JP2011078755A - 大面積のモジュール式センサアレイ組立体および同組立体を作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサから集積回路(106)へ信号を伝えるインターポーザ内のルーティングを有するモジュール式でタイリング可能なセンサアレイ(101)。大面積のモジュール式センサアレイ組立体は、ともに結合された1つ以上のタイリング可能なモジュールを含む。タイリング可能なモジュールは、センサを形成する複数のトランスデューサセル(103)と、複数のトランスデューサセルの第1の面上に結合されたインターポーザと、インターポーザの第2の面に結合された1つ以上の集積回路とを有し、インターポーザは、複数のトランスデューサセルの集積回路への接続を形成するように構成される。
【選択図】図1
Description
101 トランスデューサ組立体
102 トランスデューサアレイ
103 トランスデューサセル
104 トランスデューササブアレイ
105 コネクタ
106 ASIC
107 相互接続構造
110 プローブユニット
119 プローブユニット回線コネクタ
120 コンソール
122 システムコントローラ
124 主ビームフォーマ
126 画像プロセッサ
127 スキャンコンバータ
129 コンソール回線コネクタ
130 マルチチャネルケーブル
140 ディスプレイ
141 対象物
142 超音波ライン
144 反射器
146 調査の領域
210 モジュール
300 トランスデューサ組立体
305 センサ
310 センサ
315 トランスデューサセル
320 高密度バンプ
325 インターポーザ
330 電気的相互接続
335 高密度バンプ
340 IC
345 IC
350 I/O接続
360 間隙
400 流れ図
410 流れ図
420 流れ図
430 流れ図
440 流れ図
500 トランスデューサ組立体
510 センサ
515 センサ
520 センサ
525 センサ
530 インターポーザ
535 バンプ
540 チップ
545 チップ
550 チップ
555 チップ
565 バンプ
570 BGA
600 トランスデューサ組立体
610 タイリング可能なモジュール
620 開口
700 タイリング可能なモジュール
705 集積化デバイス
710 インターポーザ
715 IC
805 タイリング可能なモジュール
810 タイリング可能なモジュール
815 トランスデューサアレイ
820 トランスデューサセル
825 フリップチップボール
830 トランスデューサ組立体の間隙
835 モジュールの間隙
840 インターポーザ
845 フリップチップボール
850 IC
855 BGA
860 基板
865 制御
870 記憶装置
875 撮像
880 I/O
905 タイリング可能なモジュール
910 タイリング可能なモジュール
915 コネクタ
920 ケーブル
925 マザーボード
935 BGA
1020 囲壁
1025 マザーボード
1035 ケーブル
1040 コネクタ
1105 cMUTのピッチ
1110 cMUTの中心からcMUTの縁部
1115 ダイシング/チッピングの許容差
1120 チップ縁部からチップ縁部への配置
1130 モジュールからモジュール縁部への配置
1135 チップ縁部から基板への配置
1210 溝付きcMUT
1220 間隙
1230 間隙
1240 インターポーザ
1250 ASIC
1260 間隙
1270 BGAボール
1300 テストシステム
1302 cMUTウェーハ
1305 プローブカード
1310 プローブステーション
1320 電圧バイアス
1325 ACカプラ
1330 インピーダンスアナライザ
1335 GPIB
1340 PC
1345 GPIB
1360 ウェーハマップ
Claims (15)
- 少なくとも1つのタイリング可能なモジュールであって、
少なくとも1つの溝付きセンサを形成する複数のトランスデューサセルと、
前記複数のトランスデューサセルの第1の面上に接合された有機インターポーザと、
前記インターポーザの第2の面に接合された1つまたは複数の集積回路であって、前記インターポーザが、トランスデューサセルのうちの少なくともいくつか、および集積回路のうちの少なくともいくつかへの複数の電気的相互接続を含む集積回路と、
