JP2011084553A - ピリミジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
実施例−1
13C−NMR(CDCl3):δ110.7(CH),120.5(CH×2),122.2(CH×2),126.6(CH×2),127.4(CH×4),127.5(CH×4),127.9(CH×4),128.2(CH),129.0(CH×4),130.9(CH×2),136.8(CH×2),137.5(quart.×2),138.7(quart.×2),139.5(quart.),141.6(quart.),141.8(quart.),149.9(CH×2),157.1(quart.),164.4(CH),165.0(CH×2).
実施例−2
13C−NMR(CDCl3):δ111.0(CH),121.2(CH×2),122.7(CH×2),126.56(CH×2),126.59(CH×2),127.0(CH×2),127.8(CH×4),128.7(CH×2),129.1(CH),129.4(CH×4),129.7(CH×2),131.2(CH×2),137.2(CH×2),137.9(quart.×2),140.0(quart.),140.4(quart.×2),142.3(quart.×2),142.5(quart.×2),150.1(CH×2),157.8(quart.×2),164.9(quart.),165.3(quart.×2).
実施例−3
実施例−4
13C−NMR(CDCl3):δ112.0(CH),120.6(CH×2,CH×2),122.0(CH×2),122.3(CH×2),125.4(CH×2),126.5(CH×4),127.5(CH×4),127.9(CH),136.9(CH×2),137.1(CH×2),138.7(quart.×2),139.2(quart.)、141.7(quart.×2),141.8(quart.×2),149.7(CH×2),149.8(CH×2),154.7(quart.×2),157.1(quart.×2),163.9(quart.),164.5(quart.×2).
実施例−5
13C−NMR(CDCl3):δ21.6(CH3),31.0(CH3),110.1(CH),121.5(CH×4),126.7(CH×2),127.3(CH×4),127.5(CH×4),128.2(CH×4),129.7(CH×4),134.7(quart.×2),137.3(quart.×2),139.9(quart.),141.2(quart.×2),141.3(quart.×2),142.0(quart.×2),147.9(quart.×2),150.4(CH×4),164.0(quart.),164.7(quart.×2).
実施例−6
実施例−7
13C−NMR(CDCl3):δ21.5(CH3),110.7(CH),124.3(CH),126.7(CH),126.8(CH),127.3(CH×2,CH×2),127.5(CH×4),127.9(CH),128.0(CH),128.5(CH×4),128.8(CH),129.1(CH),129.8(CH×2),133.3(quart.),133.5(quart.×2),134.0(quart.×2),134.6(quart.),134.7(quart.),134.9(quart.),139.9(quart.),141.1(quart.×2),141.5(quart.),141.9(quart.×2),154.9(CH×4)157.7(CH),164.1(quart.),154.8(quart.),164.9(quart.).
実施例−9
実施例−10
実施例−11
実施例−12
実施例−13
13C−NMR(CDCl3):δ101.9(CH×2),110.8(CH),111.3(CH×2),121.0(CH×2),123.0(CH×2),124.1(CH×2),124.2(CH×2),124.5(CH×2),126.8(CH×2),127.4(CH×4),127.9(CH×2),128.6(CH),129.1(CH×4),129.3(quart.×2),129.4(CH×2),131.0(CH×2),131.2(quart.×2),137.5(quart.×2),139.6(quart.),141.9(quart.×2),142.0(quart.×2),155.1(quart.×2),155.9(quart.×2),164.4(quart.),165.0(quart.×2).
参考例−1
素子実施例−1
ピリミジン誘導体を構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図1に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、1.0×10−4Paまで減圧した。その後、図1の1に示す前記ガラス基板上に、有機化合物層として正孔注入層2、正孔輸送層3、発光層4及び電子輸送層5を順次成膜し、その後陰極層6を成膜した。正孔注入層2としては、昇華精製したフタロシアニン銅(II)を25nmの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層3としては、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(NPD)を45nmの膜厚で真空蒸着した。
素子実施例−2
素子実施例−1の発光層4に替えて、Alq(トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III))を40nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−1と同様に作製した。
素子実施例−3
素子実施例−1の素子作成条件において、正孔注入層2として、昇華精製したフタロシアニン銅(II)を10nmの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層3としては、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(NPD)を30nmの膜厚で真空蒸着した。発光層4のホスト材として、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)を用い、ドーパントとして、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)をドープ濃度が6%になるように用いて30nmの膜厚に共蒸着した。電子輸送層5としては、本発明の2−[4,4”−ジ(2−ピリジル)−1,1’:3’,1”−テルフェニル−5’−イル]−4,6−ジフェニルピリミジンを50nmの膜厚で真空蒸着した。
素子実施例−4
素子実施例−1の電子輸送層5に替えて、2−[3,3”−ジ(2−ピリジル)−1,1’:3’,1”−テルフェニル−5’−イル]−4,6−ジフェニルピリミジンを20nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−1と同様に作製した。
素子比較例−1
素子実施例−1の電子輸送層5に替えて、Alqを20nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−1と同様に作製した。
素子比較例−2
素子実施例−2の電子輸送層5に替えて、Alqを20nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−2と同様に作製した。
素子比較例−3
素子実施例−3の電子輸送層5に替えて、Alqを50nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−2と同様に作製した。
素子比較例−4
素子実施例−3の電子輸送層5に替えて、BAlq(ビス(2−メチル−8−キノリノラト)4−フェニルフェノラト−アルミニウム)を5nm、Alqを45nmの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、素子実施例−3と同様に作製した。
2.正孔注入層
3.正孔輸送層
4.発光層
5.電子輸送層
6.陰極層
Claims (10)
- Ar1及びAr2が、各々独立に置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいナフチル基又はピリジル基である請求項1に記載のピリミジン誘導体。
- Ar3が、炭素数1から4のアルキル基で置換されたフェニル基、ハロゲン原子で置換されたフェニル基、置換基を有していてもよいフェニル基で置換されたフェニル基、置換基を有していてもよいピリミジル基で置換されたフェニル基、置換基を有していてもよいチアゾリル基で置換されたフェニル基、ピリジル基で置換されたフェニル基又はフェナントリル基で置換されたフェニル基である請求項1又は2に記載のピリミジン誘導体。
- Ar3が、キノリル基である請求項1又は2に記載のピリミジン誘導体。
- 一般式(2)
- Mで表される金属基又はヘテロ原子基が、ZnR1又はB(OR2)2(但し、R1は、ハロゲン原子を表し、R2は水素原子、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、B(OR2)2の2つのR2は同一又は異なっていてもよい。又、2つのR2は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。)で示される基であることを特徴とする請求項5に記載のピリミジン誘導体の製造方法。
- 一般式(4)
- パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム触媒である請求項5から7のいずれかに記載のピリミジン誘導体の製造方法。
- 第三級ホスフィンが、トリフェニルホスフィンである請求項8に記載のピリミジン誘導体の製造方法。
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