JP2011007802A - 光周波数測定システム - Google Patents

Abstract

【課題】高速且つ高分解能な光周波数測定を行う。
【解決手段】光周波数コム発生器４３により、レーザ光を変調して、レーザ光の周波数を中心周波数とし、変調周波数ｆ_ｍ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと変調周波数ｆ_ｍ間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムとを所定時間τ毎に交互に生成し、遅延ファイバ４５により所定時間τの時間遅延を与え、＋ｆ_Ｓの周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する検出器４８Ａからの第１の周波数信号と、光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を第２の検出器４８Ｂからの第２の周波数信号と、−ｆ_Ｓの周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第３の検出器４８Ｃからの第３の周波数信号との間の差周波数又は和周波数を周波数カウンタ４９により測定する。
【選択図】図８

Description

本発明は、任意の波長における広いスペクトル幅を必要とする光周波数測定システムに関し、特に高速且つ高分解能な光周波数測定を実現するための光周波数測定システムに関する。

従来より、光周波数を高精度に測定する場合に光周波数コム発生器（Optical Frequency Comb Generator）が使用されている。すなわち、２つのレーザ光をヘテロダイン検波してその差周波数を測定する場合、その帯域は受光素子の帯域で制限され、おおむね数十ＧＨｚ程度であるので、光周波数コム発生器を用いて広帯域なヘテロダイン検波系を構築するようにしている。光周波数コム発生器は、入射したレーザ光の側帯波を等周波数間隔毎に数百本発生させるもので、発生される側帯波の周波数安定度はもとのレーザ光のそれとほぼ同等である。そこで、この側帯波と被測定レーザ光をヘテロダイン検波することにより、数ＴＨｚに亘る広帯域なヘテロダイン検波系を構築することができる。

例えば、図９に示す従来の光周波数測定システム１００は、レーザ光Ｌ_０ を出射するレーザ光源１１１と、このレーザ光源１１１からレーザ光Ｌ_０ が入射される光周波数コム発生器１１２と、この光周波数コム発生器１１２に与える変調信号Ｓ_ＭＯＤ を発生する変調信号発生器１１３と、上記光周波数コム発生器１１２により発生された光周波数コムを参照光Ｌ_ＲＥＦ として被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ と参照光Ｌ_ＲＥＦ との合成を行う光合成器１１４と、上記光合成器１１４により合成された参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化すなわち周波数信号Ｓ_ＤＥＴ を検出する光検出器１１５と、この光検出器１１５による検出出力信号の周波数を測定する周波数カウンタ１１６からなる。

このような構成の従来の光周波数測定システム１００において、光周波数コム発生器１１２により発生された光周波数コムのｍ次のサイトバンドと被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ とのビート周波数を周波数カウンタ１１６で測定し、その測定結果をΔｆ_ｂ とするとき、被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ の周波数ν_２ は
ν_２ ＝ν_１ ＋ｍｆ_ｍ ±Δｆ_ｂ
である。ここで、ν_１ は、レーザ光源１１１から出射されるレーザ光Ｌ_０ 周波数、ｆ_ｍ は、変調信号発生器１１３により光周波数コム発生器１１２に与えられる変調信号Ｓ_ＭＯＤ の周波数すなわち変調周波数である。これらの値は、既知であるので±Δｆ_ｂ の符号の決定及び整数である光周波数コムのサイドバンド次数ｍを知ることで、上記被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ の周波数ν_２ を決定することができる。

特開平０９−０１８０７４号公報 特開平０４−１１８５３４号公報

しかし、上述の如き構成の従来の光周波数測定システム１００では、±Δｆ_ｂの符号の決定及び整数である光周波数コムのサイドバンド次数ｍを知るために、例えば分解能がｆ_ｍ 以下の波長計を用いてν_２ の測定を行うなど、他の光周波数の測定装置を組み合わせて使用する必要があった。従来の光周波数測定システムでは、このように付加的な光周波数測定装置の使用によるコストの上昇を避けることができないという問題点があった。

そこで、本発明の目的は、上述の如き従来の光周波数測定システムにおける問題点に鑑み、付加的な光周波数測定装置の使用を必要とすることなく、しかも、被測定レーザの周波数揺らぎに影響されることなく、高速且つ高分解能な光周波数測定を行うことができるようにすることにある。

本発明の他の目的、本発明によって得られる具体的な利点は、以下に説明される実施の形態の説明から一層明らかにされる。

本発明に係る光周波数測定システムは、レーザ光を出射するレーザ光源と、上記レーザ光源から出射されたレーザ光に周波数シフトを与える周波数シフト手段と、上記周波数シフト手段を介してレーザ光が入射される光周波数コム発生手段と、上記光周波数コム発生手段により生成された光周波数コムと被測定レーザ光とを合成する光合成手段と、上記光合成手段により合成された光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する検出手段と、上記検出手段による検出出力として得られる上記周波数シフト手段によるレーザ光の周波数シフトの有無、及び、上記光周波数コム発生手段における変調周波数のシフトの有無に応じた上記光周波数コム発生手段から得られる光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による各周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする。

