JP2011078146A - チャージポンプ回路 - Google Patents
チャージポンプ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011078146A JP2011078146A JP2009223939A JP2009223939A JP2011078146A JP 2011078146 A JP2011078146 A JP 2011078146A JP 2009223939 A JP2009223939 A JP 2009223939A JP 2009223939 A JP2009223939 A JP 2009223939A JP 2011078146 A JP2011078146 A JP 2011078146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge pump
- capacitor
- node
- terminal
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 134
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 134
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】出力モードから入力モードへの第1遷移状態にあるチャージポンプ段(1−1,1−2)の寄生容量(Cp1,Cp2)に蓄積された電荷が、入力モードから出力モードへの第2遷移状態にあるチャージポンプ段の寄生容量へ移送される。すなわち、キャパシタC1,C2の充電・放電経路が遮断された状態で、各キャパシタの一方の端子(ノードN3,N4)がスイッチ(SW5,SW6)によって接続され、電圧「Vin」に充電された寄生容量からゼロボルトの寄生容量へ電荷が移送される。
【選択図】図1
Description
図5に示すチャージポンプ回路は、キャパシタC11,C12と、ダイオードD11〜D13と、スイッチSW11〜SW14を有する。
ダイオードD11,D12,D13はこの順序で導通方向を揃えて直列に接続されており、ダイオードD11のアノードが入力端子T1に接続され、ダイオードD13のカソードが出力端子T2に接続される。
キャパシタC11の一方の端子は、スイッチSW11を介して入力端子T1に接続されるとともに、スイッチSW12を介して基準電位GNDに接続され、キャパシタC11の他方の端子は、ダイオードD11のカソード及びD12のアノードに接続される。キャパシタC12の一方の端子は、スイッチSW13を介して入力端子T1に接続されるとともに、スイッチSW14を介して基準電位GNDに接続され、キャパシタC12の他方の端子は、ダイオードD12のカソード及びダイオードD13のアノードに接続される。
スイッチSW11及びSW14は制御信号φ11に応じて、スイッチSW12及びSW13は制御信号φ12に応じてそれぞれオン又はオフする。
スイッチ(SW11〜SW14)は、入力される制御信号(φ1,φ2)がハイレベルのときにオンする。制御信号φ1,φ2は周期Tpの繰り返し信号であり、ハイレベルの期間が半周期(Tp/2)より若干短く、互いの位相が180°ずれている。図6に示す制御信号φ1,φ2により、スイッチSW12及びSW13がオン、スイッチSW11及びSW14がオフする期間と、スイッチSW12及びSW13がオフ、スイッチSW11及びSW14がオンする期間とが交互に繰り返される。
この状態から、スイッチSW11がオン、スイッチSW12がオフへ変化すると、基準電位GNDに接続されていたキャパシタC11の一方の端子が電圧Vinに引き上げられる。これにより、ダイオードD11のカソードとダイオードD12のアノードには、電圧Vinに対して約2倍の電圧(2×Vin)が印加される。このとき、ダイオードD11のアノードには電圧Vinが入力されているため、ダイオードD11はオフする。また、スイッチSW13がオフ、スイッチSW14がオンしているため、キャパシタC12の一方の端子は基準電位GNDに接続されており、キャパシタC12には、ダイオードD12を介して2倍の電圧(2×Vin)が印加される。
更にこの状態から、スイッチSW13がオン、スイッチSW14がオフへ変化すると、基準電位GNDに接続されていたキャパシタC12の一方の端子が電圧Vinに引き上げられる。これにより、ダイオードD12のカソードとダイオードD13のアノードには、電圧Vinに対して約3倍の電圧(3×Vin)が印加される。このとき、ダイオードD12のアノードには電圧Vinが印加されているため、ダイオードD12はオフする。端子T2には、ダイオードD3を介して約3倍の電圧(3×Vin)が出力される。
このように、キャパシタC11からC12へ順次に電荷を汲み上げていくことにより、出力電圧Voutは入力電圧Vinに対して約3倍の電圧(3×Vin)に昇圧される。
