JP6769378B2

JP6769378B2 - 光変調器

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Publication number: JP6769378B2
Application number: JP2017072888A
Authority: JP
Inventors: 徳一宮崎; 洋一細川; 優片岡
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 2017-03-31
Filing date: 2017-03-31
Publication date: 2020-10-14
Anticipated expiration: 2037-03-31
Also published as: JP2018173594A; CN108693603B; US20180284352A1; US10598862B2; CN108693603A

Description

本発明は、光学素子モジュールに関し、特に、光変調部から出力される信号光をレンズ手段を用いて光ファイバに導入する光学素子モジュールに関する。

光通信等の技術分野において、光変調部から出力される信号光を、レンズ手段等の空間光学系を用いて光ファイバに導入する光学素子モジュールが使用されている。また、光変調器等の光学素子モジュールの広帯域化を図るため、例えば、図１に示すような２つの光変調部から出力される２つの信号光を偏波合成するものも提案されている。

図１の光学素子モジュールの概略を説明すると、ニオブ酸リチウムなどの電気光学効果を有する基板１に光導波路２を形成する。また、光変調部には、光導波路２に沿って、基板上に電極が形成されているが、図１では、電極は図示していない。

光導波路２は、各光変調部に対応してマッハツェンダー型光導波路（ＭＺ１，ＭＺ２）を備えている。図１では、入射光λを基板内の分岐導波路によって２つに分け、各マッハツェンダー型光導波路に導入している。

マッハツェンダー型光導波路（ＭＺ１又はＭＺ２）を含む光変調部で変調された信号光（λ１又はλ２）は、基板１から出射し、２つのレンズを備えた第１レンズ手段３を通過する。２つの信号光の内、一方は、波長板４により偏波面を９０度回転され、さらに、ハーフミラーや偏光ビームスプリッターなどの反射又は透過する手段（５１，５２）を組み合わせた合波手段５により、２つの信号光が偏波面が直交する状態で合波される。波長板４と合波手段５とを併せて偏波合成手段という。そして、偏波合成手段で合波された信号光は、集光用レンズ６などで構成される第２レンズ手段により光ファイバ７に入射される。

また、マッハツェンダー型光導波路（ＭＺ１，ＭＺ２）の合波部には、信号光を導出する出力導波路と、放射光を導出する放射光用導波路（不図示）が設けられる。放射光は信号光とは逆の光出力特性を有し、放射光をモニタ光として検出することで、信号光の状態を把握することが可能となっている。

信号光とモニタ光との間で、図２に示すように、光変調部に印加する電圧に対する出力曲線がずれて、バイアス点がシフトする現象が発生することがある。バイアス点のシフトによって、光変調器など光学素子の制御が適正点からずれを引き起こし、光学素子の出力信号の品質が劣化する原因となる。

出力導波路を形成した基板に光ファイバを直接接続する、所謂、「バットジョイント」の場合と比較して、図１に示すような空間光学系を用いた場合には、バイアス点のシフト現象がより顕著に発生する。これは、出力導波路の近傍に分布した高次モード光が光ファイバにより結合しやすく、結合した不要光が信号光と干渉現象を起こすためである。そのため、基板１(出力導波路２０などの光導波路）と第１レンズ手段３との位置関係や、信号光Ｌの光軸に対して、第２レンズ手段６と光ファイバ７を一体的に構成したファイバコリメータ６０の位置関係が少しずれるだけで、不要光が信号光に混入しやすくなる。

また、図３（特許文献１参照）に示すバットジョイントの場合は、出力導波路の両側に漏洩光除去手段を配置することで、不要光が信号光に入り込むことを抑制している。しかしながら、このような漏洩光除去手段を、空間光学系を用いた光学素子モジュールに適用すると、むしろ不要光が光ファイバに入り込み易くなる。

この原因は、図４に示すように、放射光用導波路（２１，２２）から出射する光波ＬＫ１や、漏洩光除去手段（スラブ導波路）９から出射する光波ＬＫ２が、第１レンズ手段３のレンズ部により集光され、第２レンズ手段６に不要光ＬＫ３として入射し、光ファイバ７に導入されるためである。特に、漏洩光除去手段９にスラブ導波路を用いるため、漏洩光除去手段から出射する光が広い角度に拡散するのが、主な原因である。

