JP4048228B2 - Display device substrate, method for correcting the same, method for correcting the display device, and liquid crystal display device - Google Patents

Display device substrate, method for correcting the same, method for correcting the display device, and liquid crystal display device Download PDF

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本発明は、表示装置用基板、その修正方法、表示装置の修正方法及び液晶表示装置に関する。より詳しくは、液晶カラーテレビ等の直視型液晶ディスプレイや液晶プロジェクタ等の投射型液晶ディスプレイ等に好適に利用される表示装置用基板、その修正方法、表示装置の修正方法及び液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a display device substrate, a correction method thereof, a correction method of a display device, and a liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a display device substrate suitably used for a direct-view type liquid crystal display such as a liquid crystal color television or a projection type liquid crystal display such as a liquid crystal projector, a correction method thereof, a display device correction method, and a liquid crystal display device.

液晶表示装置の例としては、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と称する)等のスイッチング素子を複数形成したアクティブマトリクス(以下、「AM」と称する)基板と、複数色のカラーフィルタ(以下、「CF」と称する)層及び共通電極が順次積層されたCF基板と、両基板間に介在する液晶層とを有するカラー液晶表示装置が挙げられる。AM基板には、マトリクス状に配列された複数の画素電極が形成されており、CF基板には画素電極に対向する共通電極が形成されており、両電極間の電界強度により液晶の配向を制御している。 As an example of a liquid crystal display device, an active matrix (hereinafter referred to as “AM”) substrate on which a plurality of switching elements such as thin film transistors (hereinafter referred to as “TFT”) are formed, and a color filter (hereinafter referred to as “CF”). A color liquid crystal display device having a CF substrate on which a layer and a common electrode are sequentially laminated, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix are formed on the AM substrate, and a common electrode facing the pixel electrode is formed on the CF substrate, and the alignment of the liquid crystal is controlled by the electric field strength between the two electrodes. is doing.

従来の液晶表示装置では、AM基板に形成される画素電極とCF基板に形成される共通電極間に導電性異物が混入して電気的に短絡(以下、「上下リーク」と称する)すると、該画素電極と該共通電極間の電位差がなくなり、該当箇所の液晶分子が配向しなくなるため、ノーマリーホワイト(電圧無印加時に白表示)方式であれば輝点化し、ノーマリーブラック(電圧無印加時に黒表示)方式であれば黒点化するという画素欠陥となっていた。この上下リークは、TFT工程、CF工程、液晶工程での導電性異物の付着が原因であり、上下リークを発見するためには、TFT、CFパネルを貼り合わせた状態で点灯検査を行う必要がある。また、このような上下リークの発生確率は、近年要望されている表示装置の大型化に伴う画素の大型化や、高速応答化を実現するための狭セルギャップ化により上昇し、それに伴ってパネルの歩留まりが低下している。 In the conventional liquid crystal display device, when a conductive foreign matter enters between the pixel electrode formed on the AM substrate and the common electrode formed on the CF substrate and is electrically short-circuited (hereinafter referred to as “upper and lower leakage”), Since there is no potential difference between the pixel electrode and the common electrode, and the liquid crystal molecules in the corresponding part are not aligned, the normally white (white display when no voltage is applied) method is used to make a bright spot and normally black (when no voltage is applied). In the case of the black display method, the pixel defect is that black spots are formed. This vertical leak is caused by the adhesion of conductive foreign matter in the TFT process, CF process, and liquid crystal process. In order to detect the vertical leak, it is necessary to perform a lighting inspection with the TFT and CF panels bonded together. is there. In addition, the probability of occurrence of such top and bottom leaks increases due to the increase in the size of pixels associated with the recent increase in the size of display devices and the narrowing of the cell gap to achieve high-speed response. Yield is decreasing.

従来の液晶表示装置の画素構造について、例えば、MVA(Multi−domain Vertical Alignment)方式の液晶表示モードにおける画素構造を例として、図面に基づいて説明する。
MVA方式は、CF基板上に設けた帯状の構造物(配向制御用突起)と、AM基板側に設けた画素電極の抜き(スリット)とを、これらの基板面に交互に配置し、該構造物やスリットを境界として液晶分子のダイレクタ(ディレクタ)の方向が180°異なる液晶配向を形成して垂直配向型液晶の配向分割を行う方式であり、該ダイレクタ方向が180°異なるドメインを1つの表示絵素領域内に複数形成することにより、視角特性を均一にする方式である(例えば、特許文献1参照)。このようにMVA方式の画素電極には液晶分子の配向を規制するためのスリットが存在しており、画素内で連続した電極パターンとするため、例えば、図1−2に示すように、電極スリット間接続部(画素電極接続部)12を設けている。一般的に、画素電極接続部12は、画素電極9の周囲に設けられ、データ信号用配線(信号線)4付近の配向不良(ディスクリネーション)や漏洩光を合わせて、CF基板側に設けたブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜にて遮光することにより、開口率の低下を抑える構造としている。しかしながら、従来のMVA方式の画素電極構造では、上下リークが発生した画素を修正することができず、画素単位の欠陥となってしまう点で工夫の余地があった。
A pixel structure of a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the drawings by taking, for example, a pixel structure in an MVA (Multi-domain Vertical Alignment) liquid crystal display mode as an example.
In the MVA method, a band-shaped structure (alignment control protrusion) provided on the CF substrate and pixel electrode removal (slit) provided on the AM substrate side are alternately arranged on the substrate surface, and the structure This is a method in which the orientation of the liquid crystal molecule director (director) is 180 ° different from that of the object or slit to form a vertical alignment type liquid crystal, and the vertical direction liquid crystal orientation is divided. This is a system in which the viewing angle characteristics are made uniform by forming a plurality in the pixel region (see, for example, Patent Document 1). As described above, the MVA pixel electrode has a slit for regulating the alignment of liquid crystal molecules. In order to obtain a continuous electrode pattern in the pixel, for example, as shown in FIG. An inter-connection portion (pixel electrode connection portion) 12 is provided. In general, the pixel electrode connection portion 12 is provided around the pixel electrode 9 and is provided on the CF substrate side in combination with alignment failure (disclination) and leakage light near the data signal wiring (signal line) 4. In addition, light shielding is performed with a light-shielding film called a black matrix, thereby suppressing a decrease in aperture ratio. However, the conventional MVA pixel electrode structure has room for improvement in that the pixel in which the vertical leak has occurred cannot be corrected, resulting in a pixel-by-pixel defect.

AM基板上に配向制御用突起を設け、CF基板上の電極にスリットを設けた構造もまた、MVA方式の1実施形態であるが、この場合には、例えば、図4−2に示すように、CF基板側の対向電極(共通電極)にスリットが入った構造を採っており、該対向電極は隣接画素と連続しているため、上下リークが発生した箇所を切り離すには該当箇所の画素電極の周囲を切り離すことが必要となる。したがって、切断箇所を最小限にすることができ、上下リークの発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識されにくくするための工夫の余地があった。 A structure in which alignment control protrusions are provided on the AM substrate and slits are provided in the electrodes on the CF substrate is also one embodiment of the MVA method. In this case, for example, as shown in FIG. Since the counter electrode (common electrode) on the CF substrate side has a slit, and the counter electrode is continuous with the adjacent pixel, the pixel electrode at the corresponding location is used to separate the location where the vertical leak occurs. It is necessary to separate the surroundings. Therefore, there is room for devising to make it possible to minimize the number of cut portions and to make it difficult to be recognized as a defect by making the vertical leak occurrence portion a minute defect.

従来の画素欠陥を修正する技術に関し、画素電極にスリット部分を形成することで上下リークの発生に対応し得る液晶表示装置等が開示されている(例えば、特許文献2〜4参照。)。しかしながら、特許文献2及び3の液晶表示装置等は、遮光膜外で、かつ本来スリットの存在しない所にスリットを設置するものであり、画素電極を切断してスリット領域を拡大させるものであることから、配向不良を発生させることなく表示品位を維持するための工夫の余地があった。また、不良箇所を切除する際にデータ信号用配線を切断してしまう可能性があり、線欠陥を招き得るという点でも工夫の余地があった。
また特許文献2及び4の液晶表示装置では、補助容量近傍にて不良が発生した場合に該当箇所の画素電極を切除すると、補助容量を形成している画素電極が切り離されることから、修正後においても補助容量を充分に機能させ、表示品位を保つための工夫の余地があった。
更に特許文献2〜4の液晶表示装置等においては、トランジスタ近傍にてコンタクトホールから画素電極にドレイン電位を供給する構造を採用しており、トランジスタから補助容量配線間にて上下リークが発生した場合に画素電極を部分修正できるようにするための工夫の余地があった。また、上下リークの他、ドレイン引出電極と補助容量配線(Cs)との電気的短絡(以下、「D−Csリーク」と称する)や、補助容量配線上に形成された容量電極とデータ信号用配線間の電気的短絡等の不良モードに対してもより充分に対応できるようにするための工夫の余地があった。
特開平11−242225号公報 特開2000−221527号公報 特開2004−93654号公報 特開2001−83522号公報
With respect to conventional techniques for correcting pixel defects, liquid crystal display devices and the like that can cope with the occurrence of vertical leaks by forming slit portions in pixel electrodes are disclosed (for example, see Patent Documents 2 to 4). However, the liquid crystal display devices and the like disclosed in Patent Documents 2 and 3 are provided with slits outside the light-shielding film and where no slits originally exist, and are intended to enlarge the slit region by cutting the pixel electrode. Therefore, there is room for contrivance to maintain display quality without causing orientation failure. Further, there is a possibility that the data signal wiring may be cut when the defective portion is removed, and there is room for improvement in that a line defect may be caused.
In addition, in the liquid crystal display devices of Patent Documents 2 and 4, when a defect occurs in the vicinity of the auxiliary capacitor, if the pixel electrode in the corresponding part is removed, the pixel electrode forming the auxiliary capacitor is cut off. However, there was room for improvement to make the auxiliary capacity function sufficiently and maintain the display quality.
Furthermore, the liquid crystal display devices of Patent Documents 2 to 4 adopt a structure in which a drain potential is supplied from a contact hole to a pixel electrode in the vicinity of a transistor, and when a vertical leak occurs between the transistor and an auxiliary capacitance line. There is room for improvement in order to make it possible to partially correct the pixel electrode. In addition to the upper and lower leaks, the drain extraction electrode and the auxiliary capacitance line (Cs) are electrically short-circuited (hereinafter referred to as “D-Cs leak”), the capacitance electrode formed on the auxiliary capacitance line and the data signal There is room for improvement in order to more fully cope with a failure mode such as an electrical short circuit between wirings.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-242225 JP 2000-221527 A JP 2004-93654 A JP 2001-83522 A

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、導電性異物の付着に起因する上下リーク発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすると共に、高い表示品位を維持し、歩留りを向上することができ、また、D−Csリークや、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の不良モードに対しても対応することができる表示装置用基板、その修正方法、該表示装置用基板を備えた表示装置の修正方法及び液晶表示装置を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned present situation, and by making the upper and lower leak occurrence locations due to the adhesion of conductive foreign substances into minute defects, it is difficult to recognize them as defects and maintains high display quality, yield. In addition, the substrate for a display device can cope with a failure mode such as a D-Cs leak or an electrical short circuit between the capacitor electrode formed on the auxiliary capacitor wiring and the signal line. An object of the present invention is to provide a correction method, a correction method of a display device including the display device substrate, and a liquid crystal display device.

