JP2011044641A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011044641A JP2011044641A JP2009193037A JP2009193037A JP2011044641A JP 2011044641 A JP2011044641 A JP 2011044641A JP 2009193037 A JP2009193037 A JP 2009193037A JP 2009193037 A JP2009193037 A JP 2009193037A JP 2011044641 A JP2011044641 A JP 2011044641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- doped
- electron
- electron transit
- wide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、半導体基板上に、n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの半導体からなる電子供給層と、上記電子供給層より狭い禁制帯幅を備えるナローギャップの半導体層からなる電子走行層とを設ける電界効果トランジスタであって、上記電子走行層は、不純物を含まない第1のノンドープ層、不純物を含むドープ層、不純物を含まない第2のノンドープ層の3層からなり、かつ上記電子走行層中の、不純物を含むドープ層のドーパント濃度は1×1016cm-3以上かつ1×1017cm-3未満であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、上記不純物はSnであるものとしてもよい。
図1において、電界効果トランジスタ100は、まず半絶縁性GaAs基板101上に分子線エピタキシー(MBE)法により膜厚3μmのノンドープGaAsバッファ層102を設ける。次に、MBE法にてこのバッファ層102上にエピタキシャルに膜厚100nmのIn0.4Al0.6Asからなる第1の電子供給層103を設ける。第1の電子供給層103へのドーパントは、例えば、Siであり、そのドーパント濃度は2×1018cm-3である。次に、エピタキシャルに膜厚25nmの電子走行層104を設ける。電子走行層104は、例えば、膜厚10nmのノンドープIn0.4Ga0.6As層111、膜厚5nmのドープドIn0.4Ga0.6As層112、膜厚10nmのノンドープIn0.4Ga0.6As層113の3層構造からなっている。上記ドープドIn0.4Ga0.6As層112中のドーパントは、例えばSiであり、そのドーパント濃度は、8×1016cm-3である。
101 半導体基板
102 バッファ層
103 第1の電子供給層
104 電子走行層
105 第2の電子供給層
106 n型コンタクト層
107 ソース電極
108 ドレイン電極
109 ゲート電極
110 絶縁層
111,113 ノンドープ層
112 ドープ層
Claims (4)
- 半導体基板上に、n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの半導体からなる電子供給層と、
前記電子供給層より狭い禁制帯幅を備えるナローギャップの半導体層からなる電子走行層とを設ける電界効果トランジスタであって、
前記電子走行層は、不純物を含まない第1のノンドープ層、不純物を含むドープ層、不純物を含まない第2のノンドープ層の3層からなり、
かつ前記電子走行層中の、不純物を含むドープ層のドーパント濃度は1×1016cm-3以上かつ1×1017cm-3未満であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 半導体基板上に、n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの半導体からなる第1の電子供給層と、
前記電子供給層より狭い禁制帯幅を備えるナローギャップの半導体層からなる電子走行層と、
n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの半導体からなる第2の電子供給層とを設ける電界効果トランジスタであって、
前記電子走行層は、不純物を含まない第1のノンドープ層、不純物を含むドープ層、不純物を含まない第2のノンドープ層の3層からなり、
かつ前記電子走行層中の、不純物を含むドープ層のドーパント濃度は1×1016cm-3以上かつ1×1017cm-3未満であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの電子供給層は、InAlAsであり、
前記狭い禁制帯幅を備えるナローギャップの電子走行層はInGaAsであり、前記不純物はSiであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電界効果トランジスタ。 - 前記n型の不純物がドープされ且つ広い禁制帯幅を備えるワイドギャップの電子供給層は、InAlAsであり、
前記狭い禁制帯幅を備えるナローギャップの電子走行層はInGaAsであり、前記不純物はSnであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009193037A JP2011044641A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009193037A JP2011044641A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011044641A true JP2011044641A (ja) | 2011-03-03 |
Family
ID=43831825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009193037A Pending JP2011044641A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011044641A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235054A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型半導体装置 |
JPH0645369A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JPH0786572A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2001111038A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004207471A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-08-24 JP JP2009193037A patent/JP2011044641A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235054A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型半導体装置 |
JPH0645369A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JPH0786572A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2001111038A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004207471A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101194465B1 (ko) | 실리콘 상에 버퍼층 아키텍쳐를 형성하는 방법 및 그에 의해 형성된 구조물 | |
US9991172B2 (en) | Forming arsenide-based complementary logic on a single substrate | |
US7566898B2 (en) | Buffer architecture formed on a semiconductor wafer | |
US20080169485A1 (en) | Field effect transistor device and method of producing the same | |
JP2002184972A (ja) | GaN系高移動度トランジスタ | |
US20130307022A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
US9236463B2 (en) | Compressive strained III-V complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device | |
JP2017069565A (ja) | 高電子移動度トランジスタ、及び高電子移動度トランジスタの製造方法 | |
US10727328B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP3177951B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
US8441037B2 (en) | Semiconductor device having a thin film stacked structure | |
US20210057211A1 (en) | Epitaxies of a Chemical Compound Semiconductor | |
JP2014053418A (ja) | 半導体装置 | |
JP2000349280A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体基板構造 | |
JP2009060042A (ja) | 半導体デバイス | |
KR101545393B1 (ko) | 게르마늄 캡에 의한 SiGe 표면 패시베이션 | |
JP2012248563A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JP2012256719A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2011044641A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US8575595B2 (en) | P-type semiconductor devices | |
EP3038143A1 (en) | Field effect compound semiconductor device | |
JPH02111073A (ja) | 絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその集積回路装置 | |
JP2013030604A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2006319122A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JPH09172165A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140110 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140527 |