JP2011025316A - Defect correction device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示用基板上又は半導体基板上の欠陥部分を修正する欠陥修正装置に関する。 The present invention relates to a defect correcting apparatus for correcting a defective portion on a liquid crystal display substrate or a semiconductor substrate.
一般に、液晶ディスプレイに用いられるガラス基板上に回路素子や配線を形成する際に、製造装置内の環境例えばパーティクル、薄膜形成時の析出、又は露光不良等々の原因により欠陥が発生する場合がある。 Generally, when a circuit element or wiring is formed on a glass substrate used for a liquid crystal display, a defect may occur due to an environment in the manufacturing apparatus such as particles, deposition during thin film formation, or exposure failure.
従来の欠陥検出方法としては、例えば、特許文献1報又は、特許文献2にそれぞれ開示されている。特許文献1の欠陥検出方法は、周期的に配列されたパターンをイメージセンサにより画像データとして読み取り、正常な画像データ(回路パターン)と比較して、異なる部分を欠陥として検出している。また、特許文献2の欠陥検出方法は、周期的に配列されたパターンを走査してイメージセンサで第1の画像として読み取り、この第1の画像に対して、1周期遅延させた第2の画像と、2周期遅延させた第3の画像を得て、同時刻における第1画像と第2画像との比較、及び第2の画像と第3の画像との比較により、パターンの欠陥を検出している。
Conventional defect detection methods are disclosed in, for example, Patent Document 1 or
これらの欠陥は、製品が完成品として出来上がった際に電気的な短絡や断線による動作不良を引き起こし、製品を不良品にしてしまう虞がある。そのため、製造工程内でそれらの欠陥を検出し、その不良箇所にレーザ光を照射してリペアする欠陥検出・修正が行われている。 These defects may cause a malfunction due to an electrical short circuit or disconnection when the product is completed as a finished product, and may cause the product to be defective. For this reason, defect detection / correction is performed in which those defects are detected in the manufacturing process, and the defective portion is irradiated with a laser beam to be repaired.
これらの周知な欠陥修正方法は、検出された欠陥に対して修正を施す際に、単に欠陥があれば修正するという手法である。その修理のためにレーザ光を照射する欠陥の下側又は接するように、回路素子又は配線が存在していた場合には、欠陥とともに回路素子や配線が損傷若しくは除去され、新たな欠陥を生み出す可能性がある。 These well-known defect correction methods are methods in which, when a detected defect is corrected, it is simply corrected if there is a defect. If a circuit element or wiring is present under or in contact with a defect that is irradiated with laser light for repair, the circuit element or wiring may be damaged or removed together with the defect to create a new defect. There is sex.
従って、基板上に欠陥を検出した場合には、回路素子との位置関係を把握して、回路素子や配線に損傷を与えないようにするために、レーザ光の照射の可否判断、照射光量及び照射領域の調整を行うことが望まれる。 Therefore, when a defect is detected on the substrate, in order to grasp the positional relationship with the circuit element and prevent damage to the circuit element and the wiring, it is determined whether the laser light can be irradiated, the irradiation light amount and It is desirable to adjust the irradiation area.
また、修正に掛けられる時間に制限がある場合には、動作や性能に影響を与える重大な欠陥と、後の製造工程で修正できる欠陥又は性能に影響の無い欠陥等とに選別して、これらの優先度の順位をつけて効率的に処理することが望まれる。 In addition, when there is a limit on the time required for correction, it is classified into a serious defect that affects the operation and performance, a defect that can be corrected in a later manufacturing process, or a defect that does not affect the performance. It is desirable to efficiently process the data by assigning priority rankings.
本発明の目的は、基板上の欠陥を検出し、欠陥が発生した回路上の位置や欠陥状態に応じて、修正を行わない照射禁止領域を設定し、この設定に応じて欠陥の修正を施す欠陥修正装置を提供することである。 An object of the present invention is to detect a defect on a substrate, set an irradiation prohibited area that is not corrected according to the position on the circuit where the defect has occurred and the defect state, and correct the defect according to this setting. It is to provide a defect correction apparatus.
上記目的を達成するために、基板上の欠陥をレーザ光の照射により修正する欠陥修正装置であって、前記基板上に存在する欠陥を検出する欠陥検出部と、修正を禁止する禁止領域を前記基板上に設定する禁止領域設定部と、前記欠陥検出部により検出された前記欠陥が前記禁止領域に関わるか否か判定し、禁止領域に関わる 欠陥に対して修正禁止を設定する修正領域設定部と、前記修正領域設定部に修正が禁止された欠陥を除く欠陥に前記レーザ光を照射して修正する修正部と、を具備する欠陥修正装置を提供する。 In order to achieve the above object, a defect correction apparatus for correcting a defect on a substrate by irradiating a laser beam, the defect detection unit for detecting a defect existing on the substrate, and a prohibited region for prohibiting the correction, A prohibited area setting unit that is set on the substrate, and a correction area setting unit that determines whether or not the defect detected by the defect detection unit relates to the prohibited region, and sets correction prohibition for the defect related to the prohibited region And a correction unit that corrects the defect except for the defect whose correction is prohibited by the correction region setting unit by irradiating the laser beam on the defect.
本発明による欠陥修正装置によれば、修正しなければならない重要な欠陥を確実に修正することができる。また、修正を行わない禁止領域を設定することにより回路素子や配線に損傷を与えることを低減又は防止することができる。 According to the defect correction apparatus of the present invention, it is possible to reliably correct important defects that must be corrected. Moreover, it is possible to reduce or prevent damage to circuit elements and wirings by setting prohibited areas that are not corrected.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
まず、本発明の第1の実施形態に係る欠陥修正装置により、複数検出された欠陥に修正の優先度を設けた欠陥修正方法について説明する。図1は、この欠陥修正方法を実現するための欠陥修正装置の概略的な構成例を示すブロック図である。また、図2は、欠陥を修正する基板の一例を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, a description will be given of a defect correction method in which correction priority is provided to a plurality of detected defects by the defect correction apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration example of a defect correction apparatus for realizing this defect correction method. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a substrate for correcting a defect.
尚、以下に記載する絵素(又は画素)とは、マトリックス状に基板に配置され、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)のガラス基板に成形される周囲が配線等に囲まれた発光部分を含む繰り返しパターンの最小単位を示すものとしている。また、この欠陥修正を行う対象となる欠陥は、液晶ディスプレイ(LCD)に用いられるガラス基板(以下単に、基板と称する)に対して、レジストマスクによりパターニングを露光するフォトリソグラフィー工程で発生する欠陥を例とする。 Note that the picture elements (or pixels) described below are arranged on a substrate in a matrix shape, and include, for example, a light-emitting portion in which a periphery formed on a glass substrate of a liquid crystal display (LCD) is surrounded by wiring or the like. The minimum unit of the pattern is shown. In addition, defects to be subjected to this defect correction are defects generated in a photolithography process in which patterning is exposed with a resist mask on a glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) used in a liquid crystal display (LCD). Take an example.