さらに、図１に示した偏波合成手段を備えた光学素子モジュールでは、２つの信号光が偏波合成されることになるが、光学部品の製造誤差や実装位置の誤差により、２つの信号光の光軸が完全には一致しない。このため、光学素子モジュール全体の損失を最小にすると共に、２つの信号光間（偏波間）の損失差を最小となるように、ファイバコリメータ６０等の調心が行なわれる。このような場合には、信号光の光軸から微小にずれた箇所にファイバコリメータ６０等が配置される場合もあり、その結果、よりバイアス点シフト現象が発生するという問題がある。例えば、各信号光の間で光導波路に若干の損失差があった場合には、ファイバコリメータ位置により損失差が最小になるようにするため、損失が小さい側の出力に対して、若干損失が増えるようにずれた位置で調心する。その結果、バイアス点シフト現象が発生する。

特許第５６６００９５号公報

本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、不要光の混入を抑制し、バイアス点シフト現象の発生を抑えた光学素子モジュールを提供することである。

上記課題を解決するため、本発明の光学素子モジュールは以下の技術的特徴を有している。
（１）基板と、該基板に形成され、光導波路を備えた光変調部と、該基板の端面に配置され、該光変調部から出射する信号光をコリメートするレンズ部を備えた第１レンズ手段と、該第１レンズ手段を通過した信号光を光ファイバに導入するための第２レンズ手段とを備えた光学素子モジュールにおいて、該光変調部がマッハツェンダー型光導波路を備え、該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路と、放射光を導波する放射光用導波路とが設けられ、該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段を設け、該不要光除去手段は、該基板上に形成されたスラブ導波路であり、該スラブ導波路の形状は、該基板の端面に向かって、該出力導波路から離れるように形成され、該基板の端面では、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の１．５倍以上に設定されていることを特徴とする。

（２）基板と、該基板に形成され、光導波路を備えた２つの光変調部と、該基板の端面に配置され、前記２つの光変調部から出射する２つの信号光をコリメートする２つのレンズ部を備えた第１レンズ手段と、該第１レンズ手段を通過した２つの信号光を偏波面を直交させて合波する偏波合成手段と、該偏波合成手段で合成された信号光を光ファイバに導入するための第２レンズ手段とを備えた光学素子モジュールにおいて、該光変調部がマッハツェンダー型光導波路を備え、該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路と、放射光を導波する放射光用導波路とが設けられ、該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段を設け、該不要光除去手段は、該基板上に形成されたスラブ導波路であり、該スラブ導波路の形状は、該基板の端面に向かって、該出力導波路から離れるように形成され、該基板の端面では、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の１．５倍以上に設定されていることを特徴とする。

（３）上記（１）又は（２）に記載の光学素子モジュールにおいて、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の２倍以上に設定されていることを特徴とする。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光学素子モジュールにおいて、該スラブ導波路の上には、光吸収手段が配置されていることを特徴とする。

（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の光学素子モジュールにおいて、該基板は、厚みが２０μｍ以下の薄板であることを特徴とする。

本発明の光学素子モジュールは、基板と、該基板に形成され、光導波路を備えた光変調部と、該基板の端面に配置され、該光変調部から出射する信号光をコリメートするレンズ部を備えた第１レンズ手段と、該第１レンズ手段を通過した信号光を光ファイバに導入するための第２レンズ手段とを備えた光学素子モジュールにおいて、該光変調部がマッハツェンダー型光導波路を備え、該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路と、放射光を導波する放射光用導波路とが設けられ、該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段が設けられているため、信号光に不要光が混入することが抑制され、バイアス点シフト現象の発生を抑えた光学素子モジュールを提供することが可能となる。

偏波合成手段を備えた光学素子モジュールを示す概略図である。信号光とモニタ光との間の位相変化を説明する図である。特許文献１に開示された、出力導波路に沿って伝搬する放射光の一部を除去する方法を説明する図である。図３の漏洩光除去手段を使用した場合の課題を説明する図である。本発明の光学素子モジュールの第１の実施例を説明する図である。本発明の光学素子モジュールの第２の実施例を説明する図である。本発明の光学素子モジュールの第３の実施例を説明する図である。変調曲線のズレを説明する図である。ファイバコリメータ位置をずらした場合の位相差（バイアスシフト）の変化を示すグラフである。ファイバコリメータ位置をずらした場合の出力光（信号光）の変調曲線のズレを示すグラフである。ファイバコリメータ位置をずらした場合のモニタ光（放射光）の変調曲線のズレを示すグラフである。

以下、本発明の光学素子モジュールについて、好適例を用いて詳細に説明する。
本発明の光学素子モジュールは、図５に示すように、基板１と、該基板に形成され、光導波路を備えた光変調部と、該基板の端面に配置され、該光変調部から出射する信号光をコリメートするレンズ部３０を備えた第１レンズ手段３と、該第１レンズ手段を通過した信号光を光ファイバ７に導入するための第２レンズ手段６とを備えた光学素子モジュールにおいて、該光変調部がマッハツェンダー型光導波路ＭＺを備え、該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路２０と、放射光を導波する放射光用導波路（Ｒ１，Ｒ２）とが設けられ、該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段３のレンズ部を介して該光ファイバ７に入射することを抑制する不要光除去手段ＲＭが設けられていることを特徴とする。

