JP2010529689A - 発光デバイス - Google Patents

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Abstract

本発明は、出力プロファイルの空間放射パターン及び色温度均一性を調整するための散乱フィーチャを備えた封止体を有する発光デバイスである。封止体は、光散乱特性を有する材料で形成される。これらの光散乱体の濃度は、封止体内及び/又は封止体の表面上で空間的に変えられる。高密度の散乱体を有する領域は、所望の範囲の光源放射角にわたって封止体に入る光と相互作用するように封止体内に配置される。特定の範囲の放射角からの光が少なくとも1つの散乱事象を受けることになる確率を増大させることによって、出力光ビームの強度プロファイル及び色温度プロファイルを共に調整することができる。

Description

本発明は、空間放出パターン及び色均一性を調整するための散乱体を有する封止体を備えた発光デバイスに関し、より詳細には、調整された空間放出パターン及び色温度プロファイルを有する白色発光ダイオード及び多色発光デバイスアセンブリに関する。
本発明は、契約番号USAF05−2−5507の下で政府の支援により行われた。政府は本発明に一定の権利を有する。
発光ダイオード(1つ又は複数のLED)は、電気エネルギーを光に変換する固体デバイスであり、一般に、反対にドープされた層の間に挟まれた半導体材料の1つ又は複数の活性層を含んでいる。一般に、ワイヤボンドを使用して、ドープした層の両端にバイアスが印加され、活性層に正孔及び電子が注入され、それらは結合して光を発生する。光は活性層から放出され、LEDの表面全体から放出される。典型的な高効率LEDには、LEDパッケージに取り付けられ、透明媒体によって封止されたLEDチップが含まれる。LEDから光を効率的に引き出すことは高効率LEDの製作における主要な関心事である。
LEDは、様々な色の光を放出するように製作することができる。しかし、従来のLEDは、活性層から白色光を発生させることができない。黄色の蛍光体、重合体、又は染料でLEDを囲むことによって青色発光LEDからの光を白色光に変換してきており、典型的な蛍光体は、セリウムドープのイットリウムアルミニウムガーネット(Ce:YAG)である。(日亜化学工業、白色LED、部品番号NSPW300BS、NSPW312BSなどを参照されたい、さらに、「Multiple Encapsulation of Phosphor-LED Devices」という名称のLowreyへの特許文献1を参照されたい。)囲んでいる蛍光体材料は、LEDの青色光のうちの一部のエネルギーを「ダウンコンバートし」、光の波長を増大し、その色を黄色に変化させる。青色光の一部は変化させられることなく蛍光体を通過するが、光の一部は黄色にダウンコンバートされる。LEDは、青色光及び黄色光を共に放出し、それらは結合して白色光を供給する。他の手法では、多色蛍光体又は染料でLEDを囲むことによって紫色又は紫外線放出LEDからの光が白色光に変換されている。
本発明の全体を通して、注目する2つの異なる角度が言及されることに留意されたい。 図1aは、従来の発光デバイスの断面図である。第1の角度は、図1aに例示のθvとして示されている視野角である。視野角は光学軸から測定され、この場合、光学軸は半球封止体の中心を通り抜け、封止体の平坦な端部に垂直である。0度(0°)の視野角は、封止体からの出力が光源の真向かいにある封止体の外側の点、すなわち、正面から観察される(又は測定される)ことを示す。デバイスが観察者に対して傾斜されるにつれて視野角は増大する。90度(90°)の視野角は、光学軸に垂直で封止体の平坦な端部と平行な角度で、すなわち、側面から直接に出力が測定されることを示す。
言及される第2の角度は、図1aにθeとして示される放射角(emission angle)である。放射角は視野角と同じ光学軸を共有する。第2の角度は、光線が光源から放出された後、封止体中で最初に伝搬する光学軸からの角度を示す。光学軸に沿って光源から最初に伝搬する光線(例えば、光線R1)は、0°の放射角を有する。図示のように、光線θeは約40度(40°)である。最初の伝搬の方向が光学軸から外れるにつれて放射角は増大する。2つの角度の間の重要な相違は、所与の視野角での出力プロファイルは封止体内部の散乱事象(scattering event)によって影響を受けるが、放射角は、光が封止体内の材料と相互作用する前の光源から最初に放出されるときの光の方向を記述しているということである。
スピンコーティング、スプレーコーティング、静電堆積(ESD)、及び電気泳動堆積(EPD)を含むLEDの様々なコーティング処理が検討されてきた。スピンコーティング又はスプレーコーティングなどの処理は、一般に、蛍光体堆積中にバインダ材料を利用するが、他の処理は、蛍光体粒子/粉末を安定させるために堆積の直後にバインダの付加を必要とする。
蛍光体がLED上に導入される場合の通常のタイプのLEDパッケージングは、「カップ中の小滴(glob−in−a−cup)」法として知られている。LEDチップは、カップ様凹所の底にあり、蛍光体含有材料(例えば、シリコーン又はエポキシなどの封止体中に分散された蛍光体粒子)がカップに注入及び充填され、LEDを取り囲み封止する。次に、封止体材料は硬化処理され、LEDのまわりで固まる。しかし、このパッケージングは、パッケージに対する視野角が異なると放出光の色温度が大きく変化するLEDパッケージをもたらすことがある。この色変化は、光が変換材料を通過する経路長が異なることを含むいくつかの要因によって引き起こされることがある。LEDが存在するカップの「縁(rim)」の上に蛍光体含有マトリクス材料が延びているパッケージでは、この問題は一層悪化する可能性があり、高い視野角に(例えば、光軸から90度で)横方向に放出された変換光が支配的となる結果をもたらす。その結果、LEDパッケージによって放出された白色光は不均一になり、異なる色又は強度を有する光の帯又は斑点を有することがある。
LEDをパッケージングする又はコーティングする他の方法は、電気泳動堆積などの方法を使用してLEDの表面上に蛍光体粒子を直接結合させることを含んでいる。このプロセスは静電荷を使用して、帯電しているLEDチップの表面に蛍光体粒子を引き寄せる。この方法により、視野角の関数として色均一性を改善することができるが、この改善の1つの理由は変換光と非変換光との発生源が空間的に同一点の近くにあることである。例えば、黄色変換材料によって覆われる青色発光LEDは、変換材料とLEDとが空間的に同一点に近いので、実質的に均一な白色光源を提供することができる。この方法は、大量生産環境において、多くのLEDにわたって静電荷を制御することが困難であるため、ばらつきを引き起こすことがある。
放出光の空間的色温度均一性を改善するために、このばらつきに対処する従来の方法は、光散乱粒子を使用して出て行く光線の経路をランダムにすることである。
図1aは、従来の発光デバイスの断面図で、図1bは、従来の発光デバイスの上面図で、従来の手法を利用する発光デバイス100を示している。図1aは、図1bの1a−1a線断面図である。光源102は基板104上に配置される。ダウンコンバート材料の層106は光源102を覆う。反射器108が基板104上の光源102のまわりに配置され、その結果、光源102は反射器108及び基板104によって構成されたキャビティ内に収容される。半球の封止体110が光源102上に配置される。封止体110は、例えば、エポキシ接着剤を使用して光源102上に取り付けることができるが、他の取付け方法を使用することもできる。光散乱粒子112は封止体110の全体にわたって配置される。
光線R1乃至R4は、光源102から放出される例示的な光子の経路をモデル化している。図示のように、R1が放出され、光が波長変換を受ける確率が存在する、ある長さ(l1)のダウンコンバート材料106を通過する。光子がダウンコンバートされる(すなわち、吸収され再放出される)ことになる確率は、光子が、ダウンコンバート材料106を通過する距離と共に増加することに留意されたい。したがって、ダウンコンバート材料106をより大きな距離(l2)で通過するR2は、ダウンコンバートされる機会がより大きい。結果として、ダウンコンバート層の形状に応じて、ダウンコンバート層106を通過する際にダウンコンバージョンを受ける光の割合は光源102からの放射角の関数になるということになる。光散乱粒子なしでは、放出スペクトルは際立ったパターンを示し、しばしば人間の眼にも認知できる色温度及び強度の変動をもつ光スポットを生成することになる。そのような不均一があると、発光デバイスは、いくつかの用途では不適当となることがある。
米国特許第5959316号明細書
光は、ダウンコンバート材料106を通過した後、封止体110に入る。封止体110の全体にわたって分散された光散乱粒子112は、個々の光子が放出される前にそれらの方向を変え、光子が封止体110を出る点をランダムにするように設計される。これには空間的色温度均一性を改善する効果がある。例えば、図示のように、R1は光散乱粒子112に衝突し、方向を変えて放出される。R1は、散乱粒子が存在しない場合に出るはずである点とは異なる点から封止体110を出る。R3は多数の散乱事象を受ける。R2及びR4は妨げられずに封止体を通過する。したがって、光散乱粒子112は、光子を最初の放射角から切り離すことによって、放出された光子が封止体110を出て行く点をランダムにする(ある程度)。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、空間放出パターン及び色均一性を調整するための散乱体を有する封止体を備えた発光デバイスを提供することにある。
本発明による発光デバイスの一実施形態は少なくとも1つの発光体を含んでいる。封止体(encapsulant)は、発光体から放出される光が実質的にすべて封止体を通過するように発光体の上に配置される。封止体は、封止体を通って伝搬する光の放射角に関して空間的に変化する光散乱特性を有する。
本発明による発光デバイスの他の実施形態は、表面上に配置された少なくとも1つの発光体を含んでいる。封止体は、デバイスから放出される光が実質的にすべて封止体を通過するように発光体(複数可)上に配置される。封止体は、関連する濃度の光散乱粒子をもつ多数の3次元(3D)領域を有する。3D領域は、発光デバイスの出力強度及び色温度プロファイルを変更するために封止体内に配置される。
光源から放出された光の出力プロファイルを本発明に従って調整する方法の一実施形態は、放出光が実質的にすべて封止体を通過するように光源に隣接して封止体を設けることを含んでいる。光源から放出された光は、封止体内に及び封止体の表面に沿って選択的に配置された光散乱要素のクラスタを使用して方向が変えられる。光は、クラスタの選択的な配置及び封止体の変形表面の場所によって決定される出力プロファイルをもつ封止体から放出される。
