JP2001133803A - Method of producing liquid crystal display device, liquid crystal display device and laser repair device - Google Patents

Method of producing liquid crystal display device, liquid crystal display device and laser repair device

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JP2001133803A JP31048499A JP31048499A JP2001133803A JP 2001133803 A JP2001133803 A JP 2001133803A JP 31048499 A JP31048499 A JP 31048499A JP 31048499 A JP31048499 A JP 31048499A JP 2001133803 A JP2001133803 A JP 2001133803A
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electrode
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義高 川田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a liquid crystal display device by which various kinds of defective pixels such as a bright spot defect can be repaired. SOLUTION: The method of producing the liquid crystal display device having at least two switching elements provided for each pixel includes a process of selecting a switching element to be connected to the pixel having defects and of connecting the selected element to the pixel and a process of irradiating the defective pixel with laser light to at least modify the alignment film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ光を照射
することによって、表示画面の不良部分(欠陥画素)を
修復して得られる液晶表示装置の製造方法と液晶表示装
置、およびこれらの液晶表示装置の製造方法に用いるレ
ーザリペア装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device obtained by repairing a defective portion (defective pixel) of a display screen by irradiating a laser beam, a liquid crystal display device, and these liquid crystal displays. The present invention relates to a laser repair device used in a device manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パーソナルコンピューターやワー
ドプロセッサなどに用いる表示装置として、消費電力が
少なく薄型でしかも軽量である液晶表示装置(LCD:
LiquidCrystal Display)が多く用いられている。その
中でも一例として、主に非晶質(アモルファス)シリコ
ン(a−Si)膜による、薄膜トランジスタ(TFT:
Thin Film Transistor)を画素に対応させたスイッチン
グ素子として用いたアクティブマトリックス型液晶表示
装置は、多画素で構成してもコントラストやレスポンス
の劣化が少なく、しかも中間調表示も可能であることか
ら、フルカラーテレビやOA用の表示装置として用いら
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a display device used for a personal computer, a word processor, or the like, a liquid crystal display device (LCD: low power consumption, thin and lightweight) has been developed.
Liquid Crystal Display) is often used. Among them, as an example, a thin film transistor (TFT) mainly composed of an amorphous silicon (a-Si) film is exemplified.
An active matrix liquid crystal display device that uses thin film transistors (TFTs) as switching elements corresponding to pixels has a low contrast and response deterioration even when configured with a large number of pixels, and is capable of halftone display. It is used as a display device for televisions and office automation.

【0003】ところで、このTFTはアレイ基板上に形
成され、画素を構成する画素電極に電荷を充電・放電し
てアレイ基板と対向基板との間に電位差を発生させ、画
像の表示のために液晶分子の配列を調整するものであ
る。近年では液晶表示装置の表示部分が大画面化もしく
は高精彩化されるに伴ない、画素数が数10万〜100
万を越えるようになってきた。つまり、これらの画素に
欠陥を生じずに表示させるように製造するのは非常に困
難であり、何らかの原因でTFTを正常に駆動できな
い、画素電極が正常に形成されていない、又は、アレイ
基板と対向基板との間に異物が挟まり画素電極に対して
正しい電圧を印加できないなどといった不具合によって
欠陥画素が生じてしまい、正常な画面が表示できないと
いう問題があった。
The TFT is formed on an array substrate, and charges and discharges a pixel electrode constituting a pixel to generate a potential difference between the array substrate and a counter substrate. It adjusts the arrangement of molecules. In recent years, the number of pixels has been increased from several hundred thousand to 100, as a display portion of a liquid crystal display device has become larger or more sophisticated.
It has become more than ten thousand. In other words, it is very difficult to manufacture such a pixel so as to display without causing a defect. For this reason, the TFT cannot be driven normally for some reason, the pixel electrode is not formed properly, or the pixel is not connected to the array substrate. There is a problem that a defective pixel is generated due to a defect that a foreign substance is interposed between the counter substrate and a correct voltage cannot be applied to the pixel electrode, and a normal screen cannot be displayed.

【0004】このような欠陥画素を修復(リペア)する
ために、レーザ光を用い配向膜を加工して画素の透過率
や反射率を低減させる方法で欠陥が無く見えるように修
正している方法が、例えば特開昭60−243635号
公報,特開平5−297387号公報,特開平5−31
3167号公報,特開平7−225381号公報,特開
平8−15660号公報,特開平9−258155号公
報などに開示されている(これらの方法を総称して第1
の従来例とする)。
In order to repair (repair) such a defective pixel, a method of processing the alignment film using a laser beam to reduce the transmittance and the reflectance of the pixel so as to correct the defect so that the defect appears to be free. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 60-243635, 5-29787, 5-31
No. 3,167, JP-A-7-225381, JP-A-8-15660, JP-A-9-258155 and the like (these methods are collectively referred to as the first method).
Of the prior art).

【0005】更には、TFTの動作を救済する冗長回路
(予備配線)を設けて直流電圧を印加して欠陥画素を修
復する方法も、例えば特開昭63−136076号公
報,特開平2−3023号公報,特開平9−80470
号公報,特開平10−104648号公報,特開平10
−232412号公報,特開平10−319438号公
報などに開示されている(これらの方法を総称して第2
の従来例とする)。
Further, a method of repairing a defective pixel by applying a DC voltage by providing a redundant circuit (spare wiring) for relieving the operation of the TFT is disclosed in, for example, JP-A-63-136076 and JP-A-2-3023. No., JP-A-9-80470
JP, JP-A-10-104648, JP-A-10-104648
And Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-319438.
Of the prior art).

【0006】そして、欠陥画素を修復するためにレーザ
光を用い欠陥部位のゲート電極とドレイン電極とを半導
体層や層間絶縁膜を介して直接に接続し直流電圧を印加
する方法も、例えば特開平5−210111号公報に開
示されている(この方法を第3の従来例とする)。
A method of directly connecting a gate electrode and a drain electrode at a defective portion via a semiconductor layer or an interlayer insulating film by using a laser beam to repair a defective pixel and applying a DC voltage thereto is also disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 9-260,086. It is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-210111 (this method is referred to as a third conventional example).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、第1の従来例
によればレーザ光の照射自体が成功する確率は高い(9
0%以上)ものの、欠陥画素の修復に関するメカニズム
が充分に開示されていないために、レーザ光のエネルギ
ーを与えすぎて液晶表示装置を傷めてしまったり、更に
は修正した画素は動作せずに黒い(ノーマリーホワイト
・モードの場合)ままになってしまうため、欠陥画素で
の光の透過率や反射率が予め設定してある製品規格をク
リアしない場合があった。
However, according to the first conventional example, there is a high probability that laser light irradiation itself succeeds (9).
(0% or more), but the mechanism for repairing defective pixels is not sufficiently disclosed, so that too much energy of the laser beam may be applied to damage the liquid crystal display device, or the corrected pixels may not operate and become black. (In the case of the normally white mode), the transmittance and the reflectance of light at the defective pixel may not meet the preset product standard in some cases.

【0008】また、第2の従来例によれば高い表示品質
が確保できるものの、細かな作業は要求されるのでレー
ザ光の照射自体が成功する確率が低くなってしまう。そ
して、TFTの動作不良に起因する欠陥画素の修復には
有効なものの、TFTや配線が正常に形成されていない
ことに起因する欠陥やアレイ基板と対向基板との間に異
物が挟まったことに起因する欠陥には有効ではない。そ
れらの原因のために、欠陥画素の修復が成功する確率は
トータルでは低く(30〜50%程度)なっていた。
Further, according to the second conventional example, high display quality can be ensured, but fine work is required, so that the probability of successful laser beam irradiation itself decreases. Although effective for repairing defective pixels caused by TFT malfunctions, defects caused by improper formation of TFTs and wiring and foreign matter caught between the array substrate and the opposing substrate are considered. It is not effective for caused defects. Due to these causes, the probability of successful repair of the defective pixel has been low in total (about 30 to 50%).

【0009】加えて、第3の従来例によれば画素電極に
印加される直流電圧により、液晶分子とともに存在する
イオンが、欠陥画素に対応した画素電極に蓄積してしま
い、液晶表示装置の寿命を縮めることとなっていた。
In addition, according to the third conventional example, ions present together with the liquid crystal molecules accumulate in the pixel electrode corresponding to the defective pixel due to the DC voltage applied to the pixel electrode, and the life of the liquid crystal display device is reduced. Was to be shortened.

【0010】この発明は、上記の事情に基づきなされた
ものであり、その目的とするところは、欠陥画素の修復
に関するメカニズムを積極的に利用すること、TFTや
配線が正常に形成されていないことに起因する欠陥やア
レイ基板と対向基板との間に異物が挟まったことに起因
する欠陥にも対応させること、欠陥画素に対応した画素
電極に対するイオンの蓄積を抑制することを達成して得
られる液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置、および
これらの液晶表示装置の製造方法に用いるレーザリペア
装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to positively use a mechanism for repairing a defective pixel and to prevent TFTs and wiring from being formed properly. And defects caused by foreign matter between the array substrate and the opposing substrate, and suppressing the accumulation of ions in the pixel electrode corresponding to the defective pixel. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a laser repair device used for the method for manufacturing these liquid crystal display devices.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は請求項1による
と、第1の基板上に少なくとも第1の電極および第1の
配向膜を形成する工程と、第2の基板上に少なくとも第
2の電極および第2の配向膜を形成する工程と、前記第
1の基板および前記第2の基板の間に液晶を介在させた
状態でこれらの基板をお互いに対向させつつ封止する工
程と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電位差
をもたせ画面を表示させて検査を行なう工程と、前記検
査で検出された前記画面を構成する画素の欠陥を生じた
部分の修復をする工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法において、前記修復をする工程は、
前記欠陥を有する前記画素に対応してこの画素の一つあ
たり少なくとも二つがそれぞれ機械的に接続されている
スイッチング素子について一つの前記スイッチング素子
を前記画素と選択的かつ電気的に接続する工程と、前記
欠陥を有する前記画素に前記レーザ光を照射して前記第
1の配向膜または前記第2の配向膜を少なくとも変質さ
せる工程とを併せて有することを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, at least a first electrode and a first alignment film are formed on a first substrate, and at least a second electrode and a first alignment film are formed on a second substrate. Forming an electrode and a second alignment film, and sealing the substrates while facing each other with a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate; Performing a test by displaying a screen with a potential difference between the first electrode and the second electrode, and repairing a defective portion of a pixel constituting the screen detected by the test. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the step of repairing,
Selectively and electrically connecting one of the switching elements to the pixel with respect to the switching element at least two of which are mechanically connected to each of the pixels corresponding to the defective pixel; Irradiating the laser beam to the pixel having the defect to at least change the quality of the first alignment film or the second alignment film.

【0012】本発明は請求項2によると、請求項1に記
載の液晶表示装置の製造方法において、前記第1の配向
膜または前記第2の配向膜を変質させる工程は、一つの
スイッチング素子を前記画素と選択的かつ電気的に接続
する工程を行なったにも拘らず前記欠陥が修復されない
画素を対象に行なうことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect, the step of changing the quality of the first alignment film or the second alignment film includes changing one switching element. The method is characterized in that the process is performed on a pixel whose defect is not repaired despite the step of selectively and electrically connecting to the pixel.

【0013】本発明は請求項3によると、請求項1また
は請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記レーザ光は、前記スイッチング素子を前記画素と選
択的かつ電気的に接続する工程の場合は20ns乃至20
0nsのパルス幅を有し、前記第1の配向膜または前記第
2の配向膜を少なくとも変質させる工程の場合は10ns
以下のパルス幅を有することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first or second aspect,
The laser light may be 20 ns to 20 ns in a case where the switching element is selectively and electrically connected to the pixel.
It has a pulse width of 0 ns, and 10 ns in the case of the step of at least altering the first alignment film or the second alignment film.
It has the following pulse width.

