JP2009203203A - アントラセン誘導体及びその用途 - Google Patents

アントラセン誘導体及びその用途 Download PDF

Info

Publication number
JP2009203203A
JP2009203203A JP2008048909A JP2008048909A JP2009203203A JP 2009203203 A JP2009203203 A JP 2009203203A JP 2008048909 A JP2008048909 A JP 2008048909A JP 2008048909 A JP2008048909 A JP 2008048909A JP 2009203203 A JP2009203203 A JP 2009203203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted monovalent
general formula
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008048909A
Other languages
English (en)
Inventor
Junpei Hayakawa
純平 早川
Yasumasa Toba
泰正 鳥羽
Michiko Tamano
美智子 玉野
Kadake Odate
嘉岳 尾立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Ink Mfg Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Ink Mfg Co Ltd filed Critical Toyo Ink Mfg Co Ltd
Priority to JP2008048909A priority Critical patent/JP2009203203A/ja
Publication of JP2009203203A publication Critical patent/JP2009203203A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】有機EL素子用材料に有用で、蒸着および塗布により製膜が可能であり、高いガラス転移温度を示すアントラセン誘導体の提供。
【解決手段】フェニル基、及びアントラセラニル基の置換基として、下記一般式[3]で表される芳香族複素環基を少なくとも1つ有する9,10−ビスフェニルルアントラセン誘導体。一般式[3]
Figure 2009203203

(式中、R21〜R24は、水素原子、または、置換基を表す。R25は水素原子を表す。Xは、O、S、または、N−R26を表し、R26は、水素原子、または、置換基を表す。)
【選択図】図1

