JP2010541229A - 集積電子回路におけるワイヤー部の形成方法 - Google Patents
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Abstract
集積回路にワイヤー部(101、102)を形成する方法は、シード材質の層部分(11、12)の側面上にワイヤー部をエピタキシャル成長する段階を備える。ワイヤー部の断面寸法はシード材質の層部分の厚さ及び成長段階の継続時間に対応する。その後、シード材質の層部分が選択的に除去され、ワイヤー部が回路上に固定的に保持される。その後、回路を加熱することで、ワイヤー部の断面を丸くすることができる。得られたワイヤー部の直径は、約10nmとすることができる。この方法は、ショットチャネル効果がないMOSトランジスタのチャネルを形成するのに用いられ得る。
Description
本発明は、集積電子回路にワイヤー部を形成する方法に関する。本発明は、特に約10nm〜30nmの断面直径を有するワイヤー部を形成する方法に関する。
以下において、そのような直径を有するワイヤーをナノワイヤーと呼ぶ。
ナノワイヤーは、集積回路内のいくつかの用途に用いられることが意図されている。これらの用途のうち一番重要な用途の一つは、ナノワイヤーから構成されるチャネルを有するMOSトランジスタの製造である。そのようなトランジスタは、いわゆるショットチャネル効果を示さず、その結果、チャネルの電気伝導の良好な制御を可能にする。他の用途は、電気的に導電性を有するコネクション、抵抗部の直径によって制御された抵抗値を有する抵抗器、ストレッチセンサー(stretch−sensors)等の製造である。
少なくとも3つのプロセスが、ナノワイヤーを製造するために既に行われてきた。
これらのプロセスのうちの第1プロセスによれば、シリカ層上に重ねられたシリコン層を備える積層体が、集積電子回路の基板上に形成される。その後、シリコン層は、積層体の側部における回路の上面からエッチングされ、シリコントラック(silicon track)を形成する。その後、シリカ材料は、シリコントラックの中心部の下方が選択的にエッチングされて、シリコントラックの中央部と直下の基板との間に隙間(gap)が現れる。その後、回路が加熱されてシリコントラックの中心部の断面が丸くなる。シリコン材料はトラックの表面において酸化されて、このように形成されたシリカ材料が選択的にエッチングされる。酸化段階及びエッチング段階は交互に繰り返されて、中央部におけるトラックの直径は次第に減少される。
第2プロセスは、ハードマスクを有するスタック構造物を含む。複数のハードマスクのうちの一つは、2つの対向するエッジを有する開口部を有する。その2つの対向するエッジは、シリコンの層部分の下に位置する反対側のエッジより小さな間隔(separation gap)を有して互いに離間する。シリコンの層部分は、マスクの開口部を介してエッチングされ、その結果、マスクのエッジに沿って2つの平行するシリコンワイヤーが生成される。
最後に、第3プロセスは、触媒のナノ粒子、例えば金のナノ粒子を支持するシリコン又はゲルマニウムのシード表面上にエクスシチュ(ex−situ)でナノワイヤーを成長する段階を備えている。このようなシステムを加熱すると、各触媒粒子がシード表面上に液滴を形成し、そのシステムに気体状のシリコン又はゲルマニウムの前駆体が形成される。その後、ナノワイヤーは、各触媒のナノ粒子からシード表面に対して垂直に配向されたナノワイヤーの長手方向に成長する。一度ナノワイヤーが所望の長さに達すると、ナノワイヤーは基板上の所望の位置に運ばれる。成長位置から基板上の最終位置へのナノワイヤーの取り扱いは、原子力顕微鏡のチップに類似するチップを用いて実行され得る。しかし、そのような工程を用いて非常に長いナノワイヤーを形成することは困難であり、ナノワイヤー部の形状が良好に制御されない。
上述した全てのプロセスは多くの処理段階を備える。そのため、その方法で得られたナノワイヤーを取り入れた集積回路の処理時間は長くなり、製造費も高額になる。
本発明の目的は、製造費の増加を低減しつつ、実用的な方法による少なくとも一つのナノワイヤーを有する集積電子回路を生産することである。
この目的のため、本発明は、集積電子回路にワイヤー部を形成する方法を提供する。その方法は、集積電子回路が生産される基板であって、
・シード材料の層部分と、前記シード材料の層部分のそれぞれの対向する面上に位置する2つのパッシブ材料の層部分と、を含む積層体を備え、前記シード材料の層部分の結晶性部分が前記パッシブ材料の層部分と共に境界間において、前記積層体の側面で露出されている基板を形成する第1段階と、
・前記パッシブ材料の層部分に対して選択的に前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分上に、ワイヤー材料をエピタキシャル成長して、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分上に沿って、且つ該結晶性部分上に延びるワイヤー部を形成する段階であって前記ワイヤー材料と前記シード材料とがそれぞれに異なる化学組成を有する第2段階と、
・前記ワイヤー材料に対して選択的に前記シード材料の層部分を除去し、前記基板上に前記ワイヤー部を固定的に保持する第3段階と、