また、本発明に係る光周波数測定システムは、レーザ光を出射するレーザ光源と、上記レーザ光源からレーザ光を分離する第１の光分離手段と、上記光分離手段を介して入射されるレーザ光を変調して第１の変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムを生成する第１の光周波数コム発生手段と、上記光分離手段を介して入射されるレーザ光を変調して第２の変調周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムを生成する第２の光周波数コム発生手段と、上記第１の光周波数コム発生手段により発生された第１の光周波数コムを分離する第２の光分離手段と、上記第２の光分離手段により分離された第１の光周波数コムに＋ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第１の周波数シフト手段と、上記第２の光分離手段により分離された第１の光周波数コムに−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第２の周波数シフト手段と、被測定レーザ光を分離する第３の光分離手段と、上記第１の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第１の光合成手段と、上記第２の光周波数コム発生手段により発生された第２の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第２の光合成手段と、上記第２の周波数シフト手段により−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第２の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第３の光合成手段と、上記第１の光合成手段により合成された上記＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第１の周波数信号を出力する第１の検出手段と、上記第２の光合成手段により合成された上記第２の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第２の周波数信号を出力する第２の検出手段と、上記第３の光合成手段により合成された上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第３の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第２の周波数信号を出力する第３の検出手段と、上記第１乃至第３の検出手段により得られる第１乃至第３の周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする。

さらに、本発明に係る光周波数測定システムは、レーザ光を出射するレーザ光源と、変調周波数が第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆと第２の周波数ｆ_ｍ を所定時間τ毎に切り替わる変調信号を繰り返し生成する変調信号生成手段と、上記変調信号生成手段からの変調信号により上記レーザ光源からレーザ光を変調して、上記レーザ光の周波数を中心周波数とし、上記第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと上記第２の周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムとを所定時間τ毎に交互に生成する光周波数コム発生手段と、上記光周波数コム発生手段により生成された光周波数コムを分離する第１の光分離手段と、上記第１の光分離手段により分離された光周波数コムに所定時間τの時間遅延を与える光遅延手段と、上記光遅延手段により所定時間τの時間遅延が与えられた光周波数コムを分離する第２の光分離手段と、上記第２の光分離手段により分離された光周波数コムに＋ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第１の周波数シフト手段と、上記第２の光分離手段により分離された光周波数コムに−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第２の周波数シフト手段と、被測定レーザ光を分離する第３の光分離手段と、上記第１の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第１の光合成手段と、上記光周波数コム発生手段により発生された光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第２の光合成手段と、上記第２の周波数シフト手段により−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第３の光合成手段と、上記第１の光合成手段により合成された上記＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第１の周波数信号を出力する第１の検出手段と、上記第２の光合成手段により合成された上記光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第２の周波数信号を出力する第２の検出手段と、上記第３の光合成手段により合成された上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第３の周波数信号を出力する第３の検出手段と、上記第１乃至第３の検出手段により得られる第１乃至第３の周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする。

本発明に係る光周波数測定システムでは、レーザ光源から出射されたレーザ光に周波数シフト手段により与える周波数シフトの有無、及び、光周波数コム発生手段における変調周波数のシフトの有無に応じて、上記光周波数コム発生手段から得られる光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による各周波数信号間の差周波数又は和周波数を周波数測定手段により測定することによって、付加的な光周波数測定装置の使用を必要とすることなく、光周波数の高分解能測定を行うことができる。

また、本発明に係る光周波数測定システムでは、第１及び第２の光周波数コム発生手段により、第１の光分離手段により分離されたレーザ光源からのレーザ光を変調して、上記レーザ光の周波数を中心周波数とし、上記第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと上記第２の周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムを生成し、第２の光分離手段によりさらに分離された第１の光周波数コムに第１及び第２の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフト及び−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与え、第１の光合成手段により合成される上記＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第１の検出手段により得られる第１の周波数信号と、第２の光合成手段により合成される上記第２の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を第２の検出手段により得られる第２の周波数信号と、第３の光合成手段により合成される上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第３の検出手段により得られる第３の周波数信号との間の差周波数又は和周波数を周波数測定手段により測定することによって、２台の周波数コム発生器を用いて、被測定レーザの周波数揺らぎに影響されることなく、短時間に且つ安定に光周波数の高分解能測定を行うことができる。

さらに、本発明に係る光周波数測定システムでは、光周波数コム発生手段により、レーザ光源からレーザ光を変調して、上記レーザ光の周波数を中心周波数とし、上記第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと上記第２の周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムとを所定時間τ毎に交互に生成し、第１の光分離手段により分離された光周波数コムに光遅延手段により所定時間τの時間遅延を与えてから第２の光分離手段によりさらに分離された光周波数コムに第１及び第２の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフト及び−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与え、第１の光合成手段により合成される上記＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第１の検出手段により得られる第１の周波数信号と、第２の光合成手段により合成される上記光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を第２の検出手段により得られる第２の周波数信号と、第３の光合成手段により合成される上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第３の検出手段により得られる第３の周波数信号との間の差周波数又は和周波数を周波数測定手段により測定することによって、１台の周波数コム発生器を用いた簡単な構成で、被測定レーザの周波数揺らぎに影響されることなく、短時間に且つ安定に光周波数の高分解能測定を行うことができる。

