JP2005173499A - Liquid crystal display and its manufacturing method - Google Patents

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泰幸 松尾
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display in which a display defect can be corrected so as to obtain higher display quality than a liquid crystal display corrected by a conventional defect correcting method, and to provide a method for manufacturing the display (defect correcting method). <P>SOLUTION: The liquid crystal display comprises: an active matrix substrate 50 on which pixel electrodes 6 and TFTs 5 connected to the pixel electrodes 6 are arranged in a matrix; a counter substrate opposing to the active matrix substrate 50; and a liquid crystal layer held between the substrates; wherein a pixel is defined corresponding to each pixel electrode 6. A conductive layer 14 is disposed on the active matrix substrate 50 and functions as a defect correcting means to electrically connect the pixel electrode 6 of each pixel to the TFT 5 in the next pixel adjacent in one direction to the pixel electrode 6 so that when a pixel is a defective pixel, the defective pixel can be corrected. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、欠陥画素の欠陥修正方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a defect correcting method for defective pixels.

アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、画像の最小単位である画素毎に薄膜トランジスタ(以下、TFTと略する)等のスイッチング素子を有しており、個々の画素を確実に点灯することができるため、例えば、パーソナルコンピュータや壁掛けテレビ等のディスプレイとして広く利用されている。   An active matrix liquid crystal display device has a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) for each pixel, which is the minimum unit of an image, and can individually light each pixel. For example, it is widely used as a display for personal computers and wall-mounted televisions.

一般的な液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配設したアクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板と、それら両基板に挟持された液晶層とから構成されている。   A general liquid crystal display device includes an active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate having a common electrode, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates.

図7は、一般的な液晶表示装置のアクティブマトリクス基板30の平面模式図であり、図8は、その液晶表示装置の等価回路図である。   FIG. 7 is a schematic plan view of an active matrix substrate 30 of a general liquid crystal display device, and FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device.

このアクティブマトリクス基板30では、絶縁基板上に複数のゲート線1と複数のソース線2とが互いに直交するように配設され、そのゲート線1とソース線2との各交差部にはTFT5が、各ゲート線1の間にはゲート線1と並行に容量線4が、それぞれ設けられている。さらに、画素電極6が各TFT5に対応して一対のゲート線1及びソース線2に囲われた領域に設けられている。   In this active matrix substrate 30, a plurality of gate lines 1 and a plurality of source lines 2 are arranged on an insulating substrate so as to be orthogonal to each other, and a TFT 5 is provided at each intersection of the gate line 1 and the source line 2. The capacitor lines 4 are provided between the gate lines 1 in parallel with the gate lines 1. Further, the pixel electrode 6 is provided in a region surrounded by the pair of gate lines 1 and source lines 2 corresponding to each TFT 5.

TFT5は、ゲート線1の突出部であるゲート電極1aと、ソース線2の突出部であるソース電極2aと、ソース電極2aに対峙するように設けられたドレイン電極3とから構成されている。   The TFT 5 includes a gate electrode 1a that is a protruding portion of the gate line 1, a source electrode 2a that is a protruding portion of the source line 2, and a drain electrode 3 provided so as to face the source electrode 2a.

ドレイン電極3は、コンタクトホール6aを介して画素電極6に接続されており、その容量線4と重なる部分が容量電極となっている。そして、その容量電極は、絶縁膜を介して容量線4と共に補助容量を構成している。   The drain electrode 3 is connected to the pixel electrode 6 through a contact hole 6a, and a portion overlapping the capacitor line 4 is a capacitor electrode. The capacitor electrode constitutes an auxiliary capacitor together with the capacitor line 4 via the insulating film.

この液晶表示装置において、画像を表示する際には、所定のゲート線1からゲート信号を送り、そのゲート線1に接続されているTFT5をオン状態にし、同時に、ソース線2からソース信号を送り、ソース電極2a及びドレイン電極3を介して、画素電極6に所定の電荷を書き込むことにより、画素電極6と共通電極11との間で電位差が生じ、液晶層70からなる液晶容量70a及び補助容量20に所定の電圧が印加される。そして、その印加電圧によって液晶層70を構成する液晶分子の配向状態を変えることにより、外部から入射する光の透過率を調整して画像が表示される。   In this liquid crystal display device, when an image is displayed, a gate signal is sent from a predetermined gate line 1, the TFT 5 connected to the gate line 1 is turned on, and at the same time, a source signal is sent from the source line 2. By writing a predetermined charge to the pixel electrode 6 through the source electrode 2a and the drain electrode 3, a potential difference is generated between the pixel electrode 6 and the common electrode 11, and the liquid crystal capacitor 70a and the auxiliary capacitor made of the liquid crystal layer 70 are generated. A predetermined voltage is applied to 20. Then, by changing the alignment state of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 70 by the applied voltage, the transmittance of light incident from the outside is adjusted, and an image is displayed.

ところで、このような構成の液晶表示装置では、近年、画素の開口率を向上させるために、ゲート線、ソース線及び容量線に低抵抗材料を用いてその線の幅を細くしたり、TFTの膜質改善によりTFT特性を向上させ、TFTサイズを縮小化する傾向が強くなっている。このようなゲート線、ソース線、容量線及びTFTの微細化が進むと、液晶表示装置の製造工程におけるダスト、成膜条件等により、各配線の断線及び短絡、TFT特性不良等を生じる可能性が高くなる。このような問題を含んだ液晶表示装置は、点灯検査において例えば点状や線状の欠陥として検出される。通常、液晶表示装置では一定数以下の点状の欠陥は許容されるが、欠陥数が多くなるとその液晶表示装置は不良品となってしまう。   By the way, in a liquid crystal display device having such a configuration, in recent years, in order to improve the aperture ratio of a pixel, a low resistance material is used for a gate line, a source line, and a capacitor line, and the line width is reduced. There is a strong tendency to improve TFT characteristics and improve TFT size by improving film quality. If such gate lines, source lines, capacitor lines, and TFTs are miniaturized, disconnection and short-circuiting of each wiring, TFT characteristic defects, etc. may occur due to dust, film forming conditions, etc. in the manufacturing process of the liquid crystal display device. Becomes higher. A liquid crystal display device including such a problem is detected as, for example, a dot-like or linear defect in a lighting inspection. Normally, a liquid crystal display device allows a certain number of point-like defects, but if the number of defects increases, the liquid crystal display device becomes defective.

そこで、このような点状欠陥を修正する技術が従来から提案されており、液晶表示装置の製造において、実用化されている。   Thus, techniques for correcting such point defects have been proposed in the past and have been put into practical use in the production of liquid crystal display devices.

例えば、特許文献1では、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板に、予め、画素電極とソース線との重なり部分にリペア領域を設けておき、画素のいずれかが欠陥画素である場合には、その欠陥画素に対応するリペア領域にレーザ照射を行うことにより画素電極とソース線とを短絡し、TFTを介さず画素電極をソース線からのソース信号で直接駆動する修正技術が開示されている。これにより、欠陥画素を輝点から黒点に変えることができる。   For example, in Patent Document 1, a repair region is provided in an overlapping portion of a pixel electrode and a source line in advance in an active matrix substrate that constitutes a liquid crystal display device, and when any of the pixels is a defective pixel, A correction technique is disclosed in which the repair region corresponding to the defective pixel is irradiated with laser to short-circuit the pixel electrode and the source line, and the pixel electrode is directly driven by the source signal from the source line without passing through the TFT. Thereby, a defective pixel can be changed from a bright spot to a black spot.