本発明者らは、上下リークによる画素欠陥を修正することが可能な表示装置用基板について種々検討するうち、電極に電極スリットを設け、この電極スリットの電気的接続部を利用して修正することにより、上下リークが発生した場合にも画素欠陥を修正できることに着目した。すなわち、アクティブマトリクス基板を例にすると、画素電極を1画素以下に分割できるように画素電極スリットの電気的接続部(電極スリット間接続部)を設けた構造とすることにより、上下リークが発生した画素電極を上記接続部にて切り離すことで上下リーク修正を行うことができることに着目した。ここで、上下リークは、TFT工程、CF工程、液晶工程等様々な工程に要因があるため、TFT基板とCF基板とを貼り合わせて点灯検査しなければ発見できず、電極スリット間接続部(画素電極接続部)を切断するには基板裏面から行う必要がある。その修正方法として、レーザー照射にて修正することとなるが、図1−2に示すように、上下リーク発生箇所の画素電極9を従来の液晶表示装置におけるスリット間接続部12にて切断して修正しようとすると、該接続部12をAM基板の裏面よりレーザー照射で切断(以下、「レーザーカット」と称する)することとなるため、該接続部12と共にメタル配線(金属配線)を同時に切断してしまう可能性がある。この状態を本発明者らは鑑み、図1−1に示すように、電極スリット間接続部12を金属配線等が配置される遮光領域の外へ配置することを見いだし、これにより、不良箇所をAM基板裏面からレーザー照射により画素電極9を切り離しても信号線や走査線が切断されないため、隣接画素に影響を与えることなく欠陥箇所を切り離して微小欠陥とすることができることを見いだした。また、遮光領域外へ電極スリット間接続部を移動することで接続部周辺の液晶分子の配向不良が懸念されたが、画素全体として表示品位に特に大きな影響はなく、加えて、該電極スリット間接続部12を切り離すと、MVA方式等の画素電極スリット本来の所望の形状に近づくため、修正後正常動作している画素電極の表示品位に与える影響は極少ないことを見いだし、上記課題をみごとに解決できることに想到した。
また、隣接画素の遮光用構造物と不連続の遮光用構造物から遮光領域を形成することや、遮光用構造物の形状により電極スリット接続部の設置位置に目印を付すことで、遮光領域内に該接続部を配置する場合であっても該接続部の位置が目視で容易に確認することができるため修正が可能であり、同様の作用効果を発揮できることを見いだし、本発明に到達したものである。
なお、このような本発明の表示装置用基板は、上下リークの他にも、D−Csリークや、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の不良モードに対しても充分に対応することができるものである。
The inventors of the present invention have studied various types of display device substrates capable of correcting pixel defects caused by vertical leaks, and provided electrode slits in the electrodes and corrected them using the electrical connection portions of the electrode slits. Thus, attention is paid to the fact that pixel defects can be corrected even when vertical leaks occur. In other words, when an active matrix substrate is taken as an example, vertical leakage occurs due to the structure in which the pixel electrode slit is electrically connected (interelectrode slit connection portion) so that the pixel electrode can be divided into one pixel or less. It was noted that the vertical leak correction can be performed by separating the pixel electrode at the connection portion. Here, since the vertical leak is caused by various processes such as TFT process, CF process, liquid crystal process, etc., it cannot be found unless the TFT substrate and the CF substrate are bonded together and inspected for lighting. In order to cut the pixel electrode connecting portion), it is necessary to carry out from the back surface of the substrate. As a correction method, correction is performed by laser irradiation. As shown in FIG. 1B, the pixel electrode 9 at the location where the vertical leak occurs is cut at the slit connecting portion 12 in the conventional liquid crystal display device. When trying to correct, the connection portion 12 is cut from the back surface of the AM substrate by laser irradiation (hereinafter referred to as “laser cut”), so the metal wiring (metal wiring) is cut simultaneously with the connection portion 12. There is a possibility that. In view of this state, the present inventors have found that the interelectrode slit connecting portion 12 is disposed outside the light shielding region where the metal wiring or the like is disposed, as shown in FIG. It has been found that even if the pixel electrode 9 is separated from the back surface of the AM substrate by laser irradiation, the signal line and the scanning line are not cut, so that the defective portion can be separated and made into a minute defect without affecting the adjacent pixels. In addition, there was a concern about the alignment failure of the liquid crystal molecules around the connection part by moving the connection part between the electrode slits outside the light shielding area, but there was no significant influence on the display quality as a whole pixel. When the connection part 12 is cut off, it approaches the original desired shape of the pixel electrode slit of the MVA method, etc., and thus it is found that the influence on the display quality of the pixel electrode that is operating normally after correction is extremely small. I came up with a solution.
In addition, by forming a light-shielding region from the light-shielding structure and the discontinuous light-shielding structure of the adjacent pixel, or by marking the installation position of the electrode slit connection portion according to the shape of the light-shielding structure, Even when the connecting portion is arranged in the case, the position of the connecting portion can be easily confirmed visually so that it can be corrected and the same action and effect can be exhibited. It is.
In addition to the vertical leak, the display device substrate of the present invention has a failure mode such as a D-Cs leak or an electrical short circuit between the capacitor electrode formed on the auxiliary capacitance wiring and the signal line. Even if it corresponds, it can fully respond.

すなわち本発明は、表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、上記アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、上記対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有し、上記電極スリットの電気的接続部は、少なくとも1つが遮光領域外に設けられたものである表示装置用基板である。 That is, the present invention includes an active matrix substrate and a counter substrate facing each other with a display medium layer interposed therebetween, the active matrix substrate having pixel electrodes arranged in a matrix on the display medium layer side, and the counter substrate is A display device substrate having a structure having a common electrode facing a pixel electrode on a display medium layer side, wherein the display device substrate has an electrode slit formed in the pixel electrode or the common electrode, and the electrode slit The electrical connection part is a display device substrate in which at least one of the electrical connection parts is provided outside the light shielding region.

本発明はまた、表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、上記アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、上記対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有し、上記電極スリットの電気的接続部は、少なくとも1つが隣接画素の遮光用構造物と不連続の遮光用構造物から形成される遮光領域内に設けられたものである表示装置用基板でもある。 The present invention also includes an active matrix substrate and a counter substrate facing each other across the display medium layer, the active matrix substrate having pixel electrodes arranged in a matrix on the display medium layer side, the counter substrate being A display device substrate having a structure having a common electrode facing a pixel electrode on a display medium layer side, wherein the display device substrate has an electrode slit formed in the pixel electrode or the common electrode, and the electrode slit The electrical connection part is also a substrate for a display device, at least one of which is provided in a light shielding region formed from a light shielding structure of a neighboring pixel and a discontinuous light shielding structure.

本発明は更に、表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、上記アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、上記対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有し、上記電極スリットの電気的接続部は、少なくとも1つが遮光領域内に設けられ、かつ遮光用構造物の形状により設置位置に目印が付されたものである表示装置用基板でもある。 The present invention further includes an active matrix substrate and a counter substrate facing each other across the display medium layer, the active matrix substrate having pixel electrodes arranged in a matrix on the display medium layer side, and the counter substrate is A display device substrate having a structure having a common electrode facing a pixel electrode on a display medium layer side, wherein the display device substrate has an electrode slit formed in the pixel electrode or the common electrode, and the electrode slit The electrical connection portion is also a display device substrate in which at least one of the electrical connection portions is provided in the light shielding region, and the installation position is marked by the shape of the light shielding structure.

本発明の表示装置用基板は、表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、該アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、該対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置に用いられる基板である。このような表示装置用基板が適用される表示装置としては、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットにより液晶分子の配向分割を行う表示方式の液晶表示装置が好ましく、例えば、MVA方式の液晶表示装置が好ましい。また、表示装置用基板の駆動方式としては、ドット(DOT)反転方式、ライン反転方式等を用いることが可能である。また、透過型のみならず、反射型又は反射透過両用型の表示装置であってもよい。なお、本発明の表示装置用基板は、液晶表示装置の他、画素電極を有する表示装置、例えば、電気泳動ディスプレイにも適応可能である。
本発明の表示装置用基板としては、上述した表示装置が有するアクティブマトリクス基板又は対向基板として用いられることとなる。アクティブマトリクス基板としては、TFT(薄膜トランジスタ)アレイ基板等が挙げられ、対向基板としては、例えば、カラーフィルタ基板等が挙げられる。
The display device substrate of the present invention includes an active matrix substrate and a counter substrate facing each other with a display medium layer interposed therebetween, and the active matrix substrate has pixel electrodes arranged in a matrix on the display medium layer side, The counter substrate is a substrate used for a display device having a structure having a common electrode facing the pixel electrode on the display medium layer side. As a display device to which such a substrate for a display device is applied, a display type liquid crystal display device in which liquid crystal molecules are aligned and divided by an electrode slit formed in a pixel electrode or a common electrode is preferable. For example, an MVA type liquid crystal display device is used. A display device is preferred. Further, as a method for driving the display device substrate, a dot (DOT) inversion method, a line inversion method, or the like can be used. Further, not only a transmission type but also a reflection type or a reflection / transmission type display device may be used. The display device substrate of the present invention can be applied to a display device having a pixel electrode, for example, an electrophoretic display, in addition to a liquid crystal display device.
The display device substrate of the present invention is used as an active matrix substrate or a counter substrate included in the display device described above. Examples of the active matrix substrate include a TFT (thin film transistor) array substrate, and examples of the counter substrate include a color filter substrate.