この基板は、図2に示すように、走査線21と、信号(データ)線22とが直交するように形成され、これらの配線に囲まれた部分にTFT等の回路素子23が設けられる。また、説明のために図2に示されるように、この基板上には欠陥24a,24b,24cが存在するものとしている。図3は、周囲を囲む走査線21及びデータ線(信号線)22からなる1絵素分の構成を示すものであり、この絵素がマトリックス状に繰り返し配置されるパターン、いわゆる繰り返しパターンとなっている。
As shown in FIG. 2, the substrate is formed so that the
図1に示す欠陥修正装置1は、大別すると修正部2と、制御部3と、修正領域設定部4とで構成される。
修正部2は、欠陥を修正するためのレーザ光を出力して欠陥を修正する。この修正部2は、欠陥の大きさ等に応じて出力するレーザ光のエネルギー密度(光強度)、及び照射領域(面積)及び照射面形状を任意に変更することができる。制御部3は、修正部2及び修正領域設定部4と接続され、これらを制御する。
The defect correction apparatus 1 shown in FIG. 1 is roughly composed of a
The
修正領域設定部4は、撮像部6と、メモリ8、欠陥検出部7、特徴抽出部9及び優先度設定部5とで構成される。これらのうち、撮像部6は、CCD等の撮像素子がライン状に配列されたライン型撮像部でもよいし、撮像素子が2次元的に配置されたエリア型撮像部でもよい。さらに撮像部6は、XY方向に走査移動可能に構成され、基板の全体について撮像を行うことができる。尚、撮像部6は、基板の幅寸法を撮像できるものであれば、基板を一軸方向に走査させることにより、基板全体を撮像することも可能である。また、撮像部6はメモリ8と接続され、撮像された画像データはメモリ8に格納される。
The correction
欠陥検出部7は、特許文献1及び特許文献2に記載されている周知な欠陥検出方法により、画像データから基板上の欠陥を取得する。具体的には、欠陥検出部7は、メモリ8から撮像部6で撮像された画像データを読み込み、予め格納される良否判断の基準となる基準画像(参照画像)パターンと比較して、差があった領域を欠陥と判別し、その欠陥データをメモリ8に記憶する。
The
尚、欠陥は1絵素だけでなく、複数の絵素に跨って1つの欠陥を構成する場合もある。このような場合には、欠陥検出部7は、隣接する欠陥画素群に対して1つのグループとしてラベリングする。このラベリングされた欠陥は、各画素(欠陥画素)の位置情報及び撮像で得られた輝度値情報からなる欠陥データとしてメモリ8へ格納される。特徴抽出部9は、メモリ8から欠陥データを読み込み、それぞれの欠陥特徴を抽出する。この欠陥特徴としては、欠陥の大きさ、形状、撮像で得られた輝度値及び、欠陥の位置情報のいずれか又はそれらの組み合わせによる。
In addition, a defect may constitute not only one picture element but one defect across a plurality of picture elements. In such a case, the
優先度設定部5は、欠陥判別部10と、優先順位設定部11とを有している。
欠陥判別部10は、まず、初期設定を行う。即ち、判定を行うにあたって、予め可否判別に用いる判別基準の設定が行われる。欠陥判別部10は、この判別基準に基づき、検出された欠陥がレーザ光照射による修正を行う必要が否かを判別する。判別基準としては、欠陥の大きさ、形状、位置、及び輝度値の少なくとも1つである。この判別基準は、ユーザにより任意に設定可能であり、例えば、後述するパーティクルによる欠陥の輝度値や、修正が不必要な欠陥の大きさ、パターンにおける位置情報などが判別レベル(しきい値)として設定されている。
The
First, the
この判別は、レーザ光により欠陥を修正しないと完成した製品が動作不良による不良品となってしまう重大な欠陥か、又はパーティクル付着のように後の工程、例えば洗浄工程で除去できるか又は、修正しなくても問題が発生しない欠陥か否かを判別する。また、レーザ光の照射では修正不能な欠陥としては、例えば、パターンのずれ、パターンの欠落又は、欠陥の修正箇所が多大である等がある。修正箇所が多大な場合、全欠陥について修正することが望ましいが、修正に掛かる時間を考慮して、ユーザが定めた時間内に修正が完了しない場合には、修正不能として、リワーク処理対象になるものとする。これらの欠陥に対しては、前段階の工程に戻してリワーク処理を行う。このリワーク処理は、欠陥のあるパターン自体を不良部分として処理することや、再度レジスト塗布を行いパターニングする処理などを含む。 This determination is a serious defect in which the completed product becomes a defective product due to malfunction if the defect is not corrected by laser light, or can be removed in a later process, such as a particle cleaning process, or corrected. It is determined whether the defect does not cause a problem even if it is not. In addition, examples of defects that cannot be corrected by laser light irradiation include, for example, a pattern shift, a missing pattern, or a large number of defect correction points. If there are a large number of correction points, it is desirable to correct all defects. However, if the correction is not completed within the time set by the user in consideration of the time required for correction, it is determined that the correction cannot be made and is subject to rework processing. Shall. For these defects, rework processing is performed by returning to the previous step. This rework process includes a process of processing a defective pattern itself as a defective portion, a process of applying a resist again and patterning.
また欠陥が複数存在した場合には、この優先領域と照合して修正順の優先度即ち、優先順位を設定する。尚、ユーザは修正箇所の数量設定が可能であり、修正に掛かる時間を考慮して修正数を制限する又は、優先度に応じて修正数を制限する。 When there are a plurality of defects, the priority of the correction order, that is, the priority order is set by collating with this priority area. Note that the user can set the number of correction points, and limit the number of corrections in consideration of the time required for correction, or limit the number of corrections according to priority.
