JP2011034623A - 光ピックアップ装置および光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡素な構成にて効果的に迷光を抑制することができ、且つ、Ｉ／Ｖ変換の際のノイズによる再生ＲＦ信号の劣化を効果的に抑制可能な光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供する。
【解決手段】ディスクによって反射されたレーザ光のうち、レーザ光軸の周りに設定された４つの光束領域の光束を回折させる。光検出器の検出面には、１次回折作用による信号光（１次信号光）を受光するセンサＰ２１〜Ｐ２６と、２次回折作用による信号光（２次信号光）を受光するセンサＰ３１〜Ｐ３８が配されている。センサＰ３１〜Ｐ３８のうち対応する２つのセンサが短絡され、これらセンサから４つの検出信号が出力される。４つの検出信号は、Ｉ／Ｖアンプ３１〜３４により増幅および電圧変換され、変換後の電圧信号が加算されて再生ＲＦ信号が生成される。
【選択図】図１４

Description

本発明は、光ピックアップ装置および光ディスク装置に関するものであり、特に、複数の記録層が積層された記録媒体に対して記録／再生を行う際に用いて好適なものである。

近年、光ディスクの大容量化に伴い、記録層の多層化が進んでいる。一枚のディスク内に複数の記録層を含めることにより、ディスクのデータ容量を顕著に高めることができる。記録層を積層する場合、これまでは片面２層が一般的であったが、最近では、さらに大容量化を進めるために、片面に３層以上の記録層を配することも検討されている。ここで、記録層の積層数を増加させると、ディスクの大容量化を促進できる。しかし、その一方で、記録層間の間隔が狭くなり、層間クロストークによる信号劣化が増大する。

記録層を多層化すると、記録／再生対象とされる記録層（ターゲット記録層）からの反射光が微弱となる。このため、ターゲット記録層の上下にある記録層から、不要な反射光（迷光）が光検出器に入射すると、検出信号が劣化し、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボに悪影響を及ぼす惧れがある。したがって、このように記録層が多数配されている場合には、適正に迷光を除去して、光検出器からの信号を安定化させる必要がある。

以下の特許文献１には、ピンホールを用いて迷光を除去する技術が、特許文献２には、１／２波長板と偏光光学素子を組み合わせることにより迷光を除去する技術が、それぞれ記載されている。

特開２００６−２６０６６９号公報 特開２００６−２５２７１６号公報

上記特許文献１の技術によれば、ターゲット記録層から反射されたレーザ光（信号光）の収束位置にピンホールを正確に位置づける必要があるため、ピンホールの位置調整作業が困難であるとの課題がある。位置調整作業を容易にするためピンホールのサイズを大きくすると、迷光がピンホールを通過する割合が増加し、迷光による信号劣化を効果的に抑制できなくなる。

また、特許文献２の技術によれば、迷光を除去するために、１／２波長板と偏光光学素子が２つずつ必要である他、さらに、２つのレンズが必要であるため、部品点数とコストが増加し、また、各部材の配置調整が煩雑であるとの課題がある。また、これらの部材を並べて配置するスペースが必要となり、光学系が大型化するとの課題もある。

なお、この種の光ディスクに対して記録／再生を行う場合、光検出器から出力される電流信号に基づいて、再生ＲＦ信号の他、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号等のサーボ用の信号が生成される。光検出器は、サーボ用の信号を生成可能なように、互いに区分された複数のセンサを備えている。各センサから出力される電流信号は、Ｉ／Ｖアンプによって増幅および電圧変換される。こうして得られた電圧信号が加減算されて、再生ＲＦ信号やサーボ用の信号が生成される。

しかしながら、Ｉ／Ｖアンプでは、Ｉ／Ｖ変換の際に固有のノイズが発生する。このノイズは、各センサからの電圧信号に重畳される。このため、再生ＲＦ信号およびサーボ用の信号には、かかるノイズによる劣化が生じる。

特に、再生ＲＦ信号は、各センサからの電圧信号を全て加算して生成されるため、再生ＲＦ信号には、それぞれのＩ／Ｖアンプにて発生したノイズが全て重畳されることになる。他方、再生ＲＦ信号は、サーボ用の信号に比べて周波数が高いため、電気特性上の劣化が大きい。この劣化は、記録／再生速度の高速化が進むと、より顕著になる。このため、このように劣化し易い再生ＲＦ信号に、さらにＩ／Ｖアンプによるノイズが重畳されると、再生ＲＦ信号のＳ／Ｎはかなり低下すると想定される。再生ＲＦ信号の劣化が進むと、後段の誤り訂正回路では対応できなくなる場合がある。したがって、特に再生ＲＦ信号については、Ｉ／Ｖアンプによるノイズを抑制するための手段が必要となる。

本発明は、このような課題を解消するためになされたものであり、簡素な構成にて効果的に迷光を抑制することができ、且つ、Ｉ／Ｖ変換の際のノイズによる再生ＲＦ信号の劣化を効果的に抑制可能な光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様は、光ピックアップ装置に関する。この態様に係る光ピックアップ装置は、レーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を記録媒体上に収束させる対物レンズと、前記記録媒体によって反射された前記レーザ光に非点収差を導入して、第１の方向に前記レーザ光が収束することによって生じる第１の焦線位置と、前記第１の方向に垂直な第２の方向に前記レーザ光が収束することによって生じる第２の焦線位置とを前記レーザ光の進行方向に互いに離間させる非点収差素子と、前記記録媒体によって反射された前記レーザ光の光束を、前記第１の方向と前記第２の方向にそれぞれ平行な前記第１および第２の直線によって分割した４つの光束を回折させ、回折されたこれら４つの光束を互いに離散させる回折素子と、前記４つの光束のｍ次回折光とｎ次回折光（ｍ≠ｎ）をそれぞれ受光する第１のセンサ部と第２のセンサ部を有する光検出器とを備える。ここで、前記第１のセンサ部は、前記ｍ次回折光の４つ光束を、前記第１の直線と前記第２の直線に対してそれぞれ４５°の角度をもつ２つの直線によってさらに分割した８つの光束を受光して、８つよりも少ない数の検出信号を出力するよう構成されている。

本発明の第２の態様は、光ディスク装置に関する。この態様に係る光ディスク装置は、上記第１の態様に係る光ピックアップ装置と、前記第１のセンサ部および前記第２のセンサ部から出力される検出信号を電圧信号に変換するとともに、変換された電圧信号を演算処理する信号処理部とを備える。ここで、前記信号処理部は、前記第１のセンサ部からの検出信号に基づく前記電圧信号から再生ＲＦ信号を生成する再生信号生成部を備える。

本発明によれば、簡素な構成にて効果的に迷光を抑制することができ、且つ、Ｉ／Ｖ変換の際のノイズによる再生ＲＦ信号の劣化を効果的に抑制可能な光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供することができる。

本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明を実施する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施の形態によって何ら制限されるものではない。

