JP2011014594A - フレキシブルプリント基板接合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接合させるフレキシブルプリント基板における金属パッド部の硬さや表面粗度によらず、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができるフレキシブルプリント基板接合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二フレキシブルプリント基板を準備するフレキシブルプリント基板準備工程と、上記金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、上記結晶粗大化工程後に、上記金属パッド部を密着させ、超音波接合により、両者を拡散接合させる拡散接合工程と、を有することを特徴とするフレキシブルプリント基板接合体の製造方法を提供すること。
【選択図】図１

Description

本発明は、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体の製造方法に関する。

例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）において、サスペンション用基板は、マザーボード接続用中継基板と、Ａｕめっきからなる金属パッド部を介して電気的に接続される。この際、サスペンション用基板の金属パッド部と、マザーボード接続用中継基板の金属パッド部とを接合する方法として、両者の金属パッド部を密着させ、超音波接合を行うことで、金属パッド部同士を拡散接合させる方法が知られている。

一方、金属パッド部同士の接合ではないものの、特許文献１においては、電極パッド（金属パッド部）と、突起電極（金属バンプ部）とを、超音波接合により、拡散接合させることが知られている。この技術では、２５０℃〜３５０℃の範囲内の温度で金属バンプ部を加熱し、金属バンプ部のビッカース硬度を４０〜６０とすることで、拡散接合を強固にするものである。

特開２００１−１９６４１６号公報

従来、金属パッド部同士を拡散接合させる場合、以下のような問題がある。すなわち、一方のフレキシブルプリント基板（例えばサスペンション用基板）と、他方のフレキシブルプリント基板（例えばマザーボード接続用中継基板）とは、互いに金属パッド部の硬さや表面粗度が異なるため、単に超音波接合を行っても、接合強度が不充分であるという問題がある。また、例えば、一方のフレキシブルプリント基板と、他方のフレキシブルプリント基板とが、異なる製造業者により作製されたものである場合、金属パッド部の硬さや表面粗度が顕著に異なる場合があり、両者を接合させようとすると、その組み合せによって接合強度が異なり、接合強度のバラつきが大きいという問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、接合させるフレキシブルプリント基板における金属パッド部の硬さや表面粗度によらず、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができるフレキシブルプリント基板接合体の製造方法を提供することを主目的とする。

上記課題を解決するために、本発明においては、第一配線部、および上記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および上記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを準備するフレキシブルプリント基板準備工程と、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、上記結晶粗大化工程後に、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部を密着させ、超音波接合により、両者を拡散接合させる拡散接合工程と、を有することを特徴とするフレキシブルプリント基板接合体の製造方法を提供する。

本発明によれば、結晶粗大化処理を行うことにより、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすくなる。これにより、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。

上記発明においては、上記第一配線部および上記第一金属パッド部の間、ならびに、上記第二配線部および上記第二金属パッド部の間の少なくとも一方に、下地層が形成されていることが好ましい。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理により、上記金属結晶のサイズを１．２μｍ以上の大きさまで粗大化させることが好ましい。金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理により、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部の少なくとも一方の硬度を、ビッカース硬度（ＨＶ）で８０以下まで低下させることが好ましい。金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理が、加熱処理であることが好ましい。熱により金属パッド部に含まれる金属結晶を再結晶化することで、容易に結晶の粗大化が生じるからである。

上記発明においては、上記加熱処理の温度が、１８０℃〜２４０℃の範囲内であることが好ましい。加熱温度が低すぎると、充分に金属結晶が粗大化しない可能性や金属結晶の粗大化に多くの時間を必要とするという可能性があり、加熱温度が高すぎると、フレキシブルプリント基板が熱収縮し、寸法精度が損なわれる可能性があるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理が、めっき処理であることが好ましい。金属パッド部に含まれる金属結晶の表面にさらに金属元素が堆積することで、容易に結晶の粗大化が生じるからである。

上記発明においては、上記第一フレキシブルプリント基板がサスペンション用基板であり、上記第二フレキシブルプリント基板が中継基板であることが好ましい。ＨＤＤに用いられるフレキシブルプリント基板接合体を得ることができるからである。

また、本発明においては、配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備える結晶粗大化前フレキシブルプリント基板を準備する結晶粗大化前フレキシブルプリント基板準備工程と、上記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、を有することを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。

本発明によれば、結晶粗大化処理を行うことにより、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすいフレキシブルプリント基板を得ることができる。このようなフレキシブルプリント基板を用いることで、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。

上記発明においては、上記配線部および上記金属パッド部の間に、下地層が形成されていることが好ましい。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理により、上記金属結晶のサイズを１．２μｍ以上の大きさまで粗大化させることが好ましい。金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理により、上記金属パッド部の硬度を、ビッカース硬度（ＨＶ）で８０以下まで低下させることが好ましい。金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理が、加熱処理であることが好ましい。熱により金属パッド部に含まれる金属結晶を再結晶化することで、容易に結晶の粗大化が生じるからである。

