KR101688897B1 - 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치를 개시한 것으로, 상기 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는 시스템 제어부의 엘이디 구동 정보에 대응하여 제1 및 제2전원라인에 제1 및 제2전압을 제공하여 엘이디 매트릭스를 구동하고, 상기 제1전원라인에 상기 제1전압을 제공하여 키 매트릭스를 스캔하는 엘이디 구동 장치에 있어서, 상기 엘이디 매트릭스 및 상기 키 매트릭스의 휴지 구간(Idle Period)에 상기 엘이디 매트릭스의 기생용량을 억제하기 위한 제1 및 제2제어신호를 제공하는 제어부; 및 상기 제1 및 제2제어신호에 대응하여 상기 제1 및 제2전원라인에 상기 제2전압 및 제1전압을 제공하여 상기 기생용량에 의한 충방전경로를 억제하는 기생용량 억제부;를 포함한다..

Description

키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치{APPARATUS FOR DRIVING LIGHT EMITTING DIODE WITH KEY SCAN FUNCTION}
본 발명은 엘이디 구동 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치에 관한 것이다.
키(key)가 복수개 배치되어 있는 입력장치는, 전자 제품에 다양하게 사용되고 있다. 입력장치에 배치되어 있는 키를 사용자가 누르면 전자 제품에 특정한 명령이 입력된다.
이러한 키 입력장치는 마이크로 프로세서에서 키의 온/오프를 스캔하는 방식을 사용하고 있다. 키 스캔 방식은 스위치(Switch)나 놉(Knob) 등을 누르거나 돌리지 않고 신체의 일부(손가락 등)를 접촉하는 것만으로 소정의 전기신호가 발생하는 것을 이용한다.
상기와 같은 키 스캔 방식의 입력장치는 다양한 전자 제품에 채용되고 있고, 시스템 제어에 요구되는 키의 개수에 대응하여 k × j 배열의 키 매트릭스(matrix)를 포함할 수 있다. 키 스캔 방식은 키 매트릭스의 열(column)에 높은 전위를 인가하고 행의(row)의 전위 변화를 검출하여 키 눌림 여부를 판단하고 있다.
한편, 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는 키 매트릭스 및 엘이디 매트릭스를 포함하며, 키 매트릭스를 스캔하여 사용자의 키 눌림 여부를 판단하고, 사용자의 키 눌림 정보에 대응되는 엘이디 구동 정보를 이용하여 엘이디 매트릭스를 구동한다.
그런데, 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는 엘이디 매트릭스 내에 기생하는 기생용량(Parasitic Capacitance)에 의해 의도되지 않은 엘이디가 발광하는 경우가 발생할 수 있다.
엘이디 매트릭스 내에 존재하는 기생용량은 키 스캔 과정에서 충전될 수 있고, 충전된 기생용량에 의해 엘이디 매트릭스 내에는 충방전 경로를 형성될 수 있다.
이러한 기생용량에 의한 충반전 경로는 엘이디 구동 정보에 대응되지 않는 엘이디를 발광시킬 수 있다.
즉, 종래 기술에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는 엘이디 매트릭스 내에 기생하는 기생용량에 의해 의도되지 않은 엘이디가 발광할 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 엘이디 매트릭스 내에 기생하는 기생용량에 의한 충방전 경로를 억제하여 의도되지 않은 엘이디가 발광하는 것을 방지할 수 있는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 엘이디 매트릭스 구동과 키 매트릭스 스캔을 안정적으로 동작시킬 수 있는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는, 시스템 제어부의 엘이디 구동 정보에 대응하여 제1 및 제2전원라인에 제1 및 제2전압을 제공하여 엘이디 매트릭스를 구동하고, 상기 제1전원라인에 상기 제1전압을 제공하여 키 매트릭스를 스캔하는 엘이디 구동 장치에 있어서, 상기 엘이디 매트릭스 및 상기 키 매트릭스의 휴지 구간(Idle Period)에 상기 엘이디 매트릭스의 기생용량을 억제하기 위한 제1 및 제2제어신호를 제공하는 제어부; 및 상기 제1 및 제2제어신호에 대응하여 상기 제1 및 제2전원라인에 상기 제2전압 및 제1전압을 제공하여 상기 기생용량에 의한 충방전경로를 억제하는 기생용량 억제부;를 포함한다.
