JP5495875B2 - Laser processing method and laser processing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、液晶ディスプレイ(LCD)その他のフラットパネルディスプレイ(FPD)に用いられる基板、半導体ウエハ、プリント基板、などの基板に生じる欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus for correcting defects generated on a substrate such as a substrate used in a liquid crystal display (LCD) or other flat panel display (FPD), a semiconductor wafer, and a printed substrate with a laser beam.

従来、フラットパネルディスプレイ(FPD)に用いられるガラス基板上に、回路素子や配線などのパターンを形成する際に、例えば、パーティクルの有無その他の製造装置内の環境、薄膜形成時の析出、露光不良などの原因によって、ガラス基板上に欠陥が発生する場合がある。このため、各パターニングプロセス後、逐次、配線の短絡や接続不良や断線やパターン不良などの欠陥が存在するか否かが外観検査装置によって検査される。   Conventionally, when a pattern such as a circuit element or wiring is formed on a glass substrate used for a flat panel display (FPD), for example, presence of particles, other environment in a manufacturing apparatus, deposition during thin film formation, exposure failure For example, defects may occur on the glass substrate. For this reason, after each patterning process, whether or not there is a defect such as a short circuit, connection failure, disconnection, or pattern failure of the wiring is sequentially inspected by the appearance inspection apparatus.

このような外観検査によって検出されたガラス基板上の欠陥に対しては、レーザ光を照射することで欠陥を修正するレーザ加工(リペア処理)が行われる。レーザ加工の方法としては、例えば、紫外レーザ発信器から出力された紫外レーザ光を可変矩形開口に入射させ、可変矩形開口を各ナイフエッジの可動により開閉して、紫外レーザ光の断面形状を所望の大きさの矩形に整形して欠陥に照射する方法がとられている。   For the defects on the glass substrate detected by such an appearance inspection, laser processing (repair processing) for correcting the defects by irradiating laser light is performed. As a laser processing method, for example, an ultraviolet laser beam outputted from an ultraviolet laser transmitter is made incident on a variable rectangular aperture, and the variable rectangular aperture is opened and closed by moving each knife edge, so that the cross-sectional shape of the ultraviolet laser beam is desired. A method of irradiating the defect after shaping it into a rectangle of the size of is used.

また、DMD:Digital Mirror Device(Texas Instruments社の登録商標))等の空間変調素子を用いたレーザ光の整形によるレーザ加工方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。このように空間変調素子を用いてレーザ光を整形することで、高精度なレーザ加工が可能となる。   Further, a laser processing method by shaping a laser beam using a spatial modulation element such as DMD: Digital Mirror Device (registered trademark of Texas Instruments) is known (for example, see Patent Document 1). By shaping the laser beam using the spatial modulation element in this way, high-precision laser processing can be performed.

また、パターン領域をレーザリペア禁止領域として設定した上で、このレーザリペア禁止領域を除いた領域に位置する欠陥にレーザ光を照射するレーザ加工方法も知られている(例えば、特許文献2参照)。このレーザ加工方法では、基板を撮像して得られた画像から、繰り返しパターンの1単位を構成する1画素分が抽出され、この1画素分のパターン領域がレーザリペア禁止領域として設定されている。   There is also known a laser processing method in which a pattern region is set as a laser repair prohibition region and a laser beam is irradiated to a defect located in a region other than the laser repair prohibition region (see, for example, Patent Document 2). . In this laser processing method, one pixel constituting one unit of a repetitive pattern is extracted from an image obtained by imaging a substrate, and the pattern region for one pixel is set as a laser repair prohibited region.

特開2007−29983号公報JP 2007-29983 A 国際公開第2004/099866号パンフレットInternational Publication No. 2004/099866 Pamphlet

ところで、基板に生じる上述の欠陥は、その周囲に微細な欠陥を伴って存在することがある。このような微細な欠陥は、スキャニングなどのAOI(Automatic Optical Inspection)では検出困難な場合が多い。   By the way, the above-mentioned defect generated in the substrate may exist with a fine defect around it. Such fine defects are often difficult to detect by AOI (Automatic Optical Inspection) such as scanning.

また、レーザ光により欠陥を修正する際には、レーザ加工による欠陥の残渣が周囲に飛び散ることがある。そのため、欠陥を修正できても、レーザ加工による残渣が新たな欠陥となることがある。   Further, when a defect is corrected by laser light, a defect residue caused by laser processing may be scattered around. Therefore, even if the defect can be corrected, a residue obtained by laser processing may become a new defect.

本発明の目的は、上記従来の実情に鑑み、欠陥を確実に修正することができるレーザ加
工方法及びレーザ加工装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a laser processing method and a laser processing apparatus capable of reliably correcting a defect in view of the above-described conventional situation.

本発明の一実施態様にかかるレーザ加工方法は、基板上の欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工方法において、前記欠陥の位置情報を取得する欠陥位置情報取得工程と、前記レーザ光を照射するレーザ光照射部を、その照射可能領域に前記欠陥が位置するように、前記位置情報に基づき前記基板と相対的に移動させる照射部相対移動工程と、前記基板の非パターン領域に設定された照射領域の全域又は略全域における前記照射領域に、前記レーザ光照射部により前記レーザ光を一括照射するレーザ光照射工程と、を含む。 A laser processing method according to an embodiment of the present invention is a laser processing method for correcting a defect on a substrate with a laser beam, a defect position information acquiring step for acquiring position information of the defect, and a laser for irradiating the laser beam. An irradiation unit relative movement step of moving the light irradiation unit relative to the substrate based on the position information so that the defect is positioned in the irradiation possible region, and an irradiation region set in the non-pattern region of the substrate A laser light irradiation step of collectively irradiating the laser light to the irradiation region in the entire region or substantially the entire region by the laser light irradiation unit.

本発明の一実施態様にかかるレーザ加工装置は、基板上の欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工装置において、レーザ光を照射するレーザ光照射部と、該レーザ光照射部を前記基板と相対的に移動させる照射部相対駆動部と、を備え、前記レーザ光照射部は、前記基板の非パターン領域に設定された照射領域の全域又は略全域における前記照射領域に、前記レーザ光を一括照射する、ことを特徴とする。 A laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a laser processing apparatus that corrects a defect on a substrate with laser light, a laser light irradiation unit that irradiates laser light, and the laser light irradiation unit relative to the substrate. An irradiation unit relative driving unit that moves the laser beam to the irradiation region, and the laser beam irradiation unit collectively applies the laser beam to the irradiation region in the entire irradiation region set in the non-pattern region of the substrate. It is characterized by that.

本発明では、欠陥の位置によらず基板の非パターン領域に設定された照射領域にレーザ光が照射される。そのため、周囲に微細な欠陥を伴って存在する欠陥を修正する際に微細な欠陥も同時に修正することができる。また、レーザ加工による欠陥の残渣が新たな欠陥となるのを防ぐことができる。よって、本発明によれば、欠陥を確実に修正することができる。   In the present invention, the laser beam is irradiated to the irradiation region set in the non-pattern region of the substrate regardless of the position of the defect. Therefore, when correcting a defect that exists with a fine defect around it, the fine defect can be corrected at the same time. In addition, it is possible to prevent a defect residue caused by laser processing from becoming a new defect. Therefore, according to this invention, a defect can be corrected reliably.

本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows the laser processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。It is a top view which shows the laser processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the laser processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the laser processing method which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における参照画像の作成を説明するための説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) for demonstrating preparation of the reference image in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における参照画像の作成を説明するための説明図(その2)である。It is explanatory drawing (the 2) for demonstrating preparation of the reference image in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における参照画像の作成を説明するための説明図(その3)である。It is explanatory drawing (the 3) for demonstrating preparation of the reference image in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における参照画像の作成を説明するための説明図(その4)である。It is explanatory drawing (the 4) for demonstrating preparation of the reference image in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その2)である。It is explanatory drawing (the 2) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その3)である。It is explanatory drawing (the 3) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その4)である。It is explanatory drawing (the 4) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その5)である。It is explanatory drawing (the 5) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その6)である。It is explanatory drawing (the 6) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その7)である。It is explanatory drawing (the 7) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その8)である。It is explanatory drawing (the 8) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その9)である。It is explanatory drawing (the 9) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その10)である。It is explanatory drawing (the 10) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その11)である。It is explanatory drawing (the 11) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その12)である。It is explanatory drawing (the 12) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図(その13)である。It is explanatory drawing (the 13) for demonstrating the setting of the irradiation area | region in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における修正要否の判定を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating determination of the necessity for correction in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における空間変調素子の制御を説明するための説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) for demonstrating control of the spatial modulation element in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における空間変調素子の制御を説明するための説明図(その2)である。It is explanatory drawing (the 2) for demonstrating control of the spatial modulation element in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における空間変調素子の制御を説明するための説明図(その3)である。It is explanatory drawing (the 3) for demonstrating control of the spatial modulation element in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における空間変調素子の制御を説明するための説明図(その4)である。It is explanatory drawing (the 4) for demonstrating control of the spatial modulation element in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における空間変調素子の制御を説明するための説明図(その5)である。It is explanatory drawing (the 5) for demonstrating control of the spatial modulation element in one embodiment of this invention.