上記発明においては、上記加熱処理の温度が、１８０℃〜２４０℃の範囲内であることが好ましい。加熱温度が低すぎると、充分に金属結晶が粗大化しない可能性や金属結晶の粗大化に多くの時間を必要とするという可能性があり、加熱温度が高すぎると、フレキシブルプリント基板が熱収縮し、寸法精度が損なわれる可能性があるからである。

上記発明においては、上記結晶粗大化処理が、めっき処理であることが好ましい。金属パッド部に含まれる金属結晶の表面にさらに金属元素が堆積することで、容易に結晶の粗大化が生じるからである。

上記発明においては、上記フレキシブルプリント基板がサスペンション用基板であることが好ましい。中継基板等との接合強度に優れたサスペンション用基板を得ることができるからである。

また、本発明においては、第一配線部、および上記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および上記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを有し、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部が、拡散接合により接合されており、かつ、接合された金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするフレキシブルプリント基板接合体を提供する。

本発明によれば、接合された金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが上記範囲にあることで、金属パッド部の接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体とすることができる。

また、本発明においては、配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備えるフレキシブルプリント基板であって、上記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするフレキシブルプリント基板を提供する。

本発明によれば、金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが上記範囲にあることで、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすくなる。このようなフレキシブルプリント基板を用いることで、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。

本発明においては、接合させるフレキシブルプリント基板における金属パッド部の硬さや表面粗度によらず、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができるという効果を奏する。

本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法の一例を示す概略断面図である。 図１（ｂ）における接合部分の模式図である。 超音波接合による、従来の接合状態と本発明における接合状態との違いを説明する概略断面図である。 本発明におけるサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。 フレキシブルプリント基板の作製に用いられる部材の概略断面図である。 本発明における中継基板の一例を示す概略平面図である。 本発明における中継基板を説明する概略断面図である。 ビッカース硬度の測定方法を説明する説明図である。 実施例１、２で得られたフレキシブルプリント基板接合体の接合部分の断面を示すＳＥＭ写真である。 実施例３、４で得られたフレキシブルプリント基板接合体の接合部分の断面を示すＳＥＭ写真である。 比較例１で得られたフレキシブルプリント基板接合体の接合部分の断面を示すＳＥＭ写真である。 実施例１〜４および比較例１で得られたフレキシブルプリント基板接合体の金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズを示すグラフである。 実施例１〜４で得られたフレキシブルプリント基板接合体の金属パッド部のビッカース硬度を示すグラフである。 実施例１〜４および比較例１で得られたフレキシブルプリント基板接合体の金属パッド部の接合強度を示すグラフである。 配線部のピール強度の測定で作製した試験片の概略断面図である。 配線部のピール強度の測定結果を示すグラフである。

以下、本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法、フレキシブルプリント基板の製造方法、フレキシブルプリント基板接合体およびフレキシブルプリント基板について詳細に説明する。

Ａ．フレキシブルプリント基板接合体の製造方法
本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法は、第一配線部、および上記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および上記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを準備するフレキシブルプリント基板準備工程と、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、上記結晶粗大化工程後に、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部を密着させ、超音波接合により、両者を拡散接合させる拡散接合工程と、を有することを特徴とするものである。

本発明によれば、結晶粗大化処理を行うことにより、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすくなる。これにより、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。また、接合させる２つのフレキシブルプリント基板の金属パッド部の硬さや表面粗度が異なる場合であっても、本発明における結晶粗大化処理を行うことにより、金属パッド部の状態を統一化できるため、接合強度のバラつきを小さくすることができるという利点を有する。

図１は、本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法の一例を示す概略断面図である。より具体的には、２個のフレキシブルプリント基板の接続領域周辺を示す概略断面図である。なお、図１は、本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法の理解を容易にするためのものであり、寸法は図１に限定されるものではない（その他の図においても同様である）。

図１においては、まず図１（ａ）に示すように、第一フレキシブルプリント基板１０および第二フレキシブルプリント基板２０を準備する（フレキシブルプリント基板準備工程）。ここで、第一フレキシブルプリント基板１０は、ＳＵＳからなる支持部１と、支持部１上に形成されポリイミドからなる絶縁部２と、絶縁部２上に形成された第一配線部３と、第一配線部３上に形成されたカバー部４と、第一配線部３の絶縁部２側の表面に形成され、金を主成分とするめっきからなる接合側第一金属パッド部５ａと、第一配線部３のカバー部４側の表面に形成され、金を主成分とするめっきからなる非接合側第一金属パッド部５ｂと、を有するものである。第一フレキシブルプリント基板１０における第一配線部３はフライングリード部であり、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂが第一金属パッド部５になる。なお、第一フレキシブルプリント基板は、少なくとも接合側第一金属パッド部５ａを有するものであり、接合側第一金属パッド部５ａのみを有する場合は、それが第一金属パッド部になる。一方、第二フレキシブルプリント基板２０は、ＳＵＳからなる支持部１１と、支持部１１上に形成されポリイミドからなる絶縁部１２と、絶縁部１２上に形成された第二配線部１３および絶縁部１４と、第二配線部１３上に形成され、金を主成分とするめっきからなる第二金属パッド部１５とを有するものである。