また、図9の平面模式図及び図10の等価回路図に示すように、TFT5にTFT短絡欠陥部21が存在して、画素が欠陥画素である場合には、その欠陥画素に対応するTFT5のドレイン電極3のドレイン電極切断部22にレーザ照射を行うことによりドレイン電極3を切断すると共に、画素電極6と容量線4との重なり部分にレーザ照射を行うことによりコンタクトホール26を形成して、画素電極6と容量線4とを短絡し、TFT5を介さずに画素電極6を容量線4からの容量信号で直接駆動する修正技術も知られている。
特開平11−305260号公報
Further, as shown in the schematic plan view of FIG. 9 and the equivalent circuit diagram of FIG. 10, when the TFT short-circuit defect 21 exists in the TFT 5 and the pixel is a defective pixel, the TFT 5 corresponding to the defective pixel The drain electrode 3 is cut by irradiating the drain electrode cutting portion 22 of the drain electrode 3 with laser, and the contact hole 26 is formed by irradiating the overlapping portion of the pixel electrode 6 and the capacitor line 4 with laser. There is also known a correction technique in which the pixel electrode 6 and the capacitor line 4 are short-circuited, and the pixel electrode 6 is directly driven by a capacitor signal from the capacitor line 4 without using the TFT 5.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-305260

しかしながら、このような従来の液晶表示装置の欠陥画素の修正では、レーザ照射を行うことにより、単に、輝点欠陥を黒点化するだけであり、画面表示上、常に黒点が存在することになる。   However, in the correction of defective pixels in such a conventional liquid crystal display device, by performing laser irradiation, the bright spot defects are simply turned into black spots, and black spots always exist on the screen display.

しかも、液晶表示装置が大型テレビ等に利用され、無欠陥の液晶表示装置が求められている今日では、このような輝点を黒点化する欠陥修正方法は、輝点欠陥が目立たなくなるものの、欠陥画素が常に黒点として視認できるため、適切な方法ではない。   Moreover, today, when a liquid crystal display device is used for a large-sized television or the like, and a defect-free liquid crystal display device is required, such a defect correction method for blackening a bright spot is a defect, although the bright spot defect becomes inconspicuous. This is not an appropriate method because the pixel can always be viewed as a black spot.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥画素の修正が可能な液晶表示装置及びその製造方法(欠陥修正方法)を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to correct defective pixels so that the display quality is higher than that of a liquid crystal display device corrected by a conventional defect correction method. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same (defect correcting method).

本発明の液晶表示装置は、画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板には、上記画素のいずれかが欠陥画素であるときに、その欠陥画素を修正できるように、各画素の画素電極とそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子とを電気的に接続可能にする欠陥修正手段が設けられていることを特徴とする。   The liquid crystal display device of the present invention includes an active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, and a space between the two substrates. A liquid crystal layer sandwiched between, and a pixel is defined corresponding to each pixel electrode, wherein any one of the pixels is a defective pixel on the active matrix substrate In order to correct the defective pixel, there is provided defect correcting means for enabling electrical connection between a pixel electrode of each pixel and a switching element of an adjacent pixel adjacent in any direction. To do.

上記の構成によれば、欠陥修正手段が設けられているので、欠陥画素を修正する際には、欠陥画素の画素電極とそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子とを電気的に接続して欠陥修正手段を機能させることにより、画素欠陥を修正することができる。ここで、欠陥画素は、欠陥修正手段を機能させることにより、その画素電極が隣接画素のスイッチング素子によって駆動されるので、隣接画素と同様に表示される。そのため、その修正された画素は、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥画素の修正が可能である。   According to the above configuration, since the defect correcting means is provided, when correcting the defective pixel, the pixel electrode of the defective pixel and the switching element of the adjacent pixel adjacent in either direction are electrically connected. The pixel defect can be corrected by connecting and causing the defect correcting means to function. Here, the defective pixel is displayed in the same manner as the adjacent pixel because the pixel electrode is driven by the switching element of the adjacent pixel by causing the defect correcting means to function. Therefore, the corrected pixel is not always a black dot display as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display. Thereby, the defective pixel can be corrected so that the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

本発明の液晶表示装置は、上記欠陥修正手段は、相互に隣接する一対の画素のスイッチング素子に絶縁膜を介して重なるように設けられ、該絶縁膜にコンタクトホールを形成して両スイッチング素子を電気的に接続することで、一方の画素の画素電極を他方の画素のスイッチング素子に電気的に接続可能とする導電層で構成されていてもよい。   In the liquid crystal display device of the present invention, the defect correcting means is provided so as to overlap a switching element of a pair of adjacent pixels via an insulating film, and a contact hole is formed in the insulating film so that both switching elements are provided. The pixel electrode of one pixel may be configured by a conductive layer that can be electrically connected to the switching element of the other pixel by being electrically connected.

上記の構成によれば、欠陥画素を修正する際には、欠陥画素のスイッチング素子及び導電層を介して隣接する隣接画素のスイッチング素子と導電層との重なり部分にレーザ照射等を行うことにより、その重なり部分の絶縁膜にコンタクトホールを形成して、欠陥画素の画素電極を隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続することができる。そのため、欠陥画素は、その画素電極が隣接画素のスイッチング素子によって駆動されるので、隣接画素と同様に表示される。そして、その修正された画素は、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥画素の修正が可能である。   According to the above configuration, when correcting a defective pixel, laser irradiation or the like is performed on the overlapping portion between the switching element of the adjacent pixel and the conductive layer via the switching element of the defective pixel and the conductive layer. A contact hole can be formed in the overlapping insulating film so that the pixel electrode of the defective pixel can be electrically connected to the switching element of the adjacent pixel. Therefore, the defective pixel is displayed in the same manner as the adjacent pixel because the pixel electrode is driven by the switching element of the adjacent pixel. The corrected pixel is not always displayed as a black dot as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display. Thereby, the defective pixel can be corrected so that the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

本発明の液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板、又は、対向基板には、各画素に対応して、所定の色の着色層が配設したカラーフィルタ層が設けられており、上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素には、同一色の着色層が配設されていてもよい。   In the liquid crystal display device of the present invention, the active matrix substrate or the counter substrate is provided with a color filter layer provided with a colored layer of a predetermined color corresponding to each pixel, and the defect correcting means A pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the above may be provided with colored layers of the same color.

上記の構成によれば、欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素には、同一色の着色層が配設されていると共に、欠陥画素に対応する画素電極が隣接画素のスイッチング素子によって駆動されることになるので、その欠陥画素の表示は隣接画素の表示と全く同一となる。これにより、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥画素の修正が可能である。   According to the above configuration, the pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means are provided with the same colored layer, and the pixel electrodes corresponding to the defective pixels are switched between adjacent pixels. Since it is driven by the element, the display of the defective pixel is exactly the same as the display of the adjacent pixel. Thereby, the defective pixel can be corrected so that the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

具体的には、カラーフィルタ層は、一般に各画素に対応して、赤、緑及び青の着色層が配設しており、例えば、欠陥画素と欠陥修正手段を介して隣接する隣接画素とに、緑と赤との着色層がそれぞれ配設している場合、画面全面が赤表示のときには、欠陥画素は輝点となり、また、画面全面が緑表示のときには、表示欠陥に対応する画素は黒点となり、さらに、画面全面が青表示のときには、表示欠陥に対応する画素は正常となる。従って、欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応する着色層が同一色でないと、欠陥画素が黒点欠陥又は輝点欠陥となってしまうことになる。   Specifically, the color filter layer is generally provided with red, green, and blue colored layers corresponding to each pixel. For example, the color filter layer includes a defective pixel and an adjacent pixel that is adjacent via a defect correcting unit. When the green and red colored layers are provided, the defective pixel is a bright spot when the entire screen is displayed in red, and the pixel corresponding to the display defect is a black dot when the entire screen is displayed in green. Further, when the entire screen is displayed in blue, the pixel corresponding to the display defect is normal. Therefore, if the colored layers corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means are not the same color, the defective pixels will be black spot defects or bright spot defects.

しかしながら、上記のように、欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応する着色層が同一色の着色層であれば、その一対の画素は、常に、同一色の表示となり、欠陥画素が正常な画素に近い表示になる。   However, as described above, if the colored layers corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means are the same color layers, the pair of pixels always display the same color. The defective pixel is displayed close to a normal pixel.