以下、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工方法及びレーザ加工装置について、図面を参照しながら説明する。
図1〜図3は、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置10を示す要部斜視図、平面図及び概略構成図である。
Hereinafter, a laser processing method and a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 3 are a perspective view, a plan view, and a schematic configuration diagram showing a main part of a laser processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

図1〜図3に示すように、レーザ加工装置1は、顕微鏡ユニット10と、レーザ光源ユニット20と、制御部30と、ステージ部40と、ガントリユニット50と、2つのガントリ用ベース部60,60と、モニタ70と、入力部80とを備える。レーザ加工装置1は、本実施の形態では、LCDのアレイ基板である基板100上の欠陥をレーザ光により修正するリペア加工等に用いられる。   As shown in FIGS. 1 to 3, the laser processing apparatus 1 includes a microscope unit 10, a laser light source unit 20, a control unit 30, a stage unit 40, a gantry unit 50, two gantry base units 60, 60, a monitor 70, and an input unit 80. In the present embodiment, the laser processing apparatus 1 is used for repair processing or the like for correcting defects on the substrate 100 which is an array substrate of an LCD by laser light.

図3に示すように、レーザ光照射部としての顕微鏡ユニット10は、レーザ光の光束断面を所望の形状に整形する光束整形手段として例えばDMD(Digital Mirror Device)である空間変調素子11と、対物レンズ切替部12と、撮像部13と、ダイクロイックミラー14とを有する。   As shown in FIG. 3, a microscope unit 10 as a laser beam irradiation unit includes a spatial modulation element 11 that is a DMD (Digital Mirror Device), for example, as a beam shaping unit that shapes a beam section of a laser beam into a desired shape, and an objective. The lens switching unit 12, the imaging unit 13, and the dichroic mirror 14 are included.

空間変調素子11は、レーザ光源ユニット20により発振されたレーザ光を空間変調(整形)する。空間変調素子11には、例えば、オン状態とオフ状態とに独立して揺動制御可能な複数の微小ミラーが矩形状の変調領域内に2次元的に配列されている。
尚、本構成では光束整形手段としてDMDのような空間変調素子を用いたが、これ以外にも液晶スリットなどその他のものでも代用可能である。即ち光束整形手段は、レーザ光の光束断面を所望の形状に整形する手段であれば如何なる構成をも含むものである。
The spatial modulation element 11 spatially modulates (shapes) the laser light oscillated by the laser light source unit 20. In the spatial modulation element 11, for example, a plurality of micromirrors that can be controlled to swing independently in an on state and an off state are two-dimensionally arranged in a rectangular modulation region.
In this configuration, a spatial modulation element such as DMD is used as the light beam shaping means, but other devices such as a liquid crystal slit can be used instead. That is, the light beam shaping means includes any configuration as long as it is a means for shaping the beam cross section of the laser light into a desired shape.

対物レンズ切替部12には、修正要否判定用対物レンズ(例えば5倍)12a及びこの
修正要否判定用対物レンズ12aよりも高倍率のレーザ光照射用対物レンズ(例えば20倍)12bを含む複数の対物レンズが、図示しないレボルバ機構やスライダー機構などの対物レンズ切換え手段によって切替え可能に保持されている。
The objective lens switching unit 12 includes a correction necessity determination objective lens (for example, 5 times) 12a and a laser light irradiation objective lens (for example, 20 times) 12b having a higher magnification than the correction necessity determination objective lens 12a. A plurality of objective lenses are held so as to be switchable by objective lens switching means such as a revolver mechanism or a slider mechanism (not shown).

なお、空間変調素子11と対物レンズ切替部12との間の光路中には、対物レンズ12a,12bに向けて鉛直下方にレーザ光を反射させるダイクロイックミラー14が配置されている。このダイクロイックミラー14は、基板100で反射された図示しない照明部による照明光を鉛直上方に透過させる。   In the optical path between the spatial modulation element 11 and the objective lens switching unit 12, a dichroic mirror 14 that reflects laser light vertically downward toward the objective lenses 12a and 12b is disposed. The dichroic mirror 14 transmits illumination light reflected by the substrate 100 from an illumination unit (not shown) vertically upward.

空間変調素子11とダイクロイックミラー14との間には、図示しない結像レンズが配置されている。この結像レンズの焦点距離を対物レンズ12a,12bの焦点距離で割ることで、対物レンズ12a,12bの倍率が決まる。   An imaging lens (not shown) is disposed between the spatial modulation element 11 and the dichroic mirror 14. By dividing the focal length of the imaging lens by the focal length of the objective lenses 12a and 12b, the magnification of the objective lenses 12a and 12b is determined.

撮像部13は、例えばCCD等の撮像素子を有し、基板100で反射されダイクロイックミラー14を透過した照明光が上記撮像素子に導光されることで、基板100を撮像する。このように撮像された画像は、制御部30によって画像処理されると共に、モニタ70に表示される。   The imaging unit 13 includes an imaging element such as a CCD, for example, and images the substrate 100 by guiding the illumination light reflected by the substrate 100 and transmitted through the dichroic mirror 14 to the imaging element. The captured image is subjected to image processing by the control unit 30 and displayed on the monitor 70.

図3に示すように、レーザ光源ユニット20は、レーザ光を発振するレーザ光源21を有する。このレーザ光源21により発振されたレーザ光は、結像レンズ22、光ファイバ23等を介して顕微鏡ユニット10の空間変調素子11に導光される。なお、レーザ光源21は、予め定められた発振条件(光出力、波長、発振パルス幅など)に基づいてレーザ光を発振する。   As shown in FIG. 3, the laser light source unit 20 includes a laser light source 21 that oscillates laser light. The laser light oscillated by the laser light source 21 is guided to the spatial modulation element 11 of the microscope unit 10 through the imaging lens 22, the optical fiber 23, and the like. The laser light source 21 oscillates laser light based on predetermined oscillation conditions (light output, wavelength, oscillation pulse width, etc.).

制御部30は、空間変調素子11の微小ミラーをオン状態とオフ状態とに独立して揺動制御し、空間変調素子11に所望の形状にレーザ光を空間変調(整形)させる。また、制御部30は、対物レンズ切替部12の対物レンズ切替動作、並びに、レーザ光源ユニット20、ステージ部40、ガントリユニット50、ガントリ用ベース部60及びモニタ70の動作制御、などを行う。   The control unit 30 controls the micro mirror of the spatial modulation element 11 to swing independently in the on state and the off state, and causes the spatial modulation element 11 to spatially modulate (shape) the laser light into a desired shape. Further, the control unit 30 performs an objective lens switching operation of the objective lens switching unit 12 and operation control of the laser light source unit 20, the stage unit 40, the gantry unit 50, the gantry base unit 60, and the monitor 70, and the like.

なお、本実施の形態では、図1及び図2において制御部としてガントリ50上に制御部30を図示しているが、後述するレーザ光の照射領域の設定や、撮像部13により撮像された画像の画像処理については、ガントリ50上の制御部30とは異なる制御部により行われるようにし、制御部30がその情報を取得するようにしてもよい。   In this embodiment, the control unit 30 is illustrated on the gantry 50 as the control unit in FIGS. 1 and 2, but the setting of a laser light irradiation area, which will be described later, and an image captured by the imaging unit 13 are illustrated. The image processing may be performed by a control unit different from the control unit 30 on the gantry 50, and the control unit 30 may acquire the information.

制御部30としては、ごく標準的な構成を有するコンピュータ、すなわち、制御プログラムを実行することで各構成要素を制御するCPUと、ROM、RAM、磁気記録媒体などからなり、CPUに各構成要素を制御させる制御プログラムの記憶や、CPUが制御プログラムを実行する際のワークエリア或いは各種データの記憶領域として使用される記憶部と、図3に示すモニタ(表示部)70に各種のデータを提示してユーザに通知する出力部と、他の機器とのデータ授受のためのインターフェース機能を提供するI/F部とを備える情報処理端末を用いることができる。なお、制御部30は、ユーザによる操作に対応する各種のデータが取得される図3に示す入力部80および上記のモニタ70に接続されている。   The control unit 30 includes a computer having a very standard configuration, that is, a CPU that controls each component by executing a control program, a ROM, a RAM, a magnetic recording medium, and the like. Various data is presented to the storage of the control program to be controlled, the storage unit used as a work area when the CPU executes the control program or the storage area of various data, and the monitor (display unit) 70 shown in FIG. Thus, an information processing terminal including an output unit that notifies the user and an I / F unit that provides an interface function for data exchange with other devices can be used. The control unit 30 is connected to the input unit 80 and the monitor 70 shown in FIG. 3 from which various types of data corresponding to user operations are acquired.

なお、図4に示す後述するレーザ加工の処理を制御部30に行わせるには、例えば、図4に示した手順の処理を制御部30に行わせる制御プログラムを作成して、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録させておき、その制御プログラムを例えば記録媒体から制御部30に読み出させて実行させればよい。   In order to cause the control unit 30 to perform the laser processing shown in FIG. 4 to be described later, for example, a control program for causing the control unit 30 to perform the procedure shown in FIG. 4 can be created and read by a computer. For example, the control program may be read from the recording medium to the control unit 30 and executed.

