JP2011085610A - 光偏向素子、レーザ装置及びセンシング装置 - Google Patents

光偏向素子、レーザ装置及びセンシング装置 Download PDF

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Abstract

【課題】集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得ることができる光偏向素子を提供する。
【解決手段】 光偏向素子は、複数波長の光が入射され、該入射光を、印加電圧に応じてXY面内で偏向する周期分極反転構造体250、及びXZ面内において、周期分極反転構造体250を通過した光を該光の波長に応じて偏向するグレーティング260を有している。この場合は、XZ面内において、従来よりも大きな偏向角で光束を偏向することができる。また、MgOが添加されたニオブ酸リチウム結晶の板状部材であるコア層245に周期分極反転構造体250とグレーティング260を設けることが容易にできる。すなわち、集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得ることができる。
【選択図】図17

Description

本発明は、光偏向素子、レーザ装置及びセンシング装置に係り、さらに詳しくは、入射光を互いに交差する2つの面内で個別に偏向することができる光偏向素子、該光偏向素子を有するレーザ装置、該レーザ装置を備えるセンシング装置に関する。
従来、光を偏向する光偏向器として、ガルバノミラー、ポリゴンミラー、音響光学素子及び電気光学素子などを使ったものが知られている。
ガルバノミラーを使った光偏向器は、高速での光走査が困難であるという不都合があった。
ポリゴンミラーを使った光偏向器は、高速での光走査が可能で、偏向角を大きくとれるという利点があるが、機械的な部分を有するため、振動や光学系の大型化が避けられなかった。
それに対し、音響光学素子及び電気光学素子を使った光偏向器は、機械的な部分を有していないため、振動や大型化の問題は生じない。
例えば、特許文献1には、基板上に形成された薄膜光導波路における音響光学効果と熱光学効果を利用して光の進行方向を2次元的に制御する2次元光偏向器が開示されている。
また、特許文献2には、基板上に形成された薄膜光導波路における音響光学効果、電気光学効果、及び熱光学効果を利用して光の進行方向を2次元的に制御する2次元光偏向器が開示されている。
また、特許文献3には、電気光学効果を有する光導波路と出射用プリズムとを有し、光ビームを第1の方向、及び第1の方向と交差する第2の方向に偏向する光偏向素子が開示されている。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2に開示されている2次元光偏向器では、光導波路面内とは異なる方向への偏向角、すなわち射出角の変化量が極めて小さいという不都合があった。
また、特許文献3に開示されている光偏向素子では、高価なプリズムが必要となり、高コスト化を招くという不都合があった。また、プリズムの位置合わせを高精度に行う必要があるため、調整作業に時間がかかるという不都合があった。さらに、素子の集積化に適していないため、小型化が困難であるという不都合があった。
本発明はかかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得ることができる光偏向素子を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、大型化及び高コスト化を招くことなく、レーザ光の射出角を2次元的に大きく変化させることができるレーザ装置を提供することにある。
また、本発明の第3の目的は、大型化及び高コスト化を招くことなく、広い範囲をセンシングすることができるセンシング装置を提供することにある。
本発明は、第1の観点からすると、複数波長の光が入射され、該入射光を、印加電圧に応じて第1の面内で偏向する第1の偏向部と;前記第1の面に交差する第2の面内において、前記第1の偏向部を通過した光を該光の波長に応じて偏向するグレーティングを含む第2の偏向部と;を備える光偏向素子である。
これによれば、集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得ることができる。
本発明は、第2の観点からすると、複数波長の光を射出する少なくとも1つのレーザ光源と;前記少なくとも1つのレーザ光源からの光が入射される本発明の光偏向素子と;前記光偏向素子の第1の偏向部に印加する電圧を制御する電圧制御装置と;を備えるレーザ装置である。
これによれば、本発明の光偏向素子を備えているため、大型化及び高コスト化を招くことなく、レーザ光の射出角を2次元的に大きく変化させることができる。