本発明の液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板には、上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応してそれらの隣接方向と交差する方向に延びるように形成された一対の容量線が設けられており、該一対の容量線が電気的に接続されていてもよい。   The liquid crystal display device of the present invention is formed on the active matrix substrate so as to extend in a direction crossing the adjacent direction corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means. A pair of capacitance lines may be provided, and the pair of capacitance lines may be electrically connected.

上記の構成によれば、一対の容量線が電気的に接続されているので、一対の容量線のうちの一方が断線しても、他方の容量線をその冗長配線とすることができる。そのため、断線した一方の容量線に帰属する補助容量を正常に機能させることが可能になる。これにより、本発明の液晶表示装置は、一対の容量線のうちの一方が断線しても、補助容量が正常に機能するため、印加電圧の低下を抑制することができるので、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高いものとなる。   According to the above configuration, since the pair of capacitor lines are electrically connected, even if one of the pair of capacitor lines is disconnected, the other capacitor line can be used as the redundant wiring. For this reason, it is possible to cause the auxiliary capacitance belonging to one disconnected capacitance line to function normally. As a result, the liquid crystal display device of the present invention can suppress a decrease in applied voltage because the auxiliary capacitor functions normally even if one of the pair of capacitor lines is disconnected. The display quality is higher than that of the liquid crystal display device modified by the method.

本発明の液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板には、上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応して上記容量線の延びる方向に交差する方向に延びるように形成されたソース線が上記スイッチング素子と同一層に設けられており、該ソース線と上記一対の画素の少なくとも一方のスイッチング素子とが該容量線上で該容量線の延びる方向に間隔をおいて配置されていてもよい。   The liquid crystal display device of the present invention is formed on the active matrix substrate so as to extend in a direction crossing the extending direction of the capacitance line corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means. The source line is provided in the same layer as the switching element, and the source line and at least one switching element of the pair of pixels are arranged on the capacitor line with an interval in the extending direction of the capacitor line. It may be.

上記の構成によれば、ソース線がスイッチング素子と同一層に設けられており、ソース線と欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素の少なくとも一方のスイッチング素子とが容量線上で容量線の延びる方向に間隔をおいて配置されているので、容量線上でソース線とスイッチング素子とが短絡する恐れがある。   According to the above configuration, the source line is provided in the same layer as the switching element, and the source line and at least one switching element of a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means are on the capacitance line. Since the capacitor lines are arranged at intervals in the extending direction, the source line and the switching element may be short-circuited on the capacitor line.

ソース線とスイッチング素子と間で短絡欠陥が発生した場合、この短絡欠陥に起因する欠陥画素を修正するために、ソース線とスイッチング素子との短絡欠陥の部分に、レーザ照射を行う際に、ソース線及びスイッチング素子が配置された容量線を損傷又は断線させてしまう恐れがあるが、本発明の液晶表示装置では、容量線が一対であり、その一対の容量線が電気的に接続されているので、一対の容量線のうちの一方が断線しても、他方の容量線をその冗長配線とすることができる。そのため、断線した一方の容量線に帰属する補助容量を正常に機能させることが可能になる。これにより、本発明の液晶表示装置は、欠陥画素の修正の際に、一対の容量線のうちの一方が断線しても、補助容量が正常に機能するため、印加電圧の低下を抑制することができるので、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高いものとなる。   When a short-circuit defect occurs between the source line and the switching element, when correcting the defective pixel due to the short-circuit defect, when the laser irradiation is performed on the part of the short-circuit defect between the source line and the switching element, the source In the liquid crystal display device of the present invention, there is a pair of capacitor lines, and the pair of capacitor lines are electrically connected. Therefore, even if one of the pair of capacitor lines is disconnected, the other capacitor line can be used as the redundant wiring. For this reason, it is possible to cause the auxiliary capacitance belonging to one disconnected capacitance line to function normally. As a result, the liquid crystal display device of the present invention suppresses a decrease in applied voltage because the auxiliary capacitor functions normally even when one of the pair of capacitor lines is disconnected when correcting a defective pixel. Therefore, the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

本発明の液晶表示装置は、画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置であって、上記画素のいずれかは、欠陥画素であって、その画素電極がそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続されて欠陥修正されていることを特徴とする。   The liquid crystal display device of the present invention includes an active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, and a space between the two substrates. A liquid crystal layer sandwiched between, and a pixel is defined corresponding to each pixel electrode, wherein any one of the pixels is a defective pixel, and the pixel electrode The defect is corrected by being electrically connected to a switching element of an adjacent pixel adjacent in the direction.

上記の構成によれば、欠陥画素の画素電極がそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続されて欠陥修正されているので、欠陥画素は、その画素電極が隣接画素のスイッチング素子によって駆動され、隣接画素と同様に表示される。そのため、その修正された画素は、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高いものとなる。   According to the above configuration, since the pixel electrode of the defective pixel is electrically connected to the switching element of the adjacent pixel adjacent in either direction and the defect is corrected, the pixel electrode of the defective pixel is the adjacent pixel. It is driven by the switching element and is displayed in the same manner as the adjacent pixel. Therefore, the corrected pixel is not always a black dot display as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display. Thereby, the display quality becomes higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

本発明の液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板には、上記画素及び隣接画素に対応して、それらの隣接方向と交差する方向に延びるように形成され、互いに電気的に接続された一対の容量線が設けられていると共に、該容量線の延びる方向と交差する方向に延びるように形成されたソース線が上記スイッチング素子と同一層に設けられており、上記ソース線と上記画素及び隣接画素の少なくとも一方のスイッチング素子とが該容量線上で該容量線の延びる方向に間隔をおいて配置され、上記画素のいずれかは、上記容量線上での上記ソース線とスイッチング素子との間の短絡に起因する欠陥画素であって、それに対応する容量線が切断され、上記ソース線とスイッチング素子との間の電気的な接続が解除されて欠陥修正されていてもよい。   In the liquid crystal display device of the present invention, a pair of capacitors are formed on the active matrix substrate so as to extend in a direction crossing the adjacent direction corresponding to the pixels and adjacent pixels, and are electrically connected to each other. And a source line formed so as to extend in a direction intersecting with the direction in which the capacitor line extends is provided in the same layer as the switching element, and the source line, the pixel, and the adjacent pixel At least one of the switching elements is disposed on the capacitor line with an interval in the extending direction of the capacitor line, and any one of the pixels is caused by a short circuit between the source line and the switching element on the capacitor line. A defective pixel, the corresponding capacitance line is cut, and the electrical connection between the source line and the switching element is released to correct the defect. Good.

上記の構成によれば、ソース線とスイッチング素子との間の短絡に起因する欠陥画素に対応する容量線が切断され、ソース線とスイッチング素子との間の電気的な接続が解除されて欠陥修正されているので、一対の容量線のうち、切断されてない方の容量線が切断された容量線の冗長配線となり、切断された容量線に帰属する補助容量が正常に機能することになる。そのため、修正された画素は、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなると共に、補助容量による印加電圧の低下を抑制する作用が維持されているので、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高いものとなる。   According to the above configuration, the capacitor line corresponding to the defective pixel due to the short circuit between the source line and the switching element is cut, and the electrical connection between the source line and the switching element is released to correct the defect. As a result, of the pair of capacitor lines, the uncut capacitor line becomes a redundant wiring of the cut capacitor line, and the auxiliary capacitor belonging to the cut capacitor line functions normally. Therefore, the corrected pixel does not always display a black dot as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display, and an effect of suppressing a decrease in applied voltage due to the auxiliary capacitor is maintained. Therefore, the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

本発明の製造方法は、画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置の製造方法であって、欠陥画素の存在を検出する欠陥画素検出工程と、上記欠陥画素検出工程で検出された欠陥画素の画素電極をそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続して欠陥修正する欠陥修正工程と、を備えたことを特徴とする。   The manufacturing method of the present invention includes an active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, and a gap between the two substrates. And a defective pixel detection step for detecting the presence of a defective pixel, wherein the pixel is defined in correspondence with each pixel electrode. A defect correction step of correcting a defect by electrically connecting the pixel electrode of the defective pixel detected in the step to a switching element of an adjacent pixel adjacent in any direction.