Description

本発明は新規なアントラセン誘導体に関する。さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機EL素子と略記)に用いた場合、蒸着もしくは塗布により製膜が可能であり、かつ優れた性能(高いガラス転移温度(Tg)、高い発光効率、低電圧駆動、高色純度、長寿命)を発揮し、特に青色発光材料に好適に用いることができるアントラセン置換基を有する化合物に関する。
近年、有機EL素子においては、素子の長寿命化が求められている。素子の寿命に影響を及ぼす原因として様々な因子が考えられるが、その一つとして、素子を構成する材料のガラス転移温度(Tg)が、素子の寿命に大きな影響を及ぼすものと考えられている。すなわち、素子の使用環境や駆動時の発熱などにより、素子の温度が構成する材料のTgを上回ると、構成する材料の結晶化が起こり、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生することが指摘されている。そのため、より高いTgを示す材料が求められてきた(非特許文献1、2)。
また、青色発光素子に関しては、耐久性の優れた素子を提供する材料は少ない。一例として、アントラセン化合物を青色発光素子に用いる技術が開示されている。各種アントラセン化合物(特許文献1〜8)を用いた青色発光素子が報告されているものの、いずれも熱や酸素に対する耐久性が不十分であった。
ところで、2−ベンゾフランを置換基として持つ化合物としては、ビフェニル骨格を中心に持つ構造であり、繊維材料や紙用の蛍光増白剤等として知られている。(特許文献9,10)しかし、有機EL用途としての報告はあまりない。
さらに、2−ベンゾチオフェンを有する有機EL用発光材料に関する報告としては、トリフェニルアミンへ2−ベンゾチオフェンを導入した誘導体について報告されている。(特許文献11)これらは、青色発光層材料としての用途についての報告がなされているものの、色純度や寿命に関する情報は不明である。
時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、有機ELディスプレイ、オーム社、2004年発行、139〜143頁 技術情報協会編、最新機能性色素大全集、技術情報協会、2007年発行、103〜119頁 特開2003−306454号公報 特開2004−2351号公報 WO2005−113531号公報 特開2007−63501号公報 特許4029071号公報 特許4025111号公報 特許4025136号公報 特許4025137号公報 特許昭63−33424号公報 特開平2−295985号公報 特開2001−354668号公報
本発明の課題は、有機EL素子用材料に有用で、蒸着および塗布が可能であり、且つ、高いTgを示すアントラセン誘導体を提供すること、および、特に青色発光する有機EL素子として好適に用いることができるアントラセンを有する化合物を提供することにある。さらには、この化合物を用いることにより、低電圧駆動、長寿命、耐熱性などの優れた特性を示す有機EL素子を提供することである。
本発明者らは、前記諸問題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
すなわち本発明は、下記一般式[1]で表されるアントラセン誘導体に関する。
一般式[1]
Figure 2009203203
(式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、下記一般式[2]で表される基、または、下記一般式[3]で表される基を表す。但し、R1〜R18のうち、少なくとも1つは、下記一般式[3]で表される基である。)
一般式[2]
Figure 2009203203
(式中、R19およびR20は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。)
一般式[3]
Figure 2009203203
(式中、R21〜R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]で表される基を表す。また、R21〜R24はそれぞれ隣接する基同士で結合して環を形成してもよい。
また、R25は、水素原子を表す。
Xは、O、S、または、N−R26を表し、R26は、水素原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。)
また本発明は、R1〜R18のいずれか2つが、それぞれ独立に、一般式[3]で表される基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、Xが、O、または、Sである上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R6およびR7のうち少なくとも1つは、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の脂肪族炭化水素基、および、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の芳香族炭化水素基から選ばれる基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R6およびR7のうち少なくとも1つは、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の芳香族炭化水素基から選ばれる基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R6およびR7のうち少なくとも1つは、下記一般式[4]で表される置換もしくは未置換のフェニル基である上記アントラセン誘導体に関する。
一般式[4]
Figure 2009203203
(式中、R27〜R31は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]に示す置換基を表す。)
また本発明は、R27〜R31の全てが水素原子である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R3およびR12が、それぞれ独立に、一般式[3]で表わされる基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R2およびR11が、それぞれ独立に、一般式[3]で表わされる基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R2およびR4が、それぞれ独立に、一般式[3]で表わされる基である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、R21〜R24の全てが水素原子である上記アントラセン誘導体に関する。
また本発明は、上記アントラセン誘導体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
また本発明は、一対の電極間に発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
また本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
また本発明は、発光層にリン光発光材料を含んでなる上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
また本発明は、発光層が塗布により成膜されてなる上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明のアントラセン誘導体を有する化合物を有機EL素子用材料として用いた有機EL素子は、低い電圧で駆動し、かつ、長寿命であるため、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能である。
以下、詳細にわたって本発明を説明する。
まず、一般式[1]におけるR1〜R18は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、一般式[2]で表される基、または、一般式[3]で表される基である。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、1価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜18の1価の脂肪族炭化水素基を指し、そのようなものとしては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基等が挙げられる。
また、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基といった炭素数1〜18のアルキル基が挙げられる。
また、アルケニル基としては、ビニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、イソプロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基、1−オクテニル基、1−デセニル基、1−オクタデセニル基といった炭素数2〜18のアルケニル基が挙げられる。
また、アルキニル基としては、エチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、1−ブチニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基、1−オクチニル基、1−デシニル基、1−オクタデシニル基といった炭素数2〜18のアルキニル基が挙げられる。
また、シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクタデシル基といった炭素数3〜18のシクロアルキル基が挙げられる。
さらに、1価の芳香族炭化水素基としては、1価の単環、縮合環、環集合炭化水素基が挙げられる。
ここで、1価の単環芳香族炭化水素基としては、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、2,4−キシリル基、p−クメニル基、メシチル基等の炭素数6〜18の1価の単環芳香族炭化水素基が挙げられる。
また、1価の縮合環炭化水素基としては、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アンスリル基、2−アンスリル基、5−アンスリル基、1−フェナンスリル基、9−フェナンスリル基、1−アセナフチル基、2−アズレニル基、1−ピレニル基、2−トリフェニレル基等の炭素数10〜18の1価の縮合環炭化水素基が挙げられる。
また、1価の環集合炭化水素基としては、o−ビフェニリル基、m−ビフェニリル基、p−ビフェニリル基等の炭素数12〜18の1価の環集合炭化水素基が挙げられる。
また、1価の脂肪族複素環基としては、2−ピラゾリノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、2−モルホリニル基といった炭素数3〜18の1価の脂肪族複素環基が挙げられる。
また、1価の芳香族複素環基としては、トリアゾリル基、3−オキサジアゾリル基、2−フラニル基、3−フラニル基、2−フリル基、3−フリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、1−ピローリル基、2−ピローリル基、3−ピローリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、2−ピラジル基、2−オキサゾリル基、3−イソオキサゾリル基、2−チアゾリル基、3−イソチアゾリル基、2−イミダゾリル基、3−ピラゾリル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、2−ベンゾフリル基、2−ベンゾチエニル基、N−インドリル基、N−カルバゾリル基、N−アクリジニル基、2−チオフェニル基、3−チオフェニル基、ビピリジル基、フェナントロリル基といった炭素数2〜18の1価の芳香族複素環基が挙げられる。
また、置換シリル基としては、置換もしくは未置換のアルキル基、または、置換もしくは未置換のアリール基によって置換されたシリル基であり、モノアルキルシリル基、モノアリールシリル基、ジアルキルシリル基、ジアリールシリル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等といった炭素数3〜30の置換シリル基が挙げられる。
また、モノアルキルシリル基としては、モノメチルシリル基、モノエチルシリル基、モノブチルシリル基、モノイソプロピルシリル基、モノオクチルシリル基等の炭素数3〜30のモノアルキルシリル基が挙げられる。
また、モノアリールシリル基としては、モノフェニルシリル基、モノトリルシリル基等といった炭素数18〜21のモノアリールシリルが挙げられる。
また、ジアルキルシリル基としては、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジイソプロピルシリル基、ジブチルシリル基、ジオクチルシリル基等の炭素数3〜30のジアルキルシリル基が挙げられる。
また、ジアリールシリル基としては、ジフェニルシリル基、ジトリルシリル基等といった炭素数18〜21のジアリールシリルが挙げられる。
また、トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリオクチルシリル基等の炭素数3〜30のトリアルキルシリル基が挙げられる。
また、トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリトリルシリル基等といった炭素数18〜21のトリアリールシリルが挙げられる。
ここで、置換シリル基におけるアルキル基、および、アリール基が有しても良い置換基としては、R1〜R18における、1価の脂肪族炭化水素基、1価の芳香族炭化水素基、1価の脂肪族複素環基、1価の芳香族複素環基が有してもよい置換基と同義である。
これら、一般式[1]のR1〜R18における、1価の脂肪族炭化水素基、1価の芳香族炭化水素基、1価の脂肪族複素環基、または、1価の芳香族複素環基は、さらに他の置換基によって置換されていてもよい。そのような置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、1価の脂肪族炭化水素基、1価の芳香族炭化水素基、1価の脂肪族複素環基、1価の芳香族複素環基、置換シリル基、または、一般式[2]に示す置換基が挙げられ、これらの置換基の例としては前述のものが挙げられる。
また、一般式[2]のR19およびR20における、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、および、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基はそれぞれ、R1〜R18における、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、および、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基と同義である。
また一般式[2]におけるR19およびR20として好ましいものとしては、いずれも置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基であるものが挙げられる。
一般式[3]中のXとして、好ましいものとしては、O,S、N−R26が挙げられ、さらに好ましくはO,Sが挙げられ、特に好ましいものは、Sが挙げられる。
また、一般式[1]のR6およびR7として、好ましいものとしては、1価の脂肪族炭化水素基、または、1価の芳香族炭化水素基が挙げられ、さらに好ましいものは、1価の芳香族炭化水素基が挙げられ、特に好ましいものとしては、一般式[4]で表わされる置換基が挙げられる。
次に、一般式[3]のR21〜R24における、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、および、一般式[2]に示す置換基はそれぞれ、R1〜R18におけるハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、および、一般式[2]に示す置換基と同義である。
また一般式[3]におけるR21〜R24として、好ましいものとしては、全てが水素原子であるものが挙げられる。
また、一般式[3]のR26における、水素原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基は、それぞれ、R1〜R18における置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基と同義である。
また、好ましいものとしては、R1〜R18のうち、少なくとも1つは一般式[3]が置換したものが挙げられ、さらに好ましくは、R1〜R18のうちいずれか2つが、それぞれ独立に一般式[3]で置換したものが挙げられる。
また、一般式[3]で表される基が、置換する位置として好ましいものとしては、R3とR12、R2とR11、R2とR4が挙げられる。
また、一般式[4]のR27〜R31における、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、および、一般式[2]に示す置換基は、それぞれ、R1〜R18におけるハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、および、一般式[2]に示す置換基と同義である。
また一般式[4]におけるR27〜R31として、好ましいものとしては、全てが水素原子であるものが挙げられる。
以上、本発明の一般式[1]で表されるアントラセン誘導体について説明したが、これらのアントラセン誘導体を用いて蒸着によって有機EL素子を作成する場合、化合物の分子量としては、1500以下が好ましく、1200以下がより好ましく、1000以下がさらに好ましく、800以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きいと、蒸着による素子の作製が困難になる懸念があるためである。
本発明の化合物の代表例を、以下の表1に示すが、本発明は、この代表例に限定されるものではない。
表1
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203
本発明のアントラセン誘導体は、種々の用途に用いることができる。たとえば、増感効果、発熱効果、発色効果、退色効果、蓄光効果、相変化効果、光電変換効果、光磁気効果、光触媒効果、光変調効果、光記録効果、ラジカル発生効果等の機能を発現する材料として、あるいは逆にこれらの効果を受けて発光機能を有する材料としても用いることができる。より具体的には、発光材料、光電変換材料、光記録材料、画像形成材料、フォトクロミック材料、有機EL材料、光導電材料、二色性材料、ラジカル発生材料、酸発生材料、塩基発生材料、蓄光材料、非線形光学材料、第2高調波発生材料、第3高調波発生材料、感光材料、光吸収材料、近赤外吸収材料、フォトケミカルホールバーニング材料、光センシング材料、光マーキング材料、光化学治療用増感材料、光相変化記録材料、光焼結記録材料、光磁気記録材料、光線力学療法用色素等が挙げられる。
これらあげた種々の用途のうち、特に好ましくは、有機EL素子用材料(有機EL用材料、有機EL材料)として用いられる。
有機EL素子用材料として用いる場合には、高純度の材料が要求されるが、本発明のアントラセン誘導体は、昇華精製法や再結晶法、再沈殿法、ゾーンメルティング法、カラム精製法、吸着法など、あるいはこれら方法を組み合わせて行うことができる。これら精製法の中でも再結晶法によるのが好ましい。昇華性を有する化合物においては、昇華精製法によることが好ましい。昇華精製においては、目的化合物が昇華する温度より低温で昇華ボートを維持し、昇華する不純物を予め除去する方法を採用するのが好ましい。また昇華物を採集する部分に温度勾配を施し、昇華物が不純物と目的物に分散するようにするのが望ましい。以上のような昇華精製は不純物を分離するような精製であり、本発明に適用しうるものである。また、昇華精製を行うことにより、材料の蒸着性の難易度を予測するのに役立つ。
ここで、本発明のアントラセン誘導体を用いて作成することができる有機EL素子について詳細に説明する。
有機EL素子は、陽極と陰極間に一層または多層の有機層を形成した素子から構成されるが、ここで、一層型有機EL素子とは、陽極と陰極との間に発光層のみからなる素子を指す。一方、多層型有機EL素子とは、発光層の他に、発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層などを積層させたものを指す。したがって、多層型有機EL素子の代表的な素子構成としては、(1)陽極/正孔注入層/発光層/陰極、(2)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極、(3)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極、(4)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極、(5)陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極、(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極、(7)陽極/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極、(8)陽極/発光層/電子注入層/陰極等の多層構成で積層した素子構成が考えられる。
また、上述した各有機層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、いくつかの層が繰り返し積層されていても良い。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型有機EL素子の一部の層を多層化する「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が提案されている。これは例えば、ガラス基板/陽極/正孔輸送層/電子輸送性発光層/電子注入層/電荷発生層/発光ユニット/陰極から構成される有機EL素子に於いて、電荷発生層と発光ユニットの部分を複数層積層するといった方法が挙げられる。
本発明のアントラセン誘導体(有機EL素子用材料)は、上述したいかなる層に用いても構わないが、特に青色発光素子を作成する際のホスト材料として好適に用いることができる。また、本発明の有機EL素子用材料は、単一の化合物での使用はもちろんのこと、2種類以上の化合物を組み合わせて、すなわち混合、共蒸着、積層するなどして使用することが可能である。さらに、上述した発光層において、他の材料と共に用いても構わない。
正孔注入層には、発光層に対して優れた正孔注入効果を示し、かつ陽極界面との密着性と薄膜形成性に優れた正孔注入層を形成できる正孔注入材料が用いられる。また、このような材料を多層積層させ、正孔注入効果の高い材料と正孔輸送効果の高い材料とを多層積層させた場合、それぞれに用いる材料を正孔注入材料、正孔輸送材料と呼ぶことがある。本発明の有機EL素子用材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも好適に使用することができる。これら正孔注入材料や正孔輸送材料は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい必要がある。このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104 〜106 V/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /V・秒であるものが好ましい。本発明の有機EL素子用材料と混合して使用することができる、他の正孔注入材料および正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等をあげることができる。
正孔注入材料や正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報)、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)を用いることもできる。例えば、米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル等や、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン等をあげることができる。また、正孔注入材料として銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体も挙げられる。さらに、その他、芳香族ジメチリデン系化合物、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入材料や正孔輸送材料として使用することができる。
芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン、N,N’−ビス(4’−ジフェニルアミノ−4−ビフェニリル)−N,N’−ジフェニルベンジジン、N,N’−ビス(4’−ジフェニルアミノ−4−フェニル)−N,N’−ジフェニルベンジジン、N,N’−ビス(4’−ジフェニルアミノ−4−フェニル)−N,N’−ジ(1−ナフチル)ベンジジン、N,N’−ビス(4’−フェニル(1−ナフチル)アミノ−4−フェニル)−N,N’−ジフェニルベンジジン、N,N’−ビス(4’−フェニル(1−ナフチル)アミノ−4−フェニル)−N,N’−ジ(1−ナフチル)ベンジジン等があげられ、これらは正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも使用することができる。
正孔注入材料として、特に好ましい例を表2に示す。
表2
Figure 2009203203