본 발명에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치는, 제1 및 제2구동신호에 대응하여 엘이디 매트릭스를 구동하는 제1 및 제2구동부; 제1 및 제2제어신호에 대응하여 엘이디 매트릭스의 기생용량에 의한 충방전경로를 억제하는 기생용량 억제부; 및 엘이디 구동 구간에 상기 제1 및 제2구동신호를 상기 제1 및 제2구동부에 제공하고, 키 스캔 구간에 상기 제1구동신호를 상기 제1구동부에 제공하며, 상기 엘이디 구동 구간 사이 및 상기 엘이디 구동 구간과 상기 키 스캔 구간 사이의 휴지 구간에 상기 제1 및 제2제어신호를 제공하는 제어부;를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 엘이디 매트릭스 내에 기생하는 기생용량에 의해 발생할 수 있는 충방전경로를 선행 충방전을 통해 억제함으로써 의도되지 않은 엘이디가 발광하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 휴지 시간에 기생용량에 의한 충방전경로를 억제하므로 엘이디 매트릭스 구동 및 키 매트릭스 스캔 동작에 영향을 주지않고 안정적으로 동작시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 엘이디 매트릭스에 채용될 8-세그먼트 및 14-세그먼트를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다. 일례로, 커먼 캐소드 타입의 엘이디 매트릭스(30)가 적용된 실시예이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치(10)는 인터페이스(13), 표시 메모리(14), 제어부(11), 클럭 발생기(16), 제1 및 제2구동부(SW1, SW2), 기생용량 억제부(SW3, SW4), 및 키 검출부(12)를 포함한다.
인터페이스(13)는 시스템 제어부(40)와 엘이디 구동 장치(10) 간에 양방향 통신이 가능하도록 지원한다. 시스템 제어부(40)는 세탁기, 냉장고, 김치 저장고, 에어컨 등의 전자제품 등의 마이컴(MCU)이 될 수 있다. 이러한 인터페이스(13)는 키 검출부(12)로부터 출력되는 키 검출신호(Key_value)를 시스템 제어부(40)에 제공하고, 시스템 제어부(40)로부터 출력되는 키 검출신호(Key_value)에 대응되는 엘이디 구동 정보를 표시 메모리부(14)에 제공한다.
표시 메모리부(14)는 인터페이스(13)를 통해 시스템 제어부(40)로부터 제공되는 엘이디 구동 정보를 저장한다.
클럭 발생기(16)는 오실레이터(15)의 발진신호에 대응하여 기준 클럭신호를 발생시켜 제어부(11)에 제공한다. 기준 클럭신호는 본 실시예를 구간별로 동작시키는데 이용될 수 있다. 일례로, 엘이디 구동 구간, 키 스캔 구간, 및 휴지 구간(Idle Period)에 이용될 수 있다.
여기서, 엘이디 구동 구간은 제어부(11)가 엘이디 구동 정보에 대응하여 엘이디 매트릭스(30)를 구동하는 구간으로 설정될 수 있고, 키 스캔 구간은 키 매트릭스(20)의 열(column)에 엘이디 매트릭스(30)를 구동했던 전원전압(VDD)을 순차적으로 인가하여 키 매트릭스(20)의 행(row)들에 나타나는 전위 변화로 키의 눌림 여부를 판단하는 구간으로 설정될 수 있으며, 휴지 구간은 엘이디 구동 구간 사이 및 엘이디 구동 구간과 키 스캔 구간 사이의 엘이디 매트릭스(30) 및 키 매트릭스(20)가 휴지하는 구간으로 설정될 수 있다.
제1 및 제2구동부(SW1,SW2)는 제어부(11)로부터 제공되는 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])에 대응하여 엘이디 매트릭스(30) 내의 엘이디 애노드 단자들과 연결된 제1전원라인(L1)에 전원전압(VDD)을 공급하고, 엘이디 캐소드 단자들과 연결된 제2전원라인(L2)에 접지전압(VSS)을 공급한다. 즉, 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)는 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])에 대응하여 엘이디 구동 전류 경로를 형성하고 엘이디 매트릭스(30)를 구동한다. 일례로, 제1구동부(SW1)는 복수개의 제1PMOS[1:n]로 구성되고, 제2구동부(SW2)는 복수개의 제1NMOS[1:m]로 구성될 수 있다.