上記の方法によれば、欠陥画素検出工程で検出された欠陥画素は、その画素電極が欠陥修正工程において隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続されることにより修正される。そのため、欠陥画素は、その隣接画素と同様に表示されるので、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、本発明の製造方法は、欠陥画素を有する液晶表示装置を、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥修正することができる。   According to the above method, the defective pixel detected in the defective pixel detection step is corrected by electrically connecting the pixel electrode to the switching element of the adjacent pixel in the defect correction step. For this reason, the defective pixel is displayed in the same manner as its neighboring pixels, so that it is not always a black dot display as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display. Thereby, the manufacturing method of the present invention can correct the defect of the liquid crystal display device having the defective pixel so that the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correction method.

本発明の液晶表示装置は、欠陥修正手段が設けられているので、欠陥画素を修正する際には、欠陥画素の画素電極とそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子とを電気的に接続して欠陥修正手段を機能させることにより、画素欠陥を修正することができる。そのため、欠陥画素は、その隣接画素と同様に表示されるので、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高くなるように、欠陥画素の修正が可能である。   Since the liquid crystal display device of the present invention is provided with defect correcting means, when correcting the defective pixel, the pixel electrode of the defective pixel and the switching element of the adjacent pixel adjacent in either direction are electrically connected. A pixel defect can be corrected by connecting to and causing the defect correcting means to function. For this reason, the defective pixel is displayed in the same manner as its neighboring pixels, so that it is not always a black dot display as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display. Thereby, the defective pixel can be corrected so that the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、TFTをスイッチング素子として用いた液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, a liquid crystal display device using TFTs as switching elements will be described as an example. However, the present invention is not limited to the following embodiment, and may have other configurations.

以下に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。   The liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention will be described below.

図1は、本発明の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板50の平面模式図であり、図2は、図1中のA−A’断面における液晶表示装置100の断面模式図であり、図3は、その等価回路図である。なお、図1の平面模式図及び図2の断面模式図は、互いに隣接する2個の画素を示すものである。   FIG. 1 is a schematic plan view of an active matrix substrate 50 constituting the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 taken along the line AA ′ in FIG. 3 is an equivalent circuit diagram thereof. 1 and the cross-sectional schematic diagram of FIG. 2 show two pixels adjacent to each other.

液晶表示装置100は、アクティブマトリクス基板50と、それに対向するように設けられた対向基板60と、両基板50及び60との間に挟持されるように設けられた液晶層70と、を備えている。   The liquid crystal display device 100 includes an active matrix substrate 50, a counter substrate 60 provided so as to face the active matrix substrate 50, and a liquid crystal layer 70 provided so as to be sandwiched between both the substrates 50 and 60. Yes.

アクティブマトリクス基板50では、絶縁基板10上に複数のゲート線1と複数のソース線2とが互いに直交するように配設され、そして、そのゲート線1とソース線2との各交差部にはTFT5が、各ゲート線1の間にはゲート線1と並行に一対の容量線4が、それぞれ設けられている。さらに、その一対の容量線4は、ソース線2上に設けられた容量線接続部4aを介して互いに接続されている。また、画素電極6が各TFT5に対応してゲート線1及び容量線4と一対のソース線2で囲われる表示領域に設けられている。   In the active matrix substrate 50, a plurality of gate lines 1 and a plurality of source lines 2 are disposed on the insulating substrate 10 so as to be orthogonal to each other, and at each intersection of the gate lines 1 and the source lines 2, Between the gate lines 1, the TFT 5 is provided with a pair of capacitance lines 4 in parallel with the gate lines 1. Further, the pair of capacitance lines 4 are connected to each other via a capacitance line connection portion 4 a provided on the source line 2. A pixel electrode 6 is provided in a display area corresponding to each TFT 5 and surrounded by the gate line 1, the capacitor line 4, and the pair of source lines 2.

また、アクティブマトリクス基板50は、絶縁基板10上に、ゲート絶縁膜8及び層間絶縁膜9が順に積層された多層積層構造となっている。   The active matrix substrate 50 has a multi-layered structure in which the gate insulating film 8 and the interlayer insulating film 9 are sequentially stacked on the insulating substrate 10.

絶縁基板10とゲート絶縁膜8との層間には、ゲート線1、ゲート電極1a、容量線4及び導電層14が設けられている。   Between the insulating substrate 10 and the gate insulating film 8, a gate line 1, a gate electrode 1a, a capacitor line 4 and a conductive layer 14 are provided.

ゲート絶縁膜8と層間絶縁膜9との層間には、TFT5を構成する半導体層15が設けられ、半導体層15の上層には、ソース線2、各TFT5に対応してソース線2からゲート線1の延びる方向に突出したソース電極2a、ソース電極2aと対峙するドレイン電極3が設けられている。   A semiconductor layer 15 constituting the TFT 5 is provided between the gate insulating film 8 and the interlayer insulating film 9. A source line 2 and a gate line from the source line 2 corresponding to each TFT 5 are provided above the semiconductor layer 15. A source electrode 2a protruding in the extending direction of 1 and a drain electrode 3 facing the source electrode 2a are provided.

層間絶縁膜9上には、ドレイン電極3にコンタクトホール6aを介して接続された画素電極6が設けられ、画素電極6の上には、配向膜7が設けられている。   A pixel electrode 6 connected to the drain electrode 3 through a contact hole 6 a is provided on the interlayer insulating film 9, and an alignment film 7 is provided on the pixel electrode 6.

ドレイン電極3は、容量線4の配設している領域まで延設され、容量線4と対向する部分が補助容量電極となっている。そして、その補助容量電極は、ゲート絶縁膜8を介して容量線4と共に補助容量20を構成している。   The drain electrode 3 extends to a region where the capacitor line 4 is disposed, and a portion facing the capacitor line 4 serves as an auxiliary capacitor electrode. The auxiliary capacitance electrode constitutes an auxiliary capacitance 20 together with the capacitance line 4 via the gate insulating film 8.

導電層14は、欠陥修正手段として機能し、隣接する画素の間で且つ、隣り合う一対の容量線4の間に位置しており、ゲート絶縁膜8を介して、両画素のドレイン電極3と重なり部分を有している。   The conductive layer 14 functions as a defect correcting means, and is located between adjacent pixels and between a pair of adjacent capacitor lines 4. The conductive layer 14 is connected to the drain electrode 3 of both pixels via the gate insulating film 8. It has an overlapping part.

対向基板60は、絶縁基板10’上に、カラーフィルタ層13、オーバコート層12、共通電極11及び配向膜7’が順に積層された多層積層構造になっている。   The counter substrate 60 has a multilayer stacked structure in which the color filter layer 13, the overcoat layer 12, the common electrode 11, and the alignment film 7 'are stacked in this order on the insulating substrate 10'.

カラーフィルタ層13には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの1色の着色層13aが設けられ、各着色層13aの間には遮光膜としてブラックマトリクス13bが設けられている。そして、導電層14を介して互いに隣接する画素には、同一色の着色層13aが配設している。   The color filter layer 13 is provided with a colored layer 13a of one color of red, green and blue corresponding to each pixel, and a black matrix 13b is provided as a light shielding film between the colored layers 13a. . In the pixels adjacent to each other via the conductive layer 14, the colored layer 13a of the same color is disposed.

液晶層70は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。   The liquid crystal layer 70 is made of a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.