次に、第一フレキシブルプリント基板１０および第二フレキシブルプリント基板２０に対して、加熱処理を行い、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる（結晶粗大化工程）。その後、図１（ｂ）に示すように、接合側第一金属パッド部５ａおよび第二金属パッド部１５を密着させ、超音波接合ツール３０を用いて超音波接合（超音波振動および加圧による接合）行い、両者を拡散接合させる（拡散接合工程）。これにより、２つのフレキシブルプリント基板が接合したフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。

図２は、図１（ｂ）における接合部分の模式図である。図２（ａ）に示すように、接合側第一金属パッド部５ａおよび第二金属パッド部１５を単に密着させた状態では、両者は接合していない。そこで、密着させた状態で超音波接合を行うことにより、図２（ｂ）に示すように、接合側第一金属パッド部５ａおよび第二金属パッド部１５に含まれる金属が相互に変形し、近接することにより、両者が拡散接合されることになる。

図３は、超音波接合による、従来の接合状態と本発明における接合状態との違いを説明する概略断面図である。なお、図３（ａ）、（ｃ）においては、便宜上、界面部分の結晶のみ記載している。従来は、図３（ａ）に示すように、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５に含まれる金属結晶のサイズは小さい。サイズが小さいと、結晶粒界が多く存在し、その結晶粒界が結晶粒子のすべり面を固定することになる。そのため、結晶粒子が移動しにくくなり、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５の硬度は高くなる。従って、金属結晶のサイズが小さいままで超音波接合を行ったとしても、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５は変形しにくいため、両者に含まれる金属は充分に拡散されなくなる。その結果、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５の接合強度は低くなる（図３（ｂ））。

これに対して、本発明においては、図３（ｃ）に示すように、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５に含まれる金属結晶は、後述する結晶粗大化処理を行っているため、サイズが大きい。金属結晶のサイズが大きいと、結晶粒界が少ないため、結晶粒界がすべり変形し易くなり、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５の硬度は低くなる。従って、超音波接合を行うと、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５は変形しやすいため、両者に含まれる金属は充分に拡散される。その結果、第一金属パッド部５および第二金属パッド部１５の接合強度は高くなるのである（図３（ｄ））。
以下、本発明のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法について、工程毎に説明する。

１．フレキシブルプリント基板準備工程
まず、本発明におけるフレキシブルプリント基板準備工程について説明する。本工程は、第一配線部、および上記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および上記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを準備する工程である。

本発明においては、第一フレキシブルプリント基板および第二フレキシブルプリント基板を総称して「フレキシブルプリント基板」と称する場合がある。同様に、第一配線部および第二配線部を総称して「配線部」と称する場合があり、第一金属パッド部および第二金属パッド部を総称して「金属パッド部」と称する場合がある。

（１）配線部
接続領域における配線部は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではない。配線部の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。また、配線部の厚さとしては、フレキシブルプリント基板の種類によって異なるものであるが、通常６μｍ〜１８μｍの範囲内であり、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。

また、上記配線部は、上述した図１（ａ）の第一配線部３のように、フライングリードであっても良く、図１（ａ）の第二配線部１３のように、一方の表面全体に絶縁部を有するものであっても良い。絶縁部の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。絶縁部の厚さは、通常５μｍ〜１０μｍの範囲内である。

（２）金属パッド部
接続領域における金属パッド部は、上記配線部上に形成され、金を主成分とするものである。ここで、金を主成分とするとは、金属パッド部の組成において、金（Ａｕ）の割合が最も多いことをいう。すなわち、金属パッド部は、Ａｕ単体からなるものであっても良く、Ａｕを主成分とする合金からなるものであっても良い。Ａｕを主成分とする合金としては、例えばＡｕ−Ｐｄ合金を挙げることができる。Ａｕ−Ｐｄ合金は金属表面が酸化、腐食し難く、接合し易いという利点を有する。

また、本発明における金属パッド部は、後述する結晶粗大化処理により、金属パッド部に含まれる金属結晶を粗大化させる。粗大化前の金属結晶のサイズは、通常０．００１μｍ〜１．０μｍの範囲内であり、０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内にあることが好ましい。なお、金属結晶のサイズの測定方法は、後述する「２．結晶粗大化工程」で詳細に説明する。

また、本発明における金属パッド部は、後述する結晶粗大化処理により、通常は硬度が低下する。粗大化前の金属結晶のビッカース硬度（ＨＶ）は、通常８５〜１２０の範囲内であり、８５〜９０の範囲内にあることが好ましい。なお、ビッカース硬度の測定方法は、後述する「２．結晶粗大化工程」で詳細に説明する。

本発明における金属パッド部の厚さは、例えば０．５μｍ〜５．０μｍの範囲内、中でも１．０μｍ〜４．０μｍの範囲内であることが好ましい。

本発明における金属パッド部の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えばめっき法を挙げることができる。上記めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法等の公知のめっき法を用いることができ、中でも電解めっき法が好ましい。