を備える。
・シード材料の層部分と、前記シード材料の層部分のそれぞれの対向する面上に位置する2つのパッシブ材料の層部分と、を含む積層体を備え、前記シード材料の層部分の結晶性部分が前記パッシブ材料の層部分と共に境界間において、前記積層体の側面で露出されている基板を形成する第1段階と、
・前記パッシブ材料の層部分に対して選択的に前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分上に、ワイヤー材料をエピタキシャル成長して、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分上に沿って、且つ該結晶性部分上に延びるワイヤー部を形成する段階であって前記ワイヤー材料と前記シード材料とがそれぞれに異なる化学組成を有する第2段階と、
・前記ワイヤー材料に対して選択的に前記シード材料の層部分を除去し、前記基板上に前記ワイヤー部を固定的に保持する第3段階と、
を備える。
このように、本発明によれば、ワイヤー部は、露出された結晶性(crystalline)のシード材料層から選択的な横方向エピタキシャル成長(lateral epitaxial growth)によってインシチュ(in situ)で基板上に成長される。そのため、基板上の最終位置にワイヤー部を運ぶのに、困難であり時間がかかる輸送段階が必要ない。
更に、従来の方法と比べて、本発明に係る方法は、以下のような利点を有する。
・第2段階における形成において、シード材料の層部分によってワイヤー部が長手方向にわたって支持される。そのため、積層体の横方向のエッジから離れた(out of)配置を通じてワイヤー部の形状が良好に制御される。この配置は、パッシブ材料層との境界間に露出されたシード材料の層部分の厚さ及び基板面に平行している面における横方向のエッジの突起(projection)の形状を含む。特に、非常に長いナノワイヤーと、回路基板に対して平行な様々な配向方向を有する幾つかの直線状のセグメントを備えるナノワイヤーとを形成することが容易である。更に、連続する直線のセグメント間で所与の角度を有するように設計されたナノワイヤーは、前記角度において連続している。回路配置の技術分野の当業者の専門語において、本発明はナノワイヤーの2次元的な(bi−dimensional)配置と互換性があると言われている。
・ワイヤー部の断面寸法は、パッシブ材料の層部分間に位置するシード材料の層部分の厚さと、第2段階の継続期間とによって決定される。そのため、これらは回路に用いられるリソグラフィー技術のピッチに依存しない。その結果、交互に酸化段階及びエッチング段階を更に行うことでナノワイヤーの断面積を減少させることは必須ではない。
・エピタキシャル成長は良好に制御されるので、ワイヤー部の断面寸法は、ワイヤー材料の一原子層までの正確さで設定され得る。
・本方法では、ナノワイヤーの極小断面寸法を得るために、リソグラフィーの実行において電子ビームを用いることを必要としない。
・本方法の実行は、リソグラフィックピッチに依存しない。換言すると、パッシブ材料の層部分に結合されたシード材料の層部分の側面を生成するために層のエッチングに用いられる初期リソグラフィー段階は、最終的に得られるワイヤーの断面寸法に対して決定的ではない。
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・ワイヤー部の断面寸法は、パッシブ材料の層部分間に位置するシード材料の層部分の厚さと、第2段階の継続期間とによって決定される。そのため、これらは回路に用いられるリソグラフィー技術のピッチに依存しない。その結果、交互に酸化段階及びエッチング段階を更に行うことでナノワイヤーの断面積を減少させることは必須ではない。
・エピタキシャル成長は良好に制御されるので、ワイヤー部の断面寸法は、ワイヤー材料の一原子層までの正確さで設定され得る。
・本方法では、ナノワイヤーの極小断面寸法を得るために、リソグラフィーの実行において電子ビームを用いることを必要としない。
・本方法の実行は、リソグラフィックピッチに依存しない。換言すると、パッシブ材料の層部分に結合されたシード材料の層部分の側面を生成するために層のエッチングに用いられる初期リソグラフィー段階は、最終的に得られるワイヤーの断面寸法に対して決定的ではない。
本発明を実施するために、シード材料の層部分の全体が結晶性を有することが必須でないことを当業者は理解するであろう。実際に、露出されているシード材料の層部分の一部においてシード材料が結晶性を有すれば十分である。更に、この結晶性の部分は、積層体の側面において露出するすべてのシード材料の層部分に対応しなくても良く、露出されるすべてのシード材料の層部分の一部だけでも良い。特に、シード材料の層部分は、該シード材料の層部分が初期ステージにおいて非晶質であるように第1段階で形成されても良く、積層体の側面に露出されたシード材料の層部分の一部分が、第2段階前の次のステージにおいて選択的に結晶化されても良い。
本発明の次の特徴又は改善が、独立的に又は互いに組み合わせられて、更に実施されても良い。
・前記シード材料の層部分の厚さが、積層方向に対して平行に測定したとき、約10nm〜30nmであっても良く、特に20nm未満であっても良い。
