JP2011078160A - 昇圧回路および半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 昇圧回路は、第1ノードおよび第2ノードの間に第3ノードを介して直列に接続された第1および第2キャパシタと、第4ノードおよび第5ノードの間に第6ノードを介して直列に接続された第3および第4キャパシタと、第4ノードが第1レベルに設定されているときに、第3ノードを電源線に接続する第1スイッチと、第1ノードが第1レベルに設定されているときに、第6ノードを電源線に接続する第2スイッチと、第6ノードの電荷を第2ノードに転送する第3スイッチと、第3ノードの電荷を第5ノードに転送する第4スイッチと、第2ノードを電圧線に接続する第5スイッチと、第5ノードを電圧線に接続する第6スイッチとを有する。
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- 第1ノードおよび第2ノードの間に第3ノードを介して直列に接続された第1および第2キャパシタと、
第4ノードおよび第5ノードの間に第6ノードを介して直列に接続された第3および第4キャパシタと、
前記第4ノードが第1レベルに設定されているときに、前記第3ノードを電源線に接続する第1スイッチと、
前記第1ノードが前記第1レベルに設定されているときに、前記第6ノードを前記電源線に接続する第2スイッチと、
前記第6ノードの電荷を前記第2ノードに転送する第3スイッチと、
前記第3ノードの電荷を前記第5ノードに転送する第4スイッチと、
前記第2ノードを電圧線に接続する第5スイッチと、
前記第5ノードを前記電圧線に接続する第6スイッチと、
を備えていることを特徴とする昇圧回路。 - 前記第1ノードと前記第4ノードを交互に前記第1レベルに設定するとともに、前記第1ノードを前記第1レベルに設定中に前記第4スイッチおよび前記第5スイッチをオンし、前記第4ノードを前記第1レベルに設定中に前記第3スイッチおよび前記第6スイッチをオンする昇圧制御回路を備えていることを特徴とする請求項1記載の昇圧回路。
- 前記第1スイッチは、ゲートが前記第6ノードに接続され、ソースが前記第3ノードに接続され、ドレインが前記電源線に接続された第1トランジスタを含み、
前記第2スイッチは、ゲートが前記第3ノードに接続され、ソースが前記第6ノードに接続され、ドレインが前記電源線に接続された第2トランジスタを含むこと
を特徴とする請求項1または請求項2記載の昇圧回路。 - 前記第3スイッチは、ゲートが第7ノードに接続され、ソースが前記第2ノードに接続され、ドレインが前記第6ノードに接続された第3トランジスタを含み、
前記第4スイッチは、ゲートが第8ノードに接続され、ソースが前記第5ノードに接続され、ドレインが前記第3ノードに接続された第4トランジスタを含み、
前記第3スイッチをオン/オフするために前記第3トランジスタのゲートに印加される前記第7ノードの電圧の振幅は、前記第1ノードに印加される電圧の振幅より大きく、
前記第4スイッチをオン/オフするために前記第4トランジスタのゲートに印加される前記第8ノードの電圧の振幅は、前記第4ノードに印加される電圧の振幅より大きいこと
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の昇圧回路。 - 前記第5スイッチは、ゲートが第8ノードに接続され、ソースが前記電圧線に接続され、ドレインが前記第2ノードに接続された第5トランジスタを含み、
前記第6スイッチは、ゲートが第7ノードに接続され、ソースが前記電圧線に接続され、ドレインが前記第5ノードに接続された第6トランジスタを含み、
前記第5スイッチをオン/オフするために前記第5トランジスタのゲートに印加される前記第8ノードの電圧の振幅は、前記第1ノードに印加される電圧の振幅より大きく、
前記第6スイッチをオン/オフするために前記第6トランジスタのゲートに印加される前記第7ノードの電圧の振幅は、前記第2ノードに印加される電圧の振幅より大きいこと
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の昇圧回路。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載の昇圧回路と、
前記第1ノードと前記第4ノードを交互に前記第1レベルに設定するとともに、前記第1ノードを前記第1レベルに設定中に前記第4スイッチおよび前記第5スイッチをオンし、前記第4ノードを前記第1レベルに設定中に前記第3スイッチおよび前記第6スイッチをオンする昇圧制御回路と、
制御ゲートを有するメモリセルと
を備え、
前記制御ゲートに供給される電圧は、前記昇圧回路が前記電圧線に生成する電圧を用いて生成されること
を特徴とする半導体メモリ。 - 前記メモリセルは、半導体基板上に第1絶縁膜を介して積層されたフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に第2絶縁膜を介して積層された制御ゲートとを有する不揮発性のメモリセルであり、
前記第1および第3キャパシタの各々は、前記第1絶縁膜を容量膜として用いて形成され、
前記第2および第4キャパシタの各々は、前記第2絶縁膜を容量膜として用いて形成されること
を特徴とする請求項6記載の半導体メモリ。 - 前記第1および第3キャパシタの耐圧は、前記第2および第4キャパシタの耐圧より高いこと
を特徴とする請求項6または請求項7記載の半導体メモリ。
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