【0014】本発明は請求項4によると、第1の基板上
に少なくとも第1の電極および第1の配向膜を形成する
工程と、第2の基板上に少なくとも第2の電極および第
2の配向膜を形成する工程と、前記第1の基板および前
記第2の基板の間に液晶を介在させた状態でこれらの基
板をお互いに対向させつつ封止する工程と、前記第1の
電極と前記第2の電極との間に電位差をもたせ画面を表
示させて検査を行なう工程と、前記検査で検出された前
記画面を構成する画素の欠陥を生じた部分の画素にレー
ザ光を照射して少なくとも前記第1の配向膜または前記
第2の配向膜を変質させ前記欠陥を生じた画素の修復を
する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法において、前記修復をする工程は、前記欠陥を生
じた画素に対してこの画素の大きさよりも小さな照射面
を持つパルス状のレーザ光を複数の前記照射面が互いに
離間するように照射する工程と、この照射する工程によ
り前記照射面の配向膜をほぼ消滅させるとともに前記照
射面の周辺部にある配向膜に対して、前記照射面を中心
にして波紋状に前記レーザ光のもつエネルギーによって
飛散物を堆積させ、この波紋状に堆積された前記飛散物
と前記消滅とによって、前記レーザ光の照射前よりも前
記欠陥を生じた画素における光の透過率または反射率を
低減させる工程とを有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, at least a first electrode and a first alignment film are formed on a first substrate, and at least a second electrode and a second alignment film are formed on a second substrate. A step of forming an alignment film, a step of sealing the first substrate and the second substrate while opposing each other in a state where liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate, Performing a test by causing a potential difference between the second electrode and the screen to display a screen, and irradiating a laser beam to a pixel of a portion where a defect of a pixel constituting the screen detected in the test has occurred; Repairing the defective pixel by modifying at least the first alignment film or the second alignment film, wherein the repairing is performed by the repairing step. , For the defective pixel Irradiating a pulsed laser beam having an irradiation surface smaller than the size of the pixel so that the plurality of irradiation surfaces are separated from each other, and the irradiation step substantially eliminates the alignment film on the irradiation surface and For the alignment film in the peripheral portion of the irradiation surface, scattered matter is deposited by the energy of the laser light in a ripple shape around the irradiation surface, and the scattered material and the annihilation deposited in the ripple shape. A step of reducing the transmittance or reflectance of light in the pixel having the defect compared to before the irradiation of the laser light.

【0015】本発明は請求項5によると、少なくとも第
1の電極および第1の配向膜が形成された第1の基板
と、少なくとも第2の電極および第2の配向膜が形成さ
れた第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板と
の間に封止されるとともに前記第1の配向膜および前記
第2の配向膜に付与される配向性に基づき所定方向に配
列される液晶と、前記第1の電極と前記第2の電極との
間への電圧の印加で生じた電位差に応じて、前記配向性
に基づき前記液晶による光の透過率または反射率が変化
する複数の画素とを有することを特徴とする液晶表示装
置において、前記複数の画素は、これらの画素に対応し
てこの画素の一つあたり少なくとも二つがそれぞれ設け
られているスイッチング素子を有するのに併せて、前記
複数の画素の少なくとも一つは、レーザ光の照射により
前記第1の配向膜または前記第2の配向膜が少なくとも
変質された部分を有することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a first substrate on which at least a first electrode and a first alignment film are formed, and a second substrate on which at least a second electrode and a second alignment film are formed. And the first substrate and the second substrate are sealed between the first substrate and the second substrate, and are arranged in a predetermined direction based on the orientation imparted to the first alignment film and the second alignment film. A plurality of liquid crystals whose light transmittance or reflectance by the liquid crystal changes based on the orientation according to a potential difference caused by application of a voltage between the liquid crystal and the first electrode and the second electrode. In the liquid crystal display device, the plurality of pixels further include a switching element corresponding to each of the pixels, at least two of which are provided for each of the pixels. , The plurality of pixels Also one, wherein the irradiation of the laser beam first alignment film and the second alignment film is characterized by having at least altered portion.

【0016】本発明は請求項6によると、少なくとも第
1の電極および第1の配向膜が形成された第1の基板
と、少なくとも第2の電極および第2の配向膜が形成さ
れた第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板と
の間に封止されるとともに前記第1の配向膜および前記
第2の配向膜に付与される配向性に基づき所定方向に配
列される液晶と、前記第1の電極と前記第2の電極との
間への電圧の印加で生じた電位差に応じて、前記配向性
に基づき前記液晶による光の透過率または反射率が変化
する複数の画素とを有することを特徴とする液晶表示装
置において、これらの画素の大きさよりも小さな照射面
を持つパルス状のレーザ光を複数の前記照射面が互いに
離間するように照射されて、少なくとも二つの前記照射
面の配向膜がほぼ消滅した部分と、前記照射面の周辺部
にある配向膜に対して、前記照射面を中心にして波紋状
に前記レーザ光のもつエネルギーによって飛散物が堆積
した部分とを有することを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a first substrate on which at least a first electrode and a first alignment film are formed, and a second substrate on which at least a second electrode and a second alignment film are formed. And the first substrate and the second substrate are sealed between the first substrate and the second substrate, and are arranged in a predetermined direction based on the orientation imparted to the first alignment film and the second alignment film. A plurality of liquid crystals whose light transmittance or reflectance by the liquid crystal changes based on the orientation according to a potential difference caused by application of a voltage between the liquid crystal and the first electrode and the second electrode. And a pulsed laser beam having an irradiation surface smaller than the size of these pixels is irradiated so that the plurality of irradiation surfaces are separated from each other. The alignment film on the two irradiated surfaces is almost A portion, the alignment film in the peripheral portion of the irradiation surface, and having a debris was deposited moiety by energy of the laser beam around the irradiated surface ripples shape.

【0017】本発明は請求項7によると、前記液晶パネ
ルを構成する配向膜に対してレーザ光を照射するレーザ
光源と、前記レーザ光源から出射されるレーザ光のもつ
パルス幅を調整するレーザ光制御装置と、前記液晶パネ
ルが設置される載置台と、前記液晶パネルに対して前記
レーザ光を相対的に走査させる走査手段とを有すること
を特徴とするレーザリペア装置において、前記レーザ光
制御装置は前記レーザ光源へ励起のために入力するエネ
ルギーの調整により前記パルス幅を調整することを特徴
とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a laser light source for irradiating a laser light to an alignment film constituting the liquid crystal panel, and a laser light for adjusting a pulse width of the laser light emitted from the laser light source. A laser repair device, comprising: a control device; a mounting table on which the liquid crystal panel is installed; and scanning means for relatively scanning the laser light with respect to the liquid crystal panel. Is characterized in that the pulse width is adjusted by adjusting energy input to the laser light source for excitation.

【0018】本発明は請求項8によると、前記液晶パネ
ルを構成する配向膜に対してレーザ光を照射するレーザ
光源と、前記レーザ光源から出射されるレーザ光のもつ
パルス幅を調整するレーザ光制御装置と、前記液晶パネ
ルが設置される載置台と、前記液晶パネルに対して前記
レーザ光を相対的に走査させる走査手段とを有すること
を特徴とするレーザリペア装置において、前記レーザ光
制御装置は前記レーザ光源を構成するQスイッチへ開閉
のために入力するエネルギーの調整により前記パルス幅
を調整することを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a laser light source for irradiating the alignment film constituting the liquid crystal panel with laser light, and a laser light for adjusting a pulse width of the laser light emitted from the laser light source. A laser repair device, comprising: a control device; a mounting table on which the liquid crystal panel is installed; and scanning means for relatively scanning the laser light with respect to the liquid crystal panel. Is characterized in that the pulse width is adjusted by adjusting the energy input to the Q switch constituting the laser light source for opening and closing.

【0019】これらの発明によると、欠陥画素の修復に
関するメカニズムを積極的に利用すること、TFTや配
線が正常に形成されていないことに起因する欠陥やアレ
イ基板と対向基板との間に異物が挟まったことに起因す
る欠陥にも対応させること、欠陥画素に対応した画素電
極に対するイオンの蓄積を抑制することができる。よっ
てその結果、表示特性の良好な液晶表示装置を得ること
ができる。
According to these inventions, a mechanism for repairing a defective pixel is positively used, and a defect caused by improper formation of a TFT or a wiring or a foreign substance between an array substrate and a counter substrate are generated. It is also possible to cope with a defect caused by being sandwiched, and to suppress accumulation of ions in a pixel electrode corresponding to a defective pixel. Therefore, as a result, a liquid crystal display device having good display characteristics can be obtained.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る第一の実施の
形態の一例を簡略化した図面を参照して、ノーマリーホ
ワイト・モードで透過型かつアクティブ・マトリクス型
の液晶表示装置(対角5インチ)を例にして説明する。
なお、本発明はノーマリーブラック・モードや反射型の
液晶表示装置にも適用できる。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a liquid crystal display device of a transmission mode and an active matrix type in a normally white mode according to a first embodiment of the present invention. (5 inch square) will be described as an example.
The present invention can be applied to a normally black mode or reflection type liquid crystal display device.

【0021】図1は本実施の形態に係る液晶表示装置の
画素部の断面図を示し、図2はこの画素部の上面図を示
す。なお、図1は図2のY−Y´線での断面を表してい
る。この液晶表示装置1では、アレイ基板2(第1の基
板の例)と対向基板3(第2の基板の例)とが、それぞ
れポリイミドからなる第1の配向膜4および第2の配向
膜5を介して、図示しないスペーサを支柱にし、ツイス
ト・ネマティック型の液晶組成物(以下、単に液晶と記
す)6を保持する状態で、図示しないシール剤で封止さ
れている。この液晶6は、アレイ基板2と対向基板3と
の間でその分子が90°捩じれるようにされている。ま
た、アレイ基板2と対向基板3との外面にはそれぞれに
第1の偏光板7と第2の偏光板8とが、それらの偏光軸
がお互いに直交する状態(クロスニコルの状態)で貼り
付けられている。
FIG. 1 is a sectional view of a pixel portion of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a top view of the pixel portion. FIG. 1 shows a cross section taken along line YY ′ of FIG. In this liquid crystal display device 1, an array substrate 2 (an example of a first substrate) and an opposing substrate 3 (an example of a second substrate) are formed of a first alignment film 4 and a second alignment film 5 made of polyimide, respectively. , A spacer (not shown) is used as a support, and is sealed with a sealant (not shown) while holding a twisted nematic liquid crystal composition (hereinafter, simply referred to as liquid crystal) 6. The molecules of the liquid crystal 6 are twisted by 90 ° between the array substrate 2 and the opposing substrate 3. A first polarizing plate 7 and a second polarizing plate 8 are respectively attached to the outer surfaces of the array substrate 2 and the counter substrate 3 in a state where their polarization axes are orthogonal to each other (cross Nicol state). It is attached.

【0022】なお液晶6の充填は、このシール剤による
封止前に液晶をアレイ基板2または対向基板3の上に滴
下した後に、アレイ基板2と対向基板3とを張り合わせ
て行っても良いし、このシール剤による封止後に、この
封止で形成されたアレイ基板と対向基板との密封空間部
の内部へ、シール剤の注入口から液晶6を注入もしくは
真空吸引して行っても良い。
The liquid crystal 6 may be filled by dropping the liquid crystal onto the array substrate 2 or the opposing substrate 3 before sealing with the sealant, and then bonding the array substrate 2 and the opposing substrate 3 together. After the sealing with the sealing agent, the liquid crystal 6 may be injected or vacuum-sucked from the sealing agent inlet into the sealed space between the array substrate and the counter substrate formed by the sealing.