・前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分が、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分における異なる位置において、前記積層体の積層方向に平行して測定したとき、前記パッシブ材料の層部分との境界間で一様でない厚さを有しても良い。
・前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分が、少なくとも一つの片状セグメント(strip segment)を含むように設計されても良い。
・前記ワイヤー材料が電気的に導電性を有しても良い。
・前記シード材料と前記ワイヤー材料とが、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウムの合金、これらから得られるドープされた材料から選択されても良い。
・前記方法が、第3段階後に実行される更なる段階を備えても良く、その更なる段階は、前記ワイヤー部を加熱して、前記ワイヤー部の断面形状を変更させる段階を備えている。
・前記積層体の対向する側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分のそれぞれの上に少なくとも2つのワイヤー部が前記第2段階において形成されても良い。
・前記第1段階と前記第2段階との間に、前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分のセグメントを非結晶化させ、該非結晶化されたシード材料のセグメントによって互いに離間する結晶性シード材料の2つのセグメントを形成する段階を更に更に備えても良い。その後、第2段階は、前記ワイヤー材料が前記シード材料の層部分の前記非結晶化されたセグメントに対して選択的に前記シード材料の層部分の前記2つの結晶性のセグメントの両方の上に成長するように実行される。このように、互いに離間している2つのワイヤー部は、基板のベース表面上の一つの同じ高さ内に、同時に得られる。
・前記積層体は、シード材料の各結晶性部分が前記パッシブ材料の層部分との境界間で前記積層体の前記側面において互いに離間して露出されるように、パッシブ材料の層部分と交互に積層されたいくつかのシード材料の層部分を含んでも良い。前記ワイヤー材料が前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の部分のそれぞれの上に同時に成長されるように前記第2段階が行われ得る。これによって、積層方向に平行してシフトされた複数のワイヤー部が同時に形成される。複数のワイヤー部は、複数のシード材料の層部分に対応する。その後、第3段階が実行されて、各シード材料の層部分が除去される。これによって、3次元のワイヤー配置を得ることが可能である。随意的に、単一の除去段階で同時にすべてのシード材料の層部分を除去するように、第3段階が実行されても良い。
・前記シード材料の層部分の厚さが、積層方向に対して平行に測定したとき、約10nm〜30nmであっても良く、特に20nm未満であっても良い。
・前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分が、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分における異なる位置において、前記積層体の積層方向に平行して測定したとき、前記パッシブ材料の層部分との境界間で一様でない厚さを有しても良い。
・前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分が、少なくとも一つの片状セグメント(strip segment)を含むように設計されても良い。
・前記ワイヤー材料が電気的に導電性を有しても良い。
・前記シード材料と前記ワイヤー材料とが、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウムの合金、これらから得られるドープされた材料から選択されても良い。
・前記方法が、第3段階後に実行される更なる段階を備えても良く、その更なる段階は、前記ワイヤー部を加熱して、前記ワイヤー部の断面形状を変更させる段階を備えている。
・前記積層体の対向する側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分のそれぞれの上に少なくとも2つのワイヤー部が前記第2段階において形成されても良い。
・前記第1段階と前記第2段階との間に、前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分のセグメントを非結晶化させ、該非結晶化されたシード材料のセグメントによって互いに離間する結晶性シード材料の2つのセグメントを形成する段階を更に更に備えても良い。その後、第2段階は、前記ワイヤー材料が前記シード材料の層部分の前記非結晶化されたセグメントに対して選択的に前記シード材料の層部分の前記2つの結晶性のセグメントの両方の上に成長するように実行される。このように、互いに離間している2つのワイヤー部は、基板のベース表面上の一つの同じ高さ内に、同時に得られる。
