JP2010530130A5 - - Google Patents

Description

図２は、処理領域の移行領域１３４に飽和ガスケミストリが導入される、本発明の一実施形態におけるシステムを示している。この実施形態では、基板１５０が処理領域内を運ばれるにつれて、基板１５０の表面は、移行領域１３４内において周囲空気に暴露され、飽和ガスケミストリによって処理される。システムは、基板１５０の表面に１つ又は２つ以上の液体洗浄ケミストリメニスカスを提供するためのプロキシミティヘッド１３０を備えた雰囲気制御室１００を含む。プロキシミティヘッド１３０は、洗浄ケミストリ１を提供するための個別の部分と、洗浄ケミストリ２を適用するための個別の部分とを含む。洗浄ケミストリ１、２は、リザーバ内において受け取られて液体メニスカスとして基板に供給される液体洗浄ケミストリである。洗浄ケミストリ１は、処理小領域１３２として特定される基板の表面の一部に、第１の注入口１３３を通して液体メニスカスとして適用され、洗浄ケミストリ２は、処理小領域１３６として特定される基板の表面の別の個別の部分に、第２の注入口１３７を通して液体メニスカスとして適用される。代替の実施形態では、処理領域を通って移動される基板に洗浄ケミストリ１、２を適用するために、１つのプロキシミティヘッドの代わりに複数のプロキシミティヘッド１３０−Ａ、１３０−Ｂが使用されてよい。第１及び第２の注入口（１３３、１３７）の各自における注入口制御部は、洗浄ケミストリ１、２の液体メニスカスを適用することを制御する。ガスケミストリアプリケータは、処理領域の移行領域１３４内に飽和ガスケミストリが実質的に閉じ込められるように、少なくとも１つのノズル１３５を通してハウジング室１００に飽和ガスケミストリを導入する。移行領域１３４内において飽和ガスケミストリを適用することは、基板１５０の表面が移行領域１３４内において飽和ガスケミストリに等方的に（すなわち方向的に均一に）曝露されるように制御される。ノズル１３５は、ハウジング室１００内への飽和ガスケミストリの流れを制御するためのノズル制御部を含む。

Claims (1)

1. 請求項１８に記載の、製造プロセスの製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための方法であって、
   前記飽和ガスケミストリは、脱イオン水蒸気、脱イオン水内窒素、脱イオン水内不活性ガス、又はそれらの任意の組み合わせのうちの任意の１つである、方法。