本発明による封止体の一実施形態は、封止体の形状を構成する第1の材料を含んでいる。第1の材料は第1の屈折率を有する。微粒子特性を有する第2の材料が、第1の材料の全体にわたって第2の材料が不均一な密度を有するように第1の材料内に分散される。第2の材料は第2の屈折率を有する。
封止体を製作する方法の一実施形態は、封止体を成形するためのモールドを用意することを含んでいる。特定の光散乱特性を有するある量の第1の材料がモールドに導入される。封止体が別個の領域を含み、その領域の各々が特定の光散乱特性を有するように、特定の光散乱特性を有する追加の材料が順番にモールドに導入される。
従来の発光デバイスの断面図である。 従来の発光デバイスの上面図である。 本発明による発光デバイスの封止体の一実施形態の断面図である。 本発明による高密度領域をもつ発光デバイス及び高密度領域をもたない同様のデバイスからの例示的な補正済み色温度出力プロファイルをモデル化しているグラフを示す図である。 本発明による発光デバイスの封止体の他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの一実施形態の断面図である。 本発明による発光デバイスの他の実施形態の断面図である。
本発明は、改良された発光デバイス及びその発光デバイスの製作方法を提供し、光散乱特性を有する材料を使用し、発光体のまわりの封止体に様々な形状でその材料を配置することによって放出強度及び色温度プロファイルを調整することができる。新しい発光デバイス及びその方法は、発光ダイオード(LED)などの固体光源で特に良好に機能する。他のLEDデバイスと同様に、バイアス電圧が発光デバイスの両端に印加され、発光デバイスの活性領域における放射再結合の結果として光が放出される。時には光スポットと呼ばれるLEDの出力を設計することがしばしば望まれる。用途によっては、高度の色温度均一性及び広い放出プロファイルをもつ光スポットが必要とされる。
本発明を使用して操作することができる光出力プロファイルの2つの属性は、視野角の関数としての色温度及び強度プロファイルである。他の属性も操作することができる。封止体は、光源から放出された光が実質的にすべて封止体を通過せざるを得ないように光源の上に配置される。封止体は、さらに、封止体及び光源が共通の表面に取り付けられるように配置することができる。封止体は、上述したように、光源上に配置される任意の構造体を含むことができ、本発明による一実施形態では、封止体は、単独で使用されるレンズ、又はレンズを光源上に取り付けるための他の接合材料と組み合わせて使用されるレンズを含むことができる。封止体は、シリコーン、エポキシ、ガラス、プラスチック、又は他の材料で製作することができ、ビーム整形、コリメート、収束などのような機能を行うことができる。封止体は、光源上の所定位置に形成することができるが、又は個別に製作し、その後、引き続き、例えば、接着性エポキシによって光源に取り付けることもできる。封止体内で光散乱特性を空間的に変化させることによって、一連の放射角に関して光源から放出されたある割合の光の方向を変えて、所望の出力プロファイルを生成することができる。放射角及び視野角については上述された。封止体のいくつかの例示的な形状が以下で詳細に説明される。
封止体の内部で光を散乱させるのに使用することができるいくつかの構造体があるが、本発明に特に好都合である2つの光散乱構造体は散乱粒子及び表面変形である。散乱粒子の高度に集中した領域を生成するように封止体内の光散乱粒子の密度を変化させることによって、光源からの光は方向を変えられ、特定の出力プロファイルを達成することができる。
光の方向を変える他の方法は、封止体の表面の選択した区域を変形することである。この表面は、以下で詳細に説明されるように、例えば、エッチング又は研削などのいくつかの従来の方法によって変形することができる。封止体の表面の変形部分に達する光は(未変形部分とは対照的に)、方向を変えられ、別の点で封止体を出て行く確率がより高くなる。したがって、表面の特定の領域を変形することによって、出力プロファイルを仕様に適合させることができる。封止体内の散乱粒子と封止体の表面への変形との組合せはさらに効果的となることができる。
層、領域、又は基板などのある要素が別の要素「の上に」あるとされる場合、ある要素は他の要素の直上に存在することができ、又は介在要素が存在することもできることが理解されよう。さらに、「内側の」、「外側の」、「上部の」、「上に」、「下部の」、「真下に」、及び「下に」などの相対語ならびに類似の用語は、本明細書では、ある層又は別の領域の関係を記述するために使用されることがある。これらの用語は、図に示された方位に加えてデバイスの異なる方位を包含するものであることが理解されよう。
第1の、第2のなどの用語が、本明細書では、様々な要素、構成要素、領域、層、及び/又は区画を記述するために使用されることがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層、及び/又は区画はこれらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、ある要素、構成要素、領域、層、又は区画を別の領域、層、又は区画と区別するためだけに使用される。したがって、以下で説明される第1の要素、構成要素、領域、層、又は区画は、本発明の教示から逸脱することなく第2の要素、構成要素、領域、層、又は区画と呼ぶことができる。
「層(layer)」及び「複数の層(layers)」という用語は本出願の全体にわたって交換可能に使用されることに留意されたい。材料の単一の「層」が実際には材料のいくつかの個別の層を含むことがあることを当業者は理解するであろう。同様に、材料のいくつかの「層」が機能的に単一の層と見なされることがある。言い換えれば、「層」という用語は材料の均質な層を意味しない。単一の「層」は様々な散乱材料濃度及び組成を含み、それらはサブレイヤに局在していることがある。これらのサブレイヤは、単一の形成ステップ又は多数のステップで形成することができる。特に別記しない限り、ある要素が材料の「層」又は「複数の層」を含むと記述することによって、特許請求の範囲に具体的に表現されている本発明の範囲を限定するものではない。
本発明の実施形態が、本発明の理想化された実施形態の概略図である断面図を参照しながら本明細書で説明される。そのため、例えば製造技法及び/又は公差の結果として図の形状からの変化が予想される。本発明の実施形態は本明細書に示された領域又は粒子の特定の形状に限定されるものと解釈されるべきではなく、例えば製造に起因する形状の偏差を含むものである。例えば、長方形であるとして図示又は説明された領域は、一般に、通常の製造公差のために円形又は湾曲のフィーチャを有することになる。したがって、図に示された領域は本質的に概略であり、それらの形状は領域又は粒子の正確な形状を示すものではなく、本発明の範囲を限定するものではない。
図2は、本発明による発光デバイスの封止体の一実施形態の断面図である。封止体200は、一般に、少なくとも2つの異なる材料を含んでいる。媒体202は、封止体200の形状を与える。封止体200の好ましい形状は、湾曲表面及び平坦面を有する半球である。しかし、例えば、平板形状又は平凸などの多くの他の封止体形状を使用することもできる。媒体202は、例えば、透明なエポキシ又はシリコーンなどの熱又は光硬化材料を含んでいる。光散乱粒子204は、媒体202の全体にわたって分散される。
散乱粒子204は、
シリカゲル、
酸化亜鉛(ZnO)、
酸化イットリウム(Y23)、
二酸化チタン(TiO2)、
硫酸バリウム(BaSO4)、
アルミナ(A123)、
融解石英(SiO2)、
ヒュームドシリカ(SiO2)、
窒化アルミニウム、
ガラスビーズ、
二酸化ジルコニウム(ZrO2)、
炭化ケイ素(SiC)、
酸化タンタル(TaO5)、
窒化ケイ素(Si34)、
酸化ニオブ(Nb25)、又は
窒化ホウ素(BN)
を含む多くの異なる材料を含むことができる。TiO2、Al23、及びシリカは好ましい材料である。列挙されたもの以外の材料を使用することもできる。これらの光散乱粒子204は、周囲の媒体202に比べて大きい屈折率を有し、材料間に大きい屈折率差を生成すべきである。屈折率差は、屈折を引き起こすので、周囲の媒体202に比べて低い屈折率を有する散乱粒子材料を使用することも可能であろう。散乱粒子204の直径は、一般に、マイクロメートル未満であるが、より大きい粒子を使用することができる。光散乱粒子204は、媒体202に局所的な不均一性を生成し、それにより光は直線経路から逸らされる。
光が1つ又は複数の光散乱粒子204に衝突すると、媒体202と光散乱粒子204との間の屈折率差のために、光は屈折し、異なる方向に進む。大きい屈折率差は、入射光子に対してより激烈な方向変化をもたらす。このために、高屈折率の材料は、シリコーン又はエポキシなどの媒体中で良好に機能する。光散乱材料を選ぶときの別の考慮すべき事項は材料の光吸収率である。大きい粒子は、パッケージ内部でより多くの光を後方散乱させ、その後で光は、封止体200を抜け出すことができるが、それによりデバイスの全発光出力が減少する。したがって、好ましい散乱粒子材料は、媒体に比べて高い屈折率(例えば、エポキシ中のTiO2)と、封止体200を通って伝搬する光の波長と同等の粒子サイズ(例えば、可視スペクトルでは1μmの粒子)とを有する。これにより、後方散乱による光損失を最小にしながら前方又は横方向の散乱効果が確実に最大になる。
単一の光子はいくつかの散乱事象を受けることができ、その後、封止体から周囲に放出される。光子が高密度の散乱粒子をもつ領域に入ると、様々な方向に何回も屈折させられ、それにより、光子が高濃度の散乱粒子をもつ領域から封止体を出て行く確率が小さくなる。媒体202の全体にわたって光散乱粒子の濃度を変化させることによって、出力光の色温度及び強度プロファイルを調整することができる。
発光デバイスが意図されている用途によって決定されるように様々な濃度レベルの散乱粒子を使用することができる。例えば、TiO2散乱粒子を使用すると、高密度領域は、体積で約0.1%の散乱粒子を含むことができ、一方、周囲の媒体は、体積で0.02%の散乱粒子を含むことができる。したがって、この例における高密度領域は、周囲の媒体の5倍の単位体積当りの散乱粒子を有する。例示の密度比は5:1(高密度領域:低密度領域)である。他の密度及び密度比を使用することができるが、吸収による損失が散乱粒子の密度と共に増大する。したがって、上述した例では、周囲の媒体中のTiO2散乱粒子の密度は、許容損失値を維持するために0.05%を超えるべきではない。密度及び密度比は、散乱粒子及び周囲の媒体用に選択された材料に応じて変化し得る。