実施形態に係る技術原理（光線の進み方）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（光線の進み方）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（光線の進み方）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（光線の進み方）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（分割パターンと光束の分布）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（分割パターンと光束の分布）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（分割パターンと光束の分布）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（分割パターンと光束の分布）を説明する図である。 実施形態に係る技術原理（角度付与と光束の分布）を説明する図である。 実施の形態に係るセンサパターンの配置方法を示す図である。 実施例に係る光ピックアップ装置の光学系を示す図である。 実施例に係る角度調整素子の構成について説明する図である。 実施例に係る角度調整素子のホログラムパターンについて説明する図である。 実施例に係るセンサパターンの構成を示す図である。 実施例および本発明の技術原理の好ましい適用範囲を示す図である。 変更例に係るセンサパターンの構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。

＜技術的原理＞
まず、図１ないし図１０を参照して、本実施の形態に適用される技術的原理について説明する。

図１（ａ）は、ターゲット記録層によって反射されたレーザ光（信号光）が、平行光の状態でアナモレンズ等の非点収差素子に入射されたときの信号光と迷光の収束状態を示す図である。なお、“迷光１”は、レーザ光入射面側から見てターゲット記録層よりも一つ奥側にある記録層にて反射されたレーザ光であり、“迷光２”は、ターゲット記録層よりも一つ手前にある記録層にて反射されたレーザ光である。また、同図は、信号光がターゲット記録層にフォーカス合わせされたときの状態を示している。

図示の如く、アナモレンズの作用により、図中の“曲面方向”に信号光が収束することによって面Ｓ１に焦線が生じ、さらに、この曲面方向に垂直な図中の“平面方向”に信号光が収束することによって面Ｓ２に焦線が生じる。そして、面Ｓ１と面Ｓ２の間の面Ｓ０において、信号光のスポットが最小（最小錯乱円）となる。非点収差法に基づくフォーカス調整では、面Ｓ０に光検出器の受光面が置かれる。なお、ここではアナモレンズにおける非点収差作用を簡単に説明するために、便宜上、“曲面方向”と“平面方向”と表現しているが、実際には、互いに異なる位置に焦線を結ぶ作用がアナモレンズによって生じれば良く、図１中の“平面方向”においてアナモレンズが曲率を持っていても良い。なお、アナモレンズに収束状態でレーザ光が入射する場合は、“平面方向”におけるアナモレンズの形状は直線状（曲率半径＝∞）となり得る。

なお、同図（ａ）に示す如く、迷光１の焦線位置（同図では、非点収差素子による２つの焦線位置の間の範囲を“収束範囲”と示す）は、信号光の焦線位置よりも非点収差素子に接近しており、また、迷光２の焦線位置は、信号光の焦線位置よりも非点収差素子から離れている。

図１（ｂ）〜（ｅ）は、それぞれ、平行光部分および面Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２上における信号光のビーム形状を示す図である。真円で非点収差素子に入射した信号光は、面Ｓ１上で楕円となり、面Ｓ０上で略真円となった後、面Ｓ２上にて再び楕円となる。ここで、面Ｓ１上のビーム形状と面Ｓ２上のビーム形状は、それぞれの長軸が互いに垂直の関係となっている。

ここで、同図（ａ）および（ｂ）のように、平行光部分におけるビームの外周に、反時計方向に８つの位置（位置１〜８：同図では丸囲み数字で表記）を設定すると、位置１〜８を通る光線は、非点収差素子によってそれぞれ収束作用を受ける。なお、位置４と位置８は、曲面方向に平行な直線にて平行光部分のビーム断面を２分割する場合の分割線上に位置しており、位置２と位置６は、平面方向に平行な直線にて平行光部分のビーム断面を２分割する場合の分割線上に位置している。位置１、３、５、７はそれぞれ、位置２、４、６、８によって区分される外周円弧の中間にある。

平行光部分において位置４と位置８を通る光線は、面Ｓ１で曲面方向の焦線へと収束された後に面Ｓ０へと入射する。このため、これら位置４、８を通る光線は、面Ｓ０上において、同図（ｄ）に示す位置４、８を通る。同様に、平行光部分において位置１、３、５、７を通る光線も、面Ｓ１にて曲面方向の焦線へと収束された後に面Ｓ０へと入射するため、面Ｓ０上では、同図（ｄ）に示す位置１、３、５、７を通る。これに対し、平行光部分において位置２、６を通る光線は、面Ｓ１で曲面方向の焦線へと収束されずに面Ｓ０へと入射する。このため、これら位置２、６を通る光線は、面Ｓ０上において、同図（ｄ）に示す位置２、６を通る。

図２（ｂ）〜（ｅ）は、それぞれ、平行光部分および面Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２上における迷光１のビーム形状と光線通過位置を示す図である。同図（ｂ）に示すように、迷光１の外周にも、上記信号光の場合と同様に８つの位置１〜８を設定すると、これら８つの位置１〜８を通る光線は、曲面方向の焦線および平面方向の焦線の何れかに収束された後に面Ｓ０へと入射する。このため、平行光部分において位置１〜８を通る光線は、面Ｓ０上において、それぞれ、同図（ｄ）に示す位置１〜８を通る。

図３（ｂ）〜（ｅ）は、それぞれ、平行光部分および面Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２上における迷光２のビーム形状と光線通過位置を示す図である。同図（ｂ）に示すように、迷光２の外周にも、上記信号光の場合と同様に８つの位置１〜８を設定すると、これら８つの位置１〜８を通る光線は、曲面方向の焦線と平面方向の焦線の何れへも収束されることなく面Ｓ０へと入射する。このため、平行光部分において位置１〜８を通る光線は、面Ｓ０上において、それぞれ、同図（ｄ）に示す位置１〜８を通る。

図４は、以上に説明した平行光部分および面Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２上におけるビーム形状と光線の通過位置を、信号光、迷光１および迷光２を対比して示す図である。同図中の（ｃ）の段を対比して分かるとおり、平行光部分において位置１を通過した信号光、迷光１および迷光２の光束は、それぞれ、面Ｓ０上において、互いに異なる外周位置を通過する。同様に、平行光部分において位置３，４，５，７，８を通過した信号光、迷光１および迷光２の光束も、面Ｓ０において、互いに異なる外周位置を通過する。平行光部分において位置２，６を通過した信号光と迷光２の光束は、面Ｓ０において、同じ外周位置を通過する。この場合も、平行光部分において位置２，６を通過した信号光と迷光１の光束は、面Ｓ０において、互いに異なる外周位置を通過し、また、平行光部分において位置２、６を通過した迷光１と迷光２の光束は、面Ｓ０において、互いに異なる外周位置を通過する。

次に、以上の現象を考慮して、平行光部分における信号光および迷光１、２の領域分割パターンと、面Ｓ０上における信号光および迷光１、２の照射領域との関係について検討する。

まず、図５（ａ）に示すように、平行光部分における信号光および迷光１、２を、平面方向と曲面方向に対して４５°傾いた２つの直線で分割し、４つの光束領域Ａ〜Ｄに区分したとする。なお、この分割パターンは、従来の非点収差法に基づく領域分割に対応するものである。

この場合、上述の現象により、光束領域Ａ〜Ｄの信号光は、面Ｓ０上において、同図（ｂ）のように分布する。また、光束領域Ａ〜Ｄの迷光１および迷光２は、上述の現象により、それぞれ、同図（ｃ）および（ｄ）のように分布する。