欠陥判定部10は、上記判別結果に従って、修正を行う必要のないパーティクル等の欠陥を修正対象の欠陥から除外し、修正が必要な欠陥データのみを修正対象欠陥データとして、メモリ8に格納する。尚、判別された欠陥がリワーク処理対象となった場合には、その時点で判別処理を終了して、前段階の工程へ基板を戻す。また修正対象欠陥データは、メモリ8に格納せずに優先順位設定部11へ直接的に送出してもよい。また、欠陥判定部10は、 ユーザによる修正箇所の数量設定が可能であり、修正に掛かる時間を考慮して修正数を制限することも出来る。
In accordance with the determination result, the
次に、優先順位設定部11は、重要な欠陥から修正するように、欠陥に対して重み付け(優先度の設定)を行うものである。優先順位設定部11は、判別処理終了後にメモリ8から修正対象欠陥データを取得し、各修正対象欠陥に対して、レーザ光照射による修正の順番に優先度を設定する。具体的には、優先順位設定部11は、メモリ8中の画像データから、1つのパターンの画像データ(パターン画像)を取得し、このパターン画像内で配置される回路素子や配線に応じて優先的に修正を行う優先領域を設定する。勿論、この優先領域は、ユーザにより予め設定されていてもよい。優先領域は、少なくとも1つ設定され、複数の優先領域を設定した場合には、各優先領域毎に優先順位を決定する。
Next, the priority
また、欠陥が複数存在した場合には、この優先領域と照合して優先順位を設定する。尚、ユーザは、優先度に応じて、修正数を制限することが出来る。尚、修正数の制限は、欠陥判定部10及び優先順位設定部11により、優先度順に修正を行った際の所定時間内に修正が終了する順位までの欠陥を修正対象と判定してもよい。
Further, when there are a plurality of defects, the priority is set by collating with this priority area. Note that the user can limit the number of corrections according to the priority. The limitation on the number of corrections may be determined by the
優先度の高い領域の決定方法としては、例えば、正常に動作し、且つ安定した動作が長期間(設計における製品寿命)に亘り実現することが判別基準となる。優先順位例としては、例えば液晶ディスプレイであれば、画素トランジスタ等の駆動回路素子23の形成に障害をもたらす欠陥や駆動不能にする欠陥を修正することが最重要である。次に、他の回路及び配線及び電極等の電気通路からの電気的な短絡欠陥を修正することが重要である。続いて、配線を断線する欠陥、発光部上にかかる欠陥等の順となる。尚、欠陥が2つの優先領域に架かる場合には、優先度の高い領域の方を基準として判別する。
As a method for determining a region having a high priority, for example, it is a determination criterion that a normal operation and a stable operation are realized over a long period of time (product life in design). As an example of priority, for example, in the case of a liquid crystal display, it is most important to correct a defect that causes a failure in the formation of the
次に、このように構成された欠陥修正装置1における基板上の欠陥を取得する動作について工程順に説明する。
[画像取得工程]
欠陥修正装置1は、撮像部6又は基板が走査移動して撮像した基板の画像データをメモリ8に格納する。
Next, the operation of acquiring defects on the substrate in the defect correcting apparatus 1 configured as described above will be described in the order of steps.
[Image acquisition process]
The defect correction apparatus 1 stores image data of the substrate imaged by the
[欠陥検出工程]
画像取得工程終了後、続いて欠陥検出工程が行われる。この欠陥検出工程では、欠陥検出部7が画像データを予め設けた基準画像(参照画像)と比較して欠陥箇所を検出し、修正対象の欠陥データを生成してメモリ8に格納する。
[Defect detection process]
After the image acquisition process is completed, a defect detection process is subsequently performed. In this defect detection step, the
[特徴抽出工程]
特徴抽出部9はメモリ8から欠陥データを読み込み、各欠陥データから、欠陥の大きさ、形状、全体の輝度及び、欠陥の位置を欠陥特徴として抽出する。特徴抽出部9は、この抽出した欠陥特徴を欠陥データに関連付けて、メモリ8に格納する。
[Feature extraction process]
The
[欠陥判別工程]
欠陥判定部10が各欠陥に対して修正を行う必要があるか否かを判別する。具体的には、欠陥判定部10は、メモリ8から各欠陥データにおける欠陥特徴を読み込み、この欠陥に対して判別基準に基づいて前述したようにレーザ光照射による修正を行う必要があるか否かを判別する。
この欠陥判別工程において、修正が必要とされた欠陥データに関係づけられた欠陥画像データは、修正対象欠陥データとしてメモリ8に格納される。
[Defect determination process]
The
In this defect determination step, defect image data related to defect data that needs to be corrected is stored in the memory 8 as correction target defect data.
[優先領域設定工程]
前述した修正対象欠陥データに対して修正のための優先領域を設定する。
本実施形態においては、図3に示すように、3つの優先領域を設定する例について説明する。この例では、優先度の高い順に、第1の優先領域A1として回路素子23と配線21,22の一部を含む領域、第2の優先領域A2として配線21,22の領域、第3の優先領域A3として配線21,22で囲まれた発光部となる領域の3つの優先領域としている。
[Priority area setting process]
A priority area for correction is set for the correction target defect data.
In the present embodiment, an example in which three priority areas are set will be described as shown in FIG. In this example, in order of priority, the first priority area A1 includes the
[優先度設定工程]
次に修正対象欠陥データに対する優先度の設定を行う。この優先度は、欠陥画素の位置が前述した第1,2,3の優先領域A1,A2,A3のいずれかに当てはめて、優先度(優先順位)を設定する。
[Priority setting process]
Next, priority is set for the defect data to be corrected. The priority (priority order) is set by applying the priority to one of the first, second, and third priority areas A1, A2, and A3 described above.
例えば、図4に示す3つの各修正対象欠陥データ24a,24b,24cに対して、優先度を設定する例では、図5に示すように、修正対象欠陥データ24aは第1の優先領域A1、修正対象欠陥データ24bは第2の優先領域A2、修正対象欠陥データ24aは、第3の優先領域A3に該当する。従って、優先度の順位1番目に24a、2番目に24b、3番目に24cの順に設定される。設定された優先度は、各修正対象欠陥データに対応して、メモリ8に格納される。
For example, in the example in which the priority is set for each of the three correction
[欠陥修正工程]
次に、本実施形態の欠陥修正装置1による欠陥修正について説明する。
前述した欠陥抽出が終了した後、制御部3はメモリ8から優先度順に修正対象欠陥データを読み込む。制御部3は、この修正対象欠陥データに対して、該当する基板上の欠陥に修正部2からレーザ光を照射し、設定した優先度順まで修正対象欠陥データを修正する。優先順位の設定は、優先度の高い方から任意の順位まで設定することができる。また、優先度の順位も欠陥の種類やパターンに応じて任意に設定することができる。この修正において、修正部2は修正対象欠陥データ中の特徴に基づいて、基板上における欠陥の位置、大きさ、及び形状を特定し、制御部3により光強度(エネルギー密度)及び照射範囲が制御されたレーザ光が欠陥に照射されて修正が完了する。この照射範囲は、後述するように遮光板等を移動させて調整する。
[Defect correction process]
Next, defect correction by the defect correction apparatus 1 of the present embodiment will be described.
After the above-described defect extraction is completed, the
尚、本実施形態の欠陥修正方法は、以下の作用効果を含んでいる。
まず、判別基準に基づき、修正の有無が判別され、例えば洗浄による除去できるなど修正する必要の無い欠陥を修正対象から除外して修正の効率化を図ることができる。
In addition, the defect correction method of this embodiment includes the following effects.
First, based on the determination criteria, the presence or absence of correction is determined, and defects that do not need to be corrected, for example, can be removed by cleaning, are excluded from the correction target, so that the correction can be made more efficient.
また判別基準を変更することにより、修正の回数や欠陥レベルによる修正の有無が調整できる。さらに、優先度の設定を行う際に、パターン画像内の全ての領域に対して優先領域を設定してもよいし、パターンの一部分のみに優先領域に設定することも可能である。この場合、優先領域に含まれる欠陥に対しては、修正の優先度を高く設定し、非優先領域内の欠陥に対しては修正の優先度を低く設定することにより、重要な欠陥を優先して修正させることができる。 In addition, by changing the discrimination criterion, it is possible to adjust the number of corrections and the presence or absence of correction based on the defect level. Furthermore, when setting the priority, the priority area may be set for all areas in the pattern image, or the priority area may be set for only a part of the pattern. In this case, priority is given to important defects by setting high priority for correction for defects included in priority areas and low priority for defects for non-priority areas. Can be corrected.