Rout=(1/F)×(1/Cf)×(N−1) …(1)
IL=F×Cf×α×(N−1)×Vin
=(N−1)2×(1/Rout)×α×Vin …(2)
周波数Fを10[MHz]、電荷転送用キャパシタの容量Cfを10[pF]とし、半導体基板に形成されるキャパシタの典型的な比率αとして0.25(Cp=2.5[pF])を適用すると、充放電電流ILは750[μA]となる。
周波数を1万分の1(F=1[kHz])、電荷転送用キャパシタの容量を1万倍(Cf=100[nF])として、式(2)における当該2つのパラメータの寄与を前述した<半導体基板に形成する場合>と等価にする。このように条件を合わせた上で、外付けキャパシタの典型的な比率αとして0.0001(Cp=10[pF])を適用すると、充放電電流ILは300[μA]となる。
これにより、上記第1遷移状態から上記入力モードへ移行する際に放電される寄生容量の電荷の一部が、上記第2遷移状態から上記出力モードへ移行する際に充電が必要となる寄生容量へ移送されるため、上記寄生容量の無駄な充放電による損失が低減する。
上記の構成によれば、上記第1遷移状態の上記チャージポンプ段において上記所定の電圧まで充電された寄生容量から、上記第2遷移状態の上記チャージポンプ段において上記基準電位まで放電された寄生容量へ電荷が移送される。
これにより、上記第1遷移状態から上記入力モードへ移行する際に放電される寄生容量の電荷の一部が、上記第2遷移状態から上記出力モードへ移行する際に充電が必要となる寄生容量へ移送される、又は、上記入力モード若しくは上記出力モードにある上記チャージポンプ段の上記キャパシタ若しくは上記寄生容量に移送されるため、上記寄生容量の無駄な充放電による損失が低減する。
好適に、上記縦続接続されたチャージポンプ段の各々の入力ライン及び出力ラインを導通又は遮断するスイッチ部であって、上記入力モードにあるチャージポンプ段の上記入力ラインを導通させるとともに上記出力ラインを遮断し、上記出力モードにあるチャージポンプ段の上記入力ラインを遮断するとともに上記出力ラインを導通させるスイッチ部を有する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るチャージポンプ回路の構成の一例を示す図である。図1に示すチャージポンプ回路は、3倍の昇圧を行う2つのブロック10A,10Bを有する。ブロック10A、10Bは共通の制御信号φ1〜φ4に基づいて昇圧を行う。後述するように、ブロック10A,10Bの昇圧動作のタイミングは90°の位相差を有する。
チャージポンプ段1−1,1−2は、本発明のチャージポンプ段の一例である。
キャパシタC1,C2は、本発明におけるキャパシタの一例である。
スイッチSW1及びSW2を含む回路、並びに、スイッチSW3及びSW4を含む回路は、本発明の駆動部の一例である。
電荷移送部2は、本発明における電荷移送部の一例である。
ダイオードD1〜D3を含む回路は、本発明におけるスイッチ部の一例である。
ダイオードD1〜D3は、入力端子T1と出力端子T2の間において導通方向を揃えて縦続に接続される。ダイオードD1のアノードが入力端子T1に接続され、ダイオードD1のカソードとダイオードD2のアノードがノードN1に接続され、ダイオードD2のカソードとダイオードD3のアノードがノードN2に接続され、ダイオードD3のカソードが出力端子T2に接続される。
スイッチSW3及びSW4は、チャージポンプ段1−2においてキャパシタC2の一方の端子(ノードN4)を駆動する回路を構成する。スイッチSW3は、入力端子T1とノードN4の間に接続されており、制御信号φ1に応じてオン又はオフする。スイッチSW4は、ノードN4と基準電位GNDとの間に接続されており、制御信号φ3に応じてオン又はオフする。
スイッチSW5,SW6は、ノードN3とノードN4の間に接続される。スイッチSW5は制御信号φ2に応じてオン又はオフし、スイッチSW6は制御信号φ4に応じてオン又はオフする。
以下、各制御信号(φ1〜φ4)がハイレベルになる4つ期間(P1〜P4)に分けて、ブロック10Aの動作を説明する。
期間P1において、スイッチSW2及びSW3がオンし、他のスイッチがオフする。
スイッチSW2,SW3がオンすると、キャパシタC1の一方の端子(ノードN3)に基準電位GNDが入力され、キャパシタC2の一方の端子(ノードN4)に電圧Vinが入力される。キャパシタC1の電圧が「Vin」より低い場合、ダイオードD1がオンし、キャパシタC1のノードN1は電圧Vinまで上昇する(ただしダイオードD1の順電圧は無視する。以下、ダイオードD2,D3についても同じ)。これにより、キャパシタC2には、入力端子T1の電圧Vinに応じた電荷が蓄積される。すなわち、期間P1において、チャージポンプ段1−1は入力モードとなる。