本発明は、第3の観点からすると、本発明のレーザ装置と;前記レーザ装置から射出され、物体で反射された光を受光する受光器と;前記レーザ装置からの光の射出方向及び前記受光器の出力信号に基づいて、前記物体の位置情報を求める信号処理装置と;を備えるセンシング装置である。
これによれば、本発明のレーザ装置を備えているため、結果として、大型化及び高コスト化を招くことなく、広い範囲をセンシングすることができる。
本発明の一実施形態に係るレーザレーダを搭載した車両の外観図である。 本発明の一実施形態に係る前方監視装置の構成を説明するためのブロック図である。 レーザレーダの構成を説明するためのブロック図である。 図3における光源装置の構成を説明するためのブロック図である。 λ1、λ2、λ3の関係を説明するための図である。 図3における光偏向素子の構造を説明するための図である。 コア層における周期分極反転構造体及びグレーティングを説明するための図である。 グレーティングの凹凸を説明するための図である。 図9(A)〜図9(D)は、それぞれ、光偏向素子の製造方法を説明するための図(その1)である。 図10(A)〜図10(C)は、それぞれ、光偏向素子の製造方法を説明するための図(その2)である。 図11(A)〜図11(C)は、それぞれ、光偏向素子の製造方法を説明するための図(その3)である。 図12(A)〜図12(C)は、それぞれ、光偏向素子の製造方法を説明するための図(その4)である。 図13(A)〜図13(C)は、それぞれ、光偏向素子の製造方法を説明するための図(その5)である。 光偏向素子に入射する光束を説明するための図である。 電圧制御装置からの電圧の印加を説明するための図である。 図16(A)及び図16(B)は、それぞれ、XY平面内での光束の偏向を説明するための図であり、図16(C)は、XY平面内での光束の偏向角を説明するための図である。 グレーティングによる偏向を説明するための図である。 センシング制御装置による各半導体レーザの駆動制御を説明するための図である。 光偏向素子から射出される各光束の偏向面を説明するための図である。 音声・警報発生装置の構成を説明するためのブロック図である。 センシング制御装置による各半導体レーザの駆動制御の変形例を説明するための図である。 図21に対応した受光器の例1を説明するための図である。 図21に対応した受光器の例2を説明するための図である。 図21に対応した受光器の例3を説明するための図である。 光源装置の変形例1を説明するための図である。 光源装置の変形例2を説明するための図である。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図20に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係るセンシング装置としての車載用のレーザレーダ20を搭載した車両1の外観が示されている。
レーザレーダ20は、一例として、車両1の前方のナンバープレート近傍に取り付けられている。なお、本明細書では、XYZ3次元直交座標系において、重力方向をZ軸方向、車両1の前進方向を+X方向として説明する。
車両1の車内には、一例として図2に示されるように、表示装置30、主制御装置40、メモリ50、及び音声・警報発生装置60などを備えている。これらは、バス70を介して電気的に接続されている。
ここでは、レーザレーダ20、表示装置30、主制御装置40、メモリ50、及び音声・警報発生装置60によって、前方監視装置10が構成されている。
レーザレーダ20は、一例として図3に示されるように、光源装置220、電圧制御装置230、光偏向素子240、センシング制御装置300、及び受光器350などを有している。
ここでは、光源装置220は、一例として図4に示されるように、3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)、3つのカップリングレンズ(223a、223b、223c)、反射ミラー225a、2つの波長フィルタ(225b、225c)、及びシリンドリカルレンズ227を有している。
半導体レーザ221aは、波長λ3のレーザ光を+Z方向に射出する。
半導体レーザ221bは、半導体レーザ221aの+X側に配置され、波長λ2のレーザ光を+Z方向に射出する。
半導体レーザ221cは、半導体レーザ221bの+X側に配置され、波長λ1のレーザ光を+Z方向に射出する。
ここでは、一例として、λ1=740nm、λ2=780nm、λ3=820nmとしている。すなわち、λ1<λ2<λ3である(図5参照)。
カップリングレンズ223aは、半導体レーザ221aから射出された光束の光路上に配置され、該光束を略平行光とする。