上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有するものであり、該電極スリットの電気的接続部(電極スリット間接続部)は、電極スリットにより分割された電極同士をレーザーカットで分離できる程度の大きさに設けられることが好ましい。ここで、本発明の表示装置用基板がアクティブマトリクス基板である場合には、画素電極に電極スリットを形成することとなり、対向基板である場合には、共通電極(対向電極)に電極スリットを形成することとなる。
上記電極スリットの電気的接続部の形態としては、(1)遮光領域外に設けられた形態、(2)隣接画素の遮光用構造物と不連続の遮光用構造物から形成される遮光領域内に設けられた形態、(3)遮光領域内に設けられ、かつ遮光用構造物の形状により設置位置に目印が付されたものである形態の3形態が挙げられる。本発明の表示装置用基板は、上記(1)〜(3)の形態の電極スリットの電気的接続部のうち、基板内にいずれか1形態の電極スリットの電気的接続部を有するものであればよく、基板内に複数形態の電極スリットの電気的接続部を有するものであってもよい。したがって、本発明においては、1画素内に上記(2)の形態の隣接画素と不連続の遮光用構造物と、上記(3)の形態の電極スリットの電気的接続部の設置位置に付した目印とが混在していてもよい。また、本発明においては、電極スリットの電気的接続部は遮光領域の内外に混在していてもよい。
なお、遮光領域としては、透過光が遮断された領域であれば特に限定されず、例えば、(a)アクティブマトリクス基板に形成された金属配線、(b)アクティブマトリクス基板又は対向基板に形成されたブラックマトリクス、(c)アクティブマトリクス基板又は対向基板に形成されたカラーフィルタの多色重ねのうち、少なくともいずれかの遮光用構造物から形成される領域であることが好適である。ここで、遮光領域は、本発明の表示装置用基板に形成されるものであってもよいし、本発明の表示装置用基板がアクティブマトリクス基板である場合に、対向基板に形成されるものであってもよく、対向基板である場合に、アクティブマトリクス基板に形成されるものであってもよい。
The substrate for a display device has an electrode slit formed in a pixel electrode or a common electrode, and an electrical connection part (inter-electrode slit connection part) of the electrode slit includes electrodes divided by the electrode slit. It is preferable to provide a size that can be separated by laser cutting. Here, when the substrate for a display device of the present invention is an active matrix substrate, an electrode slit is formed on the pixel electrode, and when it is an opposing substrate, an electrode slit is formed on the common electrode (counter electrode). Will be.
As the form of the electrical connection portion of the electrode slit, (1) a form provided outside the light shielding area, (2) inside a light shielding area formed from a light shielding structure of a neighboring pixel and a discontinuous light shielding structure (3) There are three forms that are provided in the light-shielding region and that are marked at the installation position by the shape of the light-shielding structure. The display device substrate of the present invention has any one of the electrode slit electrical connection portions in the substrate among the electrode slit electrical connection portions of the above-described forms (1) to (3). What is necessary is just to have an electrical connection part of the electrode slit of multiple forms in a board | substrate. Accordingly, in the present invention, the adjacent pixel and discontinuous light shielding structure in the form (2) and the electrical connection portion of the electrode slit in the form (3) are provided in one pixel. Marks may be mixed. In the present invention, the electrical connection portions of the electrode slits may be mixed inside and outside the light shielding region.
The light shielding region is not particularly limited as long as the transmitted light is blocked. For example, (a) metal wiring formed on the active matrix substrate, (b) formed on the active matrix substrate or the counter substrate. It is preferable that the region be formed from at least one of the light shielding structures among the black matrix and (c) the multi-color stack of color filters formed on the active matrix substrate or the counter substrate. Here, the light shielding region may be formed on the display device substrate of the present invention, or may be formed on the counter substrate when the display device substrate of the present invention is an active matrix substrate. If it is a counter substrate, it may be formed on an active matrix substrate.

上記(1)の形態では、電極スリット間接続部は遮光領域外に設けられることとなるが、これにより、欠陥箇所を切り離しても信号線や走査線が切断されないため、隣接画素に影響を加えることなく欠陥箇所を切り離して微小欠陥とすることができると共に、修正後正常動作している画素電極の表示品位に与える影響は極少ないものとなる。特に好ましい形態としては、図1−1に示すように、上記表示装置用基板がアクティブマトリクス基板である場合において、該基板に形成された金属配線が存在しない領域に設けられることである。
上記(2)の形態では、電極間スリット接続部は隣接画素の遮光用構造物と不連続の遮光用構造物下に配置されることとなるが、具体的には、例えば、図6に示すように、金属配線が存在しない領域に設けられた電極間スリット接続部を、ブラックマトリクス等の遮光物下に配置する形態が挙げられる。このような形態では、光漏れ等を防止することができる。なお、遮光用構造物(遮光物)としては、金属配線、ブラックマトリクス、カラーフィルタの多色重ね等が挙げられる。また、上記(2)の形態では、電極間スリット接続部が内部に設けられる遮光領域が、隣接画素と不連続の遮光物から形成されたものであればよく、通常では、隣接画素と不連続の遮光物と、隣接画素と連続する遮光物とが共に基板上に存在することとなる。このとき、隣接画素と不連続の遮光物と、隣接画素と連続する遮光物とは、同じ材料からなるものであってもよく、別の材料からなるものであってもよい。
上記(3)の形態では、遮光用構造物の形状により電極スリット接続部の設置位置に目印を付すこととなるが、これにより、遮光領域内に電極スリット間接続部を設けた場合であっても遮光物下の修正箇所を認識することが可能となる。遮光用構造物の形状による目印としては、修正箇所の目印となるものであれば特に限定されず、例えば、図7の目印29に示す三角形状の切れ込みの他、三角形状の突起、矩形の切れ込みや突起等であってもよく、また、球形状等の独立したパターンであってもよい。なお、電極スリット接続部の設置位置を示す目印は、電極スリットの電気的接続部を遮光する遮光用構造物に形成されたものであってもよく、別の部材で形成されたものであってもよい。別の部材で形成された目印が用いられる例としては、信号配線上の遮光はCF基板側のBM(ブラックマトリクス)で行い、その遮光物(BM)内に配置した電極スリット間接続部の位置をAM基板側の信号配線の形状で目印を付す例等が挙げられる。
これらの形態の中でも、上記(1)の形態が特に好適である。
In the form of (1) above, the electrode slit connecting portion is provided outside the light shielding region. However, even if the defective portion is cut off, the signal line and the scanning line are not cut, thereby affecting adjacent pixels. Thus, the defect portion can be cut off to be a minute defect, and the influence on the display quality of the pixel electrode which is operating normally after correction is extremely small. As a particularly preferred mode, as shown in FIG. 1-1, when the display device substrate is an active matrix substrate, the display device substrate is provided in a region where there is no metal wiring formed on the substrate.
In the mode (2), the inter-electrode slit connecting portion is disposed under the light shielding structure and the discontinuous light shielding structure of the adjacent pixels. Specifically, for example, as shown in FIG. As described above, there is a mode in which the inter-electrode slit connection portion provided in the region where the metal wiring does not exist is disposed under a light shielding object such as a black matrix. In such a form, light leakage or the like can be prevented. Examples of the light shielding structure (light shielding material) include a metal wiring, a black matrix, and a multicolor overlapping of color filters. In the mode (2), the light shielding region in which the inter-electrode slit connecting portion is provided may be formed of a light shielding material that is discontinuous with the adjacent pixels. The light shielding object and the light shielding object continuous with the adjacent pixels are both present on the substrate. At this time, the adjacent pixel and the discontinuous light shielding object and the light shielding object continuous with the adjacent pixel may be made of the same material or different materials.
In the form of (3) above, the position of the electrode slit connection portion is marked according to the shape of the light shielding structure. This is a case where the electrode slit connection portion is provided in the light shielding region. In addition, it becomes possible to recognize the corrected portion under the light blocking object. The mark according to the shape of the light shielding structure is not particularly limited as long as it is a mark of a correction portion. For example, in addition to the triangular notch shown in the mark 29 in FIG. 7, a triangular protrusion, a rectangular notch Or a projection or the like, or an independent pattern such as a spherical shape. The mark indicating the installation position of the electrode slit connection portion may be formed on a light shielding structure that shields the electrical connection portion of the electrode slit, or may be formed of another member. Also good. As an example in which a mark formed of another member is used, light shielding on the signal wiring is performed by a BM (black matrix) on the CF substrate side, and the position of the electrode slit connecting portion disposed in the light shielding material (BM). An example in which a mark is attached with the shape of the signal wiring on the AM substrate side.
Among these forms, the form (1) is particularly suitable.

以下では、本発明の表示装置用基板における更に好ましい形態について説明する。
上記表示装置用基板は、電極スリットが形成された画素電極を有するアクティブマトリクス基板であることが好適であり、このようなアクティブマトリクス基板としては、絶縁性基板上に、走査線、信号線、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、更に層間絶縁膜及び画素電極を備え、該スイッチング素子は、走査線と信号線とが交差する交差部に設けられ、走査線に接続されたゲート電極と、信号線に接続されたソース電極と、画素電極に接続されたドレイン引出電極とを有し、該層間絶縁膜は、補助容量配線上に絶縁層を介して複数配置された容量電極それぞれに接続され、スイッチング素子のドレイン引出電極と画素電極とを接続させる複数のコンタクトホールを有し、該コンタクトホール間に補助容量配線をまたがって電極スリットが形成されたものである形態が好ましい。
このような形態において、層間絶縁膜は、信号線、走査線及びスイッチング素子の上部に設けられるが、この層間絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、更に層間絶縁膜の上部に画素電極が設けられることとなる。本発明では、信号線と画素電極間の層間絶縁膜を充分に厚くし、信号線と画素電極とが重なっていても容量増加が少なくなるようにすることが好適である。これにより、信号線と画素電極とが重なる構造を採用でき、画素電極周囲の配向不良を隠す遮光膜領域(遮光領域)を極力少なくすることが可能となる。
Below, the more preferable form in the board | substrate for display apparatuses of this invention is demonstrated.
The display device substrate is preferably an active matrix substrate having a pixel electrode in which an electrode slit is formed. As such an active matrix substrate, a scanning line, a signal line, a switching line is formed on an insulating substrate. The switching element is provided at an intersection where the scanning line and the signal line intersect, and includes a gate electrode connected to the scanning line, and a signal line. A source electrode connected to the drain electrode, and a drain extraction electrode connected to the pixel electrode, and the interlayer insulating film is connected to each of the plurality of capacitor electrodes arranged on the auxiliary capacitor wiring via the insulating layer, and switched. The device has a plurality of contact holes for connecting the drain extraction electrode of the device and the pixel electrode, and the electrode slot extends across the auxiliary capacitance wiring between the contact holes. Form in which bets are formed are preferred.
In such a form, the interlayer insulating film is provided above the signal lines, the scanning lines, and the switching elements, and a contact hole is provided in the interlayer insulating film, and further a pixel electrode is provided above the interlayer insulating film. It becomes. In the present invention, it is preferable that the interlayer insulating film between the signal line and the pixel electrode is sufficiently thick so that the increase in capacitance is reduced even if the signal line and the pixel electrode overlap. As a result, a structure in which the signal line and the pixel electrode overlap with each other can be adopted, and the light shielding film region (light shielding region) that hides the alignment failure around the pixel electrode can be reduced as much as possible.

上記形態において、画素電極は、各画素のスイッチング素子から伸びるドレイン配線とコンタクトホールにより接続されており、これにより、画素電極にドレイン電位が供給されることとなる。ドレイン引出電極としては、1画素内に複数存在することが好ましい。またドレイン引出電極としては、容量電極に層間絶縁膜下で直接接続されたものであることが好ましい。すなわち、例えば、図1−1に示すように、枝分かれしたドレイン引出電極5を用いてスイッチング素子(例えば、TFT素子)3から個々の補助容量電極6まで層間絶縁膜下で直接接続する構造を採ることにより、スイッチング素子3から補助容量配線2間で上下リークが発生した場合に該当部分の画素電極を切り離しても、残りの画素電極で表示することが可能となる。 In the above embodiment, the pixel electrode is connected to the drain wiring extending from the switching element of each pixel by the contact hole, and thereby the drain potential is supplied to the pixel electrode. It is preferable that a plurality of drain extraction electrodes exist in one pixel. The drain extraction electrode is preferably directly connected to the capacitance electrode under the interlayer insulating film. That is, for example, as shown in FIG. 1-1, a structure is used in which a branched drain extraction electrode 5 is used to directly connect a switching element (for example, TFT element) 3 to each auxiliary capacitance electrode 6 under an interlayer insulating film. As a result, when a vertical leak occurs between the switching element 3 and the auxiliary capacitance line 2, even if the corresponding pixel electrode is cut off, the remaining pixel electrodes can be displayed.