この液晶表示装置100は、各画素電極6ごとに1つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線1からゲート信号が送られてTFT5をオン状態になったときに、ソース線2からソース信号が送られてソース電極2a及びドレイン電極3を介して、画素電極6に所定の電荷を書き込まれ、画素電極6と共通電極11との間で電位差が生じることになり、液晶層70からなる液晶容量70a及び補助容量20に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置100では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。   In the liquid crystal display device 100, one pixel is formed for each pixel electrode 6. When a gate signal is sent from the gate line 1 and the TFT 5 is turned on in each pixel, the liquid crystal display device 100 starts from the source line 2. A source signal is sent and a predetermined charge is written into the pixel electrode 6 via the source electrode 2 a and the drain electrode 3, and a potential difference is generated between the pixel electrode 6 and the common electrode 11. A predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor 70 a and the auxiliary capacitor 20. In the liquid crystal display device 100, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside by utilizing the change in the alignment state of the liquid crystal molecules according to the magnitude of the applied voltage.

次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。   Next, a manufacturing method of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention will be described.

<アクティブマトリクス基板作製工程>
まず、ガラス基板等の絶縁基板10上の基板全体に、Alからなる金属膜(厚さ200nm程度(Ti、Cr、Cu、Ta等からなる金属膜であってもよい))をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術(Photo Engraving Process、以下、「PEP技術」と称する)によりパターン形成して、ゲート線1、ゲート電極1a、容量線4及び導電層14を形成する。
<Active matrix substrate manufacturing process>
First, a metal film made of Al (thickness of about 200 nm (may be a metal film made of Ti, Cr, Cu, Ta, etc.)) is formed on the entire substrate on the insulating substrate 10 such as a glass substrate by a sputtering method. Then, the gate line 1, the gate electrode 1 a, the capacitor line 4, and the conductive layer 14 are formed by pattern formation by a photolithography technique (hereinafter referred to as “PEP technique”).

次いで、ゲート線1、ゲート電極1a、容量線4及び導電層14上の基板全体に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により窒化シリコン膜(厚さ400nm程度)等を成膜し、ゲート絶縁膜8を形成する。   Next, a silicon nitride film (thickness of about 400 nm) or the like is formed on the entire substrate on the gate line 1, the gate electrode 1 a, the capacitor line 4, and the conductive layer 14 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Form.

次いで、ゲート絶縁膜8上の基板全体に、CVD法により真性アモルファスシリコン膜(厚さ150nm程度)と、リンがドープされたn+アモルファスシリコン膜(厚さ50nm程度)とを連続して成膜し、その後、PEP技術によりゲート電極1a上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とn+アモルファスシリコン層からなる半導体層15を形成する。   Next, an intrinsic amorphous silicon film (thickness of about 150 nm) and a phosphorus-doped n + amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) are continuously formed by CVD on the entire substrate on the gate insulating film 8. Thereafter, an island pattern is formed on the gate electrode 1a by the PEP technique to form a semiconductor layer 15 composed of an intrinsic amorphous silicon layer and an n + amorphous silicon layer.

次いで、半導体層15が形成されたゲート絶縁膜8上の基板全体に、Alからなる金属膜(厚さ200nm程度(Ti、Cr、Cu、Ta等からなる金属膜であってもよい))をスパッタリング法により成膜し、その後、PEP技術によりパターン形成して、ソース線2、ソース電極2a及びドレイン電極3を形成する。   Next, a metal film made of Al (about 200 nm thick (may be a metal film made of Ti, Cr, Cu, Ta, etc.)) is formed on the entire substrate on the gate insulating film 8 on which the semiconductor layer 15 is formed. A film is formed by a sputtering method, and then a pattern is formed by a PEP technique to form a source line 2, a source electrode 2a, and a drain electrode 3.

次いで、ソース電極2a及びドレイン電極3をマスクとして半導体層15のn+アモルファスシリコン層をエッチング除去することにより、チャネル部を形成する。   Next, the channel portion is formed by etching away the n + amorphous silicon layer of the semiconductor layer 15 using the source electrode 2a and the drain electrode 3 as a mask.

次いで、ソース電極2a及びドレイン電極3上の基板全体に、CVD法を用いて窒化シリコン膜(厚さ300nm程度)等を成膜し、保護絶縁膜9を形成する。   Next, a silicon nitride film (thickness of about 300 nm) or the like is formed on the entire substrate on the source electrode 2a and the drain electrode 3 by using the CVD method, and the protective insulating film 9 is formed.

次いで、保護絶縁膜9のドレイン電極3に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール6aを形成する。   Next, a portion corresponding to the drain electrode 3 of the protective insulating film 9 is removed by etching to form a contact hole 6a.

次いで、保護絶縁膜9上の基板全体に、ITO(Indium Tin Oxide)膜からなる透明導電膜(厚さ10nm程度)をスパッタリング法により成膜し、その後、PEP技術によりパターン形成して、画素電極6を形成する。   Next, a transparent conductive film (thickness of about 10 nm) made of an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed on the entire substrate on the protective insulating film 9 by a sputtering method, and then a pattern is formed by a PEP technique to form a pixel electrode. 6 is formed.

次いで、画素電極6上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ100nm程度で塗布して、配向膜7を形成する。   Next, a polyimide resin is applied to the entire substrate on the pixel electrode 6 with a thickness of about 100 nm to form the alignment film 7.

上記のようにしてアクティブマトリクス基板50を作製することができる。   The active matrix substrate 50 can be manufactured as described above.

なお、上記のアクティブマトリクス基板50の作製方法では、半導体層15をアモルファスシリコン膜から形成させる方法を例示したが、半導体層15をポリシリコン膜から形成させてもよく、さらには、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。   In the above-described manufacturing method of the active matrix substrate 50, the method of forming the semiconductor layer 15 from an amorphous silicon film is exemplified. However, the semiconductor layer 15 may be formed from a polysilicon film, and further, an amorphous silicon film and The polysilicon film may be subjected to laser annealing to improve crystallinity.

<対向基板作製工程>
まず、絶縁基板10’上に、クロム薄膜を成膜した後、PEP技術によりパターン形成してブラックマトリクス13bを形成する。
<Opposite substrate manufacturing process>
First, after forming a chromium thin film on the insulating substrate 10 ', a black matrix 13b is formed by pattern formation by the PEP technique.

次いで、ブラックマトリクス間のそれぞれに、赤、緑及び青の何れかの着色層をパターン形成してカラーフィルタ層9を形成する。   Next, a color filter layer 9 is formed by patterning any one of red, green and blue colored layers between the black matrices.

次いで、カラーフィルタ層6上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバコート層12を形成する。   Next, an acrylic resin is applied to the entire substrate on the color filter layer 6 to form the overcoat layer 12.

次いで、オーバコート層12上の基板全体に、ITO膜を成膜して共通電極11を形成する。   Next, an ITO film is formed on the entire substrate on the overcoat layer 12 to form the common electrode 11.

次いで、共通電極11上の基板全体に、ポリイミド樹脂を塗布して、配向膜7’を形成する。   Next, a polyimide resin is applied to the entire substrate on the common electrode 11 to form an alignment film 7 ′.

上記のようにして、対向基板60を作製することができる。   As described above, the counter substrate 60 can be manufactured.

<液晶表示装置作製工程>
まず、アクティブマトリクス基板50及び対向基板60うちの一方にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、樹脂又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。
<Liquid crystal display device manufacturing process>
First, a seal material made of a thermosetting epoxy resin or the like is applied to one of the active matrix substrate 50 and the counter substrate 60 by screen printing in a frame-like pattern lacking a liquid crystal inlet portion, and a liquid crystal layer is applied to the other substrate. A spherical spacer made of resin or silica having a diameter corresponding to the thickness of is dispersed.

次いで、アクティブマトリクス基板50と対向基板60とを貼り合わせ、シール材料を硬化させ、空セルを形成する。   Next, the active matrix substrate 50 and the counter substrate 60 are bonded together, the sealing material is cured, and empty cells are formed.

次いで、空セルのアクティブマトリクス基板50及び対向基板60の両基板間に、減圧法により液晶材料を注入し液晶層70を形成する。その後、液晶注入口にUV硬化樹脂を塗布し、UV照射によりUV硬化樹脂を硬化し、注入口を封止する。   Next, a liquid crystal material is injected between the active matrix substrate 50 and the counter substrate 60 of the empty cell by a decompression method to form a liquid crystal layer 70. Thereafter, a UV curable resin is applied to the liquid crystal injection port, the UV curable resin is cured by UV irradiation, and the injection port is sealed.