カップリングレンズ223bは、半導体レーザ221bから射出された光束の光路上に配置され、該光束を略平行光とする。
カップリングレンズ223cは、半導体レーザ221cから射出された光束の光路上に配置され、該光束を略平行光とする。
以下では、便宜上、半導体レーザ221aから射出された光束を「光束A」、半導体レーザ221bから射出された光束を「光束B」、半導体レーザ221cから射出された光束を「光束C」という。
反射ミラー225aは、カップリングレンズ223aを介した光束Aの光路上に配置され、該光束を+X方向に反射する。
波長フィルタ225bは、反射ミラー225aの+X側であって、かつカップリングレンズ223bを介した光束Bの光路上に配置され、該光束Bを+X方向に反射し、反射ミラー225aで反射された光束Aを透過させる。この波長フィルタ225bとして、波長500nm〜900nmにおいて、波長800nm以上の光を透過させ、それ未満の波長の光を反射する多層膜フィルタを用いることができる。
波長フィルタ225cは、波長フィルタ225bの+X側であって、かつカップリングレンズ223cを介した光束Cの光路上に配置され、該光束Cを+X方向に反射し、波長フィルタ225bを介した光束A及び光束Bを透過させる。この波長フィルタ225cとして、波長760nm以上の光を透過させ、それ未満の波長の光を反射する多層膜フィルタを用いることができる。
シリンドリカルレンズ227は、波長フィルタ225cの+X側に配置され、Z軸方向に関して、波長フィルタ225cを介した光束A、光束B及び光束Cを集束する。
図3に戻り、光偏向素子240は、光源装置220の+X側に配置されている。
この光偏向素子240は、一例として図6に示されるように、基板241、接着剤層242、下部電極243、下部クラッド層244、コア層245、上部クラッド層246、及び上部電極247などから構成されている。
コア層245は、MgOが添加されたニオブ酸リチウム(LiNbO)結晶の厚さが約10μmの板状部材である。
このコア層245は、一例として図7に示されるように、X軸方向に関して、ほぼ中心から−X側端部にかけて周期分極反転構造体250を有している。
ここでは、周期分極反転構造体250では、自発分極の方向が互いに反対である2つの領域(250a、250b)が、XY断面において互いに反対形状のプリズム状に形成されている。
また、コア層245は、一例として図7に示されるように、+X側の部分に、円弧状のグレーティング260を有している。
ここでは、一例として図8に示されるように、グレーティング260における凹部の幅と凸部の幅は同じである。また、凹部の深さdは、50nmである。
図6に戻り、上部クラッド層246は、厚さ200nmのSiOの層であり、コア層245における周期分極反転構造体250の+Z側に形成されている。
下部クラッド層244は、厚さ200nmのSiOの層であり、コア層245の−Z側に形成されている。
上部電極247は、厚さ200nmのCr(クロム)の層であり、上部クラッド層246の+Z側に形成されている。
下部電極243は、厚さ200nmのCr(クロム)の層であり、下部クラッド層244の−Z側に形成されている。
基板241は、ニオブ酸リチウム(LiNbO)の基板である。この基板241は、接着剤242によって、下部電極243と接着されている。
ここでは、コア層245及び基板241に同じ材料を用いているため、熱膨張の影響(はく離)を低減させることができる。
次に、この光偏向素子240の製造方法について、簡単に説明する。
(1)周期分極反転構造体250を有するコア層245を準備する(図9(A)〜図9(C)参照)。なお、図9(C)は、図9(B)のA−A断面図である。
(2)コア層245の一側の面に、下部クラッド層244を成膜する(図9(D)参照)。
(3)下部クラッド層244の表面に、下部電極243を成膜する(図10(A)参照)。なお、ここで下部電極243が成膜されたものを、以下では、便宜上、「一次積層体」という。
(4)基板241を準備し、該基板241の表面に接着剤242を塗布する(図10(B)参照)。
(5)該接着剤242の上に、上記一次積層体を上下反転し、その下部電極243を下にして載置する(図10(C)参照)。なお、基板241と一次積層体とが接着剤242によって接合されたものを、以下では、便宜上、「二次積層体」という。
(6)接着剤242が硬化すると、上記二次積層体を上下反転させ、コア層245の他側の面を下にする(図11(A)参照)。
(7)二次積層体におけるコア層245の他側の面を研磨し、コア層245の厚さを約10μmとする(図11(B)参照)。
(8)二次積層体を上下反転させ、コア層245の他側の面にフォトレジシトPRを塗布する(図11(C)参照)。
