー基板３４から発光物質を、有機電界発光素子が形成される基板２００に転写することで、物質転移(ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ)が起きて発光層の微細パターンを形成させる。このように転写することで、微細な発光層のパターンまでが形成され、ミスアラインメント(ｍｉｓ-ａｌｉｇｎｍｅｎｔ)の発生可能性が少なくなる。
図５は、本発明の実施例によるドナー基板及びその製造方法を説明するための断面図である。
図５に示すように、基材フィルム３１を提供し、上記基材フィルム３１上に光熱変換層３２が形成される。
上記基材フィルム３１は透明性高分子からなっているが、このような高分子としては、ポリエチレンテレフタルレートのような、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどが用いられる。そのうちにポリエチレンテレフタルレートフィルムが主に用いられる。上記基材フィルム３１は、支持フィルムとしての光学的性質と機械的安全性を有しなければならない。上記基材フィルム３１の厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。
上記光熱変換層３２は、赤外線−可視光線領域の光を吸収して上記光の一部を熱に変換させる層であって、光学密度(ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ)を有しなければならなく、光吸収性物質を含む。上記光熱変換層３２として、例えば、アルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を上記光吸収性物質に含む金属膜、カーボンブラック、黒鉛や赤外線染料を上記光吸収性物質に含む高分子有機膜がある。このとき、上記金属膜の場合は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて１００〜５、０００Åの厚さに形成することが好ましく、上記有機膜の場合は、一般のフィルムコーティング方法であるロ−ルコティング(ｒｏｌｌ ｃｏａｔｉｎｇ)、グラビア(ｇｒａｖｕｒｅ)、圧出(ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ)、スピン(ｓｐｉｎ)及びナイフ(ｋｎｉｆｅ)コーティング方法を用いて０．１〜１０μｍの厚さに形成することが好ましい。
続いて、上記光熱変換層３２上に中問層３５を形成することができる。上記中問層３５は、上記光熱変換層３２に含まれた上記光吸収性物質、例えば、カーボンブラックが後続の工程に形成される転写層３３を汚染することを防止する役割をする。上記中問層３５はアクリル樹脂またはアルキド樹脂に形成することができる。上記中問層３５の形成は、溶媒コーティングなどの一般のコーティング過程と紫外線硬化過程などの硬化過程によって行われる。
続いて、上記光熱変換層３２上に中問層３５を形成する場合は、上記中問層３５上にさらにバッファ層３６を形成する。上記バッファ層３６は、転写物質、すなわち、転写層３３に形成される有機膜などの損傷を防止し、上記転写層３３と上記ドナー基板３４、すなわち、光熱変換層３２と転写層３３、または、中問層３５が形成された場合には上記中問層３５と転写層３３との接着力を効果的に調節するために形成される。
上記バッファ層３６は、金属層、金属酸化物層に形成することができるが、金属層である場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて形成し、金属酸化物層である場合には一般のフィルムコーティング方法である圧出、スピン及びナイフコーティング方法を用いて形成するか、または上記金属層を形成した後に表面を酸化させて形成することができる。
このとき、本発明において、上記バッファ層３６が金属である場合は、マグネシウム(Ｍｇ)またはマグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)に形成し、金属酸化物である場合はマグネシウム酸化物(ＭｇＯ)に形成することを特徴とする。
一方、上記バッファ層３６は、レーザビーム透過率が２０％以下の金属または金属酸化物を用いており、また、上記バッファ層３６の厚さは１μｍ以下に形成する。
上記バッファ層３６は、レーザ光のエネルギー及び光熱変換層３２の熱エネルギーを転写層３３の材料に伝達しないものとして、材料の熱的変形を防止するだけでよく、あまり厚すぎると光熱変換層の膨脹時に金属層が膨脹しなくなるので転写特性に影響を与えることななる。
このとき、上記バッファ層は、転写層３３とドナー基板３４との接着力を向上させて、転写層３３に転写される領域以外に付いてしまうことを防止することができる。
続いて、上記バッファ層３６上に転写層３３が形成される。
上記転写層３３は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜からなる群より選択される１つの単層膜または１つ以上の多層膜に形成することができる。好ましくは、上記有機膜はそれぞれ低分子物質を含む有機膜である。上記低分子物質を含む有機膜は、一般に接着力がよくないため、上記バッファ層３６を導入することで、転写特性が改善される。また、上記低分子物質のうちには、熱的安全性が低いものがあり、上記低分子物質を含む転写層３３の場合は、ＬＩＴＩによる転写過程において上記光熱変換層３２から発生する熱によって上記転写層３３が損傷される現象があるが、上記バッファ層３６は上記熱を調節することができるので、このような熱損傷を防止することができる。
