KR100404983B1 - Method for manufacturing liquid crystal display and liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 레이저 수복장치에 관한 것으로서, 휘점결함 등의 여러가지 결함화소를 수복할 수 있는 액정표시장치의 제조방법 등을 제공하는 데에 목적이 있고, 액정표시장치의 제조방법에서 결함을 갖는 화소에 대응하여 이 화소의 하나당 적어도 두개가 각각 설치되어 있는 스위칭 소자에 대해서 화소와 접속되는 상기 스위칭 소자를 선택하여 화소와 접속하는 공정과, 결함을 갖는 화소에 레이저광을 조사하여 배향막을 적어도 변질시키는 공정을 함께 구비한 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a laser repair device, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of repairing various defective pixels such as bright spot defects, and the like. In the manufacturing method of the display device, a step of selecting the switching element connected to the pixel and connecting the pixel to the switching element in which at least two of each pixel is provided corresponding to the defective pixel, It is characterized by including the process of irradiating a laser beam at least to alter the alignment film.

Description

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치{METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of liquid crystal display device and liquid crystal display device {METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 레이저광을 조사함으로써 표면화면의 불량부분(결함화소)을 수복하여 얻어지는 액정표시장치의 제조방법, 액정표시장치 및 이 액정표시장치의 제조방법에서 사용되는 레이저 수복장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device obtained by repairing a defective portion (defective pixel) of a surface screen by irradiating laser light, a liquid crystal display device, and a laser repair device used in the method for manufacturing the liquid crystal display device.

최근, 퍼스널 컴퓨터나 워드프로세서 등에 사용되는 표시장치로서 소비전력이 적고 박형이며 또한 경량인 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)가 널리 사용되고 있다. 그 중에서도 한 예를 들면, 주로 비정질(아몰퍼스)실리콘(a-Si)박에 의한 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)를 화소에 대응시킨 스위칭 소자로서 사용하는 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 다화소로 구성해도 콘트라스트나 리스판스의 열화가 적고 중간조표시도 가능하므로 풀칼라 텔레비전이나 OA용 표시장치로서 사용되고 있다.Recently, a liquid crystal display (LCD: Liquid Crystal Display) having low power consumption, thinness, and light weight has been widely used as a display device for a personal computer, a word processor, or the like. Among them, for example, an active matrix liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT: thin film transistor) made of amorphous (amorphous) silicon (a-Si) foil as a switching element corresponding to a pixel is a polypixel. It is used as a full-color television or an OA display device because it has little deterioration in contrast and response, and halftone display is possible.

그런데, 이 TFT는 어레이 기판상에 형성되고 화소를 구성하는 화소전극에 전하를 충전·방전하여 어레이 기판과 대향기판 사이에 전위차를 발생시키고 화상의 표시를 위해 액정분자의 배열을 조정하는 것이다. 최근에는 액정표시장치의 표시부분이 대화면화 또는 고정채화됨에 따라서 화소수가 수 10만∼100만을 초과하게 되었다. 즉, 이 화소에 결함을 발생시키지 않고 표시시키도록 제조하는 것은 매우 곤란하고 어떤 원인으로 TFT를 정상적으로 구동할 수 없는, 화소전극이 정상적으로 형성되어 있지 않은, 또는 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼고 화소전극에 대하여 올바른 전압을 인가할 수 없다는 등의 불합리함에 의해 결함화소가 발생하여 정상적인 화면을 표시할 수 없다는 문제가 있었다.By the way, this TFT is formed on the array substrate and charges and discharges electric charges to the pixel electrodes constituting the pixel to generate a potential difference between the array substrate and the opposing substrate and to adjust the arrangement of liquid crystal molecules for displaying an image. In recent years, as the display portion of a liquid crystal display device has become large or fixed, the number of pixels exceeds several million to one million. In other words, it is very difficult to manufacture a display without causing defects in the pixel, and the pixel electrode is not normally formed or the foreign matter is interposed between the array substrate and the opposing substrate. There is a problem that a defective pixel is generated due to an irrationality such as not being able to apply the correct voltage to the pixel electrode, so that a normal screen cannot be displayed.

이와 같은 결함화소를 수복(修復)하기 위해 레이저광을 사용하여 배향막을 가공하여 화소의 투과율이나 반사율을 감소시키는 방법으로 결함이 없어 보이도록 수정하고 있는 방법이, 예를 들어 일본 특개소60-243635호 공보, 일본 특개평5-297387호 공보, 일본 특개평5-313167호 공보, 일본 특개평7-225381호 공보, 일본 특개평8-15660호 공보, 일본 특개평9-258155호 공보 등에 개시되어 있다(이 방법을 총칭하여 제 1 종래예로 한다).In order to repair such a defective pixel, a method in which an alignment film is processed using a laser beam to reduce the transmittance and reflectance of a pixel and is modified so that it appears to be free from defects is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-243635. Japanese Patent Laid-Open Publication No. 5-297387, Japanese Patent Laid-Open No. 5-313167, Japanese Patent Laid-Open No. 7-225381, Japanese Patent Laid-Open No. 8-15660, Japanese Patent Laid-Open No. 9-258155, etc. (This method is collectively referred to as the first conventional example).

또한, TFT의 동작을 구제하는 항장회로(예비배선)를 설치하여 직류전압을 인가하여 결함화소를 수복하는 방법도, 예를 들어 일본 특개소63-136076호 공보, 일본 특개평2-3023호 공보, 일본 특개평9-80470호 공보, 일본 특개평10-104648호 공보, 일본 특개평10-232412호 공보, 일본 특개평10-319438호 공보 등에 개시되어 있다(이 방법을 총칭하여 제 2 종래예로 한다).Further, a method of repairing a defective pixel by applying a DC voltage and applying a DC voltage for preserving the operation of the TFT is also described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-136076 and 2-3023. , Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-80470, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-104648, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-232412, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-319438, and the like. ).

그리고, 결함화소를 수복하기 위해 레이저광을 사용하여 결함부위의 게이트 전극과 드레인 전극을 반도체층이나 층간절연막을 통하여 직접 접속하여 직류전압을 인가하는 방법도 예를 들어 일본 특개평5-210111호 공보에 개시되어 있다(이 방법을 제 3 종래예로 한다).In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-210111 also discloses a method in which a gate electrode and a drain electrode of a defective portion are directly connected through a semiconductor layer or an interlayer insulating film to apply a DC voltage by using a laser beam to repair the defective pixel. (This method is referred to as a third conventional example).

그러나, 제 1 종래예에 의하면 레이저광의 조사자체가 성공할 확율은 높지만(90% 이상) 결함화소의 수복에 관한 메커니즘이 충분히 개시되어 있지 않으므로, 레이저광의 에너지를 지나치게 주어 액정표시장치를 손상시키거나 또는 수정한 화소가 동작하지 않고 검은(노멀리 화이트 모드의 경우) 상태가 되어 버려, 결함화소에서의 광의 투과율이나 반사율이 미리 설정되어 있는 제품규격을 클리어하지 않는 경우가 있었다.However, according to the first conventional example, the probability of success of the irradiation of the laser beam itself is high (90% or more), but the mechanism for repairing the defective pixel is not sufficiently disclosed, so that the energy of the laser beam is excessively applied to damage the liquid crystal display device or The modified pixel does not operate and becomes black (in the case of the normally white mode), and the product specification in which the transmittance and reflectance of the light in the defective pixel are set in advance may not be cleared.

또한, 제 2 종래예에 의하면 높은 표시품질을 확보할 수 있지만 미세한 작업이 요구되므로 레이저광의 조사자체가 성공하는 확률이 낮아진다. 그리고, TFT의 동작불량에 기인하는 결함화소의 수복에는 유효하지만, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않는 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼는 것에 기인하는 결함에는 효과적이지는 않다. 그러한 원인때문에 결함화소의 수복이 성공하는 확율은 전체적으로는 낮아(30∼50% 정도)지고 있었다.In addition, according to the second conventional example, high display quality can be ensured, but since fine work is required, the probability of success of the irradiation of the laser beam itself becomes low. This is effective for repairing defective pixels due to TFT malfunction, but not effective for defects due to TFTs or wiring not being formed normally, or for defects caused by foreign matter caught between the array substrate and the opposing substrate. . For that reason, the probability of successful repair of the defective pixel was generally low (about 30-50%).

또한, 제 3 종래예에 의하면 화소전극에 인가되는 직류전압에 의해 액정분자와 함께 존재하는 이온이 결함화소에 대응한 화소전극에 축적(accumulation)하여 액정표시장치의 수명을 단축하게 되고 있었다.Further, according to the third conventional example, the ions present with the liquid crystal molecules are accumulated in the pixel electrode corresponding to the defective pixel by the DC voltage applied to the pixel electrode, thereby shortening the lifespan of the liquid crystal display device.

본 발명은 상기의 사정에 기초하여 이루어진 것으로 그 목적으로 하는 바는 결함화소의 수복에 관한 메커니즘을 적극적으로 이용하고, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않는 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼는 것에 기인하는 결함에도 대응시키고, 결함화소에 대응한 화소전극에 대한 이온의 축적을 억제하여 얻어지는 액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 이 액정표시장치의 제조방법에 사용하는 레이저 수복장치를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above circumstances, and an object thereof is to actively use a mechanism for repairing defective pixels and between defects and array substrates and opposite substrates due to the fact that TFTs and wiring are not normally formed. Corresponding to defects caused by foreign matter trapping and suppressing the accumulation of ions in the pixel electrode corresponding to the defective pixel, the method for manufacturing a liquid crystal display device and the laser for use in the method for manufacturing the liquid crystal display device To provide a repair device.

도 1은 본 발명의 액정표시장치를 도시한 평면도,1 is a plan view showing a liquid crystal display of the present invention;

도 2는 본 발명의 액정표시장치를 도시한 도 1 중의 Y-Y′선에서의 단면도,2 is a cross-sectional view taken along the line Y-Y 'of FIG. 1 showing the liquid crystal display device of the present invention;

도 3은 본 발명의 액정표시장치의 전체를 도시한 개략 구성도,3 is a schematic configuration diagram showing an entire liquid crystal display of the present invention;

도 4a, 도 4b는 본 발명의 액정표시장치의 표시원리를 설명하는 사시도,4A and 4B are perspective views illustrating a display principle of the liquid crystal display device of the present invention;

도 5는 본 발명의 레이저 수복장치의 전체를 도시한 개략 구성도,5 is a schematic configuration diagram showing the entirety of the laser repair apparatus of the present invention;

도 6은 본 발명의 LD로의 인가전류와 레이저광의 펄스폭의 관계 및 LD로의 인가전류와 레이저광을 가진 에너지의 관계를 도시한 그래프,6 is a graph showing the relationship between the applied current to the LD of the present invention and the pulse width of the laser light, and the relationship between the applied current to the LD and the energy with the laser light;

도 7은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 레이저광의 조사상태를 도시한 단면도,7 is a cross-sectional view showing an irradiation state of laser light in the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention;

도 8은 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략을 도시한 사시도,8 is a perspective view showing an outline of the positional relationship between a laser beam and a defective pixel;

도 9는 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략을 도시한 평면도,9 is a plan view showing an outline of the positional relationship between a laser beam and a defective pixel;

도 10a는 오버랩시킨 경우에서의 레이저광의 각 조사면간의 위치관계를 도시한 상부면 확대도,10A is an enlarged top view showing the positional relationship between respective irradiation surfaces of laser light in the case of overlapping;

도 10b는 거리를 둔 경우에서의 레이저광의 각 조사면간의 위치관계를 도시한 상부면 확대도,Fig. 10B is an enlarged top view showing the positional relationship between the irradiation planes of the laser beams at a distance,

도 11a는 도 10a에서의 단위면적당의 상부면 확대도,FIG. 11A is an enlarged view of the upper surface per unit area in FIG. 10A; FIG.

도 11b는 도 10b에서의 단위면적 당의 상부면 확대도,FIG. 11B is an enlarged view of the upper surface per unit area in FIG. 10B; FIG.