【0023】アレイ基板2では、透明なガラス基板9の
上に640×3本の信号線(ソース電極線ともいう)1
0と480本の走査線(ゲート電極線ともいう)11と
が、ほぼ直交するように配置されて形成されている。各
々の信号線10と走査線11との交点近傍には、それぞ
れスイッチング素子であるTFT12を介して画素電極
13が配置されている。なお、この画素電極13は、信
号線10に沿った辺が80μmに、そして走査線11に
沿った辺が60μmに形成されている。このような画素
電極13が、100μmのピッチで縦横に並んで配置さ
れ、液晶表示装置1の表示面を形成している。
In the array substrate 2, 640 × 3 signal lines (also referred to as source electrode lines) 1 on a transparent glass substrate 9.
0 and 480 scanning lines (also referred to as gate electrode lines) 11 are formed so as to be substantially orthogonal to each other. In the vicinity of the intersection of each signal line 10 and scanning line 11, a pixel electrode 13 is arranged via a TFT 12 as a switching element. The pixel electrode 13 has a side along the signal line 10 of 80 μm and a side along the scanning line 11 at 60 μm. Such pixel electrodes 13 are arranged vertically and horizontally at a pitch of 100 μm and form the display surface of the liquid crystal display device 1.

【0024】図3にLCDユニットとして概略の構成を
示すように、走査線と信号線とを制御するのが、それぞ
れゲートドライバとソースドライバとから構成される駆
動部(詳細には図示しないが、通常は表示面の外部にそ
れぞれ駆動ドライバのモジュールを接続する)となる。
各ドライバには、信号制御部からの映像信号と同期信号
及び電源分からの電力が各々入力される。
As shown in FIG. 3, a schematic configuration of an LCD unit is shown. A scanning unit and a signal line are controlled by a driving unit (not shown in detail) including a gate driver and a source driver. Normally, a driver module is connected to the outside of the display surface).
The video signal and the synchronization signal from the signal control unit and the power from the power supply are input to each driver.

【0025】ゲートドライバは、1フレーム(60H
z)に1度、各走査線を選択する機能をもったディジタ
ル回路であって、走査時間(15〜40μs)の周期で
動作する。ソースドライバは、アレイ基板2の上に形成
された透明な異方性導電膜(以下、ITO(Indium Tin
Oxide)膜と記す)からなる画素電極13(第1の電極
の例)と、対向基板3の上に同じく形成されたITO膜
からなる対向電極(第2の電極の例)との間に充填され
た液晶6に対して電位差を発生させて動作する。
The gate driver is used for one frame (60H
Once in z), this is a digital circuit having a function of selecting each scanning line, and operates in a cycle of a scanning time (15 to 40 μs). The source driver is a transparent anisotropic conductive film (hereinafter referred to as ITO (Indium Tin)) formed on the array substrate 2.
Oxide) film between the pixel electrode 13 (an example of a first electrode) and an opposing electrode (an example of a second electrode) also formed of an ITO film on the opposing substrate 3. The liquid crystal 6 operates by generating a potential difference.

【0026】具体的には、走査線に電圧を印加させるこ
とでTFT12を介して映像情報に応じた電圧を印加す
る回路を形成している。この際、液晶6に対して直流電
力を印加し続けると表示が劣化してしまうので、対向電
極に対して交流電力を印加し、交互に反対極性の電圧を
与える。これを反転駆動といい、それによってソースド
ライバは20〜100(Hz)という高周波数での動作
をする。
More specifically, a circuit for applying a voltage corresponding to video information through the TFT 12 by applying a voltage to the scanning line is formed. At this time, if the DC power is continuously applied to the liquid crystal 6, the display deteriorates. Therefore, the AC power is applied to the counter electrode, and the voltages having the opposite polarities are alternately applied. This is called inversion driving, whereby the source driver operates at a high frequency of 20 to 100 (Hz).

【0027】さて、TFT12は走査線11自体をゲー
ト電極としているが、ガラス基板9の上には、まず第一
にはSiOx ,SiNx や、更にはTEOS(Tetra Et
hylOrtho Silicate:Si[OC254 )などで構
成されているアンダーコート(絶縁膜)14と、水素を
含有する非晶質半導体膜であるアモルファスシリコン
(a−Si:H)膜(以下、単に半導体膜と記す)15
とが順次に積層して成膜されている。なお、ここでは、
成膜手段として、通常はCVD(Chemical VaporDeposi
tion )が用いられる。
The TFT 12 uses the scanning line 11 itself as a gate electrode. On the glass substrate 9, first, SiO x , SiN x , and further, TEOS (Tetra Et
hylOrtho Silicate: An undercoat (insulating film) 14 made of Si [OC 2 H 5 ] 4 ) or the like, and an amorphous silicon (a-Si: H) film (hereinafter, an amorphous semiconductor film containing hydrogen) , Simply referred to as a semiconductor film) 15
Are sequentially laminated to form a film. Here,
Usually, CVD (Chemical Vapor Deposi
Option) is used.

【0028】この半導体膜15の上には、走査線11に
自己整合されSiNx を用いて形成されたチャネル保護
膜16が配置されている。そして、この半導体膜15は
低抵抗半導体膜17として配置されるn+ 型a−Si:
H膜およびソース電極18を介して、それぞれの画素電
極13に対し電気的に接続されている。また、半導体膜
15はn+ 型a−Si:H膜(低抵抗半導体膜)17お
よび信号線10から延出されたドレイン電極19を介し
て、信号線10に対して電気的に接続されている。
On the semiconductor film 15, a channel protective film 16 self-aligned with the scanning line 11 and formed using SiN x is arranged. The semiconductor film 15 is an n + -type a-Si disposed as a low-resistance semiconductor film 17:
It is electrically connected to each pixel electrode 13 via the H film and the source electrode 18. The semiconductor film 15 is electrically connected to the signal line 10 via an n + -type a-Si: H film (low-resistance semiconductor film) 17 and a drain electrode 19 extending from the signal line 10. I have.

【0029】また、走査線11に対してほぼ平行に、か
つ画素電極13と重複する領域を有して配置される補助
容量線20が形成されるとともに、画素電極13と補助
容量線20とによって補助容量(Cs)が形成されてい
る。なお、補助容量線20は対向電極3とほぼ同じ電位
を持つようにされている。
An auxiliary capacitance line 20 is formed substantially parallel to the scanning line 11 and has an area overlapping with the pixel electrode 13, and is formed by the pixel electrode 13 and the auxiliary capacitance line 20. An auxiliary capacitance (Cs) is formed. The auxiliary capacitance line 20 is set to have substantially the same potential as the counter electrode 3.

【0030】対向基板3では、透明なガラス基板9の上
には、アレイ基板2の上に形成されたTFT12および
信号線10と画素電極13との間の隙間や、走査線11
と画素電極13との間の隙間のそれぞれを遮光するため
に、マトリクス状にお互いを積層した、Cr(クロム)
とCrOとで構成されてた遮光層21(BM:BrackMat
rix)を有している。これらの構造はPEP(Photo Eng
raving Process )工程を経て形作られている。
In the counter substrate 3, on the transparent glass substrate 9, a gap between the TFT 12 and the signal line 10 formed on the array substrate 2 and the pixel electrode 13 and a scanning line 11 are formed.
In order to shield each of the gaps between the pixel electrode 13 and the pixel electrode 13 from each other, Cr (chromium)
Light shielding layer 21 (BM: BrackMat
rix). These structures are based on PEP (Photo Eng
raving Process).

【0031】なお、遮光層21におけるマトリクス状の
各パターン内には、表示面におけるカラー表示を実現す
るために、赤(R),緑(G),青(B)の三原色で構
成されたカラーフィルタによる色彩部22がそれぞれ設
けられているとともに、有機保護膜23を介して透明な
ITO膜からなる対向電極24が備えられている。この
ような、ノーマリーホワイト・モードの液晶表示装置1
の動作について、図4を参照して以下に説明する。
Each of the matrix patterns in the light-shielding layer 21 has three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) in order to realize color display on the display surface. A color portion 22 is provided by a filter, and a counter electrode 24 made of a transparent ITO film is provided via an organic protective film 23. Such a normally white mode liquid crystal display device 1
Will be described below with reference to FIG.

【0032】なお、本明細書ではTNモード(Twisted
Nematic Mode)を例にして説明をするが、配向膜と液晶
分子を利用した動作原理には変わりが無いことから、ネ
マティック型の液晶組成物に対してカイラルネマティッ
ク型の液晶組成物やカイラル化合物を添加した、STN
モード(Super Twisted Nematic Mode),DSTNモー
ド(Double Super Twisted Nematic Mode ),TSTN
モード(Triple SuperTwisted Nematic Mode )に加え
FSTNモード(Film Super Twisted NematicMode
)、更にはカイラルスメクティック型の液晶組成物で
構成される強誘電性液晶(FLC)モード(Ferroelect
ric Liquid Crystal Mode )なども、もちろん本発明の
対象となる。
In this specification, the TN mode (Twisted
Nematic Mode) will be described as an example, but since the principle of operation using an alignment film and liquid crystal molecules remains unchanged, a chiral nematic liquid crystal composition or a chiral compound can be used instead of a nematic liquid crystal composition. STN added
Mode (Super Twisted Nematic Mode), DSTN mode (Double Super Twisted Nematic Mode), TSTN
FSTN mode (Film Super Twisted NematicMode) in addition to mode (Triple SuperTwisted Nematic Mode)
) And a ferroelectric liquid crystal (FLC) mode (Ferroelect) composed of a chiral smectic liquid crystal composition.
ric Liquid Crystal Mode) is also an object of the present invention.

【0033】液晶6を構成する液晶分子は、個々に極性
を有しているために電界を掛けると一定の方向に配列さ
れる。液晶による画面の表示はこの性質を利用してい
る。まず、図4(a)に示すように、画素電極13と対
向電極24との間に生じる電位差が、液晶6が配向を起
こすしきい値電圧から0(V)までは、入射光は第1の
偏光板7によって直線偏光とされるとともに、液晶6を
構成する各々の液晶分子の配向方向に沿ってほぼ偏光軸
を90°旋光させられつつ第2の偏光板5を通過する。
その結果、液晶表示装置1の表示画面へと入射光が出射
されて白い(明るい)画素を表すことになる。これは、
第1の偏光板7と第2の偏光板8とがクロスニコルの位
置に配置されているからである。
The liquid crystal molecules constituting the liquid crystal 6 have individual polarities and are arranged in a certain direction when an electric field is applied. The display of the screen by the liquid crystal utilizes this property. First, as shown in FIG. 4A, when the potential difference between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is from the threshold voltage at which the liquid crystal 6 is oriented to 0 (V), the incident light is the first light. The liquid crystal 6 is converted into linearly polarized light by the polarizing plate 7 and passes through the second polarizing plate 5 while the polarization axis is rotated by 90 ° substantially along the alignment direction of each liquid crystal molecule constituting the liquid crystal 6.
As a result, incident light is emitted to the display screen of the liquid crystal display device 1 to represent a white (bright) pixel. this is,
This is because the first polarizing plate 7 and the second polarizing plate 8 are arranged at crossed Nicols.

【0034】これに対して、図4(b)に示すように、
画素電極13と対向電極24との間に生じている電位差
が、液晶6が配向を起こすしきい値電圧よりも大きい場
合には、各々の液晶分子は電界に沿って配列するため
に、入射光は第1の偏光板7によって直線偏光とされる
とともに、液晶6をそのまま通過しようとする。しか
し、この液晶6を通過する直線偏光は、第2の偏光板8
が入射光を透過するのとは90°ずれている偏光軸を持
つので、第2の偏光板8を通過できない。その結果、液
晶表示装置1の表示画面へと入射光が出射されずに黒い
(暗い)画素を表すことになる。これは、第1の偏光板
7と第2の偏光板8とが平行ニコルの位置に配置されて
いるからである。
On the other hand, as shown in FIG.
When the potential difference between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is larger than the threshold voltage at which the liquid crystal 6 causes alignment, each liquid crystal molecule is arranged along the electric field, so that the incident light Are converted into linearly polarized light by the first polarizing plate 7 and try to pass through the liquid crystal 6 as they are. However, the linearly polarized light passing through the liquid crystal 6 is transmitted to the second polarizing plate 8.
Has a polarization axis shifted by 90 ° from that of transmitting the incident light, and cannot pass through the second polarizing plate 8. As a result, the incident light is not emitted to the display screen of the liquid crystal display device 1 and represents a black (dark) pixel. This is because the first polarizing plate 7 and the second polarizing plate 8 are arranged at parallel Nicols.