여기서, 엘이디 매트릭스(30)가 커먼 캐소드 타입(Common Cathode Type)인 경우 제1전원라인(L1)은 엘이디 매트릭스(30) 내의 엘이디들의 애노드 단자와 연결되고, 제2전원라인(L2)은 엘이디들의 커먼 캐소드 단자와 연결될 수 있다(도 1 참고). 이때, 외부저항(RB)을 제1전원라인(L1)과 엘이디들의 애노드 단자 사이에 구비하여 엘이디 구동을 도모할 수 있다.
또한, 엘이디 매트릭스(30)가 커먼 애노드 타입(Common Anode Type)인 경우 제1전원라인(L1)은 엘이디들의 커먼 애노드 단자와 연결되고, 제2전원라인(L2)은 엘이디들의 캐소드 단자와 연결될 수 있다(도 2 참고). 이때, 외부저항(RB)을 제2전원라인(L2)과 엘이디들의 캐소드 단자 사이에 구비하여 엘이디 구동을 도모할 수 있다.
외부저항(RB)은 엘이디 매트릭스(30)를 목표한 전류로 구동하기 위한 값으로 설정될 수 있고, 엘이디 매트릭스의 각 열(column)에 구비될 수 있다.
기생용량 억제부(SW3,SW4)는 제어부(11)로부터 제공되는 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)에 대응하여 제1 및 제2전원라인(L1, L2)에 접지전압(VSS) 및 전원전압(VDD)을 공급하여 기생용량을 선행 방전 및 충전하도록 구성한다.
이러한 기생용량 억제부(SW3,SW4)는 제1제어신호(CS1)에 대응하여 제1전원라인(L1)을 접지전압(VSS)으로 선행 방전하는 선행 방전부(SW3)와, 제2제어신호(CS2)에 대응하여 제2전원라인(L2)을 전원전압으로 선행 충전하는 선행 충전부(SW4)를 포함한다.
즉, 선행 방전부(SW3)가 제1제어신호(CS1)에 대응하여 활성화되면 방전경로가 형성되어 기생용량(CP1)이 방전되고, 선행 충전부(SW4)가 제2제어신호(CS2)에 대응하여 활성화되면 충전경로가 형성되어 기생용량(CP2)이 충전된다. 일례로, 선행 방전부(SW3)는 복수개의 제2NMOS[1:n]로 구성하고, 선행 충전부(SW4)는 복수개의 제2PMOS[1:m]로 구성할 수 있다.
상기와 같은 기생용량 억제부(SW3,SW4)는 엘이디 매트릭스 구동 구간 사이 및 엘이디 매트릭스 구동 구간과 키 매트릭스 스캔 구간 사이의 휴지 구간에 활성화되는 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)에 대응하여 활성화되므로, 엘이디 매트릭스 구동 및 키 매트릭스 스캔 동작에 영향을 주지 않고, 엘이디 매트릭스(30)의 기생용량(CP1, CP2)에 의해 의도되지 않은 엘이디가 발광하는 것을 방지할 수 있다.
제어부(11)는 엘이디 구동 구간에 표시 메모리(14)에 저장된 엘이디 구동 정보에 대응되는 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)에 제공하여 엘이디 매트릭스(30)의 구동을 제어하고, 키 스캔 구간에 제1구동신호(SG[1:n])를 제1구동부(SW1)에 제공하여 키 매트릭스(20)의 스캔을 제어한다.
그리고, 제어부(11)는 엘이디 매트릭스(30) 및 키 매트릭스(20)의 휴지 구간에 엘이디 매트릭스(30)의 기생용량(CP1, CP2)을 억제하기 위한 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)를 기생용량 억제부(SW3,SW4)에 제공하도록 구성된다. 즉, 제어부(11)는 엘이디 구동 구간에 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 출력하고, 키 스캔 구간에 제1구동신호(SG[1:n])를 출력하며, 휴지 구간에 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)를 출력한다.