도 12의 (a)는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 의한 레이저 조사를 받은 부위의 확대상부면도, (b)는 (a)의 X-X′선에서 본 단면도,12A is an enlarged top view of a portion subjected to laser irradiation by the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, (B) is a sectional view seen from the line X-X 'of (a),

도 13은 P/d와 투과율(T)의 관계를 도시한 그래프,13 is a graph showing the relationship between P / d and transmittance (T),

도 14는 P/d와 조사에너지(E)의 관계를 도시한 그래프14 is a graph showing the relationship between P / d and irradiation energy (E).

도 15는 본 발명의 액정표시장치에서의 화소전극과 메인 TFT 및 서브 TFT의 관계를 도시한 평면도,15 is a plan view showing the relationship between a pixel electrode, a main TFT and a sub TFT in the liquid crystal display device of the present invention;

도 16은 도 15의 메인 TFT와 화소전극을 연결하는 배선이 레이저광에 의해 절단된 상태를 도시한 평면도,16 is a plan view illustrating a state in which wirings connecting the main TFT and the pixel electrode of FIG. 15 are cut by laser light;

도 17은 도 15의 서브 TFT와 화소전극을 연결하는 배선이 레이저광에 의해 접속된 상태를 도시한 평면도,FIG. 17 is a plan view showing a state in which wirings connecting the sub TFTs of FIG. 15 and pixel electrodes are connected by laser light;

도 18은 도 17의 A-A′선에서 본 단면도 및18 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 17;

도 19는 도 15 내지 도 17의 일련의 공정을 도시한 플로우차트이다.FIG. 19 is a flowchart illustrating a series of processes of FIGS. 15 to 17.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1: 액정표시장치 2: 어레이 기판1: liquid crystal display device 2: array substrate

3: 대향기판 4: 제 1 배향막3: counter substrate 4: first alignment layer

5: 제 2 배향막 6: 액정5: 2nd alignment film 6: liquid crystal

7: 제 1 편광판 8: 제 2 편광판7: first polarizing plate 8: second polarizing plate

9: 유리기판 10: 신호선9: glass substrate 10: signal line

11: 주사선 12: TFT11: scanning line 12: TFT

13: 화소전극 14: 언더코트13: pixel electrode 14: undercoat

15: 비정질 실리콘막 16: 채널 보호막15: amorphous silicon film 16: channel protective film

17: n+형 수소화 비정질 실리콘막 18: 소스전극17: n + type hydrogenated amorphous silicon film 18: source electrode

19: 드레인 전극 20: 보조용량선19: drain electrode 20: storage capacitor line

21: 차광층 22: 색채부21: Shading layer 22: Color part

23: 유기보호막 24: 대향전극23: organic protective film 24: counter electrode

25: 레이저 수복장치 26: 레이저 발진기25: laser repair device 26: laser oscillator

27: 가공용 대물렌즈 28: 레이저 전원27: processing objective lens 28: laser power source

29: 배리어블 어테뉴에이터 30: 셔터29: Variable Attenuator 30: Shutter

31: 액정패널 32: XY 스테이지31: liquid crystal panel 32: XY stage

33: 미러 34: 카메라33: mirror 34: camera

35: 개구부 36: 라이트35: opening 36: light

37: 컨트롤러 38: 조사면37: controller 38: irradiation surface

39: 비산물 40: 메인 TFT39: by-product 40: main TFT

41: 서브 TFT 42: 층간절연막41: sub TFT 42: interlayer insulating film

43: 배선43: wiring

본 발명의 청구항 1에 의하면 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판간에 액정을 끼운 상태에서 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함이 발생된 부분을 수복하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 갖는 상기 화소에 대응하여 이 화소 중 하나 당 적어도 2개가 각각 기계적으로 접속되어 있는 스위칭 소자에 대해서 하나의 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 결함을 갖는 상기 화소에 상기 레이저광을 조사하여 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 적어도 변질시키는 공정을 함께 갖는 것을 특징으로 한다.According to claim 1 of the present invention, a step of forming at least a first electrode and a first alignment film on a first substrate, a step of forming at least a second electrode and a second alignment film on a second substrate, the first substrate and Sealing the substrates while the liquid crystal is sandwiched between the second substrates while facing each other; causing a potential difference between the first electrode and the second electrode to cause a screen to be displayed, and performing the inspection; A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the step of repairing a portion where a defect of a pixel constituting the screen detected by the step is generated, wherein the repairing step corresponds to the pixel having the defect. One switching element is selectively and electrically connected to the pixel with respect to a switching element in which at least two of each pixel are respectively mechanically connected. And a step of irradiating the pixel having the defect with the laser light to at least alter the first alignment film or the second alignment film.

본 발명의 청구항 2에 의하면 청구항 1에 기재된 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시키는 공정은 하나의 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정을 실시했음에도 불구하고 상기 결함이 수복되지 않는 화소를 대상으로 실시하는 것을 특징으로 한다.According to claim 2 of the present invention, in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, the step of altering the first alignment layer or the second alignment layer includes a step of selectively and electrically connecting one switching element to the pixel. Although it was implemented, it is characterized by implementing to the pixel which the said defect is not repaired.

본 발명의 청구항 3에 의하면 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 액정표시장치의 제조방법에서, 상기 레이저광은 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정의 경우에는 20ns 내지 200ns의 펄스폭을 갖고, 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 적어도 변질시키는 공정의 경우에는 10ns 이하의 펄스폭을 갖는 것을 특징으로 한다.According to the third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, the laser beam has a pulse width of 20 ns to 200 ns in a process of selectively and electrically connecting the switching element to the pixel. In the case of the step of at least altering the first alignment film or the second alignment film, it has a pulse width of 10 ns or less.

본 발명의 청구항 4에 의하면 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 끼운 상태에서 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분의 화소에 레이저광을 조사하여 적어도 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시켜 상기 결함을 발생시킨 화소를 수복하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 발생시킨 화소에 대하여 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사하는 공정과, 이 조사하는 공정에 의해 상기 조사면의 배향막을 거의 소멸시킴과 동시에 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대하여 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광을 가진 에너지에 의해 비산물을 축적시켜, 이 파문형상으로 축적된 상기 비산물과 상기 소멸에 의해 상기 레이저광의 조사전 보다도 상기 결함을 발생시킨 화소에서의 광의 투과율 또는 반사율을 감소시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.According to claim 4 of the present invention, a step of forming at least a first electrode and a first alignment film on a first substrate, a step of forming at least a second electrode and a second alignment film on a second substrate, the first substrate and Sealing the substrates while facing each other in a state where the liquid crystal is sandwiched between the second substrates, causing a potential difference between the first electrode and the second electrode to display a screen, and performing the inspection; Irradiating a laser beam to a pixel of a portion of the portion of the pixel constituting the screen detected by inspection to denature at least the first alignment layer or the second alignment layer to repair the pixel generating the defect; In the method of manufacturing a liquid crystal display device, the repairing step is smaller than the size of the pixel with respect to the pixel that caused the defect. Irradiating a pulsed laser beam having a slope so that the plurality of the irradiation surfaces are spaced apart from each other; and by the irradiating step, the alignment film of the irradiation surface is almost extinguished, Pixels scattered by the energy having the laser light in a rippled shape around the irradiated surface, and the defects are generated more than before the irradiation of the laser light by the extinction accumulated in the rippled shape and the extinction. It is characterized by having a process of reducing the transmittance or reflectance of the light at.

본 발명의 청구항 5에 의하면 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이로의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에 있어서, 상기 복수의 화소는 이 화소에 대응하여 이 화소 하나당 적어도 두개가 각각 설치되어 있는 스위칭 소자를 갖고 또한, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나는 레이저광의 조사에 의해 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막이 적어도 변질된 부분을 갖는 것을 특징으로 한다.According to claim 5 of the present invention, a first substrate having at least a first electrode and a first alignment layer formed thereon, a second substrate having at least a second electrode and a second alignment layer formed thereon, and sealed between the first substrate and the second substrate; At the same time, the liquid crystal is arranged in a predetermined direction based on the alignment imparted to the first alignment film and the second alignment film, and based on the orientation based on the potential difference generated in the application of the voltage between the first electrode and the second electrode. A liquid crystal display device comprising a plurality of pixels in which the transmittance or reflectance of light by the liquid crystal is changed, wherein the plurality of pixels have switching elements in which at least two pixels are provided in correspondence with the pixel, respectively. At least one of the plurality of pixels is less than the first alignment layer or the second alignment layer due to irradiation with laser light. Also it characterized by having the altered portion.

본 발명의 청구항 6에 의하면 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에서, 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사되어 적어도 두개의 상기 조사면의 배향막이 거의 소멸된 부분과, 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대하여 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광을 가진 에너지에 의해 비산물이 축적된 부분으로 갖는 것을 특징으로 한다.According to claim 6 of the present invention, a first substrate having at least a first electrode and a first alignment layer formed thereon, a second substrate having at least a second electrode and a second alignment layer formed thereon, and sealed between the first substrate and the second substrate; At the same time, the liquid crystals are arranged in a predetermined direction based on the orientations imparted to the first alignment layer and the second alignment layer, and based on the orientations in accordance with the potential difference generated in the application of the voltage between the first electrode and the second electrode. In a liquid crystal display device comprising a plurality of pixels in which the transmittance or reflectance of light by the liquid crystal is changed, the plurality of the irradiation surfaces are spaced apart from each other by a pulsed laser beam having an irradiation surface smaller than the size of the pixel. The portion of the at least two irradiated alignment films that have been irradiated almost disappears and the alignment films at the periphery of the irradiated surfaces. By the energy of the laser light by about the illuminated surface to stir the shape is characterized by having a non-product portion of the accumulation.

본 발명의 청구항 7에 의하면 상기 액정패널을 구성하는 배향막에 대하여 레이저광을 조사하는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치와, 상기 액정패널이 설치되는 배치대와, 상기 액정패널에 대하여 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치에 있어서, 상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원으로 여기하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 한다.According to the seventh aspect of the present invention, a laser light source for irradiating a laser light to the alignment film constituting the liquid crystal panel, a laser light control device for adjusting the pulse width of the laser light emitted from the laser light source, and the liquid crystal panel is provided And a mounting table and scanning means for relatively scanning the laser light with respect to the liquid crystal panel, wherein the laser light control device is adapted to adjust energy input to excite the laser light source. By adjusting the pulse width.

본 발명의 청구항 8에 의하면 상기 액정패널을 구성하는 배향막에 대하여 레이저광을 조사하는 레이저광원과, 상기 레이저광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치와, 상기 액정패널이 설치되는 배치대와, 상기 액정패널에 대하여 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치에 있어서, 상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원을 구성하는 Q 스위치로 개폐하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 한다.According to claim 8 of the present invention, a laser light source for irradiating laser light to the alignment film constituting the liquid crystal panel, a laser light control device for adjusting the pulse width of the laser light emitted from the laser light source, and the liquid crystal panel is provided And a mounting table and scanning means for relatively scanning the laser light with respect to the liquid crystal panel, wherein the laser light control device is configured to open and close with a Q switch constituting the laser light source. The pulse width is adjusted by adjusting the input energy.

본 발명에 의하면 결함화소의 수복에 관한 메커니즘을 적극적으로 이용하고, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않은 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 낀 것에 기인하는 결함에도 대향시키고, 결함화소에 대응한 화소전극에 대한 이온의 축적을 억제할 수 있다. 따라서, 그 결과 표시특성의 양호한 액정표시장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, a mechanism for repairing a defective pixel is actively used, and it is also possible to face defects caused by TFTs or wirings not being normally formed or defects caused by foreign matter between the array substrate and the opposing substrate. Accumulation of ions at the pixel electrode corresponding to the pixel can be suppressed. As a result, a liquid crystal display device having good display characteristics can be obtained.