ここで、面Ｓ０上における信号光と迷光１、２を光束領域毎に取り出すと、各光の分布は、図６（ａ）ないし（ｄ）のようになる。この場合、各光束領域の信号光には、同じ光束領域の迷光１および迷光２の何れか一方が必ず重なる。このため、各光束領域の信号光を光検出器上のセンサパターンで受光すると、少なくとも、同じ光束領域における迷光１または迷光２が対応するセンサパターンに同時に入射し、これにより検出信号に劣化が生じる。

これに対し、図７（ａ）に示すように、平行光部分における信号光および迷光１、２を、平面方向と曲面方向に平行な２つの直線で分割し、４つの光束領域Ａ〜Ｄに区分したとする。この場合、上述の現象から、光束領域Ａ〜Ｄの信号光は、面Ｓ０上において、同図（ｂ）のように分布する。また、光束領域Ａ〜Ｄの迷光１および迷光２は、上述の現象により、それぞれ、同図（ｃ）および（ｄ）のように分布する。

ここで、面Ｓ０上における信号光と迷光１、２を光束領域毎に取り出すと、各光の分布は、図８（ａ）ないし（ｄ）のようになる。この場合、各光束領域の信号光には、同じ光束領域の迷光１および迷光２の何れも重ならない。このため、各光束領域内の光束（信号光、迷光１、２）を異なる方向に離散させた後に、信号光のみをセンサパターンにて受光するように構成すると、対応するセンサパターンには信号光のみが入射し、迷光の入射を抑止することができる。これにより、迷光による検出信号の劣化を回避することができる。

以上のように、信号光および迷光１、２を平面方向と曲面方向に平行な２つの直線で４つの光束領域Ａ〜Ｄに分割し、これら光束領域Ａ〜Ｄを通る光を分散させて面Ｓ０上において離間させることにより、信号光のみを取り出すことができる。本実施の形態は、この原理を基盤とするものである。

図９は、図７（ａ）に示す４つの光束領域Ａ〜Ｄを通る光束（信号光、迷光１、２）の進行方向を、それぞれ、異なる方向に、同じ角度だけ変化させたときの、面Ｓ０上における信号光と迷光１、２の分布状態を示す図である。ここでは、同図（ａ）に示すように、光束領域Ａ〜Ｄを通る光束（信号光、迷光１、２）の進行方向が、それぞれ、方向Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄに、同じ角度量α（図示せず）だけ変化している。なお、方向Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄは、平面方向と曲面方向に対して、それぞれ、４５°の傾きを持っている。

この場合、方向Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄにおける角度量αを調節することにより、Ｓ０平面上において、同図（ｂ）に示すように各光束領域の信号光と迷光１、２を分布させることができる。その結果、図示の如く、信号光のみが存在する信号光領域をＳ０平面上に設定することができる。この信号光領域に光検出器のセンサパターンを設定することにより、各領域の信号光のみを、対応するセンサパターンにて受光することができる。

図１０は、センサパターンの配置方法を説明する図である。同図（ａ）および（ｂ）は、従来の非点収差法に基づく光束の分割方法とセンサパターンを示す図であり、同図（ｃ）および（ｄ）は、上述の原理に基づく光束の分割方法とセンサパターンを示す図である。ここで、トラック方向は、平面方向および曲面方向に対して４５°の傾きを持っている。なお、同図（ａ）および（ｂ）には、説明の便宜上、光束が８つの光束領域ａ〜ｈに区分されている。また、トラック溝による回折の像（トラック像）が実線で示され、オフフォーカス時のビーム形状が点線によって示されている。

なお、トラック溝による信号光の０次回折像と一次回折像の重なり状態は、波長／（トラックピッチ×対物レンズＮＡ）で求められることが知られており、同図（ａ）、（ｂ）、（ｄ）のように、４つの光束領域ａ、ｄ、ｅ、ｈに一次回折像が収まる条件は、波長／（トラックピッチ×対物レンズＮＡ）＞√２となる。

従来の非点収差法では、光検出器のセンサＰ１〜Ｐ４（４分割センサ）が同図（ｂ）のように設定される。この場合、光束領域ａ〜ｈの光強度に基づく検出信号成分をＡ〜Ｈで表すと、フォーカスエラー信号ＦＥとプッシュプル信号ＰＰは、
ＦＥ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｅ＋Ｆ）−（Ｃ＋Ｄ＋Ｇ＋Ｈ） …（１）
ＰＰ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｇ＋Ｈ）−（Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＋Ｆ） …（２）
の演算により求まる。

これに対し、上記図９（ｂ）の分布状態では、上述の如く、信号光領域内に、図１０（ｃ）の状態で信号光が分布している。この場合、同図（ａ）に示す光束領域ａ〜ｈを通る信号光は、同図（ｄ）のようになる。すなわち、同図（ａ）の光束領域ａ〜ｈを通る信号光は、光検出器のセンサパターンが置かれる面Ｓ０上では、同図（ｄ）に示す光束領域ａ〜ｈへと導かれる。

したがって、同図（ｄ）に示す光束領域ａ〜ｈの位置に、同図（ｄ）に重ねて示す如くセンサＰ１１〜Ｐ１８を設定すれば、同図（ｂ）の場合と同様の演算処理によって、フォーカスエラー信号とプッシュプル信号を生成することができる。すなわち、この場合も、光束領域ａ〜ｈの光束を受光するセンサパターンからの検出信号をＡ〜Ｈで表すと、同図（ｂ）の場合と同様、フォーカスエラー信号ＦＥとプッシュプル信号ＰＰは、上記式（１）、（２）の演算により取得することができる。

以上のように、本原理によれば、平行光部分における信号光および迷光１、２を、図１の平面方向と曲面方向に平行な２つの直線で４つの光束領域Ａ〜Ｄに分割し、これら光束領域Ａ〜Ｄを通る光を分散させ、さらに、分散させた後の各光束領域Ａ〜Ｄにおける信号光を、２分割された受光部（２分割センサ）によって個別に受光することにより、従来の非点収差法に基づく場合と同様の演算処理にて、フォーカスエラー信号とプッシュプル信号（トラッキングエラー信号）を生成することができる。

ところで、実際の光学系では、図１０（ｄ）に示す８個のセンサから出力される検出信号は、各センサに対応するＩ／Ｖアンプに通された後、後段の回路に出力される。かかるＩ／Ｖアンプは、センサから出力される検出信号（電流信号）を電圧信号に変換し、さらに、この電圧信号を増幅させて後段の回路に出力する。

このとき、各センサに対応するＩ／Ｖアンプにおいて、固有のノイズが発生するため、Ｉ／Ｖアンプから出力される電圧信号は、このノイズによって劣化することとなる。このようなアンプノイズは、後段回路での信号生成に用いられるＩ／Ｖアンプの数に応じて増加する。例えば、図１０（ｄ）に示す８個のセンサが用いられる場合、従来の４分割センサ（４個のセンサ）に比べ、信号光の光量の総和により生成される再生ＲＦ信号に重畳されるアンプノイズに影響するＩ／Ｖアンプの数は２倍となる。このとき、Ｓ／Ｎ（信号雑音比）は３ｄＢ劣化することとなる。