(9)電子線描画装置を用いて、フォトレジシトPR上にグレーティング用のパターンを描画する。なお、露光装置を用いて、グレーティング用のパターンをフォトレジシトPR表面に転写しても良い。
(10)フォトレジシトPRに対して所定の処理を行い、エッチングマスクとする(図12(A)参照)。なお、ここでは、レジストパターンをエッチングマスクとしているが、これに限定されるものではなく、例えば、レジストパターンに金属を蒸着し、リフトオフによって金属パターンを形成し、該金属パターンをエッチングマスクとしても良い。
(11)エッチングマスクを介して、コア層245の他側の面をドライエッチングする(図12(B)参照)。
(12)エッチングマスクを除去する(図12(C)参照)。これにより、グレーティング260が形成される。
(13)コア層245の他側の面におけるグレーティング260を除く部分に、上部クラッド層246を成膜する(図13(A)参照)。
(14)上部クラッド層246の表面に、上部電極247を成膜する(図13(B)及び図13(C)参照)。これにより、光偏向素子240となる。
光偏向素子240は、光源装置220から射出された光束(光束A、光束B及び光束C)がコア層245に入射するように位置決めされている(図14参照)。
電圧制御装置230は、センシング制御装置300の指示に基づいて、光偏向素子240の上部電極247に電圧Vを印加する(図15参照)。なお、下部電極243は、グラウンド接続されている。
光偏向素子240の上部電極247に電圧が印加されると、周期分極反転構造体250における領域250aと領域250bとの間に屈折率差が生じる。この屈折率差Δnは、次の(1)式で示される。ここで、rはポッケルス定数、nはコア層245の材料の屈折率、dはコア層245の厚さ、Vは印加電圧である。
Δn=−1/2・r・n・V/d ……(1)
そこで、コア層245に光源装置220からの光束(光束A、光束B及び光束C)が入射しているときに、電圧制御装置230から上部電極247に電圧が印加されると、光束は印加電圧に応じてXY平面内で偏向される。
例えば、V=+150[V]のときは、一例として図16(A)に示されるように、光束は+Y側に偏向される。
また、V=−150[V]のときは、一例として図16(B)に示されるように、光束は−Y側に偏向される。
このように、上部電極247に−150[V]〜+150[V]の電圧を印加すると、XY平面内において、偏向角(ふれ角)θx=10°で光束を偏向することができる(図16(C)参照)。なお、波長が異なることによるXY平面内での偏向方向の違いは、本実施形態で使用する波長の差異ではほとんどない。
周期分極反転構造体250を通過した光束は、グレーティング260によって、XZ平面内で偏向される。このときのX軸方向に対する角度θzは、次の(2)式で示される。ここで、n(a)はグレーティング260の周辺(ここでは、空気)の屈折率、Nはコア層245の実効屈折率、qは回折の次数、λは光束の波長、Λはグレーティング260の周期である。
n(a)・sinθz=N+q・λ/Λ ……(2)
例えば、n(a)=1、N=2.2、Λ=550nm、q=−1とすると、λ=820nmの光束では、θz=43.4°、λ=780nmの光束では、θz=49.5°、λ=740nmの光束では、θz=56.4°となる。
すなわち、XZ平面内でX軸方向に対して+Z側に、光束Aは43.4°偏向し、光束Bは49.5°偏向し、光束Cは56.4°偏向する。このとき、XZ平面内での偏向角(ふれ角)θ13=13.0°である(図17参照)。
センシング制御装置300は、光源装置220の3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)が順に点灯するように、それぞれの駆動信号を制御する(図18参照)。同時に、センシング制御装置300は、各半導体レーザの点灯タイミング及び消灯タイミングに関する情報(タイミング情報)を、電圧制御装置230に通知する。
電圧制御装置230は、上記タイミング情報に基づいて、印加電圧Vを制御する。ここでは、各半導体レーザについて、該半導体レーザが点灯している時間内に印加電圧Vを−150[V]→+150[V]あるいは+150[V]→−150[V]に変化させる。これにより、光偏向素子240から射出される光束を、XY平面内では偏向角(ふれ角)θx=10°で、XZ平面内では偏向角(ふれ角)θ13=13.0°で、2次元的に偏向することができる(図19参照)。
そこで、光偏向素子240は、車両1の前方における広い領域に光束を射出することができる。
受光器350は、光偏向素子240から射出され、車両1の前方にある物体(例えば、他の車両)で反射された光束を受光する。受光器350は、受光量に応じた信号(光電変換信号)を生成し、センシング制御装置300に出力する。