高密度領域は、特定の角度で光源から放出された光が所与の点で封止体200を出て行く確率に影響を与えることによって様々な出力プロファイルを達成するように封止体内で特別に配置することができる。より具体的には、上述のように、光の色温度は視野角の関数であるので、角度色温度プロファイルを制御することができる。さらに、色には関係なく、光が高密度領域を通過し、封止体200を出て行く可能性は少ないので、角度強度プロファイルも調整することができる。他の要因が、さらに、封止体200の全体にわたる高密度領域の配置に影響を及ぼすことがある。封止体200は、図1aに示された発光デバイスと同様の発光デバイスと協同するように配置することができる。
図2を再度参照すると、領域206は、隣接領域208に比べて高濃度の散乱粒子204を有する。領域206は、実質的に半球の封止体200の頂上に体積を占める3次元(3D)空間を示す。光線210が、ある距離をおいて封止体200の真下に位置決めされた光源(図示せず)から発出していることが示されている。
参照しやすくするために、約30°未満の絶対値を有する放射角(emission angle)で封止体200に入る光は低角度光と呼ばれる。約30°よりも大きくかつ約60°未満の絶対値をもつ放射角を有する光は、中間範囲角度光と呼ばれる。約60°よりも大きい絶対値を有する放射角の光は、高角度光と呼ばれる。与えられた範囲は入射光の放射角の一般的な意味を伝えることを単に目的としており、記述用語の1つに関連した光を放射角の厳密な範囲に限定するように解釈されるべきでない。
光線210は、図示のように、封止体200の平坦面から入る。この特定の実施形態では、低角度光は、恐らく高密度領域206に衝突することになる。領域206に入射する低角度光のうちのより高い割合が、隣接する領域208を単に通過する光よりも散乱事象を受けることになる。領域206に入射する光のうちの抑えられた割合が領域206を直接通過することになる。特定のこの形状を使用すると、領域206から放出される光は、散乱事象の数の増加のためにより良好な色温度均一性と、領域206から離れるように方向を変えられ、隣接する領域208から封止体を出て行く光のために強度の低下とを示すことになる。
この実施形態では、高密度頂上領域206の体積は、操作されるべき出力プロファイルの視野角範囲に応じて決定することができる。高密度材料の体積が大きいほど視野角のより広い範囲にわたって出力プロファイルに影響を与えることになる。例えば、設計が−45°から45°の視野角範囲にわたって出力プロファイルの変更を必要とする場合、特定の体積の高密度物質が頂上領域206を満たす必要がある。形状がこの実施形態では比較的簡単であるので、以下の簡単な式を使用して高密度物質の必要な体積を見いだすことができ、ここで、Rは実質的に半球の封止体の半径であり、θは放射角である。
Figure 2010529689
この実施形態では、高密度頂上領域206は、視野が頂上領域206によって不明瞭にされる視野角の範囲にわたり出力強度及び補正済み色温度(CCT)の両方に顕著な減少を引き起こす。
図3は、本発明による高密度領域をもつ発光デバイス及び高密度領域をもたない同様のデバイスからの例示的な補正済み色温度出力プロファイルをモデル化しているグラフを示す図である。図3に示されるように、特定の角度範囲にわたって出力プロファイルグラフを平らにする効果がある。図3は、単に、頂上領域実施形態を使用する典型的な出力プロファイルの例を提供することが目的である。グラフは、実際の実験結果を反映していない。
図4は、本発明による発光デバイスの封止体の他の実施形態の断面図である。封止体400は、同じ又は異なる材料を使用して前述と同様に形成することができる。ここで、領域402は隣接する領域406に比べて高濃度の光散乱粒子404を有し、光源(図示せず)の最も近くにある封止体200の平坦面の近くに配置される。図4には、くさび形フィーチャを有する高密度領域402が示されている。3Dでは、領域402は先を切られた逆円錐構造体に似ている。
図4に示された形状の1つの結果として、光は高角度から離れて封止体400の中心の方に戻るように方向を変えることができる。高密度領域406は、高い視野角で通常測定されるはずである強度のうちの一部をより低い視野角に再分配する効果がある。封止体400のこの実施形態は、より低い視野角で観察されるとき(例えば、正面で観察されるとき)より明るく見える。したがって、高密度領域402を使用してビームの強度プロファイルを整形することができる。高い視野角の色温度均一性は既に良好であるので、高密度領域402は高い視野角の色温度プロファイルにほとんど影響しない。
くさび形フィーチャ(wedge−shaped feature)402は、低角度光が高密度領域402と最初に相互作用することなく低密度領域406を通過することができる空間を構成するように配置される。くさび形フィーチャ402の頂点間の距離を調整して、光が低密度領域406に達するために通過する空間のサイズを増加又は減少させることができる。
図5は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。領域502は、隣接する領域506よりも高い濃度の光散乱粒子504を有する。3Dでは、高密度領域502は実質的に環状体である。したがって、領域502は、中間に樹幹をもつ封止体500の周囲のまわりにリングを形成する。この実施形態では、より高いか又はより低い範囲の放射角を有する光は、高密度領域502と相互作用することなく封止体を通過する。中間範囲の放射角(例えば、θ>40°又はθ<50°)をもつ光は高密度領域502に入射することになる。したがって、出力プロファイルは中間範囲の視野角でより強烈に影響を受ける。高密度領域502の幅及び孔のサイズは、特定の範囲の中間角度から放出された光が高密度領域502と相互作用するように選ぶことができる。
図6は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体600は、隣接する領域604よりも高い濃度の光散乱粒子602を有する1つよりも多い領域を組み込んでいる。頂上領域606及び基部領域608は共に高密度領域である。この特定の実施形態により、中間範囲の放射角からの光は高密度領域606、608と相互作用する確率が少ない状態で封止体600を通過することができる。高密度領域608は、光学軸の方に戻るように光の向きを変え、ビームの強度プロファイルを整形し、高密度領域606の方に光の方向を変えるように機能する。高密度領域606は低い視野角の光の色均一性及び強度分布を改善するように機能する。この実施形態は領域形状の特定の組合せを示しているが、多くの異なる組合せが所望の出力プロファイルに応じて可能である。この組合せは、単に、例示することが目的である。したがって、本発明はこれらの例によって限定されるべきでない。
図7は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体700は、多数の高密度領域を特徴とし、これらの領域の各々は異なる濃度の光散乱粒子702を有する。頂上領域704は、最も高い密度の光散乱粒子702を有し、基部領域706は、頂上領域704よりも低濃度であるが、領域708よりも高濃度である。密度は、放射角の別個の範囲から放出された光に別々に影響を与えるように選ぶことができる。より高濃度の領域により、関連する視野角の範囲で強度が少し低下するが、ある視野角範囲にわたって色温度均一性が改善された出力プロファイルがもたらされることになる。
図8は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体800は、次第に変化した頂上領域802内の一連の散乱粒子密度を特徴とする。光散乱粒子804は勾配をつけて配置され、最小濃度のサブ領域806が光源の最も近くにあり、最大濃度のサブ領域808が頂上にある。中間密度のサブ領域810は中間に挿入される。サブ領域806、808、810は、内部では均質な散乱粒子密度である別個の層として示される。しかし、次第に変化した領域は、低密度から高密度まで滑らかに変化する連続体とすることができる。さらに、最も高密度のサブ領域を光源(図示せず)の最も近くに配置することができる。次第に変化した頂上領域802は、視野角の所望の範囲にわたってより連続的で滑らかな方法で出力プロファイルに影響を与え、顕著な強度及び色温度の変化を取り除く。
次第に変化した散乱粒子の領域をもつデバイスを製作する一方法は連続モールディング処理を必要とする。封止体800などの半球封止体を有する実施形態の場合には、半球モールドを使用して封止体800を形成することができる。特定の濃度の光散乱粒子を有するある量の第1の材料がモールドに導入される。この実施形態では、頂上領域を構成することになる第1の材料は、次の層を付加する前に硬化又は固化させることができるが、又は硬化させずに処理を継続することもできる。次に、異なる濃度の光散乱粒子を有するある量の第2の材料が第1の材料の上のモールドに導入される。第2の材料は、付加層を付加する前に固化させることができるが、前に配置された層が硬化する前に処理を継続することができる。様々な厚さ及び光散乱粒子の濃度を有する付加層を続いてモールドに導入することができる。このようにして、逐次モールディング処理を使用して図8に示されたものなどの封止体を製作することができる。多くの異なるモールド成形及び材料順序を使用して所望の封止体を製作することができる。
図9は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体900は、変形表面902及び光散乱粒子904を特徴とする。他の散乱材料と同様に、変形表面902は光の光子を散乱し、光子が光源(図示せず)から放出された角度と同じ角度で封止体900を出て行かないようにする。これは、変形表面902に入射する放出光の一部をランダム化する効果がある。変形表面902に衝突する光は、変更された角度で放出されるか又は封止体900の内部に戻るように方向を変えられる確率が高くなる。したがって、強度及び色温度プロファイルは、表面の特定の部分を変形することによって調整することができる。
この実施形態では、一様な濃度の光散乱粒子904が一般的な散乱効果を有するが、変形表面は、特定の範囲の視野角にわたり出力プロファイルに集中的な効果がある。ここで、変形表面902は、封止体900の頂上に配置される。低角度で放出される光は、変形表面902に衝突する可能性が高い。色温度は、放射角の関数であるので、色温度均一性を改善するために特定の範囲の視野角を対象とすることができる。
表面を変形するいくつかの異なる既知の方法がある。表面の一部を、例えば、エッチング、切削、又は研削することができる。表面を粗くする他の方法を使用することもできる。表面は不規則に変形することができるが、又はより規則的な変形を与えるように特別に織り目構造にすることもできる。織り目構造にする既知の方法を使用して、変形される表面上に例えば角錐台などの多くの異なる特定な形状の構造体を設けることができる。表面が入射光を散乱することになる度合いは表面の粗さによって決まる。粗さは、表面輪郭の山から谷までの平均距離として測定することができる。表面粗さが増大するにつれて散乱光の割合も増大する。例えば、表面が化学エッチング(例えば、HFベースのエッチング液)を使用して粗くされる場合、表面の粗さはエッチング時間を変化させることによって調整することができる。エッチング時間が長くなると、一般に、表面の粗さの程度はより高くなる。このようにして、表面粗さを制御し、散乱の特定の平均レベルを達成することができる。