かかる再生ＲＦ信号の劣化は、再生ＲＦ信号の生成に用いるＩ／Ｖアンプの個数を削減することにより抑制される。再生ＲＦ信号の劣化を抑制するための構成は、以下の実施例にて明らかにする。

＜実施例＞
以下、上記原理に基づく実施例について説明する。

図１１に、本実施例に係る光ピックアップ装置の光学系を示す。なお、同図には、便宜上、関連する回路構成が併せて図示されている。また、同図中のディスクには、複数の記録層が積層して配置されている。

図中、再生回路２０３、サーボ回路２０４およびコントローラ２０５は、光ピックアップ装置を搭載する光ディスク装置側に配される。Ｉ／Ｖアンプ部２０１は、光ピックアップ装置側に配されても良く、あるいは、光ディスク装置側に配されても良い。また、信号演算回路２０２の全部または一部が光ピックアップ装置側に配されても良く、あるいは、光ディスク装置側に配されても良い。光検出器１１３が、ＩＣ（Integrated Circuit）部を備えるＰＤＩＣによって構成される場合、Ｉ／Ｖアンプ部２０１は、光検出器１１３のＩＣ部に含まれる。この場合、信号演算回路２０２の一部が光検出器１１３のＩＣ部に含まれても良い。

図示の如く、光ピックアップ装置の光学系は、半導体レーザ１０１と、偏光ビームスプリッタ１０２と、コリメートレンズ１０３と、レンズアクチュエータ１０４と、立ち上げミラー１０５と、１／４波長板１０６と、アパーチャ１０７と、対物レンズ１０８と、ホルダ１０９と、対物レンズアクチュエータ１１０と、検出レンズ１１１と、角度調整素子１１２と、光検出器１１３を備えている。

半導体レーザ１０１は、所定波長のレーザ光を出射する。半導体レーザ１０１から出射されるレーザ光の広がり角は、水平広がり角と垂直広がり角が異なっている。

偏光ビームスプリッタ１０２は、半導体レーザ１０１から入射されるレーザ光（Ｓ偏光）を略全反射するとともに、コリメートレンズ１０３側から入射されるレーザ光（Ｐ偏光）を略全透過する。コリメートレンズ１０３は、偏光ビームスプリッタ１０２側から入射されるレーザ光を平行光に変換する。

レンズアクチュエータ１０４は、サーボ回路２０３から入力されるサーボ信号に応じてコリメートレンズ１０３を光軸方向に変位させる。これにより、レーザ光に生じる収差が補正される。立ち上げミラー１０５は、コリメートレンズ１０３側から入射されたレーザ光を対物レンズ１０８に向かう方向に反射する。

１／４波長板１０６は、ディスクへと向かうレーザ光を円偏光に変換するとともに、ディスクからの反射光をディスクへ向かう際の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。これにより、ディスクによって反射されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ１０２を透過する。

アパーチャ１０７は、対物レンズ１０８に対するレーザ光の有効径が適正となるように、レーザ光のビーム形状を円形形状に調整する。対物レンズ１０８は、レーザ光をディスク内のターゲット記録層に適正に収束できるよう設計されている。ホルダ１０９は、１／４波長板１０６と対物レンズ１０８を一体的に保持する。対物レンズアクチュエータ１１０は、従来周知の電磁駆動回路によって構成され、当該回路のうち、フォーカスコイル等のコイル部がホルダ１０９に装着されている。

検出レンズ１１１は、ディスクからの反射光に非点収差を導入する。すなわち、検出レンズ１１１は、図１の非点収差素子に相当する。検出レンズ１１１は、平面方向と曲面方向が、ディスクからのトラック像に対してそれぞれ４５°の傾きとなるよう配置される。

角度調整素子１１２は、レーザ光の入射面にホログラムパターンが形成されている。これにより、検出レンズ１１１側から入射されたレーザ光の進行方向が変化させられる。なお、角度調整素子１１２については、追って図１２を参照して説明する。

光検出器１１３は、受光面上に複数のセンサを有する。光検出器１１３は、これらセンサが図１の面Ｓ０の位置に位置づけられるように配置される。なお、光検出器１１３のセンサパターンについては、追って図１４を参照して説明する。

Ｉ／Ｖアンプ部２０１は、１０個のＩ／Ｖアンプ（図示せず）を有する。これらＩ／Ｖアンプは、光検出器１１３の受光面上のセンサから出力される検出信号を電圧信号に変換し、さらに、この電圧信号を増幅させて、信号演算回路２０２に出力する。

信号演算回路２０２は、Ｉ／Ｖアンプ部２０１から入力された電圧信号に基づく演算処理により、再生ＲＦ信号、フォーカスエラー信号、プッシュプル信号（トラッキングエラー信号）および位置ずれ信号（角度調整素子１１２と光検出器１１３の位置ずれを示す信号）を生成する。生成された再生ＲＦ信号は再生回路２０３とサーボ回路２０４に送られ、フォーカスエラー信号およびプッシュプル信号（トラッキングエラー信号）はサーボ回路２０４に送られ、位置ずれ信号はコントローラ２０５に送られる。なお、信号演算回路２０２で行われるこれらの信号の生成については、追って図１４を参照して説明する。

再生回路２０３は、信号演算回路２０２から入力された再生ＲＦ信号を復調して再生データを生成する。サーボ回路２０４は、信号演算回路２０２から入力されたフォーカスエラー信号とプッシュプル信号（トラッキングエラー信号）から、フォーカスサーボ信号とトラッキングサーボ信号を生成し、これらを対物レンズアクチュエータ１１０に出力する。また、サーボ回路２０４は、信号演算回路２０２から入力された再生ＲＦ信号の品質が最良になるよう、レンズアクチュータ１０４にサーボ信号を出力する。コントローラ２０５は、内蔵メモリに格納されたプログラムに従って各部を制御する。

図１２（ａ）は、角度調整素子１１２をディスクからの反射光の進行方向に見たときの平面図である。

角度調整素子１１２は、正方形形状の透明板にて形成され、光入射面にブレーズ型によるホログラムパターンが形成されている。光入射面は、図示の如く、４つのホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄに区分されている。これらホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄに、それぞれ、図９（ａ）の光束領域Ａ〜Ｄを通過したレーザ光（信号光、迷光１、２）が入射するよう、角度調整素子１１２が検出レンズ１１１の後段に配置される。

ホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄは、入射されたレーザ光（信号光、迷光１、２）を、それぞれ、１次回折作用により方向Ｖａ１〜Ｖｄ１に回折させ、２次回折作用により方向Ｖａ２〜Ｖｄ２に回折させる。方向Ｖａ１〜Ｖｄ１は、図９（ａ）の方向Ｄａ〜Ｄｄに一致しており、方向Ｖａ２〜Ｖｄ２もまた、図９（ａ）の方向Ｄａ〜Ｄｄに一致している。また、各領域における１次回折角は互いに同じであり、各領域における２次回折角も互いに同じとなっている。２次回折角は１次回折角よりも大きい。これにより、ホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄの１次回折作用によって、検出レンズ１１１から入射されたレーザ光（信号光、迷光１、２）は、光検出器１１３の受光面上で、図９（ｂ）のように分布する。また、ホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄの２次回折作用により、検出レンズ１１１から入射されたレーザ光（信号光、迷光１、２）は、光検出器１１３の受光面上で、図９（ｂ）よりも広がって分布する。