上記形態において、コンタクトホールは、補助容量配線上に絶縁層を介して複数配置された容量電極それぞれに接続されたものであり、該スイッチング素子のドレイン引出電極と画素電極とを接触させるものである。すなわち、上記形態では、補助容量配線上に形成された容量電極が複数存在しており、その容量電極上には画素電極と接続されたコンタクトホールが各々設けられている。上記形態においては、このような複数(2以上)のコンタクトホールのうち少なくとも2個のコンタクトホール間に、画素電極の電極スリットが補助容量配線をまたいで設けられることとなる。なお、本願明細書における「以上」は、当該数値を含むものである。また、上記コンタクトホールに接続された容量電極同士は独立した構造を採ることが好ましい。このような形態にすることにより、上下リークにより片側のコンタクトホールに接続されている画素電極領域を切り離しても、他方の容量電極が機能するため、修正後の補助容量による液晶表示品位の低下を充分に防ぐことができる。 In the above embodiment, the contact hole is connected to each of the plurality of capacitor electrodes arranged on the auxiliary capacitor wiring via the insulating layer, and contacts the drain extraction electrode and the pixel electrode of the switching element. . That is, in the above embodiment, there are a plurality of capacitance electrodes formed on the auxiliary capacitance wiring, and contact holes connected to the pixel electrodes are respectively provided on the capacitance electrodes. In the above embodiment, the electrode slit of the pixel electrode is provided across the auxiliary capacitance wiring between at least two of the plurality (two or more) of contact holes. In the specification of the present application, “above” includes the numerical value. In addition, it is preferable that the capacitor electrodes connected to the contact hole have an independent structure. By adopting such a configuration, even if the pixel electrode region connected to the contact hole on one side is separated due to vertical leakage, the other capacitor electrode functions, so the liquid crystal display quality is reduced by the corrected auxiliary capacitor. It can be sufficiently prevented.

本発明においては、電極スリットが形成された画素電極の一部で導電性異物等により電気的短絡が発生し、画素欠陥が生じた場合には、レーザー照射等の方法により電極スリットの電気的接続部を切断し、電気的短絡が発生した領域を他の領域から電気的に分離することにより、画素欠陥の修正を行うこととなる。その結果、修正後には、電気的短絡が発生した画素電極と他の画素電極とが接続されていない状態となる。このような画素欠陥修正後の形態であって、コンタクトホールに接続された画素電極同士が接続されていない形態もまた、本発明の好ましい形態の1つである。 In the present invention, when an electrical short circuit occurs due to conductive foreign matter or the like in a part of the pixel electrode in which the electrode slit is formed and a pixel defect occurs, the electrical connection of the electrode slit is performed by a method such as laser irradiation. The pixel defect is corrected by cutting the portion and electrically isolating the region where the electrical short circuit has occurred from other regions. As a result, after the correction, the pixel electrode in which the electrical short circuit has occurred is not connected to the other pixel electrode. A form after such a pixel defect correction, in which the pixel electrodes connected to the contact holes are not connected, is also a preferred form of the present invention.

上記形態の表示装置用基板において、電極スリットの電気的接続部は、ドレイン配線上に存在する構造を有することが好ましい。これにより、例えば、ドレイン引出電極にコンタクトホールを介して接続された画素電極領域で上下リークが発生し、切り離す必要がある場合には、ドレイン配線と電極スリット間接続部との両方を個別にレーザーカットすることなく、電極スリット間接続部をレーザーカットするのみで欠陥が生じた画素電極を切り離すことができ、画素欠陥の修正を簡略化することができる。 In the display device substrate of the above aspect, the electrical connection portion of the electrode slit preferably has a structure existing on the drain wiring. Thus, for example, when a vertical leak occurs in the pixel electrode region connected to the drain extraction electrode via the contact hole and it is necessary to separate it, both the drain wiring and the electrode slit connection portion are individually laser Without cutting, the pixel electrode in which the defect has occurred can be separated only by laser cutting the electrode slit connecting portion, and the correction of the pixel defect can be simplified.

上記形態の表示装置用基板としてはまた、電極スリット近傍の信号線が複数本並列して配置され、その各々が部分的に接続された構造を有するものであることが好適である。レーザーカットの対象となる電極スリット間接続部が信号線近傍に存在する場合には、レーザーカット時に電極スリット接続部と同時に信号線を切断する可能性がある。そのため、配線が切断された時のデータ信号の迂回経路を確保する対策を予め採っておくことが好ましく、例えば、図8に示すように、修正部近傍のデータ信号配線4(信号線)を並列させ、かつ各々を部分的に接続させることによって、レーザーカットによりデータ信号配線4の片側の配線4bが切断されても、もう片側の配線4aにてデータ信号を迂回できる構造とすることが好適である。なお、レーザーカット対象箇所の信号線は、複数本であれば特に限定されず、図8に示すように2本であってもよく、それ以上の本数を配置してもよい。 It is preferable that the display device substrate of the above embodiment has a structure in which a plurality of signal lines in the vicinity of the electrode slits are arranged in parallel and each of them is partially connected. When the electrode slit connecting portion to be laser cut exists in the vicinity of the signal line, the signal line may be cut simultaneously with the electrode slit connecting portion at the time of laser cutting. For this reason, it is preferable to take measures to secure a detour path of the data signal when the wiring is cut in advance. For example, as shown in FIG. 8, the data signal wiring 4 (signal line) in the vicinity of the correction unit is arranged in parallel. In addition, by connecting each of them partially, even if the wiring 4b on one side of the data signal wiring 4 is cut by laser cutting, it is preferable that the data signal be bypassed by the wiring 4a on the other side. is there. The number of signal lines at the laser cutting target is not particularly limited as long as it is plural, and may be two as shown in FIG. 8, or a larger number may be arranged.

上記形態の表示装置用基板としては更に、電極スリットが形成された画素電極に隣接画素のドレイン電位を供給する修正構造を有するものであることが好適である。修正構造としては、例えば、隣接する画素間に画素接続用電極を架設し、絶縁層を介して、その上層で隣接する画素の両方に修正用電極部を設け、修正用電極部上に画素電極と接続されたコンタクトホールを設けた構造等が挙げられる。通常では、画素電極へのドレイン電位の供給源であるコンタクトホールが接続されている画素電極上で上下リークが発生した場合には、該当部分を切り離すと残りの画素電極には信号が供給されないため、画素全体が欠陥となる。このような場合に、例えば、図9に示すように、隣接画素同士を接続させるためのコンタクト構造32を形成しておく等して隣接画素のドレイン電位を供給する修正構造を有するものとすると、コンタクトホール8に接続された画素電極に不良が発生した場合には、該画素電極をレーザーカットで分離した後、コンタクトホール8aに接続された電極33と、隣接画素同士の電極33間に交差するよう配置された配線34との交差部31をレーザー照射により導通させることによって、残りの画素電極にほぼ正常のドレイン電位を供給させ、機能させることが可能となり、表示品位の低下を充分に抑制することができる。 It is preferable that the display device substrate of the above aspect further has a correction structure for supplying the drain potential of the adjacent pixel to the pixel electrode in which the electrode slit is formed. As a correction structure, for example, a pixel connection electrode is installed between adjacent pixels, a correction electrode portion is provided on both adjacent pixels in the upper layer via an insulating layer, and the pixel electrode is provided on the correction electrode portion. And a structure in which a contact hole connected to is provided. Normally, when a vertical leak occurs on a pixel electrode to which a contact hole, which is a source for supplying a drain potential to the pixel electrode, is connected, a signal is not supplied to the remaining pixel electrodes if the corresponding part is cut off. The entire pixel becomes defective. In such a case, for example, as shown in FIG. 9, if a contact structure 32 for connecting adjacent pixels is formed to have a correction structure for supplying the drain potential of the adjacent pixels, When a defect occurs in the pixel electrode connected to the contact hole 8, the pixel electrode is separated by laser cutting, and then intersects between the electrode 33 connected to the contact hole 8a and the electrode 33 between adjacent pixels. By connecting the crossing portion 31 with the wiring 34 arranged in this way by laser irradiation, it becomes possible to supply the remaining pixel electrode with a substantially normal drain potential and to make it function, and sufficiently suppress the deterioration of display quality. be able to.

上記表示装置用基板としてはまた、電極スリットが形成された共通電極を有する対向基板であることが好適である。なお、上記対向基板としては、カラーフィルタ(CF)基板であることが好ましい。また、上記電極スリットは、遮光領域外に形成されたものであることが好適である。このように遮光領域外で共通電極(対向電極)にスリット形状を仕込んでおけば、より細かく領域分割することができる。このような場合には、遮光領域外にも電極間スリット接続部(分割箇所)が設けられることが好ましい。
上記電極スリットの電気的接続部としては上述した(1)〜(3)の形態であればよいが、その配置形態は、例えば、図4−1に示すように、電極領域24を囲んで配置することが好ましい。これによって、電極領域24内にて上下リークが発生した場合には、発生部位を最小限の独立した電極にできる周囲のスリット接続部25をレーザーカットすることにより切り離し可能となる。この場合のレーザー出力/波長についてはCFの膜厚や膜質により異なるため、確実に切断できる出力に調整することが必要である。
上記形態において、CF基板側に着色層を形成する場合には、赤の着色層上の電極パターンであれば赤外線レーザーのエネルギーは着色層内に吸収されないため、赤外線レーザーによる修正は可能であるが、他の着色層(緑、青等)においてはエネルギーを吸収するため、切断されてしまうおそれがある。したがって、CF基板と対向する基板(AM基板)に遮光用の金属等を配置し、レーザーカット修正後の光漏れを遮光する等の対策を行うことが好ましい。一方、この形態の表示装置用基板をレントゲン用途等に用いられるモノクロ表示装置や、TFT基板上にCFパターンを形成するCFonTFT構造(例えば、特開2000−147555号公報等に記載。)等の表示装置に用いる場合には、問題なく本発明によるレーザーカット修正を実行することが可能である。
The display device substrate is preferably a counter substrate having a common electrode in which an electrode slit is formed. Note that the counter substrate is preferably a color filter (CF) substrate. The electrode slit is preferably formed outside the light shielding region. Thus, if the slit shape is prepared in the common electrode (counter electrode) outside the light shielding region, the region can be divided more finely. In such a case, it is preferable that an inter-electrode slit connection portion (divided portion) is provided outside the light shielding region.
The electrical connection portion of the electrode slit may be in the form of (1) to (3) described above. However, for example, as shown in FIG. 4A, the arrangement form surrounds the electrode region 24. It is preferable to do. As a result, when a vertical leak occurs in the electrode region 24, it can be separated by laser-cutting the surrounding slit connection portion 25 that can make the generation site a minimum independent electrode. Since the laser output / wavelength in this case varies depending on the CF film thickness and film quality, it is necessary to adjust the output so that the laser can be cut reliably.
In the above embodiment, when the colored layer is formed on the CF substrate side, if the electrode pattern is on the red colored layer, the energy of the infrared laser is not absorbed in the colored layer. The other colored layers (green, blue, etc.) absorb energy and may be cut off. Therefore, it is preferable to take measures such as arranging a light shielding metal or the like on the substrate (AM substrate) facing the CF substrate to shield the light leakage after the laser cut correction. On the other hand, a display such as a monochrome display device in which the display device substrate of this embodiment is used for X-ray applications, a CFon TFT structure (for example, described in JP 2000-147555 A) or the like that forms a CF pattern on a TFT substrate. When used in an apparatus, it is possible to carry out laser cut correction according to the present invention without problems.

