JP2005251939A - 半導体装置及びトランジスタ並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、多孔質層2と、多孔質層2上に形成された、断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域13’を有する構造体13’’と、構造体13に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域17と、を備える。
【選択図】 図1
Description
を含むことを特徴とする。
図1(a)〜図1(h)は、本発明の好適な第1の実施形態に係るFin型デバイスの製造方法を説明するための図である。
以上のようにして、Fin型デバイスが作製される。
以下、本発明の好適な第2の実施形態に係るFin型デバイスの製造方法を説明について説明する。本実施形態に係るFin型デバイスの製造方法は、概略的には、第1の実施形態に係るFin型デバイスの製造方法の一部の工程を変更したものである。図2は、本実施形態に係るFin型デバイスの製造方法を示す図である。図2(a)〜図2(h)に示す工程のうち、図1(a)〜図1(h)に示す工程と同様の工程については説明を省略する。
以下、本発明の好適な第3の実施形態に係るFin型デバイスの製造方法を説明について説明する。本実施形態に係るFin型デバイスの製造方法は、概略的には、第1の実施形態に係るFin型デバイスの製造方法の一部の工程を変更したものである。図3は、本実施形態に係るFin型デバイスの製造方法を示す図である。図3(a)〜(h)に示す工程のうち、図1(a)〜(h)に示す工程とそれぞれ同様の工程については説明を省略する。
Claims (13)
- 多孔質層と、
前記多孔質層上に形成された、断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を有する構造体と、
前記構造体に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記歪み誘起領域は、前記構造体の少なくとも側面に接触することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記歪み誘起領域は、前記多孔質層表面に略平行に前記応力を加えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記多孔質層上に形成された複数の前記構造体を備え、
前記歪み誘起領域は、前記複数の構造体の間に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造体は、
前記多孔質層上に形成された半導体領域と、
前記半導体領域の少なくとも側面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体領域を挟むようにして形成されたゲート電極と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記多孔質層は、多孔質シリコンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体領域は、単結晶シリコンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記歪み誘起領域は、酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記歪み誘起領域は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置と、
前記半導体領域の一端に形成されたソースと、
前記半導体領域の他端に形成されたドレインと、
を有することを特徴とするトランジスタ。 - 基板に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記多孔質層及び前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を形成する工程と、
前記多孔質領域及び前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板に部分的に多孔質層を形成する工程と、
前記部分的に形成された多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を前記部分的に形成された多孔質層上に形成する工程と、
前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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