さらに、本発明においては、配線部および金属パッド部の間に、下地層が形成されていることが好ましい。下地層の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕおよびこれらの合金等を挙げることができ、中でもＮｉおよびＮｉ合金が好ましく、特にＮｉが好ましい。下地層の厚さは、通常０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内である。下地層は、例えばめっき法により形成することができる。上記めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法等の公知のめっき法を用いることができ、中でも電解めっき法が好ましい。特に、本発明においては、銅からなる配線部に、Ｎｉめっきにより下地層を形成し、その下地層の表面上にＡｕめっきからなる金属パッド部を形成することが好ましい。

また、本発明においては、第一フレキシブルプリント基板の第一配線部および第一金属パッド部の間、ならびに、第二フレキシブルプリント基板の第二配線部および第二金属パッド部の間の少なくとも一方に、下地層が形成されていることが好ましい。中でも、後述する結晶粗大化処理が行われるフレキシブルプリント基板に、下地層が形成されていることが好ましい。例えば、加熱処理による粗大化を行う場合、金属パッド部の接合面まで、下地層の材料（例えばＮｉ）や配線部の材料（例えばＣｕ）が拡散し、接合強度が低下する問題が生じる可能性があるが、本発明においては、後述するような適度な温度範囲でフレキシブルプリント基板を加熱することで、このような問題の発生を抑制することができるからである。

（３）フレキシブルプリント基板
本発明におけるフレキシブルプリント基板は、上述した配線部および金属パッド部を有する接続領域を備えるものであれば特に限定されるものではなく、任意のフレキシブルプリント基板を組合せることができる。具体的には、サスペンション用基板、中継基板および半導体用パッケージ基板等を挙げることができる。

（ｉ）サスペンション用基板
本発明におけるフレキシブルプリント基板の一例としては、サスペンション用基板を挙げることができる。本発明におけるサスペンション用基板は、適度なばね性を有する基板である。サスペンション用基板の具体例としては、ＨＤＤに用いられ、磁気ヘッド等の素子を実装するものを挙げることができる。

図４は、本発明におけるサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。図４に示されるサスペンション用基板は、一方の先端には磁気ヘッドを実装するためのジンバル部５１を有し、他方の先端には、他のフレキシブルプリント基板との接続を行うための接続領域５２を有し、さらに、ジンバル部５１および接続領域５２を接続するための配線５３（配線５３ａ〜５３ｄ）を有している。配線５３ａおよび５３ｂ、並びに配線５３ｃおよび５３ｄがそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。本発明においては、接続領域５２が、上述した配線部および金属パッド部を有する。

また、サスペンション用基板は、例えば、支持基板、絶縁層および導電層がこの順に積層された基本構造を有するものである。このような基本構造を有するフレキシブルプリント基板は、例えば図５に示すような支持基板６１、絶縁層６２および導電層６３がこの順に積層された部材（３層材）に対してエッチング等のパターニングを行うことにより、得ることができる。この場合、導電層６３をパターニングすることにより、接続領域における配線部（例えば図１（ａ）における第一配線部３）を形成することができ、絶縁層６２をパターニングすることにより、接続領域における絶縁部（例えば図１（ａ）における絶縁部２）を形成することができ、支持基板６１をパターニングすることにより、接続領域における支持部（例えば図１（ａ）における支持部１）を形成することができる。

さらに、パターニングにより得られた配線部の表面に、上述しためっき法を行うことにより、金属パッド部を形成することができる。また、サスペンション用基板は、必要に応じて、パターニングされた導電層（配線）を覆うカバー部等を有していても良い。なお、カバー部の材料としては、ポリイミド等を挙げることができる。

（ii）中継基板
本発明におけるフレキシブルプリント基板の他の例としては、中継基板を挙げることができる。本発明における中継基板（一方のフレキシブルプリント基板）は、他方のフレキシブルプリント基板と、その他の部材との電気的接続を中継するための基板である。中継基板の具体例としては、上述したＨＤＤに用いられるサスペンション用基板と、マザーボードとの電気的接続を中継するマザーボード接続用中継基板を挙げることができる。特に、本発明においては、一方のフレキシブルプリント基板（第一フレキシブルプリント基板）がサスペンション用基板であり、他方のフレキシブルプリント基板（第二フレキシブルプリント基板）が中継基板であることが好ましい。また、本発明においては、第一フレキシブルプリント基板および第二のフレキシブルプリント基板の両方が、中継基板であっても良い。

図６は、本発明における中継基板の一例を示す概略平面図である。図６に示される中継基板８０は、端子７１と、プリアンプ７２と、コネクター７３と、これらを接続する配線７４とを有するものである。本発明においては、端子７１が接続領域に該当し、上述した配線部および金属パッド部を有する。また、中継基板の一例としては、例えば、図７（ａ）に示すように、支持部１０１と、支持部１０１上に形成された絶縁部１０２と、絶縁部１０２上に形成された配線部１０３および絶縁部１０４と、配線部１０３上に形成された金属パッド部１５とを有するものを挙げることができる。また、中継基板の他の例としては、支持部１０１および絶縁部１０２の間に、接着部１０６を有するもの（図７（ｂ））、および、支持部１０１を有しないもの（図７（ｃ））等を挙げることができる。なお、図７（ａ）〜（ｃ）において、絶縁部１０４がない場合もある。