本発明はまた、上記表示装置用基板における電気的短絡を修正する表示装置の修正方法であって、上記表示装置の修正方法は、アクティブマトリクス基板と対向基板との電極間で電気的短絡が発生した場合に、少なくともいずれかの基板裏面側から不良発生部をレーザー照射にて切り離す表示装置の修正方法でもある。通常、上下リークは、TFT工程、CF工程、液晶工程で付着した導電性異物が原因であり、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて点灯検査することで確認されるため、上記修正方法においては、これらの基板のうちいずれかの基板裏面側、すなわちガラス面側からレーザー照射することとなる。
このようにレーザー照射する箇所としては、本発明の表示装置用基板が有する電極スリット間接続部であることが好適であり、不良発生箇所周囲の電極スリット間接続部をレーザー照射にて切断して不良発生箇所を切り離すことにより、上下リーク発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすることができ、表示装置の表示品位の低下を防止し、歩留りを向上させることが可能となる。
上記表示装置の修正方法においては、紫外線よりもガラスを透過しやすい赤外線(IR)であるイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)レーザーの基本波(波長1064nm)を用いることが好適である。
The present invention is also a display device correcting method for correcting an electrical short circuit in the display device substrate, wherein the display device correcting method causes an electrical short circuit between electrodes of an active matrix substrate and a counter substrate. In this case, it is also a method for correcting the display device in which the defective portion is separated by laser irradiation from at least one of the back side of the substrate. Normally, the vertical leak is caused by conductive foreign matter adhering in the TFT process, CF process, and liquid crystal process, and is confirmed by attaching and illuminating the active matrix substrate and the counter substrate. Is irradiated with laser from the back side of one of these substrates, that is, the glass side.
Thus, it is preferable that the portion to be irradiated with laser is the electrode slit connecting portion of the display device substrate of the present invention, and the electrode slit connecting portion around the defective portion is cut by laser irradiation. By separating the defect occurrence location, it is possible to make it difficult to recognize as a defect by making the vertical leak occurrence location a minute defect, thereby preventing the display quality of the display device from being lowered and improving the yield.
In the method for correcting the display device, it is preferable to use a fundamental wave (wavelength: 1064 nm) of an yttrium aluminum garnet (YAG) laser that is infrared (IR) that is more easily transmitted through glass than ultraviolet light.

本発明は更に、上記表示装置用基板における電気的短絡を修正する方法であって、上記表示装置用基板の修正方法は、ドレイン引出電極と補助容量配線との間で電気的短絡が発生した場合に、アクティブマトリクス基板の画素電極側から不良発生部をレーザー照射にて切り離す表示装置用基板の修正方法でもある。なお、このような修正方法に用いられる表示装置用基板は、アクティブマトリクス基板である。通常、ドレイン引出電極と補助容量配線との間の電気的短絡(D−Csリーク)は、アクティブマトリクス基板のパターニング完了状態で欠陥箇所を目視で特定することができるため、上記修正方法においては、該アクティブマトリクス基板の画素電極側、すなわちガラス面と反対側の面からレーザー照射することとなる。
このようにレーザー照射する箇所としては、不良発生箇所を切り離すこととなる限り特に限定されず、例えば、図10に示すように、D−Csリークが確認されたコンタクトホール8’上の画素電極周囲35を切除し、該コンタクトホール8’に接続されたドレイン引出配線5’をレーザーカットすることとしてもよいが、本発明の表示装置用基板が有する電極スリット間接続部を切断することが好適であり、例えば、図10では、電極スリット間接続部13を切断する方が配向不良を充分に抑制できるため好ましい。
上記表示装置用基板の修正方法においては、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)レーザーの第4高調波(波長266nm)を用いることが好適である。
The present invention further relates to a method of correcting an electrical short circuit in the display device substrate, wherein the display device substrate correction method is performed when an electrical short circuit occurs between the drain extraction electrode and the auxiliary capacitance wiring. In addition, it is a method for correcting a substrate for a display device in which a defective portion is separated from the pixel electrode side of the active matrix substrate by laser irradiation. Note that the display device substrate used in such a correction method is an active matrix substrate. Usually, since an electrical short (D-Cs leak) between the drain extraction electrode and the auxiliary capacitance wiring can identify a defective portion visually in a patterning completion state of the active matrix substrate, in the above correction method, Laser irradiation is performed from the pixel electrode side of the active matrix substrate, that is, the surface opposite to the glass surface.
The location where laser irradiation is performed in this way is not particularly limited as long as the failure occurrence location is cut off. For example, as shown in FIG. 10, the periphery of the pixel electrode on the contact hole 8 ′ where the D-Cs leak is confirmed. The drain lead wiring 5 ′ connected to the contact hole 8 ′ may be laser-cut by cutting 35, but it is preferable to cut the electrode slit connecting portion of the display device substrate of the present invention. Yes, for example, in FIG. 10, it is preferable to cut the connection part 13 between the electrode slits because alignment defects can be sufficiently suppressed.
In the above method for correcting a substrate for a display device, it is preferable to use the fourth harmonic (wavelength 266 nm) of an yttrium aluminum garnet (YAG) laser.

本発明はそして、上記表示装置用基板を備えてなる液晶表示装置であって、上記液晶表示装置は、電極スリットにより液晶分子の配向分割を行う液晶表示装置でもある。
上記液晶表示装置としては、MVA方式の液晶表示装置が好ましいが、画素電極に形成された電極スリットにより液晶分子の配向分割を行う表示方式のものであれば特に限定されるものではない。また、液晶表示装置の駆動方式としては、ドット(DOT)反転方式、ライン反転方式等を用いることが可能である。また、透過型のみならず、反射型又は反射投下両用型の表示装置であってもよい。
このような液晶表示装置としては、上記表示装置用基板がアクティブマトリクス基板又は対向基板に用いられることにより、上下リークやD−Csリーク、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の欠陥を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすることができ、表示品位の低下が防止され、高い歩留りで製造される。
The present invention is a liquid crystal display device comprising the display device substrate, wherein the liquid crystal display device is also a liquid crystal display device that performs alignment division of liquid crystal molecules by electrode slits.
The liquid crystal display device is preferably an MVA type liquid crystal display device, but is not particularly limited as long as it is a display type in which liquid crystal molecules are aligned and divided by electrode slits formed in pixel electrodes. As a driving method of the liquid crystal display device, a dot (DOT) inversion method, a line inversion method, or the like can be used. Moreover, not only a transmission type but also a reflection type or a reflection throwing type display device may be used.
As such a liquid crystal display device, when the display device substrate is used as an active matrix substrate or a counter substrate, vertical leakage, D-Cs leakage, a capacitance electrode formed on an auxiliary capacitance wiring, and a signal line are connected. By making a defect such as an electrical short circuit a minute defect, it can be made difficult to recognize as a defect, display quality is prevented from being deteriorated, and a high yield is produced.

本発明の表示装置用基板は、上述のような構成であるので、導電性異物の付着に起因する上下リーク発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすると共に、高い表示品位を維持し、歩留りを向上することができ、また、D−Csリークや、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の不良モードに対しても対応可能なものであり、高いパネル品位が要求される大型液晶テレビ等の液晶パネル等に好適に用いることができるものである。 Since the substrate for a display device of the present invention has the above-described configuration, it is difficult to recognize the occurrence of a vertical leak caused by the adhesion of conductive foreign matters as a minute defect, and the high display quality is maintained. In addition, the yield can be improved, and it is possible to cope with a failure mode such as a D-Cs leak or an electrical short circuit between the capacitor electrode formed on the auxiliary capacitor wiring and the signal line. Therefore, it can be suitably used for liquid crystal panels such as large liquid crystal televisions that require high panel quality.

本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施形態では、透過型の液晶表示装置について説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, transmissive liquid crystal display devices will be described. However, the present invention is not limited to these embodiments.

(実施形態1)
図2は、本発明に係る実施形態1の液晶表示装置100の構成を模式的に示す断面図であり、図3は、図2に示す液晶表示装置100に備えられるアクティブマトリクス基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。
液晶表示装置100は、互いに対向する1対の基板を有し、プラスチックビーズや、カラーフィルタ基板20上等に設けた柱状樹脂構造物をスペーサ(図示せず)として用い、基板間隔が一定に保持されている。液晶表示装置100は、アクティブマトリクス型液晶表示装置であり、カラーフィルタ基板20及びTFT等のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板30を有する。
(Embodiment 1)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 shows the shape of the pixel electrode of the active matrix substrate provided in the liquid crystal display device 100 shown in FIG. It is a top view which shows typically.
The liquid crystal display device 100 has a pair of substrates facing each other, and uses a plastic resin bead or a columnar resin structure provided on the color filter substrate 20 or the like as a spacer (not shown) to keep the substrate interval constant. Has been. The liquid crystal display device 100 is an active matrix liquid crystal display device, and includes a color filter substrate 20 and an active matrix substrate 30 having switching elements such as TFTs.

