JP2011044643A - 半導体発光素子アレイ装置、画像露光装置、画像形成装置、及び画像表示装置 - Google Patents
半導体発光素子アレイ装置、画像露光装置、画像形成装置、及び画像表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】集積基板101と、集積基板101上に備えられた複数のリムーバブル層108と、複数のリムーバブル層108上に備えられ、集積基板101の表面材料とは異なる材料から構成され、LEDを備える半導体発光素子薄膜102とを有し、複数のリムーバブル層108は、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子アレイ装置の要部の構造(配線層形成前)を概略的に示す縦断面図であり、図2は、図1の半導体発光素子アレイ装置の要部の構造を概略的に示す平面図である。なお、図1は、図2をS1−S1線で切る断面を示している。
図11は、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光素子アレイ装置の要部の構造(配線層形成前)を概略的に示す縦断面図であり、図12は、図11の半導体発光素子アレイ装置の要部の構造を概略的に示す平面図である。なお、図11は、図12をS11−S11線で切る断面を示している。
図15は、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子アレイ装置の要部の構造(配線層形成前)を概略的に示す縦断面図であり、図16は、図15の半導体発光素子アレイ装置の要部の構造を概略的に示す平面図である。なお、図15は、図16をS15−S15線で切る断面を示している。
102,202,302 半導体発光素子薄膜、
103,203,303 上側コンタクト層、
104,204,304 上側クラッド層、
105,205,305 活性層、
106,206,306 下側クラッド層、
107,207,307 下側コンタクト層、
108,208,308 リムーバブル層、
209 平坦化膜、
309 裏面電極層、
110,210 下側電極パッド、
111,211,311 上側電極接続配線、
112,212,312 下側電極接続配線、
113,213,313 層間絶縁膜。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に備えられた複数のリムーバブル層と、
前記複数のリムーバブル層上に備えられ、前記基板の表面材料とは異なる材料から構成され、半導体発光素子を備える半導体発光素子薄膜とを有し、
前記複数のリムーバブル層は、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている
ことを特徴とする半導体発光素子アレイ装置。 - 前記複数のリムーバブル層は、Al、Al2O3、SiO2、SiN、Tiの中のいずれかの材料によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子アレイ装置。
- 前記基板の表面材料は、SiO2、SiN、Tiのいずれかの材料によって形成され、
前記複数のリムーバブル層は、Al、Al2O3のいずれかの材料によって形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子アレイ装置。 - 前記基板の表面材料は、Al、Al2O3のいずれかの材料によって形成され、
前記複数のリムーバブル層は、SiO2、SiN、Tiのいずれかの材料によって形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子アレイ装置。 - 前記半導体発光素子薄膜は、前記リムーバブル層上に分子間力、水素結合、陽極接合、接着剤のいずれかにより固定されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子アレイ装置。
- 前記リムーバブル層上に備えられた平坦化層をさらに有し、
前記半導体発光素子薄膜は、前記平坦化層上に分子間力、水素結合、接着剤のいずれかにより固定されている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子アレイ装置。 - 前記リムーバブル層上に備えられた裏面電極層をさらに有し、
前記半導体発光素子薄膜は、前記裏面電極層上に分子間力、水素結合、陽極接合、接着剤のいずれかにより固定されている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子アレイ装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光素子アレイ装置を含む画像露光部を有することを特徴とする画像露光装置。
- 請求項8に記載の画像露光装置と、
前記画像露光装置によって静電潜像が形成される感光体と
を有することを特徴とする画像形成装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光素子アレイ装置を含む画像表示部を有することを特徴とする画像表示装置。
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