期間P2において、スイッチSW5がオンし、他のスイッチがオフする。
期間P2の初期時点において、ノードN4の寄生容量Cp2は電圧Vinに充電されており、ノードN3の寄生容量Cp2はゼロボルトまで放電されている。スイッチSW1〜SW4が全てオフのため、ノードN3,N4が基準電位GNDに対して高インピーダンス状態となり、キャパシタC1,C2の充電経路及び放電経路が遮断されている。
期間P2では、寄生容量の間で電荷の移送が行われるものの、キャパシタC1,C2における充放電が生じないため、入力端子Tinからの消費電流は殆ど流れない。
期間P3において、スイッチSW1及びSW4がオンし、他のスイッチがオフする。
スイッチSW1,SW4がオンすると、キャパシタC1の一方の端子(ノードN3)に電圧Vinが入力され、キャパシタC2の一方の端子(ノードN4)に基準電位GNDが入力される。
ノードN3に電圧Vinが入力されると、ノードN1には、キャパシタC1の電圧とノードN3の電圧(Vin)とを加えた電圧が発生する。期間P1においてキャパシタC1が約「Vin」まで充電されているため、ノードN1の電圧は約「2×Vin」となる。
このとき、ノードN1の電圧が入力端子T1の電圧Vinより高くなり、ダイオードD1がオフする。また、ノードN4に基準電位GNDが入力されているため、キャパシタC2の電圧がノードN1の電圧「2×Vin」より低い場合、ダイオードD2がオンし、キャパシタC2が約「2×Vin」まで充電される。期間P3では、チャージポンプ段1−1において昇圧された電圧がチャージポンプ段1−2のキャパシタC2に入力されるため、チャージポンプ段1−1が出力モード、チャージポンプ段1−2が入力モードとなる。
期間P4において、スイッチSW6がオンし、他のスイッチがオフする。
期間P4の初期時点において、ノードN3の寄生容量Cp1は電圧Vinに充電されており、ノードN4の寄生容量Cp1はゼロボルトまで放電されている。スイッチSW1〜SW4が全てオフのため、ノードN3,N4が基準電位GNDに対して高インピーダンス状態となり、キャパシタC1,C2の充電経路及び放電経路が遮断されている。
期間P4も、期間P2と同様に、入力端子Tinからの消費電流は殆ど流れない。
昇圧段数を「N」、周波数を「F」とし、キャパシタC1,C2の容量値を「Cf」とすると、出力抵抗Routは次式で表される。
Rout=(1/F)×(1/Cf)×(N−1)/2 …(3)
IL=2×{F×Cf×α×(N−1)×(Vin/2)} …(4)
これに対し、図1に示すチャージポンプ回路において、入力電圧Vin=5[V]、昇圧段数N=7、周波数F=10[MHz]、キャパシタの容量Cf=5[pF]、比率α=0.25(Cp=2.5[pF])とすると、出力抵抗Routは式(3)により60[kΩ]となり、寄生容量の充放電電流ILは式(4)により375[μA]となる。容量Cf=5[pF]としたのは、出力抵抗Routを60[kΩ]に合わせるためである。
このように、図1に示すチャージポンプ回路は、図5に示す従来のチャージポンプ回路と実質的に同等の出力抵抗Routでありながら、寄生容量の充放電電流ILが半分になる。
このように、出力モードから入力モードへ移行するチャージポンプ段において放電される寄生容量の電荷の一部が、入力モードから出力モードへ移行するチャージポンプ段の寄生容量の充電に利用されるため、寄生容量の無駄な充放電を抑制し、電力損失を低減できる。
次に本発明の第2の実施形態について説明する。
図1に示すチャージポンプ回路では、高インピーダンスのノード(N3,N4)をスイッチ(SW5,SW6)で接続することにより電荷の移送が行われる。これに対し、本実施形態に係るチャージポンプ回路では、インダクタとスイッチを用いた回路により寄生容量の電荷の移送を行う。
インダクタL1は、本発明におけるインダクタの一例である。
ダイオードD4,D5は、本発明における第1スイッチ部の一例である。
スイッチSW7,SW8は、本発明における第2スイッチ部の一例である。
ダイオードD6は、本発明におけるダイオードの一例である。
ダイオードD7は、本発明における第3スイッチ部の一例である。
ダイオードD5は、キャパシタC2の一方の端子(ノードN4)とインダクタL1の一方の端子(ノードN5)との間の電流経路(第1電流経路)を構成する。ダイオードD5のアノードがノードN4に接続され、そのカソードがノードN5に接続される。
以下、各制御信号(φ1〜φ4)がハイレベルになる4つ期間(P1〜P4)に分けて、ブロック10Aの動作を説明する。
期間P1において、スイッチSW2及びSW3がオンし、他のスイッチがオフする。この期間におけるチャージポンプ段1−1,1−2の動作に関して、図3に示すチャージポンプ回路は図1に示すチャージポンプ回路と同じである。すなわち、チャージポンプ段1−1が入力モードとなり、チャージポンプ段1−2が出力モードとなる。期間P1において、寄生容量Cp1はゼロボルトに放電され、寄生容量Cp2は電圧Vinまで充電される。