図10は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体1000は、多数の変形表面1002、1004を特徴とする。高密度散乱粒子領域と同様に、様々な放射角範囲からの光を操作して特定の出力プロファイルをもたらすことができる。この実施形態では、低角度及び高角度の両方から光は、中間角度で放出された光よりも高い割合で内部に方向を変えられることになる。これらの表面1002、1004から放出された光は、さらに、より均一な色温度分布を示すことになるが、その効果は、色温度不均一が最大となるより低い視野角でより顕著となるはずである。変形すべき封止体1000の表面のいくつかの区域を選択することによって、出力強度プロファイルを特別に調整することができる。図10は、変形表面領域の組合せの例示的実施形態である。しかし、多くの他の変形表面形状を使用して目的に合わせた出力プロファイルを達成することもできる。
図11は、本発明による発光デバイスの封止体のさらに他の実施形態の断面図である。封止体1100は、高密度散乱粒子領域1102と変形表面1104との組合せを特徴とする。この特定の例示的実施形態は、低角度及び高角度の両方から放出される光に対して出力プロファイルに影響を与えることになる。高密度領域1102は、低角度で光源から放出される光と相互作用するように配置される。変形表面1104は、高角度で光源から放出される光のプロファイルを変更し、高角度の光を封止体1100内に戻し、領域1102の方に方向を変えるように配置される。高密度領域及び変形表面の両方は、それらと相互作用する光に同様の効果を有するが、2つの異なる構造体に由来する出力プロファイルに相違がある場合がある。この組合せは、構造体が光と相互作用する方法及び異なる程度のために利点を提供することができる。単一の封止体で両方の種類の構造体を使用すると、さらなる設計選択肢を提供し、極めて特殊な出力プロファイルをもたらすことができる。組合せ構成に関する多くの変形が可能である。例えば、高密度領域は、中間範囲の角度から放出された光のプロファイルを変更するために使用することができ、一方、変形表面は、低角度で放出された光と相互作用する。本発明は、いかなる特定の組合せ又は構成にも限定されない。
図12は、本発明による発光デバイスの一実施形態の断面図で、発光デバイス1200を示している。例えば、LEDなどの光源1202は、表面上に配置され、その光源の一次放出表面は、波長変換材料1204の層によって覆われる。リング形反射器要素1206がその表面上に配置され、光源1202を囲む。反射器要素1206は、例えば、アルミニウムなどの反射材料で製作することができるが、または、光源1202と向かい合う内壁に拡散又は反射被膜を有することもできる。反射要素1206は、極めて高い角度で光源1202から放出される光の方向を変える。
封止体1208は、放出される光が実質的にすべて必ず封止体1208を通過し、その後周囲に抜け出すように光源1202の上に配置される。封止体1208は様々な形状とすることができるが、好ましい形状は半球である。光散乱粒子1210は、光送出封止体1208の全体にわたって分散される。封止体1208は、光送出充填材料1209を使用して光源1202の上に取り付けることができる。充填材料1209は、好ましくは、高い光透過率と、封止体1208の屈折率と一致又はほぼ一致する屈折率とをもつ高温重合体であり、それはガラス、石英、高温及び透明プラスチック、シリコーン、エポキシ樹脂、又はこれらの材料の組合せから製作することができる。封止体1208は、充填材料1209上に配置され、それに付着することができる。他の実施形態では、封止体及び光源は、中間に充填材料なしで共通の表面に取り付けられるように封止体を形成することができる。
この特定の実施形態では、封止体は、変形表面1212を含んでいる。変形表面1212は、封止体1208の頂上に配置され、低角度で(すなわち、光学軸に沿って)光源1202から放出された光と相互作用する。内壁に沿って延び、光源1202の方に向いている変形表面1214を反射器要素1206はさらに含んでいる。変形表面1214は、封止体の変形表面に関して上述したものと同様に変形することができる。例えば、その表面はエッチング、切削、又は研削によって粗くする/織り目構造にすることができる。表面変形の他の方法を使用することもできる。図12には示されていないが、光源1202と向き合う封止体1200の平坦面を変形することも可能である。変形表面1214は、高角度光の方向をランダム化し、その後、光は上述の封止体1208に入る。これは、上述したように、波長変換材料によって引き起こされた色温度パターンを除去するのに役立つ。変形表面1214は、光散乱粒子1210及び変形封止体表面1212と共に機能する。変形表面1214は任意の他の光散乱構造体と組み合わせて使用し、目的に合わせた出力プロファイルを達成することができる。
図13は、本発明による発光デバイスの他の実施形態の断面図である。発光デバイス1300は、図12に示されたデバイスと同様であり、同じフィーチャの多くを有する。デバイス1300は、いくつかの光散乱要素を含んでいる。封止体1302は、その中に分散された光散乱粒子を有し、それらの一部は、封止体1302の頂上の高密度領域1304に集中される。デバイス1300は、変形封止体表面1306、1307を特徴とする。反射器要素1308は、変形表面1310も有する。
反射器要素1308は、複数の光源1314と共に表面1312に取り付けられる。光源1314は、同じ色又は異なる色、単色又は白色とすることができる。好ましい実施形態では、3つの光源、すなわち、赤色光源、緑色光源、及び青色光源が表面1312に取り付けられる。光源1314は、表面1308に様々な形状で取り付けることができる。光源1314の一部又はすべてからの光を操作して所望の出力プロファイルを達成することができるように散乱要素をデバイス内に配置することができる。
本発明は、それのいくつかの好ましい形状を参照しながら詳細に説明されたが、他の形状も可能である。したがって、本発明の趣旨及び範囲は上述の形状に限定されるべきではない。

Claims (47)

  1. 少なくとも1つの発光体と、
    封止体であって、前記少なくとも1つの発光体から放出される光が実質的にすべて前記封止体を通過するように配置され、前記封止体を通って伝搬する光の放射角に関して空間的に変化する光散乱特性を有する封止体と
    を含むことを特徴とする発光デバイス。
  2. 前記封止体は、光散乱粒子を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記光散乱粒子は、二酸化チタン(TiO2)、アルミナ(Al23)、及びヒュームドシリカ(SiO2)の群からの1つ又は複数の材料を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス。
  4. 前記封止体は、多数の3次元(3D)領域を含み、前記領域のうちの少なくとも1つが前記領域のうちの他のものに比べてより高い濃度の前記光散乱粒子を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス。
  5. 前記封止体は、二分する断面を有し、前記断面は前記少なくとも1つの発光体に対して遠位に配置された頂上区域を示し、前記頂上区域は、隣接する領域に比べて高い濃度の光散乱粒子を有する前記3D領域のうちの1つを構成することを特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。
  6. 前記封止体は、二分する断面を有し、前記断面は、前記封止体の下部表面に沿って反対方向に延びる2つのくさび形区域を示し、その結果、前記くさび形区域は前記封止体の外側表面と同一の広がりをもち、前記くさび形区域は、隣接する領域に比べて高い濃度の光散乱粒子を有する前記3D領域のうちの1つを構成することを特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。
  7. 前記封止体は、前記領域のうちの他のものに比べて高い濃度の光散乱粒子を有する多数の3D領域を含むことを特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。
  8. 前記封止体の表面の1つ又は複数の部分は、前記表面に入射する放出光を散乱させるように変形されることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  9. 前記封止体の前記表面の1つの部分は、前記表面に入射する放出光を散乱させるように変形されることを特徴とする請求項8に記載の発光デバイス。
  10. 前記発光体に向き合う前記封止体の前記表面のドーム形部分が変形されることを特徴とする請求項8に記載の発光デバイス。
  11. 前記少なくとも1つの発光体の露出した部分を囲む波長変換材料の層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  12. 前記基板上に配置された反射器要素をさらに含み、前記反射器要素は実質的に環状体の形状を有し、その中心に前記封止体及び前記少なくとも1つの発光体は配置され、前記反射器要素は、前記少なくとも1つの発光体からの光を前記封止体の方に方向を変えるための内壁を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  13. 前記反射器要素の内壁は、入射光を散乱させるように変形されることを特徴とする請求項12に記載の発光デバイス。
  14. 前記少なくとも1つの発光体は、前記基部に配置された複数の発光体を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  15. 表面に配置された少なくとも1つの発光体と、
    封止体であって、前記デバイスから放出された光が実質的にすべて前記封止体を通過するように前記発光体の上に配置され、関連する濃度の光散乱粒子をもつ多数の3次元(3D)領域を有し、前記3D領域は、前記発光デバイスの出力強度及び色温度プロファイルを変更するために前記封止体内に配置される封止体と
    を含むことを特徴とする発光デバイス。
