JPH05123317A - 2次元アレイ超音波プローブ - Google Patents

2次元アレイ超音波プローブ

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JPH05123317A
JPH05123317A JP3293047A JP29304791A JPH05123317A JP H05123317 A JPH05123317 A JP H05123317A JP 3293047 A JP3293047 A JP 3293047A JP 29304791 A JP29304791 A JP 29304791A JP H05123317 A JPH05123317 A JP H05123317A
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JP
Japan
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base
substrate
ultrasonic probe
dimensional array
oscillator
Prior art date
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Pending
Application number
JP3293047A
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English (en)
Inventor
Shinichi Hashimoto
新一 橋本
Shiro Saito
史郎 斉藤
Tomio Ono
富男 小野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH05123317A publication Critical patent/JPH05123317A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、バッキング材がなく、しかも音響特
性の良好な2次元アレイ超音波プローブを提供すること
を目的とする。 【構成】本発明の2次元アレイ超音波プローブは、音響
整合層下に共通電極を介して2次元的に振動子を配列
し、さらにこれら振動子間に絶縁性の仕切りを配した2
次元アレイ超音波プローブであって、前記仕切りは各振
動子上に配置される個別電極よりも突出した突出部を有
し、この仕切りの突出部と基板が各個別電極と基板の間
に空隙を挟むかたちで接合され、各個別電極と基板上の
電極は電気接続部を介して接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超音波診断装置や超音
波探傷装置等の超音波画像装置において超音波ビームの
送受に用いられる超音波プローブに係り、特に振動子を
マトリックス状に配置した2次元アレイ超音波プローブ
に関する。
【0002】
【従来の技術】超音波診断装置は超音波プローブにより
被検体内で超音波ビームの走査を行い、その反射波を同
じ超音波プローブで検出することにより断層画像を得
る。ここで超音波の走査方式には、大きく分類して、超
音波プローブの超音波振動子を機械的に動かすことによ
り行う機械走査(メカニカル走査)と、アレイ状の超音
波振動子(1次元アレイ超音波プローブ)を用い、アレ
イ状に配列された各振動子素子の電子的な切替および各
素子に与える遅延時間を制御して行う電子走査とがある
が、近年では、高速走査が可能、高分解能が得られる等
の理由から、電子走査方式が主流となっている。
【0003】ところで、電子走査において方位分解能の
向上を図る手段としては、超音波の受信時に各深さに応
じたフォーカスを行うダイナミックフォーカスや、送信
のフォーカス点を変えて超音波ビームの送受信を繰返し
行い、フォーカス点付近の画像をつなぎ合せる多段フォ
ーカス等がある。
【0004】しかし、このようなフォーカス手段は走査
方向(アレイの配列方向)におけるものであり、走査方
向と垂直な方向(レンズ方向)においては、音響レンズ
を用いた固定フォーカスである。このため、レンズ方向
においては、フォーカスの深度を調節できず、固定フォ
ーカスの前後では超音波ビームの幅が広いため、画像が
ぼやけることがある。
【0005】そこで、このような欠点を解消するため、
振動子を2次元に配列した2次元アレイ超音波プローブ
を用い、走査方向だけでなくレンズ方向にもダイナミッ
クフォーカスや多段フォーカスを適用して分解能を向上
させる試みが提案されている。なお、2次元アレイ超音
波プローブによれば、プローブを動かさなくても走査面
(走査方向)を変えることも可能であるため、3次元的
な画像情報の収集もでき、診断能力は飛躍的に向上する
ことが予想される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な2次元アレイ超音波プローブは、2次元に配列した振
動子一つ一つに信号線を接続する必要があるため、1次
元アレイ超音波プローブのような音響マッチング(整
合)層、振動子およびバッキング材(吸音材)を順に積
層し、振動子の端部から信号線を引き出すといった構造
はとれない。
【0007】このため、特開平1−262848号公報
等では、各振動子に接着した振動子電極と各振動子電極
に対応する信号線を形成した基板とを半田等のバンプを
介して接着し、2次元に配列した振動子と信号線とを容
易に電気的に接続する方法が開示されている(この場合
バッキング材はない)。
【0008】しかし、このような方法では、振動子と基
板との機械的な接続もバンプだけを介して行うことにな
るため、機械的な接続強度が弱く、信頼性に欠ける。
【0009】かといって、振動子と基板とをバンプによ