・前記積層体は、シード材料の各結晶性部分が前記パッシブ材料の層部分との境界間で前記積層体の前記側面において互いに離間して露出されるように、パッシブ材料の層部分と交互に積層されたいくつかのシード材料の層部分を含んでも良い。前記ワイヤー材料が前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の部分のそれぞれの上に同時に成長されるように前記第2段階が行われ得る。これによって、積層方向に平行してシフトされた複数のワイヤー部が同時に形成される。複数のワイヤー部は、複数のシード材料の層部分に対応する。その後、第3段階が実行されて、各シード材料の層部分が除去される。これによって、3次元のワイヤー配置を得ることが可能である。随意的に、単一の除去段階で同時にすべてのシード材料の層部分を除去するように、第3段階が実行されても良い。
本発明の方法は、ナノワイヤータイプのトランジスタチャネルを有するMOSトランジスタを生産するために用いられても良い。この目的のため、電気的に絶縁性の層は、本発明によって形成されたワイヤー部の周囲面に形成される。次に、トランジスタのゲート部がワイヤー部の周囲面の周りに形成される。そのようなトランジスタはショットチャネル効果を示さない。そのトランジスタは、高電流をサポートすることができ、短いスイッチング時間を有する。
本発明の別の用途は、シングルエレクトロントランジスタの製造である。そのようなトランジスタは、2つの互いに対向する電気的に導電性のナノチップを含む。これらのナノチップは、一のチップから他のチップへの単一の電子の経路が制御されるように適合されている。
本発明の他の説明及び利点は、添付図面を参照して以下において説明される、詳細であり且つ非限定的な実施例から明らかである。
明確にするために、添付する図において表されている回路部の寸法は、実際の寸法及び実際の寸法の比と関連して示されてはいない。更に、異なる図において表示されている同等の参照番号は、同等の構成要素又は同等の機能を有する構成要素に関係する。回路は、図面の下側の部分に位置しており、上側に向いている活性面(active surface)を有する。Nは、図面の底面から上面へ向かう垂直方向を示す。以下において用いられる用語「上に(on)」、「上方に(above)」、「下方に(below)」、「下層の(lower)」、及び「上層の(upper)」は方向Nと関連している。
以下、本発明の2つの実施形態を説明する。ここで、回路処理段階は、本発明を再現するように正確な順序で挙げられている。回路製造者にとって公知な処理段階は詳細に記載されていない。当業者は、回路処理ツールのサプライヤによって提供される使用説明書(instructions)を含め、入手可能な多数の適切な資料を参照するであろう。
図1を参照すると、集積電子回路用の基板は、ベース部100と、第1パッシブ層(passive layer)2と、結晶性の上部シード材料層(upper layer of crystalline seed material)1とを備える。このような基板は、商業的に入手可能なSOI(Silicon on Insulator)であっても良い。この場合の第1パッシブ層2は、埋め込み酸化層と呼ばれており、シリカ(SiO2)からなる。層3は、単結晶シリコンである。
第1パッシブ層1の上面は、上部酸化層3を形成するように、酸化剤(oxidizing agent)と接触され得る。第1パッシブ層1が酸化剤と接触されると、層3はシリカとなり層3の厚さは、2nmとすることができる。層1の残余シリコンの厚さは、約10〜15nmとすることができる。層3は、層1〜3を備える積層体の第2パッシブ層3を形成する。Nは積層方向に対応する。
層1及び3は、形成されるべきナノワイヤーの配置に対応したエッジを有するパターンに対応してエッチングされる。マスキング段階、リソグラフィー段階及びエッチング段階は、公知の方法で実行され、層1と層2及び層3(図2参照)それぞれとの境界B2及びB3により画成された層1の側面が露出する。その結果、露出された層1の側面はベース部100の上面に対して垂直に配向された片状となり、後者の表面に平行して延びる。
本発明は、ここではSOI基板から始まって説明されているが、図2に示されている構成と同等な構成が回路に形成されている限り、SOI基板は必ずしも必要とされない。
随意的に、層1の露出された結晶性の材料からなる選択された片状セグメントに対してイオンビームを照射して、結晶性構造から非結晶構造に変更させ得る。用いられるイオンビームはドーピングイオンを注入するために用いられるものと同様のものでよいが、ここではシリコンイオン、ゲルマニウムイオン、キセノンイオンのような重イオンを用いる。選択されたイオンは、これらのイオンと層1の格子との衝突の間に生じる運動エネルギーの変換によって、強い衝撃が与えられる層1を局所的に非結晶性させるのに好適である。イオンビームは集約されて上方から片状セグメントへ誘導され、非結晶構造に変換させる。イオンビームは、約30°〜50°の傾斜角度を有しており、層1の側面上に影響を与える。参照符号S1及びS2は、層1の側面におけるそのような非結晶性のセグメントを示す。代替的に、例えば、酸素、ゲルマニウム等の注入要素が、露出されている層1の結晶性のシード材料の部分を非結晶性させるために用いられても良い。
