JP2010527502A - 機械的応力低減型のマイクロキャビティ・プラズマ装置アレイおよび電極 - Google Patents
機械的応力低減型のマイクロキャビティ・プラズマ装置アレイおよび電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010527502A JP2010527502A JP2010508425A JP2010508425A JP2010527502A JP 2010527502 A JP2010527502 A JP 2010527502A JP 2010508425 A JP2010508425 A JP 2010508425A JP 2010508425 A JP2010508425 A JP 2010508425A JP 2010527502 A JP2010527502 A JP 2010527502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- electrode
- microcavity
- metal oxide
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/18—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma containing a plurality of independent closed structures for containing the gas, e.g. plasma tube array [PTA] display panels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
【解決手段】マイクロキャビティ・プラズマ装置のアレイは、複数の薄い金属の第1の電極と、処理中および処理後に平坦性を向上させるため設計された応力低減構造体および/または幾何学的構造とを含む。第1の電極は、マイクロキャビティ中のプラズマから電極を保護する薄金属酸化物層に埋め込まれる。発明の実施形態では、電極の一部または全部が接続される。マイクロキャビティの1次元または2次元アレイにおいて接続のパターンが画定され得る。第1の電極は個々のマイクロキャビティを囲む外周電極を備える。埋め込まれた第2の電極を有する第2の薄層は第1の薄層に接合されている。パッケージ層は放電媒体をマイクロキャビティの中に密閉する。
【選択図】図1
Description
発明のマイクロプラズマ装置アレイの好ましい実施形態は、相互接続されたマイクロキャビティの少なくとも部分集合を有する。第1の薄い金属外周電極は金属酸化物(誘電体)層に埋め込まれ、少なくとも2個の第1の薄い金属外周電極が相互接続される。アレイは、薄く狭い電極と一様である平坦性と、アレイ内のマイクロキャビティの密接したパッキングとを向上させるため、応力低減構造体および/または幾何学的構造を含む。金属に対する熱膨張率と金属酸化物に対する熱膨張率との差にもかかわらず、平坦性を維持する大型アレイを形成することが可能である。金属酸化物は、第1の薄い金属外周電極をプラズマへの暴露から保護するように各マイクロキャビティの壁をさらに覆う。(複数の)第2の電極もまた、マイクロキャビティアレイと一体となって第1の電極を備えた第1の層に接近させられた第2の金属酸化物誘電体層に埋め込まれ、好ましくは、応力低減構造体または幾何学的構造を含む。この第2の電極は、例えば、誘電体に埋め込まれ、第1の層においてアレイ中のマイクロキャビティの行または列と関連付けられることが意図されている平行金属線を備えることが可能である。第2の電極は、代替的に、誘電体に埋め込まれた薄い連続的な金属シートでもよい。マイクロキャビティは第2の電極に形成されても形成されなくてもよい。
図9A−9Bは、プロセスが予め形成されたマイクロキャビティを含まない金属膜46から始まることを仮定する。支持リブ部40、40aは、フォトレジストまたは別の使いやすいバリア材料を使用して、パターン状に酸化物44に堆積される。5μm程度の厚さのアルミナ層に箔を最初に封止することは、これまでのところ実験的なプロトタイプに役に立っている。支持リブ部40は、図9Aにおいて陽極酸化プロセスが完了した後に埋め込み型電極42が形をなす場所においてほぼ水平位置で表面に堆積される。図9Aの構造体の上端および下端の支持リブ部40は垂直方向にうまく位置合わせされるべきである。共通フォトレジストは支持リブ部40、40aのための使いやすく、効果的な材料であり、共通のフォトリソグラフィ技術によって必要な位置合わせされたパターン状に容易に形成される。図9Bは共通電極のための典型的な設計を示している。図9Bにおいて、支持リブ部40、40aは部分的に陽極酸化された金属箔46の両側に堆積されているが、リブ部40aはリブ部40と同様の幅の広さではない。さらに、垂直方向に位置合わせされるのではなく、リブ部40、40aはずらされ、すなわち、飛び飛びにされる。
