JP2011068999A - パルスrfプラズマを用いたteos酸化物の堆積 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】該方法には、TEOS酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。
【選択図】図1
Description
本実例は、本発明の間欠放電法でのTEOS酸化物を用いた二酸化シリコン膜の堆積に関する。
(1)標準プラズマクリーニング(5分)
NF3 900 sccm、TVO、1800 W、rfのみ、1600 mil。
(2)シーズニング(1分)
N2O 6000 sccm、He 100 sccm、TEOS 300 sccm、1300 mTorr、800 W、1400 mil。
(3)堆積標準TEOS酸化物処理条件に基づいて、rfパルス発電機を供給することによりプラズマを時間どおりに制御した。時間どおりのプラズマを500 msecに設定し、デューティサイクルを変化させてプラズマオフ時間を制御した。プラズマが止められたときは堆積が行われないので、膜の品質を低下させずに時間平均堆積速度を下げ得る。
(4)電力を上げる基板をサセプタに保持する静止力を放電する。H2 1000 sccm、1200 mTorr、200 W、移動して交換する。
(5)アニーリングすべてのウエハを9Torrの圧力及び1100 milの電極間隔においてN2 3000 sccmとH2 150 sccmの混合物中でアニールした。サセプタ温度を設定点±1度で制御した。
表1(下記)について説明する。膜厚を規格化(〜1500オングストローム)した酸化物膜を用いて表1のデータを得た。表1から、%デューティサイクルを制御することにより二酸化ケイ素の堆積速度を制御し得ることがわかる。例えば、基準熱酸化物膜のC-V曲線は、Vfb(フラットバンド容量)= -2.0 V、Vth(閾値電圧)= 1.465 V、Neff(有効酸化物電荷密度)= 2.477E11 cm2及びヒステリシス= 0.15 Vである。表1の追加のC-V特性により、酸化物膜の完全な状態がわかる。
表2(下記)及び図6A〜6Fについて説明する。表2及び図6A〜6Fは、変化する3つのパラメーター、即ち、電力(図6A及び図6B)、デューティサイクル(図6C及び図6D)、パルス時間(図6E及び図6F)からの応答を示すものである。実験した範囲について、低電力設定点によって最大応答(836)が得られ、続いてはデューティサイクルによって(236)が得られた。図6によって、低電力を10%のデューティサイクルでゼロに設定することにより堆積速度を165オングストローム/分に低下させ得ることが証明される。
Claims (15)
- 支持された基板とRFエネルギー源とを含むプラズマ増強化学気相成長真空チャンバを用いたテトラエトキシシラン前駆体ガスからの二酸化ケイ素膜の製造方法であって、前記方法は:
テトラエトキシシラン及び酸素の混合物を減圧下で前記プラズマ増強化学気相成長真空チャンバ内に導入して、プラズマを生成するステップと;
平均二酸化ケイ素堆積速度を下げるように所定の時間間隔で前記RFエネルギー源の電力を間欠的に減少及び増加させるステップと;
を含み、
前記間欠的に電力を供給するステップは、10パーセントと40パーセントの間のデューティサイクルで前記RFエネルギー源のパルス電力を供給するステップを含み、前記二酸化ケイ素膜は、0.1V未満のヒステリシスを有する、方法。 - 前記二酸化ケイ素膜を、500オングストローム以下の膜厚に堆積する、請求項1記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、アニールされる、請求項1記載の方法。
- プラズマ生成用に前記エネルギーを供給する前記電力源は、500ワット以下に間欠的に下げられる、請求項1記載の方法。
- 前記基板は、ガラスである、請求項1記載の方法。
- 前記エネルギーは、前記RF電力源から供給される、請求項1記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、矩形のガラス基板上に堆積される、請求項1記載の方法。
- 基板表面上に二酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって、前記方法は:
RF電力、TEOS前駆体ガスを実質的に含むプラズマ、及び酸素を用いてプラズマを生成するステップと;
前記プラズマに前記基板表面をさらすステップと;
前記プラズマのための前記RF電力でパルス電力を供給する間に、前記基板表面上に前記二酸化ケイ素膜を堆積させるステップと;
を含み、
前記パルス電力を供給するステップは、10パーセントと40パーセントの間のデューティサイクルを有し、前記二酸化ケイ素膜は、0.1V未満のヒステリシスを有する、方法。 - 前記RF電力のパルス電力の供給は、ゼロワットから1500ワットまでの前記RF電力の減少及び増加を含む、請求項8記載の方法。
- 前記RF電力のパルス電力の供給は、ゼロワットから1500ワットまでの前記RF電力の減少及び増加と、100msecから1000msecまでの一定値での前記RF電力の保持と、の繰り返しを含む、請求項8記載の方法。
- 前記RF電力のパルス電力の供給は、100msecから1000msecまでのある時間の前記RF電力の作動と、100msecから1000msecまでのある時間の前記RF電力の切断と、の繰り返しを含む、請求項8記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、500オングストローム以下の膜厚を有する、請求項8記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、300オングストローム以下の膜厚を有する、請求項8記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、200オングストローム以下の膜厚を有する、請求項8記載の方法。
- 前記二酸化ケイ素膜は、100オングストロームと500オングストロームの間の膜厚を有する、請求項8記載の方法。
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US7713592B2 (en) * | 2003-02-04 | 2010-05-11 | Tegal Corporation | Nanolayer deposition process |
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US7199061B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Pecvd silicon oxide thin film deposition |
US20070099417A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Applied Materials, Inc. | Adhesion and minimizing oxidation on electroless CO alloy films for integration with low K inter-metal dielectric and etch stop |
US8025932B2 (en) * | 2007-02-21 | 2011-09-27 | Colorado School Of Mines | Self-limiting thin film synthesis achieved by pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition |
US20090325391A1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Asm International Nv | Ozone and teos process for silicon oxide deposition |
US9496405B2 (en) * | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
TWI501307B (zh) * | 2013-07-31 | 2015-09-21 | Acm Res Shanghai Inc | Pulse electrochemical polishing method and device |
US9887277B2 (en) * | 2015-01-23 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment on metal-oxide TFT |
US10199388B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-02-05 | Applied Mateerials, Inc. | VNAND tensile thick TEOS oxide |
KR102216380B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2021-02-17 | 주식회사 원익아이피에스 | 반도체 소자의 패터닝 방법 |
CN111303638A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-06-19 | 广东思泉新材料股份有限公司 | 一种导热硅橡胶垫片的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181276A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08279505A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
JPH098030A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Sony Corp | シリコン系酸化膜の製造方法 |
JPH10144614A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-29 | Applied Materials Inc | Cvdプラズマリアクタにおける面板サーマルチョーク |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8516537D0 (en) | 1985-06-29 | 1985-07-31 | Standard Telephones Cables Ltd | Pulsed plasma apparatus |
EP0533044B1 (de) * | 1991-09-20 | 1999-12-29 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Schutzbeschichtung von Substraten sowie Beschichtungsanlage |
JPH086181B2 (ja) | 1992-11-30 | 1996-01-24 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法および化学気相成長装置 |
JPH0794421A (ja) | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Anelva Corp | アモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
US5618758A (en) | 1995-02-17 | 1997-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin semiconductor film and a plasma CVD apparatus to be used in the method |
CA2205817C (en) * | 1996-05-24 | 2004-04-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof |
-
2000
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2001
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2002
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2010
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181276A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08279505A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
JPH098030A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Sony Corp | シリコン系酸化膜の製造方法 |
JPH10144614A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-29 | Applied Materials Inc | Cvdプラズマリアクタにおける面板サーマルチョーク |
US5882411A (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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