アクティブマトリクス基板(AM基板)30の製造方法について、以下に説明する。
透明基板10の上に、スパッタリングによりTi/Al/Ti積層膜等の金属を成膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、塩素系ガス等のエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離することで、走査信号用配線(ゲート配線、走査線)1及び補助容量配線2を同時に形成する。その後、窒化シリコン(SiNx)等からなるゲート絶縁膜、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層、及び、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層を化学蒸着(CVD)にて成膜した後、スパッタリングによりAl/Ti等の金属を成膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、塩素系ガス等のエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離することで、データ信号用配線(ソース配線、信号線)4、ドレイン引出配線5及び補助容量形成用電極(補助容量電極)6を同時に形成する。なお、補助容量は、補助容量配線2と補助容量形成電極6との間に約4000Åのゲート絶縁膜を挟んで形成されている。その後、低抵抗半導体層を、塩素ガス等を用いたドライエッチングにてソースドレイン分離し、TFT素子3を形成する。次に、アクリル系感光性樹脂等からなる層間絶縁膜7をスピンコートにより塗布し、ドレイン引出配線5と画素電極9とを電気的にコンタクトするためのコンタクトホール8をフォトリソグラフィー法により形成する。層間絶縁膜7の厚さは約3μmである。更に、画素電極9及び配向膜(図示せず)をこの順に形成する。なお、本実施形態は、MVA(Multi−domain Vertical Alignment)型液晶表示装置の1実施形態であり、ITO等からなる画素電極9にはスリットパターン11が設けられる。具体的には、スパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、塩化第二鉄等のエッチング液によりエッチングし、図3に示すような画素電極パターンを得る。以上により、アクティブマトリクス基板30が得られる。
A method for manufacturing the active matrix substrate (AM substrate) 30 will be described below.
A metal such as a Ti / Al / Ti laminated film is formed on the transparent substrate 10 by sputtering, a resist pattern is formed by a photolithography method, dry etching is performed using an etching gas such as a chlorine-based gas, and the resist is formed. By peeling, the scanning signal wiring (gate wiring, scanning line) 1 and the auxiliary capacitance wiring 2 are formed at the same time. Thereafter, a gate insulating film made of silicon nitride (SiNx) or the like, an active semiconductor layer made of amorphous silicon or the like, and a low resistance semiconductor layer made of amorphous silicon or the like doped with phosphorus or the like were formed by chemical vapor deposition (CVD). After that, a metal such as Al / Ti is formed by sputtering, a resist pattern is formed by a photolithography method, dry etching is performed using an etching gas such as a chlorine-based gas, and the resist is peeled off. (Source wiring, signal line) 4, drain lead wiring 5 and auxiliary capacitance forming electrode (auxiliary capacitance electrode) 6 are formed simultaneously. The auxiliary capacitance is formed by sandwiching a gate insulating film of about 4000 mm between the auxiliary capacitance wiring 2 and the auxiliary capacitance forming electrode 6. Thereafter, the source and drain of the low resistance semiconductor layer are separated by dry etching using chlorine gas or the like, and the TFT element 3 is formed. Next, an interlayer insulating film 7 made of acrylic photosensitive resin or the like is applied by spin coating, and a contact hole 8 for electrically contacting the drain lead wiring 5 and the pixel electrode 9 is formed by photolithography. The thickness of the interlayer insulating film 7 is about 3 μm. Further, the pixel electrode 9 and an alignment film (not shown) are formed in this order. This embodiment is an embodiment of an MVA (Multi-domain Vertical Alignment) type liquid crystal display device, and the pixel electrode 9 made of ITO or the like is provided with a slit pattern 11. Specifically, a film is formed by sputtering, a resist pattern is formed by photolithography, and etching is performed with an etchant such as ferric chloride to obtain a pixel electrode pattern as shown in FIG. Thus, the active matrix substrate 30 is obtained.

一方、カラーフィルタ基板(CF基板)20は、透明基板10の上に、3原色(赤、緑、青)の着色層及びブラックマトリクス(BM)28等からなるカラーフィルタ層21、対向電極(共通電極)23、配向膜(図示せず)、並びに、配向制御用の突起22を有する。
透明基板10上にスピンコートによりカーボンの微粒子を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、黒色感光性樹脂層を形成する。続いて、フォトマスクを介して黒色感光性樹脂層を露光した後、現像を行って、ブラックマトリクス層(BM)を形成する。このとき、第1着色層(例えば赤色層)、第2着色層(例えば緑色層)、及び、第3着色層(例えば青色層)が形成される領域に、それぞれ第1着色層用の開口部、第2着色層用の開口部、及び、第3着色層用の開口部(各開口部は各画素電極に対応)が形成されるように、BMを形成する。
次に、第1着色層用の開口部にスピンコートにより顔料を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光及び現像を行い、第1着色層(赤色層)を形成する。その後、第2着色層(例えば緑色層)、及び、第3着色層(例えば青色層)についても同様に形成することで、カラーフィルタ層21が完成する。更に、ITO等からなる透明電極(対向電極)23をスパッタリングにより形成し、その後、スピンコートによりポジ型のフェノールノボラック系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光及び現像を行い、垂直配向制御用突起22を形成する。以上により、カラーフィルタ基板20が得られる。
On the other hand, a color filter substrate (CF substrate) 20 is formed on a transparent substrate 10 with a color filter layer 21 composed of a colored layer of three primary colors (red, green, blue) and a black matrix (BM) 28, and a counter electrode (common). Electrode) 23, an alignment film (not shown), and a protrusion 22 for alignment control.
After applying a negative acrylic photosensitive resin liquid in which fine carbon particles are dispersed by spin coating on the transparent substrate 10, drying is performed to form a black photosensitive resin layer. Then, after exposing a black photosensitive resin layer through a photomask, it develops and forms a black matrix layer (BM). At this time, openings for the first colored layer are respectively formed in regions where the first colored layer (for example, red layer), the second colored layer (for example, green layer), and the third colored layer (for example, blue layer) are formed. The BM is formed so that the opening for the second colored layer and the opening for the third colored layer (each opening corresponds to each pixel electrode) are formed.
Next, after applying a negative acrylic photosensitive resin liquid in which a pigment is dispersed by spin coating to the opening for the first colored layer, drying is performed, and exposure and development are performed using a photomask. A colored layer (red layer) is formed. Then, the color filter layer 21 is completed by forming similarly about a 2nd colored layer (for example, green layer) and a 3rd colored layer (for example, blue layer). Further, a transparent electrode (counter electrode) 23 made of ITO or the like is formed by sputtering, and then a positive type phenol novolac photosensitive resin liquid is applied by spin coating, followed by drying, exposure using a photomask and Development is performed to form vertical alignment control protrusions 22. Thus, the color filter substrate 20 is obtained.

本実施形態においては、図3に示すように、MVA方式のスリット間接続部(電極スリットの電気的接続部)13をメタル配線(データ信号用配線)4の外へ配置する。これにより、AM基板30裏面からのレーザー照射により、欠陥箇所を画素電極9と切り離しても、データ信号用配線4が切断されないため、隣接画素に影響を与えることなく欠陥箇所を切り離して、微小欠陥とすることができる。また、メタル配線4外へ画素電極接続部13を移動することで、接続部13周辺の配向不良が懸念されるが、画素全体としては表示品位に特に大きな影響はなく、加えて、本発明の画素電極接続部13を切り離すと、MVA方式の画素電極スリット本来の形状に近づくため、修正後、正常動作している画素電極の表示品位に与える影響は極少ない。 In this embodiment, as shown in FIG. 3, the MVA inter-slit connection part (electric connection part of the electrode slit) 13 is arranged outside the metal wiring (data signal wiring) 4. As a result, even if the defective portion is separated from the pixel electrode 9 by laser irradiation from the back surface of the AM substrate 30, the data signal wiring 4 is not cut, so that the defective portion is separated without affecting the adjacent pixels. It can be. Further, by moving the pixel electrode connection portion 13 out of the metal wiring 4, there is a concern about the alignment failure around the connection portion 13, but the display quality is not particularly affected as a whole pixel. When the pixel electrode connecting portion 13 is cut off, it approaches the original shape of the MVA pixel electrode slit, and therefore the influence on the display quality of the normally operating pixel electrode is minimal after correction.

(実施形態2)
図4−1は、本発明に係る実施形態2の液晶表示装置に備えられるCF基板の画素電極形状を概略的に示す平面図である。本実施形態では、MVA方式の液晶表示装置について、AM基板の電極に垂直配向用突起22を設け、AM基板と対向するCF基板の電極23にはスリット11を設けた構造においても、本発明が適応可能であることを示す。
本実施形態におけるCF基板側の対向電極23において、上下リーク発生箇所を切り離し可能とした対向電極23のパターンを図4−1に示す。図4−1におけるスリット接続部25は電極領域24を囲んで配置されており、電極領域24内にて上下リークが発生した場合は、発生部位を最小限の独立した電極にできるスリット接続部25をレーザーカットすることにより切り離し可能となる。この場合のレーザー出力/波長についてはCFの膜厚や膜質により異なるため、確実に切断できるように調整することが必要である。
なお、この構造にてレーザーカット修正を行う場合には、レントゲン用途等に用いられるモノクロ表示装置や、TFT基板上にCFパターンを有するCFonTFT(Color Filter on TFT Array)構造の表示装置等についても、問題なく修正を行うことが可能である。
しかし、従来通りCF基板側に着色層を形成する場合、赤の着色層上の電極パターンであれば、赤外線レーザーのエネルギーは着色層に吸収されないため、赤外線レーザーによる修正は可能であるが、他(緑、青等)の着色層においては赤外線レーザーのエネルギーは吸収されるため、切断されてしまう恐れがある。したがって、対向基板側に遮光用の金属を配置し、レーザーカット修正後の光漏れを遮光する等の対策を行うことが望ましい。
(Embodiment 2)
FIG. 4-1 is a plan view schematically showing the pixel electrode shape of the CF substrate provided in the liquid crystal display device of Embodiment 2 according to the present invention. In the present embodiment, the present invention is also applicable to a structure in which a vertical alignment protrusion 22 is provided on an electrode of an AM substrate and a slit 11 is provided on an electrode 23 of a CF substrate facing the AM substrate. Indicates adaptability.
In the counter electrode 23 on the CF substrate side in the present embodiment, a pattern of the counter electrode 23 capable of separating the vertical leak occurrence portion is shown in FIG. The slit connecting portion 25 in FIG. 4A is disposed so as to surround the electrode region 24. When a vertical leak occurs in the electrode region 24, the slit connecting portion 25 that can make the generated portion a minimum independent electrode. Can be separated by laser cutting. Since the laser output / wavelength in this case varies depending on the CF film thickness and film quality, it is necessary to adjust the laser output / wavelength so that it can be cut reliably.
In addition, when performing laser cut correction with this structure, a monochrome display device used for X-ray applications or the like, a display device with a CFon TFT (Color Filter on TFT Array) structure having a CF pattern on a TFT substrate, etc. It is possible to make corrections without problems.
However, when the colored layer is formed on the CF substrate side as usual, if the electrode pattern is on the red colored layer, the energy of the infrared laser is not absorbed by the colored layer, so correction by the infrared laser is possible. In the colored layer (green, blue, etc.), the energy of the infrared laser is absorbed, so that it may be cut off. Therefore, it is desirable to take measures such as arranging a light shielding metal on the counter substrate side to shield light leakage after laser cut correction.