本発明に係る光周波数測定システムの構成を示すブロック図である。 光周波数コム発生器により発生された光周波数コムのｍ次のサイトバンドと被測定レーザ光とのビート周波数を測定する場合に、変調周波数ｆ_ｍ をΔｆだけ変化させることにより生ずるビート周波数の変化を模式的に示す図である。 光周波数コム発生器により発生された光周波数コムのｍ次のサイトバンドと被測定レーザ光とのビート周波数を測定する場合に、変調周波数ｆ_ｍ をΔｆだけ変化させる前の状態でｆ_Ｓ の周波数シフトを与えた場合と与えない場合を比較して、ビート周波数の変化を模式的に示す図である。 レーザ周波数や変調周波数を切り替えている間に、被測定レーザ光の周波数が揺らいでしまうと、ビート周波数の変化量が正確に測定できない状態を模式的に示す図である。 本発明に係る光周波数測定システムの他の構成を示すブロック図である。 上記光周波数測定システムにおける第１及び第２の光周波数コム発生器の構造を模式的に示す斜視図である。 上記第１及び第２の光周波数コム発生器を構成する光導波路部の形成状態を模式的に示す平面図である。 本発明に係る光周波数測定システムのさらに他の構成を示すブロック図である。 従来の光周波数測定システムの構成を示すブロック図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明に係る光周波数測定システムは、例えば図１に示すように構成される。

この光周波数測定システム１０は、レーザ光Ｌ_０ を出射するレーザ光源１１と、このレーザ光源１１からレーザ光Ｌ_０ が光周波数シフタ１２を介して入射される光周波数コム発生器１３と、この光周波数コム発生器１３に与える変調信号Ｓ_ＭＯＤ を発生する変調信号発生器１４と、上記光周波数コム発生器１３により発生された光周波数コムを参照光Ｌ_ＲＥＦ として被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ と参照光Ｌ_ＲＥＦ との合成を行う光合成器１５と、上記光合成器１５により合成された参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化すなわち周波数信号Ｓ_ＤＥＴ を検出する光検出器１６と、この光検出器１６による検出出力信号の周波数を測定する周波数カウンタ１７からなる。

このような構成の光周波数測定システム１０において、光周波数コム発生器１３により発生された光周波数コムのｍ次のサイドバンドと被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ とのビート周波数を周波数カウンタ１７で測定し、その測定結果をΔｆ_ｂ とするとき、被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ の周波数ν_２ は
ν_２ ＝ν_１ ＋ｆ_Ｓ ＋ｍｆ_ｍ ±Δｆ_ｂ （１）
である。ここで、ν_１ は、レーザ光源１１から出射されるレーザ光Ｌ_０ 周波数、ｆ_Ｓ は、光周波数シフタ１２によるシフト周波数、ｆ_ｍ は、変調信号発生器１４により光周波数コム発生器１３に与えられる変調信号Ｓ_ＭＯＤの周波数すなわち変調周波数である。これらの値は、既知であるので±Δｆ_ｂ の符号の決定及び整数である光周波数コムのサイドバンド次数ｍを知ることで、上記被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ の周波数ν_２ を決定することができる。

光周波数コム発生器１３により発生された光周波数コムのｍ次のサイトバンドと被測定レーザ光とのビート周波数を測定する場合、図２に示すように、変調周波数ｆ_ｍ をΔｆだけ変化させると、ビート周波数はｍΔｆ変化しΔｆ_ｂ 'となる。また、変調周波数ｆ_ｍ をΔｆだけ変化させる前の状態でかつ図３に示すようにｆ_Ｓ の周波数シフトを与えた場合と与えない場合を比べると、ビート周波数はｆ_Ｓ 変化し、Δｆ_ｂ ''なる。これらのビート周波数と被測定レーザ光の周波数ν_２ との関係は、
ν_２ ＝ν_１ ＋ｆ_Ｓ ＋ｍ（ｆ_ｍ ＋Δｆ）±Δｆ_ｂ ' （２）
ν_２ ＝ν_１ ＋ｍｆ_ｍ ±Δｆ_ｂ '' （３）
となる。Δｆ_ｂ 'とΔｆ_ｂ ''の符号が等しい場合には、上記（２）式及び（３）式より、
｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '｜＝ｆ_Ｓ ＋ｍΔｆ （４）
となり、ｆ_Ｓ ＞ｍΔｆとなるようにΔｆとｆ_Ｓ の値をｆ_Ｓ ≫Δｆに設定しておくことにより、ｍを決定することができる。

Δｆ_ｂ ''とΔｆ_ｂ 'の符号が異なる場合に は、負の周波数シフトを行ってｆ_Ｓ の代わりに−ｆ_Ｓ とすることにより、ビート周波数Δｆ_ｂ '''と被測定レーザ光の周波数ν_２ との関係は、
ν_２ ＝ν_１ −ｆ_Ｓ ＋ｍ（ｆ_ｍ ＋Δｆ）±Δｆ_ｂ ''' （５）
となる。Δｆ_ｂ ''とΔｆ_ｂ 'の符号が異なる場合には、Δｆ_ｂ ''とΔｆ_ｂ '''の符号が等しくなるので、上記（３）式及び（５）式より、
｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '''｜＝ｆ_Ｓ −ｍΔｆ （６）
となり、ｍを決定することができる。

この結果が正しいか否かの判別は、
｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '''｜＋｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '｜＝２ｆ_Ｓ （７）
が成り立てば、Δｆ_ｂ '，Δｆ_ｂ ''，Δｆ_ｂ '''の符号が等しいので（４）式及び（６）式のどちらの式から得られた結果も正しい。