【0035】上記がノーマリーホワイト・モードの説明
であるが、ノーマリーブラック・モードの場合は白い画
素と黒い画素との表示が入れ替わるだけで、作用自体に
は変わりはない。上述したしきい値電圧の上下で、モー
ドの違いにより表示画素の色が入れ替わるだけである。
The above is the description of the normally white mode. In the case of the normally black mode, only the display of white pixels and black pixels is switched, and the operation itself is not changed. The only difference is that the colors of the display pixels are switched between the above and below threshold voltages depending on the mode.

【0036】次に、このようなノーマリーホワイト・モ
ードの液晶表示装置1においては、画素電極13と対向
電極24との間に導電性の異物が製造プロセスを経てい
る過程で混入して画素電極13と対向電極24とがほぼ
同電位になってしまう要因や、画素電極と補助容量線2
0とが絶縁膜14の絶縁不良により短絡して画素電極1
3が対向電極24の電位とほぼ等しい補助容量線20に
対してほぼ同電位になってしまう要因などから、常に画
素電極13と対向電極24との間の電位差がほとんど0
(V)になってしまうことがある。この場合には、液晶
表示装置1の表示画面での透過率が常に高くなってしま
い、輝点欠陥を生じてしまう。
Next, in the liquid crystal display device 1 of such a normally white mode, a conductive foreign matter is mixed between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 during the manufacturing process and the pixel electrode 13 13 and the counter electrode 24 become almost the same potential, and the pixel electrode and the auxiliary capacitance line 2
0 is short-circuited due to insulation failure of the insulating film 14, and the pixel electrode 1
For example, the potential difference between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is almost zero due to factors such as the fact that the potential of the pixel electrode 3 and the potential of the counter electrode 24 become substantially the same with respect to the auxiliary capacitance line 20.
(V). In this case, the transmittance on the display screen of the liquid crystal display device 1 is always high, and a bright spot defect occurs.

【0037】この実施の形態では、輝点欠陥が生じた画
素を次のように検出をしている。まず液晶表示装置1の
信号線10に対して、所定のある電圧を中心にして各フ
レーム時間毎に+5(V)と−5(V)に極性が反転す
る信号電圧(Vsig )を印加し、それとともに対向電極
24に5(V)の対向電圧(Vcom )および補助容量線
20に5(V)の電圧を印加することで、各走査線11
に対してパルス状の走査電圧(Vg )を順次供給して、
黒い(暗い)表示をさせる。
In this embodiment, a pixel having a bright spot defect is detected as follows. First, a signal voltage (V sig ) whose polarity is inverted to +5 (V) and -5 (V) is applied to the signal line 10 of the liquid crystal display device 1 every frame time centering on a certain voltage. By applying a counter voltage (V com ) of 5 (V) to the counter electrode 24 and a voltage of 5 (V) to the auxiliary capacitance line 20, each scanning line 11
, A pulse-like scanning voltage (V g ) is sequentially supplied to
Display black (dark).

【0038】そして、表示画面の周辺および中央に位置
する任意の100個の表示画素の表示輝度を検出して、
その平均値を“基準の黒レベル”として記憶する。その
後、表示画面を順次走査して、この基準の黒レベルに対
して表示される輝度が30%以上も大きい画素を検出し
て、その位置を記憶しておく。この位置に対応した画素
を輝点欠陥が生じた画素として処理する。
Then, the display brightness of any 100 display pixels located at the periphery and the center of the display screen is detected, and
The average value is stored as “reference black level”. Thereafter, the display screen is sequentially scanned to detect a pixel whose luminance displayed by the reference black level is 30% or more, and stores the position. The pixel corresponding to this position is processed as a pixel having a bright spot defect.

【0039】このように検出された輝点欠陥が生じた画
素をレーザ光の照射により修復する方法を以下に記載す
る。まず、図5にこの修正を行うレーザリペア装置25
を示す。レーザ発振器26には図示しない半導体レーザ
(Laser Diode:以下、LDと記す)を励起光源に使用し
たAO(acousto-optic:音響光学)−Qスイッチ動作の
Nd:YAGレーザを用いた。なお、加工用対物レンズ
27として汎用性のある光学顕微鏡用の対物レンズを使
用するために、このレーザ発振器26からのレーザ光と
しては、Nd:YAGレーザまたはNd:YLFレーザ
の基本波,第二高調波、そして更には紫外光である第三
高調波,第四高調波を用いることができる。また、LD
はクリプトン・アークランプに置き換えても差支えな
い。
A method of repairing a pixel in which a bright spot defect thus detected has occurred by irradiating a laser beam will be described below. First, FIG. 5 shows a laser repair device 25 for performing this correction.
Is shown. As the laser oscillator 26, an Nd: YAG laser of AO (acousto-optic) -Q switch operation using a semiconductor laser (Laser Diode: hereinafter, referred to as LD) as an excitation light source is used. Since a versatile objective lens for an optical microscope is used as the processing objective lens 27, the laser beam from the laser oscillator 26 may be a fundamental wave of Nd: YAG laser or Nd: YLF laser, Harmonics, and furthermore, third and fourth harmonics of ultraviolet light can be used. Also, LD
Can be replaced with a krypton arc lamp.

【0040】このレーザリペア装置25は、本明細書の
最後で述べる修復方法にも対応できるようにレーザ光の
パルス幅(“繰り返し周波数×2”の逆数)を変更でき
るようになっている。一般的なAO−Qスイッチ動作の
固体レーザでは、レーザ共振器の長さ(レーザ発振器2
6を構成する一組の共振ミラー間の距離)が一定のとき
は励起入力(LDへの印加電力の大きさ)およびレーザ
共振器の内部でのエネルギーロスによってこのパルス幅
が変化する。
The laser repair device 25 can change the pulse width of laser light (the reciprocal of “repetition frequency × 2”) so as to be compatible with the repair method described at the end of this specification. In a general AO-Q switch operated solid-state laser, the length of the laser resonator (laser oscillator 2
When the distance between a pair of resonant mirrors constituting the laser beam 6 is constant, the pulse width changes due to the excitation input (the magnitude of the power applied to the LD) and the energy loss inside the laser resonator.

【0041】つまり、この励起入力が小さくなるまたは
レーザ共振器内部でのエネルギーロスが大きくなると、
パルス幅は大きくなることを利用して、レーザ共振器の
内部でのエネルギーロスは、レーザ光が出射するタイミ
ングでのAO−Qスイッチへの印加電力の大きさを変え
て制御できる。AO−Qスイッチへの印加電力で制御し
ない場合は、LDへの印加電力の大きさを変えることで
制御できる。なお、これらの電力の大きさの調整はレー
ザ電源28からの供給電力の調整により行う。
That is, when the excitation input decreases or the energy loss inside the laser resonator increases,
Taking advantage of the fact that the pulse width increases, the energy loss inside the laser resonator can be controlled by changing the magnitude of the power applied to the AO-Q switch at the timing when the laser light is emitted. When the control is not performed by the power applied to the AO-Q switch, the control can be performed by changing the magnitude of the power applied to the LD. The magnitude of the power is adjusted by adjusting the power supplied from the laser power supply 28.

【0042】ここで、具体的にLDへの印加電力の大き
さを変化させる場合で例を示す。印加電圧が一定(通常
は2〜3(V)程度)のもとでレーザ光の繰り返し周波
数が1(kHz)以下として印加電流を変化させた場合
では、LDへの印加電流とレーザ光のパルス幅との関係
(点線で表す)およびLDへの印加電流とレーザ光の持
つエネルギーとの関係(実線で表す)は図6に示す通り
である。このグラフの場合には、LDへの印加電流が励
起入力に相当するので、LDへの印加電流が小さくなる
ほどパルス幅は長くなり、更にレーザ光の持つエネルギ
ーは小さくなっていることが分かる。つまり、レーザ共
振器の長さが一定のときは励起入力に依存してレーザ光
のパルス幅が変化することが分かる。
Here, an example will be specifically shown in the case where the magnitude of the power applied to the LD is changed. When the applied current is changed while the applied voltage is constant (usually about 2 to 3 (V)) and the repetition frequency of the laser light is 1 kHz or less, the applied current to the LD and the pulse of the laser light are changed. The relationship between the width (represented by the dotted line) and the relationship between the current applied to the LD and the energy of the laser beam (represented by the solid line) are as shown in FIG. In the case of this graph, since the current applied to the LD corresponds to the excitation input, it can be seen that the smaller the current applied to the LD, the longer the pulse width and the smaller the energy of the laser light. That is, it can be seen that when the length of the laser resonator is constant, the pulse width of the laser light changes depending on the excitation input.

【0043】しかし、このような方法でパルス幅を変化
させた場合にはレーザ光の持つエネルギーも変化するの
で、最適なエネルギーで欠陥画素の修復を行うためにこ
のレーザリペア装置25ではバリアブルアッテネータ
(可変光減衰器)29が設けてあることが望ましい。こ
のバリアブルアッテネータ29を調節することと、LD
への印加電力の大きさまたはAO−Qスイッチへの印加
電力の大きさを調節することとの併用によって、最適な
エネルギーでの欠陥画素の修復が、1台のレーザ発振器
を用いて容易にできるようになるからである。
However, when the pulse width is changed by such a method, the energy of the laser beam also changes. Therefore, in order to repair the defective pixel with the optimum energy, the laser repair device 25 uses a variable attenuator ( Preferably, a variable optical attenuator 29 is provided. Adjusting the variable attenuator 29 and adjusting the LD
In combination with adjusting the magnitude of the power applied to the AO-Q switch or the magnitude of the power applied to the AO-Q switch, it is possible to easily repair the defective pixel with the optimum energy by using one laser oscillator. That is because

【0044】その他のレーザリペア装置25の構成に
は、バリアブルアッテネータ29を経てきたレーザ光の
ON/OFFを行うシャッタ30と、欠陥画素を持つ液
晶パネル(外装が済んでいない液晶表示装置の表示パネ
ル)31を載置しレーザ光と液晶パネル31とを相対的
に走査させる手段の一つとしてのXYステージ32と、
XYステージ32にレーザ光を導びくミラー33と、欠
陥画素へレーザ光を集光して照射させる加工用対物レン
ズ27と、欠陥画素の修復状況を撮像するカメラ34
と、XYステージ32に設けられた開口部35を通じて
液晶パネル31に照明を行うライト36とがある。更に
加えて、レーザ電源28からLDへ供給する印加電力
と、AO−Qスイッチへ供給する印加電力と、シャッタ
30の開閉と、バリアブルアッテネータ29の光減衰率
と、XYテーブル32の動作とを制御するコントローラ
37を有する。
The other components of the laser repair device 25 include a shutter 30 for turning on / off the laser beam passing through the variable attenuator 29, and a liquid crystal panel having defective pixels (a display panel of a liquid crystal display device without an exterior package). ) An XY stage 32 as one of means for placing the laser beam 31 and relatively scanning the laser beam and the liquid crystal panel 31;
A mirror 33 for guiding the laser light to the XY stage 32; a processing objective lens 27 for condensing and irradiating the laser light to the defective pixel; and a camera 34 for imaging the repair status of the defective pixel
And a light 36 for illuminating the liquid crystal panel 31 through an opening 35 provided in the XY stage 32. In addition, it controls the applied power supplied from the laser power supply 28 to the LD, the applied power supplied to the AO-Q switch, the opening and closing of the shutter 30, the optical attenuation rate of the variable attenuator 29, and the operation of the XY table 32. It has a controller 37 that performs the operation.