なお、記録させた制御プログラムを制御部30で読み取ることの可能な記録媒体としては、可搬型記録媒体等が利用できるが、記録媒体は回線を介して制御部30と接続される、プログラムサーバとして機能する記憶装置であってもよい。この場合には、制御プログラムを表現するデータ信号で搬送波を変調して得られる伝送信号を、プログラムサーバから伝送媒体である回線を通じて伝送するようにし、制御部30では受信した伝送信号を復調して制御プログラムを再生することで制御プログラムを実行できるようになる。   As a recording medium from which the recorded control program can be read by the control unit 30, a portable recording medium can be used. However, the recording medium is connected to the control unit 30 via a line as a program server. It may be a functioning storage device. In this case, a transmission signal obtained by modulating a carrier wave with a data signal representing a control program is transmitted from the program server through a line as a transmission medium, and the control unit 30 demodulates the received transmission signal. The control program can be executed by reproducing the control program.

図1に示すように、ステージ部40は、除振構造を有するベース部41と、このベース部41上に配置された浮上プレート42と、基板100を保持する図示しない基板保持部と、基板100の位置決めを行う図示しない位置決め機構とを有する。   As shown in FIG. 1, the stage unit 40 includes a base unit 41 having a vibration isolation structure, a floating plate 42 disposed on the base unit 41, a substrate holding unit (not shown) that holds the substrate 100, and the substrate 100. And a positioning mechanism (not shown) that performs positioning.

浮上プレート42は、例えば、図示しない矩形タイル状のプレートをマトリクス状に配列してなり、各プレートの上面からエアを吐出する。ガラス基板100は、エアの吐出によって浮上した状態で、上記の基板保持部により保持される。基板保持部は、基板100を固定或いは支持する手段であればいかなる構成でも構わない。例えば、クランプ機構やチャッキング機構によって基板100を固定する構成や、複数のピンによってガラス基板100を支持する構成とすればよい。
尚、上記の浮上プレート42は本発明の構成から省略しても構わない。また、浮上プレート42の代わりにローラー機構を用いたステージ部としても構わない。
For example, the floating plate 42 is formed by arranging rectangular tile-shaped plates (not shown) in a matrix, and discharges air from the upper surface of each plate. The glass substrate 100 is held by the substrate holding unit in a state of being floated by air discharge. The substrate holding part may have any configuration as long as it is a means for fixing or supporting the substrate 100. For example, a configuration in which the substrate 100 is fixed by a clamp mechanism or a chucking mechanism, or a configuration in which the glass substrate 100 is supported by a plurality of pins may be used.
In addition, you may abbreviate | omit said floating plate 42 from the structure of this invention. Further, a stage unit using a roller mechanism may be used instead of the floating plate 42.

図2に示すように、ガントリユニット50は、ステージ部40を跨ぐ門型形状を呈するガントリ51と、正面側X方向ガイド部52と、上面側X方向ガイド部53とを有する。
図1に示すように、ガントリ51は、水平梁51aと、この水平梁51aの両端を支持する計2つの脚部51b(一方のみ図1に図示)とを含む。なお、詳しくは後述するが、ガントリ51は、ガントリ用ベース部60,60に沿ってY方向(図2の紙面における上下方向)に移動する。
As shown in FIG. 2, the gantry unit 50 includes a gantry 51 having a portal shape straddling the stage portion 40, a front side X direction guide portion 52, and an upper surface side X direction guide portion 53.
As shown in FIG. 1, the gantry 51 includes a horizontal beam 51a and a total of two leg portions 51b (only one is shown in FIG. 1) for supporting both ends of the horizontal beam 51a. As will be described in detail later, the gantry 51 moves in the Y direction (vertical direction in the plane of FIG. 2) along the gantry base portions 60 and 60.

正面側X方向ガイド部52は、ガントリ51の水平梁51aの正面に設けられた2本一対のガイドレール52aと、このガイドレール52aに沿ってX方向(図2の紙面における左右方向)に移動する矩形板状のスライダ52bと、このスライダ52bに固定され顕微鏡ユニット10を支持する顕微鏡支持部52cとを含む。   The front-side X-direction guide portion 52 moves in the X direction (the left-right direction in the drawing of FIG. 2) along a pair of two guide rails 52a provided in front of the horizontal beam 51a of the gantry 51. A rectangular plate-like slider 52b, and a microscope support 52c that is fixed to the slider 52b and supports the microscope unit 10.

ガイドレール52aは、例えばリニアモータによって、スライダ52bを介して顕微鏡ユニット10をX方向に移動させる。このように、正面側X方向ガイド部52は、後述するY方向ガイド部62と共に、基板100に対する顕微鏡ユニット10の位置を相対的に移動させる照射部相対駆動部として機能する。   The guide rail 52a moves the microscope unit 10 in the X direction via a slider 52b by, for example, a linear motor. Thus, the front side X direction guide part 52 functions as an irradiation part relative drive part that moves the position of the microscope unit 10 relative to the substrate 100 together with the Y direction guide part 62 described later.

なお、本実施の形態では顕微鏡ユニット10を移動させる構成の方が基板100を移動させる構成よりも簡素な構成で実現できるが、照射部相対駆動部としては、上記のようなガントリ51をY方向に移動させる代わりに基板100をY方向に移動させる構成としたり、基板100をX−Y方向に移動させる構成とすることも可能であり、基板100に対する顕微鏡ユニット10の位置を相対的に移動させるものであれば如何なる構成であってもよい。   In this embodiment, the configuration in which the microscope unit 10 is moved can be realized with a simpler configuration than the configuration in which the substrate 100 is moved. However, as the irradiation unit relative drive unit, the gantry 51 as described above is used in the Y direction. Instead of moving the substrate 100, the substrate 100 may be moved in the Y direction, or the substrate 100 may be moved in the XY direction. The position of the microscope unit 10 is moved relative to the substrate 100. Any configuration can be used.

上面側X方向ガイド部53は、ガントリ51の水平梁51aの上面に設けられた2本一対のガイドレール53aと、このガイドレール53aに沿って移動する矩形板状のスライダ53bとを含む。   The upper surface side X-direction guide portion 53 includes a pair of guide rails 53a provided on the upper surface of the horizontal beam 51a of the gantry 51, and a rectangular plate-shaped slider 53b that moves along the guide rails 53a.

ガイドレール53aは、例えばリニアモータによって、スライダ53bに設置されたレーザ光源ユニット20及び制御部30を移動させる。
なお、正面側X方向ガイド部52上に配置されたレーザ光源ユニット20が上面側X方向ガイド部53に配置された顕微鏡ユニット10に光ファイバ23によって接続されているため、正面側X方向ガイド部52のスライダ52bと、上面側X方向ガイド部53のスライダ53bとは、同期して移動する。
The guide rail 53a moves the laser light source unit 20 and the control unit 30 installed on the slider 53b by, for example, a linear motor.
Since the laser light source unit 20 disposed on the front-side X-direction guide 52 is connected to the microscope unit 10 disposed on the top-side X-direction guide 53 by the optical fiber 23, the front-side X-direction guide The slider 52b of 52 and the slider 53b of the upper surface side X-direction guide portion 53 move synchronously.

図2に示すように、ガントリ用ベース部60,60は、ステージ部40を挟んで互いに対向するように配置されている。各ガントリ用ベース部60は、ベース61と、Y方向ガイド部62とを有する。   As shown in FIG. 2, the gantry base portions 60 and 60 are arranged so as to face each other with the stage portion 40 interposed therebetween. Each gantry base portion 60 includes a base 61 and a Y-direction guide portion 62.

Y方向ガイド部62は、ベース部61の上面に設けられた2本一対のガイドレール62aを含む。このガイドレール62aは、例えばリニアモータによって、ガントリユニット50を介して顕微鏡ユニット10をY方向に移動させる。このように、Y方向ガイド部62は、上述の正面側X方向ガイド部52と同様に、基板100に対する顕微鏡ユニット10の位置を相対的に移動させる照射部相対駆動部として機能する。   The Y-direction guide part 62 includes a pair of guide rails 62 a provided on the upper surface of the base part 61. The guide rail 62a moves the microscope unit 10 in the Y direction via the gantry unit 50 by, for example, a linear motor. As described above, the Y-direction guide unit 62 functions as an irradiation unit relative drive unit that relatively moves the position of the microscope unit 10 with respect to the substrate 100, similarly to the front-side X-direction guide unit 52 described above.

以下、参照画像の作成及び照射領域の設定について説明した後、図4に示すレーザ加工のフローチャートについて説明する。
<参照画像の作成>
Hereinafter, after the creation of the reference image and the setting of the irradiation area will be described, the flowchart of the laser processing shown in FIG. 4 will be described.
<Create reference image>

図5〜図8は、本実施の形態における参照画像の作成を説明するための説明図である。
ユーザは、図3に示すモニタ70等に表示される図5に示す画像表示ウインドウ300を確認しながら、図示しない設定画面において参照画像を作成可能となっている。
5 to 8 are explanatory diagrams for explaining the creation of the reference image in the present embodiment.
The user can create a reference image on a setting screen (not shown) while checking the image display window 300 shown in FIG. 5 displayed on the monitor 70 shown in FIG.