また、（７）式が成り立たない場合、
｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '''｜＋｜Δｆ_ｂ ''＋Δｆ_ｂ '｜＝２ｆ_Ｓ （８）
が正しければ、（６）式が正しくｍ及び±Δｆ_ｂ の符号を決定することができる。

さらに、
｜Δｆ_ｂ ''＋Δｆ_ｂ '''｜＋｜Δｆ_ｂ ''−Δｆ_ｂ '｜＝２ｆ_Ｓ （９）
が正しければ、（４）式が正しくｍ及び±Δｆ_ｂ の符号を決定することができる。

ここで、ｆ_Ｓ 及びΔｆに関して異なる（２）式、（３）式及び（５）式で表現される３つのパターンからｍ及び±Δｆ_ｂ の符号を決定することができる場合を説明したが、これ以外のパターンであっても最低３つのパターンがあれば、またｆ_Ｓ 及びΔｆの値は測定対象とするレーザ光の周波数範囲において解を複数与えないように設定しておけば、ｍ及び±Δｆ_ｂ の符号を決定し被測定レーザ光の周波数ν_２ を決定することができる。例えばｍの符号が明らかである場合（例えばν_１とν_２ の大小関係が明確である場合）、ｆ_Ｓ ＝０であって、Δｆが異なる３つの値をとるとき、ｍの値とΔｆ_ｂの符号を決定することができる。

なお、ｍの値とΔｆ_ｂ の符号を決定するに当たり、レーザ光の波長の制限などの条件を付加するパターンは多数あり、パターンが２つで良い場合もあるが、ここでは、上記３つのパターンで行うものとして、実施の形態を説明する。

ここで、被測定レーザ光に揺らぎがある場合、レーザ周波数や変調周波数を切り替えている間に、被測定レーザ光の周波数が揺らいでしまうと、図４に示すように、ビート周波数の変化量が正確に測定できないことがおこる。例えばｆ_ｍ を変化させて、Δｆ_ｂ を測定しようとすると、少なくともΔｆ_ｂ を測定するための時間が必要であり、この間に被測定レーザ光の周波数が変化すると、正確に測定できなくなる。特に、光周波数コム発生器は、ｆ_ｍ の変化範囲を大きくとれないので、不正確な測定は致命的である。

この問題は時間毎に条件を切り替えて測定を行うことにより発生するのであって、図５に示す実施の形態における光周波数測定システム２０のように、２台の光周波数コム発生器すなわち第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂを用いて異なった条件での干渉による周波数信号を同時に測定することで解決することができる。

この光周波数測定システム２０では、被測定レーザ光が揺らいでいても、２台の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの出力と被測定レーザ光の間で得られたビートの相対的な周波数を同時測定することにより、被測定レーザ光の揺らぎをキャンセルすることができ、周波数カウンタ２８で第１の周波数信号ＳＡと第２の周波数信号ＳＢ、第１の周波数信号ＳＡと第３の周波数信号ＳＣ、第２の周波数信号ＳＢと第３の周波数信号ＳＣの各信号間の差周波数及び和周波数を測定することにより、ｍ及び±Δｆ_ｂ の符号を決定し被測定レーザ光の周波数ν_２ を決定することができる。

すなわち、図５に示す光周波数測定システム２０は、レーザ光源２１、第１乃至第４の光分離器２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂ、第１及び第２の変調信号発生器２４Ａ，２４Ｂ、第１及び第２の光周波数シフタ２５Ａ，２５Ｂ、第１乃至第３の光合成器２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ、第１乃至第３の光検出器２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ及び周波数カウンタ２８からなる。

この光周波数測定システム２０において、レーザ光源２１は、レーザ光Ｌ_０ を出射する光源である。このレーザ光源２１からのレーザ光Ｌ_０ は、第１の光分離器２２を介して第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂに入射される。

第１の光周波数コム発生器２３Ａは、第１の変調信号発生器２４Ａからｆ_ｍ ＋Δｆの第１の変調周波数を有する第１の変調信号Ｓ_ＭＯＤＡ が与えられており、この第１の変調信号Ｓ_ＭＯＤＡ で上記レーザ光Ｌ_０を変調することにより、レーザ光Ｌ_０ の周波数を中心周波数ν_０ として、第１の変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆの等周波数間隔で側帯波を発生させ、中心周波数ν_０ からｋ（ｆ_ｍ ＋Δｆ）（ｋ＝−ｍ，−ｍ＋１，−ｍ＋２，・・・，０，１，２，・・・，ｎ）の周波数成分の側帯波を有する光周波数コムを参照光Ｌ_ＲＥＦ として出力する。この第１の光周波数コム発生器２３Ａにより発生された参照光Ｌ_ＲＥＦ は、第２の光分離器２２Ｂを介して第１及び第２の光周波数シフタ２５Ａ，２５Ｂに入射される。

第１の光周波数シフタ２５Ａは、上記第１の光周波数コム発生器２３Ａにより発生された参照光Ｌ_ＲＥＦ に＋ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第１の参照光Ｌ_ＲＥＦＡ を出力する。この第１の光周波数シフタ２５Ａにより得られた第１の参照光Ｌ_ＲＥＦＡ は、第１の光合成器２６Ａに入射される。