(実施形態3)
図5は、本発明に係る実施形態3の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。
上下リークを修正する場合、TFT基板とCF基板とを貼り合わせた状態で基板裏面から電極間接続部をレーザーカットするため、接続部と基板との間にメタル配線が存在すると、メタル配線も同時に切断してしまうおそれがある。そのため、本発明はメタル配線外に接続部を形成することを特徴としているが、本実施形態においては、図5に示すように、ドレイン電位を画素電極9に供給するための複数のコンタクトホール8、8’が補助配線2上において独立して存在し、各々がドレイン配線5’に接続されている画素構造において、あるコンタクトホール8’に接続された画素電極の領域で上下リークが発生した場合、コンタクトホール8’に接続されたドレイン配線5’及び画素電極接続部13’をレーザーカットして切り離す。このように、上下リークによって切断する必要があるメタル配線の切断箇所26上に画素電極接続部13’を配置すれば、各々をレーザーカットするタクトも減少するため、上下リーク修正時に切断するメタル配線上に画素電極接続部を配置してもよい。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a plan view schematically showing the pixel electrode shape of the display device substrate according to Embodiment 3 of the present invention.
When correcting the vertical leak, the electrode connection part is laser-cut from the back side of the substrate with the TFT substrate and the CF substrate bonded together. If metal wiring exists between the connection part and the substrate, the metal wiring is simultaneously There is a risk of cutting. Therefore, the present invention is characterized in that a connection portion is formed outside the metal wiring. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, a plurality of contact holes 8 for supplying a drain potential to the pixel electrode 9 are provided. , 8 ′ exist independently on the auxiliary wiring 2, and in the pixel structure in which each is connected to the drain wiring 5 ′, when a vertical leak occurs in the region of the pixel electrode connected to a certain contact hole 8 ′ Then, the drain wiring 5 ′ and the pixel electrode connecting portion 13 ′ connected to the contact hole 8 ′ are separated by laser cutting. In this way, if the pixel electrode connection portion 13 ′ is disposed on the cut portion 26 of the metal wiring that needs to be cut due to the vertical leak, the tact for laser cutting each of the metal wirings is reduced. A pixel electrode connection portion may be disposed on the top.

(実施形態4)
図6は、本発明に係る実施形態4の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。
上下リークを修正する場合、TFT基板とCF基板とを貼り合わせた状態で基板裏面から電極間接続部をレーザーカットするため、接続部がブラックマトリクス(BM)やメタル配線等の遮光物と重なっていると、レーザーカット修正の対象箇所が見えなくなる。そのため、実施形態1〜3では、遮光物下に電極間接続部を配置しない構造を採っているが、図6に示すように、隣接画素の遮光物と連続していない遮光物27であれば、光漏れ等を防止するためにも切断箇所に配置してもよい。
(Embodiment 4)
FIG. 6 is a plan view schematically showing the pixel electrode shape of the display device substrate according to Embodiment 4 of the present invention.
When correcting the top and bottom leaks, the connection between the electrodes overlaps with a light blocking material such as a black matrix (BM) or metal wiring because the interelectrode connection is laser cut from the back of the substrate with the TFT substrate and CF substrate bonded together. If it is, the target part of laser cut correction will not be visible. Therefore, in the first to third embodiments, a structure in which the inter-electrode connection portion is not disposed under the light shielding material is employed. However, as illustrated in FIG. 6, if the light shielding material 27 is not continuous with the light shielding material of the adjacent pixel. In order to prevent light leakage or the like, it may be arranged at the cut location.

(実施形態5)
図7(a)、(b)は、本発明に係る実施形態5の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。
実施形態4では隣接画素と連続していない遮光物(図6中の27)下には電極間接続部13を配置してもよいと記載したが、隣接画素の遮光物と連続している遮光物(例えばブラックマトリクス28)下に電極スリット間接続部13を配置しても、図7に示すように、修正箇所に遮光物で目印29を配置することにより、遮光物下の修正箇所を認識しやすくした構造であれば、遮光物に電極スリット間接続部13が重なる構造を採ってもよい。目印29のパターン例として、図7中に三角形状の目印29を示したが、修正箇所の目印となれば、矩形状や遮光物から独立したパターン等、他のパターンであってもよい。
(Embodiment 5)
FIGS. 7A and 7B are plan views schematically showing pixel electrode shapes of the display device substrate according to the fifth embodiment of the present invention.
In the fourth embodiment, it is described that the inter-electrode connection portion 13 may be disposed under the light shielding material (27 in FIG. 6) that is not continuous with the adjacent pixels. However, the light shielding continuous with the light shielding material of the adjacent pixels. Even if the inter-slit connection part 13 is arranged under the object (for example, the black matrix 28), as shown in FIG. 7, the correction part under the light shielding object is recognized by arranging the mark 29 with the light shielding object at the correction part. If it is the structure which made it easy to do, you may take the structure where the connection part 13 between electrode slits overlaps with a light-shielding object. As an example of the pattern of the mark 29, the triangular mark 29 is shown in FIG. 7, but other patterns such as a rectangular shape or a pattern independent of the light shielding object may be used as long as the mark is a mark to be corrected.

(実施形態6)
図8(a)、(b)は、本発明に係る実施形態6の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図であり、(c)は、(a)、(b)の表示装置用基板をA−A’線にて切断したときの断面を模式的に示す断面図である。
電極スリット接続部13、すなわちレーザーカット対象箇所が信号配線(例えばデータ信号用配線4)近傍に存在する場合は、レーザーカット時に電極スリット接続部13と同時に信号配線も切断するおそれがある。そのため、図8(a)、(b)に示すように、修正部近傍のデータ信号用配線4を並列させ、かつ各々を部分的に接続することで、レーザーカットによりデータ信号用配線4の片側の配線4bが切断されても、もう片側の配線4aにてデータ信号を迂回できる構造にする方がよい。図8では、レーザーカット対象箇所の近傍のデータ信号用配線4の本数を2本としているが、それ以上の本数を配置してもよい。
(Embodiment 6)
FIGS. 8A and 8B are plan views schematically showing the pixel electrode shape of the display device substrate of Embodiment 6 according to the present invention, and FIG. 8C is a plan view of FIGS. It is sectional drawing which shows typically a cross section when the board | substrate for display apparatuses is cut | disconnected by the AA 'line.
When the electrode slit connection part 13, that is, the laser cutting target portion is present near the signal wiring (for example, the data signal wiring 4), the signal wiring may be cut simultaneously with the electrode slit connection part 13 at the time of laser cutting. Therefore, as shown in FIGS. 8A and 8B, the data signal wiring 4 in the vicinity of the correction portion is arranged in parallel and each of them is partially connected, so that one side of the data signal wiring 4 is cut by laser cutting. Even if the wiring 4b is cut, it is better to have a structure in which the data signal can be bypassed by the other wiring 4a. In FIG. 8, the number of the data signal wirings 4 in the vicinity of the laser cut target portion is two, but a larger number may be arranged.

(実施形態7)
図9は、本発明に係る実施形態7の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。
ドレイン電位の供給源であるコンタクトホールが接続されている画素電極上において、上下リークが発生した場合、不良箇所を切り離すと残りの画素電極にも信号が供給されなくなるため、画素全体が欠陥となる。そのため、例えば図9に示すように、隣接画素同士を接続させるためのコンタクト構造32を形成しておくと、不良が発生した場合、コンタクトホール8に接続された画素電極9をレーザーカットで分離することで独立した画素電極9にドレイン電位を供給するために、コンタクトホール8aに接続された電極33と、隣接画素同士の電極33間に交差するよう配置された配線34との交差部31をレーザー照射により導通させる。なお、コンタクトホール8a下の電極33とコンタクトホール間の配線34とは絶縁層を介して交差している。以上の修正方法により、コンタクトホール8に障害が発生しても、隣接画素から残りの画素電極にほぼ正常のドレイン電位を供給させ、機能させることが可能である。なお、図9は、本発明の1例であり、隣接画素からドレイン電位を供給でき、配置することでの表示品位の低下が少ないのであれば、他の構造であってもよい。
(Embodiment 7)
FIG. 9 is a plan view schematically showing the pixel electrode shape of the display device substrate according to Embodiment 7 of the present invention.
When a vertical leak occurs on a pixel electrode to which a contact hole that is a drain potential supply source is connected, no signal is supplied to the remaining pixel electrodes when the defective portion is cut off, resulting in a defect in the entire pixel. . Therefore, for example, as shown in FIG. 9, when a contact structure 32 for connecting adjacent pixels is formed, when a defect occurs, the pixel electrode 9 connected to the contact hole 8 is separated by laser cutting. In order to supply a drain potential to the independent pixel electrode 9, a laser is applied to the intersection 31 between the electrode 33 connected to the contact hole 8 a and the wiring 34 arranged to intersect between the electrodes 33 of adjacent pixels. Conducted by irradiation. The electrode 33 under the contact hole 8a and the wiring 34 between the contact holes intersect with each other through an insulating layer. According to the above correction method, even if a failure occurs in the contact hole 8, it is possible to supply a substantially normal drain potential from the adjacent pixel to the remaining pixel electrode so that the contact hole 8 functions. Note that FIG. 9 is an example of the present invention, and any other structure may be used as long as the drain potential can be supplied from the adjacent pixel and the deterioration in display quality due to the arrangement is small.

(実施形態8)
図10は、本発明に係る実施形態8の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。本実施形態において、D−Csリークの修正方法を示す。
D−Csリークは、ドレイン電極−補助容量配線間に起こる不良モードであるため、アクティブマトリクス基板側のパターニング完了状態で欠陥箇所を特定し、膜面側(画素電極側)からレーザー修正することが可能である。修正方法としては、図10に示すように、目視でD−Csリークが確認されたコンタクトホール8’上の画素電極周囲35を切除し、コンタクトホール8’に接続されたドレイン引出配線5’をレーザーカットする。修正に用いるレーザーとしては、例えば、YAGレーザーの第4高調波(波長266nm)等が挙げられる。図10では、電極周辺を修正箇所35の形状で切断したが、電極スリット接続部13で切断する方が配向不良も少なく好ましい。
(Embodiment 8)
FIG. 10 is a plan view schematically showing the pixel electrode shape of the display device substrate according to Embodiment 8 of the present invention. In the present embodiment, a method for correcting a D-Cs leak will be described.
Since the D-Cs leak is a failure mode that occurs between the drain electrode and the auxiliary capacitance wiring, it is possible to identify a defective portion in the patterning completion state on the active matrix substrate side and correct the laser from the film surface side (pixel electrode side). Is possible. As a correction method, as shown in FIG. 10, the periphery 35 of the pixel electrode on the contact hole 8 ′ where the D-Cs leakage is visually confirmed is cut off, and the drain lead wiring 5 ′ connected to the contact hole 8 ′ is removed. Laser cut. As a laser used for correction, for example, a fourth harmonic (wavelength 266 nm) of a YAG laser can be cited. In FIG. 10, the periphery of the electrode is cut in the shape of the correction portion 35, but it is preferable to cut the electrode slit connection portion 13 because there are few alignment defects.

(その他の実施形態)
実施形態1〜8ではMVA方式を例に挙げたが、電極スリットにより液晶分子の配向分割を行う他の表示方式でもよい。また、DOT(ドット)反転方式やライン反転方式等、その他の駆動方式でもよい。
(Other embodiments)
In the first to eighth embodiments, the MVA method is taken as an example, but other display methods that perform alignment division of liquid crystal molecules by electrode slits may be used. Further, other driving methods such as a DOT (dot) inversion method and a line inversion method may be used.

なお、本願は、2004年5月28日に出願された日本国特許出願第2004−160115号を基礎として、合衆国法典35巻第119条に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。 In addition, this application claims the priority based on US Patent Code 35 volume 119 based on the Japan patent application 2004-160115 for which it applied on May 28, 2004. The contents of the application are hereby incorporated by reference in their entirety.