前記インターポーザに対して実質的に垂直に延びる長さを有し、外部インターフェイスをもたらす少なくとも1つの入出力コネクタであって、前記入出力コネクタの前記長さが前記集積回路の厚さより大きい入出力コネクタと、
を備える、少なくとも1つのタイリング可能なモジュールと、
前記タイリング可能なモジュールに結合され、前記入出力コネクタに電気的に結合される基板と、
を備えることを特徴とする大面積のモジュール式センサアレイ組立体。 - 少なくとも1つの溝付きセンサをいくつかのセルが形成する複数のトランスデューサセルと、
それぞれが規定された厚さを有する1つまたは複数の集積回路と、
前記トランスデューサセルと前記集積回路との間に挟まれ、前記トランスデューサセルがインターポーザの第1の面に接合され、前記集積回路がインターポーザの第2の面に接合された、有機インターポーザであって、前記トランスデューサセルのうちの少なくともいくつかと前記集積回路のうちの少なくともいくつかとの間の複数の電気的相互接続を含む有機インターポーザと、
前記インターポーザ上で前記集積回路と同じ側に接合され、前記集積回路の前記規定された厚さより大きい長さを有する少なくとも1つの入出力コネクタであって、前記トランスデューサセルまたは前記集積回路の少なくとも1つに電気的に結合される入出力コネクタと、
前記入出力コネクタに電気的に結合された基板と、
前記基板から外部リソースへの電気的接続と、
を備えることを特徴とするトランスデューサセンサアレイ組立体。 - 溝付きセンサが、前記インターポーザの前記第1の面に結合された複数の柱を有する請求項1または2記載の組立体。
- 前記柱の先端上に堆積されたはんだバンプ付きバンプ下メタラジ(UBM)パッドをさらに備え、前記バンプ付き柱がインターポーザにはんだ付けされる請求項1または2記載の組立体。
- 前記溝付きセンサが、容量性の微細機械加工された超音波トランスデューサ(cMUT)である請求項1または2記載の組立体。
- 前記インターポーザがポリテトラフルオロエチレンから成る請求項1または2記載の組立体。
- 前記入出力コネクタがボールグリッドアレイ(BGA)のボールである請求項1または2記載の組立体。
- 各タイリング可能なモジュールが、前記インターポーザに結合された2つ以上のセンサおよび2つ以上の集積回路を備える請求項1または2記載の組立体。
- 前記インターポーザにおいて、第1のタイリング可能なモジュールが、モジュール相互接続によって第2のタイリング可能なモジュールに結合される請求項1または2記載の組立体。
- 前記基板が、タイリング可能なモジュール向けのベースをもたらし、前記入出力コネクタの少なくとも1つに結合されたマザーボードである請求項1または2記載の組立体。
- ケーブルを介してケーブルコネクタに外部リソースへのインターフェイスをもたらす基板に結合された前記ケーブルコネクタをさらに備える請求項1または2記載の組立体。
- 前記組立体が少なくとも1つの圧縮プレートを形成するように構成され、各圧縮プレートが、前記タイリング可能なモジュールの2次元トランスデューサアレイを備え、かつ乳房造影法走査用の環状の開口を有する請求項1または2記載の組立体。
- 大面積のモジュール式センサアレイ組立体を形成する方法であって、
マザーボードを設けるステップと、
1つまたは複数のタイリング可能なモジュールを前記マザーボードに結合するステップであって、前記タイリング可能なモジュールが、
複数の第1の面のバンプによってインターポーザの第1の面に複数のトランスデューサセルを接合するステップ、
複数の第2の面のバンプによって前記インターポーザの第2の面に少なくとも1つの集積回路を接合するステップ、
前記インターポーザに複数の電気的相互接続を設けることによって前記トランスデューサセルを前記集積回路に結合するステップ、および
前記インターポーザ上に入出力接続を形成するステップであって、前記入出力接続が前記集積回路の厚さより長く、それによって前記マザーボードに電気的接続をもたらすステップを含むステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記マザーボードに少なくとも1つのコネクタを結合して、少なくとも1つのケーブルを前記コネクタに結合するステップをさらに含む請求項13記載の方法。
- 1つまたは複数の外部リソースを前記マザーボードに結合するステップをさらに含む請求項13記載の方法。
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