키 검출부(12)는 제1구동부(SW1)에 의해 전원전압(VDD)이 키 매트릭스(20)의 열(column)들에 순차 인가될 때 키 매트릭스(20)의 행(row)들에 나타나는 전위 변화로 키의 눌림 여부를 판단하고, 키 검출신호(Key_value)를 인터페이스(13)를 통해 시스템 제어부(40)에 제공한다.
시스템 제어부(40)는 키 검출신호(Key_value)를 사용자의 명령입력으로 처리하고, 키 검출신호(Key_value)에 대응되는 엘이디 구동 정보를 인터페이스(13)를 통해 표시 메모리(14)에 제공한다. 그러면, 제어부(11)는 표시 메모리(14)에 저장된 엘이디 구동 정보에 대응되는 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 제1 및 제2구동부(SW1, SW2)에 제공하여 엘이디 매트릭스(30)의 구동을 제어한다.
도 2는 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 2를 참고하면, 본 실시예에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치(10)는 인터페이스(13), 표시 메모리(14), 제어부(11), 클럭 발생기(16), 제1 및 제2구동부(SW1, SW2), 기생용량 억제부(SW3, SW4), 및 키 검출부(12)를 포함한다.
본 실시예는 커먼 애노드 타입의 엘이디 매트릭스(30)가 적용된 것으로, 도 1의 구성과 동일하다. 커먼 애노드 타입을 적용하면서 제1구동신호(GR[1:m])에 의해 그리드 단자(GRID[1:m])에 전원전압(VDD)이 공급되고, 제2구동신호(SG[1:n])에 의해 세그먼트 단자(SEG[1:n])에 접지전압(VSS)이 공급되므로, 제어부(11), 제1 및 제2구동부(SW1, SW2), 및 기생용량 억제부(SW3, SW4)의 구성만 설명하고, 중복되는 구성의 상세한 설명은 생략한다.
제어부(11)는 엘이디 구동 구간에 표시 메모리(14)에 저장된 엘이디 구동 정보에 대응되는 제1 및 제2구동신호(GR[1:m],SG[1:n])를 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)에 제공하여 엘이디 매트릭스의 구동을 제어하고, 키 스캔 구간에 제1구동신호(GR[1:m])를 제1구동부(SW1)에 제공하여 키 매트릭스(20)의 스캔을 제어한다. 그리고, 제어부(11)는 엘이디 매트릭스(30) 및 키 매트릭스(20)의 휴지 구간에 엘이디 매트릭스(30)의 기생용량(CP1, CP2)을 억제하기 위한 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)를 기생용량 억제부(SW3,SW4)에 제공하도록 구성된다.
제1 및 제2구동부(SW1,SW2)는 제어부(11)로부터 제공되는 제1 및 제2구동신호(GR[1:m],SG[1:n])에 대응하여 엘이디 매트릭스(30) 내의 커먼 애노드 단자들과 연결된 제1전원라인(L1)에 전원전압(VDD)을 공급하고, 엘이디 캐소드 단자들과 연결된 제2전원라인(L2)에 접지전압(VSS)을 공급한다. 즉, 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)는 제1 및 제2구동신호(GR[1:m],SG[1:n])에 대응되는 엘이디 구동 전류 경로를 형성하여 엘이디 매트릭스(30)를 구동한다.
기생용량 억제부(SW3,SW4)는 제어부(11)로부터 제공되는 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)에 대응하여 제1 및 제2전원라인(L1, L2)에 접지전압(VSS) 및 전원전압(VDD)을 공급하여 기생용량을 선행 방전 및 충전하도록 구성한다. 상기와 같은 기생용량 억제부(SW3,SW4)는 엘이디 매트릭스 구동 구간 사이 및 엘이디 매트릭스 구동 구간과 키 매트릭스 스캔 구간 사이의 휴지 구간에 활성화되어 엘이디 매트릭스(30)의 기생용량(CP1, CP2)에 의해 엘이디가 발광하는 것을 방지한다. 이와 같이 도 2의 실시예는 도 1의 커먼 캐소드 타입의 엘이디를 적용한 실시예와 같이 종래 기술 문제를 해결할 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 엘이디 매트릭스에 채용될 8-세그먼트 및 14-세그먼트를 도시한 도면이다. 구체적으로, 도 3의 (a)는 8-세그먼트, (b)는 커먼 캐소드 타입의 8-세그먼트, 및 (c)는 커먼 애노드 타입의 8-세그먼트를 나타낸다. 그리고, 도 4의 (a)는 14-세그먼트, (b)는 커먼 캐소드 타입의 14-세그먼트, 및 (c)는 커먼 애노드 타입의 14-세그먼트를 나타낸다.