【0045】ここで、このレーザリペア装置25によっ
て行われる欠陥画素の修復について説明する。なお、こ
こにいう「欠陥画素の修復」とは、ここまでで説明して
きている透過率を基準とする場合は、650(lx)の
バックライトをアレイ基板2の裏面に配置して照らし、
以下の説明にある最も過酷な輝点欠陥を有する画素の透
過率を100%としたときに、レーザ光による処理の後
では20%以下に減少することを指すこととする。例え
ば、最も過酷な輝点欠陥は、画素電極13と補助容量線
20とが短絡されてしまい、画素電極13と対向電極2
4との電位差がほぼ0(V)になった場合である。この
場合には、液晶6に関する上述のしきい値電圧より高い
電圧差が画素電極13と対向電極24との間に印加され
たときにも、正常な画素の透過率と同様にほぼ100%
の透過率を有してしまう。
Here, the repair of a defective pixel performed by the laser repair device 25 will be described. Here, “repair of defective pixels” is based on the transmittance described above, and a backlight of 650 (lx) is arranged on the back surface of the array substrate 2 and illuminated.
Assuming that the transmittance of a pixel having the most severe luminescent spot defect in the following description is 100%, it indicates a decrease to 20% or less after processing by a laser beam. For example, the most severe bright spot defect is that the pixel electrode 13 and the auxiliary capacitance line 20 are short-circuited, and the pixel electrode 13 and the counter electrode 2
This is a case where the potential difference from the signal No. 4 becomes almost 0 (V). In this case, when a voltage difference higher than the above-described threshold voltage for the liquid crystal 6 is applied between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24, almost 100% similarly to the transmittance of a normal pixel.
Has a transmittance of

【0046】さて、図7に示すように、レーザ光はここ
では第2の配向膜5から入射し、液晶6の中で集光点を
結ぶような照射を行うのが望ましい。アレイ基板2また
は対向基板3の上に集光点が位置するようにされていな
いのは、画素電極13または対向電極24自体や第1の
配向膜4または第2の配向膜5に対して強いエネルギー
が入射されてダメージを与えるのを防ぐためである。ま
た、もちろん第1の配向膜4からレーザ光を同様に入射
させても良い。
Now, as shown in FIG. 7, it is desirable that the laser beam is irradiated from the second alignment film 5 and connects the focal point in the liquid crystal 6 here. The fact that the light-converging point is not located on the array substrate 2 or the counter substrate 3 is strong against the pixel electrode 13 or the counter electrode 24 itself, the first alignment film 4 or the second alignment film 5. This is to prevent energy from being applied and causing damage. Further, needless to say, laser light may be similarly incident from the first alignment film 4.

【0047】レーザ発振器26から出射される(Nd:
YAG)レーザ光は、波長が1.06(μm)で、欠陥
画素上のレーザスポットの径(レーザ光の照射面の径)
が2.5(μm)の状態で照射する。この際、繰り返し
周波数は100(Hz)で欠陥画素における走査速度は
1(mm/s)とするとともに、照射するレーザ光の出
力は2(μJ/pulse)としている。この走査にお
けるレーザ光と欠陥画素との位置関係の概略は図8に示
すようになっており、レーザ光が欠陥画素の内部を縦横
に折り返しながら走査する。
The light emitted from the laser oscillator 26 (Nd:
YAG) the laser light has a wavelength of 1.06 (μm) and the diameter of the laser spot on the defective pixel (the diameter of the irradiation surface of the laser light)
Is irradiated in a state of 2.5 (μm). At this time, the repetition frequency is 100 (Hz), the scanning speed at the defective pixel is 1 (mm / s), and the output of the laser beam to be applied is 2 (μJ / pulse). The outline of the positional relationship between the laser beam and the defective pixel in this scanning is as shown in FIG. 8, and the laser beam scans the inside of the defective pixel while turning it up and down.

【0048】更に詳しく示すと図9のようになる。走査
線11の長手方向に沿って、欠陥を生じている画素電極
13の一端部(例えば同図中のa地点)から他端部(例
えば同図中のb地点)までを画素電極13の端辺に並行
して走査し、この他端部で走査の方向を同図における上
方に向けて折り返して(例えば同図中のc地点まで)順
次に走査する。ここで、走査の開始地点である上記一端
部(a地点)は、遮光層21によって定まっている開口
部(光透過部)の端部からの距離Lが、少なくとも7μ
mは離れているのが望ましい。あまりにこの距離Lが小
さいと、後述するレーザ光の照射によって生じる飛散物
が、正常な表示をしている画素電極13にまでも飛び散
ってしまい、新たな表示不良を引き起こしてしまうおそ
れがあるからである。
FIG. 9 shows this in more detail. Along the longitudinal direction of the scanning line 11, the edge of the pixel electrode 13 from one end (for example, point a in the figure) to the other end (for example, point b in the figure) of the pixel electrode 13 in which a defect occurs is shown. The scanning is performed in parallel with the side, and the scanning direction is turned upward at the other end in the same direction (for example, up to the point c in the drawing), and the scanning is sequentially performed. Here, the distance L from the end of the opening (light transmitting portion) defined by the light shielding layer 21 is at least 7 μm at the one end (point a), which is the scanning start point.
It is desirable that m be apart. If the distance L is too small, the scattered matter generated by the irradiation of the laser beam, which will be described later, may scatter to the pixel electrode 13 which performs normal display, which may cause a new display defect. is there.

【0049】ここで、図9の拡大図を図10に示しレー
ザ光の照射での特徴を説明する。図10(a)は以前に
行われていた、レーザ照射面をオーバーラップさせなが
ら走査する手法であり、図10(b)は今回に行なっ
た、レーザ照射面を離散的に走査する手法である。な
お、図9および図10(b)で「d」はレーザ光の照射
面の径(直径)を示し、「P」は個々の照射面の中心間
距離(ピッチ)を示している。このピッチは、走査速度
または繰り返し周波数を変更することで変えることがで
きる。
Here, an enlarged view of FIG. 9 is shown in FIG. 10, and the features of the laser irradiation will be described. FIG. 10A shows a method of scanning while overlapping a laser irradiation surface, which has been performed before, and FIG. 10B shows a method of discretely scanning a laser irradiation surface, which has been performed this time. . 9 and 10 (b), "d" indicates the diameter (diameter) of the laser light irradiation surface, and "P" indicates the center-to-center distance (pitch) of each irradiation surface. This pitch can be changed by changing the scanning speed or the repetition frequency.

【0050】ここで、図10(a)で行われていたオー
バーラップ率を有する走査の方法と、図10(b)で行
なった離散的な走査の手法とにおいて、レーザ光の照射
面の径が同じという前提条件のもとに、入力エネルギー
について考えてみる。なお、図11(a)には、50%
のオーバーラップがある場合の単位面積当たりの照射面
を示し、図11(b)には、P/d=2で離散的な場合
の同じく単位面積当たりの照射面を示している。双方の
図ともに、照射面が形成される単位面積は破線で囲まれ
た部分とする。
Here, in the scanning method having the overlap ratio performed in FIG. 10A and the discrete scanning method performed in FIG. Consider the input energy under the precondition that are the same. It should be noted that FIG.
11B shows an irradiation surface per unit area when there is an overlap, and FIG. 11B shows an irradiation surface per unit area when P / d = 2 and discrete. In both figures, the unit area where the irradiation surface is formed is a portion surrounded by a broken line.

【0051】図11(a)の場合、レーザ光の照射回数
が多いので一画素当たりで30秒程度の処理時間が掛か
っていた。そして、照射するレーザ光の出力は0.5
(μJ/pulse)であった。それに対して、図11
(b)の場合、レーザ光の照射回数が少ないので一画素
当たりで3秒程度の処理時間で済んだ。そして、照射す
るレーザ光の出力は2(μJ/pulse)であった。
この2つの手法に関するデータを比べてみると、照射時
間と1パルス当たりのエネルギーとの積は大きく異なっ
ていることが分かる。
In the case of FIG. 11A, the processing time of about 30 seconds per pixel was required because of the large number of laser beam irradiations. The output of the laser light to be applied is 0.5
(ΜJ / pulse). In contrast, FIG.
In the case of (b), the processing time of about 3 seconds per pixel was sufficient because the number of laser beam irradiations was small. The output of the irradiated laser beam was 2 (μJ / pulse).
Comparing the data on the two methods, it can be seen that the product of the irradiation time and the energy per pulse is significantly different.

【0052】つまり、図11(a)の場合には、個々の
照射面を合計すると単位面積当たりで8回の照射を受け
ていることになるので、単位面積当たりの照射エネルギ
ーは0.5×8=4(μJ/pulse)となる。それ
に対して、図11(b)の場合には4回の照射を受けて
いるが、P/d=2の離散的な状態なので、斜線部分に
しか照射は無い。従って、単位面積当たりで0.25回
の照射を受けていることになるので、単位面積当たりの
照射エネルギーは2×4×0.25=2(μJ/pul
se)となる。即ち、単位面積当たりの照射エネルギー
の総量が図11(a)の場合の1/2となっている。
In other words, in the case of FIG. 11A, the irradiation energy per unit area is 0.5.times. 8 = 4 (μJ / pulse). On the other hand, in the case of FIG. 11B, irradiation is performed four times. However, since irradiation is performed in a discrete state of P / d = 2, irradiation is performed only on the hatched portion. Therefore, since irradiation is performed 0.25 times per unit area, the irradiation energy per unit area is 2 × 4 × 0.25 = 2 (μJ / pul)
se). That is, the total amount of irradiation energy per unit area is の of that in the case of FIG.

【0053】この結果、1パルス当たりの照射エネルギ
ーは大きくても図11(b)のように離散して照射する
方法では、照射エネルギーの総量は少ないことが分か
る。照射時間が少ないのに加えて、照射エネルギーの総
計が少ないのは、アレイ基板2や対向基板3のダメージ
に考慮すると有効なことである。また、1回の照射当た
りのエネルギーが大きく照射回数も少ないので、加工マ
ージンを±10%程度と余裕を持たせることができる。
As a result, it can be seen that the total amount of the irradiation energy is small in the method of discrete irradiation as shown in FIG. 11B even if the irradiation energy per pulse is large. The fact that the total irradiation energy is small in addition to the short irradiation time is effective in consideration of damage to the array substrate 2 and the counter substrate 3. In addition, since the energy per irradiation is large and the number of times of irradiation is small, the processing margin can be provided with a margin of about ± 10%.

【0054】それとは反対に、図11(a)のようにオ
ーバーラップして照射する方法では、1回当たりの照射
エネルギーが小さく照射回数も多いので、加工マージン
を±5%程度と狭くすることしかできない。オーバーラ
ップすると、単位面積当たりの照射エネルギーが大きく
なり、レーザ発振器26の出力変動によって僅かにエネ
ルギーが高くなっても、色彩部22などの構造物が熱エ
ネルギーによるダメージを受けて新たな欠陥を生じる原
因となる。
Contrary to this, in the overlapping irradiation method as shown in FIG. 11 (a), the irradiation energy per irradiation is small and the number of irradiations is large, so that the processing margin should be narrowed to about ± 5%. I can only do it. When they overlap, the irradiation energy per unit area increases, and even if the energy slightly increases due to the output fluctuation of the laser oscillator 26, the structure such as the color portion 22 is damaged by the heat energy and a new defect is generated. Cause.

【0055】そして、このオーバーラップする方法で
は、照射エネルギーによって液晶6が加熱されて液晶6
が気化して多数の気泡を発生することもある。また、ラ
ンダムに発生する気泡によってレーザ光の照射面の位置
や大きさが変化し、この気泡によって液晶6が排除され
たアレイ基板2や対向基板3の表面では、直接にレーザ
光の熱エネルギーを与えられダメージが大きくなってし
まうので、新たな欠陥を生じる原因となる。
In this overlapping method, the liquid crystal 6 is heated by the irradiation energy,
May be vaporized to generate a large number of bubbles. In addition, the position and size of the laser light irradiation surface change due to randomly generated air bubbles, and the heat energy of the laser light is directly applied to the surface of the array substrate 2 or the opposing substrate 3 from which the liquid crystal 6 has been removed due to the air bubbles. The damage caused is increased, which may cause a new defect.