図１２（ｂ）は、角度調整素子１１２の回折作用による信号光の分布を示す図である。なお、図中、破線で囲まれた扇型部分は、１次回折作用による迷光１、２を示している。

図示の如く、１次回折作用による信号光（以下、「１次信号光」という）の信号光領域は、図９（ｂ）と同様である。これに対し、２次回折作用による信号光（以下、「２次信号光」という）の信号光領域は、１次信号光の信号光領域の外側に位置している。また、２次回折作用による迷光１、２（図示せず）は、２次信号光の信号光領域の外側に広がっている。

図１３（ａ）は、ブレーズ型のホログラムパターンの模式図である。ブレーズ型のホログラムパターンでは、回折効率は、ホログラムパターンのブレーズ高さＨにより調整され、回折角度は、ホログラムパターンのピッチＷにより調整される。

図１３（ｂ）は、ブレーズ型のホログラムパターンにおいて、ブレーズ高さと回折効率の関係を示す図である。角度調整素子１１２に形成されたホログラムパターンのブレーズ高さＨは、図中の“設定値”に設定されている。このとき、角度調整素子１１２の１次の回折効率は９％であり、２次の回折効率は８３％となっている。

図１４は、光検出器１１３の受光面上に配されるセンサパターンを示す図である。なお、同図には、Ｉ／Ｖアンプ部２０１内のＩ／Ｖアンプ２１〜２６、３１〜３４が、併せて示されている。

図示の如く、光検出器１１３の受光面上には、図１２（ｂ）に示した１次信号光を受光するためのセンサＰ２１〜Ｐ２６と、図１２（ｂ）に示した２次信号光を受光するためのセンサＰ３１〜Ｐ３８が配されている。なお、１次信号光と２次信号光が、それぞれセンサＰ２１〜２６とセンサＰ３１〜Ｐ３８に位置づけられるよう、ホログラムパターンのピッチＷが設定されている。

センサＰ２１は、図１０（ｄ）に示したセンサパターンのうち、センサＰ１１とＰ１２に入射するレーザ光を合わせて受光する大きさとなっている。同様に、センサＰ２６は、図１０（ｄ）に示したセンサパターンのうち、センサＰ１７とＰ１８に入射するレーザ光を合わせて受光する大きさとなっている。センサＰ３２とＰ３５、センサＰ３３とＰ３８、センサＰ３４とＰ３７、センサＰ３１とＰ３６は、それぞれ、検出信号が加算されるよう短絡されている。

センサＰ２１〜Ｐ２６から出力される６つの検出信号Ｂ０、Ｃ２、Ａ１、Ｃ１、Ａ２、Ｄ０は、それぞれ、Ｉ／Ｖアンプ部２０１内のＩ／Ｖアンプ２１〜２６に入力される。センサＰ３２とＰ３５、センサＰ３３とＰ３８、センサＰ３４とＰ３７、センサＰ３１とＰ３６から出力される４つの検出信号ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤは、それぞれ、Ｉ／Ｖアンプ部２０１内のＩ／Ｖアンプ３１〜３４に入力される。各Ｉ／Ｖアンプから出力される電圧信号は、後述する信号演算回路２０２で行われる演算に用いられる。

次に、信号演算回路２０２で行われる演算について説明する。なお、以下の式において、演算に用いられる電圧信号は、便宜上、Ｉ／Ｖアンプを通される前の電流信号を表す記号と同じ記号で表わされている。

再生ＲＦ信号と、溝外乱対応のフォーカスエラー信号ＦＥと、ＤＰＰ（Differential Push-Pull）法によるトラッキングエラー信号ＤＰＰと、光検出器１１３のＺ軸正方向の位置ずれ信号ＰＤ１とＹ軸負方向の位置ずれ信号ＰＤ２と、角度調整素子１１２のＹ軸負方向の位置ずれ信号ＨＯＥ１とＺ軸正方向の位置ずれ信号ＨＯＥ２は、以下の式により算出される。

ＲＦ＝ＭＡ＋ＭＢ＋ＭＣ＋ＭＤ
ＦＥ＝｛（ＭＡ＋ＭＣ）−（ＭＢ＋ＭＤ）｝
＋ｋ１｛（Ａ１＋Ｃ１）−（Ａ２＋Ｃ２）｝
ＤＰＰ＝｛（ＭＡ＋ＭＤ）−（ＭＢ＋ＭＣ）｝
＋ｋ２｛（Ａ１＋Ｃ２）−（Ａ２＋Ｃ１）｝
ＰＤ１＝｛（ＭＡ＋ＭＤ）−（ＭＢ＋ＭＣ）｝
／｛（ＭＡ＋ＭＤ）＋（ＭＢ＋ＭＣ）｝
ＰＤ２＝｛（ＭＡ＋ＭＢ）−（ＭＣ＋ＭＤ）｝
／｛（ＭＡ＋ＭＢ）＋（ＭＣ＋ＭＤ）｝
ＨＯＥ１＝（Ｂ０−Ｄ０）／（Ｂ０＋Ｄ０）
ＨＯＥ２＝｛（Ｃ１＋Ｃ２）−（Ａ１＋Ａ２）｝
／｛（Ｃ１＋Ｃ２）＋（Ａ１＋Ａ２）｝

なお、上記式におけるｋ１、ｋ２が調整されることにより、上記フォーカスエラー信号における溝外乱が抑制され、上記トラッキングエラー信号ＤＰＰのＤＣ成分が抑制される。なお、ｋ１の調整方法および上記ＦＥの演算により溝外乱の抑制が可能となることは、出願人が先に出願した特願２００９−０１３５９２号に記載されている。また、ｋ２の調整方法および上記ＤＰＰの演算によりＤＣ成分の抑制が可能となることは、出願人が先に出願した特願２００９−１２９６６８号に記載されている。

また、位置ずれ信号ＰＤ１、ＰＤ２の値が０になるよう光検出器１１３が位置調整され、位置ずれ信号ＨＯＥ１、ＨＯＥ２の値が０になるよう角度調整素子１１２が位置調整される。すなわち、光ピックアップ装置の製造時に、これらの信号が評価装置に送られる。そして、製造者によりこれらの信号がモニタされ、これらの信号の値が０になるように、光検出器１１３と角度調整素子１１２が位置調整される。なお、これらの信号を用いた光検出器１１３と角度調整素子１１２の位置調整方法は、出願人が先に出願した特願２００９−１７７０４６号に記載されている。

また、上記式の他、ＤＰＤ（Differential Phase Detection）法によるトラッキングエラー信号ＤＰＤも、ＭＡ〜ＭＤを用いて、従来周知の演算により算出される。