전자제품에 적용되는 엘이디 디스플레이 패널은 세그먼트 개수에 따라 엘이디 개수가 달라지고, 패널의 구성 방식에 따라 커먼 애노드 타입 및 커먼 캐소드 타입으로 구분되는데, 본 실시예에 의한 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치(10)는 8-세그먼트 및 14-세그먼트로 이루어진 커먼 캐소드 타입 또는 커먼 애노드 타입의 엘이디 디스플레이 패널에 모두 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 5를 참고하면, 본 발명의 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치(10)는 시스템 제어부(40)로부터 엘이디 구동 정보를 수신하고, 엘이디 구동 구간에 엘이디 구동 정보에 대응하여 엘이디 매트릭스(30)를 구동하며, 키 스캔 구간에 키 스캔을 수행하며, 휴지 구간에 엘이디 매트릭스(30)의 기생용량(CP1, CP2)을 억제하도록 제어한다.
먼저, 엘이디 구동 구간에 대한 동작을 설명하면 다음과 같다. 엘이디 구동 장치(10)의 표시 메모리(14)는 인터페이스(13)를 통해 시스템 제어부(40)로부터 제공되는 엘이디 구동 정보를 저장한다.
제어부(11)는 엘이디 구동 구간에 표시 메모리(14)에 저장된 엘이디 구동 정보에 대응하여 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 생성하고, 생성한 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)에 제공한다.
제1구동부(SW1)는 제1구동신호(SG[1:n])에 대응하여 전원전압(VDD)을 제1전원라인(L1)에 전달하고, 제2구동부(SW2)는 제2구동신호(GR[1:m])에 대응하여 접지전압(VSS)을 제2전원라인(L2)에 전달한다. 일례로, 일정 시간 단위(T)로 그리드 단자(GRID[1:m])를 순차적으로 활성화시키고, 그리드 단자(GRID[1:m])의 활성화 구간별로 엘이디 구동 정보에 대응되는 제1구동신호(SG[1:n])에 따라 발광시키고자 하는 엘이디를 특정하여 온/오프를 결정한다.
그러면, 제1전원라인(L1)과 연결된 세그먼트 단자(SEG[1:n])와 제2전원라인(L2)과 연결된 그리드 단자(GRID[1:m]) 사이에 엘이디 구동 전류 경로가 형성되고, 엘이디 구동 전류 경로 형성에 의해 엘이디 구동 정보에 대응되는 엘이디가 발광한다.
여기서, 제1 및 제2구동부(SW1,SW2)의 온/오프 타이밍 동작은 오실레이터(15)의 발진신호에 대응하여 클럭 발생기(16)가 생성한 일정한 주파수(1/T)를 갖는 클럭신호에 맞추어 이루어질 수 있다.
다음으로, 키 스캔 구간에 대한 동작을 설명하면 다음과 같다.
제어부(11)는 키 스캔 구간에 제1구동신호(SG[1:n])를 제1구동부(SW1)에 제공하고, 제1구동부(SW1)는 제1구동신호(SG[1:n])에 대응하여 전원전압(VDD)을 제1전원라인(L1)을 통해 키 매트릭스(20)의 열(column)들에 순차적으로 인가한다.
이때, 키 검출부(12)는 키 매트릭스(20)의 행(row)들에 나타나는 전위 변화로 키의 눌림 여부를 판단하고, 키 검출신호(Key_value)를 인터페이스(13)를 통해 시스템 제어부(40)에 제공한다.