また、欠陥データ毎に優先度を設定したが、これに限らず、パターン毎の画像データを用いて行うことも可能である。具体的には、パターン毎の画像データに対して、テンプレートを撮像した画像に重ねて、差分から求めたパターン内全ての欠陥に対して、一度に優先度の順位を設定することができる。 Moreover, although the priority is set for each defect data, the present invention is not limited to this, and it is also possible to use image data for each pattern. Specifically, with respect to the image data for each pattern, it is possible to set the priority order at a time for all the defects in the pattern obtained from the difference by superimposing the image on the template.
以上説明したように、本実施形態の欠陥修正方法は、撮影した画像データより欠陥を検出して、欠陥データを生成し、さらに修正の可否及び有無を判別する。可否判定の結果、欠陥が修正できなければリワーク処理を施し、修正可能であれば、予め定めた優先領域に基づき、修正の優先度を設定している。このような本実施形態によれば、重要な欠陥を確実に検出し、且つ優先度に基づく修正により、修正時間の短縮化を実現しつつ、作業者にかかる手間を軽減することが実現できる。 As described above, the defect correction method according to the present embodiment detects defects from captured image data, generates defect data, and further determines whether or not correction is possible. If the defect cannot be corrected as a result of the determination as to whether or not the defect can be corrected, rework processing is performed. If the defect can be corrected, a correction priority is set based on a predetermined priority area. According to the present embodiment as described above, it is possible to reliably detect an important defect and reduce the time and labor required for the operator while realizing a shortening of the correction time by the correction based on the priority.
次に、本発明の第2の実施形態に係る欠陥修正装置について説明する。
本実施形態では、検出された欠陥に対して、レーザ光によるレーザリペア禁止領域を設けた補正領域に対する欠陥修正方法について説明する。図6は、第2の実施形態に係る欠陥修正装置の概略的な構成を示すブロック図である。図7は、修正対象基板として、マトリックス状に画素が形成される液晶ディスプレイに用いられるガラス基板を一例として示す図である。図8は、図7における一絵素分の拡大図であり、データ線及び走査線による配線に囲まれた領域に回路素子23が形成された構成を示す図である。図9及び図10は、図8に示した領域及び配線におけるレーザリペア禁止領域(点線)を示す図である。図8において図4と同様な機能を持つ部位については同じ参照符号を付している。
Next, a defect correction apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described.
In the present embodiment, a defect correction method for a correction area in which a laser repair prohibition area by laser light is provided for a detected defect will be described. FIG. 6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a defect correction apparatus according to the second embodiment. FIG. 7 is a diagram illustrating, as an example, a glass substrate used for a liquid crystal display in which pixels are formed in a matrix as a correction target substrate. FIG. 8 is an enlarged view of one picture element in FIG. 7 and shows a configuration in which the
この欠陥修正装置30は、大別して修正部31と、情報生成部32と、XYテーブル33と、制御部34とで構成される。まず、修正部31について説明する。
修正部31は、欠陥を修正するためのレーザ光を出力する公知なレーザ素子35と、レーザ素子35を駆動制御するレーザ制御部36と、レーザ光の照射領域(範囲)及び照射面形状を任意に変更する照射領域調整部37とで構成される。尚、このレーザ素子35は、欠陥の修正が可能であれば、レーザ光の種類及び波長については特には限定されない。
The
The
照射領域調整部37は、例えば、カメラの絞り機構と同様な複数枚の絞り羽(図示せず)又は遮光板により構成される。この照射領域調整部37は、レーザ素子35の出射側に配置され、絞り羽又は遮光板を移動調節することにより、スリット状の開口部を作り出し、レーザ光の光束を通過させることにより、レーザ光の照射領域の大きさや形状を変更することができる。勿論、他にもスリット状の開口部が形成できれば、周知な構成を用いてもよい。
The irradiation
次に、情報生成部32について説明する。この情報生成部32は、撮像部6と、基本情報設定部38とで構成される。これらのうち、撮像部6は、後述する駆動制御部43の制御により図示しないCCD等の半導体撮像素子と倍率変更可能な光学系と画像処理回路とを備え、修正対象基板を撮像する。この撮像部6により、修正処理前後の画像を所望する倍率で撮像する。撮像された画像は、画像データとして基本情報設定部38へ送出される。
Next, the
基本情報設定部38は、撮像部6により撮像された画像データを保持し、また修正対象基板に形成される回路パターンと同一で欠陥の無い基準パターンを参照画像(基準画像)として保持している。この参照画像は、欠陥を検出する際の比較対象となり、例えば、図8に示す1つの絵素の最小単位の繰り返しパターンの構図からなる参照画像がある。尚、参照画像は、基板上に形成される全回路パターンをカバーできるように複数用意される場合があり、必ずしも1種類とは限らない。また、参照画像は、基板上における位置情報も併せ持って格納されており、テンプレートとしても利用できる。さらに、この参照画像の作成は、専用に作成してもよいし、撮像部6からの画像データを利用して、処理対象基板における欠陥の無いパターン部分を参照画像として用いてもよい。
The basic
この基本情報設定部38は、予め図9に示すようなレーザ光の照射を禁止するレーザリペア禁止領域KAを設定する禁止領域設定部39を有している。本実施形態では、第2の参照画像に示すような走査線21及びデータ線22からなる配線と回路素子23とを形成する素子形成領域(図9に示す点線の範囲)をレーザリペア禁止領域KAとして設定する。勿論、これは一例でありレーザリペア禁止領域KAは任意に設定することができる。
The basic
この画像処理においては、パターニングされた基板を撮像して用いる場合、配線及び回路素子と、それ以外部分とに生じる輝度値の差を利用して、図9の点線で示すレーザリペア禁止領域KAを自動的に設定することも可能である。例えば、階調差による2値化やモーホロジー(morphology)などを利用して、配線と回路素子にレーザリペア禁止領域KAを設定する。
この抽出結果を見ながら、ユーザによる操作でレーザリペア禁止領域KAを設定してもよいし、一般的に使用されている描画ツールを用いてユーザが補正してもよい。
In this image processing, when the patterned substrate is imaged and used, the laser repair prohibition area KA indicated by the dotted line in FIG. 9 is used by utilizing the difference in luminance value generated between the wiring and circuit elements and the other portions. It is also possible to set automatically. For example, the laser repair prohibition area KA is set in the wiring and the circuit element by using binarization based on a gradation difference, morphology, or the like.
While viewing this extraction result, the laser repair prohibition area KA may be set by the user's operation, or the user may correct it using a drawing tool that is generally used.