以上、本実施例によれば、ディスク内に配された記録層のうちターゲット記録層から反射された信号光と、当該ターゲット記録層の上および下の記録層から反射された迷光１、２とが、光検出器１１３の受光面（オンフォーカス時に信号光スポットが最小錯乱円になる面Ｓ０）上において、互いに重なり合うのを抑制することができる。具体的には、受光面（面Ｓ０）上における信号光と迷光１、２の分布を、図１２（ｂ）の状態にすることができる。したがって、図１２（ｂ）の１次信号光の信号光領域と２次信号光の信号光領域に、図１４に示すセンサパターンを配置することにより、センサＰ２１〜Ｐ２６、Ｐ３１〜Ｐ３８によって、対応する信号光を適正に受光することができる。このため、迷光による検出信号の劣化を抑制することができる。

なお、図１２（ｂ）を参照して分かるとおり、１次信号光の信号光領域には、迷光が重ならない。よって、図１４のセンサＰ２１〜Ｐ２６に迷光が掛かるのを回避することができる。これに対し、図１２（ｂ）に示す１次回折作用による迷光の領域は、実際には、同図に破線で示す領域よりも広がっているため、２次信号光の照射領域に１次回折作用による迷光が掛かることになる。しかし、この場合も、１次回折光の回折効率は９％程度に抑えられているため、２次信号光の強度に比べ、１次回折作用による迷光の強度は顕著に小さくなる。したがって、図１４のセンサＰ３１〜Ｐ３８からは、１次回折作用による迷光の影響を殆ど受けない信号が出力される。

加えて、本実施例によれば、図１４に示すように、１次信号光を受光するためのセンサＰ２１〜Ｐ２６から出力された検出信号が、６個のＩ／Ｖアンプ２１〜２６に入力され、２次信号光を受光するためのセンサＰ３１〜Ｐ３８から出力された検出信号が、４個のＩ／Ｖアンプ３１〜３４に入力される。こうして、各Ｉ／Ｖアンプから出力された電圧信号に基づいて、上記式の演算が行われる。こうすると、再生ＲＦ信号に用いられる検出信号ＭＡ〜ＭＤのＩ／Ｖ変換後の電圧信号には、４個のＩ／Ｖアンプによるアンプノイズしか重畳されない。よって、図１０（ｄ）に示す８個のセンサＰ１１〜Ｐ１８からの出力信号を８個のＩ／ＶアンプでＩ／Ｖ変換した電圧信号から再生ＲＦ信号を生成する場合に比べて、再生ＲＦ信号に重畳するアンプノイズが低減されるため、より精度の高い再生ＲＦ信号を得ることができる。

なお、本実施例では、図１４に示すように、図８（ｄ）のセンサＰ１１、Ｐ１２と、センサＰ１７、Ｐ１８がそれぞれ一体化されてセンサＰ２１とＰ２６とされているため、位置ずれ信号ＨＯＥ１に重畳するアンプノイズも低減される。

また、以上の効果を、ディスクによって反射されたレーザ光の光路中、すなわち、図１１の構成では検出レンズ１１１と光検出器１１３の間に、角度調整素子１１２を配置するのみで達成することができる。したがって、本実施例によれば、簡素な構成にて効果的に迷光による影響を除去することができ、かつ、信号演算に用いられる電圧信号に重畳するアンプノイズを抑制することができる。

なお、上記原理による迷光除去効果は、図１５に示すように、迷光１の平面方向の焦線位置が面Ｓ０（信号光のスポットが最小錯乱円となる面）よりも非点収差素子に接近した位置にあり、且つ、迷光２の曲面方向の焦線位置が面Ｓ０よりも非点収差素子から離れた位置にあるときに奏され得るものである。すなわち、この関係が満たされていれば、信号光と迷光１、２の分布は上記図８に示す状態となり、面Ｓ０において、信号光と迷光１、２が重なり合わないようすることができる。換言すれば、この関係が満たされる限り、たとえ、信号光の曲面方向の焦線位置よりも迷光１の平面方向の焦線位置が面Ｓ０に接近し、あるいは、信号光の平面方向の焦線位置よりも迷光２の曲面方向の焦線位置が面Ｓ０に接近したとしても、上記原理に基づく本発明ないし実施例の効果は奏され得る。

＜変更例＞
上記実施例では、ブレーズ型のホログラムパターンを有する角度調整素子１１２が用いられたが、ステップ型のホログラムパターンを有する角度調整素子１１２が用いられても良い。また、上記実施例では、光検出器１１３により１次信号光と２次信号光を受光するようにしたが、他の２つの回折次数の信号光を受光するようにしても良い。

以下に、ステップ型のホログラムパターンを有する角度調整素子１１２を用いて、０次回折作用による信号光と１次回折作用による信号光を光検出器１１３で受光する場合の構成例を示す。

図１３（ｃ）は、ステップ型のホログラムパターンの模式図である。ステップ型のホログラムパターンでは、回折効率は、ホログラムパターンのステップ数と１ステップあたりの高さＨにより調整され、回折角度は、ホログラムパターンのピッチＷにより調整される。本変更例では、４ステップ型のホログラムが用いられる。

図１３（ｄ）は、４ステップ型のホログラムにおいて、１ステップあたりの高さと回折効率の関係を示す図である。本変更例では、角度調整素子１１２の０次の回折効率が７０％であり、１次の回折効率が１５％となるよう、１ステップあたりの高さＨが“設定値１”に設定されている。また、ホログラムに入射するレーザ光に対する回折光の利用効率が低下するものの、０次の回折効率が１０％であり、１次の回折効率が７０％となるよう、１ステップあたりの高さが“設定値２”に設定されても良い。

図１６は、本変更例における光検出器１１３の受光面上に配されたセンサパターンを示す図である。同図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図１４（ｄ）において、１ステップあたりの高さＨが、“設定値１”、“設定値２”とされた場合を示す図である。なお、図１６（ａ）、（ｂ）のセンサパターンは同じであるため、以下、センサパターンについては、同図（ａ）についてのみ説明する。

同図（ａ）を参照して、光検出器１１３の受光面上には、上記実施例で示した１次信号光を受光するためのセンサＰ２１〜Ｐ２６に加えて、センサＰ２１〜Ｐ２６の内側の中央領域に、図１０（ｂ）に示した従来周知の４分割センサＰ１〜Ｐ４が配されている。センサＰ１〜Ｐ４は、０次回折作用による信号光（以下、「０次信号光」という）を受光する。なお、１次信号光の分布が、センサＰ２１〜Ｐ２６に位置づけられるよう、ホログラムパターンのピッチＷが設定されている。

センサＰ１〜Ｐ４から出力される検出信号Ｉ１〜Ｉ４は、それぞれ、Ｉ／Ｖアンプ部２０１内のＩ／Ｖアンプ（図示せず）に入力される。各Ｉ／Ｖアンプから出力される電圧信号は、信号演算回路２０２で行われる演算に用いられる。

次に、信号演算回路２０２で行われる演算について説明する。なお、以下の式において、演算に用いられる電圧信号は、便宜上、Ｉ／Ｖアンプを通される前の電流信号を表す記号と同じ記号で表わされている。