期間P2において、スイッチSW7がオンし、他のスイッチがオフする。
スイッチSW7がオンすると、ノードN5がインダクタL1を介して基準電位GNDに接続されるため、電圧Vinに充電された寄生容量Cp2(ノードN4)にアノードが接続されているダイオードD5がオンする。このとき、ダイオードD4のアノードは、基準電位GNDに充電された寄生容量Cp1(ノードN3)に接続されているためオフのままとなる。ダイオードD5がオンすると、寄生容量Cp2に蓄積された電荷がインダクタL1に流れ、寄生容量Cp2の電圧V4Aが低下する(図4(E))。
期間P3において、スイッチSW1及びSW4がオンし、他のスイッチがオフする。
期間P2において導通していたスイッチSW7が期間P2においてオフすると、インダクタL1にはこの電流変化を打ち消す電圧が発生し、ノードN6の電圧が上昇してダイオードD7がオフからオンに変化する。ダイオードD7がオンすると、インダクタL1に流れる電流がスイッチSW1を介して寄生容量Cp1に流れる。これにより、期間P2において寄生容量Cp2からインダクタL1へ移された電気エネルギの一部が期間P3においてインダクタL1から寄生容量Cp1に移される。
期間P4において、スイッチSW8がオンし、他のスイッチがオフする。
スイッチSW8がオンすると、ノードN5がインダクタL1を介して基準電位GNDに接続されるため、電圧Vinに充電された寄生容量Cp1(ノードN3)にアノードが接続されているダイオードD4がオンする。このとき、ダイオードD5のアノードは、基準電位GNDに充電された寄生容量Cp2(ノードN4)に接続されているためオフのままとなる。ダイオードD4がオンすると、寄生容量Cp1に蓄積された電荷がインダクタL1に流れ、寄生容量Cp1の電圧V3Aが低下する(図4(E))。
すなわち、第1遷移状態にある一方のチャージポンプ段の寄生容量が電圧「Vin」に充電されているとき、この寄生容量とインダクタL1とがダイオード(D4,D5)及びスイッチ(SW7,SW8)を介して接続され、寄生容量に蓄えられた電荷がインダクタL1に流れる。これにより、インダクタL1に磁気エネルギーが蓄えられる。そして、他方のチャージポンプ段が出力モードへ移行するときにスイッチ(SW7,SW8)がオフすると、インダクタL1に蓄えられた磁気エネルギーが電流として放出され、ダイオードD7を介して入力端子T1に流れる。この電流が、当該他方のチャージポンプ段の寄生容量やキャパシタ(C1,C2)を充電する。
このように、出力モードから入力モードへ移行するチャージポンプ段において消費されてしまう寄生容量の静電エネルギーが、出力モードにおいてチャージポンプ段のキャパシタや寄生容量の充電に利用されるため、寄生容量の無駄な充放電を抑制し、電力損失を低減できる。
段数が3以上の場合、奇数段の動作モードが入力モードのとき偶数段の動作モードが出力モードになり、奇数段の動作モードが出力モードのとき偶数段の動作モードが入力モードになる。従って、この場合は、偶数段のチャージポンプ段におけるキャパシタの一方の端子を共通に駆動できるとともに、奇数段のチャージポンプ段におけるキャパシタの一方の端子を共通に駆動できる。
そして、図1と同様なチャージポンプ回路において段数を3以上にする場合には、例えば、奇数段のキャパシタに対する共通の駆動ラインと、偶数段のキャパシタに対する共通の駆動ラインとの間にスイッチSW5,SW6を設ければよい。各チャージポンプ段が遷移状態(第1遷移状態又は第2遷移状態)にあるとき、スイッチSW5又はSW6を介して2つの駆動ラインを接続することで、寄生容量の電荷を移送できる。
一方、図3と同様なチャージポンプ回路において段数3以上にする場合には、例えば、奇数段のキャパシタに対する共通の駆動ラインとノードN5との間にダイオードD4を設け、偶数段のキャパシタに対する共通の駆動ラインとノードN5との間にダイオードD5を設ければよい。これにより、第2遷移状態にあるチャージポンプ段の寄生容量からダイオードD4又はD5を介してインダクタL15に電流を流すことができる。
同様に、図3に示すチャージポンプ回路における2つのスイッチ(SW7,SW8)も1つのスイッチに置き換え可能である。
例えば、図1,図3における3つのダイオードD1〜D3をスイッチに置き換える場合、入力モードにあるチャージポンプ段の入力ラインを導通させるとともに出力ラインを遮断し、出力モードにあるチャージポンプ段の入力ラインを遮断するとともに出力ラインを導通させるように各スイッチを制御すればよい。
ダイオードD4,D5をスイッチに置き換える場合は、第1遷移状態にあるチャージポンプ段のキャパシタの駆動側端子(ノードN3,N4)とインダクタL1の一方の端子(ノードN5)との電流経路(第1電流経路)を導通させ、第1遷移状態にない他のチャージポンプ段の第1電流経路を遮断するように各スイッチを制御すればよい。