また、偏波合成を行なう光学素子モジュールの場合には、図６に示すように、基板１と、該基板に形成され、光導波路を備えた２つの光変調部と、該基板の端面に配置され、前記２つの光変調部から出射する２つの信号光をコリメートする２つのレンズ部３０を一体的に形成した第１レンズ手段３と、該第１レンズ手段を通過した２つの信号光を偏波面を直交させて合波する偏波合成手段（４，５）と、該偏波合成手段で合成された信号光を光ファイバ７に導入するための第２レンズ手段６とを備えた光学素子モジュールにおいて、該光変調部がマッハツェンダー型光導波路（ＭＺ１，ＭＺ２）を備え、該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路（２０１，２０２）と、放射光を導波する放射光用導波路（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２）とが設けられ、該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段（ＲＭ１，ＲＭ２）が設けられていることを特徴とする。

基板１には、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの電気光学効果を有する基板や半導体基板を利用することが可能である。光導波路の形成方法としては、例えば、ニオブ酸リチウム基板（ＬＮ基板）上にチタン（Ｔｉ）などの高屈折率物質を熱拡散する方法やプロトン交換法などにより形成される。また、リッジ型導波路のように、基板１に凹凸を形成して形成することも可能である。リッジ型導波路の場合には、ポリマーで基板及び光導波路を形成することも可能である。例えば、コア部に凸部を有する高屈折率ポリマーを配置し、それを挟むように上下に低屈折率ポリマーをクラッドとして配置することで、光導波路を備えた平板状の基板が作成される。

また、基板１は、一枚の基板で構成することは必須ではない。図１の一点鎖線Ｘ部分で２つに分け、符号１０に示したように、分岐導波路など電界を印加しない場所では、石英等の基板を利用し、平面型光学回路基板（ＰＬＣ）で構成することも可能である。

本発明の光学素子モジュールは、基板の厚さが２０μｍ以下のニオブ酸リチウム等の基板を用いる場合に、より顕著な効果を発揮する。このような薄板を使用する場合には、例えば、Ｔｉ拡散導波路を形成したＬＮウェハを２０μｍ以下まで研磨を行い、接着剤を介して保持基板に固定して使用する。なお、基板の薄板化は、電極形成後でも可能である。

図示していないが、マッハツェンダー型光導波路（ＭＺ，ＭＺ１，ＭＺ２）の直上又は近傍には、変調用電極や位相シフト用電極が配置される。これらの電極は、Ｔｉ等の下地層の上にＡｕ等を電解メッキにて形成することが可能である。

図６において、第１レンズ手段３、偏波合成手段を構成する波長板４やハーフミラー又は偏光ビームスプリッター等の反射手段（５１，５２）、第２レンズ手段６、光ファイバ７等については、図１の説明と同様であり、ここでは説明を省略する。なお、図６では、２つのレンズ部３０を別々の部材として形成しているが、２つのレンズ部３０を一体的に形成することも可能である。基板１の端面と第１レンズ手段３との配置は、両者を直接接触して配置しても良いし、光学接着剤で接合しても良い。また、両者間にフィルタ等の膜体を介在させても良い。

図５又は６に示す本発明の光学素子モジュールでは、マッハツェンダー型光導波路（ＭＺ，ＭＺ１，ＭＺ２）の合波部には、図４と同様に、出力導波路（２０，２０１，２０２）を挟むように放射光用導波路（Ｒ１とＲ２，Ｒ１１とＲ１２，Ｒ２１とＲ２２）が形成されている。放射光用導波路の一端は、合波部に接続又は近接配置される。マッハツェンダー型光導波路の合波部での同相干渉光は、主出力光（信号光）となり、出力導波路を伝搬する。また、逆相干渉光（放射光）は、放射光用導波路を伝搬し、モニタ光として使用される。

放射光用導波路の上には、受光部分（ＰＤ１，ＰＤ２）を備えた受光素子（８１，８２）が配置される。図５又は図６では、１つの受光素子に２つの受光部分を形成しているが、各受光部分に対応して別々の受光素子で構成することも可能である。また、図５又は図６では、放射光用導波路は２つの光導波路で構成されているが、合波部をカプラ構造やＭＭＩ構造を用いて出力導波路と１つの放射光用導波路とし、１つの光導波路と１つの受光素子で構成しても良い。
受光素子は、放射光用導波路に近接して配置されるため、放射光用導波路を伝搬する光波の一部は、受光素子側に吸い上げられ、受光部分（ＰＤ１，ＰＤ２）に入射し、２つの受光部分の出力が電気的に合成された後、放射光の光強度に比例したモニタ信号を出力する。