이하, 본 발명에 관한 제 1 실시형태의 일례를 간략화한 도면을 참조하여 노멀리 화이트 모드에서 투과형인 액티브 매트릭스형 액정표시장치(대각 5인치)를 예로 들어 설명한다. 또한, 본 발명은 노멀리 블랙 모드나 반사형의 액정표시장치에도 적용할 수 있다.Hereinafter, with reference to a simplified drawing of an example of the first embodiment of the present invention, an active matrix liquid crystal display device (5 inches diagonal) that is transmissive in a normally white mode will be described as an example. The present invention can also be applied to a normally black mode or a reflective liquid crystal display device.

도 1은 본 실시형태에 관한 액정표시장치의 화소부의 단면도를 도시하고, 도2는 본 화소부의 상부면도를 도시한다. 또한, 도 1은 도 2의 Y-Y′선에서의 단면을 나타내고 있다. 이 액정표시장치(1)에서는 어레이 기판(2)(제 1 기판의 예)과 대향기판(3)(제 2 기판의 예)이 각각 폴리이미드로 이루어진 제 1 배향막(4) 및 제 2 배향막(5)을 끼우고 도시하지 않은 스페이서를 지주로 하여, 트위스트 네마틱형의 액정조성물(이하, 단지 액정이라고 기재)(6)을 유지하는 상태에서 도시하지 않은 시일제로 밀봉되어 있다. 이 액정(6)은 어레이 기판(2)과 대향기판(3)사이에서 그 분자가 90°비틀리도록 이루어져 있다. 또한, 어레이 기판(2)과 대향기판(3)의 외부면에는 각각 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 그 편광축이 서로 직교하는 상태(크로스 니콜의 상태)로 부착되어 있다.Fig. 1 shows a cross-sectional view of a pixel portion of a liquid crystal display device according to the present embodiment, and Fig. 2 shows a top view of this pixel portion. 1 has shown the cross section in the Y-Y 'line | wire of FIG. In the liquid crystal display device 1, the array substrate 2 (example of the first substrate) and the counter substrate 3 (example of the second substrate) are each made of a polyimide first alignment film 4 and second alignment film ( 5), the spacer (not shown) is used as the support, and is sealed with a sealing agent (not shown) in a state of holding the twisted nematic liquid crystal composition (hereinafter, simply referred to as liquid crystal) 6. The liquid crystal 6 is configured such that its molecules are twisted 90 degrees between the array substrate 2 and the counter substrate 3. Further, the first polarizing plate 7 and the second polarizing plate 8 are attached to the outer surfaces of the array substrate 2 and the counter substrate 3 in a state where their polarization axes are orthogonal to each other (cross nicol state).

또한, 액정(6)의 충전은 이 시일제에 의한 밀봉전에 액정을 어레이 기판(2) 또는 대향기판(3) 상에 적하한 후에 어레이 기판(2)과 대향기판(3)을 접착하여 실시해도 좋고 이 시일제에 의한 밀봉후에 이 밀봉으로 형성된 어레이 기판과 대향기판의 밀봉공간부의 내부로, 시일제의 주입구로부터 액정(6)을 주입 또는 진공 흡입하여 실시해도 좋다.The liquid crystal 6 may be filled by dropping the liquid crystal onto the array substrate 2 or the counter substrate 3 before sealing with the sealing agent and then bonding the array substrate 2 and the counter substrate 3 to each other. After sealing with the sealing agent, the liquid crystal 6 may be injected or vacuum sucked into the sealing space portion of the array substrate and the counter substrate formed by the sealing and injected from the sealing agent.

어레이 기판(2)에서는 투명한 유리기판(9) 상에 640×3개의 신호선(소스전극선이라고 함)(10)과 480개의 주사선(게이트 전극선이라고 함)(11)이 거의 직교하도록 배치되어 형성되어 있다. 각각의 신호선(10)과 주사선(11)의 교점 근방에는 각각 스위칭 소자인 TFT(12)를 통하여 화소전극(13)이 배치되어 있다. 또한, 이 화소전극(13)은 신호선(10)을 따라서 변이 80㎛, 그 주사선(11)을 따른 변이 60㎛로 형성되어 있다. 이와 같은 화소전극(13)이 100㎛의 피치로 가로세로로 늘어서 배치되고 액정표시장치(1)의 표시면을 형성하고 있다.In the array substrate 2, 640 × 3 signal lines (referred to as source electrode lines) 10 and 480 scan lines (referred to as gate electrode lines) 11 are arranged so as to be substantially orthogonal on the transparent glass substrate 9. . In the vicinity of the intersections of the signal lines 10 and the scanning lines 11, the pixel electrodes 13 are arranged through the TFTs 12, which are switching elements, respectively. The pixel electrode 13 is formed to have a side of 80 mu m along the signal line 10 and a side of 60 mu m along the scanning line 11. The pixel electrodes 13 are arranged side by side at a pitch of 100 μm to form the display surface of the liquid crystal display device 1.

도 3에서 LCD 유닛의 개략적인 구성을 도시한 바와 같이, 주사선과 신호선을 제어하는 것이 각각 게이트 드라이버와 소스 드라이버로 구성되는 구동부(상세하게는 도시하지 않지만, 통상은 표시면의 외부에 각각 구동 드라이버의 모듈을 접속한다)가 된다. 각 드라이버에는 신호제어부로부터의 영상신호와 동기신호 및 전원부에서는 전력이 각각 입력된다.As shown in the schematic configuration of the LCD unit in Fig. 3, the driving unit for controlling the scanning line and the signal line is composed of a gate driver and a source driver, respectively (although not shown in detail, but usually a driving driver respectively outside the display surface). Connect the module of). The video signal from the signal controller, the sync signal, and the power from the power supply unit are respectively input to each driver.

게이트 드라이버는 1프레임(60㎐)에 1번, 각 주사선을 선택하는 기능을 가진 디지털 회로로서, 주사시간(15∼40㎲)의 주기로 동작한다. 소스 드라이버는 어레이 기판(2) 상에 형성된 투명한 이방성 도전막(이하, ITO(Indium Tin Oxide)막으로 기재)으로 이루어진 화소전극(13)(제 1 전극의 예)과 대향기판(3)의 상에 동일하게 형성된 ITO막으로 이루어진 대향전극(제 2 전극의 예) 사이에 충전된 액정(6)에 대하여 전위차를 발생시켜 동작한다.The gate driver is a digital circuit having a function of selecting each scan line once per frame (60 ms), and operates at a cycle of scanning time (15 to 40 ms). The source driver is formed on the pixel electrode 13 (example of the first electrode) and the counter substrate 3 formed of a transparent anisotropic conductive film (hereinafter, referred to as an indium tin oxide (ITO) film) formed on the array substrate 2. It operates by generating a potential difference with respect to the liquid crystal 6 filled between the counter electrodes (example of the second electrode) made of the ITO film formed in the same manner.

구체적으로는 주사선에 전압을 인가시킴으로써 TFT(12)를 통하여 영상정보에 따른 전압을 인가하는 회로를 형성하고 있다. 이 때, 액정(6)에 대하여 직류전력을 계속 인가하면 표시가 열화되므로 대향전극에 대하여 교류전력을 인가하여 번갈아 반대극성의 전압을 부여한다. 이것을 반전구동이라고 하고 그에 따라서 소스 드라이버는 20∼100(㎐)라는 고주파수에서의 동작을 한다.Specifically, by applying a voltage to the scan line, a circuit for applying a voltage corresponding to the video information through the TFT 12 is formed. At this time, if direct current power is continuously applied to the liquid crystal 6, the display is deteriorated, and thus alternating voltage is applied to the counter electrode to alternately apply a voltage of opposite polarity. This is called inversion driving, and accordingly, the source driver operates at a high frequency of 20 to 100 Hz.

그런데, TFT(12)는 주사선(11) 자체를 게이트 전극으로 하고 있지만, 유리기판(9) 상에는 우선 첫번째로는 SiOX, SiNX나 또는 TEOS(Tetra Ethyl OrthoSilicate: Si[OC2H54) 등으로 구성되어 있는 언더코트(절연막)(14)와 수소를 함유하는 비정질 반도체막인 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)막(이하, 단지 반도체막으로 기재)(15)이 차례로 적층되어 형성되어 있다. 또한, 여기에서는 성막수단으로서 통상은 CVD(Chemical Vapor Deposition)가 사용된다.By the way, the TFT 12 uses the scan line 11 itself as a gate electrode, but on the glass substrate 9, first, SiO X , SiN X or TEOS (Tetra Ethyl OrthoSilicate: Si [OC 2 H 5 ] 4). And an undercoat (insulating film) 14 composed of a thin film layer) and an amorphous silicon (a-Si: H) film (hereinafter, simply referred to as a semiconductor film) 15, which is an amorphous semiconductor film containing hydrogen, is formed in this order. It is. In addition, CVD (Chemical Vapor Deposition) is usually used here as a film forming means.

본 반도체막(15)의 위에는 주사선(11)에 자기정합되고 SiNX를 사용하여 형성된 채널 보호막(16)이 배치되어 있다. 그리고, 본 반도체막(15)은 저저항 반도체막(17)으로서 배치되는 n+형 a-Si:H막 및 소스전극(18)을 통하여, 각각의 화소전극(13)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체막(15)은 n+형 a-Si:H막(저저항 반도체막)(17) 및 신호선(10)으로부터 연장된 드레인 전극(19)을 통하여 신호선(10)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다.On the semiconductor film 15, a channel protective film 16 is self-aligned with the scan line 11 and formed using SiN X. The semiconductor film 15 is electrically connected to each pixel electrode 13 through an n + type a-Si: H film and a source electrode 18 arranged as the low resistance semiconductor film 17. have. The semiconductor film 15 is also electrically connected to the signal line 10 through an n + type a-Si: H film (low resistance semiconductor film) 17 and a drain electrode 19 extending from the signal line 10. It is.

또한, 주사선(11)에 대하여 거의 평행으로, 화소전극(13)과 중복되는 영역을 갖고 배치되는 보조용량선(20)이 형성됨과 동시에 화소전극(13)과 보조용량선(20)에 의해 보조용량(Cs)이 형성되어 있다. 또한, 보조용량선(20)은 대향전극(3)과 거의 동일한 전위를 가지도록 이루어져 있다.In addition, the storage capacitor line 20 is formed substantially parallel to the scan line 11 and has a region overlapping with the pixel electrode 13, and is supported by the pixel electrode 13 and the storage capacitor line 20. The capacitance Cs is formed. In addition, the storage capacitor line 20 is configured to have almost the same potential as the counter electrode 3.

대향기판(3)과 투명한 유리기판(9)상에는, 어레이 기판(2) 상에 형성된 TFT(12) 및 신호선(10)과 화소전극(13) 사이의 간격이나 주사선(11)과 화소전극(13) 사이의 간격의 각각을 차광하기 위해, 매트릭스형상으로 서로를 적층한, Cr(크롬)과 CrO로 구성된 차광층(21)(BM:Brack Matrix)을 구비하고 있다. 이 구조는 PEP(Photo Engraving Process) 공정을 거쳐 형성되어 있다.On the counter substrate 3 and the transparent glass substrate 9, the gap between the TFT 12 and the signal line 10 and the pixel electrode 13 formed on the array substrate 2, or the scanning line 11 and the pixel electrode 13 In order to shield each of the space | intervals of ()), the light shielding layer 21 (BM: Brack Matrix) which consists of Cr (chrome) and CrO which laminated | stacked each other in matrix form is provided. This structure is formed through a PEP (Photo Engraving Process) process.

또한, 차광층(21)에서의 매트릭스형의 각 패턴내에는 표시면에서의 칼라표시를 실현하기 위해 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 삼원색으로 구성된 칼라필터에 의한 색채부(22)가 각각 설치되어 있음과 동시에, 유기보호막(23)을 통하여 투명한 ITO막으로 이루어진 대향전극(24)이 구비되어 있다. 이와 같은 노멀리 화이트 모드의 액정표시장치(1)의 동작에 대해서는 도 4a, 도 4b를 참조하여 이하에서 설명한다.Moreover, in each pattern of the matrix type in the light shielding layer 21, in order to implement color display on a display surface, the color part by the color filter comprised from three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). At the same time, the counter electrode 24 made of a transparent ITO film is provided through the organic protective film 23. The operation of the liquid crystal display device 1 in the normally white mode will be described below with reference to FIGS. 4A and 4B.