まず、ユーザは、画像表示ウインドウ300の画像表示部310に表示される撮像画像311の大きさを設定する。この撮像画像311は、図7に示す参照画像312を選択するための基板100のパターン画像である。なお、詳しくは後述するが、参照画像312は、レーザ光の照射領域の設定や欠陥の修正要否の判定において参照される。   First, the user sets the size of the captured image 311 displayed on the image display unit 310 of the image display window 300. This captured image 311 is a pattern image of the substrate 100 for selecting the reference image 312 shown in FIG. As will be described in detail later, the reference image 312 is referred to in setting a laser light irradiation region and determining whether or not a defect needs to be corrected.

撮像画像311の大きさは、図7に示す参照画像312が周期性のある繰り返しパターン200(図5に二点鎖線で図示)である場合には、繰り返しパターン200よりも大きく、例えば、縦横(X方向・Y方向)のそれぞれが繰り返しパターン200の大きさの1.5倍程度となるように設定するとよい。なお、繰り返しパターン200は、例えば、それぞれが走査線210、データ線220及び回路素子230からなるRGBの3つの画素からなる。   The size of the captured image 311 is larger than the repetitive pattern 200 when the reference image 312 shown in FIG. 7 is a periodic repetitive pattern 200 (shown by a two-dot chain line in FIG. 5). The X direction and the Y direction may be set to be about 1.5 times the size of the repeated pattern 200. Note that the repetitive pattern 200 includes, for example, three RGB pixels each including a scanning line 210, a data line 220, and a circuit element 230.

図3に示す顕微鏡ユニット10は、上述の撮像画像311を作成するために、視野サイズでの撮像と、X方向及びY方向への移動とを繰り返す。このように撮像された画像が制御部30により貼り合わされ、撮像画像311となり、制御部30の記憶部に記憶される。なお、既に作成されている撮像画像311を用いて参照画像312を作成する場合には、制御部30の記憶部から撮像画像311を読み出すことになる。   The microscope unit 10 illustrated in FIG. 3 repeats imaging with a field size and movement in the X direction and the Y direction in order to create the above-described captured image 311. The images thus captured are pasted together by the control unit 30 to form a captured image 311 and stored in the storage unit of the control unit 30. Note that when the reference image 312 is created using the already-captured captured image 311, the captured image 311 is read from the storage unit of the control unit 30.

次に、ユーザは、例えば、図6に示すように撮像画像312内に表示される太枠C(繰り返しパターン200を示す二点鎖線とは異なり、実際に画像表示ウインドウ300に表示される枠)の大きさ・位置を、図3に示す入力部80のマウス等で繰り返しパターンの1周期分に調整する。これにより、太枠Cで選択した領域が新たに、図7に示す参照画像312として登録される。   Next, the user displays, for example, a thick frame C displayed in the captured image 312 as shown in FIG. 6 (a frame actually displayed in the image display window 300, unlike the two-dot chain line indicating the repeated pattern 200). Is adjusted to one cycle of the repetitive pattern with the mouse of the input unit 80 shown in FIG. As a result, the region selected by the thick frame C is newly registered as the reference image 312 shown in FIG.

図8に示すように、参照画像312(二点鎖線で図示)は、縦横に連続的に貼り合わせて貼り合わせ画像313として作成され、図4に示すレーザ加工のフローの修正要否判定工程(S4)のパターンマッチングや、後述する照射領域の設定において用いることがで
きる。なお、貼り合わせ画像313は、顕微鏡ユニット10の修正要否判定用対物レンズ12a等の低倍率の対物レンズで撮像した基板100の画像と重ね合わせて表示することで、作成ミスの有無を確認することができる。
As shown in FIG. 8, the reference image 312 (illustrated by a two-dot chain line) is created by continuously pasting vertically and horizontally as a stitched image 313, and the laser processing flow shown in FIG. It can be used in the pattern matching of S4) and the setting of the irradiation area described later. The bonded image 313 is displayed by being superimposed on the image of the substrate 100 captured by a low-magnification objective lens such as the correction necessity determination objective lens 12a of the microscope unit 10, thereby confirming whether there is a creation error. be able to.

<照射領域設定>
図9〜図21は、本実施の形態における照射領域の設定を説明するための説明図である。
詳しくは後述するが、照射領域は、基板100にレーザ光を照射する領域であり、欠陥の位置によらず非パターン領域の全部又は一部に設定される。非パターン領域は、図9等に示すパターン領域である走査線210、データ線220及び回路素子230を除いた領域である。
<Irradiation area setting>
FIGS. 9-21 is explanatory drawing for demonstrating the setting of the irradiation area | region in this Embodiment.
As will be described in detail later, the irradiation region is a region where the substrate 100 is irradiated with laser light, and is set to all or a part of the non-pattern region regardless of the position of the defect. The non-pattern area is an area excluding the scanning lines 210, the data lines 220, and the circuit elements 230, which are pattern areas shown in FIG.

走査線210、データ線220及び回路素子230からなるパターン領域は、例えば、図9に示すように互いに交差するように設けられた走査線210及びデータ線220からなる第1の領域R1と、図10に示すように回路素子230からなる第2の領域R2とに領域分けすることができる。この領域分けは、領域毎に設定された膨張量でパターン領域を禁止領域として膨張させたり重要領域を設定したりするためである。   For example, the pattern region including the scanning line 210, the data line 220, and the circuit element 230 includes a first region R1 including the scanning line 210 and the data line 220 provided so as to intersect with each other as illustrated in FIG. As shown in FIG. 10, the region can be divided into the second region R2 including the circuit element 230. This area division is for expanding the pattern area as a prohibited area or setting an important area with an expansion amount set for each area.

ここで、重要領域とは重要度を設定された領域であり、後述するが、重要度は、例えば欠陥修正の判断に際して、一定値以上の領域に欠陥が存在すれば無条件で修正を行うなどといったように利用される。   Here, the important area is an area for which importance is set. As will be described later, for example, when determining the defect correction, the importance is corrected unconditionally if there is a defect in a certain area or more. It is used as such.

なお、パターン領域である第1の領域R1及び第2の領域R2は、例えば、図9及び図10に示すように、画像表示ウインドウ300の画像表示部310に表示される参照画像312から、ユーザが図3の入力部80のマウス等で領域として設定するパターンを手動で選択することができるが、パターン領域と非パターン領域との輝度値の差などを利用して自動的に設定することも可能である。   Note that the first region R1 and the second region R2 that are pattern regions are obtained from the reference image 312 displayed on the image display unit 310 of the image display window 300, for example, as shown in FIGS. 3 can manually select a pattern to be set as an area with the mouse of the input unit 80 in FIG. 3, but can also be automatically set using a difference in luminance value between a pattern area and a non-pattern area. Is possible.

ユーザは、図11に示すようにパターン領域である第1の領域R1を膨張させて禁止領域として設定することができ(膨張した第1の領域R1´)、更に、図12に示すように第2の領域R2を膨張させて禁止領域として設定することができる(膨張した第2の領域R2´)。   As shown in FIG. 11, the user can expand the first area R1 which is the pattern area and set it as a prohibited area (expanded first area R1 ′). Further, as shown in FIG. The second region R2 can be expanded and set as a prohibited region (expanded second region R2 ′).

第1の領域R1´及び第2の領域R2´は、画像表示ウインドウ300の上下左右の全方向に膨張させてあるが、例えば、上下左右の4方向のうち1方向に膨張させるようにしてもよく、また、ユーザの選択した部分のみを膨張させるようにしてもよい。   The first region R1 ′ and the second region R2 ′ are expanded in all the upper, lower, left, and right directions of the image display window 300. For example, the first region R1 ′ and the second region R2 ′ may be expanded in one of four directions. Alternatively, only the portion selected by the user may be inflated.

なお、第1の領域R1や第2の領域R2などの指定範囲毎に異なる膨張量(例えば、膨張幅、膨張前を基準にした膨張率等)でパターン領域を膨張させて禁止領域として設定することも可能である。図11及び図12に示す例では、第1の領域R1及び第2の領域R2の膨張量は、一定の膨張幅としている。   Note that the pattern region is expanded with a different expansion amount (for example, an expansion width, an expansion rate based on the pre-expansion, etc.) for each specified range such as the first region R1 and the second region R2, and set as a prohibited region. It is also possible. In the example shown in FIGS. 11 and 12, the expansion amount of the first region R1 and the second region R2 is a constant expansion width.

図13の例では、第2の領域R2は第1の領域R1の膨張量よりも大きい膨張量で膨張されて禁止領域として設定される(第2の領域R2´´)。なお、上記の重要度を基に膨張量を自動で決定するようにしてもよい。   In the example of FIG. 13, the second region R2 is inflated with an expansion amount larger than the expansion amount of the first region R1 and set as a prohibited region (second region R2 ″). The expansion amount may be automatically determined based on the importance.