  16. 前記3D領域は、一連の視野角にわたって前記放出光の色均一性を改善するために前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  17. 前記3D領域は、前記視野角の関数として前記放出光の強度プロファイルを調整するために前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  18. 前記封止体は隣接する領域に比べて高い濃度の光散乱粒子を有する3D領域を含み、前記3D領域は、前記少なくとも1つの発光体と向き合う前記封止体の頂上に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  19. 前記封止体は、隣接する領域に比べて高い濃度の光散乱粒子を有する3D領域を含み、前記3D領域は、前記少なくとも1つの発光体に近接した前記封止体の表面の近くに配置され、前記封止体の中心から前記封止体の前記表面の方に外向きに延び、前記3D領域の体積は、前記封止体の前記中心からの距離と共に増加することを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  20. 前記封止体は、隣接する領域に比べて高い濃度の光散乱粒子を有する3D領域を含み、前記3D領域は、前記封止体の前記表面と同一の広がりをもつ外側半径と、前記封止体の前記中心からある距離の内側半径とを有する実質的に環状体の領域に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  21. 前記封止体は、前記領域のうちの他のものに比べて高い濃度の光散乱粒子を有する多数の3D領域を含むことを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  22. 前記多数の3D領域は、2つを超える異なる濃度の光散乱粒子を含むことを特徴とする請求項21に記載の発光デバイス。
  23. 前記表面に配置された複数の発光体をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の発光デバイス。
  24. 光源から放出された光の出力強度及び色温度プロファイルを調整する方法であって、
    前記放出光が実質的にすべて封止体を通過するように前記光源に隣接して前記封止体を設けるステップと、
    前記封止体内に及び前記封止体の表面に沿って選択的に配置された光散乱要素のクラスタを使用して前記光源から放出された光の方向を変えるステップと、
    前記クラスタの選択的な配置によって決定される出力プロファイルを伴って前記封止体から光を放出するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  25. 前記光散乱要素は、光散乱粒子を含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
  26. 前記光散乱粒子は、二酸化チタン(TiO2)、アルミナ(Al23)、及びヒュームドシリカ(SiO2)の群からの1つ又は複数の材料を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  27. 前記光散乱要素は、前記封止体の前記表面の変形部分を含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
  28. 前記光散乱要素は、前記封止体内の光散乱粒子と、前記封止体の前記表面の変形部分とを含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
  29. 封止体であって、前記封止体の形状を構成し、第1の屈折率を有する第1の材料と、
    第2の材料であって、前記第2の材料が前記第1の材料の全体にわたって不均一な密度を有するように前記第1の材料内に分散された微粒子特性を有し、第2の屈折率を有する第2の材料と
    を含むことを特徴とする封止体。
  30. 前記封止体は、前記封止体内で隣接する領域よりも高い濃度の前記第2の材料を有する高密度領域を含むことを特徴とする請求項29に記載の封止体。
  31. 前記封止体は、凸状湾曲表面及び平坦面を有することを特徴とする請求項30に記載の封止体。
  32. 前記封止体は、少なくとも1つの光源からの光を受け取るように位置決めされ、前記光は前記平坦面に入射することを特徴とする請求項31に記載の封止体。
  33. 前記高密度領域は、前記高密度領域が一連の低放射角にわたって前記少なくとも1つの光源から放出される光と相互作用するように前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項32に記載の封止体。
  34. 前記高密度領域は、前記封止体の頂上に配置されることを特徴とする請求項33に記載の封止体。
  35. 前記高密度領域は、前記高密度領域が一連の高放射角にわたって前記少なくとも1つの光源から放出される光と相互作用するように前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項32に記載の封止体。
  36. 前記高密度領域は、前記高密度領域が前記封止体内に逆円錐を形成するように前記封止体の平坦な端部に沿って配置されることを特徴とする請求項35に記載の封止体。
  37. 前記高密度領域は、前記高密度領域が中間範囲の放射角にわたって前記少なくとも1つの光源から放出される光と相互作用するように前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項32に記載の封止体。
  38. 前記高密度領域は、実質的に環状体の形状を有することを特徴とする請求項37に記載の封止体。
  39. 前記高密度領域は、前記高密度領域が低角度、中間範囲角度、及び/又は高角度の組合せにわたって前記少なくとも1つの光源から放出される光と相互作用するように前記封止体内に配置されることを特徴とする請求項32に記載の封止体。
  40. 前記封止体は、前記封止体内で隣接する領域よりも高い濃度の前記第2の材料を有する複数の高密度領域を含むことを特徴とする請求項29に記載の封止体。
  41. 前記封止体の表面の一部が変形されていることを特徴とする請求項29に記載の封止体。
  42. 封止体を製作する方法であって、
    前記封止体を形成するためにモールドを用意するステップと、
    特定の光散乱特性を有するある量の第1の材料を前記モールドに導入するステップと、
    前記封止体が別個の領域を含み、前記領域の各々が特定の光散乱特性を有するように、特定の光散乱特性を有する追加の材料を順番に前記モールドに導入するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  43. 前記モールドに導入された前記材料の各々は、前記材料のうちの次のものを前記順番で前記モールドに導入する前に固化することができることを特徴とする請求項42に記載の方法。
  44. 前記材料は、光散乱粒子を含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
  45. 前記材料の前記光散乱特性は、前記材料の各々の中の前記光散乱粒子の濃度によって少なくとも部分的に決定されることを特徴とする請求項44に記載の方法。
  46. 前記封止体は、実質的に半球であり、前記第1の材料は前記追加の材料に比べて最も高い濃度の光散乱粒子を有し、前記追加の材料は、前記封止体の頂上からの距離が増加すると共に光散乱粒子の濃度が減少するように配置されることを特徴とする請求項44に記載の方法。
  47. 前記封止体は、少なくとも3つの前記別個の領域を含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
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US (2) US7999283B2 (ja)
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CN (1) CN101790798B (ja)
TW (1) TW200903862A (ja)
WO (1) WO2008156518A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011204657A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Enplas Corp 光束制御部材およびこれを用いた照明装置
JP2011258579A (ja) * 2009-08-18 2011-12-22 Sharp Corp 光源装置
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
JP2013516074A (ja) * 2009-12-26 2013-05-09 アクロラックス インコーポレイテッド 発光波長を変換する均一膜層構造及びその形成方法
CN103797596A (zh) * 2011-09-13 2014-05-14 株式会社小糸制作所 发光模块
JP2021502695A (ja) * 2017-11-08 2021-01-28 廈門市三安光電科技有限公司 紫外ledパッケージ構造
JP2021036619A (ja) * 2017-08-04 2021-03-04 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 薄型直接式バックライトのための超広配光発光ダイオード(led)レンズ

Families Citing this family (223)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP5743127B2 (ja) * 2005-06-01 2015-07-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US11210971B2 (en) * 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
WO2012135976A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Led device having tilted peak emission and led display including such devices
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
KR20100084650A (ko) * 2007-10-09 2010-07-27 필립스 솔리드-스테이트 라이팅 솔루션스, 인크. 복수의 직렬 접속된 부하들의 각각의 부하 전류들을 제어하기 위한 방법들 및 장치들
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
CN101487581A (zh) * 2008-01-17 2009-07-22 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 发光二极管光源模组