本発明の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of this invention. 従来のMVA方式の液晶表示装置に用いられる表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses used for the conventional liquid crystal display device of a MVA system. 本発明に係る実施形態1の液晶表示装置100の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the liquid crystal display device 100 of Embodiment 1 which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態1の液晶表示装置100に備えられるアクティブマトリクス基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing pixel electrode shapes of an active matrix substrate provided in the liquid crystal display device 100 of Embodiment 1 according to the present invention. 本発明に係る実施形態2の液晶表示装置に備えられるCF基板の対向電極形状を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the counter electrode shape of CF board | substrate with which the liquid crystal display device of Embodiment 2 which concerns on this invention is equipped. 従来の液晶表示装置に備えられるCF基板の対向電極形状を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the counter electrode shape of CF board | substrate with which the conventional liquid crystal display device is equipped. 本発明に係る実施形態3の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態4の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 4 which concerns on this invention. (a)、(b)は、本発明に係る実施形態5の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。(A), (b) is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 5 which concerns on this invention. (a)、(b)は、本発明に係る実施形態6の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図であり、(c)は、(a)、(b)の表示装置用基板をA−A’線にて切断したときの断面を模式的に示す断面図である。(A), (b) is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 6 which concerns on this invention, (c) is a display apparatus of (a), (b). It is sectional drawing which shows typically a cross section when a board | substrate is cut | disconnected by the AA 'line | wire. 本発明に係る実施形態7の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 7 which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態8の表示装置用基板の画素電極形状を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel electrode shape of the board | substrate for display apparatuses of Embodiment 8 which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:走査信号用配線(ゲート配線)
2:補助容量配線
3:TFT素子(スィッチング素子)
4、4a、4b:データ信号用配線(ソース配線)
5、5’:ドレイン引出配線
6:補助容量形成用電極
7:層間絶縁膜
8、8’:コンタクトホール
9:画素電極
10:ガラス
11:画素電極スリット
12、13、13’:電極スリット間接続部(電極スリットの電気的接続部)
20:CF(カラーフィルタ)基板
21:CF層
22:配向制御用突起(垂直配向用突起)
23:対向電極(共通電極)
24:対向電極領域
25:電極スリット間接続部(電極スリットの電気的接続部)
26:実施形態3における修正対象箇所
27:実施形態4における遮光膜
28:ブラックマトリクス
29:実施形態5における突起物(目印)
30:AM(アクティブマトリクス)基板
31:修正メルト部(配線34の交差部)
32:コンタクト構造(コンタクトホール)
33:電極
34:コンタクトホール間の配線
35:コンタクトホール8’の画素電極周囲
1: Scan signal wiring (gate wiring)
2: Auxiliary capacitance wiring 3: TFT element (switching element)
4, 4a, 4b: Data signal wiring (source wiring)
5, 5 ': Drain lead wiring 6: Auxiliary capacitance forming electrode 7: Interlayer insulating film 8, 8': Contact hole 9: Pixel electrode 10: Glass 11: Pixel electrode slits 12, 13, 13 ': Connection between electrode slits (Electrical connection of electrode slit)
20: CF (color filter) substrate 21: CF layer 22: Protrusion for alignment control (protrusion for vertical alignment)
23: Counter electrode (common electrode)
24: Counter electrode region 25: Inter-electrode slit connection part (electric connection part of electrode slit)
26: Location to be corrected in Embodiment 3 27: Light shielding film 28 in Embodiment 4: Black matrix 29: Projection (mark) in Embodiment 5
30: AM (active matrix) substrate 31: Modified melt part (intersection of wiring 34)
32: Contact structure (contact hole)
33: Electrode 34: Wiring between contact holes 35: Around the pixel electrode in the contact hole 8 ′

Claims (18)

マトリクス状に配置された画素電極を有するアクティブマトリクス基板であって、
画素電極は、電極スリットが形成され該電極スリットの電気的接続部少なくとも1つが遮光領域外に設けられたものであり、
該アクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上に、走査線、信号線、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、更に層間絶縁膜及び画素電極を備え、
該スイッチング素子は、走査線と信号線とが交差する交差部に設けられ、走査線に接続されたゲート電極と、信号線に接続されたソース電極と、画素電極に接続されたドレイン引出電極とを有し、
該層間絶縁膜は、スイッチング素子のドレイン引出電極と画素電極とを接続させるコンタクトホールを複数有し、
該複数のコンタクトホール間に補助容量配線をまたがって電極スリットが形成されたものであることを特徴とするアクティブマトリクス基板
An active matrix substrate which have a pixel electrodes arranged in a matrix,
The pixel electrode, the electrode slit is formed, are those least one electrical connection of the electrode slit is provided outside the light-blocking region,
The active matrix substrate includes a scanning line, a signal line, a switching element, and an auxiliary capacitance wiring on an insulating substrate, and further includes an interlayer insulating film and a pixel electrode.
The switching element is provided at an intersection where the scanning line and the signal line intersect, and includes a gate electrode connected to the scanning line, a source electrode connected to the signal line, a drain extraction electrode connected to the pixel electrode, Have
The interlayer insulating film has a plurality of contact holes for connecting the drain extraction electrode of the switching element and the pixel electrode,
An active matrix substrate, wherein an electrode slit is formed across the auxiliary capacitance wiring between the plurality of contact holes.
前記遮光領域は、金属配線から形成される領域であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the light shielding region is a region formed of a metal wiring. 前記遮光領域は、ブラックマトリクスから形成される領域であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the light shielding region is a region formed of a black matrix. 前記遮光領域は、カラーフィルタの多色重ね部から形成される領域であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the light shielding region is a region formed from a multi-color overlapping portion of a color filter. 前記アクティブマトリクス基板は、コンタクトホールに接続された画素電極同士が接続されていないことを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板The active matrix substrate, the active matrix substrate according to claim 1, wherein the pixel electrodes are connected to the contact hole is equal to or not connected. 前記アクティブマトリクス基板は、ドレイン引出電極が1画素内に複数存在するものであることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板The active matrix substrate, the active matrix substrate according to claim 1, wherein the drain lead electrode is characterized in that there are a plurality in one pixel. 前記アクティブマトリクス基板は、電極スリット近傍の信号線が複数本並列して配置され、その各々が部分的に接続された構造を有するものであることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板The active matrix substrate, a signal line in the vicinity of the electrode slit is arranged a plurality of parallel to the active matrix substrate according to claim 1, wherein the each of those having a partially connected structure. 前記アクティブマトリクス基板は、電極スリットが形成された画素電極に隣接画素のドレイン電位を供給する修正構造を有するものであることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板The active matrix substrate, the active matrix substrate according to claim 1, wherein the pixel electrode where the electrode slit is formed and has a modified structure for supplying a drain potential of the adjacent pixels. 請求項1から8のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板を備えてなる液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、電極スリットにより液晶分子の配向分割を行うことを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device comprising the active matrix substrate according to claim 1,
The liquid crystal display device is characterized in that alignment division of liquid crystal molecules is performed by electrode slits.
表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板を備え、
該アクティブマトリクス基板は表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、
該対向基板は表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ
表示装置であって、
画素電極は、電極スリットが形成され該電極スリットの電気的接続部少なくとも1つが遮光領域外に設けられたものであり、
該アクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上に、走査線、信号線、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、更に層間絶縁膜及び画素電極を備え、
該スイッチング素子は、走査線と信号線とが交差する交差部に設けられ、走査線に接続されたゲート電極と、信号線に接続されたソース電極と、画素電極に接続されたドレイン引出電極とを有し、
該層間絶縁膜は、スイッチング素子のドレイン引出電極と画素電極とを接続させるコンタクトホールを複数有し、
該複数のコンタクトホール間に補助容量配線をまたがって電極スリットが形成されたものであることを特徴とする表示装置
An active matrix substrate and a counter substrate facing each other across the display medium layer,
The active matrix substrate has pixel electrodes arranged in a matrix on the display medium layer side,
The counter substrate has a structure having a common electrode facing the pixel electrode on the display medium layer side.
A display device ,
The pixel electrode, the electrode slit is formed, are those least one electrical connection of the electrode slit is provided outside the light-blocking region,
The active matrix substrate includes a scanning line, a signal line, a switching element, and an auxiliary capacitance wiring on an insulating substrate, and further includes an interlayer insulating film and a pixel electrode.
The switching element is provided at an intersection where the scanning line and the signal line intersect, and includes a gate electrode connected to the scanning line, a source electrode connected to the signal line, a drain extraction electrode connected to the pixel electrode, Have
The interlayer insulating film has a plurality of contact holes for connecting the drain extraction electrode of the switching element and the pixel electrode,
A display device in which an electrode slit is formed between the plurality of contact holes across the auxiliary capacitance wiring.
前記遮光領域は、アクティブマトリクス基板に形成された金属配線から形成される領域であることを特徴とする請求項10記載の表示装置 The display device according to claim 10 , wherein the light shielding region is a region formed of a metal wiring formed on an active matrix substrate. 前記遮光領域は、アクティブマトリクス基板又は対向基板に形成されたブラックマトリクスから形成される領域であることを特徴とする請求項10記載の表示装置 The display device according to claim 10 , wherein the light shielding region is a region formed of a black matrix formed on an active matrix substrate or a counter substrate. 前記遮光領域は、アクティブマトリクス基板又は対向基板に形成されたカラーフィルタの多色重ね部から形成される領域であることを特徴とする請求項10記載の表示装置 The display device according to claim 10 , wherein the light shielding region is a region formed from a multicolor overlapping portion of a color filter formed on an active matrix substrate or a counter substrate. 前記表示装置用基板は、コンタクトホールに接続された画素電極同士が接続されていないことを特徴とする請求項10記載の表示装置The display device according to claim 10 , wherein pixel electrodes connected to contact holes are not connected to the display device substrate. 前記表示装置用基板は、ドレイン引出電極が1画素内に複数存在するものであることを特徴とする請求項10記載の表示装置The display device according to claim 10, wherein the display device substrate includes a plurality of drain extraction electrodes in one pixel. 前記表示装置用基板は、電極スリット近傍の信号線が複数本並列して配置され、その各々が部分的に接続された構造を有するものであることを特徴とする請求項10記載の表示装置11. The display device according to claim 10, wherein the display device substrate has a structure in which a plurality of signal lines in the vicinity of the electrode slits are arranged in parallel and each of them is partially connected. 前記表示装置用基板は、電極スリットが形成された画素電極に隣接画素のドレイン電位を供給する修正構造を有するものであることを特徴とする請求項10記載の表示装置11. The display device according to claim 10, wherein the display device substrate has a correction structure for supplying a drain potential of an adjacent pixel to a pixel electrode in which an electrode slit is formed. 前記表示装置は、電極スリットにより液晶分子の配向分割を行う液晶表示装置であることを特徴とする請求項10から17のいずれかに記載の表示装置The display device according to claim 10 , wherein the display device is a liquid crystal display device that performs alignment division of liquid crystal molecules by electrode slits.
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