図14に示す第2の領域R2のように、実際のパターン領域に対し欠落部分R2aや突出部分R2bがある場合には、図15に点線で示す所定の形状の領域追加枠R2cや領域削除枠R2dをユーザが選択して画像表示ウインドウ300上で配置することなどにより、領域を適宜変更できる。   When there is a missing part R2a or a protruding part R2b with respect to the actual pattern area as in the second area R2 shown in FIG. 14, the area addition frame R2c or area deletion frame having a predetermined shape indicated by a dotted line in FIG. The region can be changed as appropriate, for example, by the user selecting R2d and placing it on the image display window 300.

図16に示すように、照射領域R3は、パターン領域である走査線210、データ線220及び回路素子230を除いた部分である非パターン領域の全部又は一部に設定される。図16に示す照射領域R3は、上述の第1の領域R1及び第2の領域R2以外の領域である。   As shown in FIG. 16, the irradiation region R3 is set to all or a part of a non-pattern region that is a portion excluding the scanning line 210, the data line 220, and the circuit element 230 that are pattern regions. The irradiation region R3 shown in FIG. 16 is a region other than the first region R1 and the second region R2 described above.

なお、照射領域を設定するには、パターン領域R1,R2と、それ以外の非パターン領域とに生じる輝度値の差を利用して自動的に設定することも可能である。例えば、階調差による2値化やモーホロジー(morphology)などを利用することができる。   In order to set the irradiation area, it is also possible to automatically set using the difference in luminance value generated between the pattern areas R1 and R2 and the other non-pattern areas. For example, binarization based on a gradation difference, morphology, etc. can be used.

上述のように第1の領域R1及び第2の領域R2を膨張させた場合(R1´,R2´,R2´´)、図17に示すように、照射領域R3´は、膨張させた修正禁止領域である第1の領域R1´及び第2の領域R2´,R2´´を除いた部分に設定することができる。   When the first region R1 and the second region R2 are inflated as described above (R1 ′, R2 ′, R2 ″), the irradiation region R3 ′ is inflated as shown in FIG. It can be set to a portion excluding the first region R1 ′ and the second regions R2 ′ and R2 ″ which are regions.

図18に示すように基板100の繰り返しパターン200の複数周期(図18では3周期)に1つ、他の繰り返しパターン200と異なる変則パターン240が存在する場合、図19に示すように全ての繰り返しパターン200について変則パターン240があるものとして(仮想パターン240´)、図20に示すように仮想パターン240´を除いた照射領域R3´を決定するとよい。   As shown in FIG. 18, when there is an anomaly pattern 240 that is different from the other repeating patterns 200, one in a plurality of periods (three periods in FIG. 18) of the repeating pattern 200 of the substrate 100, all repetitions are performed as shown in FIG. 19. Assuming that there is an irregular pattern 240 for the pattern 200 (virtual pattern 240 ′), the irradiation region R3 ′ excluding the virtual pattern 240 ′ may be determined as shown in FIG.

このように仮想パターン240´を設定することで、照射領域の設定を簡易化することができる。
図21に示すように、照射領域R3´は、これに含まれる領域R3´−1,R3´−2,R3´−3ごとに照射条件を変更することができる。照射条件としては、例えば、レーザ光の照射回数、光出力、波長、発振パルス幅などが挙げられる。
By setting the virtual pattern 240 ′ in this way, the setting of the irradiation area can be simplified.
As shown in FIG. 21, the irradiation condition of the irradiation region R3 ′ can be changed for each of the regions R3′-1, R3′-2, and R3′-3 included therein. Examples of irradiation conditions include the number of times of laser light irradiation, light output, wavelength, and oscillation pulse width.

なお、照射条件の変更は、例えば、図3に示す空間変調素子11に配列された微小ミラーのうち照射領域R3´に位置する微小ミラーの全てをオン状態とせずに、照射領域の一部を、光学分解能を確保できる範囲でオフ状態として間引くことでも変更してもよい。   Note that the irradiation condition is changed by, for example, changing a part of the irradiation region without turning on all the micromirrors arranged in the irradiation region R3 ′ among the micromirrors arranged in the spatial modulation element 11 shown in FIG. Alternatively, it may be changed by thinning out the OFF state as long as the optical resolution can be secured.

<レーザ加工>
図4のフローチャートに示すように、図3等に示す制御部30は、例えばレーザ加工装置10とは独立した検査装置から、抽出された基板100の欠陥の位置情報を取得する(S1:欠陥位置情報取得工程)。この検査装置は、例えば、基板100の搬送経路の上流側に位置する装置である。尚、検査装置とレーザ加工装置は互いに独立している必要はなく、欠陥検査を行う機能とレーザ加工を行う機能を併せ持った複合装置として構成されていてもよい。
<Laser processing>
As illustrated in the flowchart of FIG. 4, the control unit 30 illustrated in FIG. 3 or the like acquires positional information on the extracted defect of the substrate 100 from, for example, an inspection apparatus independent of the laser processing apparatus 10 (S1: defect position). Information acquisition process). This inspection apparatus is an apparatus located on the upstream side of the transport path of the substrate 100, for example. Note that the inspection apparatus and the laser processing apparatus do not need to be independent of each other, and may be configured as a composite apparatus having both a defect inspection function and a laser processing function.

そして、制御部30は、例えば倍率が5倍の修正要否判定用対物レンズ12aの装着時における観察領域(図23の観察領域F1参照)に欠陥が位置するように、上記の欠陥の位置情報に基づき、顕微鏡ユニット10を、図1及び図2に示す正面側X方向ガイド部52及びY方向ガイド部62によって移動させることにより、基板100と相対的に移動させる(S2:第1の照射部相対移動工程)。   Then, the control unit 30 positions the defect so that the defect is positioned in the observation region (see the observation region F1 in FIG. 23) when the correction necessity determination objective lens 12a having a magnification of 5 times is mounted, for example. Based on the above, the microscope unit 10 is moved relative to the substrate 100 by being moved by the front-side X-direction guide portion 52 and the Y-direction guide portion 62 shown in FIGS. 1 and 2 (S2: first irradiation portion) Relative movement process).

制御部30は、顕微鏡ユニット10を移動させた後、図示しないオートフォーカス機構によってオートフォーカスを行う(S3)。そして、制御部30は、顕微鏡ユニット10により得られる観察画像を基に欠陥の修正が必要か否かを判断する(S4)。   After moving the microscope unit 10, the control unit 30 performs autofocus by an autofocus mechanism (not shown) (S3). And the control part 30 judges whether the correction of a defect is required based on the observation image obtained by the microscope unit 10 (S4).

この欠陥修正の判断(S4)では、制御部30は、図8に示す参照画像312を貼り合わせてなる貼り合わせ画像313と上記の観察画像とのパターンマッチング(参照比較)
、或いは、観察画像から抽出される隣接する繰り返しパターン間の比較(隣接比較)を行って欠陥の検出を行う。
In this defect correction determination (S4), the control unit 30 performs pattern matching (reference comparison) between the combined image 313 formed by combining the reference image 312 shown in FIG.
Alternatively, a defect is detected by performing comparison (adjacent comparison) between adjacent repeated patterns extracted from the observation image.

そして、制御部30は、例えば、図22に示すように、データ線220(第1の領域R1)と回路素子230(第2の領域R2)とに亘って位置する欠陥401は、第2の領域R2の重要度が一定値以上であるためにショートを引き起こすものとして「修正する」と判断する。   Then, for example, as illustrated in FIG. 22, the control unit 30 determines that the defect 401 located across the data line 220 (first region R1) and the circuit element 230 (second region R2) is the second Since the importance of the region R2 is equal to or greater than a certain value, it is determined that “correction” is caused as causing a short circuit.

また、制御部30は、例えば、回路素子230からなる第2の領域R2の重要度が一定値以上であるために回路素子230に接触する欠陥402は無条件に「修正する」と判断する。   Further, the control unit 30 determines that the defect 402 that contacts the circuit element 230 is “corrected” unconditionally, for example, because the importance of the second region R2 including the circuit element 230 is a certain value or more.

また、制御部30は、例えば、走査線210からなる上述の第1の領域R1の重要度が一定値未満であったり重要度を設定されてない場合には走査線210のみに接触する欠陥403は「修正しない」と判断する。   In addition, for example, when the importance of the first region R1 including the scanning line 210 is less than a certain value or the importance is not set, the control unit 30 touches the defect 403 that contacts only the scanning line 210. Is determined not to be modified.

また、制御部30は、例えば、いずれのパターンにも接触していない欠陥404は「修正しない」と判断する。このような判断を、制御部30は、予め定められた条件にて自動で行う。   For example, the control unit 30 determines that the defect 404 that is not in contact with any pattern is “not corrected”. Such a determination is automatically performed by the control unit 30 under predetermined conditions.