り接続した後、バンプの周囲の空隙に接着剤等の樹脂で
モールドすると、一旦振動子から放射された超音波が、
接着剤層や接着剤を介して振動子と幅広く接続した基板
等に反射して振動子に戻ってくるといった振動子と基板
等の音響的結合が生じ、振動子から音響マッチング層側
に放射される超音波の波形が乱れ、超音波プローブの特
性を劣化させる。
【0010】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、バッキング材がなく、しかも音響特性の良好な2
次元アレイ超音波プローブを提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、音響整合層下に共通電極を介して2次元的
に複数の振動子を配列し、個別の振動子に共通電極に対
向して設けられた個別電極が、基板上に形成された電極
に電気的に接続され、さらにこれら振動子間に絶縁性の
仕切りを配した2次元アレイ超音波プローブであって、
前記仕切りは各振動子の個別電極よりも突出した突出部
を有し、この仕切りの突出部と基板が各個別電極と基板
の間に空隙を形成するように接合され各個別電極と基板
側の電極は電気接続部を介して接続される2次元アレイ
超音波プローブを提供する。
【0012】
【作用】本発明の2次元アレイ超音波プローブにおいて
は、基板は、電気接続部を介して個別電極と接続するだ
けでなく、仕切りの突出部とも接続するため、機械的接
合強度は十分となり、さらに基板と個別電極の間に音響
インピーダンスの小さな空隙が保たれるため、基板が音
響的に個別電極を介して振動子に影響を与えることはな
く、良好な音響特性が達成される。
【0013】
【実施例】以下添付の図面を参照して本発明の実施例を
説明する。
【0014】図1は本発明の第1実施例に係る2次元ア
レイ超音波プローブ1内部の斜視図、図2は超音波プロ
ーブ1の断面図である。
【0015】すなわち、2次元アレイ超音波プローブ1
においては、マトリクス状に2次元配列された各振動子
(超音波を発生する圧電素子)2が、各々の間の空隙を
2つに積層した高分子層(不導体)3,4によって充填
される。そして、振動子2の音響整合層5側(図1では
下方、図2では上方)には、各振動子2に共通の1枚の
共通電極6が接続され、音響整合層5は共通電極6の上
に接合される。
【0016】一方、先の高分子層3,4のうち、基板7
側(図1では上方、図2では下方)に位置する高分子層
4は、基板7側の端部4aが振動子2の上に積層された
基板側電極8よりも突き出ている。そして、この高分子
層4の突き出た端部4aは、部分的に切欠部4bを有
し、この切欠部4bに一部割り込みながら、基板側電極
8および基板7上に配置された信号線(信号線パッド、
基板側の電極となる)9と接続する電気接続部10が設
置される。なお、高分子層4はその基板7側端面におい
て、接着剤層11を介して基板7に接続する。符号19
は、基板側電極8と基板7との間に生じた空隙を示す。
【0017】さて、共通電極6はケーブル12のアース
ライン13に接続し、他方基板側電極8は電気接続部1
0と信号線9を介して、基板7に隣接した他の基板14
のパターンに接続し、この基板14に設置されたIC
(高圧スイッチやインピーダンス変換器を含む)15を
経て、ケーブル12に、そして最終的にはシステム本体
(図示せず)内の送受信回路と接続する。
【0018】よって、この2次元アレイ超音波プローブ
1の2次元に配列された振動子2は、システム本体内の
送受信回路で基準信号に与えられる遅延時間に制御され
ながら超音波を放射し、放射された超音波は、走査方
向、スライス方向とも一定の深さで集束する超音波ビー
ムとなる。
【0019】図3(A)〜(H)は、図1、図2に示し
た2次元アレイ超音波プローブ1の製造工程図である。
【0020】すなわち、まず図3(A)に示すように、
振動子板21に形成した電極層22に対して、後に用材
や機械的方法で剥離可能なように、樹脂板23を張り付
ける。つぎに図3(B)に示すように、振動子板21、
電極層22および樹脂板23を順次積層したアセンブリ
24を、振動子板21と電極層22を貫いて樹脂23に
到達する深さまでマトリクス状に切り込む(符号25は
この切り込みによる溝を表す)。この結果振動子21と
電極層22は完全に切断され、2次元に配列された各振
動子2と基板側電極8が形成される。
【0021】この後は図3(C)に示すように、各溝2
5に高分子材料4を充填する。この高分子材料4は、常
温以下でガラス転移している高硬度のもの、例えばショ
ア硬度−D80程度のエポキシ樹脂とする。そして、充
填した高分子材料4は、図3(D)に示すように、振動
子2の厚みの1/2を越える(2/3〜9/10程度)
深さまで一律に削り取る(こうして形成された溝を符号
26で表す)。
【0022】ついで、図3(E)に示すように、溝26
に高分子材料3を充填する。この高分子材料3は、常温
でガラス転移していない低硬度(弾性のある、もしくは
ゲル状)のもの、例えばゴム系材料とする。その後は図
3(F)に示すように、高分子材料3と振動子2の全表
面に共通電極6を接着する。
【0023】そして、さらに図3(G)では、樹脂板2
3を剥離し、最後に図3(H)で、高分子材料4の突出
した端部4aに切欠部4bを形成した後、この切欠部4
bに一部挿入させながら、基板側電極8に接続するバン
プ27a(半田等の導電性)を形成する。そして基板7
にも基板側電極の間隔に合わせてマトリクス状に信号線
9を形成し、この信号線9の上にもバンプ27aと同様
のバンプ27bを形成する。そして、高分子材料4の端
面に接着剤層11を形成した上で、この接着剤層11と
基板7とを接着する。このときバンプ27aと27bと