Figure 2009203203

また、本発明の化合物(有機EL素子用材料)と共に用いることが出来る正孔輸送材料としては、下記表3に示す化合物も挙げられる。
表3
Figure 2009203203

Figure 2009203203
上に説明した正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化する。正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。
一方、電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリール置換ホスフィンオキシド誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウムなどが挙げられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機/有機複合材料(高分子学会予稿集,第50巻,4号,660頁,2001年発行)や、第50回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、No.3、1402頁、2003年発行記載のBCP、TPP、T5MPyTZ等も電子注入材料の例として挙げられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。
上記電子注入材料の中で好ましいものとしては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリール置換ホスフィンオキシド誘導体が挙げられる。本発明に使用可能な好ましい金属錯体化合物としては、8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)アルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(フェノラート)アルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(4−シアノ−1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(5−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)アルミニウム、ビス(5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)(フェノラート)アルミニウム、ビス(5−シアノ−8−ヒドロキシキノリナート)(4−シアノ−1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)クロロアルミニウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(o−クレゾラート)アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、トリス(5−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、トリス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(フェノラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(4−シアノ−1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2、4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2、5−ジメチル−8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)(フェノラート)ガリウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−ヒドロキシキノリナート)(4−シアノ−1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛等の金属錯体化合物が挙げられる。
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体があげられ、具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5 −フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’−tert− ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられる。
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいオキサジアゾール誘導体の具体例を表4に示す。
表4
Figure 2009203203
Figure 2009203203

Figure 2009203203
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいトリアゾール誘導体の具体例を表5に示す。表5中、Phは、フェニル基を表わす。
表5
Figure 2009203203
Figure 2009203203

Figure 2009203203
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいシロール誘導体としての具体例を、表6に示す。
表6
Figure 2009203203
Figure 2009203203