以上のようにして、本発明の液晶表示装置100を製造することができる。   As described above, the liquid crystal display device 100 of the present invention can be manufactured.

通常、液晶表示装置100において、画素電極6はTFT5によって駆動され、TFT5が正常に動作している限り、画素は正常に動作し、表示上の問題は発生しない。しかし、TFT5が異常をきたしたり、ソース線2と画素電極6等との間にリーク電流が発生したりすると、検査工程においてそれに対応する画素が欠陥画素として現れ、表示上の問題となる。   In general, in the liquid crystal display device 100, the pixel electrode 6 is driven by the TFT 5, and as long as the TFT 5 operates normally, the pixel operates normally and no display problem occurs. However, if the TFT 5 becomes abnormal or a leak current is generated between the source line 2 and the pixel electrode 6 or the like, the corresponding pixel appears as a defective pixel in the inspection process, which causes a display problem.

次に、本発明の液晶表示装置100における欠陥修正方法(製造方法)について説明する。   Next, a defect correction method (manufacturing method) in the liquid crystal display device 100 of the present invention will be described.

<<スイッチング素子不良に起因する欠陥画素の修正方法>>
図4は、欠陥画素が修正された液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板50aの平面模式図であり、図6左上部はそれに対応する等価回路図である。
<< Method for correcting defective pixels caused by defective switching elements >>
FIG. 4 is a schematic plan view of an active matrix substrate 50a constituting a liquid crystal display device in which defective pixels are corrected, and the upper left part of FIG. 6 is an equivalent circuit diagram corresponding thereto.

このアクティブマトリクス基板50aは、ソース電極2aとドレイン電極3aとが短絡したTFT短絡欠陥部21を有する異常TFT5aを含んでいる。   The active matrix substrate 50a includes an abnormal TFT 5a having a TFT short-circuit defect 21 in which the source electrode 2a and the drain electrode 3a are short-circuited.

<欠陥画素検出工程(検査工程)>
例えば、ゲート線1にバイアス電圧−10V、周期16.7msec、パルス幅50μsecの+15Vのパルス電圧のゲート検査信号を入力して全てのTFT5をオン状態にする。さらに、ソース線2に16.7msecごとに極性が反転する±2Vの電位のソース検査信号を入力して各TFT5のソース電極2a及びドレイン電極3を介して画素電極6に±2Vに対応した電荷を書き込む。同時に、共通電極11に直流で−1Vの電位の共通電極検査信号を入力する。これにより、画素電極6と共通電極11との間で構成される液晶容量70aに電圧が印加され、その画素電極6で構成する画素が点灯状態になり、ノーマリーホワイトモード(電圧無印加時に白表示)では、白表示から黒表示となる。
<Defective pixel detection process (inspection process)>
For example, a gate inspection signal having a bias voltage of −10 V, a period of 16.7 msec, a pulse voltage of +15 V with a pulse width of 50 μsec is input to the gate line 1 to turn on all the TFTs 5. Further, a source inspection signal having a potential of ± 2 V whose polarity is inverted every 16.7 msec is inputted to the source line 2, and a charge corresponding to ± 2 V is applied to the pixel electrode 6 through the source electrode 2 a and the drain electrode 3 of each TFT 5. Write. At the same time, a common electrode inspection signal having a direct current potential of −1 V is input to the common electrode 11. As a result, a voltage is applied to the liquid crystal capacitor 70a configured between the pixel electrode 6 and the common electrode 11, and the pixel configured by the pixel electrode 6 is turned on, and a normally white mode (white voltage when no voltage is applied). Display) changes from white display to black display.

このとき、異常TFT5aを有する画素は、その画素電極6に所定の電荷が書き込むことができず、非点灯(輝点)となる。   At this time, the pixel having the abnormal TFT 5a cannot write a predetermined charge to the pixel electrode 6 and is not lit (bright spot).

これにより、異常TFT5aを有する画素の位置を特定することができる。   Thereby, the position of the pixel having the abnormal TFT 5a can be specified.

<欠陥修正工程>
(ドレイン電極切断工程)
欠陥画素検出工程において検出した欠陥画素に対応するドレイン電極3aのドレイン電極切断部22にレーザ光の照射を行い、ドレイン電極切断部22の金属を飛散させ、画素電極6と異常TFT5aとを切断し、画素電極6と異常TFT5aとの間の電気的な接続を解除する。
<Defect correction process>
(Drain electrode cutting process)
The drain electrode cutting portion 22 of the drain electrode 3a corresponding to the defective pixel detected in the defective pixel detection step is irradiated with laser light, the metal of the drain electrode cutting portion 22 is scattered, and the pixel electrode 6 and the abnormal TFT 5a are cut. The electrical connection between the pixel electrode 6 and the abnormal TFT 5a is released.

(ドレイン電極接続工程)
ドレイン電極3a及び隣接する画素のドレイン電極3bと導電層14との重なり部分にレーザ光を照射する。これにより、両ドレイン電極3a及び3bと導電層14との間のゲート絶縁膜8がその重なり部分において破壊されると共に、両ドレイン電極3a及び3bを形成する金属が溶融され、その重なり部分にコンタクトホール23が形成される。この結果、両ドレイン電極3a及び3bと導電層14との間は導通状態になり短絡され、導電層14が欠陥修正手段として機能することになる。
(Drain electrode connection process)
Laser light is irradiated to the overlapping portion of the drain electrode 3a and the drain electrode 3b of the adjacent pixel and the conductive layer. As a result, the gate insulating film 8 between the drain electrodes 3a and 3b and the conductive layer 14 is broken at the overlapping portion, and the metal forming the drain electrodes 3a and 3b is melted and contacted with the overlapping portion. A hole 23 is formed. As a result, the drain electrodes 3a and 3b and the conductive layer 14 become conductive and short-circuited, and the conductive layer 14 functions as a defect correcting means.

ここで、レーザ光の照射について説明する。以下の説明は代表例であり、これに限定されるものではない。   Here, laser light irradiation will be described. The following description is a representative example and is not limited thereto.

〜レーザ光〜
レーザ光は、一例として波長1064nmのYAGレーザが挙げられ、レーザパワー測定器により、レーザ強度を確認した後、フィルタ等により、適正な強度に調整される。
~ Laser beam ~
An example of the laser beam is a YAG laser with a wavelength of 1064 nm. After confirming the laser intensity with a laser power measuring device, the laser beam is adjusted to an appropriate intensity with a filter or the like.

〜照射位置のアライメント〜
モニター上で、配線パターンに対してレーザ照射エリアを事前設定し、その照射エリアと各パターンとの位置合わせを行い、上記のように調整したレーザ光を照射する。
~ Alignment of irradiation position ~
On the monitor, a laser irradiation area is preset for the wiring pattern, the irradiation area is aligned with each pattern, and the laser beam adjusted as described above is irradiated.

照射の方法には2種類があり、一つは、配線パターンに対して照射サイズを予め設定し、位置合わせをした後、メルトと切断とを同時に照射する方法であり、もう一つは、切断のみ小さいエリアを設定し、切断箇所を移動させながら照射する方法である。   There are two types of irradiation methods. One is to set the irradiation size for the wiring pattern in advance, align the position, and then irradiate the melt and cutting simultaneously. The other is cutting. In this method, only a small area is set and irradiation is performed while moving the cutting part.

以上のようにして、液晶表示装置において、異常TFT5aに起因する欠陥画素を修正することができる。   As described above, in the liquid crystal display device, a defective pixel caused by the abnormal TFT 5a can be corrected.