欠陥が修正を要しないものであれば、制御部30は、他に修正していない欠陥があるかを判断し(S13)、修正していない欠陥がなければレーザ加工の処理は終了する。また、制御部30は、修正していない欠陥がある場合には、図4に示すように上述の第1の照射部相対移動工程(S2)から処理を再開する。   If the defect does not require correction, the control unit 30 determines whether there is another defect that has not been corrected (S13), and if there is no defect that has not been corrected, the laser processing ends. Further, when there is a defect that has not been corrected, the control unit 30 restarts the process from the first irradiation unit relative movement step (S2) as shown in FIG.

なお、図4のフローには示していないが顕微鏡ユニット10を移動させる必要がない場合やオートフォーカス(S3)を行う必要がない場合には、これらの工程(S2,S3)を省略することが可能である。   Although not shown in the flow of FIG. 4, when it is not necessary to move the microscope unit 10 or when it is not necessary to perform autofocus (S3), these steps (S2, S3) may be omitted. Is possible.

欠陥を修正する場合には、制御部30は、顕微鏡ユニット10の撮像部13により撮像した欠陥の画像を取り込み(S5)、記憶部に記憶しておく。この画像は、後述する修正後の欠陥画像(S11)と比較することにより、欠陥修正の可否を判断する際のステップS12において使用することができる。   When correcting the defect, the control unit 30 captures an image of the defect captured by the imaging unit 13 of the microscope unit 10 (S5) and stores it in the storage unit. This image can be used in step S12 when determining whether or not the defect can be corrected by comparing with a corrected defect image (S11) described later.

撮像部13が欠陥の画像を撮像した後、制御部30は、修正要否判定用対物レンズ12aを、例えば倍率が20倍のレーザ光照射用対物レンズ12bに切替える(S6)。これにより、図23に示すように顕微鏡ユニット10の観察領域F1が観察領域F2となる。   After the imaging unit 13 captures an image of a defect, the control unit 30 switches the correction necessity determination objective lens 12a to, for example, a laser light irradiation objective lens 12b having a magnification of 20 (S6). Thereby, as shown in FIG. 23, the observation region F1 of the microscope unit 10 becomes the observation region F2.

次に、制御部30は、図示しないオートフォーカス機構によって再びオートフォーカスを行う(S7)。そして、制御部30は、レーザ光照射用対物レンズ12bの装着時における照射可能領域F3に欠陥が位置するように、顕微鏡ユニット10を、図1及び図2に示す正面側X方向ガイド部52及びY方向ガイド部62によって移動させることにより、基板100と相対的に移動させ欠陥401を照射可能領域F3内でセンタリングする(S8:第2の照射部相対移動工程)。   Next, the control unit 30 performs autofocus again by an autofocus mechanism (not shown) (S7). Then, the control unit 30 moves the microscope unit 10 to the front side X-direction guide unit 52 and the front side X-direction guide unit 52 shown in FIGS. 1 and 2 so that the defect is located in the irradiable region F3 when the laser light irradiation objective lens 12b is mounted. By moving by the Y-direction guide part 62, the defect 401 is moved relative to the substrate 100, and the defect 401 is centered within the irradiable area F3 (S8: second irradiation part relative movement process).

なお、上述の顕微鏡移動(S2:第1の照射部相対移動工程)を高精度に行った場合など、センタリング(S8:第2の照射部相対移動工程)を行う必要がない場合には省略することも可能である。   In addition, when the above-mentioned microscope movement (S2: 1st irradiation part relative movement process) is performed with high precision etc., it is abbreviate | omitted when it is not necessary to perform centering (S8: 2nd irradiation part relative movement process). It is also possible.

制御部30は、図16に示すように非パターン領域である上述の照射領域R3や、図1
7に示すように非パターン領域のうち修正禁止領域(パターン領域を膨張させた第1の領域R1´及び第2の領域R2´)を除いた部分である照射領域R3´にレーザ光を照射させる(S9,S10:レーザ光照射工程)。
As shown in FIG. 16, the control unit 30 controls the irradiation region R3, which is a non-pattern region,
As shown in FIG. 7, the irradiation region R3 ′, which is a portion excluding the correction prohibition region (the first region R1 ′ and the second region R2 ′ obtained by expanding the pattern region) in the non-pattern region, is irradiated with the laser beam. (S9, S10: laser light irradiation step).

具体的には、制御部30は、図24に示すように、顕微鏡ユニット10の照射可能領域F3のうち、照射領域R3に対応する空間変調素子11の微小ミラーについてはオン状態とし、パターン領域R1,R2に対応する空間変調素子11の微小ミラーについてはオフ状態となるように、空間変調素子11の微小ミラーを制御し、レーザ光を空間変調させる(S9)。   Specifically, as shown in FIG. 24, the control unit 30 turns on the minute mirror of the spatial modulation element 11 corresponding to the irradiation region R3 in the irradiation possible region F3 of the microscope unit 10, and sets the pattern region R1. , R2 to control the minute mirror of the spatial modulation element 11 so that the minute mirror of the spatial modulation element 11 in the OFF state is turned off (S9).

なお、照射可能領域F3に照射領域R3をどのように対応させるかについては、例えば上記の取り込んでおいた画像(S5)などから得られる顕微鏡ユニット10(照射可能領域F3)の位置を基に、図8に示す参照画像312の貼り合わせ画像313などから照射可能領域F3の照射領域R3をトリミングすればよい。   Note that how the irradiation region R3 corresponds to the irradiation region F3 is based on the position of the microscope unit 10 (irradiation region F3) obtained from the captured image (S5) or the like, for example. The irradiation region R3 of the irradiation possible region F3 may be trimmed from the composite image 313 of the reference image 312 shown in FIG.

次に、制御部30は、上述のように微小ミラーを制御した空間変調素子11に対し、レーザ光源ユニット20によりレーザ光を照射させ、欠陥401の加工(修正)を行う(S10)。   Next, the control unit 30 irradiates the spatial modulation element 11 that controls the micromirror as described above with laser light from the laser light source unit 20 to process (correct) the defect 401 (S10).

なお、制御部30は、上述のように、図21に示す照射領域R3´の領域R3´−1,R3´−2,R3´−3ごとに照射条件を変更してレーザ光を複数回照射させてもよい。
欠陥401の加工を行った後、制御部30は、顕微鏡ユニット10の撮像部13に撮像した欠陥の画像を取り込む(S11)。制御部30は、この画像を、上述の修正前の欠陥画像(S5)あるいは図7に示す参照画像312とのパターンマッチングなどにより、欠陥修正の可否を判断する(S12)。
As described above, the control unit 30 changes the irradiation condition for each of the regions R3′-1, R3′-2, R3′-3 of the irradiation region R3 ′ shown in FIG. You may let them.
After processing the defect 401, the control unit 30 captures the image of the defect captured in the imaging unit 13 of the microscope unit 10 (S11). The control unit 30 determines whether or not the defect can be corrected by pattern matching with the above-described defect image (S5) before correction or the reference image 312 shown in FIG. 7 (S12).

欠陥修正が完了していなければ、制御部30は、レーザ加工(S10)から処理を再開する。
また、制御部30は、欠陥修正が完了していれば、他に修正していない欠陥があるかを判断し(S12)、修正していない欠陥がなければレーザ加工の処理は終了する。
If the defect correction has not been completed, the control unit 30 resumes the processing from the laser processing (S10).
Moreover, if the defect correction is completed, the control unit 30 determines whether there is another defect that has not been corrected (S12), and if there is no defect that has not been corrected, the laser processing ends.

修正していない欠陥がある場合、制御部30は、図4に示すように上述の第1の照射部相対移動工程(S2)から処理を再開するが、その際には、図4のフローには示していないが、レーザ光照射用対物レンズ12bを修正要否判定用対物レンズ12aに切替える必要がある。なお、顕微鏡ユニット10を移動させる必要がない場合には、顕微鏡移動の工程(S2)を省略することが可能である。   When there is a defect that has not been corrected, the control unit 30 resumes the process from the first irradiation unit relative movement step (S2) as shown in FIG. 4, but in that case, the flow of FIG. Although not shown, it is necessary to switch the laser light irradiation objective lens 12b to the correction necessity objective lens 12a. If the microscope unit 10 does not need to be moved, the microscope moving step (S2) can be omitted.

以上のようにして欠陥の修正処理は終了するが、例えば、図25に示すように線状の欠陥405が照射可能領域F3に収まらない場合、制御部30は、上述のセンタリング(S8)を適宜行いながら、レーザ光照射工程(S9,S10)を複数回繰り返し行う。   As described above, the defect correction process ends. For example, when the linear defect 405 does not fit in the irradiable area F3 as shown in FIG. 25, the control unit 30 appropriately performs the above-described centering (S8). While performing, the laser beam irradiation step (S9, S10) is repeated a plurality of times.

