JP2011078755A5

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Publication number: JP2011078755A5
Application number: JP2010208824A
Authority: JP
Filing date: 2010-09-17
Publication date: 2013-10-24
Anticipated expiration: 2030-09-17

Claims

少なくとも１つのタイリング可能なモジュールであって、
少なくとも１つのセンサを形成する複数のトランスデューサセルと、
前記複数のトランスデューサセルの第１の面上に接合された有機インターポーザと、
前記インターポーザの第２の面に接合された１つまたは複数の集積回路であって、前記インターポーザが、トランスデューサセルのうちの少なくともいくつか、および集積回路のうちの少なくともいくつかへの複数の電気的相互接続を含む集積回路と、
前記インターポーザに対して実質的に垂直に延びる長さを有し、外部インターフェイスをもたらす少なくとも１つの入出力コネクタであって、前記入出力コネクタの前記長さが前記集積回路の厚さより大きい入出力コネクタと、
を備える、少なくとも１つのタイリング可能なモジュールと、
前記タイリング可能なモジュールに結合され、前記入出力コネクタに電気的に結合される基板と、
を備えることを特徴とする大面積のモジュール式センサアレイ組立体。
少なくとも１つの溝付きセンサをいくつかのトランスデューサセルで形成する複数のトランスデューサセルと、
それぞれが規定された厚さを有する１つまたは複数の集積回路と、
前記トランスデューサセルと前記集積回路との間に挟まれ、前記トランスデューサセルがインターポーザの第１の面に接合され、前記集積回路がインターポーザの第２の面に接合された、有機インターポーザであって、前記トランスデューサセルのうちの少なくともいくつかと前記集積回路のうちの少なくともいくつかとの間の複数の電気的相互接続を含む有機インターポーザと、
前記インターポーザ上で前記集積回路と同じ側に接合され、前記集積回路の前記規定された厚さより大きい長さを有する少なくとも１つの入出力コネクタであって、前記トランスデューサセルまたは前記集積回路の少なくとも１つに電気的に結合される入出力コネクタと、
前記入出力コネクタに電気的に結合された基板と、
前記基板から外部リソースへの電気的接続と、
を備えることを特徴とするトランスデューサセンサアレイ組立体。
前記センサが、前記インターポーザの前記第１の面に結合された複数の柱を有する溝付きセンサである、請求項１または２に記載の組立体。
前記柱の先端上に堆積されたはんだバンプ付きバンプ下メタラジ（ＵＢＭ）パッドをさらに備え、前記バンプ付き柱がインターポーザにはんだ付けされる請求項１または２に記載の組立体。
前記溝付きセンサが、容量性の微細機械加工された超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である請求項１または２に記載の組立体。
前記有機インターポーザがポリテトラフルオロエチレンから成る請求項１または２に記載の組立体。
前記入出力コネクタがボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）のボールである請求項１または２に記載の組立体。
各タイリング可能なモジュールが、前記インターポーザに結合された２つ以上のセンサおよび２つ以上の集積回路を備える請求項１または２に記載の組立体。
前記インターポーザにおいて、第１のタイリング可能なモジュールが、モジュール相互接続によって第２のタイリング可能なモジュールに結合される請求項１または２に記載の組立体。
前記基板が、タイリング可能なモジュール向けのベースをもたらし、前記入出力コネクタの少なくとも１つに結合されたマザーボードである請求項１または２に記載の組立体。
ケーブルを介してケーブルコネクタに外部リソースへのインターフェイスをもたらす基板に結合された前記ケーブルコネクタをさらに備える請求項１または２に記載の組立体。
前記組立体が少なくとも１つの圧縮プレートを形成するように構成され、各圧縮プレートが、前記タイリング可能なモジュールの２次元トランスデューサアレイを備え、かつ乳房造影法走査用の環状の開口を有する請求項１または２に記載の組立体。
大面積のモジュール式センサアレイ組立体を形成する方法であって、
マザーボードを設けるステップと、
１つまたは複数のタイリング可能なモジュールを前記マザーボードに結合するステップであって、前記タイリング可能なモジュールが、
複数の第１の面のバンプによってインターポーザの第１の面に複数のトランスデューサセルを接合するステップ、
複数の第２の面のバンプによって前記インターポーザの第２の面に少なくとも１つの集積回路を接合するステップ、
前記インターポーザに複数の電気的相互接続を設けることによって前記トランスデューサセルを前記集積回路に結合するステップ、および
前記インターポーザ上に入出力接続を形成するステップであって、前記入出力接続が前記集積回路の厚さより長く、それによって前記マザーボードに電気的接続をもたらすステップ
を含む、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
前記マザーボードに少なくとも１つのコネクタを結合して、少なくとも１つのケーブルを前記コネクタに結合するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
１つまたは複数の外部リソースを前記マザーボードに結合するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。