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
CN101567366A (zh) * 2008-04-25 2009-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
WO2009148543A2 (en) 2008-05-29 2009-12-10 Cree, Inc. Light source with near field mixing
TWI384651B (zh) * 2008-08-20 2013-02-01 Au Optronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
DE102008064073A1 (de) 2008-12-19 2010-06-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von LED-Beleuchtungsvorrichtungen und LED-Beleuchtungsvorrichtung
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
JP2010231938A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Electric Works Co Ltd Led照明装置
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
DE102009017946A1 (de) * 2009-04-17 2010-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linse, optoelektronisches Bauelement aufweisend eine Linse und Verfahren zur Herstellung einer Linse
BE1018729A5 (nl) * 2009-04-23 2011-07-05 Ninix Technologies Nv Led-inrichting, led en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke led-inrichting.
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
EP2424814A4 (en) 2009-04-28 2016-06-01 Qd Vision Inc OPTICAL MATERIALS, OPTICAL COMPONENTS AND METHOD
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
CN105713599B (zh) 2009-08-14 2018-09-11 三星电子株式会社 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
JP2011065979A (ja) * 2009-08-18 2011-03-31 Sharp Corp 光源装置
CN102648426B (zh) * 2009-11-05 2015-07-15 鲁米尼特有限责任公司 为封装的高亮度led芯片提供微结构的方法
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
WO2011079900A1 (de) * 2009-12-30 2011-07-07 Merck Patent Gmbh Vergussmasse als diffusionsbarriere für wassermoleküle
US8350370B2 (en) * 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9310030B2 (en) * 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9057511B2 (en) * 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US8882284B2 (en) 2010-03-03 2014-11-11 Cree, Inc. LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties
US8384103B2 (en) * 2010-03-04 2013-02-26 Intellectual Discovery Co., Ltd. Increasing contrast in electronic color displays via surface texturing of LEDs
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
CN102237469A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8575836B2 (en) 2010-06-08 2013-11-05 Cree, Inc. Lighting devices with differential light transmission regions
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US8354784B2 (en) * 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
KR20130139938A (ko) * 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
JP5468517B2 (ja) * 2010-10-19 2014-04-09 パナソニック株式会社 半導体発光デバイス
EP2450625B1 (en) * 2010-11-08 2016-08-17 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device comprising photoluminescent plate
TWI474520B (zh) * 2010-11-29 2015-02-21 Epistar Corp 發光裝置、混光裝置及其製造方法
TW201239243A (en) * 2010-12-22 2012-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Free shape diffusers
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
TWI525858B (zh) * 2011-02-15 2016-03-11 Light emitting diode package structure
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
DE102011016567B4 (de) 2011-04-08 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
TW201250321A (en) * 2011-06-13 2012-12-16 Millennium Comm Co Ltd Optical lens and light-emitting module using the same
US20110256647A1 (en) * 2011-06-28 2011-10-20 Bridgelux Inc Methods of manufacturing elongated lenses for use in light emitting apparatuses
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
CN102956792B (zh) * 2011-08-29 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US9562171B2 (en) 2011-09-22 2017-02-07 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet device encapsulant
US10490713B2 (en) 2011-09-22 2019-11-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet device encapsulant
CN103032814A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 欧司朗股份有限公司 发光单元和包括该发光单元的灯具
RU2639980C2 (ru) 2011-10-19 2017-12-25 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Осветительное устройство с круговым распределением света
DE102011086168B4 (de) * 2011-11-11 2023-05-04 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US8733969B2 (en) 2012-01-22 2014-05-27 Ecolivegreen Corp. Gradient diffusion globe LED light and fixture for the same
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US8946747B2 (en) * 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US8957580B2 (en) 2012-02-13 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device including multiple wavelength conversion material layers
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP5661671B2 (ja) * 2012-03-26 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光素子
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
EP3240052A1 (en) * 2012-04-26 2017-11-01 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