その後、シリコンとゲルマニウムとの合金(SixGey)は、層1の露出された結晶性の材料上にエピタキシー成長される。このように、横方向エピタキシー成長が行われるので、本実施形態において単結晶シリコンである層1の結晶性の材料は、シード材料と呼ばれる。例えば、回路は約550℃〜750℃まで加熱されて、約10Torrから100Torrの気圧の下、ジクロロシラン分子(SiH2Cl2)と水素化ゲルマニウム分子(GeH4)とを含むガス状ストリームと接触される。成長されるエピタキシャル材料はナノワイヤー部10a〜10cを形成する。本実施形態において、シリコン及びゲルマニウムの結晶性合金は、片状セグメントS1及びS2の非結晶性材料と、層2及び3のパッシブ材料とに対して選択的に、露出された層1の単結晶シリコン上に形成される(図3参照)。ナノワイヤー部10a〜10cは、非結晶性セグメントS1及びS2の前に位置する隙間によって、積層体のエッジに沿って互いに離間している。
層1の部分におけるシリコンの結晶軸(crystallographic axis)[100]は、通常方向Nに平行して配向されている。発明者らは、層1の部分の側面上のナノワイヤーのエピタキシャル成長がファセット形成をもたらすことを観察した。成長したナノワイヤー部10a〜10cは、斜めに傾いて配向された成長面を有すると共に三角形状の断面を有する。特に、ナノワイヤー部10a〜10cの成長面は、通常のSOI基板が用いられるとき、方向Nと54.11°の角度をなすように形成され得る。ナノワイヤー部10a〜10cのエピタキシャル成長は、ナノワイヤー部10a〜10cの断面の寸法が約10nmとなるとき停止され得る。実際に、エピタキシャル成長は、ナノワイヤー部10a〜10cの成長面が境界B2及びB3に至るとき、境界B2及びB3によって制限される。
次に、層1及び3の残部が除去される。例えば、回路は、まずシリカエッチング種(etching species)を含む液体溶液に接触される。エッチング時間は、層2が実質的に変化しない一方、薄い厚さの層3が完全に除去されるように選択される。その後、層1のシリコン材料はナノワイヤー部10a〜10cのシリコン−ゲルマニウムの合金に対して選択的に除去される。その結果、図4において示されている回路の構造が得られる。そのとき、ナノワイヤー部10a〜10cは、層2の上面上に位置する。
その後、本発明の第1実施形態によれば、ナノワイヤーの望ましい最終的な配置によっては、ナノワイヤー部10a〜10cの一部が選択的に除去されても良い。マスクは、回路上に形成されることができ、残すべきナノワイヤー部10a〜10cの一部を保護している。ナノワイヤー部10a〜10cのうちマスクで保護されていない部分は、適切なエッチング工程によって除去される。
その後、ナノワイヤーの形成は、約700℃〜900℃の温度で回路を加熱することで完了され得る。そのような温度の下、ナノワイヤー部10a〜10cの表面における毛管力(capillary force)によって、ナノワイヤー部10a〜10cの断面の形状が変形し、より丸くなる(図5)。ナノワイヤー部10a〜10cのそれぞれはナノワイヤーを形成し、ナノワイヤー部10a〜10cは、例えば、集積回路において電流を伝導する構成要素として用いられ得る。
本発明の第2実施形態によれば、ナノワイヤー部10a〜10cのそれぞれの断面の直径を減少させることができ、例えば10nm未満の値、又は更に7nm未満の値までに減少させることができる。この目的のために、回路は、酸化剤、好ましくは気相状の酸化剤と接触され得る。酸化時間は、ナノワイヤー部10a〜10cの表面における極薄層が酸化層に変化するように選択される。次に、酸化層が、選択的に除去されることができ、その結果、金属のシリコン−ゲルマニウムの合金からなる各ナノワイヤー部の直径が減少される。必要によっては、酸化層の酸化工程及びエッチング工程を反復し、ナノワイヤー部10a〜10cの直径を更に減少させても良い。
図6〜図10は、多重チャネルMOS電界効果トランジスタ(multichannel MOS field effect transistor)の生産に用いられる本発明の別の実施形態を示す。図6〜図10は、図面の正面が断面平面(section plane)である生産中の回路を部分的に示している。
図6によれば、基板は、付加の第1パッシブ層21を有するベース部100を備える。層21上に配置されている複数の層からなる積層体は、第1シードの層部分11、第2パッシブの層部分22、第2シードの層部分12、及び第3パッシブの層部分3を備える。層部分11、12は、単結晶シリコンを含むことができ、層部分21、22、3はシリカを含み得る。サポート部101も、層21上に配置され、積層体の各層の部分と固体接触(solid contact)する。
ベース部100に平行する積層体の幅は、符号lとして表されている。それは、リソグラフィー樹脂マスクによって画成され得る。その後、層部分11、12はそれぞれ、幅lを以って互いに離間し且つ対向する側面を有する。幅lは少なくとも用いられたリソグラフィー技術のピッチと同等である。幅lは、更に減少されることができ、例えば25nm、又は僅か10nmにまで減少されることができる。これは、例えば、初期の層21、11、22、12、3が形成された基板上にリソグラフィー技術を用いて樹脂マスクを形成し、その後その樹脂マスクの横方向の収縮を行うことで実現される。そのようなマスク収縮工程は、リソグラフィーのピッチより小さな回路部品を製造する技術分野において公知である。マスク収縮工程は、プラズマにマスクを露出することで基板表面に平行に樹脂マスクを漸次にエッチングすることにより行われる。