Figure 2009203203

さらに、正孔阻止層には、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた層を形成できる正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)(4−フェニルフェノラート)アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(4−フェニルフェノラート)ガリウム等のガリウム錯体化合物、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)等の含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能;電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよい。
本発明の化合物は、発光層として好適に用いることが出来る。本発明の化合物を発光層中のホスト材料又はドーパント材料として使用し、他の化合物と組み合わせて発光層を形成することができるが、特に青色発光素子を作成する際のドーパント材料として好適に用いることができる。
本発明の化合物を用いて、青色から緑色の発光を得るために、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開昭59−194393号公報に開示されている化合物をあげることができる。さらに他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ(1971)628〜637頁および640頁に列挙されている。
前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭63−295695号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物としてあげることができる。
また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第0319881号明細書や欧州特許第0373582号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平2−252793号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第0387715号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。
さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物およびスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば12−フタロペリノン(J. Appl. Phys.,第27巻,L713(1988年))、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン(以上Appl. Phys. Lett.,第56巻,L799(1990年))、ナフタルイミド誘導体(特開平2−305886号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報、または第38回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体)、アルダジン誘導体(特開平2−220393号公報)、ピラジリン誘導体(特開平2−220394号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ピロロピロール誘導体(特開平2−296891号公報)、スチリルアミン誘導体(Appl. Phys. Lett., 第56巻,L799(1990年)、クマリン系化合物(特開平2−191694号公報)、国際特許公報WO90/13148やAppl. Phys. Lett.,vol58,18,P1982(1991)に記載されているような高分子化合物、9,9',10,10’−テトラフェニル−2,2’−ビアントラセン、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、下記一般式[5]〜一般式[7]の構造をもつものが挙げられる。
一般式[5]
Figure 2009203203
(式中、Rx1およびRX2は、それぞれ独立に、1価の脂肪族炭化水素基を、n1は、3〜100の整数を表す。)
一般式[6]
Figure 2009203203
(式中、Rx3およびRX4は、それぞれ独立に、1価の脂肪族炭化水素基を、n2およびn3は、それぞれ独立に、3〜100の整数を表す。)
一般式[7]
Figure 2009203203
(式中、RX5およびRX6は、それぞれ独立に、1価の脂肪族炭化水素基を、n4およびn5は、それぞれ独立に、3〜100の整数を表す。Phはフェニル基を表す。)
また、特開平5−258862号公報等に記載されている一般式(Rs−Q)2 −Al−O−L3(式中、L3はフェニル部分を含んでなる炭素原子6〜24個の炭化水素であり、O−L3はフェノラート配位子であり、Qは置換8−キノリノラート配位子を示し、Rsはアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート環置換基を示す〕で表される化合物も挙げられる。具体的には、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラ−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。
白色の発光を得る場合の発光層としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。
有機EL積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの(欧州特許第0390551号公報)。
同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの(特開平3−230584号公報)。
二層構造の発光層が記載されているもの(特開平2−220390号公報および特開平2−216790号公報)。
発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの(特開平4−51491号公報)。
青色発光体(蛍光ピーク380〜480nm)と緑色発光体(480〜580nm)とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの(特開平6−207170号公報)。
青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの(特開平7−142169号公報)。
これらの中では、上記の構成のものが特に好ましい。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子では、リン光発光材料を用いることもできる。この場合、本発明の化合物は発光層中のホスト材料として用いることができる。ここでいうリン光発光材料とは、励起三重項状態から基底状態へ遷移する際に発光する化合物を意味する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用できるリン光発光材料は、例えば有機金属錯体があげられ、ここで金属原子は通常、遷移金属であり、好ましくは周期では第5周期または第6周期、族では6族から11族、さらに好ましくは8族から10族の元素が対象となる。具体的にはイリジウムや白金などである。また、配位子としては2−フェニルピリジンや2−(2’−ベンゾチエニル)ピリジンなどがあり、これらの配位子上の炭素原子が金属と直接結合しているのが特徴である。別の例としてはポルフィリンまたはテトラアザポルフィリン環錯体などがあり、中心金属としては白金などが挙げられる。例えば、下記に示す公知の化合物がリン光発光材料として好適に用いられる(ただし、Phはフェニル基を表す)。
Figure 2009203203
Figure 2009203203
さらに、本発明の有機EL素子の陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、ITO、SnO2 、ZnO等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
また、本発明の有機EL素子の陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
本発明の有機EL素子を作製する方法については、上記の材料および方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
この有機EL素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、その透光性については、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上、好ましくは90%以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
これら基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板が挙げられる。
本発明の有機EL素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビーム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。また、特表2002−534782や、S.T.Lee, et al., Proceedings of SID’02, p.784(2002)に記載されているLITI(Laser Induced Thermal Imaging、レーザー熱転写)法や、印刷(オフセット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷)、インクジェット等の方法を適用することもできる。
有機層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、1nmから1μmの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範囲がより好ましい。
また、有機EL素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしても良い。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。
本発明の有機EL素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
本発明の有機EL素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法での駆動も可能である。また、本発明の有機EL素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。これらの方法や技術は、城戸淳二著、「有機ELのすべて」、日本実業出版社(2003年発行)に記載されている。
本発明の有機EL素子のフルカラー化方式の主な方式としては、3色塗り分け方式、色変換方式、カラーフィルター方式が挙げられる。3色塗り分け方式では、シャドウマスクを使った蒸着法や、インクジェット法や印刷法が挙げられる。また、特表2002−534782や、S.T.Lee, et al., Proceedings of SID’02, p.784(2002)に記載されているレーザー熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI法ともいわれる)も用いることができる。色変換方式では、青色発光の発光層を使って、蛍光色素を分散した色変換(CCM)層を通して、青色より長波長の緑色と赤色に変換する方法である。カラーフィルター方式では、白色発光の有機EL素子を使って、液晶用カラーフィルターを通して3原色の光を取り出す方法であるが、これら3原色に加えて、一部白色光をそのまま取り出して発光に利用することで、素子全体の発光効率をあげることもできる。
さらに、本発明の有機EL素子は、マイクロキャビティ構造を採用しても構わない。これは、有機EL素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率などの光学的な特性と、これらに挟持された有機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、J.Yamada等によるAM−LCD Digest of Technical Papers,OD−2,p.77〜80(2002)に記載されている。
以上述べたように、本発明のアントラセン誘導体を用いた有機EL素子は、低い駆動電圧で長時間の青色発光を得ることが可能である。故に、本有機EL素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、さらには、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
以下、本発明を実施例で説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。
実施例1
化合物(1)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン5.01g(0.021mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)18.8mlを滴下して2時間攪拌した後、アントラキノン1.84g(0.0088mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム3.0g(0.034mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物3.0g(0.034mol)、酢酸(40ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン9.50gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン5.48g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.5g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン50mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(1)の粗生成物を3.8g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。化合物(1)のUVスペクトル、蛍光(PL)スペクトルを、それぞれ図1、図2に示す。尚、UVスペクトルは、日立分光光度計(U−3500),蛍光(PL)スペクトルは、日本分光(株)製蛍光分光光度計(FP−6500)により測定した。また、化合物はマススペクトルにて確認した。結果を表7に示す。(ブルカーダルトニクス社製、AutoflexII)
実施例2
化合物(2)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ジブロモベンゼン15.01g(0.063mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)28.8mlを滴下して2時間攪拌した後、アントラキノン5.3g(0.025mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム48g(0.32mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物34g(0.32mol)、酢酸(200ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)アントラセン13.2gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)アントラセン5.2g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.3g、炭酸カリウム(2M水溶液)60g、テトラヒドロフラン80mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(2)の粗生成物を4.2g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例3
化合物(3)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン10.4g(0.041mol)を含むジエチルエーテル(65ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)17.8mlを滴下して2時間攪拌した後、アントラキノン3.6g(0.016mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(150ml)に注ぎ入れ、30分攪拌した後、トルエン200mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム28.2g(0.19mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20g(0.19mol)、酢酸(30ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン8.5gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン8.52g(0.017mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸7.8g(0.048mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.4g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン60mlをフラスコ中、8時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(3)の粗生成物を5.6g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例4
化合物(4)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ジブロモベンゼン10.2g(0.040mol)を含むジエチルエーテル(70ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)16.2mlを滴下して2時間攪拌した後、アントラキノン3.9g(0.017mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、5時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム29.3g(0.20mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20.5g(0.19mol)、酢酸(180ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)アントラセン7.7gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)アントラセン6.6g(0.0085mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸3.8g(0.023mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.35g、炭酸カリウム(2M水溶液)70g、テトラヒドロフラン120mlをフラスコ中、14時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(500ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(4)の粗生成物を3.3g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例5
化合物(5)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン5.01g(0.021mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)18.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−t−ブチルアントラキノン1.84g(0.0088mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム3.0g(0.034mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物3.0g(0.034mol)、酢酸(40ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン9.50gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン5.48g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.5g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン50mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(5)の粗生成物を3.8g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例6
化合物(6)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ブロモヨードベンゼン15.01g(0.063mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)28.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−t−ブチルアントラキノン5.3g(0.025mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム48g(0.32mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物34g(0.32mol)、酢酸(200ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン13.2gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン5.2g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.3g、炭酸カリウム(2M水溶液)60g、テトラヒドロフラン80mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(6)の粗生成物を4.2g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例7
化合物(7)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン10.4g(0.041mol)を含むジエチルエーテル(65ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)17.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−t−ブチルアントラキノン3.6g(0.016mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(150ml)に注ぎ入れ、30分攪拌した後、トルエン200mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム28.2g(0.19mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20g(0.19mol)、酢酸(30ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン8.5gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン8.52g(0.017mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸7.8g(0.048mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.4g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン60mlをフラスコ中、8時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(7)の粗生成物を5.6g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例8