第２の光周波数シフタ２５Ｂは、上記第１の光周波数コム発生器２３Ａにより発生された参照光Ｌ_ＲＥＦ に−ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第３の参照光Ｌ_ＲＥＦＣ を出力する。この第２の光周波数シフタ２５Ｂにより得られた第３の参照光Ｌ_ＲＥＦＣ は、第３の光合成器２６Ｃに入射される。

第２の光周波数コム発生器２３Ｂは、第２の変調信号発生器２４Ｂからｆ_ｍ の変調周波数を有する第２の変調信号Ｓ_ＭＯＤＢ が与えられており、この第２の変調信号Ｓ_ＭＯＤＢ で上記レーザ光Ｌ_０ を変調することにより、レーザ光Ｌ_０ の周波数を中心周波数ν_０ として、第２の変調周波数ｆ_ｍ の等周波数間隔で側帯波を発生させ、中心周波数νからｋｆ_ｍ （ｋ＝−ｍ，−ｍ＋１，−ｍ＋２，・・・，０，１，２，・・・，ｎ）の周波数成分の側帯波を有する光周波数コムを第２の参照光Ｌ_ＲＥＦＢ として出力する。この第２の光周波数コム発生器２３Ｂにより得られた第２の参照光Ｌ_ＲＥＦＢ は、第２の光合成器２６Ｂに入射される。

また、この光周波数測定システム２０において、被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ は、第３及び第４の光分離器２２Ｃ，２２Ｄを介して、上記第１乃至第３の光合成器２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃに入射される。

そして、第１の光合成器２６Ａは、上記第１の参照光Ｌ_ＲＥＦＡ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第１の光合成器２６Ａにより得られた第１の合成光は、第１の光検出器２７Ａに入射される。また、第２の光合成器２６Ｂは、上記第２の参照光Ｌ_ＲＥＦＢ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第２の光合成器２６Ｂにより得られた第２の合成光は、第２の光検出器２７Ｂに入射される。さらに、第３の光合成器２６Ｃは、上記第３の参照光Ｌ_ＲＥＦＣ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第３の光合成器２６Ｃにより得られた第３の合成光は、第３の光検出器２７Ｃに入射される。

第１の光検出器２７Ａは、第１の光合成器２６Ａにより得られた第１の合成光の光強度の変化、すなわち、第１の参照光Ｌ_ＲＥＦＡ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を第１の周波数信号ＳＡとして検出する。また、第２の光検出器２７Ｂは、第２の光合成器２６Ｂにより得られた第２の合成光の光強度の変化、すなわち、第２の参照光Ｌ_ＲＥＦＢ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を第２の周波数信号ＳＢとして検出する。さらに、第３の光検出器２７Ｃは、第３の光合成器２６Ｃにより得られた第３の合成光の光強度の変化、すなわち、第３の参照光Ｌ_ＲＥＦＢ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を第３の周波数信号ＳＣとして検出する。上記第１乃至第３の光検出器２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃにより検出された第１乃至第３の周波数信号ＳＡ，ＳＢ，ＳＣは、周波数カウンタ２８に入力される。

上記周波数カウンタ２８は、上記第１乃至第３の周波数信号ＳＡ，ＳＢ，ＳＣの各信号間の差周波数及び和周波数を測定する。

ここで、この光周波数測定システム２０に使用する２台の光周波数コム発生器すなわち第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂは、変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ，ｆ_ｍ の差周波数Δｆを正確に決める必要がある。すなわち、光周波数コム発生器の変調周波数は結晶長で決定されるので、特定の結晶長を持った光周波数コム発生器が複数必要となる。

そこで、この光周波数測定システム２０では、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂとして、例えば図６に示すように、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３ ）などの電気光学結晶基板３０上に互いに平行に形成された２台の光導波路型光周波数コム発生器が用いられる。

すなわち、図６に示す第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３ ）などの電気光学結晶基板３０上に、光導波路部３１Ａ，３１Ｂを形成し、さらに、保護層３２を介して電極３３Ａ，３３Ｂを形成した光導波路型光周波数コム発生器である。光導波路部３１Ａ，３１Ｂは、各両端面にはクロム，金，アルミニウムあるいは誘電体多層膜などを蒸着することにより、図示しない入射端反射膜と出射端反射膜が形成されており、入射されたレーザ光を内部で共振させるファブリペロエタロンを構成している。

このような構造の第１の光周波数コム発生器２３Ａは、上記第１の変調信号発生器２４Ａからｆ_ｍ＋Δｆの変調周波数を有する第１の変調信号Ｓ_ＭＯＤＡが上記電極３３Ａに印加され、上記第１の変調信号Ｓ_ＭＯＤＡ に応じた電界が上記光導波路部３１Ａに印加されることにより、上記入射端から上記光導波路部３１Ａに入射されたレーザ光の周波数を上記第１の変調信号Ｓ_ＭＯＤＡ に応じて変調する。また、第２の光周波数コム発生器２３Ｂは、上記第２の変調信号発生器２４Ｂからｆ_ｍ の変調周波数を有する第２の変調信号Ｓ_ＭＯＤＢ が上記電極３３Ｂに印加され、上記第２の変調信号Ｓ_ＭＯＤＢ に応じた電界が上記光導波路部３１Ｂに印加されることにより、上記入射端から上記光導波路部３１Ｂに入射されたレーザ光の周波数を上記第２の変調信号Ｓ_ＭＯＤＢ に応じて変調する。