シリコン−ゲルマニウムの合金は、シード材料の層部分11、12の露出された側面上に成長される。従って、ナノワイヤー部は、層部分11、12の側面上に形成され、その結果符号101、111、102及び112で表されている4つのナノワイヤー部となる(図7参照)。
サポート部101は、保護マスクM内に封じ込められてもよく、ナノワイヤー部と共に積層体は保護マスクMの外側に向かって延びる。マスクMは、例えばリソグラフィー樹脂で構成され得る。層部分3、12、22、及び11は、層21の露出された部分と一緒に、シリコン−ゲルマニウムの合金及びマスク材料に対するシリカ及びシリコンの化学的な選択性に基づいて、選択的に除去される。その結果、図8において示されている回路構成が得られる。その回路構成は、マスクMで覆われているサポート部101から外側に向かって延びていると共に、サポート部101によって端部で支持されている複数のナノワイヤーを有する。
マスクMは溶解され、回路は、ナノワイヤー部の断面が丸くなるように700℃より高い温度で加熱される(図9参照)。
その後、回路は酸化剤と接触され、ナノワイヤー部101、111、102、及び112の表面において、またサポート部101及びベース部100の露出された表面上において電気的に絶縁性の酸化層(図示せず)が形成される。最終的に、例えば多結晶シリコン(Si−poly)からなる周囲部(surrounding portion)102が、ナノワイヤー部101、111、102、及び112の周囲であって、サポート部101と斜視図の正面より先に位置すると共にサポート部101と対称的に配置された別のサポート部との間に形成される。最終的に得られる集積回路において、両方のサポート部はトランジスタのソース部及びドレイン部を形成し、周囲部102はそのトランジスタのゲート部を形成する。ナノワイヤー101、111、102、及び112はそれぞれ、平行なチャネルワイヤーを形成する。例えば、ナノワイヤー101、111、102、及び112はそれぞれ、直径が10nmであっても良く、長さが200nmであっても良く、25nm〜10nmの距離で互いに離間していても良い。
随意的に、複数の層を有する幾つかの同等の積層体が、層21の表面上において、図の正面に平行したシフト方向を有して互いに離間して配置され得る。これによって、最終的なトランジスタは、4×nのナノワイヤーから構成されたチャネルを有することになる。ここで、nは積層体の数を示す。
また、積層体の側面で露出された結晶性のシード材料の層部分の一部分の具体的な配置は変更され得る。この設計には、共通の方向又は異なる方向に沿った一以上の片状セグメントが含まれ得る。また、集積回路の特定の配置によっては、別のパターンが生産される。そのような他のパターンは、例えば、非均一の厚さを有するシード層部分から得ることができる。
本発明の第3実施形態が、図11〜図15と関連して挙げられている。本実施形態は、基板表面に平行に配向されたワイヤー部と基板表面に垂直に配向されたワイヤー部とを同時に製造するように本発明を実施するためのものである。そのような一実施形態は、3次元のワイヤーデザインをもたらし、集積電気回路の接続高さ(connection level)内において有効となり得る。
まず図11において、回路ベース部100上には積層体が形成される。積層体は、N方向に沿って底部から上部へと、第1パッシブ層2、結晶性のシード材料層1a、及び第2パッシブ層3aを備える。層2及び3aは、シリカであってもよく、層1aは結晶性のシリコン−ゲルマニウム合金であってもよい。ベース部100と層2及び1aとを含む基板は商業的に入手可能である。層3aは、例えば層3aのための高密度の材料を得るために、それ自体公知の方法で加えられる。
次に、空洞C1が層3a内に形成される(図12参照)。空洞C1は、方向Nに沿って層3aの上面から底面にわたって延びており、層1aと接触する。従って、層1aの上面の一部は、空洞C1内で露出されている。空洞C1は、層3a上に配置されるリソグラフィックマスク(図示せず)を用い、そのマスクの開口部を介して一方向のエッチング工程を行うことで形成することができる。例えば、空洞C1は、方向Nに垂直な平面内にあると共に、この空洞の幅yより長い長さXを有する矩形状であっても良い。その後、リソグラフィックマスクは除去される。
次に、シリコン−ゲルマニウムの合金が空洞C1内で層1aの上面の露出された部分からエピタキシャル成長され、空洞C1を埋める(図13参照)。この方法で加えられたシリコン−ゲルマニウムの合金の部分には、符号1bが付されている。部分1bは、層1aと接触するので、部分1b及び層1aが一緒に一様ではない厚さを有する単一層の部分を形成すると考えることができる。結果として得られる厚さが一様でない層の部分はシード材料から構成されており、符号1が付されている。部分1は、空洞C1の位置で総厚さe2を有する。総厚さe2は、層1aの厚さe1aと層3aの厚さe3aとの合計値である。また、y及びXは、部分1bの面内の寸法である。このとき、回路の上面は研磨によって平坦化され得る。