化合物(8)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ブロモヨードベンゼン10.2g(0.040mol)を含むジエチルエーテル(70ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)16.2mlを滴下して2時間攪拌した後、2−t−ブチルアントラキノン3.9g(0.017mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、5時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム29.3g(0.20mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20.5g(0.19mol)、酢酸(180ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン7.7gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−t−ブチルアントラセン6.6g(0.0085mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸3.8g(0.023mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.35g、炭酸カリウム(2M水溶液)70g、テトラヒドロフラン120mlをフラスコ中、14時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(500ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(8)の粗生成物を3.3g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例9
化合物(9)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン10.4g(0.041mol)を含むジエチルエーテル(65ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)17.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−クロロアントラキノン3.6g(0.016mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(150ml)に注ぎ入れ、30分攪拌した後、トルエン200mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム28.2g(0.19mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20g(0.19mol)、酢酸(30ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン8.5gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン8.52g(0.017mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸7.8g(0.048mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.4g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン60mlをフラスコ中、8時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮し、9,10−ビス(4−ベンゾフランフェニル)2−クロロアントラセンの粗生成物を5.2g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
最後に、9,10−ビス(4−ベンゾフランフェニル)2−クロロアントラセン5.7g(0.0096mol)、フェニルボロン酸1,46g(0.012mol)トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.27g(0.03mol)、トリシクロヘキシルフォスフィン0.126g(0.045mol)をトルエン(150ml)中に溶かし、リン酸カリウム4.24g(0.02mol)を加え、12時間加熱還流を行った、その後、反応溶液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾過し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(9)の粗生成物を4.0g得た。その後、リグロイン溶液のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例10
化合物(10)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、4−ブロモヨードベンゼン5.01g(0.021mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)18.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−クロロアントラキノン1.84g(0.0088mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム3.0g(0.034mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物3.0g(0.034mol)、酢酸(40ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−クロロブチルアントラセン9.50gを得た。
次に、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン5.48g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.5g、炭酸カリウム(2M水溶液)50g、テトラヒドロフラン50mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。9,10−ビス(4−ベンゾチオフェンフェニル)2−クロロアントラセンの粗生成物を3.8g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
最後に、9,10−ビス(4−ベンゾチオフェンフェニル)2−クロロアントラセン5.4g(0.0095mol)、フェニルボロン酸1.56g(0.012mol)トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.24g(0.029mol)、トリシクロヘキシルフォスフィン0.125g(0.044mol)をトルエン(130ml)中に溶かし、リン酸カリウム4.14g(0.02mol)を加え、15時間加熱還流を行った、その後、反応溶液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾過し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(10)の粗生成物を4.2g得た。その後、リグロイン溶液のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例11
化合物(11)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ブロモヨードベンゼン10.2g(0.040mol)を含むジエチルエーテル(70ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)16.2mlを滴下して2時間攪拌した後、2−クロロアントラキノン3.9g(0.017mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、5時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム29.3g(0.20mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物20.5g(0.19mol)、酢酸(180ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン7.7gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン6.6g(0.0085mol)、ベンゾフラン−2−イルボロン酸3.8g(0.023mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.35g、炭酸カリウム(2M水溶液)70g、テトラヒドロフラン120mlをフラスコ中、14時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(500ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。9,10−ビス(3−ベンゾフランフェニル)2−クロロアントラセンの粗生成物を3.3g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
最後に、9,10−ビス(3−ベンゾフランフェニル)2−クロロアントラセン5.0g(0.0093mol)、フェニルボロン酸1.46g(0.011mol)トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.2g(0.024mol)、トリシクロヘキシルフォスフィン0.115g(0.043mol)をトルエン(100ml)中に溶かし、リン酸カリウム4.04g(0.02mol)を加え、15時間加熱還流を行った、その後、反応溶液をメタノール(450ml)中に注入し、析出した固体を濾過し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(11)の粗生成物を4.0g得た。その後、リグロイン溶液のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例12
化合物(12)の合成方法
窒素雰囲気下、−78℃にて、3−ブロモヨードベンゼン15.01g(0.063mol)を含むジエチルエーテル(100ml)溶液に、n−ブチルリチウム(1.66Mヘキサン溶液)28.8mlを滴下して2時間攪拌した後、2−クロロアントラキノン5.3g(0.025mol)を滴下し、さらに2時間攪拌した後、室温まで昇温し、3時間攪拌した。その後、この反応生成物を水(200ml)に注ぎ入れ、10分攪拌した後、トルエン300mlにて抽出を行った。有機層の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。その後、ヨウ化カリウム48g(0.32mol)、次亜リン酸ナトリウム一水和物34g(0.32mol)、酢酸(200ml)を加え、2時間加熱還流を行った。室温へ冷却後、ろ別により、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン13.2gを得た。
次に、9,10−ビス(3−ブロモフェニル)2−クロロアントラセン5.2g(0.011mol)、ベンゾチオフェン−2−イルボロン酸5.0g(0.028mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.3g、炭酸カリウム(2M水溶液)60g、テトラヒドロフラン80mlをフラスコ中、10時間加熱還流した。その後、反応液をメタノール(400ml)中に注入し、析出した固体を濾取し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。9,10−ビス(3−ベンゾチオフェンフェニル)2−クロロアントラセンの粗生成物を4.2g得た。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
最後に、9,10−ビス(3−ベンゾチオフェンフェニル)2−クロロアントラセン4.8g(0.0075mol)、フェニルボロン酸1.46g(0.012mol)トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.2g(0.024mol)、トリシクロヘキシルフォスフィン0.12g(0.045mol)をトルエン(120ml)中に溶かし、リン酸カリウム4.24g(0.02mol)を加え、15時間加熱還流を行った、その後、反応溶液をメタノール(450ml)中に注入し、析出した固体を濾過し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターにより濃縮した。化合物(12)の粗生成物を4.0g得た。その後、リグロイン溶液のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、昇華により精製を行った。
実施例13〜124
以下に示す反応式1〜反応式19を組み合わせて、表1中の化合物を合成した。
反応式1
Figure 2009203203
反応式1中、R6〜R18は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]に示す置換基を表す。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、9−フェニルアントラセン(I)1当量に対して、臭素1.2当量と四塩化炭素を混合した溶液を1時間加熱還流した。室温に冷却した後、ジクロロメタンにて抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。その後、ヘキサンで洗浄し、真空乾燥した後、9−フェニル−10−ブロモアントラセン誘導体(II)を得ることができる。
反応式2
Figure 2009203203
反応式2中、R1、R3〜R5、および、R21〜R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]に示す置換基を表す。また、R21〜R24はそれぞれ隣接する基同士で結合して環を形成してもよい。また、R25は、水素原子を表す。Xは、O、S、または、N−R26を表し、R26は、水素原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、上記のボロン酸誘導体(III)1当量に対して、3−ブロモヨードベンゼン誘導体(IV)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。その後、トルエンのカラムクロマトグラフィーにより精製することで、縮合複素環式化合物の誘導体(V)を得ることができる。
反応式3
Figure 2009203203
反応式3中、R1〜R3、R5、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、−78℃において、縮合複素環式化合物の誘導体(VI)1当量に対して、n−ブチルリチウムを反応させた後、ホウ酸トリメチル3当量を加え、攪拌を行った。その後、希塩酸を加え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することによって、縮合複素環式化合物の誘導体(VII)を得ることができる。
反応式4
Figure 2009203203
反応式4中、R1〜R3、R5〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、9−フェニル−10−ブロモアントラセン誘導体(II)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(VII)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(VIII)を得ることができる。
反応式5
Figure 2009203203
反応式5中、R2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]に示す置換基を表す。また、R1、R4、R5、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、ボロン酸誘導体(III)1当量に対して、4−ブロモヨードベンゼン誘導体(IX)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、縮合複素環式化合物の誘導体(X)を得ることができる。
反応式6
Figure 2009203203
反応式6中、R1、R2、R4、R5、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、−78℃において、縮合複素環式化合物の誘導体(X)1当量に対して、n−ブチルリチウムを反応させた後、ホウ酸トリメチル3当量加え攪拌を行った。その後、希塩酸を加え、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、縮合複素環式化合物の誘導体(XI)を得ることができる。
反応式7
Figure 2009203203
反応式7中、R1、R2、R4〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。窒素気流下、9−フェニル−10−ブロモアントラセン誘導体(II)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(XI)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、希塩酸を加え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XII)を得ることができる。
反応式8
Figure 2009203203
反応式8中、R2〜R5、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、ボロン酸誘導体(III)1当量に対して、2−ブロモヨードベンゼン誘導体(XIII)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、縮合複素環式化合物の誘導体(XIV)を得ることができる。
反応式9
Figure 2009203203
反応式9中、R2〜R5、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、−78℃において、縮合複素環式化合物の誘導体(XIV)1当量に対して、n−ブチルリチウムを反応させた後、ホウ酸トリメチル3当量を加え、攪拌を行った。その後、希塩酸を加え、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、縮合複素環式化合物の誘導体(XV)を得ることができる。
反応式10
Figure 2009203203
反応式10中、R2〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、9−フェニル−10−ブロモアントラセン誘導体(II)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(XV)を1.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XVI)を得ることができる。
反応式11
Figure 2009203203
反応式11中、R1〜R5、R7〜R18、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、9,10−ジフェニル−2−クロロアントラセン誘導体(XVII)1当量に対して、ボロン酸誘導体(III)を1.2当量、トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム0.03当量、トリシクロヘキシルフォスフィン0.045当量をトルエン中に溶かし、リン酸カリウム2当量を加え、15時間加熱還流を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XVIII)を得ることができる。
反応式12
Figure 2009203203
反応式12中、R1〜R17、R21〜R25、および、Xは、前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、9,10−ジフェニル−1−クロロアントラセン誘導体(XIX)1当量に対して、ボロン酸誘導体(III)を1.2当量、トリス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム0.02当量、トリシクロヘキシルフォスフィン0.043当量をトルエン中に溶かし、リン酸カリウム2当量を加え、15時間加熱還流を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XX)を得ることができる。
反応式13
Figure 2009203203
反応式13中、R1〜R18は、前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、9、10−ジフェニルアントラセン誘導体(XXI)1当量に対して、臭素2.2当量と四塩化炭素を混合した溶液を1時間加熱還流した。室温に冷却した後、ジクロロメタンにて抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。その後、ヘキサンで洗浄し、真空乾燥した後、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、2,6−ジブロモ―9,10−ジフェニルアントラセン誘導体(XXII)を得ることができる。
反応式14
Figure 2009203203
反応式14中、R1、R5、R8〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法は、常法に従い、窒素気流下、2,6−ジブロモ9,10−ジフェニルアントラセン誘導体(XXII)1当量に対して、ボロン酸誘導体(III)を2.2当量用いて、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを0.05当量、2M炭酸カリウム水溶液を3当量加え、加熱攪拌を行った。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XXIII)を得ることができる。
反応式15
Figure 2009203203
反応式15中、R1、R3、R5、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法としては、窒素気流下、3,5−ジブロモフェニルボロン酸誘導体(XXIV)1当量に対して、ボロン酸誘導体(III)を2.2当量と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.05当量と、2M炭酸カリウム水溶液3当量を加え、加熱攪拌した。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、(XXV)を得ることができる。
反応式16
Figure 2009203203
反応式16中、R1、R3、R5〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、9−フェニル−10−ブロモアントラセン誘導体(II)1当量に対して、(XXV)を2.2当量と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.05当量と、2M炭酸カリウム水溶液3当量を加え、加熱攪拌する。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XXVI)を得ることができる。
反応式17
Figure 2009203203
反応式17中、R1〜R3、R5〜R9、R15〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成方法としては、常法に従い、窒素気流下、9、10−ジブロモアントラセン誘導体(XXVII)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(VII)を2.2当量用い、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.05当量と、2M炭酸カリウム水溶液3当量を加え、加熱攪拌する。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XXVIII)を得ることができる。
反応式18
Figure 2009203203
反応式18中、R2〜R5、R6〜R9、R15〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成法としては、9、10−ジブロモアントラセン誘導体(XXVII)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(XI)を2.2当量用い、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.05当量と、2M炭酸カリウム水溶液3当量を加え、加熱攪拌する。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XXIX)を得ることができる。
反応式19
Figure 2009203203
反応式19中、R1、R2、R4〜R9、R15〜R18、R21〜R25、および、Xは前述のものと同義である。合成法としては、9、10−ジブロモアントラセン誘導体(XXVII)1当量に対して、縮合複素環式化合物の誘導体(XV)を2.2当量用い、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.05当量と、2M炭酸カリウム水溶液3当量を加え、加熱攪拌する。その後、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィーにより精製することで、本発明の化合物(XXX)を得ることができる。
以上の反応式1〜反応式19を組み合わせて得られた本発明の化合物の構造については、実施例1と同様、マススペクトル(ブルカーダルトニクス社製、AutoflexII)によって同定した。合成した化合物、および化合物のマススペクトルの測定結果を表7に示す。尚、化合物番号は本明細書中の表1に記載したものと同じである。
表7
Figure 2009203203
Figure 2009203203
Figure 2009203203