그러면, 시스템 제어부(40)는 키 검출신호(Key_value)를 사용자의 명령입력으로 처리하고, 키 검출신호(Key_value)에 대응되는 엘이디 구동 정보를 인터페이스(13)를 통해 표시 메모리(14)에 제공한다. 그러면, 제어부(11)는 다음 엘이디 구동 구간에 표시 메모리(14)에 저장된 엘이디 구동 정보에 대응되는 제1 및 제2구동신호(SG[1:n], GR[1:m])를 제1 및 제2구동부(SW1, SW2)에 제공하여 엘이디 매트릭스(30)의 구동을 제어한다.
다음으로, 휴지 구간에 대한 동작을 설명하면 다음과 같다.
제어부(11)는 엘이디 구동 구간 사이(① ~ ④, 도 5참고) 및 엘이디 구동 구간과 키 스캔 구간 사이(⑤, ⑥)의 휴지 구간에 제1 및 제2제어신호(CS1, CS2)를 기생용량 억제부(SW3,SW4)에 제공한다.
기생용량 억제부(SW3,SW4)의 선행 방전부(SW3)는 제어부(11)로부터 제공되는 제1제어신호(CS1)에 대응하여 제1전원라인(L1)에 접지전압(VSS)을 공급한다. 즉, 선행 방전부(SW3)는 제1제어신호(CS1)에 대응하여 활성화되면 제1전원라인(L1)과 접지전압(VSS) 사이에 형성된 방전경로에 의해 기생용량(CP1)을 선행 방전한다.
그리고, 기생용량 억제부(SW3,SW4)의 선행 충전부(SW4)는 제어부(11)로부터 제공되는 제2제어신호(CS2)에 대응하여 제2전원라인(L2)에 전원전압(VDD)을 공급한다. 즉, 선행 충전부(SW4)는 제2제어신호(CS2)에 대응하여 활성화되면 제2전원라인(L1)과 전원전압(VDD) 사이에 형성된 충전경로에 의해 기생용량(CP2)을 선행 충전한다.
상기와 같이 구동하는 기생용량 억제부(SW3,SW4)는 엘이디 구동 구간 사이 및 엘이디 구동 구간과 키 스캔 구간 사이의 휴지 구간에 활성화되어 구동한다. 따라서 엘이디 매트릭스(30) 구동과 키 매트릭스(20) 스캔 동작에 영향을 주지 않고 기생용량(CP1, CP2)에 의해 엘이디가 발광하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 엘이디 매트릭스 내에 기생하는 기생용량에 의해 발생할 수 있는 충방전경로를 선행 충방전을 통해 억제함으로써 의도되지 않은 엘이디가 발광하는 것을 방지한다.
또한, 본 발명은 휴지 구간에 기생용량에 의한 충방전경로를 억제하므로 엘이디 매트릭스 구동 및 키 매트릭스 스캔 동작에 영향을 주지않고 안정적으로 동작시킨다.
10 : 엘이디 구동 장치 11 : 제어부
12 : 키 검출부 13 : 인터페이스
14 : 표시 메모리 15 : 오실레이터
16 : 클럭 발생기 20 : 키 매트릭스
30 : 엘이디 매트릭스 40 : 시스템 제어부
SW1 : 제1구동부 SW2 : 제2구동부
SW3 : 선행 방전부 SW4 : 선행 충전부
CP1, CP2 : 기생용량

Claims (10)

  1. 시스템 제어부의 엘이디 구동 정보에 대응하여 엘이디 매트릭스를 구동하고, 키 매트릭스를 스캔하는 엘이디 구동 장치에 있어서,
    상기 엘이디 매트릭스의 구동 구간 사이의 제1휴지 구간 및 상기 엘이디 매트릭스의 상기 구동 구간과 상기 키 매트릭스의 스캔 구간 사이의 제2휴지 구간에, 상기 엘이디 매트릭스의 애노드 단자들과 연결된 제1전원라인에서 발생하는 제1기생용량에 의해 상기 제1전원라인으로부터 상기 엘이디 매트릭스, 제2전원라인 및 접지전압에 이르는 방전 경로를 억제하기 위한 제1제어신호와 상기 엘이디 매트릭스의 캐소드 단자들과 연결된 제2전원라인에서 발생하는 제2기생용량에 의해 상기 제1전원라인으로부터 상기 엘이디 매트릭스 및 상기 제2전원라인에 이르는 충전 경로를 억제하기 위한 제2제어신호를 동시에 활성화하는 제어부; 및
    상기 제1제어신호의 활성화에 대응하여 상기 제1전원라인에 접지전압을 제공하여 상기 제1기생용량의 상기 방전 경로를 억제하고, 상기 제2제어신호의 활성화에 대응하여 상기 제2전원라인에 전원전압을 제공하여 상기 제2기생용량에 대한 상기 충전 경로를 억제하는 기생용량 억제부;를 포함하고,