ダイオードD7をスイッチに置き換える場合は、スイッチSW7,SW8が遮断するときに導通し、スイッチSW7,SW8が導通するとき遮断するように当該スイッチを制御すればよい。なお、ダイオードD4,D5もスイッチに置き換えられている場合は、これらのスイッチの何れかが導通するとき、ダイオードD7の替わりに設けたスイッチを遮断するように制御する。
この場合、ダイオードD7の替わりに、ノードN6とノードN3の間並びにノードN6とノードN4の間の電流経路(第3電流経路)にそれぞれスイッチを設けてもよい。第2遷移状態のチャージポンプ段の寄生容量にだけインダクタL1からの電流が流れるようにこれらのスイッチを制御することで、第1遷移状態のチャージポンプ段の寄生容量から第2遷移状態のチャージポンプ段の寄生容量へ電荷を移送できる。
Claims (10)
- それぞれキャパシタを含み、入力電圧に応じた電荷を上記キャパシタに蓄積する入力モードと、上記キャパシタの電圧に所定の電圧を加えて出力する出力モードとを交互に繰り返す複数の縦続接続されたチャージポンプ段と、
上記キャパシタの一方の端子と基準電位との間の寄生容量に蓄積される電荷を移送する電荷移送部であって、上記出力モードから上記入力モードへの第1遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記寄生容量に蓄積される電荷を、上記入力モードから上記出力モードへの第2遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記寄生容量に移送する電荷移送部と
を有するチャージポンプ回路。 - 上記チャージポンプ段は、上記キャパシタの上記一方の端子を駆動する駆動部であって、上記入力モードにおいて上記一方の端子に上記基準電位を入力し、上記出力モードにおいて上記一方の端子に上記所定の電圧を入力し、上記第1遷移状態及び上記第2遷移状態において上記一方の端子を高インピーダンス状態にする駆動部を有する、
請求項1に記載のチャージポンプ回路。 - 上記電荷移送部は、上記第1遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記キャパシタの上記一方の端子と上記第2遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記キャパシタの上記一方の端子とを接続する、
請求項2に記載のチャージポンプ回路。 - 上記縦続接続されたチャージポンプ段は、奇数段の動作モードが上記入力モードのとき偶数段の動作モードが上記出力モードになり、上記奇数段の動作モードが上記出力モードのとき上記偶数段の動作モードが上記入力モードになり、
上記電荷移送部は、上記縦続接続されたチャージポンプ段が上記第1遷移状態又は上記第2遷移状態にあるとき、各々の上記チャージポンプ段に含まれる上記キャパシタの上記一方の端子を共通のノードに接続する、
請求項3に記載のチャージポンプ回路。 - それぞれキャパシタを含み、入力電圧に応じた電荷を上記キャパシタに蓄積する入力モードと、上記キャパシタの電圧に所定の電圧を加えて出力する出力モードとを交互に繰り返す複数の縦続接続されたチャージポンプ段と、
上記キャパシタの一方の端子と基準電位との間の寄生容量に蓄積される電荷を移送する電荷移送部であって、上記出力モードから上記入力モードへの第1遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記寄生容量に蓄積される電荷を、上記入力モードから上記出力モードへの第2遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記寄生容量に移送する、又は、上記入力モード若しくは上記出力モードにある上記チャージポンプ段の上記キャパシタ若しくは上記寄生容量に移送する電荷移送部と
を有するチャージポンプ回路。 - 上記電荷移送部は、
インダクタと、
上記第1遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記キャパシタの上記一方の端子と上記インダクタの一方の端子との第1電流経路を導通させ、他のチャージポンプ段の上記第1電流経路を遮断する第1スイッチ部と、
上記複数のチャージポンプ段の少なくとも一つが上記第1遷移状態のとき上記インダクタの他方の端子と上記基準電位との第2電流経路を導通させ、上記複数のチャージポンプ段の少なくとも一つが上記出力モードのとき上記第2電流経路を遮断する第2スイッチ部と、
上記インダクタから上記第2電流経路を介して流れる電流により上記寄生容量が上記基準電位まで放電された場合、上記インダクタにおいて一方向に流れる循環電流の経路を構成するダイオードと、