有機EL素子の実施例
以下、本発明の化合物を有機EL素子用材料として用いた有機EL素子について下記実施例により説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着(真空蒸着)は10-6Torrの真空中にて、基板の加熱や冷却といった温度制御はしない条件下で行った。また、素子の発光特性は、発光素子面積2mm×2mmの有機EL素子を用いて特性を測定した。
実施例125
洗浄したITO電極付きガラス板上に、表3のHTM8を真空蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を得た。次いで、本発明の化合物(1)を真空蒸着して膜厚20nmの発光層を得た。さらに、トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム錯体(Alq3)を真空蒸着して膜厚20nmの電子注入層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウム(Al)を150nm蒸着して電極を形成し、有機EL素子を得た。この素子を6Vに駆動させた際の色度は、CIE(x,y)=(0.16,0.13)の青色発光であった。この素子を発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表8に示す。
実施例126〜176
化合物(1)のかわりに、表8に示す化合物を用いて発光層を作成した以外は実施例125と同様に素子を作成した。この素子を発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表8に示す。
比較例1
化合物(1)の代わりに、以下に示す化合物(A)を用いて発光層を作成した以外は実施例125と同様に素子を作成した。この素子を6Vに駆動させた際の色度は、CIE(x,y)=(0.18,0.20)の薄青色発光であった。この素子を発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度と半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表8に示す。
Figure 2009203203
表8
Figure 2009203203

Figure 2009203203

表8から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、比較例1で作成した素子よりも、長寿命で且つ、高い輝度が得られた。
実施例177
ITO電極付きガラス板上に、表2のHIM4を真空蒸着して膜厚70nmの正孔注入層を得た。次に、化合物(1)と化合物(B)とを5:100の組成比で共蒸着して膜厚40nmの発光層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム(Li2O)を1nm、さらにAlを100nm蒸着によって陰極を形成して有機EL素子を得た。この素子を、直流10Vで駆動させた際の外部量子効率は3.6%を示した。また、発光輝度450(cd/m2)で定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表9に示す。
Figure 2009203203
実施例178〜224
化合物(1)の代わりに表9中の化合物を用いた以外は、実施例177と同様に素子を作成した。これらの素子は、直流電圧10Vでの外部量子効率がいずれも4%以上を示した。また、発光輝度350(cd/m2)で定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表9に示す。
比較例2
化合物(1)のかわりに、化合物(A)を用いた以外は実施例177と同様に素子を作成した。この素子を発光輝度350(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表9に示す。
表9
Figure 2009203203

Figure 2009203203

表9から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、比較例2で作成した素子よりも、長寿命で且つ、高い輝度が得られた。
実施例225
ITO電極付きガラス板上に、表2のHIM9を真空蒸着して膜厚80nmの正孔注入層を得た。次に、化合物(B)と化合物(1)とを100:3の重量組成比で共蒸着して膜厚30nmの発光層を形成した。さらに化合物(C)を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、Li2Oを1nm、さらにAlを100nm蒸着によって陰極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの外部量子効率は3.5%を示した。また、発光輝度350(cd/m2)で定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表10に示す。
Figure 2009203203
実施例226〜245
化合物(1)のかわりに表10中の化合物を用いた以外は、実施例225と同様に素子を作成した。これら素子は、直流電圧10Vでの外部量子効率はいずれも3%以上を示し、また、発光輝度350(cd/m2)で定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表10に示す。
比較例3
化合物(1)のかわりに化合物(A)を用いた以外は、実施例225と同様に素子を作成した。この素子を発光輝度350(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命を測定した。また、電流密度12.5mA/cm2で駆動させた時の初期輝度、および100℃の環境で100時間連続駆動させた後の輝度を測定した。結果を表10に示す。
表10
Figure 2009203203