２．結晶粗大化工程
次に、本発明における結晶粗大化工程について説明する。本工程は、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う工程である。

本発明においては、第一金属パッド部および第二金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる。中でも、後述する超音波接合に用いられる超音波接合ツールの接触面に近い側の金属パッド部（図１（ｂ）では第一金属パッド５）に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させることが好ましい。仮に、超音波接合ツールの接触面に遠い側の金属パッド部が変形しにくくても、接触面に近い側の金属パッド部が変形することで、強固な拡散接合を形成することができるからである。特に、本発明においては、第一金属パッド部および第二金属パッド部の両方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させることが好ましい。両方の金属パッド部が変形しやすくなることで、さらに強固な拡散接合を形成することができるからである。

本発明においては、結晶粗大化処理により、金属結晶のサイズを１．２μｍ以上の大きさまで粗大化させることが好ましく、１．４μｍ以上がより好ましく、１．６μｍ以上がさらに好ましく、１．８μｍ以上が特に好ましい。金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。一方、本発明においては、結晶粗大化処理により、金属結晶のサイズを３．０μｍ以下の大きさまで粗大化させることが好ましく、２．５μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以下がさらに好ましい。金属パッド部の変形という観点からは、金属結晶のサイズを大きくすることが好ましいが、その反面、結晶粗大化処理を過度に行うと、金属パッド部以外のフレキシブルプリント基板の部材に悪影響を与える可能性があるからである。

また、本発明においては、結晶粗大化処理により、金属結晶のサイズを、１．２倍〜３．０倍の範囲内で粗大化させることが好ましく、１．５倍〜２．５倍の範囲内で粗大化させることがより好ましい。上記範囲内であれば、金属パッド部が変形しやすくなり、強固な拡散結合を形成することができるからである。

本発明における「金属結晶のサイズ」は、以下の方法により測定することができる。すなわち、金属パッド部の断面を長さ方向で１０μｍ程度の範囲で、結晶粒界が認識できるように、ミクロトーム等でめっき断面を切断し、ＳＥＭにより倍率１５，０００倍程度で観察し、結晶粒の最も大きいものから１０個において、結晶の対角線の最長部位の長さを測定することにより求めることができる。

また、本発明においては、結晶粗大化処理により、第一金属パッド部および第二金属パッド部の少なくとも一方の硬度をビッカース硬度（ＨＶ）で８０以下まで低下させることが好ましく、７５以下がより好ましく、７０以下がさらに好ましい。一方、本発明においては、結晶粗大化処理により、ビッカース硬度（ＨＶ）で５０以上まで低下させることが好ましく、５５以上であることがより好ましく、６１以上であることがさらに好ましい。

ビッカース硬度は、ＪＩＳ Ｚ ２２４４に記載された方法により測定することができる。具体的には、図８に示すように、対面角α＝１３６°の正四角錐ダイヤモンドで作られたピラミッド形の圧子２００を、サンプル２１０の表面に押し込み、圧子２００を除いた後に、サンプル２１０に残った凹みの対角線の長さｄ（ｍｍ）から表面積Ｓ（ｍｍ^２）を算出する。試験荷重Ｆ（Ｎ）を算出した表面積Ｓ（ｍｍ^２）で割った値がビッカース硬さ（ＨＶ）であり、以下の式で求められる。

次に、本発明における結晶粗大化処理について具体的に説明する。本発明における結晶粗大化処理としては、金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズを粗大化できる処理であれば特に限定されるものではないが、例えば、加熱処理およびめっき処理等を挙げることができる。以下、加熱処理およびめっき処理について、詳細に説明する。

（１）加熱処理
結晶粗大化処理が加熱処理である場合、熱により金属パッド部に含まれる金属結晶を再結晶化することで、容易に結晶の粗大化が生じる。加熱温度は、１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることがさらに好ましい。加熱温度が低すぎると、充分に金属結晶が粗大化しない可能性や金属結晶の粗大化に多くの時間を必要とするという可能性があるからである。一方、加熱温度は、２４０℃以下であることが好ましく、２３０℃以下であることがより好ましく、２２０℃以下であることがさらに好ましい。加熱温度が高すぎると、フレキシブルプリント基板が熱収縮し、寸法精度が損なわれる可能性があるからである。特に、フレキシブルプリント基板の絶縁層が、ポリイミド等の樹脂である場合は、熱収縮が顕著に生じる。さらに、加熱温度が高すぎると、金属パッド部の接合面まで、配線部の材料（例えばＣｕ）や下地層の材料（例えばＮｉ）が拡散し、接合強度が低下する問題が生じる可能性がある。

加熱時間は、加熱温度によって異なるものであるが、金属結晶のサイズや金属パッド部の硬さが所望の範囲になる程度の時間であることが好ましく、例えば３０分間〜６０分間の範囲内であることが好ましい。