上記第2スイッチ部が上記第2電流経路を遮断するとき、上記インダクタから上記第2遷移状態にある上記チャージポンプ段の上記寄生容量への第3電流経路、又は、上記インダクタから上記入力モード若しくは上記出力モードにある上記チャージポンプ段の上記キャパシタ若しくは上記寄生容量への第4電流経路を導通させ、上記第1電流経路又は上記第2電流経路が導通状態にあるとき、上記第3電流経路又は上記第4電流経路を遮断する第3スイッチ部と、
を有する、
請求項5に記載のチャージポンプ回路。 - 上記キャパシタの上記一方の端子が、半導体基板に形成された不純物拡散領域である、若しくは、上記キャパシタの他方の端子に比べて上記半導体基板の近くに形成された導電体である、
請求項1乃至6の何れかに記載のチャージポンプ回路。 - 上記縦続接続されたチャージポンプ段の各々の入力ライン及び出力ラインを導通又は遮断するスイッチ部であって、上記入力モードにあるチャージポンプ段の上記入力ラインを導通させるとともに上記出力ラインを遮断し、上記出力モードにあるチャージポンプ段の上記入力ラインを遮断するとともに上記出力ラインを導通させるスイッチ部を有する、
請求項1乃至7の何れかに記載のチャージポンプ回路。 - 入力端子と第1のノードとの間に設けられた第1の整流素子と、
上記第1のノードと第2のノードとの間に設けられた第2の整流素子と、
上記第2のノードと出力端子との間に設けられた第3の整流素子と、
上記第1のノードと第3のノードとの間に設けられた第1の容量素子と、
上記第2のノードと第4のノードとの間に設けられた第2の容量素子と、
上記入力端子と上記第3のノードとの間に設けられ、第3の期間に導通状態となる第1のスイッチ回路と、
上記第3のノードと基準電位との間に設けられ、第1の期間に導通状態となる第2のスイッチ回路と、
上記入力端子と上記第4のノードとの間に設けられ、上記第1の期間に導通状態となる第3のスイッチ回路と、
上記第4のノードと基準電位との間に設けられ、上記第3の期間に導通状態となる第4のスイッチ回路と、
上記第3のノードと上記第4のノードとの間に設けられ、第2の期間及び第4の期間に導通状態となる第5のスイッチ回路と、
を含み、
上記第1の期間、上記第2の期間、上記第3の期間及び上記第4の期間が順次に繰り返される、
チャージポンプ回路。 - 請求項9に記載のチャージポンプ回路であって、
上記第5のスイッチ回路が、互いに並列に設けられた第1のスイッチ素子と第2のスイッチ素子とを含み、
上記第1のスイッチ素子が上記第2の期間に導通状態となり、上記第2のスイッチ素子が上記第4の期間に導通状態となる、
チャージポンプ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009223939A JP5487856B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | チャージポンプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009223939A JP5487856B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | チャージポンプ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011078146A true JP2011078146A (ja) | 2011-04-14 |
JP5487856B2 JP5487856B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=44021554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009223939A Active JP5487856B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | チャージポンプ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5487856B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011078160A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 昇圧回路および半導体メモリ |
KR20160057744A (ko) * | 2014-11-14 | 2016-05-24 | (주)테크레인 | 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187586A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および情報処理装置 |