DE102012209354A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul
US8629466B2 (en) * 2012-05-22 2014-01-14 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Lighting device
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9671529B2 (en) 2012-08-01 2017-06-06 Ferro Corporation Light influencing nano layer
JP2014056896A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Ns Materials Kk 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法
US8911105B2 (en) 2012-11-01 2014-12-16 Cree, Inc. LED lamp with shaped light distribution
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
DE102013103416A1 (de) * 2013-04-05 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe
US20140307427A1 (en) * 2013-04-11 2014-10-16 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device
DE102013210103A1 (de) * 2013-05-29 2014-12-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102013106689B4 (de) * 2013-06-26 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20160376170A1 (en) * 2013-07-03 2016-12-29 Koninklijke Philips N.V. Light guiding member and light emitting arrangement
US9099575B2 (en) 2013-07-16 2015-08-04 Cree, Inc. Solid state lighting devices and fabrication methods including deposited light-affecting elements
CN103413805B (zh) * 2013-08-29 2016-09-14 四川柏狮光电技术有限公司 可调光led灯丝制造工艺
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
US9534741B2 (en) 2014-07-23 2017-01-03 Cree, Inc. Lighting devices with illumination regions having different gamut properties
WO2016056727A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method of fabricating the same
KR101602267B1 (ko) * 2014-10-10 2016-03-10 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
JP6563495B2 (ja) 2014-11-26 2019-08-21 エルイーディエンジン・インコーポレーテッド 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなledエミッタ
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
WO2016133825A1 (en) * 2015-02-19 2016-08-25 Osram Sylvania Inc. Led light source with diffuser
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US20160293811A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
EP3289281A1 (en) 2015-04-30 2018-03-07 Cree, Inc. Solid state lighting components
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
US9793450B2 (en) * 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
CN105720179A (zh) * 2016-02-04 2016-06-29 吴冬梅 一种防静电led显示屏及其制造方法
JP6638084B2 (ja) * 2016-03-16 2020-01-29 ルミレッズ ホールディング ベーフェー Ledモジュールを製造する方法
DE102016208068A1 (de) * 2016-05-11 2017-11-16 Zumtobel Lighting Gmbh Linsen-Element zur Beeinflussung eines von einer Phosphor-LED abgegebenen Lichts, sowie Anordnung zur Lichtabgabe mit einem solchen Linsen-Element
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
JP6857496B2 (ja) * 2016-12-26 2021-04-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10062817B1 (en) * 2017-01-10 2018-08-28 Rayvio Corporation Ultraviolet emitting device with shaped encapsulant
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
KR102513102B1 (ko) * 2017-12-20 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 조명 장치
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US11024785B2 (en) * 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
EP3776674A1 (en) 2018-06-04 2021-02-17 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
JP2021093401A (ja) * 2019-12-06 2021-06-17 株式会社ジャパンディスプレイ 発光装置および表示装置
EP4111094A1 (en) 2020-02-24 2023-01-04 Signify Holding B.V. A light emitting device for use in a light emitting panel
US11367810B2 (en) 2020-08-14 2022-06-21 Creeled, Inc. Light-altering particle arrangements for light-emitting devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206672A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JP2005183193A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプ装置
WO2005104247A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led照明光源の製造方法およびled照明光源

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152044A (en) * 1977-06-17 1979-05-01 International Telephone And Telegraph Corporation Galium aluminum arsenide graded index waveguide
JPS6092678A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Stanley Electric Co Ltd 表示用発光ダイオ−ドの製造方法
US4675575A (en) * 1984-07-13 1987-06-23 E & G Enterprises Light-emitting diode assemblies and systems therefore
FR2586844B1 (fr) 1985-08-27 1988-04-29 Sofrela Sa Dispositif de signalisation utilisant des diodes electroluminescentes.
JPH03206673A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
DE4228895C2 (de) * 1992-08-29 2002-09-19 Bosch Gmbh Robert Kraftfahrzeug-Beleuchtungseinrichtung mit mehreren Halbleiterlichtquellen
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US6388272B1 (en) 1996-03-07 2002-05-14 Caldus Semiconductor, Inc. W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