上記の工程が完了した液晶表示装置は、異常TFT5aを有する画素のドレイン電極3a及びその隣接画素のドレイン電極3bと導電層14との重なり部分にコンタクトホール23が形成され、両ドレイン電極3a及び3bが導電層14を介して電気的に接続されて欠陥修正されている。そのため、異常TFT5aを有する画素の画素電極6は、コンタクトホール23及び導電層14を介して隣接画素のTFT5bによって駆動される。さらに、導電層14を介して相互に隣接する一対の画素に対応する着色層が同一色であるので、その修正された欠陥画素は、その表示が隣接画素の表示と同一になり、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなる。これにより、本発明の欠陥画素が修正された液晶表示装置は、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位の高い表示装置となる。この結果、上記のような修正がなされた画素は、正常に機能しているわけではないものの、視覚上、欠陥画素として極めて判別しにくい状態になる。   In the liquid crystal display device in which the above steps are completed, a contact hole 23 is formed in an overlapping portion between the drain electrode 3a of the pixel having the abnormal TFT 5a and the drain electrode 3b of the adjacent pixel and the conductive layer 14, and both the drain electrodes 3a and 3b. Are electrically connected through the conductive layer 14 to correct the defect. Therefore, the pixel electrode 6 of the pixel having the abnormal TFT 5 a is driven by the TFT 5 b of the adjacent pixel through the contact hole 23 and the conductive layer 14. Further, since the colored layers corresponding to a pair of pixels adjacent to each other through the conductive layer 14 have the same color, the corrected defective pixel has the same display as that of the adjacent pixel, and the conventional correction is made. It is not always a black dot display as in the technology, but close to normal pixel display. Thereby, the liquid crystal display device in which the defective pixel of the present invention is corrected becomes a display device having higher display quality than the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correction method. As a result, the pixel that has been corrected as described above is not functioning normally, but is visually difficult to distinguish as a defective pixel.

<<ソースドレイン短絡に起因する欠陥画素の修正方法>>
上記のスイッチング素子不良に起因する欠陥画素に加えて、ソースドレイン短絡に起因する欠陥画素を有する液晶表示装置における欠陥修正方法について、以下に説明する。
<< Method for correcting defective pixel caused by source-drain short circuit >>
A defect correcting method in a liquid crystal display device having a defective pixel due to a source / drain short circuit in addition to the defective pixel due to the above switching element failure will be described below.

図5は、欠陥画素が修正された液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板50bの平面模式図であり、図6右下部はそれに対応する等価回路図である。   FIG. 5 is a schematic plan view of an active matrix substrate 50b constituting a liquid crystal display device in which defective pixels are corrected, and the lower right portion of FIG. 6 is an equivalent circuit diagram corresponding thereto.

このアクティブマトリクス基板50bは、ソース電極2aとドレイン電極3aとが短絡したTFT短絡欠陥部21を有する異常TFT5aと、容量線4上でソース線2とドレイン電極3bとが短絡したソースドレイン短絡欠陥部24とを含んでいる。なお、ソースドレイン短絡欠陥部24は、TFT短絡欠陥部21のある画素内にあっても、TFT短絡欠陥部21のある画素に、隣接する他の画素、又は、隣接しない他の画素にあってもよい。   This active matrix substrate 50b includes an abnormal TFT 5a having a TFT short-circuit defect portion 21 in which the source electrode 2a and the drain electrode 3a are short-circuited, and a source-drain short-circuit defect portion in which the source line 2 and the drain electrode 3b are short-circuited on the capacitance line 4. 24. Note that the source / drain short-circuit defect portion 24 exists in another pixel adjacent to the pixel having the TFT short-circuit defect portion 21 or in another pixel not adjacent to the pixel having the TFT short-circuit defect portion 21 even in the pixel having the TFT short-circuit defect portion 21. Also good.

<欠陥画素検出工程(検査工程)>
上記のスイッチング素子不良に起因する欠陥画素の修正方法の欠陥画素検出工程(検査工程)の記載のように、画素電極6と共通電極11との間で構成される液晶容量70aに電圧を印加して、画素を点灯状態にして、白表示から黒表示にする。
<Defective pixel detection process (inspection process)>
As described in the defective pixel detection step (inspection step) of the method for correcting a defective pixel caused by the switching element defect, a voltage is applied to the liquid crystal capacitor 70a formed between the pixel electrode 6 and the common electrode 11. Then, the pixel is turned on to change from white display to black display.

このとき、ソースドレイン短絡欠陥部24のある画素では、その画素電極6に所定の電荷が書き込むことができず、その画素は非点灯(輝点)状態になる。   At this time, in a pixel having the source / drain short-circuit defect portion 24, a predetermined charge cannot be written to the pixel electrode 6, and the pixel is not lit (bright spot).

これにより、ソースドレイン短絡欠陥部24を有する画素の位置を特定することができる。   Thereby, the position of the pixel having the source / drain short-circuit defect 24 can be specified.

欠陥画素のうち、異常TFT5aに起因する欠陥画素については、上記のスイッチング素子不良欠陥画素に対する修正方法の記載通りに実行することにより、修正することができ、一方、ソースドレイン短絡欠陥部24に起因する欠陥画素については、以下の工程を実行することにより修正する。   Of the defective pixels, the defective pixels caused by the abnormal TFT 5a can be corrected by executing as described in the correction method for the defective defective switching element, while the defective pixels 24 are caused by the source / drain short-circuit defective portion 24. The defective pixel to be corrected is corrected by executing the following steps.

<欠陥修正工程>
(ソースドレイン短絡切断工程)
欠陥画素検出工程において検出した欠陥画素に対応するソースドレイン短絡欠陥部24と容量線4とを同時に切断する容量線切断部25にレーザ光を照射し、切断部25の金属を飛散させ、容量線4と共に、ソース線2とドレイン電極3bとを切断し、ソース線2とドレイン電極3bとの間の電気的な接続を解除する。
<Defect correction process>
(Source drain short cut process)
The capacitive line cutting unit 25 that simultaneously cuts the source / drain short-circuit defective part 24 and the capacitive line 4 corresponding to the defective pixel detected in the defective pixel detection step is irradiated with laser light, and the metal of the cutting part 25 is scattered, so that the capacitive line 4, the source line 2 and the drain electrode 3 b are disconnected, and the electrical connection between the source line 2 and the drain electrode 3 b is released.

以上のようにして、液晶表示装置のソース線2とドレイン電極3bとの短絡に起因する欠陥画素を修正することができる。   As described above, a defective pixel caused by a short circuit between the source line 2 and the drain electrode 3b of the liquid crystal display device can be corrected.

上記の工程が完了した液晶表示装置は、ソース線2とドレイン電極3bとの間の短絡に起因する欠陥画素に対応する容量線4が切断され、ソース線2とドレイン電極3bとの間の電気的な接続が解除されて欠陥修正されている。そして、一対の容量線4のうちの一方が切断されているが、他方の容量線4がその冗長配線となっているので、切断された一方の容量線4に帰属する補助容量が正常に機能することになる。そのため、修正された画素は、従来の修正技術のように常に黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなると共に、補助容量による印加電圧の低下を抑制する作用が維持されているので、従来の欠陥修正方法で修正された液晶表示装置よりも表示品位が高いものとなる。   In the liquid crystal display device in which the above process is completed, the capacitor line 4 corresponding to the defective pixel due to the short circuit between the source line 2 and the drain electrode 3b is cut, and the electric current between the source line 2 and the drain electrode 3b is cut. The connection has been broken and the defect has been corrected. One of the pair of capacitor lines 4 is disconnected, but the other capacitor line 4 is the redundant wiring, so that the auxiliary capacitor belonging to the one disconnected capacitor line 4 functions normally. Will do. Therefore, the corrected pixel does not always display a black dot as in the conventional correction technique, but is close to a normal pixel display, and an effect of suppressing a decrease in applied voltage due to the auxiliary capacitor is maintained. Therefore, the display quality is higher than that of the liquid crystal display device corrected by the conventional defect correcting method.

以上説明したように、本発明の液晶表示装置は、欠陥画素を修正しても、従来のような黒点表示になるのではなく、正常な画素の表示に近くなるので、無欠陥が望まれる大型テレビ等の用途の液晶表示装置について有用である。   As described above, the liquid crystal display device of the present invention is not a black dot display as in the prior art, even if a defective pixel is corrected, but is close to a normal pixel display. This is useful for a liquid crystal display device for use in a television or the like.

