JP2011029531A - 支持台 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応性ガスが供給されるチャンバー内にて、被処理体を支持するための支持台17である。一対のプレート18a、18bと、これらの間に設けられたヒーター19を備える。プレート18a、18bの一方には、その表裏面を貫通する気抜き孔21と、気抜き孔21に連通する導入溝22と、導入溝22に連通する気抜き溝23と、導入溝22と気抜き溝23との一方に連通し、かつ気抜き溝23より幅が狭い埋設溝24とが形成されている。ヒーター19は、導入溝22、気抜き溝23、及び埋設溝24内に埋設されるとともに、気抜き孔21を介して電気配線20に接続されてなり、かつ、導入溝22内に埋設された部分の少なくとも気抜き孔21側が、非発熱部19bになっている。
【選択図】図2
Description
ところが、このようなハロゲン化ラジカルやハロゲン化イオンは反応性が高いため、堆積膜を容易に除去できるものの、その一方で、チャンバー内に配置されている各種部材にもダメージを与えてしまう。
このような背景のもとに、従来では、特殊な合金からなる電熱線を用いた、CVD装置用の加熱ヒーターが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、コストの増大を招くことなく、反応性ガスとの反応に起因するヒーターの断線を防止し、これによってCVD装置等のメンテナンス費用の増大を抑制した、ヒーターを内蔵してなる支持台を提供することにある。
一対のプレートと、該一対のプレート間に設けられてなるヒーターとを備え、
前記一対のプレートには、少なくともその一方に、該プレートの表裏面を貫通する気抜き孔と、該気抜き孔に連通する導入溝と、該導入溝に連通する気抜き溝と、前記導入溝と前記気抜き溝との少なくとも一方に連通し、かつ前記気抜き溝より幅が狭い埋設溝と、が形成され、
前記ヒーターは、前記導入溝、前記気抜き溝、及び前記埋設溝内に埋設されるとともに、前記気抜き孔を介して電気配線に接続されてなり、かつ、前記導入溝内に埋設された部分の少なくとも前記気抜き孔側が、非発熱部になっていることを特徴としている。
しかし、この支持台にあっては、導入溝内に埋設されたヒーターの少なくとも前記気抜き孔側が、非発熱部になっているので、この非発熱部においては反応性ガスとの反応性が高くならず、したがって反応性ガスとの反応による劣化が抑制され、断線が防止される。
また、反応性ガスは気抜き孔を通って導入溝に至り、さらにこの導入溝を通る過程において、そのラジカルやイオンが互いに衝突し結合することなどにより、非ラジカル化や非イオン化が起こり、不活性化する。したがって、導入溝内に埋設されたヒーターの前記気抜き孔側を非発熱部にすることで、実質的に反応性ガスとの反応を十分に防止し、断線を抑制することが可能になる。
このようにすれば、成膜時等の処理時においてチャンバー内を真空引きした際、前記埋設溝内や気抜き溝内に残存する空気を、埋設溝より幅が広い導入溝を介して容易に気抜き孔に導き、該気抜き孔より導出することが可能になる。
このようにすれば、成膜時等の処理時においてチャンバー内を真空引きした際、前記埋設溝内や気抜き溝内に残存する空気を、ヒーターが配置されない非埋設溝を介してより容易に気抜き孔に導き、該気抜き孔より導出することが可能になる。
また、例えばドライクリーニング中において、反応性ガスが気抜き孔を通って非埋設溝に導入されると、ここにはヒーターが配置されていないことから、当然ながらここでのヒーターの断線が生じない。そして、反応性ガスがこの非埋設溝を通る過程において、そのラジカルやイオンの非ラジカル化や非イオンが起こり、不活性化するため、この非埋設溝を通過した反応性ガスに起因する、気抜き溝に埋設されたヒーターの断線が抑制される。
このように、例えば非埋設溝を折曲したような非直線状に形成すれば、反応性ガスが非埋設溝を通る過程において、そのラジカルやイオンが互いに衝突し結合する確率が高くなり、その非ラジカル化や非イオンを起こり易くなってより十分に不活性化する。
まず、本発明の支持台を備えた装置の一例として、プラズマCVD装置を示す。図1は、プラズマCVD装置の一例の概略構成を示す側断面図であり、図1中符号1はプラズマCVD装置である。このプラズマCVD装置1は、平行平板式のもので、ベース板Bに固定された気密なチャンバー(反応炉)11と、その内部に水平に設置された支持台12と、その上部に平行に設けたシャワー電極13と、これに対するノズル部14と、チャンバー11の外に設けられた高周波電源部15とを備えた構成されている。
反応済みのガスは、チャンバー11の側面に設けた複数のアウトレット11cよりチャンバー11外に排出される。
これに対して本実施形態の支持台12におけるヒーター19では、気抜き孔21内や、この気抜き孔21に直接連通する導入溝22に位置する部分を非発熱部19bとしているので、この非発熱部19bにおいては反応性ガスとの反応性が高くならず、したがって反応性ガスとの反応による劣化が抑制され、断線が十分に防止される。
また、反応性ガスは気抜き孔21を通って導入溝22に至り、さらにこの導入溝22を通る過程において、そのラジカルやイオンが互いに衝突し結合することなどにより、非ラジカル化や非イオン化が起こり、不活性化する。したがって、導入溝22内に埋設されたヒーター19を非発熱部19bにすることで、実質的に反応性ガスとの反応を十分に防止し、断線を抑制することができる。
よって、本実施形態の支持台12によれば、コストの増大を招くことなく、反応性ガスとの反応に起因するヒーター19の断線を防止し、これによってCVD装置等のメンテナンス費用の増大を抑制することができる。
また、前記実施形態では、下プレート18b、18c側にのみ、気抜き孔21や各溝22〜25を形成したが、例えば上プレート18a側にのみ、これら気抜き孔21や各溝22〜25を形成してもよく、下プレート18b、18cと上プレート18aの両方に、気抜き孔21や各溝22〜25を形成してもよい。
Claims (4)
- 反応性ガスが供給されるチャンバー内にて、被処理体を支持するための支持台であって、
一対のプレートと、該一対のプレート間に設けられてなるヒーターとを備え、
前記一対のプレートには、少なくともその一方に、該プレートの表裏面を貫通する気抜き孔と、該気抜き孔に連通する導入溝と、該導入溝に連通する気抜き溝と、前記導入溝と前記気抜き溝との少なくとも一方に連通し、かつ前記気抜き溝より幅が狭い埋設溝と、が形成され、
前記ヒーターは、前記導入溝、前記気抜き溝、及び前記埋設溝内に埋設されるとともに、前記気抜き孔を介して電気配線に接続されてなり、かつ、前記導入溝内に埋設された部分の少なくとも前記気抜き孔側が、非発熱部になっていることを特徴とする支持台。 - 前記導入溝は、前記埋設溝より幅が広く、前記気抜き溝より幅が狭く形成されていることを特徴とする請求項1記載の支持台。
- 前記気抜き孔と前記気抜き溝との間に、ヒーターが配置されない非埋設溝が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持台。
- 前記非埋設溝は、非直線状に形成されていることを特徴とする請求項3記載の支持台。
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JP2009010413A (ja) * | 2003-04-18 | 2009-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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