このように電気光学結晶基板３０上に形成された２台の光導波路型光周波数コム発生器を用いるようにした第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂでは、図７の（Ａ）に示すように、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂを構成する光導波路部３１Ａ，３１Ｂを長方形の電気光学結晶基板３０上に互いに平行に形成し、上記長方形の電気光学結晶基板３０互いに平行な２辺を共有させることにより、上記第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの共振器長を一致させて、同じ変調周波数とすることができる。そして、変調周波数の差を１台の光導波路型光周波数コム発生器の調整可能範囲内で正確に調整することができる。また、このような構造を採用することにより、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの全体を小型化することができる。

ここで、図７の（Ａ）に示した例では、第１及び第２の光周波数コム発生器３Ａ，３Ｂを構成する光導波路部３１Ａ，３１Ｂを長方形の電気光学結晶基板３０上に互いに平行に形成したが、図７の（Ｂ）に示すように上記光導波路部３１Ａ，３１Ｂを長方形の電気光学結晶基板３０上に互いに非平行な状態に形成することにより、上記第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの共振器長を不一致の状態にさせ、変調周波数を大きく異ならしめることができる。そして、変調周波数の差を１台の光導波路型光周波数コム発生器の調整可能範囲内で正確に調整することができる。

また、上記第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの変調周波数の差周波数を大きくするには、図７の（Ｂ）に示すように非平行な２辺を有する四角形状の電気光学結晶基板３０Ａを用い、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂを構成する光導波路部３１Ａ，３１Ｂを上記電気光学結晶基板３０Ａの非平行な２辺を共有するように形成すればよい。このような構造を採用することにより上記第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂの各共振器長は、非平行な２辺を有する四角形状の電気光学結晶基板３０Ａ上における光導波路部３１Ａ，３１Ｂの位置と、上記非平行な２辺なす角度の大きさで正確に決定することができる。

さらに、上記光導波路型光周波数コム発生器の導波路作製時に、導波路の幅や深さを変えたり、ドープ量を変えて屈折率に変化させる等、導波路構造に変化を持たせることによって、差周波数を調整することができる。

また、上述の図５に示した光周波数測定システム２０では、第１及び第２の光周波数コム発生器２３Ａ，２３Ｂを用いたが、図８に示すような構成を採用することにより、１台の光周波数コム発生器４２を用いて上記光周波数測定システム２０と同様な測定を行うことができる。

すなわち、この図８に示す光周波数測定システム４０は、レーザ光源４１、光周波数コム発生器４２、変調信号発生器４３、第１乃至第４の光分離器４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ、遅延ファイバ４５、第１及び第２の光周波数シフタ４６Ａ，４６Ｂ、第１乃至第３の光合成器４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ、第１乃至第３の光検出器４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃ及び周波数カウンタ４９からなる。

この光周波数測定システム４０において、レーザ光源４１は、レーザ光Ｌ_０ を出射する光源である。このレーザ光源４１からのレーザ光Ｌ_０ は、光周波数コム発生器４２に入射される。

光周波数コム発生器４２は、変調信号発生器４３から与えられる変調信号Ｓ_{Ｍ ＯＤ} の変調周波数が第１の変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆと第２の変調周波数ｆ_ｍ に時間τ毎に切り換えられており、この変調信号Ｓ_ＭＯＤで上記レーザ光Ｌ_０ を変調することにより、レーザ光Ｌ_０ の周波数を中心周波数ν_０ として、第１の変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆの等周波数間隔で側帯波を発生させ、中心周波数ν_０ からｋ（ｆ_ｍ ＋Δｆ）（ｋ＝−ｍ，−ｍ＋１，−ｍ＋２，・・・，０，１，２，・・・，ｎ）の周波数成分の側帯波を有する光周波数コムと、レーザ光Ｌ_０ の周波数を中心周波数ν_０ として、第２の変調周波数周波数ｆ_ｍ の等周波数間隔で側帯波を発生させ、中心周波数νからｋｆ_ｍ （ｋ＝−ｍ，−ｍ＋１，−ｍ＋２，・・・，０，１，２，・・・，ｎ）の周波数成分の側帯波を有する光周波数コムを時間τ毎に交互に参照光Ｌ_ＲＥＦとして出力する。この光周波数コム発生器４２により発生された参照光Ｌ_ＲＥＦ は、第１の光分離器４４Ａに入射される。

この第１の光分離器４４Ａにより分離された参照光Ｌ_ＲＥＦ は、第１の光合成器４７Ａに第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ として入射されるとともに、τの遅延時間を有する遅延ファイバ４５を介して第２の光分離器４４Ｂに入射される。

上記遅延ファイバ４５により遅延時間τの時間遅延を与えられた参照光Ｌ_{ＲＥ ＦＤＬ} は、第２の光分離器４４Ｂを介して第１及び第２の光周波数シフタ４６Ａ，４６Ｂに入射される。

第１の光周波数シフタ４６Ａは、上記参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬ} に＋ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第１の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＡ} を出力する。この第１の光周波数シフタ４６Ａにより得られた第１の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＡ} は、第１の光合成器４７Ａに入射される。

また、第２の光周波数シフタ４６Ｂは、上記参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬ} に−ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第３の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＣ} を出力する。この第２の光周波数シフタ４６Ｂにより得られた第３の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＣ} は、第３の光合成器４７Ｃに入射される。