上記発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜は、一般に用いられる材料であれば、全部使用できる。
好ましくは、上記発光層としては、赤色発光材料であるＡｌｑ３(ホスト)／ＤＣＪＴＢ蛍光ドーパント、Ａｌｑ３ホスト／ＤＣＭ(蛍光ドーパント)またはＣＢＰ(ホスト)／ＰｔＯＥＰ(燐光有機金属錯体)などの低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質が用いられ、緑色発光材料であるＡｌｑ３、Ａｌｑ３(ホスト)／Ｃ５４５ｔ(ドーパント)またはＣＢＰ(ホスト)／ＩｒＰＰｙ(燐光有機金属錯体)などの低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質が用いられる。また、青色発光材料であるＤＰＶＢｉ、スピロ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチルベンゼン(ＤＳＢ)またはジスチリルアリーレン(ＤＳＡ)などの低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質が用いられる。
上記正孔注入層としては、ＣｕＰｃ、ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡまたはＴＤＡＰＢのような低分子と、ＰＡＮＩ、ＰＥＤＯＴのような高分子物質が用いられ、正孔輸送層としては、アリルアミン系低分子、ヒドラゾン系低分子、スチルベン系低分子、スターバースト系低分子として、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｓ−ＴＡＤまたはＭＴＡＤＡＴＡなどの低分子とカルバゾール系高分子、アリルアミン系高分子、ペリレン系及びピロール系高分子としてＰＶＫのような高分子物質が用いられる。
上記電子輸送層としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ−ＰＢＤのような高分子とＡｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑのような低分子物質が用いられる。また、上記電子注入層としては、Ａｌｑ３、ガリウム混合物(Ｇａ ｃｏｍｐｌｅｘ)、ＰＢＤのような低分子物質やオキサジアゾール系高分子物質が用いられる。
上記転写層３３の形成は、一般的なコーティング方法である圧出、スピン、ナイフコーティング方法、真空蒸着法またはＣＶＤなどの方法を用いて１００〜５０、０００Åの厚さにコーティングされる。
以下、図６を参照し、本発明によるドナー基板を用いて有機電界発光素子の有機薄膜の微細パターンを形成する方法を詳しく説明する。以下の説明では、説明の便宜のために本発明のドナー基板を適用する一例として、有機電界発光素子をあげたが、本発明におけるドナー基板の適用が有機電界発光素子に限定されるものではない。
図６は、本発明によるドナー基板を用いて転写する方法を説明するための図である。
図６に示すように、まず、素子基板である透明基板１００上に下部電極層２００を形成する。これとは別に、基材フィルム３１上に光熱変換層３２、中問層３５、バッファ層３６を塗布したドナー基板３４及び上記ドナー基板３４の上部に転写層３３が形成されている。ただし、図示してないが、上記中問層３５の形成なしに、上記光熱変換層３２上にバッファ層３６が形成される。
ここで、転写層３３は有機薄膜形成用物質をコーティングして製造し、このとき、様々な特性を改善するために、所定含量の添加物質が添加されてもよい。例えば、発光層の効率を高めるためにドーパント(ｄｏｐａｎｔ)が添加されてもよい。そして、転写層３３を形成する方法としては、上述のように、一般的なフィルムコーティング方法である圧出、スピン及びナイフコーティング方法が用いられる。
このとき、本発明において上記バッファ層３６は、金属である場合はマグネシウム(Ｍｇ)またはマグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)に形成され、金属酸化物である場合はマグネシウム酸化物(ＭｇＯ)に形成されることを特徴とする。
上記転写層３３としては、上述のように、有機物質を用いて１つの層ではなく２つ以上の層を、必要に応じて積層することができる。
そして、下部電極層２００が形成された基板１００と所定間隔分に離隔された位置に上記ドナー基板３４を配置した後、上記ドナー基板３４にエネルギー源５７を照射する。
上記エネルギー源５７は、転写装置を経た後、基材フィルム３３を通過して光熱変換層３２を活性化させ、熱分解反応で熱を放出する。
このように放出された熱によって上記ドナー基板の光熱変換層３２が膨脹されながら上記転写層３３がドナー基板３４から分離して有機電界発光素子の基板１００の上部に画素定義膜で定義された画素領域上に転写物質である発光層が所望するパターンと厚さに転写する。