또한, 본 명세서에서는 TN모드(Twisted Nematic Mode)를 예로 들어 설명을 하지만 배향막과 액정분자를 이용한 동작원리에는 변화가 없으므로 네마틱형의 액정조성물에 대하여 카이럴 네마틱형의 액정조성물이나 카이럴 화합물을 첨가한 STN모드(Super Twisted Nematic Mode), DSTN 모드(Double Super Twisted Nematic Mode), TSTN 모드(Triple Super Twisted Nematic Mode)에 더하여 FSTN모드(Film Super Twisted Nematic Mode) 또는 카이럴 스멕틱형 액정조성물로 구성되는 강유전성 액정(FLC) 모드(Ferroelectric Liquid Crystal Mode) 등도 물론 본 발명의 대상이 된다.In addition, in the present specification, a twisted nematic mode will be described as an example, but since the operation principle using the alignment layer and the liquid crystal molecules is not changed, a chiral nematic liquid crystal composition or a chiral compound is added to the nematic liquid crystal composition. Consists of one Super Twisted Nematic Mode, Double Super Twisted Nematic Mode, Triple Super Twisted Nematic Mode, and FSTN Mode or Chiral Smectic Liquid Crystal Composition Ferroelectric Liquid Crystal Mode and the like, of course, are also subjects of the present invention.

액정(6)을 구성하는 액정분자는 각각이 극성을 갖고 있으므로 전계를 가하면 일정한 방향으로 배열된다. 액정에 의한 화면의 표시는 이 성질을 이용하고 있다. 우선, 도 4a에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 발생하는 전위차가 액정(6)이 배향을 일으키는 임계전압으로부터 0(V)까지는, 입사광은 제 1 편광판(7)에 의해 직선편광이 됨과 동시에 액정(6)을 구성하는 각각의 액정분자의 배향방향을 따라서 거의 편광축을 90°선광시키면서 제 2 편광판(5)을 통과한다.그 결과, 액정표시장치(1)의 표시화면으로 입사광이 출사되어 흰(밝은) 화소를 나타내게 된다. 이것은 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 크로스 니콜의 위치에 배치되어 있기 때문이다.Since the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal 6 each have a polarity, they are arranged in a constant direction when an electric field is applied. The display of the screen by liquid crystal uses this property. First, as shown in FIG. 4A, the incident light is the first polarizing plate 7 until the potential difference generated between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is from the threshold voltage at which the liquid crystal 6 causes alignment to 0 (V). The linear polarization is performed and the second polarizing plate 5 passes through the second polarizing plate 5 with approximately 90 degrees of polarization axis along the alignment direction of each liquid crystal molecule constituting the liquid crystal 6. As a result, the liquid crystal display device 1 Incident light is emitted to the display screen to show white (bright) pixels. This is because the first polarizing plate 7 and the second polarizing plate 8 are disposed at the cross nicol position.

이에 대하여 도 4b에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 발생하고 있는 전위차가 액정(6)이 배향을 일으키는 임계전압 보다도 큰 경우에는 각각의 액정분자는 전계를 따라서 배열되므로 입사광은 제 1 평광판(7)에 의해 직선편광됨과 동시에 액정(6)을 그대로 통과하려고 한다. 그러나, 이 액정(6)을 통과하는 직선편광은 제 2 편광판(8)이 입사광을 투과하는 것과는 90° 어긋나 있는 편광축을 가지므로 제 2 편광판(8)을 통과할 수 없다. 그 결과, 액정표시장치(1)의 표시화면으로 입사광이 출사되지 않고 검은(어두운) 화소를 나타내게 된다. 이것은 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 평행 니콜의 위치에 배치되어 있기 때문이다.In contrast, as shown in FIG. 4B, when the potential difference generated between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is larger than the threshold voltage at which the liquid crystal 6 causes alignment, each liquid crystal molecule is arranged along the electric field. Therefore, the incident light is linearly polarized by the first flat plate 7 and tries to pass through the liquid crystal 6 as it is. However, the linearly polarized light passing through the liquid crystal 6 cannot pass through the second polarizing plate 8 because the second polarizing plate 8 has a polarization axis that is shifted by 90 ° from the incident light. As a result, incident light is not emitted to the display screen of the liquid crystal display device 1, and black (dark) pixels are displayed. This is because the 1st polarizing plate 7 and the 2nd polarizing plate 8 are arrange | positioned in the position of parallel nicol.

상기가 노멀리 화이트 모드를 설명하였지만, 노멀리 블랙 모드의 경우에는 흰 화소와 검은 화소의 표시가 교체될 뿐 작용 자체에는 변화는 없다. 상술한 임계값 전압의 상하에서 모드의 차이에 의해 표시화소의 색이 교체될 뿐이다.Although the above has described the normally white mode, in the case of the normally black mode, the display of the white pixels and the black pixels is replaced, but the operation itself does not change. The color of the display pixel is only changed by the mode difference above and below the threshold voltage.

다음에, 이와 같은 노멀리 화이트 모드의 액정표시장치(1)에서는 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 도전성 이물이 제조 공정을 거치고 있는 과정에서 혼입하여 화소전극(13)과 대향전극(24)이 거의 동 전위가 되는 요인이나, 화소전극과 보조용량선(20)이 절연막(14)의 절연불량에 의해 단락되어 화소전극(13)이 대향전극(24)의 전위와 거의 동등한 보조용량선(20)에 대해서 거의 동전위가 되는 요인 등으로부터 항상 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이의 전위차가 거의 0(V)이 되는 경우가 있다. 이 경우에는 액정표시장치(1)의 표시화면에서의 투과율이 항상 높아져 휘점결함을 발생시킨다.Next, in the liquid crystal display device 1 of the normally white mode, conductive foreign matter is mixed between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 in the process of being manufactured, and thus the pixel electrode 13 and the counter electrode are mixed. Although the 24 is almost the same potential, the pixel electrode and the storage capacitor line 20 are short-circuited due to poor insulation of the insulating film 14, and the pixel electrode 13 is almost the same as the potential of the counter electrode 24. The potential difference between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 is almost always 0 (V) due to factors such as almost coincidence with respect to the capacitor line 20. In this case, the transmittance on the display screen of the liquid crystal display device 1 always increases to cause bright spot defects.

이 실시형태에서는 휘점결함이 발생한 화소를 다음과 같이 검출하고 있다. 우선 액정표시장치(1)의 신호선(10)에 대해서 소정의 어느 전압을 중심으로 하여 각 프레임 시간마다 +5(V)와 -5(V)에 극성이 반전되는 신호전압(Vsig)을 인가하여, 그와 함께 대향전극(24)에 5(V)의 대향전압(Vcom) 및 보조용량선(20)에 5(V)의 전압을 인가함으로써 각 주사선(11)에 대해서 펄스형상의 주사전압(Vg)을 차례로 공급하여 검은(어두운) 표시를 하게 한다.In this embodiment, pixels in which bright spot defects have occurred are detected as follows. First, a signal voltage V sig whose polarity is inverted is applied to the signal line 10 of the liquid crystal display device 1 at +5 (V) and -5 (V) at each frame time centered on a predetermined voltage. In addition, a pulse-shaped scan is performed on each scan line 11 by applying a counter voltage V com of 5 V to the counter electrode 24 and a voltage of 5 V to the storage capacitor line 20. The voltage (V g ) is supplied in turn to give a black (dark) mark.

그리고, 표시화면의 주변 및 중앙에 위치하는 임의의 100개의 표시화소의 표시휘도를 검출하여 그 평균값을 "기준의 검은 레벨"로서 기억한다. 그 후, 표시화면을 차례로 주사하여 이 기준의 검은 레벨에 대해서 표시되는 휘도가 30% 이상이나 큰 화소를 검출하여 그 위치를 기억해 둔다. 이 위치에 대응한 화소를 휘점 결함이 발생한 화소로서 처리한다.Then, display luminances of any one hundred display pixels located in the periphery and the center of the display screen are detected and the average value is stored as the "black level of reference". Thereafter, the display screen is sequentially scanned to detect pixels whose luminance is greater than or equal to 30% and displayed for the black level of this reference, and stores their positions. The pixel corresponding to this position is processed as a pixel in which a bright spot defect has occurred.

이와 같이 검출된 휘점결함이 발생한 화소를 레이저광의 조사에 의해 수복하는 방법을 이하에 기재한다. 우선, 도 5에서는 이 수정을 실시하는 레이저 수복장치(25)를 나타낸다. 레이저 발진기(26)에는 도시하지 않는 반도체 레이저(Laser Diode: 이하, LD로 기재)를 여기광원에 사용한 AO(acousto-optic: 음향광학)-Q스위치 동작의 Nd: YAG 레이저를 사용했다. 또한, 가공용 대물렌즈(27)로서 범용성이있는 광학현미경용 대물렌즈를 사용하기 위해, 이 레이저 발진기(26)로부터의 레이저광으로는 Nd: YAG 레이저 또는 Nd:YLF 레이저의 기본파, 제 2 고주파, 그리고 자외광인 제 3 고주파, 제 4 고주파를 사용할 수 있다. 또한, LD는 크립톤 아크 램프로 바꾸어도 상관없다.The method of repairing the pixel in which the bright spot defect detected in this way was detected by irradiation of a laser beam is described below. First, FIG. 5 shows a laser repair device 25 that performs this correction. As the laser oscillator 26, an Nd: YAG laser of an AO (acousto-optic: acoustic optical) -Q switch operation using a semiconductor laser (hereinafter referred to as LD) not shown in the excitation light source was used. In addition, in order to use a general purpose optical microscope objective lens as the processing objective lens 27, the laser beam from this laser oscillator 26 is a fundamental wave of a Nd: YAG laser or an Nd: YLF laser, and a second high frequency. And the third high frequency and the fourth high frequency which are ultraviolet light. LD may be replaced with a krypton arc lamp.

이 레이저 수복장치(25)는 본 명세서의 마지막에 설명하는 수복방법에도 대응할 수 있도록 레이저광의 펄스폭("반복 주파수×2"의 역수)을 변경할 수 있게 되어 있다. 일반적인 AO-Q 스위치 동작의 고체레이저에서는 레이저 공진기의 길이(레이저 발진기(26)를 구성하는 1조의 공진 미러간의 거리)가 일정할 때에는 여기입력(LD로의 인가전력의 크기) 및 레이저 공진기의 내부에서의 에너지 손실에 의해 이 펄스폭이 변화된다.This laser repair device 25 is capable of changing the pulse width (inverse of "repetition frequency x 2") of the laser light so as to correspond to the repair method described at the end of the present specification. In the solid state laser of general AO-Q switch operation, when the length of the laser resonator (the distance between the pair of resonant mirrors constituting the laser oscillator 26) is constant, the excitation input (the amount of applied power to the LD) and the inside of the laser resonator are This pulse width is changed by the energy loss.

즉, 이 여기입력이 작아지거나 레이저 공진기 내부에서의 에너지 손실이 커지면, 펄스폭이 커지는 것을 이용하여 레이저 공진기의 내부에서의 에너지 손실은 레이저광이 출사하는 타이밍에서의 AO-Q 스위치로의 인가전력의 크기를 변화시켜 제어할 수 있다. AO-Q 스위치로의 인가전력으로 제어하지 않는 경우에는, LD로의 인가전력의 크기를 변화시킴으로써 제어할 수 있다. 또한, 이 전력크기의 조정은 레이저 전원(28)으로부터의 공급전력의 조정에 의해 실시한다.In other words, when the excitation input becomes small or the energy loss inside the laser resonator becomes large, the energy loss inside the laser resonator is increased by applying the pulse width to the AO-Q switch at the timing at which the laser light is emitted. It can be controlled by changing the size of. In the case of not controlling the power applied to the AO-Q switch, it can be controlled by changing the magnitude of the applied power to the LD. In addition, adjustment of this electric power magnitude is performed by adjustment of the supply power from the laser power supply 28. As shown in FIG.