その場合、図26に示すように、照射可能領域F3が円形であるため、互いに隣接する照射領域F3の間で重複部分F3−O(斜線で図示)が生じる。そのため、制御部30は、照射領域R3を照射可能領域F3の非パターン領域の全域にするのではなく、互いに隣接する照射領域R3を例えば重複部分F3−Oの半分ずつ縮小することで重複部分F3−Oを解消することができる。また、図27に示すように、照射領域R3を矩形に縮小するなどして照射可能領域F3の重複部分F3−Oを解消するようにしてもよい。   In this case, as shown in FIG. 26, since the irradiable region F3 is circular, an overlapping portion F3-O (shown by hatching) occurs between the irradiation regions F3 adjacent to each other. Therefore, the control unit 30 does not make the irradiation region R3 the entire non-pattern region of the irradiable region F3, but reduces the irradiation region R3 adjacent to each other by, for example, half of the overlapping portion F3-O, thereby overlapping portion F3. -O can be eliminated. Further, as shown in FIG. 27, the overlapping portion F3-O of the irradiable region F3 may be eliminated by reducing the irradiation region R3 into a rectangular shape.

以上説明した本実施の形態では、欠陥の位置によらず基板100の非パターン領域に設定された照射領域R3にレーザ光が照射される。そのため、周囲に微細な欠陥を伴って存
在する欠陥を修正する際に、微細な欠陥も同時に修正することができる。また、欠陥を含む広範囲に渡ってレーザ光を照射することにより、レーザ光の打ち残し(残留欠陥)を防止できる。さらに、欠陥のみにレーザ光を照射した場合に生じ得る飛散した残渣が新たな欠陥となる問題を防ぐことができる。よって、本実施の形態によれば、欠陥を確実に修正することができる。更には、欠陥の形状等に応じた空間変調素子11の制御を省略することができるため、レーザ加工の制御を簡素化することも可能となる。
In the present embodiment described above, the laser beam is irradiated to the irradiation region R3 set in the non-pattern region of the substrate 100 regardless of the position of the defect. Therefore, when correcting a defect that exists with a fine defect around it, the fine defect can be corrected at the same time. In addition, by irradiating a laser beam over a wide range including a defect, it is possible to prevent the laser beam from being left behind (residual defect). Furthermore, it is possible to prevent a problem that a scattered residue that can be generated when only a defect is irradiated with laser light becomes a new defect. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to reliably correct the defect. Furthermore, since the control of the spatial modulation element 11 according to the defect shape or the like can be omitted, the control of the laser processing can be simplified.

また、本実施の形態では、制御部30は、レーザ光照射工程(S9,S10)において、図21に示すように、照射領域R3´に含まれる複数の領域R3´−1,R3´−2,R3´−3で照射条件を変えてレーザ光を照射させる。そのため、基板100に適した条件で欠陥を確実に修正することができる。   Moreover, in this Embodiment, the control part 30 is a laser beam irradiation process (S9, S10), as shown in FIG. 21, several area | region R3'-1, R3'-2 contained in irradiation area | region R3 '. , R3′-3, the irradiation condition is changed to irradiate the laser beam. Therefore, the defect can be reliably corrected under conditions suitable for the substrate 100.

また、本実施の形態では、制御部30が、レーザ光照射工程(S9,S10)において、図24等に示す照射可能領域F3の全域(又は略全域)における照射領域R3にレーザ光を一括照射させる場合、迅速に欠陥を修正することができる。   In the present embodiment, the control unit 30 collectively irradiates the irradiation region R3 in the entire irradiation region F3 (or substantially the entire region) shown in FIG. 24 and the like in the laser beam irradiation step (S9, S10). In this case, the defect can be corrected quickly.

また、本実施の形態では、制御部30は、レーザ光照射工程において、図21に示すように、非パターン領域のうちパターン領域(210,220,230)を膨張させた修正禁止の領域R1´,R2´を除いた部分である照射領域R3´にレーザ光を照射させる。そのため、パターン領域に製造バラつきがあったりレーザ加工装置10に振動が生じたりしても、正常パターンの破壊などの影響を防ぐことができる。また、正常パターンに与える熱の影響を低減することができる。   Further, in the present embodiment, the control unit 30 in the laser light irradiation process, as shown in FIG. 21, the correction prohibited area R1 ′ in which the pattern areas (210, 220, 230) of the non-pattern areas are expanded. , R2 ′ is irradiated with the laser beam to the irradiation region R3 ′. Therefore, even if there is a manufacturing variation in the pattern region or vibration occurs in the laser processing apparatus 10, it is possible to prevent an influence such as destruction of a normal pattern. Further, the influence of heat on the normal pattern can be reduced.

また、本実施の形態では、制御部30は、レーザ光照射工程において、図13に示すように、非パターン領域のうち、パターン領域を指定範囲毎に設定された膨張量で膨張させた修正禁止の領域(膨張量の小さい領域R1´,膨張率の大きい領域R2´´)を除いた照射領域に、レーザ光を照射する。そのため、正常パターンの破壊や熱による影響をより有効に防ぐことができる。   In the present embodiment, in the laser light irradiation process, as shown in FIG. 13, the control unit 30 prohibits the correction by expanding the pattern area among the non-pattern areas by the expansion amount set for each specified range. The laser beam is irradiated to the irradiation region except the region (region R1 ′ having a small expansion amount, region R2 ″ having a large expansion rate). Therefore, it is possible to more effectively prevent the normal pattern from being destroyed and the influence of heat.

また、本実施の形態では、制御部30は、レーザ光照射部である顕微鏡ユニット10を、修正要否判定用対物レンズ12aの装着時における観察領域F1に欠陥が位置するように、基板100と相対的に移動させる第1の照射部相対移動工程(S2)と、顕微鏡ユニット10を、レーザ光照射用対物レンズ12bの装着時における照射可能領域F3に欠陥がセンタリングされるように、基板100と相対的に移動させる第2の照射部相対移動工程(S8)とを行う。そのため、欠陥の周囲に位置する微細な欠陥を広範囲で修正することができ、したがって、欠陥をより確実に修正することができる。   Further, in the present embodiment, the control unit 30 places the microscope unit 10 that is a laser beam irradiation unit on the substrate 100 so that the defect is positioned in the observation region F1 when the correction necessity determination objective lens 12a is mounted. The first irradiation unit relative movement step (S2) for relatively moving, and the microscope unit 10 with the substrate 100 so that the defect is centered in the irradiable region F3 when the objective lens 12b for laser beam irradiation is mounted. A second irradiation unit relative movement step (S8) for relative movement is performed. Therefore, the fine defect located around the defect can be corrected in a wide range, and therefore the defect can be corrected more reliably.

また、本実施の形態では、制御部30は、欠陥の修正の要否を判定する修正要否判定工程(S4)を行い、この修正要否判定工程において、図22に示すように、基板のパターン領域に含まれる複数の領域(R1,R2)ごとに設定された重要度に基づき、例えば、重要度が一定値以上の領域R2に欠陥402が位置する場合には修正必要と判断するなど、欠陥の修正の要否を判定する。そのため、欠陥をより確実に修正することができる。   In the present embodiment, the control unit 30 performs a correction necessity determination step (S4) for determining whether or not the defect needs to be corrected. In this correction necessity determination step, as shown in FIG. Based on the importance set for each of the plurality of regions (R1, R2) included in the pattern region, for example, when the defect 402 is located in the region R2 where the importance is a certain value or more, it is determined that correction is necessary, It is determined whether or not the defect needs to be corrected. Therefore, the defect can be corrected more reliably.

また、本実施の形態では、制御部30は、欠陥の修正の要否を判定する修正要否判定工程(S4)を行い、この修正要否判定工程において、欠陥の修正の要否を、撮像された欠陥の画像と、比較用の画像である参照画像312とを比較することによるパターンマッチングにより行い、レーザ光照射工程(S9,S10)において、上記の参照画像312に基づき設定された照射領域R3にレーザ光を照射する。そのため、照射領域R3を簡単な制御で設定することができる。   Further, in the present embodiment, the control unit 30 performs a correction necessity determination step (S4) for determining whether or not a defect needs to be corrected. In this correction necessity determination step, an image of whether or not a defect needs to be corrected is captured. Irradiation region set based on the reference image 312 in the laser light irradiation step (S9, S10) by performing pattern matching by comparing the image of the defect and the reference image 312 which is a comparison image. R3 is irradiated with a laser beam. Therefore, the irradiation region R3 can be set with simple control.

また、本実施の形態では、制御部30は、図25〜図27に示すように、照射可能領域F3に収まらない欠陥405に対しレーザ光照射工程(S9,S10)を複数回繰り返し行い、複数回のレーザ光照射工程の照射可能領域F3の重複部分F3−Oを、照射領域R3を縮小することで解消する。そのため、不要なレーザ光の照射を抑えることができる。   Moreover, in this Embodiment, as shown in FIGS. 25-27, the control part 30 repeats a laser beam irradiation process (S9, S10) several times with respect to the defect 405 which does not fit in the irradiation possible area | region F3, and multiple times The overlapping portion F3-O of the irradiable region F3 in the single laser light irradiation step is eliminated by reducing the irradiation region R3. Therefore, unnecessary laser light irradiation can be suppressed.