-
2009
- 2009-09-29 JP JP2009223939A patent/JP5487856B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187586A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および情報処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011078160A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 昇圧回路および半導体メモリ |
KR20160057744A (ko) * | 2014-11-14 | 2016-05-24 | (주)테크레인 | 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치 |
KR101688897B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2016-12-22 | (주)테크레인 | 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5487856B2 (ja) | 2014-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4825584B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
US9806616B2 (en) | Control circuit for multiple high side switches | |
JP6685282B2 (ja) | 多相バックコンバータ回路及び方法のための共用ブートストラップキャパシタ | |
US10972004B2 (en) | Voltage converter and method for voltage conversion | |
JP5013603B2 (ja) | チャージポンプ駆動回路、及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2006333694A (ja) | ハイサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路 | |
JP6031883B2 (ja) | 半導体集積回路及び電源回路 | |
US20030011420A1 (en) | Control method of charge-pump circuit | |
US10447161B2 (en) | Inverting buck-boost power converter | |
US10775816B2 (en) | Method of forming a semiconductor device | |
JP5487856B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
US7683699B2 (en) | Charge pump | |
TWI522985B (zh) | 電荷泵浦電路 | |
JP2008253031A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP5232892B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
US20070103225A1 (en) | Charge pump circuit | |
JP5588891B2 (ja) | 圧電素子の駆動装置 | |
JP2010104140A (ja) | 電源回路 | |
JP4459634B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
US11824463B1 (en) | Multiple output voltage generator | |
JP2009027919A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP2010098915A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP2001245468A (ja) | 昇圧回路 | |
JP2010148263A (ja) | チャージポンプ回路 | |
US6801444B2 (en) | Power circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5487856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |