TW200915401A - Method of preventing premature drying - Google Patents

Description

200915401 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ^發明係關於半導體基板處理，尤有關於製造操作中濕式化 子品處理間之半導體基板的過早乾燥。 【先前技術】 ^程中製造一實質上無缺陷的半導體基板為一不間斷的挑 ^風中的各種操作(如多晶矽飯刻、光阻剝離、金屬沉積)使用 匕:品處理來形成基板上的特徵及結構，導致可操作的積體 k他微電子元件。在每—個化學品處理過後，需要施行—或更 夕/月理操作以移除基板表面的污染物及處理化學品。包含溻 操作是廣為人知且常用於半導體晶片製造。部分用 化i 口二ίί面之濕式清理程包含：將基板浸沒人含濕式清理 irU干品容器或化學品槽；在基板表面上侧濕式清理化 予口口，或疋施加化學品至旋轉基板的表面。 ^準備後續的製造操射，為了纽地清理級表面，通常 個以上之濕式清理過程的組合。在濕式清理過程期 此，當基板從—化學品浸泡移到另—化學品浸泡 須要過早乾燥、。由於過早乾燥會造成污潰，所以必 r-k早乾燥。由於污潰會吸引灰塵，妨礙後續的製程及/或 品浸泡移到另—化學品浸泡。為了要施行有 妯子°〇再收集的極大化，理想上是把這些化學品浸泡 所以污潰在製程中是不適 在基板底下的特徵上產生不宜的影塑 合的。 曰 產决^於日^述’需要有防止過早乾燥的有效方法及賴，以使所 造操作4的雜可被财，並且確絲絲上可施行後續的製 【發明内容】 200915401 上述需求。善方法及設備來滿足 方法在=發8;?二=:包括如，及一 支撐裝置，用以納人並奸早㈣。此稍包含：一基板 ，學^口實質上納人於過渡區=該 Γ匕$=等==化==加提供了過渡區域中之飽^體 在本發明之另一防=基板表面過早乾燥。 用以防止基板表面在ί造：之 Ϊ支ίϊ^^χ在周遭環境受控制之腔室_^並^該/ 係用以在周遭環境受控制之腔室内納人並i%面ί 數頭以旋轉軸線旋轉該基板。該近接頭系統包含複 近接頭㈣以將—或更多液體清理化學品彎 一板表面與該近接頭相向表面之間。該㈣清理化 ，。該周_境受控制之腔室更包含-或更μ J化茲= 1化學品導人該腔室_過渡區域。將移動於近接頭之間^ 中的飽和氣體化學品。暴露到飽和氣體二 =有助於保縣板表面上的渔度，防止紐表㈣早 基板表面 實施例中’—刷件系統取代了周遭環境受控制之 二接頭糸统，該刷件系統用以施加液體清理化學品至气 、在本發明之另一實施例中，揭露一種防止過早乾燥的方 用以防止基板表面在製造操作之間過早乾燥。此方法包含：納入 200915401 用於清理的基板；施行濕式清理操作至該基板表面，俾從該基板 表面移除一或更多製造過程所遺留的污染物及製造化學品；確認 一飽和氣體化學品’並在一過渡區域中施加該確認過的飽和氣體 化學品。過渡區域係定義為基板表面暴露到周圍大氣的區域。在 該過渡區域中施加該確認過的飽和氣體化學品，使得暴露到該過 渡£域中之飽和氣體化學品的該基板表面保留溼度，因而防止該 基板表面過早乾燥。在兩接續的濕式清理操作之間施加該飽和氣 體化學品。 從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解 說’本發明之優點當可更加清楚。 【實施方式】 現在將說明數種有效防止過早乾燥的實施例，用以防止基板 ^面在兩濕式清理操作之間過早乾燥。然而，對於熟悉此項技蓺 者將顯而易見的是：在缺少部分這些特定細節的情況下，仍可^ =發明。在其他情对，為了避免不必要地混淆本發明， 再详細說明熟知的處理操作。 