また、加熱方法は、例えば、接合するフレキシブルプリント基板にホットプレートを接触させて加熱する方法、バッチ式オーブンにて加熱する方法等を挙げることができる。

（２）めっき処理
結晶粗大化処理がめっき処理である場合、金属パッド部に含まれる金属結晶の表面にさらに金属元素が堆積することで、容易に結晶の粗大化が生じる。金属パッド部がＡｕめっきである場合の結晶粗大化の一例としては、無光沢タイプのＡｕめっき液を用いた電解Ａｕめっきの際に電流密度を調整する方法を挙げることができる。

また、結晶粗大化処理がめっき処理である場合、上述したフレキシブルプリント基板準備工程と連続的に行っても良い。すなわち、フレキシブルプリント基板の金属パッド部をめっき法により形成し、そのまま連続的にめっき処理を行っても良い。

３．拡散接合工程
次に、本発明における拡散接合工程について説明する。本工程は、上記結晶粗大化工程後に、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部を密着させ、超音波接合により、両者を拡散接合させる工程である。

超音波接合は、通常、超音波接合ツールを用いる。超音波振動の周波数は、例えば３０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚの範囲内、中でも６０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。超音波振動の振幅、超音波接合の際に印加する圧力については、金属パッド部の種類に応じて、適宜選択することが好ましい。超音波接合の接合時間は、充分な接合強度が得られる程度の時間であれば特に限定されるものではないが、例えば、数秒程度である。

本発明においては、超音波接合の際に、同時に加熱を行っても良い。加熱方法としては、例えば、接合するフレキシブルプリント基板にホットプレートを接触させて加熱する方法を挙げることができる。

また、本発明において、上述した結晶粗大化工程で加熱処理を行う場合、結晶粗大化工程の後に、連続的に超音波接合工程を行うことが好ましい。結晶粒子が移動しやすい状態で接合を行うことにより、さらに接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができるからである。

本発明により得られるフレキシブルプリント基板接合体は、金属パッド部同士が良好な強度で接合している。この接合部分における接合強度は、例えば５０ｇｆ以上であることが好ましく、７０ｇｆ〜１００ｇｆの範囲内にあることがより好ましい。

Ｂ．フレキシブルプリント基板の製造方法
次に、本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法について説明する。本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法は、配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備える結晶粗大化前フレキシブルプリント基板を準備する結晶粗大化前フレキシブルプリント基板準備工程と、上記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、を有することを特徴とするものである。

本発明によれば、結晶粗大化処理を行うことにより、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすいフレキシブルプリント基板を得ることができる。このようなフレキシブルプリント基板を用いることで、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。

本発明における結晶粗大化前フレキシブルプリント基板準備工程は、配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備える結晶粗大化前フレキシブルプリント基板を準備する工程である。本工程については、上記「Ａ．フレキシブルプリント基板接合体の製造方法」におけるフレキシブルプリント基板準備工程と同様である。また、配線部、金属パッド部およびその他の事項についても、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における結晶粗大化工程についても、上記「Ａ．フレキシブルプリント基板接合体の製造方法」における結晶粗大化工程と同様である。

Ｃ．フレキシブルプリント基板接合体
次に、本発明のフレキシブルプリント基板接合体について説明する。本発明のフレキシブルプリント基板接合体は、第一配線部、および上記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および上記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを有し、上記第一金属パッド部および上記第二金属パッド部が、拡散接合により接合されており、かつ、接合された金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするものである。

本発明によれば、接合された金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが上記範囲にあることで、金属パッド部の接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体とすることができる。なお、本発明における第一フレキシブルプリント基板、第二フレキシブルプリント基板、金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズ等については、上記「Ａ．フレキシブルプリント基板接合体の製造方法」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。

Ｄ．フレキシブルプリント基板
次に、本発明のフレキシブルプリント基板について説明する。本発明のフレキシブルプリント基板は、配線部、および上記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備えるフレキシブルプリント基板であって、上記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするものである。

本発明によれば、金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが上記範囲にあることで、超音波接合の際に金属パッドの変形が生じやすくなる。このようなフレキシブルプリント基板を用いることで、接合強度に優れたフレキシブルプリント基板接合体を得ることができる。本発明におけるフレキシブルプリント基板については、上記「Ａ．フレキシブルプリント基板接合体の製造方法」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［製造例］
（第一フレキシブルプリント基板１０の作製）
図１（ａ）に示す第一フレキシブルプリント基板１０を作製した。まず、図５に示す３層材を用意した。ここで、支持基板６１は厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層６２は厚さ１０μｍのポリイミド層であり、導電層６３は厚さ１２μｍの電解銅箔である。次に、この部材に化学エッチングを行い、金属パッド部を形成する前の第一フレキシブルプリント基板１０を得た。