次に、XYテーブル33について説明する。XYテーブル33は、修正対象基板を載置し、撮像部6の撮像レンズの光軸及び修正部31の光軸とそれぞれ直交するX及びY方向の2次元方向に図示しない駆動機構により移動及び走査可能に構成されている。尚、XYテーブル33の載置面には多数の孔が開口されており、修正対象基板を空気の吸気による吸着保持、又は空気の噴出による基板フロートの機能を有している。さらに、XYテーブル33だけでなく、撮像部6及び修正部31においても、2次元方向又はX,Yの一方に移動及び走査可能に構成してもよい。
Next, the XY table 33 will be described. The XY table 33 mounts a correction target substrate, and is moved and scanned by a driving mechanism (not shown) in two-dimensional directions of X and Y directions orthogonal to the optical axis of the imaging lens of the
さらに、制御部34について説明する。この制御部34は、情報記憶部40、欠陥検出部41、修正(リペア禁止)領域設定部42及び、駆動制御部43で構成される。
情報記憶部40は、参照情報記憶部40aと修正対象情報記憶部40bとを有している。これらのうち、参照情報記憶部40aは、欠陥の修正処理を行う際に必要な参照情報として、参照画像を基本情報設定部38から取得して記憶する。
一方、修正対象情報記憶部40bは、図10に示すような1つのパターンからなる構図の修正対象基板のパターニング処理後画像とを記憶する。
Further, the
The
On the other hand, the correction target
欠陥検出部41は、参照画像とパターニング処理後画像とを比較して欠陥を検出する。さらに、欠陥検出部41は、検出した欠陥の位置及び大きさに関する欠陥情報を修正(リペア禁止)領域設定部42へ送出する。この修正(リペア禁止)領域設定部42は、欠陥検出部41からの欠陥情報による各欠陥が、禁止領域設定部39により設定されたレーザリペア禁止領域に含まれるか否か判別する。この判別結果は、レーザリペア禁止領域に含まれる欠陥と含まれない欠陥の判別情報と、それぞれ欠陥の大きさ及び位置とからなる判定結果を駆動制御部43へ送出する。駆動制御部43は、判定結果に基づいて、修正部2及びXYテーブル33を制御して、処理対象基板における欠陥を修正する。
The
次に前述した欠陥修正装置による欠陥の修正について、作業工程順に説明する。
[準備工程]
まず、欠陥修正装置1を起動して、各構成部位の初期化を行う。XYテーブル33上に、処理対象基板を載置する。この処理対象基板上には、図7に示すように例えば、レジストマスクがパターニングされた状態であり、縦横に設けられる走査線21及びデータ線22からなる配線と、配線に囲まれて回路素子23が設けられた絵素とで構成される画素(パターンと称する)がマトリックス状に複数配置されている。
Next, the correction of defects by the above-described defect correction apparatus will be described in the order of work steps.
[Preparation process]
First, the defect correction apparatus 1 is activated to initialize each component part. A processing target substrate is placed on the XY table 33. As shown in FIG. 7, for example, a resist mask is patterned on the substrate to be processed. The
[参照情報入力工程]
情報生成部32の基本情報設定部38は、欠陥検出に用いる参照画像(複数のパターン及び1つのパターンの構図による画像)を取得する。前述したように、この参照画像は、専用に作成した基準となる基板を撮像してもよいし、修正対象基板内の欠陥の無いパターンを撮像して用いてもよい。尚、予め参照画像が画像データとして用意されている場合には、その画像データは起動時の初期化が完了する前に入力される。また、修正対象基板から参照画像を作り出す際に、もし欠陥を有していたならば、公知な画像処理により欠陥を除去して欠陥の無い参照画像を作成してもよい。尚、参照画像は、修正対象基板に形成される複数のパターンに対応できるようにするため、複数用意する場合もある。
[Reference information input process]
The basic
また参照画像は、撮像部6で撮像された修正対象基板の画像と対比できればよく、256階調の画像データでもカラー画像であってもよい。また単純なパターンであれば、16階調等の低階調の画像データでも実施できるし、画像の形式は特に限定されるものではない。
The reference image only needs to be compared with the image of the correction target substrate imaged by the
[禁止領域設定工程]
この工程では、禁止領域設定部39によりレーザリペア禁止領域KAを設定する。本実施形態においては、図8に示した1つの拡大されたパターンによる構図の画像を用いて、図9の点線で示すように、走査線21及びデータ線22及び回路素子23の上面をレーザリペア禁止領域KAと設定している。
[Prohibited area setting process]
In this step, the laser repair prohibition area KA is set by the prohibition
また、レーザリペア禁止領域KAは、前述した第1の実施形態における欠陥抽出のように輝度値情報を利用して、輝度差からレーザリペア禁止領域KAを自動的に設定することも可能であるし、描画ツールにより手動で設定することも可能である。このレーザリペア禁止領域KAは、禁止領域情報として、禁止領域設定部に保持される。また、別途情報記憶部40に記憶部を設けて保持させておいてもよい。
Further, the laser repair prohibition area KA can be automatically set from the brightness difference using the brightness value information as in the defect extraction in the first embodiment described above. It is also possible to manually set with a drawing tool. This laser repair prohibited area KA is held in the prohibited area setting unit as prohibited area information. Further, a separate storage unit may be provided in the
[欠陥検出工程]
次に、欠陥の検出を行う。この欠陥検出は前述したように、参照情報記憶部40aから参照画像を読み込み、修正対象情報記憶部40bからパターニング処理後画像である撮影画像と読み込み、これらの画像を比較して輝度差が異なっている部分を欠陥として検出し、さらに処理対象基板上のその欠陥が所在する位置情報、検出した欠陥の大きさを検出する。その後、欠陥の大きさ及びその位置情報を修正(リペア禁止)領域設定部42へ送出する。
[Defect detection process]
Next, the defect is detected. As described above, the defect detection is performed by reading a reference image from the reference
また欠陥検出部41は、輝度差を利用して自動抽出させた場合には、その抽出結果をユーザが目視できるように、抽出後の欠陥を修正対象基板の撮影画像に重ねて、位置情報と共にモニタに表示させてもよい。
In addition, when the
[修正領域設定工程]
修正(リペア禁止)領域設定部42は、禁止領域設定部39から設定された図9に示すようなレーザリペア禁止領域KAを読み込み、欠陥検出部41から欠陥の位置情報を読み込み、これらの情報を重ね合わせる。この重ね合わせにより、図10に示すように、レーザリペア禁止領域KAである走査線21上に欠陥25aが存在していることが判る。また、欠陥25bは、回路素子23に係らない絵素領域上に存在していることが判る。従って、修正(リペア禁止)領域設定部42は、欠陥25aは修正せず、欠陥25bは修正することを指示する修正情報を生成して、駆動制御部43へ送出する。この修正情報は、修正すべき欠陥の大きさ情報と位置情報のみにより構成されている。これにより修正が禁止された欠陥は、修正対象とならない。
[Correction area setting process]
The correction (repair prohibition)
[欠陥修正工程]
駆動制御部43は、修正(リペア禁止)領域設定部42からの修正情報における欠陥の位置情報に基づき、XYテーブル33及び修正部31を移動させて、欠陥25b中心に修正部2のレーザ光が照準されるように移動させる。次に駆動制御部43は、レーザ制御部36へ修正情報を送出する。レーザ制御部36は、修正情報における欠陥25bの大きさ情報に基づき、図10に示すようなレーザ光の照射領域(照射範囲)26を設定し、レーザ光の光強度を設定する。その後、レーザ光を照射して欠陥25bを除去する。このような修正は、レーザリペア禁止領域KAに含まれない複数の欠陥が存在した場合には、XYテーブル33及び修正部31の移動距離が短く、欠陥の修正がなるべく短時間で終わるように行うことが望ましい。
[Defect correction process]
The
欠陥の修正は、修正対象基板に損傷を与えない程度の光強度で且つ1回の照射で欠陥の変化量(除去される量)が大きい程よい。また、欠陥が例えば、線状で長いに欠陥であり、照射領域調整部37のマスキングによる形状が欠陥をカバーできない場合には、複数回に分けて修正してもよい。また、欠陥が大きく、これを除去するためのレーザ光の光強度が隣接する他の部位に損傷を与える虞がある場合には、光強度を低下させて複数回、レーザ光を照射させてもよい。但し、複数の照射回数は処理時間が長くなるため、最適化を行う必要がある。
The defect should be corrected with a light intensity that does not damage the substrate to be corrected and a larger amount of change (removed amount) of the defect by one irradiation. In addition, for example, when the defect is linear and long, and the shape by masking of the irradiation
以上説明したように、本実施形態の欠陥修正装置は、検出された欠陥に対して、修正を行うと正常な部位(例えば、配線や回路素子等)に損傷を与える欠陥を抽出し、これ以外の欠陥に対して、修正を施すことにより正常な部位への損傷を防止することができる。尚、修正が終了した補正対象基板を再度撮像して、参照画像と比較して欠陥を再抽出し、レーザリペア禁止領域以外で修正が未処理の欠陥に対して再修正を施すことも可能である。 As described above, the defect correction apparatus according to the present embodiment extracts defects that damage normal parts (for example, wiring, circuit elements, etc.) when the detected defects are corrected. It is possible to prevent damage to a normal part by correcting the defect. It is also possible to image the correction target substrate that has been corrected again, re-extract the defect in comparison with the reference image, and re-correct the defect that has not been corrected outside the laser repair prohibited area. is there.
