JP2011029561A - 複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1及び第2プラズマアッシング装置1,2は、それぞれマイクロ波発振器25から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器26を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。
【選択図】図1
Description
図1は、プラズマアッシング装置システムの概略構成図を示す。プラズマアッシング装置システムは、プラズマ処理装置としての第1プラズマアッシング装置1と第2プラズマアッシング装置2を有している。
第1及び第2プラズマアッシング装置1,2における主導波管21の分岐導波管23との分岐部分には、それぞれ分配器26が設けられている。
チャンバ11の天板11b下側であって第1導出路17及び第2導出路20と対向する位置に拡散板30が配置されている。拡散板30は、アルミ(Al)製よりなり、間隔保持部材31を介して天板11bに対して連結固定されている。拡散板30は、図3に示すように、多数の導通孔32が等間隔に配置形成され、第1導出路17及び第2導出路20から導出されたプラズマを分散させて各導通孔32から導出させるようにして、プラズマが半導体基板Wの全表面に均一に曝されるようにしている。そして、ステージSTに載置された半導体基板Wは、その表面に形成されたレジスト膜がプラズマにてアッシングされる。
(A)
処理中:第1プラズマアッシング装置1
休止中:第2プラズマアッシング装置2
いま、先に、第1プラズマアッシング装置1が、チャンバ11のステージSTに載置されている半導体基板Wのアッシングを行っている状態(処理中)にあり、一方、第2プラズマアッシング装置2が、チャンバ11のステージSTの半導体基板Wをアッシング処理していない状態(休止中)にある。
(B)
処理中:第1プラズマアッシング装置1
処理中:第2プラズマアッシング装置2
やがて、休止中の第2プラズマアッシング装置2において、ステージSTに新たな半導体基板Wが載置され、該半導体基板Wのアッシング処理のための準備が終了すると、第2プラズマアッシング装置2は、分配器26が主導波管21側に切換制御される。これによって、第2プラズマアッシング装置2のマイクロ波発振器25からのマイクロ波は、主導波管21を介して第2プラズマアッシング装置2のメインプラズマ生成室S1に導入される。一方、第2プラズマアッシング装置2の分配器26が主導波管21側に切換制御されることによって、第1プラズマアッシング装置1のサブプラズマ生成室S2には、マイクロ波の導入が遮断されて、サブプラズマ生成室S2においてプラズマが生成されなくなる。
(C)
休止中:第1プラズマアッシング装置1
処理中:第2プラズマアッシング装置2
やがて、第1プラズマアッシング装置1が、処理中の半導体基板Wのアッシングが完了して、新たな半導体基板Wと交換し新たな半導体基板Wのアッシング処理を行うために休止すると、第1プラズマアッシング装置1は、分配器26が分岐導波管23側に切換制御される。これによって、第1プラズマアッシング装置1のマイクロ波発振器25からのマイクロ波は、分岐導波管23を介して第2プラズマアッシング装置2のサブプラズマ生成室S2に導入される。
(D)
処理中:第1プラズマアッシング装置1
処理中:第2プラズマアッシング装置2
やがて、第1プラズマアッシング装置1において交換作業が終了すると、第1プラズマアッシング装置1は、分配器26が主導波管21側に切換制御される。これによって、第1プラズマアッシング装置1のマイクロ波発振器25からのマイクロ波は、主導波管21を介して第1プラズマアッシング装置1のメインプラズマ生成室S1に導入される。一方、第1プラズマアッシング装置1の分配器26が主導波管21側に切換制御されることによって、第2プラズマアッシング装置2のサブプラズマ生成室S2には、マイクロ波の導入が遮断されて、サブプラズマ生成室S2においてプラズマが生成されなくなる。
(E)
処理中:第1プラズマアッシング装置1
休止中:第2プラズマアッシング装置2
やがて、第2プラズマアッシング装置2が、処理中の半導体基板Wのアッシングが完了して、新たな半導体基板Wと交換し新たな半導体基板Wのアッシング処理を行うために休止すると、第2プラズマアッシング装置2は、分配器26が分岐導波管23側に切換制御される。これによって、第2プラズマアッシング装置2のマイクロ波発振器25からのマイクロ波は、分岐導波管23を介して第1プラズマアッシング装置1のサブプラズマ生成室S2に導入される。
(1)本実施形態によれば、第1及び第2プラズマアッシング装置1,2のマイクロ波発振器25から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、他のアッシング装置に供給して、第1及び第2プラズマアッシング装置1,2において半導体基板Wのアッシング処理行うようにした。
(2)本実施形態によれば、第1及び第2プラズマアッシング装置1,2において、他のアッシング装置が処理中のときには、自身のマイクロ波発振器25からのマイクロ波に基づいて生成されたプラズマに、その他のアッシング処理装置からのマイクロ波に基づいて生成したプラズマを加えて半導体基板Wのアッシングを行うため、そのアッシング処理能力が向上しアッシング処理時間を短縮することができ、生産効率を向上させることができる。
・上記実施形態では、第1及び第2プラズマアッシング装置1,2の2つプラズマアッシング装置システムに具体化したが、3つ以上のプラズマアッシング装置からなるシステムに応用してもよい。
Claims (5)
- プラズマ生成室に、導波管を介してマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入し、プラズマ形成用ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマ生成室で生成したプラズマを、チャンバ内に配置した加工用基板に曝してプラズマ処理する複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法であって、
複数のプラズマ処理装置の中でプラズマ処理を休止するプラズマ処理装置が生じた時、その休止するプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を、プラズマ処理中のプラズマ処理装置に導入させて、プラズマ処理中のプラズマ処理装置において新たなプラズマを生成することを特徴とする複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法。 - 請求項1に記載の複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法において、
前記各プラズマ処理装置に設けたプラズマ生成室は、
自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、
他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室と
からなることを特徴とする複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法。 - プラズマ生成室にプラズマ形成用ガス及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、その生成したプラズマにてステージに載置した加工用基板の表面をプラズマ処理するチャンバと、
前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、
前記マイクロ波発振器からマイクロ波を伝搬し、前記プラズマ生成室に設けたメインマイクロ波透過窓を介して前記プラズマ生成室に前記マイクロ波を導入する主導波管と
を備えたプラズマ処理装置を複数設けたプラズマ処理装置システムであって、
前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室に、新たなサブマイクロ波透過窓を設け、
前記各プラズマ処理装置の主導波管から分岐し、前記他のプラズマ処理装置に設けたサブマイクロ波透過窓を介して前記他のプラズマ処理装置のプラズマ生成室に、前記マイクロ波を導入させるための分岐導波管を設け、
さらに、前記各プラズマ処理装置に、前記主導波管と分岐導波管を選択し、自身の前記マイクロ波発振器からのマイクロ波を、自身の前記プラズマ生成室と他の前記プラズマ生成室のいずれかに導入させるための切換手段と
を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置システム。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、
前記各プラズマ処理装置のプラズマ生成室は、複数のプラズマ生成室が設けられ、その各プラズマ生成室には、前記メインマイクロ波透過窓と前記サブマイクロ波透過窓のいずれかが設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置システム。 - 請求項4に記載のプラズマ処理装置システムにおいて、
前記プラズマ処理装置は、2つであって、
前記各プラズマ処理装置に設けた複数のプラズマ生成室は、
自身のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するメインプラズマ生成室と、
他のプラズマ処理装置のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入するサブプラズマ生成室と
からなることを特徴とするプラズマ処理装置システム。
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