次に、第一配線部３の絶縁部２側の表面に、スルファミン酸Ｎｉめっき浴を用いた電解浸漬めっきにより、１．６Ａ、４０ｓｅｃの処理条件にてめっきを行い、Ｎｉめっきからなる下地層（０．３μｍ）を形成した。次に、得られた下地層の表面に、シアン系の電解Ａｕめっき液を用い、６５℃、０．９Ａ、２．５ｍｉｎの条件にてめっきを行い、Ａｕめっきからなる第一金属パッド部５を形成した。なお、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂの厚さは、それぞれ２．５μｍとした。これにより、第一フレキシブルプリント基板１０を得た。

（第二フレキシブルプリント基板２０の作製）
第一フレキシブルプリント基板１０の作製時と同様の３層材を用い、同様の方法により、第二フレキシブルプリント基板２０を得た。なお、Ａｕめっきからなる第二金属パッド部１５の厚さは１．０μｍとした。

［実施例１］
製造例で得られた第一フレキシブルプリント基板１０および第二フレキシブルプリント基板２０の両者を、１５０℃６０分の条件で加熱した。加熱はバッチ式オーブンにより行った。その後、冷却することで、結晶を粗大化させたフレキシブルプリント基板を得た。次に、第一フレキシブルプリント基板１０と、第二フレキシブルプリント基板２０とを超音波接合により接合した。超音波接合は、図１（ｂ）に示すように、接合側第一金属パッド部５ａと、第二金属パッド部１５とを密着させ、超音波接合ツール３０を圧着させることにより行った。この時、超音波振動の周波数は１２０ｋＨｚであった。これにより、フレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例２］
加熱処理の条件を、１８０℃６０分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例３］
加熱処理の条件を、２１０℃６０分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例４］
加熱処理の条件を、２４０℃６０分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［比較例１］
加熱処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例５］
加熱処理の条件を、２１０℃１５分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例６］
加熱処理の条件を、２１０℃３０分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例７］
加熱処理の条件を、２４０℃１５分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［実施例８］
加熱処理の条件を、２４０℃３０分に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント基板接合体を得た。

［評価］
（１）金属結晶のサイズの測定
実施例１〜４および比較例１で得られたフレキシブルプリント基板接合体の接合部分の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。そのＳＥＭ写真を図９〜図１１に示す。また、得られたＳＥＭ写真を用いて、金属結晶のサイズを測定した。なお、この測定方法については上述した通りである。その結果を図１２に示す。図１２に示されるように、加熱処理により、実施例１〜４において金属結晶のサイズが粗大化することが確認された。

（２）金属パッド部のビッカース硬度の測定
製造例で得られた第一フレキシブルプリント基板を用いて、第一金属パッド部のビッカース硬度の経時変化を測定した。加熱温度は、上述した実施例１〜４と同様に、それぞれ１５０℃、１８０℃、２１０℃、２４０℃とした。また、測定には市販の測定機器を用い、荷重１０ｇ、負荷速度１０μｍ／秒の条件で測定した。その結果を図１３に示す。図１３に示されるように、加熱処理により、金属パッド部のビッカース硬度が低下することが確認された。なお、加熱処理の前の金属パッド部のビッカース硬度は９０Ｈｖであった。

（３）接合された金属パッド部の接合強度
実施例１〜４および比較例１で得られたフレキシブルプリント基板接合体の接合部分の接合強度を測定した。具体的には、市販の測定装置を用い、第二フレキシブルプリント基板２０から第一フレキシブルプリント基板１０を引き剥がす時のピール強度を測定した。ピール方向は、９０°上方とし、ピール速度５０ｍｍ／分とした。その結果を図１４に示す。図１４に示すように、比較例１に比べて、接合強度は、実施例１では８．３％向上し、実施例２では１６．７％向上し、実施例３では６６．７％向上し、実施例４では８３．３％向上することが確認された。

（４）加熱処理後の金属パッド部の表面元素分析
実施例１〜４において、加熱処理後、超音波接合前の第一フレキシブルプリント基板１０を用いて、第一金属パッド部の表面元素分析を行った。表面元素分析はオージェ電子分光法により行った。その結果を表１に示す。

表１に示されるように、実施例１〜３では、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂの両方で、微量のＣｕが検出された。なお、微量のＣｕが金属パッド部の表面で観察されるのは、めっき法で金属パッド部を形成した際に、配線部のＣｕが溶出したためであると考えられる。これに対して、実施例４では、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂの両方で、Ｃｕの割合が高かった。これは、上記めっき法によるＣｕの溶出に加えて、加熱処理による配線部のＣｕの拡散が生じたためであると考えられる。金属パッド部の表面にＣｕが存在すると、接合強度が低くなる可能性がある。

次に、実施例５〜８において、加熱処理後、超音波接合前の第一フレキシブルプリント基板１０を用いて、第一金属パッド部の表面元素分析を行った。その結果を表２に示す。

表２に示されるように、実施例５、６では、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂの両方で、Ｃｕの割合は低かった。これに対して、実施例７、８では、接合側第一金属パッド部５ａおよび非接合側第一金属パッド部５ｂの両方で、Ｃｕの割合が高く、さらには、下地層の成分であるＮｉが検出された。これは、加熱処理によって、配線部のＣｕや下地層のＮｉが、金属パッド部の表面まで拡散したためであると考えられる。そのため、ＣｕやＮｉの熱拡散の影響を抑制する観点からは、加熱温度が２４０℃よりも小さいことが好ましいことが確認された。