在基板表面上。這些污潰會吸引雜質，干擾後續製 體 助保，亡的澄度，_防止過早乾燥所導=的污潰 香ιϊΐΐ前將越來越多韻及結構_在基板上_勢，吾人 、乂、乍、」1猎由保持基板表面細來防止過早錢。過早乾燥會 立口拓、从上 —/貝罝次5丨雜頁 基板=外上的不宜影響。藉由使用飽和氣體化學品處理 二：可維持基板表面上的渔度。飽和氣體化學品幫 氣體广受控制“ 飽和氣體化學i表 度。將通往基板表面的 及所產生的 200915401 圖1A為本發明之一實施例中的具有周遭環境受控制之腔室 1〇〇(例如前進機械清理(AMC)室)之系統的簡化橫剖面圖，其中將 基板加以納入並清理。周遭環境受控制之腔室1〇〇(亦稱為包覆腔 至)為在一控制周圍大氣下於基板上施行複數之製造操作的腔室。 有關AMC腔室的更多資料以及如何在製程中使用AMC腔室，可 參考美國專利申睛案第10/608,871號及美國專利公開案第 2006/0128600 號。 '、 包覆腔室1〇〇利用複數之近接頭(130_Α1、13〇_Α2、13〇·Β1及 130-B2)職加作驗體彎液面之—或更多液體清理化學品至基板 150的表面。在此實施例中所示的近接頭為位於處理區域兩側之雙 近接頭，基板150經由近接頭在包覆腔室中移動。不同的近接頭 數及其對於處職域的不同位置可加以。在處賴域的一端 口埠l〇〇_A將基板15〇導入包覆腔室1〇〇，行經處理區域， ，在處理區域的另-端經由出口琿觸_3而自包覆腔室刚中移 除0 ，此所使用之夜面」一詞參考濕式〇夜體)清理化學，指的 上由近接頭13G之相向表面與基板15G之表面間的 it張力所限制及納人之液體化學品的容積。從而 ‘，甘$’、\ ’甘為可控制的且可在—表面上以該納人的形狀移 w以土板150表面移除污染物。在特定實施例中，藉由 學ΐϊϊ及移除系統可控制該彎液面形狀，該精確液 體化予叩^及移除㈣更可包含電腦(計算系統）。 ⑴成及施加至基板15G表面的更多資訊，可參考： 為，，METHODS 公告之美國專利第6,616,772號，發明名稱

DRYING” . WAFER PR〇XJ[MITY CLEA麵G AND 10/330 843於“終曰日，12月24曰提出申請之美國專利申請案第 drying μΙκγΪ/名稱為”MENISCUS，VACUUM,iPA VAP0R，

6 988 327辦π =”；⑶2005年1月24日公告之美國專利第 ，，號，务明名稱為，，METHODS AND SYSTEMS FOR 200915401

PROCESSING A SUBSTRATE USING A DYNAMIC LIQUID MENISCUS” ；（4) 2005年1月24曰公告之美國專利第6,988,326 號’發明名稱為”PHOBIC BARRIER MENISCUS SEPARATION AND CONTAINMENT” ；及(5)2002年12月3曰公告之美國專利 第 6,488,040 號，發明名稱為”CAPILLARY PROXIMITY HEADS FOR SINGLE WAFER CLEANING AND DRYING” ；上述皆受讓予

Lam Research Corporation(本申請案的受讓人)且皆併入於此作為 參考。關於頂部及底部彎液面的額外資訊，可參考揭露於美國專 利申凊案第10/330,843號的例示性彎液面，其申請於2002年12 月 24 曰，發明名稱為，，MENISCUS，VACUUM，IpA VAp〇R， DRYING MANIFORD”。此美國專利申請案受讓予Lam以霞也 Corporation(本中請案的受讓人)且併入於此作為參考。 於此所述，近接頭13〇為一基板處理設備，當近接頭〖go係 置放在貼近於基板15〇表面時，其可將精確的化學品容積傳送到 待處理之基板150表面，並且從該表面將化學品嫌。在一範例 :=頭130具有一相向前頭面(相向面)’且該相向面係置放在 貝貝f仃於基板150表面處。在該相向面與基板150表面之間 形成二彎液面。近接頭13Q亦可加以建構成傳送複數之化學品， 且a又有移除所傳送的複數之化學品的真空埠。 通往彎液蚊化學品的傳送及齡，f液面可受控 表面上移動。在處理綱’部分實關將基板150 而美杯Ί近接130靜止，而其他實施例中，近接頭130移動 方二而㈣持靜止。又，為了完整，吾人應了解處理可沿任何 垂直的基板^其—本/度 纖面施Μ非蝴 梦的訊’可參考揭露於類專利第6风772 呢的例不性近接頭，i公止

為”METHODS FOR WA二ϋ 年月9曰’务明名稱 DRYING，，。受囔子 T PROXIMITY CLEANING AND 又。畏于Lam Research Corporation(本申請案的受讓人） 200915401 之此一美國專利，於此併入作為參考。 國專氣清理及乾燥系統的額外資訊’可參考揭露於美 国專利弟6,488,040 _例示性系統，其公告於2〇〇 ™〇：aCAPILLARY PR〇XIMITY HEADS for ™ EANING AND DRYING”。此美國專利受讓予Lam &^^ΟΙρ0_οη(本申請案的受讓人)且併入於此作為來考。 ㈣t —圖山1A ’設有一基板支標裝置，用以在入口埠納入基板 口埠1〇〇_B沿一平面運送基板150並傳送基板150。 基板支揮裝置可為具有納入並支撐基板15〇之嵌入口的載且 於處理區域中’且包含沿平面納人並支縣板⑼ =銷/滾輪(未顯示)及沿平面移動基板的馬達。當加以運送穿過 室時，載具101亦可用以沿旋轉軸線將基板150旋轉， 使付基板150之表面係實質上暴露酬施加的各種化學品。 、處理區域包含：複數之處理次區域132、136，其中 ίΪΪΪ、13〇-Α1、13〇-A2、13_、130_B2 將作為液體f 液面之 液體清理化學品施加至基板表面；及—過渡區域134，在 企处㊁土板從處理次區域132運送到處理次區域136時，基板 暴露到周圍空氣。 ” 班，1B顯不在過渡區域134中的基板15〇表面。當基板在周 裱境受控制之腔室1〇〇内從一處理次區域(132)運送到下一個次區 ^36)時’暴露到過渡區域134之周圍空氣的基板表面經歷了過 早乾燥。過早乾燥導致污潰152隨機地形成在基板表面上。如前 =述’當㈣蒸發’這些污潰152會具有濃_雜質，且在後續 製造操作綱及.底下特徵與結構造成不適宜的結果。 、圖2說明本發明之一實施例中的系統，其中在處理區域之過 渡區域、1,34帽人飽和氣體化學品^在此實施例中，當在處理區 域中運送基板150 B夺’利用飽和氣體化學品處理過渡區域134中 暴，到周®空氣的基板15〇表面。系統包含具有近接頭13〇之周 遭環境受㈣之腔室100’近接頭13Q提供—或更多液體清理化學 200915401 近接頭13G包含施加清理化學品1之 體^液面。將清理化學品1施加至基板:贮 ί由第一入口133的液體彎液面 為=第二人口137的液體彎液面。在-交替實施财 135 134內^ 體化學品係實質上包含於處理區域之過渡區域 15=面=過Λ區域134中之飽和氣體化學品的施加，以使基板 體化學品均=)暴_過渡區域134中的飽和氣 飽和氣體化ii二控制，俾對流至包覆腔請之 150 系先將+同化學品及不同飽和氣體化學品施加至基板 體化學从貫^匕中學口可使在用施^體清理化學品、飽和氣 一液濟、、主在另一實施例中，可使用系統來施加第 、絲亦可予品、飽和氣體化學品及第二液體清理化學品。