【0056】そもそも、第1の配向膜4と第2の配向膜
5は厚さが数10(nm)のポリイミド膜をラビング処
理して得るが、製造工程においてこの膜厚のばらつき度
合は画像の表示品質に影響を与えない程度(±10%)
の範囲で管理されている。欠陥画素の修復において、こ
の±10%の膜厚のばらつき(つまり、外乱)に起因し
て修復が良好な部位と不良な部位とが発生し、同一条件
で処理しても透過率の十分な減少が図れない場合(修復
の再現性が不十分な場合)が出てきてしまう。
First, the first alignment film 4 and the second alignment film 5 are obtained by rubbing a polyimide film having a thickness of several tens of nanometers (nm). Not affecting display quality (± 10%)
Is managed in the range. In repairing a defective pixel, a portion having a good repair and a portion having a bad repair occur due to the variation of the film thickness of ± 10% (that is, disturbance). In some cases, a decrease cannot be achieved (when the reproducibility of restoration is insufficient).

【0057】この外乱を許容できる程度にレーザ照射の
エネルギーについて加工マージンが大きい場合には、同
一条件で処理しても修復の再現性は十分に得られる。上
述のように本発明の離散して照射する方式によれば、加
工マージンを±10%とすることが可能となり、オーバ
ーラップして照射する方式よりも加工マージンを大きく
することができるのである。
When the processing margin for the energy of laser irradiation is large enough to tolerate this disturbance, the reproducibility of restoration can be sufficiently obtained even if the processing is performed under the same conditions. As described above, according to the discrete irradiation method of the present invention, the processing margin can be set to ± 10%, and the processing margin can be made larger than the overlapping irradiation method.

【0058】実際には、オーバーラップ率50%の場合
における適正な修復条件は、レーザスポット径が2.5
(μm),走査速度が1(mm/s),繰り返し周波数
が1(kHz),照射エネルギーが0.50〜0.55
(μJ/Pulse)であったが、加工マージンが±5
%と低いために、欠陥画素の修復の成功確率は70%に
とどまっていた。
Actually, a proper repair condition when the overlap ratio is 50% is that the laser spot diameter is 2.5%.
(Μm), scanning speed 1 (mm / s), repetition frequency 1 (kHz), irradiation energy 0.50 to 0.55
(ΜJ / Pulse), but the processing margin was ± 5
%, The probability of success in repairing defective pixels was only 70%.

【0059】それに対して、P/d=2の場合における
適正な修復条件は、レーザスポット径が2.5(μ
m),走査速度が1(mm/s),繰り返し周波数が1
00(Hz),照射エネルギーが1.0〜2.0(μJ
/Pulse)であり、加工マージンが±10%と高い
ために、欠陥画素の修復に関する成功の確率は100%
になった。
On the other hand, when P / d = 2, an appropriate repair condition is that the laser spot diameter is 2.5 (μm).
m), scanning speed 1 (mm / s), repetition frequency 1
00 (Hz), irradiation energy is 1.0 to 2.0 (μJ
/ Pulse) and the processing margin is as high as ± 10%, so that the probability of success in repairing a defective pixel is 100%.
Became.

【0060】次に、この離散してレーザを照射する方法
で欠陥画素が修復される理由を図12を用いて説明す
る。図12(a)はレーザ照射を受けた部位の拡大上面
図であり、図12(b)はこのX−X’線でみた断面図
である。図12(a)で分かるように、レーザ光の照射
面38を中心にして、その周辺部に波紋状に“にごり”
が生じている。この“にごり”は第1の従来例では何ら
示されておらず、このにごり(第1の従来例で開示され
ていないメカニズム)を利用して欠陥画素の修復を行な
うことが本発明の特徴となっているものである。
Next, the reason why defective pixels are repaired by this discrete laser irradiation method will be described with reference to FIG. FIG. 12A is an enlarged top view of a portion that has been subjected to laser irradiation, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line XX ′. As can be seen from FIG. 12 (a), the surface of the laser light irradiation surface 38 is centered, and the peripheral portion of the surface is rippled like "smear".
Has occurred. This "stain" is not shown at all in the first conventional example, and the feature of the present invention is that the defective pixel is repaired by using the stain (a mechanism not disclosed in the first conventional example). Is what it is.

【0061】図12(b)で分かるように、レーザ光の
照射面38では照射エネルギーにより、第1の配向膜4
が抉られてITO膜で構成される画素電極13にまで達
し、特にアレイ基板2の側からレーザ光を入射した場合
には、周辺の色彩部22にまでも達して第1の配向膜4
がほぼ消滅した部分を形成する。そしてポリイミド,I
TOや染料の細かな固化物や変質した液晶の固化物など
からなる飛散物39が、レーザ光の照射面38の周り
(“にごり”に対応した位置)に、図12(a)で示す
ようなレーザ光の照射面38を中心に波紋状に飛散し、
第1の配向膜4の表面に形成されている微細なラビング
溝(図示せず)を埋めてしまう。よって、液晶6のホモ
ロジー(homology)が変化するため、マクロ的にみると
第1の配向膜4が変質した部分を形成して、このにごり
が生じると考えられる。
As can be seen from FIG. 12B, the first alignment film 4 is irradiated on the irradiation surface 38 of the laser beam by the irradiation energy.
Are cut down to reach the pixel electrode 13 formed of the ITO film, and particularly when the laser beam is incident from the side of the array substrate 2, the laser light reaches the peripheral color portion 22 and the first alignment film 4.
Form a portion that has almost disappeared. And polyimide, I
As shown in FIG. 12 (a), a scattered substance 39 composed of a solidified product of TO or a dye or a solidified product of altered liquid crystal is formed around a laser light irradiation surface 38 (at a position corresponding to "stain"). Scattered around the irradiation surface 38 of the
The fine rubbing grooves (not shown) formed on the surface of the first alignment film 4 are filled. Therefore, since the homology of the liquid crystal 6 changes, it is considered that the first alignment film 4 forms a deteriorated portion in a macroscopic view, and this causes a smear.

【0062】結果的には、飛散物39によってラビング
溝が埋め立てられているために、液晶6を構成する各々
の液晶分子は、画素電極13と対向電極24との間に印
加された電圧で生じる電界に沿って配列することができ
なくなる。そして、液晶6が配向できなくなっている
(配向性が低下している)ので、液晶6を介する光の通
過や反射が阻害されて欠陥画素となってしまうのであ
る。
As a result, since the rubbing groove is filled up with the scattered matter 39, each liquid crystal molecule constituting the liquid crystal 6 is generated by the voltage applied between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24. It cannot be arranged along the electric field. Then, since the liquid crystal 6 cannot be oriented (the orientation is reduced), the passage or reflection of light through the liquid crystal 6 is hindered, resulting in defective pixels.

【0063】つまり、図10(a)のようなオーバーラ
ップする方法では走査面で全て配向膜,ITO膜や色彩
部まで削っていたのに加えて、1パルス当たりの照射エ
ネルギーが小さいので上記の“にごり”も形成されなか
った。しかし、今回の方法によれば、そこまでも削って
しまうのはレーザ光の照射面38のみで良く、その他の
領域は飛散物39で液晶分子の配向が阻害されること
で、欠陥画素の修正(ここでは透過率の低減)を実現し
ているので、液晶パネル31の全体ではダメージが少な
い。
That is, in the overlapping method as shown in FIG. 10A, not only the alignment film, the ITO film, and the color portion are cut on the scanning surface, but also the irradiation energy per pulse is small. No "smell" was formed. However, according to the method of the present invention, only the laser light irradiation surface 38 needs to be scraped off, and the other regions disturb the alignment of the liquid crystal molecules by the scattered matter 39, thereby correcting the defective pixel. (Here, the transmittance is reduced), so that the entire liquid crystal panel 31 is less damaged.

【0064】また、このオーバーラップする方法では8
5℃の乾燥した環境のもとで動作させると透過率の上昇
が確認された。これに対して、今回の方法では透過率の
変動はほとんどなかった。これは、今回の方法では飛散
物39でラビング溝が埋め立てられており、レーザ照射
によって上昇した温度が下降した後にも配向の復活が起
こり難くなるからであると考えられる。
In this overlapping method, 8
When operated in a dry environment at 5 ° C., an increase in transmittance was confirmed. On the other hand, in this method, there was almost no change in transmittance. This is considered to be because the rubbing groove is filled up with the scattered matter 39 in this method, and it is difficult for the orientation to recover even after the temperature increased by the laser irradiation decreases.

【0065】図13には、P/dと透過率Tとの関係を
示し、図14にはP/dと照射エネルギーEとの関係を
示す。マージンも考慮して、斜線で囲まれた部分でそれ
ぞれの値は推移しているが、図13によるとP/dが2
〜3のときに透過率が最低にまでなることが分かり、図
14によってもP/dが2〜3のときに照射エネルギー
を最大にできることが分かる。これらの結果から、P/
dが2〜3のときに最適な条件で欠陥画素の修復が実現
できることが分かる。
FIG. 13 shows the relationship between P / d and transmittance T, and FIG. 14 shows the relationship between P / d and irradiation energy E. In consideration of the margin, each value changes in the portion surrounded by the oblique line, but according to FIG. 13, P / d is 2
It can be seen that the transmittance becomes the lowest when P3, and that the irradiation energy can be maximized when P / d is 233 according to FIG. From these results, P /
It can be seen that the repair of the defective pixel can be realized under the optimum condition when d is 2-3.

【0066】上述の離散してレーザ光を照射し、表示面
に形成した“にごり”を利用して欠陥画素の修復を行な
う方法は、原理的に配向膜を有している表示装置には適
用が可能であるので、この方法の適用の対象は説明で挙
げたスイッチング素子としてTFTを用いたアクティブ
・マトリクス型の液晶表示装置に限られない。例えば、
MIM(Metal Inslator Metal)を用いてもよいし、ス
イッチング素子を用いない単純・マトリクス型の液晶表
示装置でもよい。更には、プラズマ・アドレス型の液晶
表示装置(PALC:Plasma Address Liquid Crystal
)でもよい。
The above-described method of repairing defective pixels by irradiating a laser beam discretely and using "stain" formed on the display surface is applicable to a display device having an alignment film in principle. Therefore, the application of this method is not limited to the active matrix type liquid crystal display device using a TFT as a switching element described in the description. For example,
An MIM (Metal Inslator Metal) may be used, or a simple / matrix liquid crystal display device that does not use a switching element may be used. Furthermore, a plasma address type liquid crystal display device (PALC: Plasma Address Liquid Crystal)
).

【0067】また、輝点欠陥を有する画素を例にして説
明したが、他の欠陥モードに対しても本手法は有効であ
る。例えば、静電破壊によるスイッチング素子の異常動
作や層間絶縁膜の破損による電極や配線のショート、そ
して画素電極の欠落や配向異常などである。
Although the description has been made by taking a pixel having a bright spot defect as an example, the present method is also effective for other defect modes. For example, abnormal operation of a switching element due to electrostatic breakdown, short-circuiting of an electrode or wiring due to breakage of an interlayer insulating film, and missing or abnormal alignment of a pixel electrode.