（５）配線部のピール強度
図１５に示す試験片９０を作製した。まず、実施例１と同様の３層材を用意し、実施例１と同様の方法により、導電層６３の表面に、Ａｕめっきからなる金属パッド部６４を形成し、試験片９０（初期試験片）を得た。次に、初期試験片を、実施例３と同様の２１０℃６０分の条件で加熱処理を行った。これにより、加熱後試験片を得た。次に、加熱後試験片を、温度８５℃、湿度８５ＲＨ％の条件下に１６８時間静置させた。これにより、耐久後試験片を得た。

その後、初期試験片、加熱後試験片および耐久後試験片を用いて、導電層（配線部）のピール強度を測定した。具体的には、市販の測定装置を用い、図１５に示すように、試験片９０の絶縁層６２から、導電層６３を引き剥がす時のピール強度を測定した。ピール方向は、９０°上方とし、ピール速度５０ｍｍ／分とし、ピール幅１．００ｍｍとし、測定サンプル数を９個とした。その結果を図１６に示す。図１６に示されるように、加熱後試験片および耐久後試験片は、０．６ｋＮ／ｍ以上のピール強度を有しており、初期試験片に比べて、大幅な劣化は見られないことが確認できた。

１、１１ … 支持部
２、１２ … 絶縁部
３… 第一配線部
４… カバー部
５… 第一金属パッド部
５ａ… 接合側第一金属パッド部
５ｂ… 非接合側第一金属パッド部
１０… 第一フレキシブルプリント基板
１３… 第二配線部
１４… 絶縁部
１５… 第二金属パッド部
２０… 第二フレキシブルプリント基板
３０… 超音波接合ツール

Claims (18)

1. 第一配線部、および前記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、第二配線部、および前記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを準備するフレキシブルプリント基板準備工程と、
   前記第一金属パッド部および前記第二金属パッド部の少なくとも一方に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、
   前記結晶粗大化工程後に、前記第一金属パッド部および前記第二金属パッド部を密着させ、超音波接合により、両者を拡散接合させる拡散接合工程と、
   を有することを特徴とするフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
2. 前記第一配線部および前記第一金属パッド部の間、ならびに、前記第二配線部および前記第二金属パッド部の間の少なくとも一方に、下地層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
3. 前記結晶粗大化処理により、前記金属結晶のサイズを１．２μｍ以上の大きさまで粗大化させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
4. 前記結晶粗大化処理により、前記第一金属パッド部および前記第二金属パッド部の少なくとも一方の硬度を、ビッカース硬度（ＨＶ）で８０以下まで低下させることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
5. 前記結晶粗大化処理が、加熱処理であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
6. 前記加熱処理の温度が、１８０℃〜２４０℃の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
7. 前記結晶粗大化処理が、めっき処理であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
8. 前記第一フレキシブルプリント基板がサスペンション用基板であり、前記第二フレキシブルプリント基板が中継基板であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板接合体の製造方法。
9. 配線部、および前記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備える結晶粗大化前フレキシブルプリント基板を準備する結晶粗大化前フレキシブルプリント基板準備工程と、
   前記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズを粗大化させる結晶粗大化処理を行う結晶粗大化工程と、
   を有することを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
10. 前記配線部および前記金属パッド部の間に、下地層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
11. 前記結晶粗大化処理により、前記金属結晶のサイズを１．２μｍ以上の大きさまで粗大化させることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
12. 前記結晶粗大化処理により、前記金属パッド部の硬度を、ビッカース硬度（ＨＶ）で８０以下まで低下させることを特徴とする請求項９から請求項１１までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
13. 前記結晶粗大化処理が、加熱処理であることを特徴とする請求項９から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
14. 前記加熱処理の温度が、１８０℃〜２４０℃の範囲内であることを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
15. 前記結晶粗大化処理が、めっき処理であることを特徴とする請求項９から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
16. 前記フレキシブルプリント基板がサスペンション用基板であることを特徴とする請求項９から請求項１５までのいずれかの請求項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
17. 第一配線部、および前記第一配線部上に形成され金を主成分とする第一金属パッド部を有する接続領域を備える第一フレキシブルプリント基板と、
    第二配線部、および前記第二配線部上に形成され金を主成分とする第二金属パッド部を有する接続領域を備える第二フレキシブルプリント基板とを有し、
    前記第一金属パッド部および前記第二金属パッド部が、拡散接合により接合されており、かつ、接合された金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするフレキシブルプリント基板接合体。
18. 配線部、および前記配線部上に形成され金を主成分とする金属パッド部を有する接続領域を備えるフレキシブルプリント基板であって、
    前記金属パッド部に含まれる金属結晶のサイズが１．２μｍ以上の大きさであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。

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