여기에서, 구체적으로 LD로의 인가전력의 크기를 변화시키는 경우의 예를 나타낸다. 인가전압이 일정(통상은 2∼3(V) 정도) 하에서 레이저광의 반복 주파수가 1(㎑) 이하로 하여 인가전류를 변화시킨 경우에는, LD로의 인가전류와 레이저광의 펄스폭의 관계(점선으로 나타냄) 및 LD로의 인가전류와 레이저광이 가진 에너지의관계(실선으로 나타냄)는 도 6에 도시한 바와 같다. 이 그래프의 경우에는 LD로의 인가전류가 여기입력에 상당하므로 LD로의 인가전류가 작아질 수록 펄스폭은 길어지고 또한 레이저광이 가진 에너지는 작아지고 있는 것을 알 수 있다. 즉, 레이저 공진기의 길이가 일정할 때에는 여기입력에 의존하여 레이저광의 펄스폭이 변화되는 것을 알 수 있다.Here, an example in the case where the magnitude | size of the applied electric power to LD is specifically changed is shown. When the applied current is changed with the repetition frequency of the laser beam being 1 or less at a constant applied voltage (usually about 2 to 3 (V)), the relationship between the applied current to the LD and the pulse width of the laser beam (in the dotted line) And the relationship between the applied current to LD and the energy of the laser light (indicated by the solid line) are as shown in FIG. In this graph, since the applied current to LD corresponds to the excitation input, it can be seen that as the applied current to LD becomes smaller, the pulse width becomes longer and the energy of the laser light becomes smaller. That is, when the length of the laser resonator is constant, it can be seen that the pulse width of the laser light changes depending on the excitation input.

그러나, 이와 같은 방법으로 펄스폭을 변화시킨 경우에는 레이저광이 가진 에너지도 변화되므로 최적인 에너지로 결함화소의 수복을 실시하기 위해 이 레이저 수복장치(25)에서는 배리어블 어테뉴에이터(가변광감쇄기)(29)가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 배리어블 어테뉴에이터(29)를 조절하는 것과, LD로의 인가전력의 크기 또는 AO-Q 스위치로의 인가전력의 크기를 조절하는 것의 겸용에 의해 최적인 에너지에서의 결함화소의 수복이 1대의 레이저 발진기를 사용하여 용이하게 가능해지기 때문이다.However, when the pulse width is changed in this manner, the energy of the laser light is also changed, so that the laser repair device 25 is equipped with a variable attenuator (variable light attenuator) in order to repair the defective pixel with the optimal energy. It is preferable that 29 is provided. By adjusting the variable attenuator 29 and controlling the magnitude of the applied power to the LD or the magnitude of the applied power to the AO-Q switch, the repair of the defective pixel at the optimal energy is performed by one laser. This is because the oscillator is easily used.

그밖의 레이저 수복장치(25)의 구성에는 배리어블 어테뉴에이터(29)를 거쳐 온 레이저광의 ON/OFF를 실시하는 셔터(30)와, 결함화소를 가진 액정패널(외장이 끝나 있지 않은 액정표시장치의 표시패널)(31)을 설치하여 레이저광과 액정패널(31)을 상대적으로 주사시키는 수단의 하나로서의 XY 스테이지(32)와, XY 스테이지(32)에 레이저광을 인도하는 미러(33)와, 결함화소로 레이저광을 집광하여 조사시키는 가공용 대물렌즈(27)와, 결함화소의 수복상황을 촬상하는 카메라(34)와, XY 스테이지(32)에 설치된 개구부(35)를 통하여 액정패널(31)에 조명을 실시하는 라이트(36)가 있다. 또한, 레이저 전원(28)으로부터 LD로 공급하는 인가전력과, AO-Q 스위치로 공급하는 인가전력과, 셔터(30)의 개폐와, 배리어블 어테뉴에이터(29)의 광감쇄율과, XY 테이블(32)의 동작을 제어하는 컨트롤러(37)를 갖는다.The other laser repair device 25 includes a shutter 30 for turning on / off the laser light that has passed through the barrier attenuator 29, and a liquid crystal panel having a defective pixel. Display panel) 31 and XY stage 32 as one means for relatively scanning the laser light and the liquid crystal panel 31, the mirror 33 for guiding the laser light to the XY stage 32; The liquid crystal panel 31 through the objective objective 27 for collecting and irradiating the laser beam with the defective pixel, the camera 34 for imaging the repair situation of the defective pixel, and the opening 35 provided in the XY stage 32. There is a light 36 for illuminating). In addition, the applied power supplied from the laser power supply 28 to the LD, the applied power supplied to the AO-Q switch, opening and closing of the shutter 30, the light attenuation rate of the variable attenuator 29, and the XY table ( It has a controller 37 for controlling the operation of the 32.

여기에서, 이 레이저 수복장치(25)에 의해 실시되는 결함화소의 수복에 대해서 설명한다. 또한, 여기에서 말하는 「결함화소의 수복」이라는 것은 지금까지 설명한 투과율을 기준으로 하는 경우에는 650(lx)의 백 라이트를 어레이 기판(2)의 이면에 배치하여 비추고, 이하의 설명에 있는 가장 심한 정도의 휘점결함을 갖는 화소의 투과율을 100%로 했을 때, 레이저광에 의한 처리의 후에서는 20% 이하로 감소하는 것을 가리키는 것으로 한다. 예를 들어 가장 과혹한 휘점결함은 화소전극(13)과 보조용량선(20)이 단락되어, 화소전극(13)과 대향전극(24)의 전위차가 거의 0(V)이 된 경우이다. 이 경우에는 액정(6)에 관한 상술한 임계값 전압보다 높은 전압차가 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 인가되었을 때에도 정상적인 화소의 투과율과 동일하게 거의 100%의 투과율을 갖는다.Here, the repair of the defective pixel performed by this laser repair apparatus 25 will be described. In addition, the term "repair of a defective pixel" referred to herein refers to a backlight of 650 (l x ) arranged on the back surface of the array substrate 2 when the transmittance described above is used as a reference, When the transmittance of a pixel having a severe degree of bright point defect is 100%, it is assumed that the decrease is 20% or less after the treatment with the laser light. For example, the most severe point defect is a case where the pixel electrode 13 and the storage capacitor line 20 are short-circuited and the potential difference between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24 becomes almost 0 (V). In this case, even when a voltage difference higher than the above-described threshold voltage with respect to the liquid crystal 6 is applied between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24, it has a transmittance of almost 100% similar to that of a normal pixel.

그런데, 도 7에 도시한 바와 같이 레이저광은 여기에서는 제 2 배향막(5)으로부터 입사하여 액정(6) 중에서 집광점을 연결도록 조사하는 것이 바람직하다. 어레이 기판(2) 또는 대향기판(3) 상에 집광점이 위치하도록 이루어져 있지 않은 것은 화소전극(13) 또는 대향전극(24) 자체나 제 1 배향막(4) 또는 제 2 배향막(5)에 대해서 강한 에너지가 입사되어 해를 주는 것을 방지하기 위함이다. 또한, 물론 제 1 배향막(4)으로부터 레이저광을 동일하게 입사시켜도 좋다.By the way, as shown in FIG. 7, it is preferable to irradiate a laser beam so that it may inject from the 2nd alignment film 5 here, and may connect a light converging point in the liquid crystal 6. The light converging point is not disposed on the array substrate 2 or the counter substrate 3 so as to be strong against the pixel electrode 13 or the counter electrode 24 itself or the first alignment film 4 or the second alignment film 5. This is to prevent energy from entering and causing harm. Further, of course, the laser beam may be incident from the first alignment film 4 in the same manner.

레이저 발진기(26)로부터 출사되는(Nd:YAG) 레이저광은 파장이 1.06(㎛)이고 결함화소상의 레이저 스포트의 직경(레이저광의 조사면의 직경)이 2.5(㎛)의 상태에서 조사한다. 이 때, 반복 주파수는 100(㎐)에서 결함화소에서의 주사속도는 1(㎜/s)로 함과 동시에 조사하는 레이저광의 출력은 2(μJ/pulse)로 하고 있다. 이 주사에서의 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략은 도 8에 도시한 바와 같이 이루어져 있고, 레이저광이 결함화소의 내부를 가로세로로 되풀이하면서 주사한다.The laser light emitted from the laser oscillator 26 (Nd: YAG) is irradiated with a wavelength of 1.06 (占 퐉) and a diameter of the laser spot on the defective pixel (diameter of the irradiation surface of the laser light) of 2.5 (占 퐉). At this time, the repetition frequency is 100 (kHz), the scanning speed at the defective pixel is 1 (mm / s), and the output of the laser light to be irradiated is 2 (μJ / pulse). The outline of the positional relationship between the laser beam and the defective pixel in this scanning is made as shown in Fig. 8, and the laser beam scans the inside of the defective pixel while repeating the image in the vertical direction.

더욱 상세하게 도시하면 도 9와 같이 된다. 주사선(11)의 길이방향을 따라서 결함을 발생시키고 있는 화소전극(13)의 한단부(예를 들어 도면 중의 a 지점)으로부터 타단부(예를 들어 동 도면중의 b지점)까지를 화소전극(13)의 단변에 병행하여 주사하고, 이 타단부에서 주사의 방향을 동 도면에서의 위쪽을 향하여 되풀이하여(예를 들어 동 도면중의 c지점까지) 차례로 주사한다. 여기에서, 주사의 개시지점인 상기 한단부(a지점)는 차광층(21)에 의해 정해져 있는 개구부(광투과부)의 단부로부터의 거리(L)가 적어도 7㎛는 떨어져 있는 것이 바람직하다. 너무 이 거리(L)가 작으면 후술하는 레이저광의 조사에 의해 발생하는 비산물이 정상적인 표시를 하고 있는 화소전극(13)에까지도 비산하여, 새로운 표시불량을 일으킬 우려가 있기 때문이다.More specifically, as shown in FIG. 9. From one end (for example, point a in the figure) of the pixel electrode 13 that is causing defects along the longitudinal direction of the scanning line 11, the other end (for example, point b in the figure) is connected to the pixel electrode ( Scanning is performed in parallel with the short side of 13), and the scanning direction is repeatedly repeated at the other end toward the upper side in the drawing (for example, to point c in the drawing). Here, it is preferable that the said one end part (a point) which is the start point of a scanning has the distance L from the edge part of the opening part (light transmission part) defined by the light shielding layer 21 at least 7 micrometers apart. This is because if the distance L is too small, the fly-bye generated by the laser light described later scatters even to the pixel electrode 13 displaying the normal display, causing a new display defect.

여기에서 도 9의 확대도를 도 10a, 도 10b에 도시한 레이저광의 조사에서의 특징을 설명한다. 도 10a는 이전에 실시되고 있던 레이저 조사면을 오버랩시키면서 주사하는 수법이고, 도 10b는 이번에 실시한 레이저 조사면을 이산적으로 주사하는 수법이다. 또한, 도 9 및 도 10b에서 「d」는 레이저광의 조사면의 직경을 나타내고 「P」는 개개의 조사면의 중심간 거리(피치)를 나타내고 있다. 이 피치는 주사속도 또는 반복 주파수를 변경함으로써 변화시킬 수 있다.Here, the characteristic in the irradiation of the laser beam shown to FIG. 10A and FIG. 10B to the enlarged view of FIG. 9 is demonstrated. FIG. 10A is a method of scanning while overlapping a laser irradiation surface that has been previously performed, and FIG. 10B is a method of scanning discretely the laser irradiation surface. In addition, in FIG.9 and FIG.10B, "d" has shown the diameter of the irradiation surface of a laser beam, and "P" has shown the distance (pitch) between the centers of each irradiation surface. This pitch can be changed by changing the scanning speed or repetition frequency.