別のパッシブ材料層3bは、回路上に形成される。層3bは、部分1bにわたって連続的であり、シリカ又は窒化ケイ素(Si3N4)で構成されても良い。層3bは層3aと接触しているので、当業者は層3bと一緒に層3aが一様でない厚さを有する単一層の部分を形成すると考えることができる。結果として得られる厚さが一様でないパッシブの層部分には、符号3が付されている。
別の空洞C2が層3bの上面から形成されており(図14参照)、その形成には、別のリソグラフィックマスク(図示せず)、及び適切な指向性エッチング(directional etching)工程が用いられる。空洞C2も、方向Nに垂直な平面内にある矩形状であり、シリコン−ゲルマニウムの合金の部分1bを横切るように位置されている。空洞C2は、部分1bの幅yより長い長さYと、部分1bの長さXより短い幅xとを有する。空洞C2は、層1aと層2との間の境界に至るまで延びている。層1a及び部分1bの部分、すなわちシードの層部分1の一部は、空洞C2内において露出されている。これらは、方向Nに平行すると共に、シードの層部分1の露出された各部分を備える空洞C2の壁面によって厚さe1a又はe2を有している。また、図14において再度述べると、境界B2はシードの層部分1の露出された部分と層部分2との境界を示し、境界B3はシードの層部分1の露出された部分と層部分3との境界を示す。境界B3は、シードの層部分1の一様でない厚さによって空洞C2の角において階段状になっている。シードの層部分1の露出された部分は図においてハッチングされている。
次に、シリコンが、露出されたパッシブ材料に対して選択的に空洞C2内においてシードの層部分1の露出された部分からエピタキシャル成長される。そのような成長は、シリコン前駆体(silicon precursors)が、例えば気相状態で、空洞C2内に入り、シードの層部分1の露出された部分と反応する際に生じる。複雑な形状を有するシリコンからなるワイヤー部10は、層1a及び部分1bの露出された部分に対応する。
その後、層3a及び3bのパッシブ材料は、適切な選択エッチング工程によって、シリコン材料に対して選択的に除去される。次に、部分1b及び層1aの露出されたシリコン−ゲルマニウムの合金も、ワイヤー部10のシリコン材料に対して選択的に除去される。その結果、ワイヤー部10は、層2上に離間されたままで残される(図15参照)。ワイヤー部10は、2つの第1部分10aを備える。2つの第1部分10aは、シードの層部分1の露出された部分上においてそれぞれ延びている。ここで、シードの層部分1の露出された部分は、厚さe1を有する。ワイヤー部10は、2つの第2部分10bを更に備える。2つの第2部分10bは、シードの層部分1の露出された部分上にそれぞれ延びている。ここで、第2部分10bは、厚さe2を有する。結果として得られる回路において、ワイヤー部10の第1部分10aは、回路の接続高さ内において2つの電気的に導電性のトラックを形成してもよく、部分10bは、回路のその接続高さに垂直に配向された2つの電気的に導電性のビア(vias)を形成することができる。
本発明の実施形態において、ワイヤー部のための横方向エピタキシャル成長を用いることで得られる利点のうち少なくとも幾つかを維持しつつ、上述した実施形態において様々な変更が導入され得ることに注目されたい。特に、言及されてきたこれらの材料は、ワイヤー材料がシード材料の結晶性ネットワークと互換性のある結晶性ネットワークを有するものであれば、異なる材料であっても広い範囲にわたって変更され得る。例えば、純シリコン及び電気的にドープされたシリコン、純ゲルマニウム及び電気的にドープされたゲルマニウム、及び、純シリコン−ゲルマニウムの合金及び電気的にドープされたシリコン−ゲルマニウムの合金から選択された材料の幾つかの組が、ナノワイヤー材料及びシード材料として用いられ得る。例えばガリウム及び砒素の組み合わせをベースにしたIII−V族の半導体材料の組も、シード材料及びワイヤー材料として用いられ得る。
更に、本実施形態によって形成されたワイヤー部は、上述した構成要素の形状及び数に限定されない。
Claims (14)
- 集積電子回路が生産される基板であって、
シード材料の層部分(1)と、前記シード材料の層部分(1)のそれぞれの対向する面上に位置する2つのパッシブ材料の層部分(2、3)と、を含む積層体を備え、
前記シード材料の層部分の結晶性部分が、前記パッシブ材料の層部分との境界(B2、B3)間において、前記積層体の側面で露出されている基板を形成する第1段階と、
前記パッシブ材料の層部分に対して選択的に前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分上に、ワイヤー材料をエピタキシャル成長して、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分上に沿って、且つ該結晶性部分上に延びるワイヤー部(10a〜10c)を形成する段階であって、前記ワイヤー材料と前記シード材料とがそれぞれに異なる化学組成を有する第2段階と、