センシング制御装置300は、そのときに点灯している半導体レーザ及びそのときの印加電圧Vから光束の射出方向を求め、該射出方向と受光器350からの信号とに基づいて、物体の大きさ、車両1に対する物体の位置などを求める。ここで得られたデータは、時間情報とともに監視データとしてメモリ50に格納される。
主制御装置40は、メモリ50に格納されている監視データに基づいて、車両1の前方に物体があるか否か、物体があるときにその物体が移動しているか否か、該物体が移動しているときにはその移動方向及び移動速度を求める。そして、その情報を表示装置30に表示する。
また、主制御装置40は、危険があると判断すると、音声・警報発生装置60にアラーム情報を出力する。
音声・警報発生装置60は、一例として図20に示されるように、音声合成装置61、警報信号生成装置62及びスピーカ63などを有している。
音声合成装置61は、複数の音声データを有しており、主制御装置40からアラーム情報を受け取ると、対応する音声データを選択し、スピーカ63に出力する。
警報信号生成装置62は、主制御装置40からアラーム情報を受け取ると、対応する警報信号を生成し、スピーカ63に出力する。
以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る前方監視装置10によって、本発明のセンシング装置が構成されている。そして、センシング制御装置300によって、本発明のセンシング装置における信号処理装置が構成されている。また、主制御装置40と音声・警報発生装置60とによって、本発明のセンシング装置における監視制御装置が構成されている。
また、光源装置220、電圧制御装置230、光偏向素子240、及びセンシング制御装置300によって、本発明のレーダ装置が構成されている。そして、センシング制御装置300によって、本発明のレーダ装置における光源制御装置が構成されている。
以上説明したように、本実施形態に係る光偏向素子240によると、入射された光を、印加電圧に応じてXY面内(第1の面内)で偏向する周期分極反転構造体250(第1の偏向部)、及びXZ面内(第2の面内)において、周期分極反転構造体250を通過した光を該光の波長に応じて偏向するグレーティング260(第2の偏向部)を有している。
この場合は、XZ面内において、従来よりも大きな偏向角で光束を射出することができる。また、MgOが添加されたニオブ酸リチウム(LiNbO)結晶の板状部材であるコア層245に周期分極反転構造体250とグレーティング260を設けることが容易にできる。すなわち、集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得ることができる。
また、周期分極反転構造体250を有するコア層245に、グレーティング260が形成されているため、周期分極反転構造体250とグレーティング260の位置合わせが不要である。
また、上記特許文献2(特開昭58−130327号公報)と異なり、光をXZ面内で偏向させるのに、外部から電力を供給する必要はない。すなわち、低消費電力で光を2次元的に偏向することができる。
また、光偏向素子240からの射出角は、点灯させる光源を切り替えることにより変更することができるため、非常に高速で光偏向素子240からの射出角を制御することができる。
また、電圧制御装置230からの印加電圧と点灯させる光源を指定することにより、光偏向素子240から射出される光の射出方向を非常に高速で任意の方向に向けることができる。
また、電圧制御装置230からの印加電圧と点灯させる光源を制御することにより、指定された範囲内に光を射出することができる。
また、本実施形態に係る前方監視装置10によると、互いに波長が異なる光束を射出する3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)を有する光源装置220と、該光源装置220からの光が入射される光偏向素子240と、該光偏向素子240の上部電極247に印加する電圧を制御する電圧制御装置230とを備えている。そこで、大型化及び高コスト化を招くことなく、レーザ光の射出角を2次元的に大きく変化させることができる。
また、本実施形態に係る前方監視装置10によると、光偏向素子240から射出され、物体で反射された光を受光する受光器350と、光偏向素子240からの光の射出方向及び受光器350の出力信号に基づいて、物体の位置情報を求めるセンシング制御装置300とを備えている。この場合は、大型化及び高コスト化を招くことなく、広い範囲をセンシングすることができる。
また、指定した方向及び指定した範囲に光偏向素子240から光を射出することができるため、危険が予想される範囲を重点的にセンシングすることが可能である。