여기에서 도 10a에서 실시되고 있던 오버랩율을 갖는 주사의 방법과, 도 10b에서 실시한 이산적인 주사의 수법에서 레이저광의 조사면의 직경이 동일하다는 전제조건하에 입력 에너지에 대해서 생각해본다. 또한, 도 11a에는 50%의 오버랩이 있는 경우의 단위면적당의 조사면을 나타내고, 도 11b에는 P/d=2에서 이산적인 경우와 동일하게 단위면적당의 조사면을 도시하고 있다. 쌍방의 도면 모두 조사면이 형성되는 단위면적은 파선으로 둘러싸인 부분으로 한다.Here, the input energy will be considered under the precondition that the diameter of the irradiation surface of the laser beam is the same in the scanning method having the overlap ratio performed in FIG. 10A and the discrete scanning method performed in FIG. 10B. 11A shows the irradiated surface per unit area when there is 50% overlap, and FIG. 11B shows the irradiated surface per unit area in the same manner as in the discrete case at P / d = 2. In both drawings, the unit area where the irradiation surface is formed is a part surrounded by a broken line.

도 11a의 경우 레이저광의 조사횟수가 많으므로 한 화소당에서 30초 정도의 처리시간이 걸리고 있었다. 그리고, 조사하는 레이저광의 출력은 0.5(μJ/pulse)였다. 그에 대해서 도 11b의 경우, 레이저광의 조사횟수가 적으므로 한 화소당에서 3초 정도의 처리시간으로 가능하다. 그리고, 조사하는 레이저광의 출력은 2(μJ/pulse)였다. 이 2개의 수법에 관한 데이터를 비교해 보면, 조사시간과 1펄스 당의 에너지의 곱은 크게 다르다는 것을 알 수 있다.In the case of Fig. 11A, since the number of irradiation of the laser light is large, a processing time of about 30 seconds was taken per pixel. And the output of the laser beam to irradiate was 0.5 (microJ / pulse). On the other hand, in the case of Fig. 11B, since the number of irradiation of the laser light is small, it is possible to have a processing time of about 3 seconds per pixel. And the output of the laser beam to irradiate was 2 (microJ / pulse). Comparing the data for these two methods, it can be seen that the product of the irradiation time and the energy per pulse is significantly different.

즉, 도 11a의 경우에는 개개의 조사면을 합계하면 단위면적 당에서 8회의 조사를 받는 것이 되므로, 단위면적당의 조사에너지는 0.5×8=4(μJ/pulse)가 된다. 이에 반하여 도 11b의 경우에는 4회의 조사를 받고 있지만 P/d=2의 이산적인 상태이므로 사선부분 밖에 조사가 없다. 따라서, 단위면적당 0.25회의 조사를 받고 있는 것이 되므로 단위면적당의 조사에너지는 2×4×0.25=2(μJ/pulse)이 된다. 즉, 단위면적당의 조사에너지의 총량이 도 11a의 경우의 1/2이 되고 있다.That is, in the case of FIG. 11A, when the total irradiation surfaces are combined, eight irradiations are received per unit area, and the irradiation energy per unit area is 0.5 × 8 = 4 (μJ / pulse). On the contrary, in the case of FIG. 11B, four investigations are performed, but since there is a discrete state of P / d = 2, only the diagonal line has investigation. Therefore, the irradiation energy per unit area becomes 2 × 4 × 0.25 = 2 (μJ / pulse) since the irradiation is carried out 0.25 times per unit area. That is, the total amount of irradiation energy per unit area is 1/2 of the case of FIG. 11A.

이 결과, 1펄스당의 조사에너지는 커도 도 11b와 같이 이산하여 조사하는 방법에서는 조사에너지의 총량은 적은 것을 알 수 있다. 조사시간이 적고 조사에너지의 총계가 적은 것은 어레이 기판(2)이나 대향기판(3)의 해를 고려하면 효과적인 것이다. 또한, 1회의 조사당의 에너지가 크고 조사횟수도 적으므로 가공 마진을 ±10% 정도로 여유를 가져올 수 있다.As a result, even if the irradiation energy per pulse is large, it can be seen that the total amount of irradiation energy is small in the method of discrete irradiation as shown in Fig. 11B. The short irradiation time and the small amount of irradiation energy are effective considering the solution of the array substrate 2 or the counter substrate 3. In addition, since the energy per one irradiation is large and the number of irradiation times is small, a margin of processing of about 10% can be obtained.

그와는 반대로 도 11a와 같이 오버랩하여 조사하는 방법에서는 1회당의 조사에너지가 작고 조사횟수도 많으므로 가공 마진을 ±5% 정도로 좁게 할 수밖에 없다. 오버랩하면 단위면적당의 조사에너지가 커지고, 레이저 발진기(26)의 출력변동에 의해 약간 에너지가 높아져도 색채부(22) 등의 구조물이 열에너지에 의한 해를 받아 새로운 결함을 발생시키는 원인이 된다.On the contrary, in the method of overlapping irradiation as shown in Fig. 11A, since the irradiation energy per one is small and the number of irradiation is large, the machining margin is inevitably narrowed by ± 5%. When overlapping, the irradiation energy per unit area increases, and even if the energy is slightly increased due to the output variation of the laser oscillator 26, structures such as the color portion 22 are damaged by thermal energy and cause new defects.

그리고, 이 오버랩하는 방법에서는 조사에너지에 의해 액정(6)이 가열되어 액정(6)이 기화하여 다수의 기포를 발생시키는 경우도 있다. 또한, 불규칙하게 발생하는 기포에 의해 레이저광의 조사면의 위치나 크기가 변화되고, 이 기포에 의해 액정(6)이 배제된 어레이 기판(2)이나 대향기판(3)의 표면에서는 직접적으로 레이저광의 열 에너지를 주어 해가 커지므로 새로운 결함을 발생시키는 원인이 된다.In this overlapping method, the liquid crystal 6 may be heated by the irradiation energy to vaporize the liquid crystal 6 to generate a large number of bubbles. In addition, irregularly generated bubbles change the position and size of the irradiation surface of the laser light, and on the surface of the array substrate 2 or the counter substrate 3 from which the liquid crystal 6 is removed by the bubbles, the laser light is directly irradiated. The solution gives rise to thermal energy, which causes new defects.

제 1 배향막(4)과 제 2 배향막(5)은 두께가 수 10(㎚)의 폴리이미드막을 러빙처리하여 얻지만, 제조공정에서 이 막두께의 편차상태는 화상의 표시품질에 영향을 주지 않는 정도(±10%)의 범위에서 관리되고 있다. 결함화소의 수복에서 이 ±10%의 막두께의 편차(즉, 외란)에 기인하여 수복이 양호한 부위와 불량한 부위가 발생하고, 동일한 조건에서 처리해도 투과율이 충분한 감소를 도모할 수 있는 경우(수복의 재현성이 불충분한 경우)가 생긴다.Although the first alignment film 4 and the second alignment film 5 are obtained by rubbing a polyimide film having a thickness of several tens (nm), the variation of the thickness in the manufacturing process does not affect the display quality of the image. It is managed in the range of accuracy (± 10%). In the repair of defective pixels, due to the deviation (i.e. disturbance) of the film thickness of ± 10%, a good repair site and a poor repair site occur, and a sufficient transmittance can be achieved even if treated under the same conditions (repair) In case of insufficient reproducibility).

이 외란을 허용할 수 있는 정도로 레이저 조사의 에너지에 대해서 가공마진이 큰 경우에는, 동일한 조건에서 처리해도 수복의 재현성은 충분히 얻을 수 있다. 상술한 바와 같이 본 발명의 이산하여 조사하는 방식에 의하면 가공마진을 ±10%로 하는 것이 가능해지고 오버랩하여 조사하는 방식 보다도 가공 마진을 크게 할 수 있는 것이다.When the processing margin is large with respect to the energy of laser irradiation to such an extent that this disturbance can be tolerated, the reproducibility of a restoration can fully be obtained even if it processes on the same conditions. As described above, according to the discretely irradiated method of the present invention, the machining margin can be set to ± 10%, and the machining margin can be larger than the overlapped irradiated method.

실제로는 오버랩율 50%의 경우에서의 적정한 수복조건은 레이저 스폿직경이 2.5(㎛), 주사속도가 1(㎜/s), 반복주파수가 1(㎑), 조사에너지가 0.50∼0.55(μJ/pulse)였지만, 가공마진이 ±5%로 낮으므로 결함화소의 수복의 성공확률은 70%에 그치고 있었다.In practice, the proper repair conditions for 50% overlap rate include a laser spot diameter of 2.5 μm, a scanning speed of 1 mm / s, a repetition frequency of 1 μm, and an irradiation energy of 0.50 to 0.55 μJ /. pulse), but the machining margin was low (± 5%), so the probability of successful repair of a defective pixel was only 70%.

그에 대하여 P/d=2인 경우에서의 적정한 수복조건은 레이저 스폿 직경이 2.5(㎛), 주사속도가 1(㎜/s), 반복 주파수가 100(㎐), 조사에너지가 1.0∼2.0(μJ/pulse)이고 가공마진이 ±10%로 높으므로 결함화소의 수복에 관한 성공의 확률은 100%가 되었다.On the other hand, suitable repair conditions in the case of P / d = 2 include a laser spot diameter of 2.5 (µm), a scanning speed of 1 (mm / s), a repetition frequency of 100 (Hz), and an irradiation energy of 1.0 to 2.0 (µJ). / pulse) and a high machining margin of ± 10%, the probability of success in repairing defective pixels is 100%.

다음에, 이 이산하여 레이저를 조사하는 방법에서 결함화소가 수복되는 이유를 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12의 (a)는 레이저 조사를 받은 부위의 확대 평면도이고 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 X-X′선에서 본 단면도이다. 도 12의 (a)에서 알 수 있는 바와 같이 레이저광의 조사면(38)을 중심으로 하여 그 주변부에 파문형상으로 "불투명함"이 발생하고 있다. 이 "불투명함"은 제 1 종래예에서는 어떤 시사도 보이지 않고, 이 불투명함(제 1 종래예에서 개시되어 있지 않은 메커니즘)을 이용하여 결함화소의 수복을 실시하는 것이 본 발명의 특징이 되고 있는 것이다.Next, the reason why the defective pixel is repaired in this discrete and laser irradiation method will be described with reference to FIG. FIG. 12A is an enlarged plan view of a portion subjected to laser irradiation, and FIG. 12B is a sectional view seen from the line X-X 'of FIG. As can be seen from FIG. 12 (a), "opacity" is generated in a rippled shape around the irradiation surface 38 of the laser light. This "opacity" does not show any suggestion in the first conventional example, and it is a feature of the present invention to perform repair of a defective pixel using this opacity (mechanism not disclosed in the first conventional example). will be.

도 12의 (b)에서 알 수 있는 바와 같이, 레이저광의 조사면(38)에서는 조사에너지에 의해 제 1 배향막(4)이 도려내어져 ITO막으로 구성되는 화소전극(13)까지 도달하고, 특히 어레이 기판(2)측으로부터 레이저광을 입사한 경우에는 주변의 색채부(22)까지도 도달하여 제 1 배향막(4)이 거의 소멸한 부분을 형성한다. 그리고, 폴리이미드 ITO나 염료의 미세한 고화물이나 변질된 액정의 고화물 등으로 이루어진 비산물(39)이 레이저광의 조사면(38)의 둘레("불투명함"에 대응한 위치)에 도 12의 (a)에 도시한 바와 같은 레이저광의 조사면(38)을 중심으로 파문형상으로 비산하고 제 1 배향막(4)의 표면에 형성되어 있는 미세한 러빙홈(도시하지 않음)을 메운다. 따라서, 액정(6)의 호몰로지(homology)가 변화되므로, 매크로적으로 보면 제 1 배향막(4)이 변질된 부분을 형성하여 이 불투명함이 발생하는 것으로 생각된다.As can be seen in FIG. 12B, the first alignment film 4 is cut out by the irradiation energy from the irradiation surface 38 of the laser beam to reach the pixel electrode 13 composed of the ITO film, in particular, the array. When the laser beam is incident from the substrate 2 side, the peripheral color portion 22 is also reached to form a portion where the first alignment layer 4 almost disappears. And the fly-product 39 which consists of polyimide ITO, the fine solidified substance of dye, the solidified substance of the deteriorated liquid crystal, etc. is shown in FIG. 12 around the periphery (position corresponding to "opacity") of the irradiation surface 38 of a laser beam. A fine rubbing groove (not shown) formed on the surface of the first alignment film 4 is filled in a rippled shape around the irradiated surface 38 of the laser beam as shown in (a). Therefore, since the homology of the liquid crystal 6 changes, it is thought that this opacity occurs because the first alignment film 4 forms a deteriorated portion when viewed in a macroscopic manner.