次に、本発明の第3の実施形態に従った欠陥修正装置について説明する。
前述した第2の実施形態では、レーザ光の照射による修正を禁止した欠陥については、レーザリペア禁止領域以外に掛かる欠陥部分に対しても何等修正を施さなかった。これに対して、本実施形態では、欠陥でレーザリペア禁止領域に掛からない部分を削除して修正し、且つ修正する欠陥に対して修正順の優先度を設定するものである。
Next, a defect correcting apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described.
In the above-described second embodiment, no correction is performed on the defect portion that is prohibited from being repaired by laser light irradiation, even on the defect portion that is located outside the laser repair prohibited region. On the other hand, in this embodiment, a part that does not enter the laser repair prohibition area due to a defect is deleted and corrected, and the priority of the correction order is set for the defect to be corrected.
図11は、第3の実施形態に係る欠陥修正装置の概略的な構成を示すブロック図である。図12は、修正対象基板におけるレーザリペア禁止領域(一点鎖線)を示す図であり、図13は、配線と回路素子に掛かる欠陥を示す図であり、図14は、欠陥を除去する修正を施した状態を示す図である。尚、図11乃至図14に示す構成部位において、前述した第2の実施形態における図6乃至図10に示した構成部位と同等のものには同じ参照符号を付している。 FIG. 11 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a defect correction apparatus according to the third embodiment. FIG. 12 is a diagram showing a laser repair prohibition region (dashed line) on the correction target substrate, FIG. 13 is a diagram showing defects on the wiring and circuit elements, and FIG. 14 is a diagram for performing correction to remove the defects. It is a figure which shows the state which carried out. In addition, in the components shown in FIGS. 11 to 14, the same components as those shown in FIGS. 6 to 10 in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
この第3の実施形態の欠陥修正装置51は、前述した第2の実施形態の欠陥修正装置30の構成部位に加えて、基本情報設定部38にはリペア領域設定部53と、制御部54には修正領域設定部44及び優先度設定部5とを有している。尚、優先度設定部5は、前述した第1の実施形態におけるものと同等であり、ここでの詳細な説明は省略する。
The
禁止領域設定部39は、図12に示す点線により、電気的に分離した各走査線21及びデータ線22及び回路素子23が配置されている部分毎にレーザリペア禁止領域KA1乃至KA5を設定する。また、禁止領域設定部39は、設定したレーザリペア禁止領域KA1〜KA5には、識別符を設定し識別可能にする。即ち、欠陥が複数のレーザリペア禁止領域KAに跨っていた場合には、禁止領域の間を短絡させていると推定でき、修正の優先度を高くする。例えば、図13に示すように、走査線21と回路素子23に跨って掛かる欠陥27が存在した場合、禁止領域設定部39からのレーザリペア禁止領域KA3,KA4に跨って掛かることとなり、短絡させている欠陥と判別する。
The prohibition
修正領域設定部44は、欠陥検出部41から入力された欠陥の大きさ及びその位置情報と、禁止領域設定部39によるレーザリペア禁止領域KA1〜KA5と、リペア領域設定部53によるレーザ照射領域情報とに基づき、図13に示すように欠陥27に対してレーザ照射領域AAを設定する。
The correction
次に、本実施形態におけるレーザリペア禁止領域に掛からない欠陥部分を除去する欠陥修正について説明する。ここでは、図13に示すパターンP2に欠陥が存在する例を用いる。
本実施形態の欠陥修正装置では、第2の実施形態と同様に参照情報入力工程が終了した後、修正領域設定工程が行われる。
Next, defect correction for removing a defective portion that does not enter the laser repair prohibited area in the present embodiment will be described. Here, an example in which a defect exists in the pattern P2 shown in FIG. 13 is used.
In the defect correction apparatus of this embodiment, the correction area setting process is performed after the reference information input process is completed as in the second embodiment.
[禁止領域設定工程]
禁止領域設定部39は、参照画像によるパターンに前述したように複数のレーザリペア禁止領域KA1〜KA5を設定し、禁止領域情報として保持する。この時、リペア領域設定部53においても、参照画像のパターンにおけるレーザ照射領域をリペア領域情報として保持する。
[Prohibited area setting process]
The prohibition
[優先領域設定工程]
参照情報記憶部40aからの参照画像によるパターン基づき、修正のための優先領域を設定する。この設定は、禁止領域設定工程と同時又は前後のタイミングで行われる。優先領域の設定は、前述した第1の実施形態と同等である。
[Priority area setting process]
Based on the pattern based on the reference image from the reference
[欠陥検出工程]
続いて、前述した第2の実施形態と同様な欠陥の検出を行う。この欠陥検出は参照情報記憶部40aから第1の参照画像を読み込み、修正対象情報記憶部40bからパターニング処理後画像である第1の撮影画像と読み込み、これらの画像を比較して輝度差が異なっている部分を欠陥として検出し、さらに処理対象基板上のその欠陥が所在する位置情報を検出する。この位置情報を用いて、欠陥検出部41は、第2の参照画像と第2の撮影画像と読み込み比較して、検出した欠陥の大きさを検出する。その後、欠陥の大きさ及びその位置情報を修正領域設定部44へ送出する。
[Defect detection process]
Subsequently, the same defect detection as in the second embodiment described above is performed. In this defect detection, the first reference image is read from the reference
[修正領域設定工程]
修正領域設定部44には、欠陥検出部41から入力された欠陥27の大きさ及びその位置情報が入力される。さらに、禁止領域設定部39から禁止領域情報を読み込み、欠陥の位置とレーザリペア禁止領域KA1〜KA5の重ね合わせにより、図13に示すように欠陥27がレーザリペア禁止領域KA3及びKA4に跨るように存在していることが判る。つまり、欠陥27は走査線21と回路素子23とを短絡させるように作用するため、優先度の高い欠陥と判別される。
[Correction area setting process]
The size and position information of the
さらに、リペア領域設定部53からリペア領域情報を読み込み、欠陥27で修正することが出来る部分にレーザ照射領域AAを設定する。このレーザ照射領域AAと欠陥27の大きさ及び位置情報を修正情報として駆動制御部43へ送出する。
Further, the repair area information is read from the repair
[優先度設定工程]
次に修正すべき全欠陥、即ち、レーザリペア禁止領域に関わらない欠陥及び、前工程で設定された修正領域(レーザ照射領域AA)を持つ欠陥に対して、修正を行う順番の優先度(優先順位)を設定する。この優先度の設定は、第1の実施形態で説明した設定手順同等である。
[Priority setting process]
Next, all the defects to be corrected, that is, the defects not related to the laser repair prohibition area and the defects having the correction area (laser irradiation area AA) set in the previous process are corrected in the priority order (priority). Order). This priority setting is equivalent to the setting procedure described in the first embodiment.