なお、上記実施形態では、光源装置220の3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)が順に点灯される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)が同時に点灯されても良い(図21参照)
但し、この場合には、前記受光器350に代えて、一例として図22に示されるように、波長毎に受光素子を備えた受光器350Aが用いられる。この受光器350Aは、3つのバンドパスフィルタ(BPF1、BPF2、BPF3)及び3つの受光素子(PD1、PD2、PD3)を有している。
バンドパスフィルタBPF1は、中心波長がλ1の狭帯域のバンドパスフィルタであり、バンドパスフィルタBPF2は、中心波長がλ2の狭帯域のバンドパスフィルタであり、バンドパスフィルタBPF3は、中心波長がλ3の狭帯域のバンドパスフィルタである。
受光素子PD1は、バンドパスフィルタBPF1を透過した光束を受光し、受光素子PD2は、バンドパスフィルタBPF2を透過した光束を受光し、受光素子PD3は、バンドパスフィルタBPF3を透過した光束を受光する。
この場合は、センシング制御装置300での前記監視データの取得の高速化を図ることができる。
さらに、この場合に、前記3つのバンドパスフィルタ(BPF1、BPF2、BPF3)に代えて、一例として図23に示されるように、回折格子351を用いても良いし、一例として図24に示されるように、プリズム352を用いても良い。
また、上記実施形態では、光源装置220が3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、図25に示されるように、3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)に代えて、互いに波長が異なる光束を射出する3つの発光部を有する半導体レーザ221Aを用いても良い。そして、3つのカップリングレンズ(223a、223b、223c)に代えて、それらが一体化されたカップリングレンズ223を用いても良い。
また、一例として図26に示されるように、3つの半導体レーザ(221a、221b、221c)に代えて、射出される光束の波長を変化させることができる波長可変レーザ221Bを用いても良い。波長可変レーザとしては、分布帰還型(DFB)レーザ、分布ブラッグ反射型(DBR)レーザ、Littrow構成の波長可変レーザなどが使用可能であるが、電流制御及び温度制御が可能なDFBレーザあるいはDBRレーザが好ましい。
この場合に、例えば、電流制御により発振波長を650nmから660nmまで変化できるDBRレーザを用いると、光偏向素子240から射出される光束の、XZ平面内でのX軸方向に対する角度θzを80°〜85°とすることができる。すなわち、XZ平面内での偏向角(ふれ角)を5°とすることができる。
DBRレーザから射出される波長は、注入する電流により連続的に変化させることができる。そのため、グレーティング260による偏向角を連続的に変化させることが可能になる。ところで、XY平面内に関しては、上部電極247への印加電圧により連続的に偏向させることができるため、波長可変レーザを使用することにより、Y軸方向及びZ軸方向のいずれに対しても傾斜した方向に沿って、光を射出することができる。すなわち、2次元面内全体を連続的に走査することが可能となる。
また、上記実施形態において、光源装置220が互いに発振波長が異なる4つ以上の半導体レーザを有していても良い。
また、上記実施形態では、周期分極反転構造体250における自発分極の方向が互いに反対である2つの領域(250a、250b)がプリズム状の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、印加電圧に応じて光を導波路面内で偏向することができれば良い。
また、上記実施形態では、上部電極247への印加電圧が、−150[V]〜+150[V]の場合について説明したが、これに限定されるものではない。周期分極反転構造体250の特性、及び必要な偏向角に応じて、上部電極247への印加電圧を設定すれば良い。
また、上記実施形態では、λ1=740nm、λ2=780nm、λ3=820nmの場合について説明したが、これに限定されるものではない。XZ平面内での必要な偏向角(ふれ角)に応じて設定することができる。例えば、λ1=750nm、λ2=780nm、λ3=810nmとしても良い。この場合は、XZ平面内での偏向角(ふれ角)θ13=9.7°となる。また、λ1=680nm、λ3=880nmの場合には、XZ平面内での偏向角(ふれ角)θ13は約35°となる。
また、上記実施形態では、前方監視装置10が1つのレーザレーダ20を備える場合について説明したが、これに限定されるものではない。車両の大きさ、監視領域などに応じて、複数のレーザレーダ20を備えても良い。