결과적으로 비산물(39)에 의해 러빙홈이 메워져 있으므로 액정(6)을 구성하는 각각의 액정분자는 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 인가된 전압에서 발생하는 전계를 따라서 배열할 수 없게 된다. 그리고, 액정(6)이 배향할 수 없게 되어 있으므로(배향성이 저하되어 있으므로), 액정(6)을 통하는 광의 통과나 반사가 방해를 받아 결함화소가 된다.As a result, the rubbing grooves are filled by the scatterings 39, so that each liquid crystal molecule constituting the liquid crystal 6 is arranged along the electric field generated at the voltage applied between the pixel electrode 13 and the counter electrode 24. It becomes impossible. And since the liquid crystal 6 cannot orientate (because orientation is falling), the passage and reflection of the light through the liquid crystal 6 are disturbed, and it becomes a defective pixel.

즉, 도 10a와 같은 오버랩하는 방법에서는 주사면에서 모든 배향막, ITO막이나 색채부까지 깎고 있던 것에 더하여, 1펄스당의 조사에너지가 작으므로 상기 "불투명함"도 형성되지 않았다. 그러나, 이번의 방법에 의하면 그것까지도 깎는 것은 레이저광의 조사면(38)만으로 좋고, 그 밖의 영역은 비산물(39)로 액정분자의 배향이 저해되는 것으로, 결함화소의 수정(여기에서는 투과율의 감소)를 실현하고 있으므로 액정패널(31)의 전체에서는 해가 적다.That is, in the overlapping method as shown in Fig. 10A, in addition to cutting all the alignment film, the ITO film, and the color portion from the scanning surface, the above-mentioned "opacity" was not formed because the irradiation energy per pulse was small. However, according to this method, only the irradiation surface 38 of the laser beam can be shaved even up to that point, and the other regions are scattered by the scattering 39, whereby the alignment of the liquid crystal molecules is inhibited. ), The solution is less in the entire liquid crystal panel 31.

또한, 이 오버랩하는 방법에서는 85℃의 건조한 환경하에서 동작시키면 투과율의 상승이 확인되었다. 이에 대하여 이번의 방법에서는 투과율의 변동은 거의 없었다. 이것은 이번의 방법에서는 비산물(39)에서 러빙홈이 메워지고 있고, 레이저 조사에 의해 상승한 온도가 하강한 후에도 배향의 부활이 일어나기 어려워지기 때문이라고 생각된다.In this overlapping method, an increase in transmittance was confirmed when operating in a dry environment at 85 ° C. In contrast, in this method, there was little variation in transmittance. It is considered that this method is because rubbing grooves are filled in the fly-by-product 39, and resurrection of orientation is unlikely to occur even after the temperature raised by laser irradiation falls.

도 13에는 P/d와 투과율(T)의 관계를 도시하고 도 14에는 P/d와 조사에너지(E)의 관계를 도시한다. 마진도 고려하여 사선으로 둘러싸인 부분에서 각각의 값은 추이하고 있지만, 도 13에 의하면 P/d가 2∼3일 때에 투과율이 최저에 이르는 것을 알 수 있고, 도 14에서도 P/d가 2∼3일 때 조사에너지를 최대로 할 수 있는 것을 알 수 있다. 이 결과 P/d가 2∼3일 때 최적의 조건에서 결함화소의 수복을 실현할 수 있는 것을 알 수 있다.FIG. 13 shows the relationship between P / d and transmittance T, and FIG. 14 shows the relationship between P / d and irradiation energy E. FIG. In consideration of the margins, the values are changed in the area surrounded by the diagonal lines. However, according to FIG. 13, it can be seen that the transmittance reaches the minimum when P / d is 2 to 3, and in FIG. 14, the P / d is 2-3. It can be seen that when the irradiation energy can be maximized. As a result, it can be seen that when the P / d is 2 to 3, repair of the defective pixel can be realized under optimum conditions.

상술한 이산하여 레이저광을 조사하여 표시면에 형성한 "불투명함"을 이용하여 결함화소의 수복을 실시하는 방법은, 원리적으로 배향막을 갖고 있는 표시장치에는 적용이 가능하므로 이 방법의 적용의 대상은 설명에서 든 스위칭 소자로서 TFT를 사용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치에 한정되지 않는다. 예를 들어 MIM(Metal Inslator Metal)을 사용해도 좋고 스위칭 소자를 사용하지 않는 단순 매트릭스형의 액정표시장치이어도 좋다. 또한, 플라즈마 어드레스형의 액정표시장치(PALC: Plasma Address Liquid Crystal)이어도 좋다.The method of repairing a defective pixel using the "opacity" formed on the display surface by irradiating the laser light as described above can be applied to a display device having an alignment film in principle. The object is not limited to the active matrix liquid crystal display device using TFT as the switching element mentioned in the description. For example, MIM (Metal Inslator Metal) may be used, or a simple matrix liquid crystal display device using no switching element may be used. Also, a plasma address liquid crystal (PALC) may be used.

또한, 휘점결함을 갖는 화소를 예로 들어 설명했지만 다른 결함모드에 대해서도 본 수법은 효과적이다. 예를 들어 정전파괴에 의한 스위칭 소자의 이상 동작이나 층간절연막의 파손에 의한 전극이나 배선의 쇼트, 그리고 화소전극의 결함이나 배향이상등이다.In addition, although the pixel with a bright point defect was demonstrated as an example, this method is effective also about another defect mode. For example, abnormal operation of a switching element due to electrostatic breakdown, short circuit of an electrode or wiring due to breakage of an interlayer insulating film, and defect or orientation abnormality of a pixel electrode.

다음에 지금까지 설명한 이산적으로 레이저광을 조사하여 결함화소의 수복을 실시하는 방법에 더하여 또 하나의 수복을 실시하는 방법을 이하에 기재한다. 이 방법은 소위 제 1 종래예와 제 2 종래예를 겸비한 방법이라고도 할 수 있는데, 개개의 종래예에서는 상호 방법에서 결함화소수정의 누락을 보완하는 사상이 개시되어 있지는 않다. 또한, 이 방법은 도 5에 도시한 펄스폭이 가변인 레이저 수복장치(25)를 사용하여 실시하는 것이 바람직하다.Next, a method of performing another repair in addition to the method of repairing a defective pixel by irradiating the laser light discretely described so far will be described below. This method can also be referred to as a method combining both the first conventional example and the second conventional example, but the idea of compensating for the omission of the defect pixel correction in each of the conventional examples is not disclosed. In addition, it is preferable to perform this method using the laser repair apparatus 25 with a variable pulse width shown in FIG.

도 15로부터 도 18에 도시한 바와 같이 여기에서 설명하는 방법에서는 제 2 종래예와 동일하게 하나의 화소전극(13)에 대응하여 각각 2개(복수)의 TFT(스위칭 소자)가 설치되어 있다. 도 15에 도시한 바와 같이 한쪽은 화소전극(13)에 배선으로 기계적이고 전기적으로 접속되어 있는 메인 TFT(40)이고 다른쪽은 화소전극(13)과는 기계적으로 접속되지 않고 전기적으로는 접속되지 않은(층간절연막(41)으로 절연되어 있는 주사선(11)으로부터 연장된 배선(43)에 기계적으로는 접하고 있다) 서브 TFT(42)이다. 우선, 상술한 화소결함의 검출을 거쳐 결함이 발생한 화소를 검출한다.As shown in Figs. 15 to 18, in the method described here, two TFTs (switching elements) are provided respectively corresponding to one pixel electrode 13 in the same manner as in the second conventional example. As shown in Fig. 15, one side is the main TFT 40 which is mechanically and electrically connected to the pixel electrode 13 by wiring, and the other side is not mechanically connected to the pixel electrode 13 but electrically connected thereto. The sub TFT 42 (which is in mechanical contact with the wiring 43 extending from the scanning line 11 insulated by the interlayer insulating film 41). First, the pixel which a defect generate | occur | produces through detection of the pixel defect mentioned above.

다음에 화소결함이 발생하고 있는 부분을 특정할 수 있으면 도 16에 도시한 바와 같이 우선 메인 TFT(40)의 동작불량으로 발생한 결함화소에 대해서 메인TFT(40)와 주사선(11)을 연결하는 배선(43)을 레이저 수복장치(25)에서 사용하는 레이저광에 의해 절단한다. 이 때의 레이저광의 펄스폭은 배선을 용융절단하기 위해 10(ns) 이하로 짧게 설정되어 있고 펄스 레이저광을 조사하여 절단되어 있다.Next, if a portion where pixel defects occur can be identified, as shown in FIG. 16, first, the wiring connecting the main TFT 40 and the scanning line 11 to the defective pixels caused by the malfunction of the main TFT 40 is performed. The 43 is cut by the laser beam used in the laser repair apparatus 25. The pulse width of the laser light at this time is set short to 10 (ns) or less in order to melt cut the wiring, and is cut by irradiating the pulsed laser light.

다음에, 도 17에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 접속하는 서브 TFT(42)를 선택하고 메인 TFT(40)로부터 층간절연막(41)에 의해 전기적으로 잘라 내어진 화소전극(13)과 서브 TFT(42)를 레이저 수복장치(25)로부터의 레이저광을 조사하여 선택적이고 전기적으로 접속한다. 구체적으로는 도 18에 도 17의 A-A′선에서의 단면도로서 도시한 바와 같이 층간 절연막(41)을 통하여 화소전극(13)과 서브 TFT(42)의 전극을 레이저광으로 용융 접속한다. 그 때문에, 여기에서도 레이저광의 펄스폭은 10(ns) 이하로 짧게 설정되어 있고, 펄스 레이저광을 조사하여 양자를 접속하고 있다.Next, as shown in FIG. 17, the sub-TFT 42 connected to the pixel electrode 13 is selected, and the pixel electrode 13 electrically cut out from the main TFT 40 by the interlayer insulating film 41; The sub TFT 42 is irradiated with laser light from the laser repair device 25 to be selectively and electrically connected. Specifically, the pixel electrode 13 and the electrode of the sub TFT 42 are fusion-connected with a laser beam through the interlayer insulating film 41 as shown in FIG. 18 as a cross sectional view along the line A-A 'of FIG. For this reason, the pulse width of the laser light is set to 10 (ns) or shorter here, and both of them are irradiated with the pulsed laser light.

이 처리에 의해 화소결함이 수복된 것에 대해서는 화소는 정상적인 동작을 실시하지만 TFT의 동작불량에 의한 요인이 아닌 화소결함에 대해서는 수복할 수 없고, 레이저광에 의한 가공정밀도의 편차도 있으므로, 이 방법만으로는 화소결함 전체의 30∼50% 정도밖에 수복할 수 없다.The pixel performs normal operation for repairing pixel defects by this process, but it is not possible to repair pixel defects that are not caused by TFT malfunction, and there is a variation in processing accuracy due to laser light. Only about 30 to 50% of the total defects can be repaired.