本発明のように、バッファ層３６を導入し、レーザ転写時にドナー基板３４と転写層３３との間の表面特性、特に、接着力を向上させて基板に低分子物質が付かないように転写パターン特性を向上させることができる。
本発明において用いられるエネルギー源は、レーザ、キセノン(Ｘｅ)ランプ、そしてフラッシュ(ｆｌａｓｈ)ランプなどが使用できる。その中でもレーザの方が最も優れた転写効果を得ることができる。この場合レーザとしては、固体、ガス、半導体、染料などのすべての汎用のレーザが全部使用されることができ、レーザビームの形状も円形のビームまたはその他のあらゆる形状のビームが用いられる。
上記のような転写過程を経た後は、転写された物質を固形化、固着化させるために熱処理する工程を行う。
ここで、転写物質の転写は、一度または多段階を経て行われる。すなわち、転写しようとする低分子有機薄膜層の厚さでは、一度に必要な厚さを転写することができ、何回か繰り返して転写することもできる。しかし、工程の便宜性及び安全性を考慮した場合、一度に転写物質を転写することが好ましい。
以下、本発明の好適な実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は本発明の好適な実施例であって、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
まず、図６に示すように透明基板上に下部電極層を形成し、これとは別に基材フィルム上に光熱変換層、中問層、バッファ層を塗布したドナー基板及び上記ドナー基板の上部に転写層を形成した。
このとき、上記バッファ層は、金属であるマグネシウム(Ｍｇ)を使用し、スパッタリング法によって８０Åの厚さに形成した。
その後、透明電極層が形成された基板と所定間隔ほど離隔された位置に上記ドナー基板を配置した後に、上記ドナー基板にエネルギー源を照射し、転写物質である転写層を透明電極層上に転写した。
上記バッファ層を、金属であるアルミニウム(Ａｌ)を用いて３００Åの厚さで形成したことを除き、上記実施例と同様に実施した。
図７は、本発明の比較例によるドナー基板を用いて転写した場合の転写特性を説明するための図である。
図７に示すように、バッファ層を、金属であるアルミニウム(Ａｌ)を用いた比較例の場合、上述の図３のＡ部分のようにドナー基板表面と転写層との間の接着力がよくないため、ラミネート工程時にドナー基板上の有機物が基板上に付いて、不要な有機物質が基板表面を覆うという問題点は解決されたことがわかった。
すなわち、バッファ層を導入することで、レーザ転写時にドナー基板と転写層との間の表面特性、特に、接着力を向上させて基板に低分子物質が付かないように転写パターン特性を向上させることができた。
しかし、アルミニウム(Ａｌ)を用いた場合、バッファ層と転写層間との接着力が強すぎて、図７のＢ部分に示すように、むしろ転写しようとする領域の転写層の物質がドナー基板に一部残存し、これによって、図７のＣ部分に示すように、転写されたパターンの上部表面にクラックが形成されるという問題点が発生した。
図８及び図９は、本発明の比較例によるドナー基板を用いて転写した場合の転写特性を説明するための写真である。
まず、図８はレーザ転写後のドナー基板を示すもので、図８のＤ領域に示すように、図７のＢ部分のように転写しようとする領域の転写層の物質がドナー基板に一部残存していることがわかる。
次に、図９はレーザ転写後の転写パターンが形成された素子基板を示すもので、図９のＥ領域には図７のＣ部分のように転写されたパターンの上部表面にクラックが形成されていることがわかる。
一方、図１０及び図１１は、本発明の実施例でドナー基板を用いて転写した場合の転写特性を説明するための写真である。すなわち、図１０及び図１１はバッファ層を、金属であるマグネシウム(Ｍｇ)を用いた場合の転写特性を示す写真である。
まず、図１０はレーザ転写後のドナー基板を示すもので、図１０のＦ領域には図７のＢ部分のような転写しようとする領域の転写層の物質がドナー基板に残存せず、転写物質がきれいに転写されている。
次に、図１１はレーザ転写後の転写パターンが形成された素子基板を示すもので、図１１のＧ領域には、図７のＣ部分のように転写されたパターンの上部表面にクラックが形成されず、転写物質がきれいにパターニングされていることがわかる。
したがって、本発明では、バッファ層を導入することで、レーザ転写時にドナー基板と転写層との間の表面特性、特に、接着力をさせて基板に低分子物質が付かないように転写パターン特性を向上することができ、特に、上記バッファ層として、マグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物を用いることで、転写しようとする領域の転写層の物質がドナー基板に残存せず、転写されたパターンの上部表面にクラックも形成されなく、転写物質をきれいにパターニングすることができる。
上述では、本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
３１ 基材フィルム
３２ 光熱変換層
３３ 転写層
３４ ドナー基板
３５ 中問層
３６ バッファ層
３２ 光熱変換層
３３ 転写層
３４ ドナー基板
３５ 中問層
３６ バッファ層