系 、’、ι μ來在兩製造化學品之間施加飽和氣體化學品。 殘餘二製造化學品的分析、一或更多製造操作所留下的 成之上ϋ執行的清理程度、以及基板i5G之表面上所形 $ 可將液體清理化學品彎液面之施加與通往基板15〇 相占^和氣體化學品加以控制。入口控制及喷嘴控制合起來 控制機構’ a 口控制將液體清理化學品的流動加以控 加以批扪將流至周遭環境受控制之腔室之飽和氣體化學品 運辕i钢敕傳送控·構可通信連接至一電腦(計算系統），該電腦 5D整入口控制及噴嘴控制之控制的軟體，以使清理化學品 11 200915401 及飽和氣體化學品可以控制方式施加至包覆腔室1〇〇中之基板 150的表面。電腦可位於任何地方，只要其通信連接至包覆腔室 100内的傳送控制機構。電腦提供液體清理化學品及飽和氣體化學 品的控制配方\以使清理化學品及飽和氣體化學品適當地施加在 基，表面，，獲得理想的清理效果。控制配方包含與液體清理化 學口口及飽和氣體化學品相關聯的各種參數。部分考量到提供控制 配方的參數包含待使狀液n清理化學品或倾σ氣體化學品的類 型、流率、化學品的濃度'化學品的溫度、以及暴露的時間。 、圖3顯不說明於圖2之系統的變化。圖3的系統利用複數之 雙近接頭。將雙近接頭放在包覆腔室·内之處理區域的兩側上， 並加以建構成當基板處在適當的處理次區域(i 32 、136)時，施加複 數之清理化學品至基板15〇的上表面及下表面。包覆腔式勘内 的複數之入口 135 ||飽和氣體化學品得以施加且實質上包含於過 渡域134巾。畜基板的表面沿包覆腔室0的一平面移 動日、’基板150的兩側係暴露到過渡區域134中的飽和氣體化 iL喿飽和氣體化學料助轉基板表社的酿，戦表面過早 拉J說Γ於圖4A之本發明的交替實施例中，刷件系統取代了近 J頭糸統來施加液料理化學品至基板⑼的表面。在此實 以納1〇0内之處理區_基板支撐裝置101係用 = 腔室100内之處理區域的基板並沿旋轉軸線旋 化ί〇。刷:程期間將基板的不同部分暴露到所施加的 統包含用如队並施加—錢多清理化學品至基 H表面的刷子410。確認一第一液體清理化學品(化學品A) 4i 410 ° -n^,j 425 鮮里。克有用以在需要時納入並提供化學品A至 C ^ ^姑415。無體清理化學品相關聯的參數，使 學品A的量被導入到刷子410，用以有效地清理基I 、刷件系統及基板支撐裝置係用以讓基板相對於刷子 12 200915401 爾_編谢崎刪上暴 (化學品戦利用之/===液體清理化學品 用以在需要時納入並提供化學品B 二，器420係 用以在需要時控制導至刷子41〇之 f ^ 口控制425係 學品B}的量’以及用崎—液—:(彳bm或化 匕^ 口口舉例來說，將化學品Α供 月 2 =段到期之後，入口控制必關 ^ = 的供應而打開化學品Β的供應’以使化學口二入二化二 著施加化學品Β -組時間段。 子⑽Β ¥入刷子410。接 令之ί::ίΐίΓί到另一化學品期間，暴露到包覆腔室刚 避免過早乾燥，將基板150之表面處理至導 和氣體化學品。為了有利於飽和氣體 ^後月工至100之飽 覆腔至1GG内’以使飽和氣體化學 ^ ；tf ?；；；134"0 5 ^ί#ΐ；!ί ΐ _之氣體化學品加以納入至儲存列如氮、氬、氖 ίί 在f由使用噴嘴控制之噴嘴135導至包覆 實方例中’將飽和氣體化學品加以納入至儲存器 ii ft觸。喷嘴控制及入口控制425合起來組成控制傳 i送機構係通信連接至—計算系統(電腦），該電腦ί tit t予品及飽和氣體化學品之施加的控制配方。控制配 叙。