本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板50の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the active matrix substrate 50 which comprises the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置100の断面模式図である。1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すアクティブマトリクス基板50aの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the active matrix substrate 50a which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すアクティブマトリクス基板50bの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the active matrix substrate 50b which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 従来の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板30の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the active matrix substrate 30 which comprises the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の欠陥修正方法を示すアクティブマトリクス基板30aの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the active matrix substrate 30a which shows the defect correction method of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の欠陥修正方法を示す液晶表示装置の等価回路図である。It is the equivalent circuit schematic of the liquid crystal display device which shows the defect correction method of the conventional liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

1 ゲート線
1a ゲート電極
2 ソース線
2a ソース電極
3,3a,3b ドレイン電極
4 容量線
4a 容量線接続部
5,5a,5b TFT
6 画素電極
6a,23,26 コンタクトホール
7,7’ 配向膜
8 ゲート絶縁膜
9 層間絶縁膜
10,10’ 絶縁基板
11 共通電極
12 オーバーコート層
13 カラーフィルタ層
13a 着色層
13b ブラックマトリクス
14 導電層
15 半導体層
20 補助容量
21 TFT短絡欠陥部
22 ドレイン電極切断部
24,27 ソースドレイン短絡欠陥部
25 容量線切断部
28 ソース線切断部
30,30a,30b,50,50a,50b アクティブマトリクス基板
60 対向基板
70 液晶層
70a 液晶容量
100 液晶表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate line 1a Gate electrode 2 Source line 2a Source electrode 3, 3a, 3b Drain electrode 4 Capacitance line 4a Capacitance line connection part 5, 5a, 5b TFT
6 Pixel electrodes 6a, 23, 26 Contact holes 7, 7 'Alignment film 8 Gate insulating film 9 Interlayer insulating film 10, 10' Insulating substrate 11 Common electrode 12 Overcoat layer 13 Color filter layer 13a Colored layer 13b Black matrix 14 Conductive layer 15 Semiconductor layer 20 Auxiliary capacitor 21 TFT short-circuit defect portion 22 Drain electrode cut portion 24, 27 Source drain short-circuit defect portion 25 Capacitance line cut portion 28 Source line cut portion 30, 30a, 30b, 50, 50a, 50b Active matrix substrate 60 Opposing Substrate 70 Liquid crystal layer 70a Liquid crystal capacity 100 Liquid crystal display device

Claims (8)

画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置であって、
上記アクティブマトリクス基板には、上記画素のいずれかが欠陥画素であるときに、その欠陥画素を修正できるように、各画素の画素電極とそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子とを電気的に接続可能にする欠陥修正手段が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
An active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates, A liquid crystal display device in which a pixel is defined corresponding to each pixel electrode,
The active matrix substrate includes a pixel electrode of each pixel and a switching element of an adjacent pixel adjacent to either direction so that the defective pixel can be corrected when any of the pixels is a defective pixel. A liquid crystal display device comprising defect correcting means for enabling electrical connection.
請求項1に記載された液晶表示装置において、
上記欠陥修正手段は、相互に隣接する一対の画素のスイッチング素子に絶縁膜を介して重なるように設けられ、該絶縁膜にコンタクトホールを形成して両スイッチング素子を電気的に接続することで、一方の画素の画素電極を他方の画素のスイッチング素子に電気的に接続可能とする導電層で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1,
The defect correcting means is provided so as to overlap a switching element of a pair of adjacent pixels via an insulating film, and by forming a contact hole in the insulating film and electrically connecting both switching elements, A liquid crystal display device comprising a conductive layer that allows a pixel electrode of one pixel to be electrically connected to a switching element of the other pixel.
請求項1に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板、又は、対向基板には、各画素に対応して、所定の色の着色層が配設したカラーフィルタ層が設けられており、
上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素には、同一色の着色層が配設されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1,
The active matrix substrate or the counter substrate is provided with a color filter layer provided with a colored layer of a predetermined color corresponding to each pixel,
A liquid crystal display device, wherein a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means are provided with colored layers of the same color.
請求項1に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板には、上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応して、それらの隣接方向と交差する方向に延びるように形成された一対の容量線が設けられており、該一対の容量線が電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1,
The active matrix substrate is provided with a pair of capacitance lines formed corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means so as to extend in a direction intersecting with the adjacent directions. A liquid crystal display device, wherein the pair of capacitance lines are electrically connected.
請求項4に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板には、上記欠陥修正手段により欠陥修正される相互に隣接する一対の画素に対応して上記容量線の延びる方向と交差する方向に延びるように形成されたソース線が上記スイッチング素子と同一層に設けられており、該ソース線と上記一対の画素の少なくとも一方のスイッチング素子とが該容量線上で該容量線の延びる方向に間隔をおいて配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 4,
A source line formed on the active matrix substrate so as to extend in a direction intersecting with a direction in which the capacitor line extends corresponding to a pair of adjacent pixels whose defects are corrected by the defect correcting means is provided on the switching element. A liquid crystal, wherein the source line and at least one switching element of the pair of pixels are arranged on the capacitor line at an interval in a direction in which the capacitor line extends. Display device.
画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置であって、
上記画素のいずれかは、欠陥画素であって、その画素電極がそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続されて欠陥修正されていることを特徴とする液晶表示装置。
An active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates, A liquid crystal display device in which a pixel is defined corresponding to each pixel electrode,
Any one of the above-mentioned pixels is a defective pixel, and the pixel electrode is electrically connected to a switching element of an adjacent pixel adjacent in any direction to correct the defect. .
請求項6に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板には、
上記画素及び隣接画素に対応して、それらの隣接方向と交差する方向に延びるように形成され、互いに電気的に接続された一対の容量線が設けられていると共に、該容量線の延びる方向と交差する方向に延びるように形成されたソース線が上記スイッチング素子と同一層に設けられており、
上記ソース線と上記画素及び隣接画素の少なくとも一方のスイッチング素子とが該容量線上で該容量線の延びる方向に間隔をおいて配置され、
上記画素のいずれかは、上記容量線上での上記ソース線とスイッチング素子との間の短絡に起因する欠陥画素であって、それに対応する容量線が切断され、上記ソース線とスイッチング素子との間の電気的な接続が解除されて欠陥修正されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 6,
In the active matrix substrate,
Corresponding to the pixel and the adjacent pixel, a pair of capacitor lines formed so as to extend in a direction intersecting with the adjacent direction and electrically connected to each other are provided, and a direction in which the capacitor lines extend Source lines formed to extend in the intersecting direction are provided in the same layer as the switching element,
The source line and the switching element of at least one of the pixel and the adjacent pixel are arranged on the capacitor line at an interval in a direction in which the capacitor line extends;
One of the pixels is a defective pixel caused by a short circuit between the source line and the switching element on the capacitor line, and the corresponding capacitor line is cut off, so that the source line and the switching element are not connected. The liquid crystal display device is characterized in that the electrical connection is canceled and the defect is corrected.
画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、それらの両基板の間に挟持される液晶層と、を備え、該各画素電極に対応して画素が規定される液晶表示装置の製造方法であって、
欠陥画素の存在を検出する欠陥画素検出工程と、
上記欠陥画素検出工程で検出された欠陥画素の画素電極をそのいずれかの方向に隣接する隣接画素のスイッチング素子に電気的に接続して欠陥修正する欠陥修正工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
An active matrix substrate in which pixel electrodes and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate facing the active matrix substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates, A manufacturing method of a liquid crystal display device in which pixels are defined corresponding to each pixel electrode,
A defective pixel detection step for detecting the presence of the defective pixel;
A defect correction step of correcting a defect by electrically connecting a pixel electrode of the defective pixel detected in the defective pixel detection step to a switching element of an adjacent pixel adjacent in either direction;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
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