受光素子の配置は、図５又は図６に示すような基板上に配置する方法（オンチップ型）に限らず、基板１の外部に配置し、放射光用導波路の端部から基板外に放射される放射光を検出するよう構成することも可能である。

本発明の光学素子モジュールでは、出力導波路（２０，２０１，２０２）に沿って、不要光除去手段（ＲＭ，ＲＭ１，ＲＭ２）が形成される。不要光除去手段は、基板１上に形成されたスラブ導波路であることが好ましい。スラブ導波路は、マッハツェンダー型光導波路を含む光導波路を形成する際に、同様の方法で形成することが可能である。

スラブ導波路は、図５又は図６に示すように、出力導波路の近傍に配置されており、光波の進行方向に対して、基板１の端面（図の右側方向）に向かって、出力導波路（２０，２０１，２０２）から離れるように形成されている。これは、出力導波路を伝搬している放射光の一部（不要光）をスラブ導波路に導き、その後、スラブ導波路の端部から放射された不要光が、レンズ部３０によって、光ファイバ７に入射しないように構成するためである。

本発明に用いる不要光除去手段を構成するスラブ導波路の形状は、図５に示すように、スラブ導波路（ＲＭ）の左端は出力導波路２０に近接し、右端は出力導波路から離れるように構成されている。基板１の右側端面では、出力導波路２０とスラブ導波路ＲＭとの間隔は、出力導波路のモードフィールド径の１．５倍以上、より好ましくは２倍以上に広がることが好ましい。これにより、不要光が出力導波路に再度戻ることが抑制される。

また、図６に示すように、スラブ導波路（ＲＭ１，ＲＭ２）の一端側（図の左端側）に関しては、スラブ導波路と出力導波路（２０１，２０２）との間隔を、所定の間隔で所定の長さに亘り一定に配置し、その後、両者を離すように配置することも可能である。これにより、出力導波路を伝搬する不要光をスラブ導波路側に引き寄せることが可能となる。

さらに、図７に示すように、スラブ導波路ＲＭから出射する不要光を少なくするため、スラブ導波路の上に光吸収手段ＭＴを設けることができる。光吸収手段としては、Ａｕ，Ａｌ等の金属材料で構成する金属膜や金属チップが利用できる。光吸収手段をスラブ導波路の上に配置することで、光吸収手段の金属材料部分でスラブ導波路を伝搬する不要光を吸収するよう構成することができる。金属膜の場合には、変調電極やＤＣバイアス電極等の電極を形成する際に、併せて形成することができる電極であっても良い。さらに、金属材料部分による不要光の吸収効率を高めるため、スラブ導波路と金属材料部分との間に、スラブ導波路より屈折率の高い、高屈折率膜を配置することも可能である。また、図７の光吸収手段ＭＴは、図６のスラブ導波路（ＲＭ１，ＲＭ２）や放射光用導波路（Ｒ１１とＲ１２，Ｒ２１とＲ２２）の上に設けることも可能である。

不要光除去手段の効果を確認するため、図７に示すように、一つのマッハツェンダー型光導波路（ＭＺ）に対して、不要光除去手段ＲＭや光吸収手段ＭＴを設けるか否かで位相差（モニタ信号と信号光の変調曲線間のバイアス点シフト）や変調曲線のズレを調べた。

集光レンズ６及び光ファイバ７を一体的に構成したファイバコリメータ６０を信号光Ｌの光軸に対して垂直方向に移動させた場合の、位相差の変化（図９参照）や、変調曲線のズレ（図１０及び１１参照）を測定した。図９〜図１１のグラフにおいて、符号◇でプロットされたグラフは、本発明の不要光除去手段ＲＭや光吸収手段ＭＴを設けていない状態を示している。また、符号△でプロットされたグラフは、本発明の不要光除去手段ＲＭを設けている状態を示している。