【0068】次に、ここまで説明した離散的にレーザ光
を照射して欠陥画素の修復を行なう方法に加えて、もう
一つの修復を行なう方法を以下に記載する。この方法
は、いわば第1の従来例と第2の従来例とを併せ持った
方法ともいえるが、個々の従来例ではお互いの方法で欠
陥画素の修正漏れを補完しあうという思想が開示されて
はいない。なお、この方法は図5で示したパルス幅が可
変のレーザリペア装置25を用いて行なうのが好まし
い。
Next, in addition to the method of restoring defective pixels by irradiating a laser beam discretely as described above, another method of restoring is described below. This method can be said to be a method combining the first conventional example and the second conventional example. However, in each conventional example, the idea of complementing the omission of correction of defective pixels by each other's method is disclosed. Not in. This method is preferably performed using the laser repair device 25 shown in FIG.

【0069】図15から図18に示すようにここで述べ
る方法では、第2の従来例と同じく1つの画素電極13
に対応してそれぞれ2つ(複数)のTFT(スイッチン
グ素子)が設けてある。図15に示すように一方は画素
電極13に配線で機械的かつ電気的に接続されているメ
インTFT40であり、他方は画素電極13とは機械的
に接続されているが、電気的には接続されていない(層
間絶縁膜41で絶縁されている走査線11から延出した
配線43に機械的には接している)サブTFT42であ
る。まず、上述した画素欠陥の検出を経て、欠陥が生じ
た画素を検出する。
As shown in FIGS. 15 to 18, in the method described here, one pixel electrode 13 is used as in the second conventional example.
, Two (plural) TFTs (switching elements) are provided. As shown in FIG. 15, one is a main TFT 40 mechanically and electrically connected to the pixel electrode 13 by wiring, and the other is mechanically connected to the pixel electrode 13 but is electrically connected to the pixel electrode 13. The sub-TFT 42 is not illustrated (it is mechanically in contact with the wiring 43 extending from the scanning line 11 insulated by the interlayer insulating film 41). First, through the above-described pixel defect detection, a pixel having a defect is detected.

【0070】次に画素欠陥が生じている箇所を特定でき
たら、図16に示すようにまずメインTFT40の動作
不良で生じた欠陥画素について、メインTFT40と走
査線11とを結ぶ配線43をレーザリペア装置25で用
いるレーザ光により切断する。この際のレーザ光のパル
ス幅は、配線を溶融切断するために10(ns)以下と
短く設定されており、パルスレーザ光を照射して切断し
ている。
Next, when the location where the pixel defect has occurred can be specified, first, as shown in FIG. 16, for the defective pixel caused by the malfunction of the main TFT 40, the wiring 43 connecting the main TFT 40 and the scanning line 11 is repaired by laser. Cutting is performed by a laser beam used in the device 25. In this case, the pulse width of the laser light is set to be as short as 10 (ns) or less in order to melt and cut the wiring, and the laser light is cut by irradiation.

【0071】次に、図17に示すように画素電極13と
接続するサブTFT42を選択し、メインTFT40か
ら層間絶縁膜41によって電気的に切り離された画素電
極13とサブTFT42とをレーザリペア装置25から
のレーザ光を照射して選択的かつ電気的に接続する。具
体的には、図18に図17のA−A’線での断面図とし
て示すように、層間絶縁膜41を介して画素電極13と
サブTFT42の電極とをレーザ光で溶融接続する。そ
のために、ここでもレーザ光のパルス幅は10(ns)
以下と短く設定されており、パルスレーザ光を照射して
両者を接続している。
Next, as shown in FIG. 17, a sub-TFT 42 connected to the pixel electrode 13 is selected, and the pixel electrode 13 and the sub-TFT 42 which are electrically separated from the main TFT 40 by the interlayer insulating film 41 are separated by a laser repair device 25. And selectively connect them electrically. Specifically, as shown in FIG. 18 as a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 17, the pixel electrode 13 and the electrode of the sub-TFT 42 are fusion-connected with a laser beam via an interlayer insulating film 41. Therefore, the pulse width of the laser beam is 10 (ns) here.
It is set as short as below, and both are connected by irradiating pulse laser light.

【0072】この処理によって、画素欠陥が修復された
ものについては、画素は正常な動作を行なうが、TFT
の動作不良による要因ではない画素欠陥については修復
できないし、レーザ光による加工精度のばらつきもある
ので、この方法だけでは画素欠陥全体の30〜50%程
度しか修復ができない。
When the pixel defect is repaired by this processing, the pixel operates normally, but the TFT operates normally.
Pixel defects that are not a factor due to the operation failure cannot be repaired, and there is a variation in processing accuracy due to laser light. Therefore, only this method can repair only about 30 to 50% of the entire pixel defects.

【0073】そこで、このサブTFT42への付け替え
を行なった後に再び画素欠陥を検査して、もしも画素欠
陥がまだ認められる場合には、例えば上記で説明した離
散的にレーザ光を照射する方法で、第1の従来例に示さ
れるような配向膜の乱れを利用した欠陥画素の修復をも
行なうのである。これらの一連の工程を図19にフロー
チャートで示す(サブTFT42へのつなぎ換えは冗長
回路へのつなぎ換えの一種である)。
Therefore, after the replacement of the sub-TFT 42, the pixel defect is inspected again. If the pixel defect is still found, the above-described method of discretely irradiating a laser beam is used, for example. The defective pixel is also repaired by utilizing the disorder of the alignment film as shown in the first conventional example. FIG. 19 is a flow chart showing a series of these steps (switching to the sub-TFT 42 is a type of switching to a redundant circuit).

【0074】なお、この処理の場合にはレーザリペア装
置25で用いられるレーザ光のパルス幅は20〜200
(ns)としている。もちろん、第1の従来例の代わり
に上記で説明したレーザ光を離散的に照射し“にごり”
を形成して欠陥画素の修復を行なってもよい。
In this case, the pulse width of the laser beam used in the laser repair device 25 is 20 to 200.
(Ns). Of course, instead of the first conventional example, the above-described laser light is radiated discretely to “smear”.
May be formed to repair defective pixels.

【0075】また、スイッチング素子としてTFTを用
いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にして
説明したが、その代わりにMIM型の液晶表示装置とし
てもよい。
Although an active matrix type liquid crystal display device using TFTs as switching elements has been described as an example, a MIM type liquid crystal display device may be used instead.

【0076】[0076]

【発明の効果】本発明によれば、液晶パネルに加わる熱
的なダメージを抑制した欠陥画素の修正が達成できる。
また、スイッチング素子の動作不良を初めとする様々な
欠陥モードにも的確に対応した欠陥画素の修正ができ
る。即ち、本発明によれば、欠陥画素の良好な修復が達
成された液晶表示装置の製造が可能となる。また、その
ような修復に供するレーザリペア装置の提供も可能とな
る。
According to the present invention, it is possible to achieve correction of defective pixels while suppressing thermal damage to the liquid crystal panel.
Further, it is possible to correct a defective pixel accurately corresponding to various defect modes such as a malfunction of a switching element. That is, according to the present invention, it is possible to manufacture a liquid crystal display device in which a defective pixel has been successfully repaired. Further, it is also possible to provide a laser repair device used for such repair.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置を示す上面図。FIG. 1 is a top view illustrating a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明の液晶表示装置を示す図1中のY−Y’
線での断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of the present invention taken along line YY ′ in FIG. 1;
Sectional view at the line.

【図3】本発明の液晶表示装置の全体を示す概略構成
図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing the entire liquid crystal display device of the present invention.

【図4】本発明の液晶表示装置の表示原理を説明する斜
視図。
FIG. 4 is a perspective view illustrating a display principle of the liquid crystal display device of the present invention.

【図5】本発明のレーザリペア装置の全体を示す概略構
成図。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing the entire laser repair device of the present invention.

【図6】本発明のLDへの印加電流とレーザ光のパルス
幅との関係およびLDへの印加電流とレーザ光の持つエ
ネルギーとの関係を示すグラフ。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the current applied to the LD and the pulse width of the laser beam, and the relationship between the current applied to the LD and the energy of the laser beam according to the present invention.

【図7】本発明の液晶表示装置の製造方法におけるレー
ザ光の照射状態を示す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a laser light irradiation state in the liquid crystal display device manufacturing method of the present invention.

【図8】レーザ光と欠陥画素との位置関係の概略を示す
斜視図。
FIG. 8 is a perspective view schematically showing a positional relationship between a laser beam and a defective pixel.

【図9】レーザ光と欠陥画素との位置関係の概略を示す
上面図。
FIG. 9 is a top view schematically showing a positional relationship between a laser beam and a defective pixel.

【図10】(a)はオーバーラップをさせた場合におけ
るレーザ光の各照射面間の位置関係を示す上面拡大図、
(b)は離間をさせた場合におけるレーザ光の各照射面
間の位置関係を示す上面拡大図。
FIG. 10A is an enlarged top view showing a positional relationship between laser light irradiation surfaces when overlapping,
FIG. 2B is an enlarged top view showing a positional relationship between the respective irradiation surfaces of the laser beam when the laser beams are separated.

【図11】(a)は図10(a)における単位面積当た
りの上面拡大図、(b)は図10(b)における単位面
積当たりの上面拡大図。
11A is an enlarged top view per unit area in FIG. 10A, and FIG. 11B is an enlarged top view per unit area in FIG. 10B.

【図12】(a)は本発明の液晶表示装置の製造方法に
よるレーザ照射を受けた部位の拡大上面図、(b)は図
12(a)のX−X’線でみた断面図。
12A is an enlarged top view of a portion irradiated with laser by the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG.

【図13】P/dと透過率Tとの関係を示すグラフ。FIG. 13 is a graph showing the relationship between P / d and transmittance T.

【図14】P/dと照射エネルギーEとの関係を示すグ
ラフ。
FIG. 14 is a graph showing the relationship between P / d and irradiation energy E.

【図15】本発明の液晶表示装置における画素電極とメ
インTFTおよびサブTFTとの関係を示す上面図。
FIG. 15 is a top view showing a relationship between a pixel electrode and a main TFT and a sub TFT in the liquid crystal display device of the present invention.

【図16】図15のメインTFTと画素電極とを結ぶ配
線がレーザ光により切断された状態を示す上面図。
FIG. 16 is a top view showing a state where the wiring connecting the main TFT and the pixel electrode in FIG. 15 is cut by laser light.

【図17】図15のサブTFTと画素電極とを結ぶ配線
がレーザ光により接続された状態を示す上面図。
FIG. 17 is a top view showing a state where the wiring connecting the sub-TFT and the pixel electrode in FIG. 15 is connected by laser light.