FR2759188B1 (fr) 1997-01-31 1999-04-30 Thery Hindrick Dispositif de signalisation lumineuse, notamment pour regulation du trafic routier
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
DE19723176C1 (de) 1997-06-03 1998-08-27 Daimler Benz Ag Leistungshalbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2001148515A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Sharp Corp 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器
JP3685018B2 (ja) * 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 発光素子とその製造方法
US6331915B1 (en) * 2000-06-13 2001-12-18 Kenneth J. Myers Lighting element including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US6330111B1 (en) * 2000-06-13 2001-12-11 Kenneth J. Myers, Edward Greenberg Lighting elements including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP3839236B2 (ja) * 2000-09-18 2006-11-01 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP2002151928A (ja) 2000-11-08 2002-05-24 Toshiba Corp アンテナ、及びアンテナを内蔵する電子機器
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
US6833564B2 (en) 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
WO2003044870A1 (fr) 2001-11-22 2003-05-30 Mireille Georges Dispositif optique d'eclairage a diodes electroluminescentes
AU2003215785A1 (en) 2002-03-25 2003-10-08 Philips Intellectual Property And Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
US7262434B2 (en) 2002-03-28 2007-08-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US20040012027A1 (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
KR100495215B1 (ko) 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
US7087936B2 (en) * 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2005210042A (ja) * 2003-09-11 2005-08-04 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
TWI291770B (en) * 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
US6932497B1 (en) * 2003-12-17 2005-08-23 Jean-San Huang Signal light and rear-view mirror arrangement
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7791274B2 (en) * 2004-01-07 2010-09-07 Panasonic Corporation LED lamp
US7170111B2 (en) 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
EP1653255A3 (en) 2004-10-29 2006-06-21 Pentair Water Pool and Spa, Inc. Selectable beam lens for underwater light
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
JP4866003B2 (ja) * 2004-12-22 2012-02-01 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP5140922B2 (ja) 2005-01-17 2013-02-13 オムロン株式会社 発光光源及び発光光源アレイ
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
WO2007002644A2 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 Lamina Lighting, Inc. Light emitting diode package and method for making same
EP1902466A4 (en) 2005-07-05 2010-09-08 Int Rectifier Corp SCHOTTKY DIODE WITH IMPROVED TOP CAPABILITY
JP2007035802A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US7265911B2 (en) 2005-08-22 2007-09-04 Eastman Kodak Company Zoom lens system having variable power element
KR101358699B1 (ko) * 2006-01-24 2014-02-07 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 장치
EP2013909A4 (en) * 2006-04-18 2011-07-06 Lamina Lighting Inc OPTICAL DEVICES FOR CONTROLLED COLOR MIXTURE
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206672A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JP2005183193A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプ装置
WO2005104247A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led照明光源の製造方法およびled照明光源

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258579A (ja) * 2009-08-18 2011-12-22 Sharp Corp 光源装置
JP2013516074A (ja) * 2009-12-26 2013-05-09 アクロラックス インコーポレイテッド 発光波長を変換する均一膜層構造及びその形成方法
JP2011204657A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Enplas Corp 光束制御部材およびこれを用いた照明装置
JP5814947B2 (ja) * 2011-01-20 2015-11-17 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JPWO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2014-06-30 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
US9144118B2 (en) 2011-01-20 2015-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, lighting device, display device, and method for manufacturing light-emitting device
KR101639143B1 (ko) 2011-09-13 2016-07-12 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 발광 모듈
CN103797596A (zh) * 2011-09-13 2014-05-14 株式会社小糸制作所 发光模块
KR20140063783A (ko) * 2011-09-13 2014-05-27 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 발광 모듈
US8785957B2 (en) 2011-09-14 2014-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
JP2021036619A (ja) * 2017-08-04 2021-03-04 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 薄型直接式バックライトのための超広配光発光ダイオード(led)レンズ
JP7244480B2 (ja) 2017-08-04 2023-03-22 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 薄型直接式バックライトのための超広配光発光ダイオード(led)レンズ
JP2021502695A (ja) * 2017-11-08 2021-01-28 廈門市三安光電科技有限公司 紫外ledパッケージ構造
JP7130745B2 (ja) 2017-11-08 2022-09-05 廈門市三安光電科技有限公司 紫外ledパッケージ構造

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