また、この光周波数測定システム４０において、被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ は、第３及び第４の光分離器４４Ｃ，４４Ｄを介して、上記第１及び第３の光合成器４７Ａ，４７Ｃに入射される。

そして、第１の光合成器４７Ａは、第１の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＡ} と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第１の光合成器４７Ａにより得られた第１の合成光は、第１の光検出器４８Ａに入射される。また、第２の光合成器４７Ｂは、上記第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第２の光合成器４７Ｂにより得られた第２の合成光は、第２の光検出器４８Ｂに入射される。また、第３の光合成器４７Ｃは、上記第３の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＣ} と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との合成を行う。この第２の光合成器４７Ｃにより得られた第３の合成光は、第３の光検出器４８Ｃに入射される。

第１の光検出器４８Ａは、第１の光合成器４７Ａにより得られた第１の合成光の光強度の変化、すなわち、第１の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＡ} と被測定レーザ光Ｌ_{Ｏ Ｂ} との干渉による光強度の変化を第１の周波数信号ＳＡとして検出する。また、第２の光検出器４８Ｂは、第２の光合成器４７Ｂにより得られた第２の合成光の光強度の変化、すなわち、第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を第２の周波数信号ＳＢとして検出する。さらに、第３の光検出器４８Ｃは、第３の光合成器４７Ｃにより得られた第３の合成光の光強度の変化、すなわち、第３の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＣ} と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を第３の周波数信号ＳＣとして検出する。上記第１乃至第３の光検出器４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃにより検出された第１乃至第３の周波数信号ＳＡ，ＳＢ，ＳＣは、周波数カウンタ４９に入力される。

上記周波数カウンタ４９は、上記第１乃至第３の周波数信号ＳＡ，ＳＢ，ＳＣの各信号間の差周波数及び和周波数を測定する。

この光周波数測定システム４０において、光周波数コム発生器４２の変調周波数が時間τ毎にΔｆの幅で切り替えられており、Δｆが第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ として用いるレーザ光Ｌ_０ の揺らぎよりも大きく設定されている。この変調周波数の関数をｆ_ｍ （ｔ）で表すと、被測定レーザ光の周波数が、上記光周波数コム発生器４２から参照光Ｌ_ＲＥＦ として時間τ毎に切り替えられて出力される各光周波数コムのｍ次のサイドバンドの周波数の間の周波数でない場合、すなわち符号が等しいときのビート周波数は、上記参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬ} に＋ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第１の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＡ} と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を検出する第１の光検出器４８Ａにより得られる第１の周波数信号ＳＡでは、例えば、
Δｆ_ｂＡ ＝｜ν_２ −ν_１ −ｆ_Ｓ ＋ｍｆ_ｍ （ｔ−τ）｜ （１０）
であるとき、第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を検出する第２の光検出器４８Ｂにより得られる第２の周波数信号ＳＢでは、
Δｆ_ｂＢ ＝｜ν_２ −ν_１ −ｆ_Ｓ ＋ｍｆ_ｍ （ｔ）｜ （１１）
となる。ここで、この差の周波数の信号は被測定レーザの揺らぎに関係なく
｜Δｆ_ｂＡ −Δｆ_ｂＢ ｜＝ｆ_Ｓ ＋ｍｆ_ｍ （ｔ−τ）−ｍｆ_ｍ （ｔ） （１２）
となる。すなわち、この信号の周波数は、ｆ_Ｓ を中心として±ｍΔｆの周波数変動が観測される。したがって、この信号より、ｍ及び±Δｆ_ｂＡ 、±Δｆ_ｂＢ の符号を決定し被測定レーザ光の周波数ν_２ を決定することができる。

上記（１２）式で示される信号は、被測定レーザの周波数揺らぎに影響される項はなくｍを決定できることがわかる。また、このとき、被測定レーザの周波数変動の影響はキャンセルされ図４のようなビート周波数の変化量が正確に測定できなくなることが回避される。

また、被測定レーザ光の周波数が、上記光周波数コム発生器４２から参照光Ｌ_ＲＥＦ として時間τ毎に切り替えられて出力される各光周波数コムのｍ次のサイドバンドの周波数の中間の周波数である場合には、第２の参照光Ｌ_ＲＥＦ と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を検出する第２の光検出器４８Ｂにより得られる第２の周波数信号ＳＢと、上記参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬ} に−ｆ_Ｓ の周波数だけ周波数シフトを与えた第３の参照光Ｌ_{ＲＥＦＤＬＣ} と被測定レーザ光Ｌ_ＯＢ との干渉による光強度の変化を検出する第３の光検出器４８Ｃにより得られる第３の周波数信号ＳＣを用いることにより、ｍ及び±Δｆ_ｂＡ 、±Δｆ_ｂＢ の符号を決定し被測定レーザ光の周波数ν_２ を決定することができる。

なお、上記各実施の形態における光周波数測定システムでは、１つ被測定レーザ光の周波数を測定したが、参照光を複数に分離することにより、光通信用の複数のレーザ光源の周波数測定を行うこともできる。