    상기 기생용량 억제부는,
    상기 제1제어신호의 활성화에 대응하여 상기 제1기생용량의 상기 방전 경로를 억제하기 위해 상기 제1전원라인을 상기 접지전압으로 선행 방전하는 선행 방전부; 및
    상기 제2제어신호의 활성화에 대응하여 상기 제2기생용량에 대한 상기 충전 경로를 억제하기 위해 상기 제2전원라인을 상기 전원전압으로 선행 충전하는 선행 충전부;를 포함하고,
    상기 선행 방전부와 상기 선행 충전부는 상기 제1 및 제2휴지 구간에 동시에 활성화되는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    발진신호를 생성하고 출력하는 오실레이터; 및
    상기 발진신호에 대응하여 클럭신호를 출력하는 클럭 발생기;를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 클럭신호에 대응하여 상기 제1 및 제2휴지 구간에 상기 제1 및 제2제어신호를 상기 기생용량 억제부에 제공하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 키 매트릭스의 키 눌림을 검출하고 키 검출신호를 출력하는 키 검출부; 및
    상기 키 검출신호를 상기 시스템 제어부에 전달하고, 상기 시스템 제어부로부터 제공되는 엘이디 구동 정보를 표시 메모리에 전달하는 인터페이스;
    를 더 포함하는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인터페이스를 통해 전달되는 상기 엘이디 구동 정보를 저장하고, 상기 엘이디 구동 정보를 상기 제어부에 제공하는 표시 메모리;를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 엘이디 구동 정보에 대응하여 상기 엘이디 매트릭스가 구동되도록 제어하는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
  8. 제1 및 제2구동신호에 대응하여 엘이디 매트릭스를 구동하는 제1 및 제2구동부;
    제1제어신호의 활성화에 대응하여 상기 엘이디 매트릭스의 애노드 단자들과 연결된 제1전원라인에서 발생하는 제1기생용량에 의해 상기 제1전원라인으로부터 상기 엘이디 매트릭스, 제2전원라인 및 접지전압에 이르는 방전 경로를 억제하기 위해 상기 제1전원라인을 접지전압으로 선행 방전시키는 선행 방전부;
    제2제어신호의 활성화에 대응하여 상기 엘이디 매트릭스의 캐소드 단자들과 연결된 제2전원라인에서 발생하는 제2기생용량에 의해 상기 제1전원라인으로부터 상기 엘이디 매트릭스 및 상기 제2전원라인에 이르는 충전 경로를 억제하기 위해 상기 제2전원라인을 전원전압으로 선행 충전시키는 선행 충전부; 및
    상기 엘이디 매트릭스의 구동 구간에 상기 제1 및 제2구동신호를 상기 제1 및 제2구동부에 제공하고, 키 매트릭스의 스캔 구간에 상기 제1구동신호를 상기 제1구동부에 제공하며, 상기 엘이디 매트릭스의 상기 구동 구간 사이의 제1휴지 구간 및 상기 엘이디 매트릭스의 상기 구동 구간과 상기 키 매트릭스의 상기 스캔 구간 사이의 제2휴지 구간에 상기 제1 및 제2제어신호를 동시에 활성화하는 제어부;
    를 포함하는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    발진신호를 생성하고 출력하는 오실레이터; 및
    상기 발진신호에 대응하여 클럭신호를 출력하는 클럭 발생기;를 를 더 포함하고,
    상기 엘이디 매트릭스의 상기 구동 구간, 상기 키 매트릭스의 상기 스캔 구간, 상기 제1휴지 구간 및 상기 제2휴지 구간은 상기 클럭신호에 대응되어 미리 설정된 것을 특징으로 하는 키 스캔 기능을 갖는 엘이디 구동 장치.
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