[欠陥修正工程]
前述した第1,2の実施形態と同様にして、駆動制御部43は、XYテーブル33及び修正部31を移動させて、優先度に従って、欠陥又は修正領域の中心に修正部31のレーザ光が照準されるように移動させる。
[Defect correction process]
Similarly to the first and second embodiments described above, the
例えば、欠陥27に掛かるレーザ照射領域AAが一番優先度が高かった場合には、修正部2のレーザ光がレーザ照射領域AAへ照準されるように移動させる。次に駆動制御部43は、レーザ制御部36へ修正情報を送出する。レーザ制御部36は、修正情報における欠陥27(レーザ照射領域AA)の大きさ情報に基づき、レーザ光の光強度を設定する。その後、図14に示すように、レーザ光を照射してレーザ照射領域AAに掛かる欠陥27部分を除去する。その後、他の欠陥に対しても、優先度に従って、移動し修正部2のレーザ光を照準し、算出された光強度のレーザ光を照射して、順次除去する。
For example, when the laser irradiation area AA applied to the
以上説明したように、複数のレーザリペア禁止領域KAに跨るように掛かっている欠陥は、電気的に短絡するように作用する虞があるため、レーザリペア禁止領域KAを除く絵素領域に存在する欠陥を部分的に除去することにより、走査線、データ線及び回路素子のそれぞれの間の電気的短絡を防止することが出来る。 As described above, defects that extend over a plurality of laser repair forbidden areas KA exist in picture element areas other than the laser repair forbidden area KA because there is a possibility that the defects may be electrically short-circuited. By partially removing the defect, an electrical short circuit between the scan line, the data line, and the circuit element can be prevented.
次に、本発明の第4の実施形態に従った欠陥修正装置について説明する。
本実施形態の欠陥修正装置は、前述した第3の実施形態における欠陥修正装置と同様な構成を有しているが、リペア領域設定部53が異なっている。
Next, a defect correcting apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
The defect correction apparatus according to the present embodiment has the same configuration as the defect correction apparatus according to the third embodiment described above, but the repair
このリペア領域設定部53は、図15に示すように、走査線21、データ線22及び回路素子23はレーザリペア禁止領域KA1〜KA5に設定され、さらに、絵素領域における回路素子23の周囲にレーザ照射領域AAが設定される。例えば、図15の配置例であれば、走査線21及びデータ線22からなる配線と回路素子23との間が狭く、特にデータ線22と回路素子23の一部とが狭くなっている。例えば図16に示すように回路素子23に欠陥28が発生しているが、欠陥28の端部分がデータ線22に近接しているため、電気的に短絡する虞がある。
As shown in FIG. 15, in the repair
そこで、レーザ照射領域AAを回路素子23の周囲に設定することにより、短絡を引き起こす虞がある欠陥を優先的に除去して修正を施す。これにより、本実施形態の欠陥修正装置は、構成部位に跨らなくとも、近接して電気的に短絡する欠陥を確実に修正することができる。尚、本実施形態において、レーザ照射領域AAは回路素子23の周囲全体に渡って設けられているが、一部分にのみ設定することも可能である。
また、レーザ照射領域AAは、画像処理により自動的に回路素子23の周囲にすることも可能であるし、描画ツールなどにより手動で設定することも可能である。
Therefore, by setting the laser irradiation area AA around the
Further, the laser irradiation area AA can be automatically set around the
また、前記レーザ照射領域AAは、回路素子23の周囲に設定されたが、パターンにおいて、互いに隣接する配線及び/又は回路素子の間が、近接している領域に設定され得る。尚、前述した第1乃至第4の実施形態では、基板として、液晶ディスプレイに用いられるガラス基板を例として、パターンとしては、トランジスタ等の駆動回路素子、配線及び電極を形成するためのレジストからなる1つの絵素をマトリックス状に配置したものを繰り返しパターンとして称して説明した。勿論、これに限定されず、半導体デバイスに用いられるシリコン基板であってもよい。
Further, the laser irradiation area AA is set around the
前述した各実施形態について図面を参照しながら具体的に説明したが、本発明は前述した各実施形態の記載事項に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良及び変更を行ってもよいのは勿論である。 Each embodiment described above has been specifically described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the description of each embodiment described above, and various improvements can be made without departing from the gist of the present invention. Of course, changes may be made.
1…欠陥修正装置、2…修正部、3…制御部、4…修正領域設定部、5…優先度設定部、6…撮像部、7…欠陥検出部、8…メモリ、9…特徴抽出部、10…欠陥判別部、21…走査線、22…信号(データ)線、23…回路素子、24a,24b,24c…欠陥。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Defect correction apparatus, 2 ... Correction part, 3 ... Control part, 4 ... Correction area setting part, 5 ... Priority setting part, 6 ... Imaging part, 7 ... Defect detection part, 8 ... Memory, 9 ... Feature extraction part DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記基板上に存在する欠陥を検出する欠陥検出部と、
修正を禁止する禁止領域を前記基板上に設定する禁止領域設定部と、
前記欠陥検出部により検出された前記欠陥が前記禁止領域に関わるか否か判定し、前記禁止領域に関わる欠陥に対して修正禁止を設定する修正領域設定部と、
前記禁止領域外の欠陥に前記レーザ光を照射して修正する修正部と、
を具備することを特徴とする欠陥修正装置。 A defect correction apparatus for correcting defects on a substrate by laser light irradiation,
A defect detection unit for detecting defects present on the substrate;
A prohibited area setting unit for setting a prohibited area for prohibiting correction on the substrate;
A correction region setting unit that determines whether the defect detected by the defect detection unit relates to the prohibited region, and sets a correction prohibition for the defect related to the prohibited region;
A correction unit that corrects the defect outside the prohibited region by irradiating the laser beam; and
A defect correction apparatus comprising:
前記基板に設けられた駆動回路素子の上方及び配線の上方に形成されるパターンの領域を前記禁止領域として設定することを特徴とする請求項1に記載の欠陥修正装置。 In the defect correction apparatus,
2. The defect correction apparatus according to claim 1, wherein an area of a pattern formed above a drive circuit element provided on the substrate and above a wiring is set as the prohibited area.