同図（ａ）のセンサパターンの再生ＲＦ信号は、以下の式により算出される。

ＲＦ＝Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３＋Ｉ４

同図（ｂ）のセンサパターンの再生ＲＦ信号は、以下の式により算出される。

ＲＦ＝Ａ１＋Ａ２＋Ｂ０＋Ｃ１＋Ｃ２＋Ｄ０

その他、同図（ａ）、（ｂ）のセンサパターンの場合に共通して、溝外乱対応のフォーカスエラー信号ＦＥと、ＤＰＰ（Differential Push-Pull）法によるトラッキングエラー信号ＤＰＰと、光検出器１１３のＺ軸正方向の位置ずれ信号ＰＤ１とＹ軸負方向の位置ずれ信号ＰＤ２と、角度調整素子１１２のＹ軸負方向の位置ずれ信号ＨＯＥ１とＺ軸正方向の位置ずれ信号ＨＯＥ２は、以下の式により算出される。

ＦＥ＝｛（Ｉ１＋Ｉ３）−（Ｉ２＋Ｉ４）｝
＋ｋ１｛（Ａ１＋Ｃ１）−（Ａ２＋Ｃ２）｝
ＤＰＰ＝｛（Ｉ１＋Ｉ４）−（Ｉ２＋Ｉ３）｝
＋ｋ２｛（Ａ１＋Ｃ２）−（Ａ２＋Ｃ１）｝
ＰＤ１＝｛（Ｉ１＋Ｉ４）−（Ｉ２＋Ｉ３）｝
／｛（Ｉ１＋Ｉ４）＋（Ｉ２＋Ｉ３）｝
ＰＤ２＝｛（Ｉ１＋Ｉ２）−（Ｉ３＋Ｉ４）｝
／｛（Ｉ１＋Ｉ２）＋（Ｉ３＋Ｉ４）｝
ＨＯＥ１＝（Ｂ０−Ｄ０）／（Ｂ０＋Ｄ０）
ＨＯＥ２＝｛（Ｃ１＋Ｃ２）−（Ａ１＋Ａ２）｝
／｛（Ｃ１＋Ｃ２）＋（Ａ１＋Ａ２）｝

なお、上記式におけるｋ１、ｋ２が調整されることにより、上記フォーカスエラー信号における溝外乱が抑制され、上記トラッキングエラー信号ＤＰＰのＤＣ成分が抑制される。

なお、ｋ１の調整方法および上記ＦＥの演算により溝外乱の抑制が可能となることは、出願人が先に出願した特願２００９−０１３５９２号に記載されている。また、ｋ２の調整方法および上記ＤＰＰの演算によりＤＣ成分の抑制が可能となることは、出願人が先に出願した特願２００９−１２９６６８号に記載されている。位置ずれ信号ＰＤ１、ＰＤ２、ＨＯＥ１、ＨＯＥ２を用いて光検出器１１３と角度調整素子１１２の位置調整が行われる（特願２００９−１７７０４６参照）。

上記式の他、ＤＰＤ（Differential Phase Detection）法によるトラッキングエラー信号ＤＰＤも、ＭＡ〜ＭＤを用いて、従来周知の演算により算出される。

以上、本変更例においても、迷光による検出信号の劣化が抑制され得る。ただし、図１６（ａ）、（ｂ）に示す２つの変更例では、何れも、０次回折作用による迷光が全てのセンサに掛かることになる。図１６（ａ）の変更例では、０次光の回折効率が高く設定されているため、迷光による影響が大きくなる。これに対し、図１６（ｂ）の変更例では、０次光の回折効率が低く設定されているため、迷光による影響は小さい。よって、これら２つの変更例では、図１６（ｂ）の変更例の方が、より精度の高い信号を得ることができる。

加えて、本変更例によれば、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、０次信号光を受光するためのセンサＰ１〜Ｐ４から出力された検出信号が、４個のＩ／Ｖアンプ入力され、１次信号光を受光するためのセンサＰ２１〜Ｐ２６から出力された検出信号が、６個のＩ／Ｖアンプに入力される。こうして、各Ｉ／Ｖアンプから出力された電圧信号に基づいて、上記式の演算が行われる。こうすると、例えば、同図（ａ）の場合の再生ＲＦ信号に用いられる検出信号Ｉ１〜Ｉ４には、４個のＩ／Ｖアンプによるアンプノイズしか重畳されない。また、同図（ｂ）の場合の再生ＲＦ信号に用いられる検出信号Ａ１、Ａ２、Ｂ０、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ０には、６個のＩ／Ｖアンプによるアンプノイズしか重畳されない。よって、図１０（ｄ）の場合に比べて、再生ＲＦ信号に重畳するアンプノイズが低減されるため、より精度の高い再生ＲＦ信号を得ることができる。

また、本変更例によれば、角度調整素子１１２のレーザ光の利用効率は、図１６（ａ）の場合８５％、図１６（ｂ）の場合８０％となり、上記実施例の利用効率９０％に比べてやや低くなる。しかしながら、角度調整素子１１２がステップ型のホログラムパターンにより形成されているため、上記実施例のブレーズ型のホログラムパターンが用いられる場合に比べ、より安価に角度調整素子１１２を作成することができる。

以上、本発明の実施例および変更例について説明したが、本発明は、上記実施例および変更例に制限されるものではなく、また、本発明の実施形態も上記以外に種々の変更が可能である。

たとえば、上記実施例および変更例では、ホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄに、レーザ光の進行方向を一定角度だけ変化させる角度付与の回折作用のみを持たせるようにしたが、角度付与の他、検出レンズ１１１による非点収差作用をも同時に発揮するホログラムパターンを、ホログラム領域１１２ａ〜１１２ｄに設定しても良い。また、角度調整素子１１２の光入射面に上記角度付与のためのホログラムパターンを形成し、非点収差作用を持たせるためのホログラムパターンを角度調整素子１１２の光出射面に持たせるようにしても良い。こうすると、検出レンズ１１１を省略することができ、部品点数とコストの削減を図ることができる。

また、上記実施例では、センサＰ２１、Ｐ２６から出力される検出信号Ｂ０、Ｄ０は、角度調整素子１１２の位置ずれ信号ＨＯＥ１、ＨＯＥ２を算出するための演算式でのみ用いられる。このため、角度調整素子１１２の位置ずれ信号が生成される必要がなければ、センサＰ２１、Ｐ２６を省略し、センサパターンを簡素にすることができる。

また、上記変更例では、上述のとおり、０次回折作用による迷光が、センサＰ１〜Ｐ４の他、センサＰ２１〜Ｐ２６にも入射する。このように、０次回折作用による迷光が入射することにより、センサＰ２１〜Ｐ２６からの検出信号の劣化が問題となる場合には、角度調整素子１１２の回折角度を大きくして、センサＰ２１〜Ｐ２６の位置をセンサＰ１〜Ｐ４の位置からさらに外側に離しても良い。こうすると、センサＰ２１〜Ｐ２６にて１次信号光を受光しながら、センサＰ２１〜Ｐ２６に入射する０次回折作用による迷光１、２の光量を低減させることができる。また、この場合、角度調整素子１１２の回折効率が調整されても良い。例えば、０次の回折効率が小さく設定されれば、センサＰ２１〜Ｐ２６に入射する０次回折作用による迷光１、２の光量を低減させることができる。