:、液體清理化學品及飽和氣體化學品相關聯的複數之參 細咖獅輸恤錄⑼之表 13 200915401 形产飽和氣體化學品之氣體部分的氣體可為惰性的 (N2)、氬(Ar)、氖(Ne博等)或反應性的(如氧(〇2)等等）。在 例中’氣體4分包含只有單__種類的氣體，例如氮⑽。在另 部分為—氣體混合物，其包含各種類氣體的混合物， 0 T i ； Α(ΑΓ) ' ； ^(02)^^(Ar) 〇 應了解亂體‘可包含本質上任何氣體麵敝合， 可無料分齡魏加絲板絲崎止過早乾 化學品的液體成分(為連續媒介物)是去離 驗性流體或DI水盘化擧σ夕、、曰人从甘+ ^ ’ 風乂 予〇此合物的其中之一。將飽和氣體化學 化學t加以挑選’使得餘和氣體化學品實f上不能混合 ίΐϊί 4B之交替實施例中，刷件系統包含導入化學品A ' 冷入化學品B之第二刷子。在此實施例中，第一入 =控制425-A控制化學品a從第—儲存器415流至第一刷子，而 ·?· 一^控制425_B控制化學品B從第二儲存器420流至第二刷 :德ί ί t將基板15G之表面處理―預設時間。在預設時 二/二二品的供應’而將化學品B的供應打開另一預設時

Lfi學品A轉換到化學品B的期間，糊飽和氣體化學品 Ξΐίί加讀理’使得基板絲不會暴_造親早乾燥之 周圍空氣中。 狀參考圖5詳細說明防止基板150表面過早乾燥的方法。如 ^乍505所不’ f匕方法開始於在包覆腔室1〇〇内納入用於清理之 二反150。在包覆腔室1〇〇處納入的基板15〇已經歷至少一製造操 ，並且龜15G之表面會具有由製造操作所遺訂來的殘餘物 (w聚合物_物及製造化學雜物）。如操作5lG所示，當基板 =第-處理次區域132時，確認第—液體清理化學品並施加至 ^板150之表面’俾能實質上清理基板的表面。利用前述之近接 頭糸統或刷件系統的其中-種，可施加液體清理化學品至基板15〇 之表面。 14 200915401 在才呆作515中，確認在包覆腔室loo之過渡區域中所施加的 ，和氣體化學品。飽和氣體化學品可為與去離子水飽和之鈍氣(如 氮、氬、氖)或反應性氣體(如氧）。如操作52〇所示，在包覆腔室 100之過渡區域134中施加確認的飽和氣體化學品，在此處基板會 暴硌到包覆腔室100内的周圍空氣。在過渡區域中之飽和氣體化 學品的處理，避免基板150之表面會暴露到周圍空氣，因而防止 過早乾燥。 〇第二濕式清理操作跟在飽和氣體化學品的處理之後，其中如 ^作525所不，當基板在第二處理次區域136時，施加第二液體 =理=品至基板150之表面。此方法可結束在第二濕式清理處 或疋可以額外清理操作重複此過程。在此需音··在甚一 操作ί後’利賴㈣體化學品處理基板表面，俾能防止基 潮圍缝。軸本發明之實施例_兩清理操作之 將本發明之教示延伸到在清理 ΐ幻鐘而來之製造操作(如钱刻、化學機械拋光、微影、沉積 寺4)間施加飽和氣體化學品。 子水ifΓϊίί防止過早乾燥之飽和氣體化學品，包含與去離 PIS 學品的流率介於約％至細伽 和氣體化學品的參數可包含溫度、濃度、暴露 ;==»乾燥之飽和氣體化學品的濃度二 7= Ϊ? f100%，以介於飽和氣體化學品比的 體化學。。已顯讀有效防止過早麵之飽和氣 中間|1圍 ㈣介於約G.5秒至1G秒，以約1秒至5秒作為 特柯ίΪίί魏作跡其巾軸在基板表面上_外層及額外 、主开/成積體電路晶片PC chip)。所形成之部分的雜 、 層、形成蝴b内逹接之鋪沉積層、以及似介電^等3等且。手 15 200915401 可重複此麵直到在基板上形成IC⑼或制某些製造層級。 雖然本發明之實施例已由使用插銷/滾輪之載具來納入並支撐 基板150之表面而加以說明’然而可使用其型 置。在-實施财，使職轉施加器來納人並支撐基板。將旋二 施加益裝設於包覆腔t i〇㈣。旋轉施加器係用以沿一轴而旋轉， 俾能在清理過程期間將基板的不同部分暴露到所施加的化學品 上0 雖然在為了清楚瞭解的目的下，本發明已就某些細節詳加說 明，然而很明顯的在附加巾請專利範圍之範嘴内可實現某種改變 及修改。因此，本實施例係視為舉例性而非限制性，且本發明不 =在此給定的細節巾’而可在附加中請專 替代内做出倏改。 T 欢 【圖式簡單說明】 ，藉由參考連同附圖之以下說明，將可最佳暸解本發明。這些 不應視為將本發明限制在較佳實施例，而僅僅是作為解釋及 圖1A為周遭環境受控制之腔室之簡化略圖，其中納入並清理 一基板。 圖1B顯示本發明之一實施例中的帶有污潰之基板表面。 圖2為本發明之一實施例中的利用近接頭在過渡區 氣體化學品之設備的橫剖面圖。 圖3為本發明之一實施例中的用以施加飽和氣體化 板之前進機械清理室的略圖。 口口 土 〇圖4Α為圖3所說明的交替實施例，其用以處理飽和氣體化 口口0 于 圖4Β為圖3及4Α所說明的交替實施例。 圖5說明本發明之一實施例中的操作流程圖，其包 板至飽和氣體化學品。 处里基 16 200915401 【主要元件符號說明】 100 包覆腔室 100-A 入口槔 100-B 出口埠 101 基板支撐裝置 130 近接頭 130-A1 近接頭 130-A2 近接頭 130-B1 近接頭 130-B2 近接頭 132 處理次區域 133 第一入口 134 過渡區域 135 喷嘴 136 處理次區域 137 第二入口 150 基板 152 污潰 410 刷子 415 第一儲存器 420 第二儲存器 425 入口控制 425-A 第一入口控制 425-B 第二入口控制 505 操作 510 操作 515 操作 520 操作 17 200915401 525 530 操作 操作 18

Claims (1)

1. 200915401 十、申請專利範圍： 1-種防止基板過早乾燥的設備，用 程中的製造操作之_早絲，該設備包基板之表面在I 基板支樓裝置’用以納入並支撐該基板；及 外器’配置於一周遭環境受控制之腔室中， 予:二，入並施加一飽和氣體化學品至該基板 二中係暴露於該周遭環=之 ^顿；笼二i造㈣間之施加該飽和氣體化學品， 2_於_渡11域，而使得暴露於該過 維持if由度3止錄板之表面在該製造操=ΐίΐίί a板支;1狀社龜料乾_設備，其中該 暴板支撐衣置為沿一平面移動該基板之一載具裝置。 基板3支3^^圍告第1項之防止基板過早乾燥的設備，其中該 於該“學3力ί:該馬ί用以沿—旋轉軸線將該基板相對 暴路到納人於該過渡區域内的該飽和氣體化學品。實負上 友触4.如中料利範圍第1項之防止基板過早乾燥的m由兮 =體化學品施加器包含將該氣體化學 而、" 噴嘴；該噴嘴具有_嘴嘴㈣部 ^ 之表面的一 入至該周遭環境受控制用乂⑽飽和氣體化學品流 配置在她® ®4項之防止基板過早乾燥的設備，更包含 ㈣表面’軸和‘ 配置第制乾==在含 19 200915401 ==作_㈣施加複數之製造化學品的各狀部分，該氣 器整合設置於該近接頭中的—各別之部分中，俾於 操作之間施加該飽和氣體化學品；該近接頭具有各別 之&制，俾控制該飽和氣體化學品流至該基板之表面。 制專利範圍帛1項之防止基板過早乾燥的設備，其中該 =插作為—赋清理猶，而造化學品為—液體清理化學 制、專利範圍第7項之防止基板過早乾燥的設備，其中該 二=13 _—製造化學^或另—液體清理化學品中任-種 9 侧操作、修補操作或額外濕式清理操作。 ，科專利範圍第6項之防止基板過早乾燥麟備，其中挑 茲二二使該飽和氣體化學品實質上不能混合於 程之卜基板之表面在一製 支樓該ιΞ支ϊίί支周，環境受控制之腔室内納入並 、VL 〇> j- , 、土 ^ A置用以在5亥周遭環境受控制之妒官肉 α二近旋轉軸線將該基板加以旋轉； 頭系統具：ii二ΐί周遭環境受控制之腔室内，該近接 體清理化學品彎液面施加丄該，以將-或更多液 所留下的殘餘物及上移除其他製造操作 飽和，遭環境受控制之腔室中，用以導入-面暴露i司Γΐ氣的?品實質上納入於令該基板之表 該飽和氣體化學品的該基露到該過渡區域中之 度，防止該基板之該表面ΞίίΓ 表面上保留住溼 該喷嘴包含喷嘴控制，用以控制該飽和氣體化學品流至該周 20 200915401 遭環境受控制之腔室。 11. 如申請專利範圍第1〇項之 數之近接頭中之各近接豆員皆包含扯乾燥的系統’其中該複 持一液體清理化學品彎液面。 ^丞板之表面上貫質上維 12. 如申請專利範圍第η頊 口控制及噴嘴控㈣通信連接至=乾燥的祕，其中該入 之腔室的控制配方。 孔體化予至該周遭環境受控制 製程統’用以防止—基板之一表面在一 衣狂知作之間過早乾燥，該系統包含： 支撐該ίϊ支S支控制之腔室内納入並 沿-平面納入並移動該基板，並將室内 統包;=====之腔室内， 刷子，㈣化學品至該基板之絲面的一 殘餘物及化ϊί = 品實質上移除其他製造操作所留下的 ，少—噴嘴，設於該周遭環境受控制之腔室中 匕口氣體化學品，該飽和氣體化學品實質 的—過渡區域中，==== 流至包含—噴嘴控制，用以控制該飽和氣體化學品 係用二制之腔室；而該_支撐裝置及該刷件系統 實子相對於彼此而移動，以使該基板之表面 之表面學品’俾於該清理操作期間在該基板 14.如申請專利範圍第13項之防止過早乾燥的系統，其中該刷 21 200915401 子包含用以納人-第-液體清理化學品之—人口， 理化學品之流人該刷子係藉由—人口控制加以控制。 ’月 15.如申請專利範圍帛14項之防止過早 口控制及喷嘴㈣係舰連接至—計算纽，統提中^入 制絲體理化學品及該飽和氣體化學品流至該 1 之腔室的控制配方。 k衣兄又彳工苹J 如申請專利範圍第14項之防止過早乾燥的系統，其中該刷 子的該入口更用以納人並施加—第二賴清理化學品至該 該表面；且其巾，該人口控侧以控制該第二液體清理品之 流動及用以從該第-液體清理化學品轉換為該第二液體清理^學 品0 17.如申請專利範圍第14項之防止過早乾燥 件系統更包含1二刷子，用以經由—第二人口納人並施:一^ -液體清理，學品至絲板之絲面，該第二人口具有—第二入 口控制’該，二人口控制用以控制該第二液體清理化學品的流 動，以使該第二賴清理化學品實f上鑛其 的殘餘物及化學品。 汗丨r 18-種防止過早乾_方法，㈣防止—基板 之製造操作之間過早乾燥，該方法包含： 牡衣才

   納入欲清理的一基板； 利用複數之製造化學品來_基板之表面施行複數之製造操 作； 確認欲施加至該基板之表面的一飽和氣體化學品；及 將該確認過_和氣體化學品施加於—過渡區域中，該過渡 區域定義為絲板之表面暴露到關大氣的—區域；該確認過的 飽和氣體化學品之施加，使_基板之絲面#暴關該過渡區 域中的該，和氣體化學品時，保留該基板之表面上的溼度，防止 該基板之該表面過早乾燥：雜和氣體化學^係在兩接續操 作之間施加。 22 200915401 和氣 ^學^ 20.如申請專利範圍第18項之防止過 ，作包含利_體清理化學品 清理化學品實質上移除其 私作，讀该液體 造操作料含τ職彳賴財法，其中該製 清理化學品之-濕式清理操作了利=利用一第二液體 或利用一修補化學 品:修二;利用—蝕刻化學品之酬操作、 22.如申請專利範圍第’、 和氣體化學品為去離子 /1防止過早乾燥的方法，其中該飽 的純氣或其任何組合中的=種去離子水t的氮氣、子水中 十 圖式 23