【図18】図18のA−A’線でみた断面図。FIG. 18 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 18;

【図19】図15乃至図17の一連の工程を示すフロー
チャート。
FIG. 19 is a flowchart showing a series of steps of FIGS. 15 to 17;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…液晶表示装置,2…アレイ基板,3…対向基板,4
…第1の配向膜 5…第2の配向膜,6…液晶,7…第1の偏光板,8…
第2の偏光板 9…ガラス基板,10…信号線,11…走査線,12…
TFT 13…画素電極,14…アンダーコート,15…アモル
ファスシリコン膜 16…チャネル保護膜,17…n+ 型水素化アモルファ
スシリコン膜 18…ソース電極,19…ドレイン電極,20…補助容
量線,21…遮光層 22…色彩部,23…有機保護膜,24…対向電極,2
5…レーザリペア装置 26…レーザ発振器,27…加工用対物レンズ,28…
レーザ電源 29…バリアブルアッテネータ,30…シャッタ,31
…液晶パネル 32…XYステージ,33…ミラー,34…カメラ,3
5…開口部 36…ライト,37…コントローラ,38…照射面,3
9…飛散物 40…メインTFT,41…サブTFT,42…層間絶
縁膜,43…配線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display device, 2 ... Array substrate, 3 ... Counter substrate, 4
... first alignment film 5 ... second alignment film, 6 ... liquid crystal, 7 ... first polarizing plate, 8 ...
Second polarizing plate 9: glass substrate, 10: signal line, 11: scanning line, 12 ...
TFT 13: pixel electrode, 14: undercoat, 15: amorphous silicon film 16: channel protective film, 17: n + type hydrogenated amorphous silicon film 18: source electrode, 19: drain electrode, 20: auxiliary capacitance line, 21 ... Light-shielding layer 22: color portion, 23: organic protective film, 24: counter electrode, 2
5 laser repair device 26 laser oscillator 27 processing objective lens 28
Laser power supply 29: variable attenuator, 30: shutter, 31
... Liquid crystal panel 32 ... XY stage, 33 ... Mirror, 34 ... Camera, 3
5. Opening 36. Light, 37. Controller, 38. Irradiation surface, 3.
9: flying object 40: main TFT, 41: sub TFT, 42: interlayer insulating film, 43: wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 EA03 FA10 FA12 FA13 FA15 FA16 FA18 FA24 FA30 HA08 JA05 MA18 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB42 JB52 JB57 JB63 JB69 JB72 JB73 JB77 KA05 KA07 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA22 MA27 MA32 MA35 MA37 MA41 MA52 MA56 NA04 NA13 NA25 NA27 NA29 PA02 QA07 4E068 AH00 CA03 CB01 DA09 5F110 AA27 BB01 DD02 DD13 DD14 GG02 GG15 GG44 HK09 HK16 NN12 NN24 NN41 NN46 NN73 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H088 EA03 FA10 FA12 FA13 FA15 FA16 FA18 FA24 FA30 HA08 JA05 MA18 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB42 JB52 JB57 JB63 JB69 JB72 JB73 JB07 MA05 MA05 MA05 MA16 MA18 MA19 MA20 MA22 MA27 MA32 MA35 MA37 MA41 MA52 MA56 NA04 NA13 NA25 NA27 NA29 PA02 QA07 4E068 AH00 CA03 CB01 DA09 5F110 AA27 BB01 DD02 DD13 DD14 GG02 GG15 GG44 HK09 HK16 NN12 NN24 NN46 NN73

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板上に少なくとも第1の電極お
よび第1の配向膜を形成する工程と、 第2の基板上に少なくとも第2の電極および第2の配向
膜を形成する工程と、 前記第1の基板および前記第2の基板の間に液晶を介在
させた状態でこれらの基板をお互いに対向させつつ封止
する工程と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に電位差をもた
せ画面を表示させて検査を行なう工程と、 前記検査で検出された前記画面を構成する画素の欠陥を
生じた部分の修復をする工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法において、 前記修復をする工程は、前記欠陥を有する前記画素に対
応してこの画素の一つあたり少なくとも二つがそれぞれ
機械的に接続されているスイッチング素子について一つ
の前記スイッチング素子を前記画素と選択的かつ電気的
に接続する工程と、 前記欠陥を有する前記画素に前記レーザ光を照射して前
記第1の配向膜または前記第2の配向膜を少なくとも変
質させる工程とを併せて有することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
A step of forming at least a first electrode and a first alignment film on a first substrate; a step of forming at least a second electrode and a second alignment film on a second substrate. A step of sealing the first substrate and the second substrate while interposing these substrates in a state where liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate; A liquid crystal display device comprising: a step of performing an inspection by displaying a screen with a potential difference therebetween; and a step of repairing a defective portion of a pixel constituting the screen detected by the inspection. In the manufacturing method, the repairing step includes, before the one pixel having one of the switching elements, at least two of which are mechanically connected to each of the pixels having the defect. A step of selectively and electrically connecting to a pixel; and a step of irradiating the laser beam to the pixel having the defect to change at least the first alignment film or the second alignment film. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
【請求項2】 前記第1の配向膜または前記第2の配向
膜を変質させる工程は、一つのスイッチング素子を前記
画素と選択的かつ電気的に接続する工程を行なったにも
拘らず前記欠陥が修復されない画素を対象に行なうこと
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the step of changing the quality of the first alignment film or the second alignment film includes the step of selectively and electrically connecting one switching element to the pixel. 2. The method according to claim 1, wherein the process is performed on pixels that are not repaired.
【請求項3】 前記レーザ光は、前記スイッチング素子
を前記画素と選択的かつ電気的に接続する工程の場合は
20ns乃至200nsのパルス幅を有し、前記第1の配向
膜または前記第2の配向膜を少なくとも変質させる工程
の場合は10ns以下のパルス幅を有することを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置の製造
方法。
3. The method according to claim 2, wherein the laser beam has a pulse width of 20 ns to 200 ns in a case where the switching element is selectively and electrically connected to the pixel, and the laser beam has a pulse width of 20 ns to 200 ns. 3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a pulse width of 10 ns or less is used in a step of at least altering the alignment film.
【請求項4】 第1の基板上に少なくとも第1の電極お
よび第1の配向膜を形成する工程と、 第2の基板上に少なくとも第2の電極および第2の配向
膜を形成する工程と、 前記第1の基板および前記第2の基板の間に液晶を介在
させた状態でこれらの基板をお互いに対向させつつ封止
する工程と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に電位差をもた
せ画面を表示させて検査を行なう工程と、 前記検査で検出された前記画面を構成する画素の欠陥を
生じた部分の画素にレーザ光を照射して少なくとも前記
第1の配向膜または前記第2の配向膜を変質させ前記欠
陥を生じた画素の修復をする工程とを有することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法において、 前記修復をする工程は、前記欠陥を生じた画素に対して
この画素の大きさよりも小さな照射面を持つパルス状の
レーザ光を複数の前記照射面が互いに離間するように照
射する工程と、 この照射する工程により前記照射面の配向膜をほぼ消滅
させるとともに前記照射面の周辺部にある配向膜に対し
て、前記照射面を中心にして波紋状に前記レーザ光のも
つエネルギーによって飛散物を堆積させ、この波紋状に
堆積された前記飛散物と前記消滅とによって、前記レー
ザ光の照射前よりも前記欠陥を生じた画素における光の
透過率または反射率を低減させる工程とを有することを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. A step of forming at least a first electrode and a first alignment film on a first substrate; and a step of forming at least a second electrode and a second alignment film on a second substrate. A step of sealing the first substrate and the second substrate while interposing these substrates in a state where liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate; Performing a test by displaying a screen with a potential difference therebetween, and irradiating a laser beam to a pixel of a portion where a defect of a pixel constituting the screen detected in the test has occurred, and at least the first alignment film. Or repairing the pixel having the defect by altering the second alignment film, wherein the repairing is performed on the pixel having the defect. Than the size of this pixel Irradiating a plurality of irradiation surfaces with pulsed laser light having different irradiation surfaces so that the irradiation surfaces are separated from each other; and performing the irradiation process to substantially eliminate the alignment film on the irradiation surface and to provide a peripheral portion of the irradiation surface. Scattered matter is deposited on the alignment film in the form of a ripple around the irradiation surface by the energy of the laser light, and the scattered matter deposited in a ripple and the disappearance cause the laser light to be deposited. A step of reducing the transmittance or reflectance of light in the pixel where the defect has occurred before the irradiation of the liquid crystal display.
【請求項5】 少なくとも第1の電極および第1の配向
膜が形成された第1の基板と、 少なくとも第2の電極および第2の配向膜が形成された
第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に封止されると
ともに前記第1の配向膜および前記第2の配向膜に付与
される配向性に基づき所定方向に配列される液晶と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間への電圧の印加
で生じた電位差に応じて、前記配向性に基づき前記液晶
による光の透過率または反射率が変化する複数の画素と
を有することを特徴とする液晶表示装置において、 前記複数の画素は、これらの画素に対応してこの画素の
一つあたり少なくとも二つがそれぞれ設けられているス
イッチング素子を有するのに併せて、 前記複数の画素の少なくとも一つは、レーザ光の照射に
より前記第1の配向膜または前記第2の配向膜が少なく
とも変質された部分を有することを特徴とする液晶表示
装置。
5. A first substrate on which at least a first electrode and a first alignment film are formed; a second substrate on which at least a second electrode and a second alignment film are formed; A liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate and arranged in a predetermined direction based on the orientation provided to the first alignment film and the second alignment film; And a plurality of pixels whose transmittance or reflectance of light by the liquid crystal changes based on the orientation according to a potential difference generated by application of a voltage between the second electrode and the second electrode. In the liquid crystal display device, the plurality of pixels may include at least two switching elements provided for each of the plurality of pixels corresponding to the plurality of pixels. One is the laser light The liquid crystal display device wherein the morphism first alignment film and the second alignment film is characterized by having at least altered portion.
【請求項6】 少なくとも第1の電極および第1の配向
膜が形成された第1の基板と、 少なくとも第2の電極および第2の配向膜が形成された
第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に封止されると
ともに前記第1の配向膜および前記第2の配向膜に付与
される配向性に基づき所定方向に配列される液晶と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間への電圧の印加
で生じた電位差に応じて、前記配向性に基づき前記液晶
による光の透過率または反射率が変化する複数の画素と
を有することを特徴とする液晶表示装置において、 これらの画素の大きさよりも小さな照射面を持つパルス
状のレーザ光を複数の前記照射面が互いに離間するよう
に照射されて、少なくとも二つの前記照射面の配向膜が
ほぼ消滅した部分と、 前記照射面の周辺部にある配向膜に対して、前記照射面
を中心にして波紋状に前記レーザ光のもつエネルギーに
よって飛散物が堆積した部分とを有することを特徴とす
る液晶表示装置。
6. A first substrate on which at least a first electrode and a first alignment film are formed; a second substrate on which at least a second electrode and a second alignment film are formed; A liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate and arranged in a predetermined direction based on the orientation provided to the first alignment film and the second alignment film; And a plurality of pixels whose transmittance or reflectance of light by the liquid crystal changes based on the orientation according to a potential difference generated by application of a voltage between the second electrode and the second electrode. In the liquid crystal display device, pulsed laser light having an irradiation surface smaller than the size of these pixels is irradiated so that the plurality of irradiation surfaces are separated from each other, and at least two alignment films on the irradiation surfaces. And the irradiation The liquid crystal display device with respect to the alignment layer in the peripheral portion, and having a debris was deposited moiety by energy of the laser beam around the irradiated surface ripples shaped.
【請求項7】 液晶パネルを構成する配向膜に対してレ
ーザ光を照射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されるレーザ光のもつパルス幅
を調整するレーザ光制御装置と、 前記液晶パネルが設置される載置台と、 前記液晶パネルに対して前記レーザ光を相対的に走査さ
せる走査手段とを有することを特徴とするレーザリペア
装置において、 前記レーザ光制御装置は前記レーザ光源へ励起のために
入力するエネルギーの調整により前記パルス幅を調整す
ることを特徴とするレーザリペア装置。
7. A laser light source for irradiating a laser beam to an alignment film constituting a liquid crystal panel, a laser light control device for adjusting a pulse width of a laser beam emitted from the laser light source, and the liquid crystal panel includes: A mounting table to be installed, and a scanning unit for scanning the laser light relative to the liquid crystal panel, wherein the laser light control device is configured to excite the laser light source. Wherein the pulse width is adjusted by adjusting energy input to the laser repair device.
【請求項8】 液晶パネルを構成する配向膜に対してレ
ーザ光を照射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されるレーザ光のもつパルス幅
を調整するレーザ光制御装置と、 前記液晶パネルが設置される載置台と、 前記液晶パネルに対して前記レーザ光を相対的に走査さ
せる走査手段とを有することを特徴とするレーザリペア
装置において、 前記レーザ光制御装置は前記レーザ光源を構成するQス
イッチへ開閉のために入力するエネルギーの調整により
前記パルス幅を調整することを特徴とするレーザリペア
装置。
8. A laser light source that irradiates a laser beam to an alignment film forming a liquid crystal panel, a laser light control device that adjusts a pulse width of a laser beam emitted from the laser light source, and the liquid crystal panel includes: A laser repair device comprising: a mounting table to be installed; and a scanning unit that relatively scans the laser beam with respect to the liquid crystal panel. A laser repair apparatus wherein the pulse width is adjusted by adjusting energy input to the switch for opening and closing.
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