また、上記変更例では、上記の如く、ＤＰＰ法によるトラッキングエラー信号ＤＰＰが設定されたが、センサＰ１〜Ｐ４に入射する０次回折作用の迷光１、２によって、検出信号Ｉ１〜Ｉ４の劣化が問題となる場合、信号ＤＰＰは、以下の式により算出されても良い。

ＤＰＰ＝（Ｂ０−Ｄ０）＋ｋ｛（Ａ１＋Ｃ２）−（Ａ２＋Ｃ１）｝

さらに、上記変更例において、図１６（ａ）、（ｂ）に示すセンサＰ２２とＰ２３、センサＰ２４とＰ２５は、それぞれ、短絡されても良い。この場合、フォーカスエラー信号は、センサＰ１〜Ｐ４にて、図１０（ｂ）に示した従前のフォーカスエラー信号ＦＥによって算出される。こうすると、溝外乱に対応したフォーカスエラー信号を生成することができないものの、検出信号に重畳するＩ／Ｖアンプによるアンプノイズがさらに低減され得る。

また、上記実施例および変更例において、ブレーズ型のホログラムパターンにおけるブレーズ高さは、図１３（ｂ）の“設定値”に限定されるものでなく、ステップ型のホログラムパターンにおける１ステップあたりの高さは、図１３（ｄ）の“設定値１”、“設定値２”に限定されるものではない。また、ステップ型のホログラムパターンにおけるステップ数は４に限定されない。すなわち、これらホログラムパターンの設定は、光検出器１１３のセンサパターンにて信号光が受光される限り、適宜、変更可能である。

また、上記実施の形態では、再生ＲＦ信号を生成するためのセンサ群から４つまたは６つの検出信号が出力される構成を示したが、これらセンサ群から、８つよりも少ない他の数の検出信号が生成されるようにしても良い。たとえば、図１４に示す信号ＭＡと信号ＭＣが加算されるようにセンサＰ３２、Ｐ３４、Ｐ３５、Ｐ３７を短絡し、さらに、信号ＭＢと信号ＭＤが加算されるようにセンサＰ３１、Ｐ３３、Ｐ３６、Ｐ３８を短絡するようにしても良い。この場合、フォーカスエラー信号は上記実施の形態の場合と同様にして生成され、トラッキングエラー信号は、センサＰ２１〜Ｐ２６からの検出信号に基づいて生成される。こうすると、再生ＲＦ信号の生成に用いられるＩ／Ｖアンプの数を２個にすることができ、再生ＲＦ信号に対するアンプノイズの影響をさらに低減させることができる。

この他、図１４に示すセンサＰ３１〜Ｐ３８を全て短絡して、これらセンサＰ３１〜Ｐ３８から一つの検出信号が出力されるよう構成しても良い。この場合、この検出信号がＩ／Ｖ変換されて再生ＲＦ信号が生成される。ただし、この場合には、１次信号光に基づいてフォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号を生成する必要があるため、センサＰ３１〜Ｐ３８の内側には、図１０（ｄ）に示す８つのセンサを配する必要がある。また、１次信号光と２次信号光の回折効率が適宜調整される。

この他、図１６（ａ）、（ｂ）に示すセンサＰ１、Ｐ３を短絡し、さらに、センサＰ２、Ｐ４を短絡するよう構成することもできる。この場合も、フォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号を生成できるように、センサＰ１〜Ｐ４の外側には、図１０（ｄ）に示す８つのセンサが配される。

なお、上記実施例および変更例では、再生ＲＦ信号の生成に用いられる信号光の強度が回折作用により減衰される。このため、再生ＲＦ信号の振幅も、減衰がない場合に比べて低下する。しかしながら、上記実施例および変更例では、Ｉ／Ｖ変換によるノイズの方も低減されるため、このように再生ＲＦ信号の振幅が低下しても、再生ＲＦ信号の振幅に対するノイズの影響は、図１０（ｄ）のセンサパターンで図１０（ｃ）の信号光を受光する場合に比べて抑制され得る。

この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。

１０１ 半導体レーザ（レーザ光源）
１０８ 対物レンズ
１１１ 検出レンズ（非点収差素子）
１１２ 角度調整素子（回折素子）
１１３ 光検出器
Ｐ２１〜Ｐ２６ センサ（第１のセンサ部／第２のセンサ部）
Ｐ３１〜Ｐ３８ センサ（第１のセンサ部）
Ｐ１〜Ｐ４ センサ（第１のセンサ部／第２のセンサ部）
２０１ Ｉ／Ｖアンプ部（信号処理部）
２０２ 信号演算回路（信号処理部）
３１、３２、３３、３４ Ｉ／Ｖアンプ（再生信号生成部）

Claims (6)

1. レーザ光源と、
   前記レーザ光源から出射されたレーザ光を記録媒体上に収束させる対物レンズと、
   前記記録媒体によって反射された前記レーザ光に非点収差を導入して、第１の方向に前記レーザ光が収束することによって生じる第１の焦線位置と、前記第１の方向に垂直な第２の方向に前記レーザ光が収束することによって生じる第２の焦線位置とを前記レーザ光の進行方向に互いに離間させる非点収差素子と、
   前記記録媒体によって反射された前記レーザ光の光束を、前記第１の方向と前記第２の方向にそれぞれ平行な前記第１および第２の直線によって分割した４つの光束を回折させ、回折されたこれら４つの光束を互いに離散させる回折素子と、
   前記４つの光束のｍ次回折光とｎ次回折光（ｍ≠ｎ）をそれぞれ受光する第１のセンサ部と第２のセンサ部を有する光検出器と、を備え、
   前記第１のセンサ部は、前記ｍ次回折光の４つ光束を、前記第１の直線と前記第２の直線に対してそれぞれ４５°の角度をもつ２つの直線によってさらに分割した８つの光束を受光して、８つよりも少ない数の検出信号を出力するよう構成されている、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
2. 請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
   前記第１のセンサ部は、前記ｍ次回折光の４つ光束をさらに分割した前記８つの光束を受光して、４つの検出信号を出力する、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
3. 請求項２に記載の光ピックアップ装置において、
   前記第１のセンサ部は、前記８つの光束をそれぞれ個別に受光する８つのセンサを備え、これら８つのセンサのうち対応する２つが短絡されることにより、前記４つの検出信号が出力される、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
4. 請求項１ないし３の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
   前記第２のセンサ部は、０次以外の回折光を受光し、
   前記第１のセンサ部は、前記第２のセンサ部で受光される回折光と回折方向が同じで、且つ、回折角が大きい回折光を受光する、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
5. 請求項１ないし３の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
   前記第２のセンサ部は、０次の回折光を受光する４つのセンサを有し、
   前記第１のセンサ部は、１次以上の回折光を受光する、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
6. 請求項１ないし５の何れか一項に記載の光ピックアップ装置と、
   前記第１のセンサ部および前記第２のセンサ部から出力される検出信号を電圧信号に変換するとともに、変換された電圧信号を演算処理する信号処理部とを備え、
   前記信号処理部は、前記第１のセンサ部からの検出信号に基づく前記電圧信号から再生ＲＦ信号を生成する再生信号生成部を備える、
   ことを特徴とする光ディスク装置。

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