１０，２０，４０ 光周波数測定システム、１１，２１，４１ レーザ光源、１２，２５Ａ，２５Ｂ，４６Ａ，４６Ｂ 光周波数シフタ、１３，２３Ａ，２３Ｂ、４２ 光周波数コム発生器、１４，２４Ａ，２４Ｂ，４３ 変調信号発生器、１５，２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ 光合成器、１６，２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃ 光検出器、１７，２８，４９ 周波数カウンタ、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ 光分離器、４５ 遅延ファイバ

Claims (7)

1. レーザ光を出射するレーザ光源と、
   上記レーザ光源から出射されたレーザ光に周波数シフトを与える周波数シフト手段と、
   上記周波数シフト手段を介してレーザ光が入射される光周波数コム発生手段と、
   上記光周波数コム発生手段により生成された光周波数コムと被測定レーザ光とを合成する光合成手段と、
   上記光合成手段により合成された光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する検出手段と、
   上記検出手段による検出出力として得られる上記周波数シフト手段によるレーザ光の周波数シフトの有無、及び、上記光周波数コム発生手段における変調周波数のシフトの有無に応じた上記光周波数コム発生手段から得られる光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による各周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする光周波数測定システム。
2. レーザ光を出射するレーザ光源と、
   上記レーザ光源からレーザ光を分離する第１の光分離手段と、
   上記光分離手段を介して入射されるレーザ光を変調して第１の変調周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムを生成する第１の光周波数コム発生手段と、
   上記光分離手段を介して入射されるレーザ光を変調して第２の変調周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムを生成する第２の光周波数コム発生手段と、
   上記第１の光周波数コム発生手段により発生された第１の光周波数コムを分離する第２の光分離手段と、
   上記第２の光分離手段により分離された第１の光周波数コムに＋ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第１の周波数シフト手段と、上記第２の光分離手段により分離された第１の光周波数コムに−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第２の周波数シフト手段と、
   被測定レーザ光を分離する第３の光分離手段と、
   上記第１の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第１の光合成手段と、
   上記第２の光周波数コム発生手段により発生された第２の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第２の光合成手段と、
   上記第２の周波数シフト手段により−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第２の光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第３の光合成手段と、
   上記第１の光合成手段により合成された上記＋ｆ_Ｓ の周 波数シフトが与えられた第１の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第１の周波数信号を出力する第１の検出手段と、
   上記第２の光合成手段により合成された上記第２の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第２の周波数信号を出力する第２の検出手段と、
   上記第３の光合成手段により合成された上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた第３の光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第３の周波数信号を出力する第３の検出手段と、
   上記第１乃至第３の検出手段により得られる第１乃至第３の周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする光周波数測定システム。
3. 上記第１及び第２の光周波数コム発生手段として、四角形状の電気光学結晶基板上に、上記電気光学結晶基板の対向する２辺を共有する２つの光導波路と電極を形成した２つの光導波路型光周波数コム発生器を備えることを特徴とする請求項２記載の光周波数測定システム。
4. 上記２つの光導波路型光周波数コム発生器は、長方形の電気光学結晶基板上に、互いに平行な２つの光導波路を有することを特徴とする請求項３記載の光周波数測定システム。
5. 上記２つの光導波路型光周波数コム発生器は、長方形の電気光学結晶基板上に、互いに非平行な２つの光導波路を有することを特徴とする請求項３記載の光周波数測定システム。
6. レーザ光を出射するレーザ光源と、
   変調周波数が第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆと第２の周波数ｆ_ｍ を所定時間τ毎に切り替わる変調信号を繰り返し生成する変調信号生成手段と、
   上記変調信号生成手段からの変調信号により上記レーザ光源からのレーザ光を変調して、上記レーザ光の周波数を中心周波数とし、上記第１の周波数ｆ_ｍ ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと上記第２の周波数ｆ_ｍ 間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムとを所定時間τ毎に交互に生成する光周波数コム発生手段と、
   上記光周波数コム発生手段により生成された光周波数コムを分離する第１の光分離手段と、
   上記第１の光分離手段により分離された光周波数コムに所定時間τの時間遅延を与える光遅延手段と、
   上記光遅延手段により所定時間τの時間遅延が与えられた光周波数コムを分離する第２の光分離手段と、
   上記第２の光分離手段により分離された光周波数コムに＋ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第１の周波数シフト手段と、
   上記第２の光分離手段により分離された光周波数コムに−ｆ_Ｓ の周波数シフトを与える第２の周波数シフト手段と、
   被測定レーザ光を分離する第３の光分離手段と、
   上記第１の周波数シフト手段により＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第１の光合成手段と、
   上記光周波数コム発生手段により発生された光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第２の光合成手段と、
   上記第２の周波数シフト手段により−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと上記第３の光分離手段により分離された被測定レーザ光とを合成する第３の光合成手段と、
   上記第１の光合成手段により合成された上記＋ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第１の周波数信号を出力する第１の検出手段と、
   上記第２の光合成手段により合成された上記光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第２の周波数信号を出力する第２の検出手段と、
   上記第３の光合成手段により合成された上記−ｆ_Ｓ の周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出して第３の周波数信号を出力する第３の検出手段と、
   上記第１乃至第３の検出手段により得られる第１乃至第３の周波数信号間の差周波数又は和周波数を測定する周波数測定手段とを備えることを特徴とする光周波数測定システム。
7. 上記光遅延手段は光ファイバからなることを特徴とする請求項６記載の光周波数測定システム。

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