表10から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、比較例3で作成した素子よりも、長寿命で高い輝度が得られた。
実施例246
洗浄したITO電極付きガラス板上に、表3のHTM8を真空蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を得た。次いで、本発明の化合物(1)を真空蒸着して膜厚60nmの電子輸送性発光層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでAlを200nm蒸着して電極を形成して、有機EL素子を得た。この素子は、8Vにて発光輝度630(cd/m2)の青色発光を示した。
実施例247
ITO電極付きガラス板上に、HIM4を蒸着して膜厚65nmの正孔注入層を形成した。次に、本発明の化合物(2)と化合物(D)とを100:3の組成比で共蒸着して膜厚45nmの発光層を形成した。さらに、表6のES2を蒸着して膜厚20nmの電子輸送層を形成した。その上に、さらに、Alq3を真空蒸着して膜厚10nmの電子注入層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでAlを200nm蒸着して電極を形成して、有機EL素子を得た。この素子を発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命は1000時間以上あった。
Figure 2009203203
実施例248
洗浄したITO電極付きガラス板上に、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシ)−2,5−チオフェン/ポリスチレンスルホン酸、Bayer社製BAYTRON P VP CH8000)をスピンコート法にて製膜し、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、PVK(ポリビニルカルバゾール)を60%および、化合物(1)を3%および電子輸送材料(化合物(E))37%を2.0wt%の濃度でトルエンに溶解させ、スピンコーティング法により70nmの膜厚の発光層を得た。さらにその上に、Caを20nm蒸着した後、Alを200nm蒸着して電極を形成して有機EL素子を得た。この素子について通電試験を行ったところ、最大発光輝度520cd/m2の青色発光が得られた。
Figure 2009203203
実施例249
洗浄したITO電極付きガラス板上に、PEDOT/PSSをスピンコート法にて製膜し、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、PVKを60%および、化合物(2)を3%および電子輸送材料(化合物(F))37%を2.0wt%の濃度でトルエンに溶解させ、スピンコーティング法により70nmの膜厚の発光層を得た。さらにその上に、Caを20nm蒸着した後、Alを200nm蒸着して電極を形成して有機EL素子を得た。この素子について通電試験を行ったところ、この素子は、8Vにて発光輝度7500(cd/m2)の青色発光を示し、その色度は、x=0.16、y=0.05であった。この素子を発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの輝度半減寿命は1000時間以上であった。
Figure 2009203203
実施例250
洗浄したITO電極付きガラス板上に、表3のHTM8を真空蒸着して膜厚70nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(B)を真空蒸着して膜厚20nmの発光層を得た。その上に、本発明の化合物(17)を真空蒸着して膜厚60nmの電子輸送層を得た。その上に、フッ化リチウムを1nm、次いでAlを200nm蒸着して電極を形成して、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、8Vにて発光輝度610(cd/m2)の青色発光を示した。
実施例251
洗浄したITO電極付きガラス板上に、本発明の化合物(49)を真空蒸着して膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(B)を真空蒸着して膜厚25nmの発光層を得た。その上に、Alq3を真空蒸着して膜厚20nmの電子注入層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでAlを150nm蒸着して電極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、8Vにて発光輝度590(cd/m2)の青色発光を示した。
以上のように、本発明で示されたアントラセン誘導体を用いることにより、高い性能のEL素子が作成できた。また、比較化合物に対して格段に高い性能が発揮されていることは明らかであり、有機EL素子の低駆動電圧化、長寿命化、高色純度な青色発光が達成できた。
図1は、化合物(1)のUVスペクトルである。(トルエン溶媒中)
図2は、化合物(1)のPLスペクトルである。(トルエン溶媒中)

Claims (16)

  1. 下記一般式[1]で表されるアントラセン誘導体。
    一般式[1]
    Figure 2009203203


    (式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、下記一般式[2]で表される基、または、下記一般式[3]で表される基を表す。但し、R1〜R18のうち、少なくとも1つは、下記一般式[3]で表される基である。)
    一般式[2]
    Figure 2009203203


    (式中、R19およびR20は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。)
    一般式[3]
    Figure 2009203203


    (式中、R21〜R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]で表される基を表す。また、R21〜R24はそれぞれ隣接する基同士で結合して環を形成してもよい。
    また、R25は、水素原子を表す。
    Xは、O、S、または、N−R26を表し、R26は、水素原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、または、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。)
  2. 1〜R18のいずれか2つが、それぞれ独立に、一般式[3]で表される基である請求項1記載のアントラセン誘導体。
  3. Xが、O、または、Sである請求項1または2記載のアントラセン誘導体。
  4. 6およびR7のうち少なくとも1つは、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の脂肪族炭化水素基、および、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の芳香族炭化水素基から選ばれる基である請求項1ないし3いずれか記載のアントラセン誘導体。
  5. 6およびR7のうち少なくとも1つは、置換または未置換の炭素数6〜18の1価の芳香族炭化水素基である請求項1ないし4いずれか記載のアントラセン誘導体。
  6. 6およびR7のうち少なくとも1つは、下記一般式[4]で表される置換もしくは未置換のフェニル基である請求項1ないし5いずれか記載のアントラセン誘導体。
    一般式[4]
    Figure 2009203203


    (式中、R27〜R31は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の1価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の1価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の1価の芳香族複素環基、シアノ基、置換シリル基、または、一般式[2]で表される基を表す。)
  7. 27〜R31の全てが水素原子である請求項6記載のアントラセン誘導体。
  8. 3およびR12が、それぞれ独立に、一般式[3]で表される基である請求項1ないし7いずれか記載のアントラセン誘導体。
  9. 2およびR11が、それぞれ独立に、一般式[3]で表される基である請求項1ないし7いずれか記載のアントラセン誘導体。
  10. 2およびR4が、それぞれ独立に、一般式[3]で表される基である請求項1ないし7いずれか記載のアントラセン誘導体。
  11. 21〜R24の全てが水素原子である請求項1ないし10いずれか記載のアントラセン誘導体。
  12. 請求項1ないし11いずれか記載のアントラセン誘導体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  13. 一対の電極間に発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項12記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が請求項12記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 発光層にリン光発光材料を含んでなる請求項14記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 発光層が塗布により成膜されてなる請求項14または15記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2008048909A 2008-02-29 2008-02-29 アントラセン誘導体及びその用途 Pending JP2009203203A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008048909A JP2009203203A (ja) 2008-02-29 2008-02-29 アントラセン誘導体及びその用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008048909A JP2009203203A (ja) 2008-02-29 2008-02-29 アントラセン誘導体及びその用途

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009203203A true JP2009203203A (ja) 2009-09-10

Family

ID=41145815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008048909A Pending JP2009203203A (ja) 2008-02-29 2008-02-29 アントラセン誘導体及びその用途