また、上記実施形態では、レーザレーダ20が車両の進行方向(前方)を監視する前方監視装置10に用いられた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、車両の後方を監視する装置に用いられても良い。
さらに、レーザレーダ20は、車載用以外のセンシング装置にも用いることができる。この場合には、主制御装置40は、センシングの目的に応じたアラーム情報を出力する。
また、レーザレーダ20は、センシング装置以外の用途(例えば、計測装置)にも用いることができる。
また、光偏向素子240は、レーザレーダ以外の用途(例えば、医療用装置)にも用いることができる。
以上説明したように、本発明の光偏向素子によれば、集積化が容易で、導波路面に交差する面内で大きな偏向角を得るのに適している。また、本発明のレーザ装置によれば、大型化及び高コスト化を招くことなく、レーザ光の射出角を大きく変化させるのに適している。また、本発明のセンシング装置によれば、大型化及び高コスト化を招くことなく、広い範囲をセンシングするのに適している。
1…車両、10…前方監視装置(センシング装置)、20…レーザレーダ、40…主制御装置(監視制御装置の一部)、50…メモリ、60…音声・警報発生装置(監視制御装置の一部)、221a〜221c…半導体レーザ(レーザ光源)、230…電圧制御装置、240…光偏向素子、250…周期分極反転構造体(第1の偏向部)、260…グレーティング(第2の偏向部)、300…センシング制御装置(光源制御装置、信号処理装置)。
特開昭58−125023号公報 特開昭58−130327号公報 特開2000−330143号公報

Claims (13)

  1. 複数波長の光が入射され、該入射光を、印加電圧に応じて第1の面内で偏向する第1の偏向部と;
    前記第1の面に交差する第2の面内において、前記第1の偏向部を通過した光を該光の波長に応じて偏向するグレーティングを含む第2の偏向部と;を備える光偏向素子。
  2. 前記第1の偏向部と前記第2の偏向部は、同一基板上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光偏向素子。
  3. 前記第1の偏向部は、周期分極反転構造を有する構造体、及び該構造体に電圧を印加するための電極を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光偏向素子。
  4. 複数波長の光を射出する少なくとも1つのレーザ光源と;
    前記少なくとも1つのレーザ光源からの光が入射される請求項1〜3のいずれか一項に記載の光偏向素子と;
    前記光偏向素子の第1の偏向部に印加する電圧を制御する電圧制御装置と;を備えるレーザ装置。
  5. 前記少なくとも1つのレーザ光源は、互いに波長が異なる光を射出する複数のレーザ光源であることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  6. 前記少なくとも1つのレーザ光源は、射出される光の波長を変化させることができる光源であることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  7. 前記少なくとも1つのレーザ光源は、互いに波長が異なる複数の光を同時に射出することができるレーザ光源であることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  8. 前記複数のレーザ光源を1つずつ順次点灯させる光源制御装置を更に備えることを特徴とする請求項5に記載のレーザ装置。
  9. 前記複数のレーザ光源を同時に点灯させる光源制御装置を更に備えることを特徴とする請求項5に記載のレーザ装置。
  10. 請求項4〜9のいずれか一項に記載のレーザ装置と;
    前記レーザ装置から射出され、物体で反射された光を受光する受光器と;
    前記レーザ装置からの光の射出方向及び前記受光器の出力信号に基づいて、前記物体の位置情報を求める信号処理装置と;を備えるセンシング装置。
  11. 前記物体の位置情報を表示する表示装置を更に備えることを特徴とする請求項10に記載のセンシング装置。
  12. 前記物体の位置情報を保存するメモリを更に備えることを特徴とする請求項10又は11に記載のセンシング装置。
  13. 車両に搭載され、
    前記物体の位置情報に基づいて危険があると判断すると、アラーム情報を出力する監視制御装置を更に備えることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載のセンシング装置。
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