なお、本実施の形態では、基板100を液晶ディスプレイ(LCD)のアレイ基板として説明したが、液晶ディスプレイ(LCD)以外にも、PDP(Plasma Display Panel)や有機EL(ElectroLuminescence)ディスプレイや表面電動方電子放出素子ディスプレイ(SED:Surface−conduction Electro−emitter Display)など、その他のフラットパネルディスプレイ(FPD)に用いられる基板や、半導体ウエハ、プリント基板、などの基板に本実施の形態を適用することも可能である。
また、上記実施の形態およびその変形例は本発明を実施するための一例にすぎず、本発明はこれら実施の形態の記載により一義的に限定されるものではない。例えば、発明の詳細な説明における各種構成を、当業者にとって自明の範囲内で置換可能な構成に置き換えて種々変形することは本発明の範囲内である。
In this embodiment, the substrate 100 is described as an array substrate of a liquid crystal display (LCD). However, in addition to the liquid crystal display (LCD), a PDP (Plasma Display Panel), an organic EL (ElectroLuminescence) display, and a surface electric method are used. The present embodiment may be applied to a substrate used for other flat panel displays (FPD) such as an electron-emitting device display (SED), a semiconductor wafer, a printed circuit board, and the like. Is possible.
Moreover, the said embodiment and its modification are only examples for implementing this invention, and this invention is not limited uniquely by description of these embodiment. For example, it is within the scope of the present invention to variously modify various configurations in the detailed description of the invention by replacing them with configurations that can be replaced within the scope apparent to those skilled in the art.

1 レーザ加工装置
10 顕微鏡ユニット
11 空間変調素子
12 対物レンズ切替部
12a,12b 対物レンズ
13 撮像部
14 ダイクロイックミラー
20 レーザ光源ユニット
21 レーザ光源
22 結像レンズ
23 光ファイバ
30 制御部
40 ステージ部
41 ベース部
42 浮上プレート
50 ガントリユニット
51 ガントリ
51a 水平梁
51b 脚部
52 正面側X方向ガイド部
52a ガイドレール
52b スライダ
52c 顕微鏡支持部
53 上面側X方向ガイド部
53a ガイドレール
53b スライダ
60 ガントリ用ベース部
61 ベース
62 Y方向ガイド部
62a ガイドレール
70 モニタ
80 入力部
100 基板
200 繰り返しパターン
210 走査線
220 データ線
230 回路素子
300 画像表示ウインドウ
310 画像表示部
311 撮像画像
312 参照画像
313 貼り合わせ画像
401〜405 欠陥
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 10 Microscope unit 11 Spatial modulation element 12 Objective lens switching part 12a, 12b Objective lens 13 Imaging part 14 Dichroic mirror 20 Laser light source unit 21 Laser light source 22 Imaging lens 23 Optical fiber 30 Control part 40 Stage part 41 Base part 42 Floating plate 50 Gantry unit 51 Gantry 51a Horizontal beam 51b Leg part 52 Front side X direction guide part 52a Guide rail 52b Slider 52c Microscope support part 53 Upper surface side X direction guide part 53a Guide rail 53b Slider 60 Gantry base part 61 Base 62 Y direction guide part 62a Guide rail 70 Monitor 80 Input part 100 Substrate 200 Repeat pattern 210 Scan line 220 Data line 230 Circuit element 300 Image display window 310 Image display unit 311 Captured image 312 Reference image 313 Composite image 401 to 405 Defect

Claims (9)

基板上の欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工方法において、
前記欠陥の位置情報を取得する欠陥位置情報取得工程と、
前記レーザ光を照射するレーザ光照射部を、その照射可能領域に前記欠陥が位置するように、前記位置情報に基づき前記基板と相対的に移動させる照射部相対移動工程と、
前記基板の非パターン領域に設定された照射領域の全域又は略全域における前記照射領域に、前記レーザ光照射部により前記レーザ光を一括照射するレーザ光照射工程と、
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
In a laser processing method for correcting defects on a substrate with laser light,
A defect position information acquisition step of acquiring position information of the defect;
An irradiation unit relative movement step of moving the laser beam irradiation unit that irradiates the laser beam relative to the substrate based on the position information so that the defect is located in the irradiable region;
A laser beam irradiation step of collectively irradiating the laser beam by the laser beam irradiation unit to the irradiation region in the whole or substantially the whole irradiation region set in the non-pattern region of the substrate;
A laser processing method comprising:
前記欠陥の修正の要否を判定する修正要否判定工程を更に含み、  A correction necessity determination step for determining whether or not the defect needs to be corrected;
前記修正要否判定工程において、前記欠陥の修正の要否を、撮像された欠陥の画像と、比較用の画像とを比較することによるパターンマッチングにより行い、 In the correction necessity determination step, whether the defect needs to be corrected is determined by pattern matching by comparing the image of the imaged defect with a comparison image,
前記レーザ光照射工程において、前記比較用の画像に基づき設定された照射領域に前記レーザ光を照射する、  In the laser beam irradiation step, the laser beam is irradiated to an irradiation region set based on the comparative image.
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 1.
前記照射領域の設定は、前記照射領域に対応する空間変調素子の微小ミラーと、前記パターン領域に対応する前記空間変調素子の微小ミラーと制御してなることを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工方法。The setting of the irradiation area is controlled by a micro mirror of a spatial modulation element corresponding to the irradiation area and a micro mirror of the spatial modulation element corresponding to the pattern area. Laser processing method. 前記レーザ光照射工程において、前記非パターン領域のうち前記パターン領域を膨張させた修正禁止領域を除いた部分である前記照射領域に前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。 In the laser beam irradiation step, the of the non-pattern region, wherein the claim 1, characterized by irradiating the laser beam on the irradiation area is a portion excluding the modified prohibition region inflated the pattern area Item 4. The laser processing method according to any one of Items 3 to 3. 前記レーザ光照射工程において、前記非パターン領域のうち、前記パターン領域を指定範囲毎に設定された膨張量で膨張させた前記修正禁止領域を除いた部分である前記照射領域に、前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項4記載のレーザ加工方法。  In the laser beam irradiation step, the laser beam is applied to the irradiation region which is a portion excluding the correction prohibition region obtained by expanding the pattern region by an expansion amount set for each specified range in the non-pattern region. The laser processing method according to claim 4, wherein irradiation is performed. 前記照射部相対移動工程は、
前記レーザ光照射部を、修正要否判定用対物レンズの装着時における観察領域に前記欠陥が位置するように、前記位置情報に基づき前記基板と相対的に移動させる第1の照射部相対移動工程と、
前記レーザ光照射部を、レーザ光照射用対物レンズの装着時における前記照射可能領域に前記欠陥がセンタリングされるように、前記基板と相対的に移動させる第2の照射部相対移動工程と、を有し、
前記レーザ加工方法は、
前記第1の照射部相対移動工程の後に、前記観察領域に位置する前記欠陥の修正の要否を判定する修正要否判定工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項記載のレーザ加工方法。
The irradiation unit relative movement step includes:
A first irradiation unit relative movement step of moving the laser beam irradiation unit relative to the substrate based on the position information so that the defect is positioned in an observation region when the correction necessity determination objective lens is mounted. When,
A second irradiation unit relative movement step of moving the laser beam irradiation unit relative to the substrate so that the defect is centered in the irradiable region when the objective lens for laser beam irradiation is mounted; Have
The laser processing method includes:
A correction necessity determination step for determining whether or not the defect located in the observation region needs to be corrected after the first irradiation unit relative movement step;
The laser processing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the laser processing method is provided.
前記欠陥の修正の要否を判定する修正要否判定工程を更に含み、
前記修正要否判定工程において、前記基板のパターン領域に含まれる複数の領域ごとに設定された重要度に基づき、前記欠陥の修正の要否を判定する、
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項記載のレーザ加工方法。
A correction necessity determination step for determining whether or not the defect needs to be corrected;
In the correction necessity determination step, the necessity of correction of the defect is determined based on the importance set for each of a plurality of areas included in the pattern area of the substrate.
The laser processing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the laser processing method is provided.
前記照射可能領域に収まらない前記欠陥に対し前記レーザ光照射工程を複数回繰り返し行い、
該複数回のレーザ光照射工程の前記照射可能領域の重複部分を、前記照射領域を縮小することで解消する、
ことを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項記載のレーザ加工方法。
Repeating the laser beam irradiation process multiple times for the defects that do not fit in the irradiable area,
The overlapping part of the irradiable area in the laser light irradiation process of the plurality of times is eliminated by reducing the irradiation area,
Laser processing method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that.
基板上の欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工装置において、
レーザ光を照射するレーザ光照射部と、
該レーザ光照射部を前記基板と相対的に移動させる照射部相対駆動部と、
を備え、
前記レーザ光照射部は、前記基板の非パターン領域に設定された照射領域の全域又は略全域における前記照射領域に、前記レーザ光を一括照射する
ことを特徴とするレーザ加工装置。
In a laser processing apparatus for correcting defects on a substrate with laser light,
A laser beam irradiation unit for irradiating the laser beam;
An irradiation unit relative drive unit that moves the laser beam irradiation unit relative to the substrate;
With
The laser light irradiation unit collectively irradiates the laser light to the irradiation region in the entire irradiation region or substantially the entire irradiation region set in the non-pattern region of the substrate ,
The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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