前記ワイヤー材料に対して選択的に前記シード材料の層部分(1)を除去し、前記基板上に前記ワイヤー部(10a〜10c)を固定的に保持する第3段階と、
を備える、集積電子回路にワイヤー部(10a〜10c)を形成する方法。 - 前記シード材料の層部分(1)の厚さが、前記積層体の積層方向(N)に対して平行に測定したとき、約10nm〜30nmであり、特に20nm未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分(1)の前記結晶性部分が、前記シード材料の層部分の露出された前記結晶性部分における異なる位置において、前記積層体の積層方向(N)に平行して測定したとき、前記パッシブ材料の層部分(2、3)との境界(B2、B3)間で一様でない厚さ(e1、e2)を有する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ワイヤー部の少なくとも1つの第1部分(10a)が、前記シード材料の層部分(1)の露出された第1厚さ(e1)の結晶性部分上に延びており、前記ワイヤー部の前記第1部分が前記集積電子回路の接続高さ内に電気的に導電性のトラックを形成し、
前記ワイヤー部の少なくとも1つの第2部分(10b)が、前記シード材料の層部分(1)の露出された前記第1厚さより大きな第2厚さ(e2)の結晶性部分上に延びており、前記ワイヤー部の前記第2部分が前記集積電子回路の前記接続高さに垂直に配向された電気的に導電性のビアを形成する、請求項3に記載の方法。 - 前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分(1)の前記結晶性部分が、少なくとも一つの片状セグメントを含む構造を有する、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。
- 前記ワイヤー部(10a〜10c)の前記ワイヤー材料が電気的に導電性を有する、請求項1〜5の何れか一項に記載の方法。
- 前記シード材料の層部分(1)の前記シード材料と前記ワイヤー部(10a〜10c)の前記ワイヤー材料とが、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウムの合金、これらから得られるドープされた材料から選択される、請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。
- 前記ワイヤー部(10a〜10c)を加熱して、前記ワイヤー部の断面形状を変更させる第4段階を更に備える、請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
- 前記ワイヤー部(10a〜10c)の外周面における前記ワイヤー材料を酸化させる段階と、
酸化されていない前記ワイヤー材料に対して前記酸化されたワイヤー材料を選択的に除去する段階と、
を更に備える、請求項1〜8の何れか一項に記載の方法。 - 前記積層体の対向する前記側面において露出された前記シード材料の層部分(1)の前記結晶性部分のそれぞれの上に、少なくとも2つのワイヤー部(101,111)が前記第2段階において形成される、請求項1〜9の何れか一項に記載の方法。
- 前記積層体の互いに対向する前記側面が前記基板上に形成された樹脂マスクを収縮させて画成される、請求項10に記載の方法。
- 前記第1段階と前記第2段階との間に、
前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の層部分の前記結晶性部分のセグメント(S1、S2)を非結晶化させ、該非結晶化されたシード材料のセグメントによって互いに離間する露出された前記シード材料の層部分の2つの結晶性のセグメントを形成する段階を更に行い、
前記第2段階は、前記ワイヤー材料(10a〜10c)が前記シード材料の層部分の前記非結晶化されたセグメントに対して選択的に前記シード材料の層部分の前記2つの結晶性のセグメントの両方上に成長するように実行される、請求項1〜11の何れか一項に記載の方法。 - 前記積層体は、パッシブ材料の層部分(21、22、3)と交互に積層されたいくつかのシード材料の層部分(11、12)を含み、前記シード材料の層部分のそれぞれに対応するシード材料のいくつかの結晶性部分が前記積層体の前記側面において互いに離間して露出されており、
前記ワイヤー材料が前記積層体の前記側面において露出された前記シード材料の前記いくつかの結晶性部分のそれぞれ上に同時に成長され、前記積層体の積層方向(N)に平行してシフトされた対応のワイヤー部(101、102)が形成されるように前記第2段階が行われ、
前記第3段階は、前記シード材料の層部分(11、12)のそれぞれを除去するように行われる、請求項1〜12の何れか一項に記載の方法。 - 前記ワイヤー部(101、102)の周囲面に電気的に絶縁性の層を形成する段階と、
前記ワイヤー部の前記周囲面を囲むゲート部(102)を形成する段階と、
を更に備え、
前記ワイヤー部が前記ワイヤー部と前記ゲート部とを備えるMOSトランジスタのチャネルを形成する、請求項1〜13の何れか一項に記載の方法。
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