Claims (18)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルム上に形成される光熱変換層と、
前記光熱変換層の上部に形成されるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成される転写層と、を含み、
前記バッファ層は、マグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板。 - 前記バッファ層は、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記バッファ層は、レーザビーム透過率が２０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記光熱変換層は、レーザ光吸収物質が含まれている有機膜、または金属、金属の酸化物、金属の硫化物及びこれらの複合層からなる金属化合物のうちの１種の物質であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記光熱変換層上に形成される中問層をさらに含み、前記バッファ層は前記中問層上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記中問層は、アクリル樹脂またはアルキド樹脂からなることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記転写層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層の有機膜からなる群より選択される１つの単層膜または１つ以上の多層膜に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 基材フィルム、光熱変換層、バッファ層及び転写層を含むレーザ転写用ドナー基板において、
前記転写層は前記バッファ層上に形成され、前記バッファ層はマグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とする、レーザ転写用ドナー基板。 - 前記バッファ層は、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記バッファ層は、レーザビーム透過率が２０％以下であることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記光熱変換層は、レーザ光吸収物質が含まれている有機膜、または金属、金属の酸化物、金属の硫化物及びこれらの複合層からなる金属化合物のうちの１種の物質であることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記光熱変換層上に形成される中問層をさらに含み、前記バッファ層は前記中問層上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記中問層は、アクリル樹脂またはアルキド樹脂からなることを特徴とする、請求項１２に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 前記転写層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層の有機膜からなる群より選択される１つの単層膜または１つ以上の多層膜に形成されることを特徴とする、請求項８に記載のレーザ転写用ドナー基板。
- 下部電極が形成された素子基板を提供する段階と、
前記素子基板から離隔されて位置し、基材フィルム、前記基材フィルム上に光熱変換層、バッファ層及び転写層を含むドナー基板を前記転写層が前記素子基板を向けるように配置する段階と、
前記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して、前記転写層を前記下部電極上に転写して前記下部電極上に有機膜パターンを形成する段階と、を含み、
前記転写層は前記バッファ層上に形成され、前記バッファ層はマグネシウム(Ｍｇ)、マグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)またはマグネシウム酸化物からなることを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。 - 前記光熱変換層上に形成される中問層をさらに含み、前記バッファ層は前記中問層上に形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記中問層は、アクリル樹脂またはアルキド樹脂からなることを特徴とする、請求項１６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記転写層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層の有機膜からなる群より選択される１つの単層膜または１つ以上の多層膜に形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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