が一体となって電気接続部10となる。
【0024】本実施例の2次元アレイ超音波プローブ1
においては、各振動子2および基板側電極8を互いに仕
切る高分子層4が基板側電極8よりも突出して基板7と
接合するため、基板側電極8と基板7との間に空隙19
ができ、空隙19は音響インピーダンスが極めて小さい
ため、振動子2と基板7との音響的結合の度合は小さく
なる。よって、基板7を含む背面部材による振動子2へ
の音響的影響を少なくすることができる。
【0025】また、基板7と振動子2との機械的接続
は、主に高分子層4と接着剤層11を介して行うため、
従来の電気接続部だけで機械的接続も兼ねていた場合に
比べ、飛躍的に向上する。そして、電気接続部10は機
械的接続に対する貢献を少なくできるため基板7および
基板側電極8との接触面積を縮小し、基板7の振動子2
への音響的影響を減少させることができる。なお、この
電気接続部10の接触面積の縮小は、高分子層4に切欠
部4bを形成してこの切欠部4bに一部電気接続部10
を挿入することで、一層その度合を高めることができ、
一方、振動子2間のスペース(高分子層4)も有効に利
用することができる。
【0026】さらに、振動子2間の仕切りについて、振
動子2の厚さの(1/3〜1/10)程度は低硬度の高
分子層3を充填するため、硬い材料に比べ振動子2間の
クロストーク(cross talk)を低減することができる。
他方、振動子2間の仕切りのうち、基板側における厚さ
の1/3程度は高硬度の高分子材料を用いるため、基板
7との接着による機械的強度に不安はない。
【0027】図4は、本発明の第2実施例に係る2次元
アレイ超音波プローブ40の断面図である。図1、図2
と対応する箇所には同一の符号を付して詳しい説明は省
略する。
【0028】2次元アレイ超音波プローブ40は、基板
41の信号線(信号線パッド)42に対応する位置にコ
ンタクトホール43が貫通して設けられ、信号線42は
このコンタクトホール43を介して基板41背面の信号
線パッド44まで引き出される。そして、信号線パッド
44上にはIC15が設置される。
【0029】本実施例によれば、振動子2に対応してマ
トリクス状に配置される信号線42をその直下方向に引
き出すため、基板7表面に沿って引き出す場合に比べ配
線ピッチを大きくすることができ、狭いピッチで信号線
を配置する技術的困難を回避できる。
【0030】また、信号線42は基板7の背面において
すぐIC15に接続されるため、信号線42の長さを短
くでき、信号線の電気容量成分を小さくして信号線によ
る信号レベルの損失を低減できる。
【0031】図5は本発明の第3実施例に係る2次元ア
レイ超音波プローブ50内部の斜視図、図6は2次元ア
レイ超音波プローブ50の断面図である。図1、図2と
対応する箇所には同一の符号を付して詳しい説明は省略
する。
【0032】2次元アレイ超音波プローブ50において
は、電気接続部51は基板側電極8と高分子層4の端部
4aに
【0033】
【外1】
【0034】状に跨って形成される導電性の薄膜であ
り、この電気接続部51と高分子層4は異方性導電フィ
ルム(ACF)52を介して信号線9に押し付けられ、
接着する。このとき電気接続部51はACF52に埋没
して、高分子層4もACF52に強固に接着する。よっ
て、振動子2と基板7の機械的接合強度は十分なものが
得られ、さらにACF52は、電気接続部51が埋没し
た箇所においてのみ、電気接続部51とこの直下にある
信号線9との電気的接続を媒介する。
【0035】本実施例によれば、電気接続部51は音響
インピーダンスの小さい薄膜状であるため、基板7から
振動子2への音響的影響はほとんどなくすことができ、
さらに前実施例1,2のようなバンプ同士を接合する工
程が不要なため製造プロセスも簡略化できる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の2次元ア
レイ超音波プローブによれば、基板から振動子に向かう
反射超音波の影響を遮断でき、良好な音響特性が実現さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る2次元アレイ超音波
プローブ内部の斜視図。
【図2】図1の2次元アレイ超音波プローブの断面図。
【図3】図1の2次元アレイ超音波プローブの製造工程
図。
【図4】本発明の第2実施例に係る2次元アレイ超音波
プローブの断面図。
【図5】本発明の第3実施例に係る2次元アレイ超音波
プローブ内部の斜視図。
【図6】図5の2次元アレイ超音波プローブの断面図。
【符号の説明】
2 振動子 3,4 高分子層 5 音響整合層 6 共通電極 7 基板 8 基板側電極 9 信号線 10 電気接続部 19 空隙

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 音響整合層下に共通電極を介して2次元
    的に複数の振動子を配列し、個別の振動子に共通電極に
    対向して設けられた個別電極が、基板上に形成された電
    極に電気的に接続され、さらにこれら振動子間に絶縁性
    の仕切りを配した2次元アレイ超音波プローブであっ
    て、前記仕切りは各振動子の個別電極よりも突出した突
    出部を有し、この仕切りの突出部と基板が各個別電極と
    基板の間に空隙を形成するように接合され各個別電極と
    基板側の電極は電気接続部を介して接続されることを特
    徴とする2次元アレイ超音波プローブ。
JP3293047A 1991-11-08 1991-11-08 2次元アレイ超音波プローブ Pending JPH05123317A (ja)

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