그래서 이 서브 TFT(42)로의 교체부착을 실시한 후에 다시 화소결함을 검사하여 만약 화소결함이 인정된 경우에는, 예를 들어 상기에서 설명한 이산적으로 레이저광을 조사하는 방법에서 제 1 종래예에 도시한 바와 같이 배향막의 흐트러짐을 이용한 결함화소의 수복도 실시하는 것이다. 이 일련의 공정을 도 19에 플로우차트로 나타낸다(서브 TFT(42)로의 연결변경은 항장회로로의 연결변경의 일종이다).Therefore, after the replacement and attachment to the sub-TFT 42 is performed, the pixel defect is checked again. If the pixel defect is recognized, for example, the method shown in the first conventional example in the method of irradiating laser light discretely as described above is shown. As described above, the repair of the defective pixel using the disturbance of the alignment film is also performed. This series of steps is shown in a flowchart in FIG. 19 (the change of the connection to the sub TFT 42 is a kind of the change of the connection to the saving circuit).

또한, 이 처리의 경우에는 레이저 수복장치(25)에서 사용되는 레이저광의 펄스폭은 20∼200(ns)로 하고 있다. 물론, 제 1 종래예 대신 상기에서 설명한 레이저광을 이산적으로 조사하여 "불투명함"을 형성하여 결함화소의 수복을 실시해도 좋다.In this process, the pulse width of the laser beam used in the laser repair apparatus 25 is set to 20 to 200 ns. Of course, instead of the first conventional example, the laser light described above may be irradiated discretely to form "opacity" to repair the defective pixel.

또한, 스위칭 소자로서 TFT를 사용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치를 예로 들어 설명했지만, 그 대신 MIM형의 액정표시장치로 해도 좋다.In addition, although the active matrix type liquid crystal display device using TFT was demonstrated as an example as a switching element, you may make it the MIM type liquid crystal display device instead.

본 발명에 의하면 액정패널에 가해지는 열적인 해를 억제한 결함화소의 수정을 달성할 수 있다. 또한, 스위칭 소자의 동작불량을 비롯한 여러가지 결함모드에도 적절하게 대응하여 결함화소를 수정할 수 있다. 즉, 본 발명에 의하면 결함화소의 양호한 수복이 달성된 액정표시장치의 제조가 가능해진다. 또한, 이와 같은 수복에 제공하는 레이저 수복장치의 제공도 가능해진다.According to the present invention, it is possible to achieve correction of a defective pixel which suppresses thermal damage to the liquid crystal panel. Further, the defective pixel can be corrected appropriately in response to various defect modes including a malfunction of the switching element. That is, according to the present invention, it becomes possible to manufacture a liquid crystal display device in which good repair of defective pixels is achieved. In addition, it is also possible to provide a laser repair apparatus for such repair.

Claims (10)

액정표시장치의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of the liquid crystal display device, 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과,Forming at least a first electrode and a first alignment layer on the first substrate, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과,Forming at least a second electrode and a second alignment layer on the second substrate; 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 개재(介在)시킨 상태에서 이들 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과,Sealing the substrates while facing each other in a state where liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하므로 결함이 발생한 화소를 검출하는 공정과,Detecting a pixel in which a defect occurs because a screen is displayed by causing a potential difference between the first electrode and the second electrode; 결함이 발생한 화소에 대응하는 스위칭 소자와 주사선을 묶는 배선에 펄스 레이저광을 조사하여, 상기 배선을 절단하는 공정과,Irradiating a pulse laser beam to the wiring connecting the switching element and the scanning line corresponding to the defective pixel, and cutting the wiring; 상기 배선을 절단한 후에, 상기 결함이 발생한 화소를 재검사하는 공정과,Re-inspecting the pixel in which the defect occurred after cutting the wiring; 상기 재검사에 의해서도 아직 화소의 결함이 인식되는 경우는, 상기 결함을 갖는 상기 화소의 크기보다도 작은 조사면을 갖는 펄스 형상의 복수의 레이저광을 상기 제 1 배향막 및 제 2 배향막 중 어느 하나의 배향막에 대하여 서로 거리를 두도록 조사하여, 상기 레이저광의 조사전보다도 상기 결함을 발생한 화소에서의 광의 투과율을 저감시키는 공정을If the pixel defect is still recognized by the re-inspection, a plurality of pulse-shaped laser beams having an irradiation surface smaller than the size of the pixel having the defect are applied to any one of the first alignment film and the second alignment film. Irradiating each other at a distance from each other so as to reduce the transmittance of light in the pixel where the defect is generated than before the laser light is irradiated. 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 삭제delete 삭제delete 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 개재(介在)시킨 상태로 이들 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분의 화소에 레이저광을 조사하여 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막 중 적어도 어느 하나의 배향막을 변질시켜 상기 결함을 발생시킨 화소를 수복(修復)하는 공정을 구비하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,Forming at least a first electrode and a first alignment layer on the first substrate, forming at least a second electrode and a second alignment layer on the second substrate, and a liquid crystal between the first substrate and the second substrate Sealing the substrates while facing each other with the interposed therebetween; causing a potential difference between the first electrode and the second electrode to cause a screen to be displayed, and performing the inspection; By irradiating a laser beam to a pixel of a portion where a defect of a pixel constituting the screen is generated, at least one of the first alignment film and the second alignment film is deteriorated to repair the pixel that has generated the defect. In the manufacturing method of the liquid crystal display device provided with the process of 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 발생시킨 화소의 상기 제1 배향막 및 상기 제 2 배향막 중 어느 하나의 배향막에 대해서 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스 형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 이간(離間)하도록 조사하는 공정과,The repairing step includes a plurality of the irradiation surfaces of the laser-shaped laser light having an irradiation surface smaller than the size of the pixel with respect to any one of the first alignment film and the second alignment film of the pixel that caused the defect. A step of investigating the separation from each other, 상기 조사 공정에 의해 상기 조사면의 배향막을 소멸시킴과 동시에 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대해서 상기 조사면을 중심으로 하여 파문 형상으로 상기 레이저광이 가지는 에너지에 의해 비산물을 축적시키고, 상기 파문 형상으로 축적(accumulation)된 상기 비산물과 상기 소멸에 의해 상기 레이저광의 조사전 보다도 상기 결함을 발생시킨 화소에서의 광의 투과율을 감소시키는 공정을By the irradiation step, the alignment film of the irradiation surface is extinguished, and scattered products are accumulated by the energy of the laser light in a rippled shape around the irradiation surface with respect to the alignment film on the periphery of the irradiation surface. A step of reducing the transmittance of light in the pixel which caused the defect than before the laser light is irradiated by the scattered product accumulated in the ripple shape and the extinction. 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Method for manufacturing a liquid crystal display device characterized in that it comprises. 삭제delete 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정 방향으로 배열되는 액정과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이로의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 및 반사율 중 적어도 어느 하나가 변화되는 복수의 화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에 있어서,A first substrate having at least a first electrode and a first alignment film formed thereon, a second substrate having at least a second electrode and a second alignment film formed thereon, and being sealed between the first substrate and the second substrate, the first alignment film and the Transmittance and reflectance of the light by the liquid crystal based on the orientation according to the liquid crystal arranged in a predetermined direction based on the orientation imparted to the second alignment film and the potential difference generated in the application of the voltage between the first electrode and the second electrode. A liquid crystal display device comprising: a plurality of pixels at which any one of them is changed; 상기 제 1 배향막 및 제 2 배향막 중 적어도 어느 하나의 배향막은 상기 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사되어 적어도 2개의 상기 조사면의 배향막이 소멸된 부분과,At least one of the alignment layers of the first alignment layer and the second alignment layer is irradiated with a pulsed laser beam having an irradiation surface smaller than the size of the pixel such that the plurality of the irradiation surfaces are spaced apart from each other so that at least two of the irradiation surfaces The portion where the alignment film has disappeared, 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대해서 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광이 가진 에너지에 의해 비산물이 축적된 부분을With respect to the alignment film on the periphery of the irradiated surface, the portion of the scattered product accumulated by the energy of the laser light in a rippled shape around the irradiated surface. 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A liquid crystal display device, characterized in that provided. 삭제delete 삭제delete 액정표시장치의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of the liquid crystal display device, 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과,Forming at least a first electrode and a first alignment layer on the first substrate, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과,Forming at least a second electrode and a second alignment layer on the second substrate; 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 개재(介在)시킨 상태에서 이들 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과,Sealing the substrates while facing each other in a state where liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하므로 결함이 발생한 화소를 검출하는 공정과,Detecting a pixel in which a defect occurs because a screen is displayed by causing a potential difference between the first electrode and the second electrode; 결함이 발생한 화소에 대응하는 스위칭 소자와 주사선을 묶는 배선에 펄스 레이저광을 조사하여, 상기 배선을 절단하는 공정과,Irradiating a pulse laser beam to the wiring connecting the switching element and the scanning line corresponding to the defective pixel, and cutting the wiring; 상기 배선을 절단한 후에, 상기 결함이 발생한 화소를 재검사하는 공정과,Re-inspecting the pixel in which the defect occurred after cutting the wiring; 상기 재검사에 의해서도 아직 화소의 결함이 인식되는 경우는, 상기 결함을 갖는 상기 화소의 크기보다도 작은 조사면을 갖는 펄스 형상의 복수의 레이저광을 상기 제 1 배향막 및 제 2 배향막 중 어느 하나의 배향막에 대하여 서로 거리를 두도록 조사하여, 상기 레이저광의 조사전보다도 상기 결함을 발생한 화소에서의 광의 반사율을 저감시키는 공정을If the pixel defect is still recognized by the re-inspection, a plurality of pulse-shaped laser beams having an irradiation surface smaller than the size of the pixel having the defect are applied to any one of the first alignment film and the second alignment film. Irradiating each other at a distance from each other so as to reduce the reflectance of light in the pixel in which the defect is generated, rather than before the laser light is irradiated. 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 개재(介在)시킨 상태로 이들 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분의 화소에 레이저광을 조사하여 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막 중 적어도 어느 하나의 배향막을 변질시켜 상기 결함을 발생시킨 화소를 수복(修復)하는 공정을 구비하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,Forming at least a first electrode and a first alignment layer on the first substrate, forming at least a second electrode and a second alignment layer on the second substrate, and a liquid crystal between the first substrate and the second substrate Sealing the substrates while facing each other with the interposed therebetween; causing a potential difference between the first electrode and the second electrode to cause a screen to be displayed, and performing the inspection; By irradiating a laser beam to a pixel of a portion where a defect of a pixel constituting the screen is generated, at least one of the first alignment film and the second alignment film is deteriorated to repair the pixel that has generated the defect. In the manufacturing method of the liquid crystal display device provided with the process of 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 발생시킨 화소의 상기 제1 배향막 및 상기 제 2 배향막 중 어느 하나의 배향막에 대해서 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스 형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 이간(離間)하도록 조사하는 공정과,The repairing step includes a plurality of the irradiation surfaces of the laser-shaped laser light having an irradiation surface smaller than the size of the pixel with respect to any one of the first alignment film and the second alignment film of the pixel that caused the defect. A step of investigating the separation from each other, 상기 조사 공정에 의해 상기 조사면의 배향막을 소멸시킴과 동시에 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대해서 상기 조사면을 중심으로 하여 파문 형상으로 상기 레이저광이 가지는 에너지에 의해 비산물을 축적시키고, 상기 파문 형상으로 축적(accumulation)된 상기 비산물과 상기 소멸에 의해 상기 레이저광의 조사전 보다도 상기 결함을 발생시킨 화소에서의 광의 반사율을 감소시키는 공정을By the irradiation step, the alignment film of the irradiation surface is extinguished, and scattered products are accumulated by the energy of the laser light in a rippled shape around the irradiation surface with respect to the alignment film on the periphery of the irradiation surface. Reducing the reflectance of light in the pixel which caused the defect than before irradiating the laser light by the scattering and the extinction accumulated in the ripple shape 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Method for manufacturing a liquid crystal display device characterized in that it comprises.
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