前記修正部は、前記修正が禁止された欠陥を除く欠陥にレーザ光を照射することを特徴とする請求項1に記載の欠陥修正装置。 The correction area setting unit sets a correction prohibition on a defect related to the prohibited area,
The defect correction apparatus according to claim 1, wherein the correction unit irradiates a defect with a laser beam except for the defect whose correction is prohibited.
前記修正領域設定部は、前記禁止領域に関わる欠陥部分に対して修正禁止を設定することを特徴とする請求項1に記載の欠陥修正装置。 In the defect correction apparatus,
The defect correction apparatus according to claim 1, wherein the correction area setting unit sets a correction prohibition for a defect portion related to the prohibition area.
前記修正領域設定部は、前記基板上における前記禁止領域以外の領域に対してレーザ光を照射する修正領域を設定する請求項1又は4に記載の欠陥修正装置。 In the defect correction apparatus,
The defect correction apparatus according to claim 1, wherein the correction area setting unit sets a correction area for irradiating a laser beam to an area other than the prohibited area on the substrate.
前記修正領域設定部は、前記欠陥を含む検査画像と前記禁止領域情報に基づいて修正領域を設定することを特徴とする請求項5に記載の欠陥修正装置。 The prohibited area setting unit stores in advance prohibited area information in which a prohibited area is set for the reference image,
The defect correction apparatus according to claim 5, wherein the correction area setting unit sets a correction area based on an inspection image including the defect and the prohibited area information.
前記基板上の被検査領域を撮像して検査画像を取得し、基準画像との比較によって前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記基準画像に修正を禁止する禁止領域を設定し、禁止領域情報として記憶する禁止領域設定部と、
前記禁止領域情報と検査画像とに基づいて、前記禁止領域外の領域に対して前記レーザ光を照射する修正領域を設定する修正領域設定部と、
前記修正領域に前記レーザ光を照射する修正部と、
を具備することを特徴とする欠陥修正装置。 A defect correction apparatus for correcting defects on a substrate by laser light irradiation,
A defect detection unit that images a region to be inspected on the substrate to obtain an inspection image, and detects a defect on the substrate by comparison with a reference image;
A prohibited area setting unit that sets a prohibited area for prohibiting correction in the reference image and stores the prohibited area as prohibited area information;
Based on the prohibited area information and the inspection image, a correction area setting unit that sets a correction area for irradiating the laser beam to an area outside the prohibited area;
A correction unit for irradiating the correction region with the laser beam;
A defect correction apparatus comprising:
前記基板上の被検査領域を撮像して検査画像を取得し、基準画像との比較によって前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記基準画像に修正を禁止する禁止領域を設定し、禁止領域情報として記憶する禁止領域設定工程と、
前記禁止領域情報と検査画像とに基づいて、前記禁止領域外の領域に対して前記レーザ光を照射する修正領域を設定する修正領域設定工程と、
前記修正領域に前記レーザ光を照射して欠陥を修正する修正工程と、
を具備することを特徴とする欠陥修正方法。 A defect correction method for correcting a defect on a substrate by laser irradiation,
A defect detection step of capturing an inspection image on the substrate to obtain an inspection image, and detecting a defect on the substrate by comparison with a reference image;
A prohibited area setting step for setting a prohibited area for prohibiting correction in the reference image and storing the prohibited area as prohibited area information;
Based on the prohibited area information and the inspection image, a correction area setting step for setting a correction area for irradiating the laser beam to an area outside the prohibited area;
A correction step of correcting defects by irradiating the correction region with the laser beam;
A defect correction method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014111278A (en) * | 2012-11-06 | 2014-06-19 | Toshiba Corp | Defect repair device and defect repair method |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7307001B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer repair method using direct-writing |
JP4723915B2 (en) * | 2005-06-03 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | Method and apparatus for repairing liquid crystal panel |
JP5331421B2 (en) * | 2008-09-12 | 2013-10-30 | オリンパス株式会社 | Laser repair device and laser repair method |
JP2010075979A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Komatsu Ntc Ltd | Laser beam machining apparatus |
JP5730528B2 (en) * | 2010-03-05 | 2015-06-10 | オリンパス株式会社 | Defect correction apparatus and defect tracking method |
JP5495875B2 (en) * | 2010-03-18 | 2014-05-21 | オリンパス株式会社 | Laser processing method and laser processing apparatus |
JP5437287B2 (en) * | 2011-02-07 | 2014-03-12 | オリンパス株式会社 | Laser repair device |
US9583033B2 (en) | 2011-11-25 | 2017-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel for display device and method for detecting defects of signal lines for display devices |
KR101469481B1 (en) * | 2011-11-25 | 2014-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display panel for display device and method for detecting defects of signal line |
US9916653B2 (en) * | 2012-06-27 | 2018-03-13 | Kla-Tenor Corporation | Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing |
US10190991B2 (en) * | 2016-11-03 | 2019-01-29 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for adaptive sampling in examining an object and system thereof |
CN110987957A (en) * | 2019-11-04 | 2020-04-10 | 江苏大学 | Intelligent defect removing method based on machine vision and laser processing |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09174270A (en) * | 1995-12-26 | 1997-07-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Monitoring device for laser orbital welding |
JP2000117472A (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Amada Co Ltd | Working method for metal plate |
JP2000263256A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sony Corp | Laser beam repair device |
JP2001044532A (en) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nec Corp | System for monitoring quality of laser beam |
JP2001133803A (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Toshiba Corp | Method of producing liquid crystal display device, liquid crystal display device and laser repair device |
JP2001343907A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | Laser repair device and production method for display cell |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02203550A (en) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Nec Corp | Repair priority determining system for a chip in a memory repairing apparatus |
JP3052928B2 (en) * | 1998-04-01 | 2000-06-19 | 日本電気株式会社 | Laser processing equipment |
JP3561159B2 (en) * | 1998-09-21 | 2004-09-02 | 三菱電機株式会社 | Laser processing equipment |
JP3519297B2 (en) * | 1998-12-22 | 2004-04-12 | シャープ株式会社 | Display device defect repair device |
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JP2002350799A (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing liquid crystal display device |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09174270A (en) * | 1995-12-26 | 1997-07-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Monitoring device for laser orbital welding |
JP2000117472A (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Amada Co Ltd | Working method for metal plate |
JP2000263256A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sony Corp | Laser beam repair device |
JP2001044532A (en) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nec Corp | System for monitoring quality of laser beam |
JP2001133803A (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Toshiba Corp | Method of producing liquid crystal display device, liquid crystal display device and laser repair device |
JP2001343907A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | Laser repair device and production method for display cell |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014111278A (en) * | 2012-11-06 | 2014-06-19 | Toshiba Corp | Defect repair device and defect repair method |
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