図９を見ると、不要光除去手段や光吸収手段を設けない場合は、ファイバコリメータの位置ズレが大きくなるに従い、位相差も大きく変化することが容易に理解される。これに対し、不要光除去手段を設けた場合には、ファイバコリメータの位置ズレに対し、位相差はほぼ一定である。つまり、本発明に係る不要光除去手段を設けることにより、光学部品の位置ズレに伴うバイアス点シフト現象が効果的に抑制されていることが理解される。なお、不要光除去手段だけで、不要光が第１及び第２レンズ手段を介して光ファイバに入るのを抑制できていることから、不要光除去手段に加えて光吸収手段も付加することで、より高い効果が期待できる。つまり、光吸収手段も併せて使用することで、一旦除去した不要光が、スラブ導波路の一端から出射することも抑制できるため、光ファイバに不要光が入るのをより効果的に抑制することができる。

次に、変調曲線のズレについて、説明する。ここで、変調曲線のズレは、ファイバコリメータの位置によって、信号光出力の変調曲線が印加電圧に対してシフトする現象のことをいい、図８にその様子を示す。図１０は、ファイバコリメータの位置ズレに対し、光ファイバ７から出力される出力光（信号光）の変調曲線のズレを測定したものである。不要光除去手段や光吸収手段を設けない場合は、位置ズレに応じて変調曲線のズレが大きくなることが理解される。これに対し、不要光除去手段を設けた場合には、位置ズレに対し変調曲線のズレは殆ど変化しておらず、信号光への放射光の混入による変調曲線のズレが発生が抑制されていることが、容易に理解される。

図１１は、放射光をモニタの受光部分で検出し、出力されたモニタ信号の変調曲線のズレについて、調べたものである。これを見ると、放射光については、当然ながら、ファイバコリメータの位置によってモニタ信号の変調曲線のズレは発生せず、図９のような信号光出力とモニタ信号出力間の位相差の発生は、信号光の変調曲線のズレに起因していることがわかる。

以上の説明では、ファイバコリメータの位置をずらした場合を想定したが、第１レンズ手段３を基板１に対してずれて配置した場合でも、不要光除去手段がある場合には、バイアス点シフト現象が効果的に抑制できることが確認されている。

以上説明したように、本発明によれば、不要光の混入を抑制し、バイアス点シフト現象の発生を抑えた光学素子モジュールを提供することが可能となる。

１基板
２光導波路
３第１レンズ手段
４波長板
５１反射手段
５２透過・反射手段
６第２レンズ手段
７光ファイバ

Claims

基板と、該基板に形成され、光導波路を備えた光変調部と、該基板の端面に配置され、該光変調部から出射する信号光をコリメートするレンズ部を備えた第１レンズ手段と、該第１レンズ手段を通過した信号光を光ファイバに導入するための第２レンズ手段とを備えた光学素子モジュールにおいて、
該光変調部がマッハツェンダー型光導波路を備え、
該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路と、放射光を導波する放射光用導波路とが設けられ、
該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段を設け、
該不要光除去手段は、該基板上に形成されたスラブ導波路であり、該スラブ導波路の形状は、該基板の端面に向かって、該出力導波路から離れるように形成され、該基板の端面では、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の１．５倍以上に設定されていることを特徴とする光学素子モジュール。
基板と、該基板に形成され、光導波路を備えた２つの光変調部と、該基板の端面に配置され、前記２つの光変調部から出射する２つの信号光をコリメートする２つのレンズ部を備えた第１レンズ手段と、該第１レンズ手段を通過した２つの信号光を偏波面を直交させて合波する偏波合成手段と、該偏波合成手段で合成された信号光を光ファイバに導入するための第２レンズ手段とを備えた光学素子モジュールにおいて、
該光変調部がマッハツェンダー型光導波路を備え、
該マッハツェンダー型光導波路の合波部には、信号光を導波する出力導波路と、放射光を導波する放射光用導波路とが設けられ、
該出力導波路と該放射光用導波路との間であって、該基板の端部近傍には、該出力導波路を伝搬する高次モード光や該基板内を伝搬する漏洩光が、該第１レンズ手段のレンズ部を介して該光ファイバに入射することを抑制する不要光除去手段を設け、
該不要光除去手段は、該基板上に形成されたスラブ導波路であり、該スラブ導波路の形状は、該基板の端面に向かって、該出力導波路から離れるように形成され、該基板の端面では、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の１．５倍以上に設定されていることを特徴とする光学素子モジュール。
請求項１又は２に記載の光学素子モジュールにおいて、該出力導波路と該スラブ導波路との間隔は、該出力導波路のモードフィールド径の２倍以上に設定されていることを特徴とする光学素子モジュール。
請求項１乃至３のいずれかに記載の光学素子モジュールにおいて、該スラブ導波路の上には、光吸収手段が配置されていることを特徴とする光学素子モジュール。
請求項１乃至４のいずれかに記載の光学素子モジュールにおいて、該基板は、厚みが２０μｍ以下の薄板であることを特徴とする光学素子モジュール。