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009203203A (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009280576A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アントラセン誘導体、発光素子、発光装置、電子機器
JPWO2009116628A1 (ja) * 2008-03-19 2011-07-21 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011132623A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Novel naphthothiophene compound and organic light-emitting device including the same
JPWO2011074493A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
JP2014073986A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Asahi Organic Chemicals Industry Co Ltd アントラセン誘導体及びその製造方法、化合物、組成物、硬化物並びに蛍光素子
US9173887B2 (en) 2010-12-22 2015-11-03 Abbvie Inc. Hepatitis C inhibitors and uses thereof
KR20160005944A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
EP3171418A1 (en) * 2015-11-23 2017-05-24 Novaled GmbH Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
JP2017178832A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 自己組織化し得る多環式芳香族化合物およびそれを用いた有機el素子
KR101801047B1 (ko) * 2010-04-16 2017-11-28 에스에프씨 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JPWO2017064892A1 (ja) * 2015-10-13 2018-09-13 Jnc株式会社 ベンゾチオフェンを有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
EP3406617A1 (en) 2017-05-23 2018-11-28 Novaled GmbH Use of phosphine oxide compounds in a semiconducting layer comprised in an electronic device
KR20180132848A (ko) * 2016-04-12 2018-12-12 노발레드 게엠베하 유기 반도체 층을 포함하는 유기 발광 다이오드
WO2019117571A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2020040434A1 (ko) * 2018-08-22 2020-02-27 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2020039708A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2021021840A1 (en) * 2019-07-31 2021-02-04 Dupont Electronics, Inc. Electroactive compounds
CN114621169A (zh) * 2020-12-08 2022-06-14 Sfc株式会社 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
WO2022124858A1 (ko) * 2020-12-11 2022-06-16 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
EP4138537A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-22 SFC Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR20230038150A (ko) * 2021-06-02 2023-03-17 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822041B2 (en) 2008-03-19 2014-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivatives, luminescent materials and organic electroluminescent devices
JPWO2009116628A1 (ja) * 2008-03-19 2011-07-21 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
US10461257B2 (en) 2008-03-19 2019-10-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivatives, luminescent materials and organic electroluminescent devices
US11456421B2 (en) 2008-03-19 2022-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivatives, luminescent materials and organic electroluminescent devices
US9660195B2 (en) 2008-03-19 2017-05-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivative having a phenanthryl group
JP5491383B2 (ja) * 2008-03-19 2014-05-14 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009280576A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アントラセン誘導体、発光素子、発光装置、電子機器
US9257654B2 (en) 2008-04-24 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
JP2014210778A (ja) * 2008-04-24 2014-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 アントラセン誘導体
JPWO2011074493A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
JP5764500B2 (ja) * 2009-12-14 2015-08-19 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
KR101801047B1 (ko) * 2010-04-16 2017-11-28 에스에프씨 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
US20130037789A1 (en) * 2010-04-22 2013-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Novel naphthothiophene compound and organic light-emitting device including the same
WO2011132623A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Novel naphthothiophene compound and organic light-emitting device including the same
US8580405B2 (en) 2010-04-22 2013-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Naphthothiophene compound and organic light-emitting device including the same
JP2011225500A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Canon Inc 新規ナフトチオフェン化合物およびそれを有する有機発光素子
US9567355B2 (en) 2010-12-22 2017-02-14 Abbvie Inc. Hepatitis C inhibitors and uses thereof
US9453007B2 (en) 2010-12-22 2016-09-27 Abbvie Inc. Hepatitis C inhibitors and uses thereof
US9173887B2 (en) 2010-12-22 2015-11-03 Abbvie Inc. Hepatitis C inhibitors and uses thereof
JP2014073986A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Asahi Organic Chemicals Industry Co Ltd アントラセン誘導体及びその製造方法、化合物、組成物、硬化物並びに蛍光素子
KR102231943B1 (ko) * 2014-07-08 2021-03-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20160005944A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JPWO2017064892A1 (ja) * 2015-10-13 2018-09-13 Jnc株式会社 ベンゾチオフェンを有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
EP3961742A1 (en) 2015-11-23 2022-03-02 Novaled GmbH Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
US11950496B2 (en) 2015-11-23 2024-04-02 Novaled Gmbh Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
JP2018536289A (ja) * 2015-11-23 2018-12-06 ノヴァレッド ゲーエムベーハー ホスフィンオキシド化合物を含む有機半導電層
CN108431980B (zh) * 2015-11-23 2023-01-13 诺瓦尔德股份有限公司 包含氧化膦化合物的有机半导体层
EP3171418A1 (en) * 2015-11-23 2017-05-24 Novaled GmbH Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
WO2017089399A1 (en) * 2015-11-23 2017-06-01 Novaled Gmbh Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
JP2021177568A (ja) * 2015-11-23 2021-11-11 ノヴァレッド ゲーエムベーハー ホスフィンオキシド化合物を含む有機半導電層を備える有機elデバイス
CN108431980A (zh) * 2015-11-23 2018-08-21 诺瓦尔德股份有限公司 包含氧化膦化合物的有机半导体层
JP2017178832A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 自己組織化し得る多環式芳香族化合物およびそれを用いた有機el素子
US11145817B2 (en) 2016-04-12 2021-10-12 Novaled Gmbh Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer
KR20180132848A (ko) * 2016-04-12 2018-12-12 노발레드 게엠베하 유기 반도체 층을 포함하는 유기 발광 다이오드
JP2019516243A (ja) * 2016-04-12 2019-06-13 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 有機半導体層を備える有機発光ダイオード
KR102229576B1 (ko) 2016-04-12 2021-03-17 노발레드 게엠베하 유기 반도체 층을 포함하는 유기 발광 다이오드
TWI730072B (zh) * 2016-04-12 2021-06-11 德商諾瓦發光二極體有限公司 包含有機半導體層有機發光二極體
EP3406617A1 (en) 2017-05-23 2018-11-28 Novaled GmbH Use of phosphine oxide compounds in a semiconducting layer comprised in an electronic device
WO2018215442A1 (en) 2017-05-23 2018-11-29 Novaled Gmbh Use of phosphine oxide compounds in a semiconducting layer comprised in an electronic device
CN110678474A (zh) * 2017-05-23 2020-01-10 诺瓦尔德股份有限公司 氧化膦化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途
KR102508485B1 (ko) 2017-12-15 2023-03-08 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20190071889A (ko) * 2017-12-15 2019-06-25 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2019117571A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN112204042B (zh) * 2018-08-22 2023-09-05 株式会社Lg化学 新型化合物及利用其的有机发光元件
CN112204042A (zh) * 2018-08-22 2021-01-08 株式会社Lg化学 新型化合物及利用其的有机发光元件
WO2020040434A1 (ko) * 2018-08-22 2020-02-27 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2020039708A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN114514225A (zh) * 2019-07-31 2022-05-17 杜邦电子公司 电活性化合物
WO2021021840A1 (en) * 2019-07-31 2021-02-04 Dupont Electronics, Inc. Electroactive compounds
JP2022091155A (ja) * 2020-12-08 2022-06-20 エスエフシー カンパニー リミテッド 有機発光化合物及びそれを含む有機発光素子
CN114621169A (zh) * 2020-12-08 2022-06-14 Sfc株式会社 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
JP7357665B2 (ja) 2020-12-08 2023-10-06 エスエフシー カンパニー リミテッド 有機発光化合物及びそれを含む有機発光素子
EP4011872A1 (en) * 2020-12-08 2022-06-15 SFC Co., Ltd. Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device including the same
WO2022124858A1 (ko) * 2020-12-11 2022-06-16 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20230038150A (ko) * 2021-06-02 2023-03-17 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102645771B1 (ko) * 2021-06-02 2024-03-11 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
EP4138537A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-22 SFC Co., Ltd. Organic light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5691192B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP5673043B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5255296B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および化合物
JP2009120582A (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2009203203A (ja) アントラセン誘導体及びその用途
WO2009099133A1 (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2010024149A (ja) 7員環構造を有する化合物およびその用途
JP2010195708A (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2009029726A (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP5152210B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2009123976A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP5907289B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2009057307A (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP5423171B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2010126571A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013118288A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP6056367B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2011173972A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2009221442A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012190863A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP5200490B2 (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP5277578B2 (ja) カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2011084717A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP2012028711A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
JP5565201B2 (ja) スピロ化合物、および有機エレクトロルミネッセンス素子用材料