製造の間にアレイ中の応力を最小限に抑える別の重要なステップは、陽極酸化プロセスが対称性と一様性とを兼ね備えていることを保証することである。図11は、金属酸化物(例えば、Al2O3)が金属箔(例えば、Al)から成長させられる電気化学陽極酸化プロセスの簡略図である。このプロセスは、対称的な方法で金属箔アノード52の陽極酸化を実現するため、陽極酸化溶液54中で陽極酸化されるべき金属箔52から等間隔に離間したカソード50を使用し、それによって、単一のカソードを使用する陽極酸化と比べて、完成した電極の張力を劇的に低減する。
発明の種々の特徴は特許請求の範囲に記載されている。
Claims (33)
- 第1の薄い金属酸化物層に画定された複数のマイクロキャビティと、
前記マイクロキャビティ中でプラズマを励起するため位置合わせされ、前記薄い金属酸化物層に埋め込まれた第1の薄い金属電極と、
前記第1の薄い金属酸化物層に近接して配置され、第2の電極を収容する第2の薄い層と、
複数のマイクロキャビティ内の放電媒体と、
放電媒体を複数のマイクロキャビティ内に収容するパッケージ層と、
装置アレイ中の応力を低減する応力低減手段と、
を備える、マイクロキャビティ・プラズマ装置アレイ。 - 前記応力低減手段が厚さの縮小された酸化物の領域を含む、請求項1に記載のアレイ。
- 前記厚さの縮小された酸化物の領域がマイクロキャビティ間の領域に配置される、請求項2に記載のアレイ。
- 前記応力低減手段がマイクロキャビティ間の領域に配置された空隙を含む、請求項1に記載のアレイ。
- 空隙間に狭いブリッジを含む、請求項4に記載のアレイ。
- マイクロキャビティから空隙までの最小距離がマイクロキャビティの行中の隣接したマイクロキャビティ間のピッチより実質的に大きい、請求項4に記載のアレイ。
- 前記応力低減手段が前記マイクロキャビティの上下に配置された支持リブ部を備える、請求項1に記載のアレイ。
- 前記応力低減手段が基材を備え、前記第1の金属酸化物層が前記基材の別々の面に配置された2つの膜を備える、請求項1に記載のアレイ。
- 前記第1の薄い金属酸化物層および前記第2の薄い層がアレイが可撓性であることを可能にするために十分に薄い、請求項1に記載のアレイ。
- 前記パッケージ層が高分子パッケージおよびガス拡散バリアを備える、請求項1に記載のアレイ。
- 前記第1の電極が前記第1の薄い酸化物層に画定されたマイクロキャビティを囲む埋め込み型外周電極を備える、請求項1に記載のアレイ。
- 前記第1の電極および第2の電極がアルミニウムを含み、前記金属酸化物が酸化アルミニウムを含む、請求項1に記載のアレイ。
- 前記パッケージ層が透明である、請求項1に記載のアレイ。
- 前記第1の金属酸化物層に埋め込まれ、2個以上の前記第1の電極を接続する相互接続部をさらに備える、請求項1に記載のアレイ。
- 前記第1の電極の相互接続部がパターンに基づいている、請求項14に記載のアレイ。
- 前記パッケージ層によって収容された放電媒体が大気圧または大気圧の近くにある、請求項1に記載のアレイ。
- 前記収容層がガラス、水晶、または、プラスチックの薄い層を含む、請求項9に記載のアレイ。
- 前記第2の薄い層が第2の薄い酸化物層を含み、前記第2の電極が複数の第2の電極を含む、請求項1に記載のアレイ。
- 電極を製造する方法であって、
金属箔または膜を獲得または形成するステップと、
金属を金属酸化物に変換するため、前記金属箔または膜を対称的に陽極酸化するステップと、
前記電極を封止する薄い金属酸化物層を具備する少なくとも1個の金属酸化物保護型電極を形成するために、前記陽極酸化を継続するステップと、
を備える方法。 - 前記獲得するステップにおいて獲得された金属箔または膜が複数のマイクロキャビティを有し、
前記継続するステップの後に放電媒体をマイクロキャビティに収容するステップをさらに備える、
マイクロキャビティ・プラズマ装置のアレイを形成するため使用される請求項19に記載の方法。 - 第2の電極を収容する第2の層を前記薄い金属酸化物層に連結するステップをさらに備える、請求項20に記載の方法。
- 前記連結するステップが、前記第1の電極および第2の電極をロール・ツー・ロールプロセス接合するステップを備える、請求項21に記載の方法。
- 前記金属箔または膜がアルミニウムを含み、前記金属酸化物が酸化アルミニウムを含む、請求項20に記載の方法。
- マイクロキャビティ・プラズマ装置アレイがロール・ツー・ロール処理によってプラスチックの中にパッケージされている、請求項23に記載の方法。
- 前記金属箔または膜がチタンを含み、前記金属酸化物が二酸化チタンを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記対称的に陽極酸化するステップが2個の等間隔に離れているカソードの間の金属箔を陽極酸化するステップを備える、請求項25に記載の方法。
- 前記対称的に陽極酸化するステップが、陽極酸化中に前記金属箔を回転させるステップを備える、請求項19に記載の方法。
- 薄い金属が埋め込まれた薄い金属酸化物層と、
電極中の応力を低減する応力低減手段と、
を備える薄い金属・金属酸化物電極。 - 前記応力低減手段が厚さの低減された酸化物の領域を含む、請求項28に記載の電極。
- 前記応力低減手段が、前記薄い金属酸化物層の両側に配置された支持リブ部を含む、請求項28に記載の電極。
- 前記薄い金属酸化物層の一方側の前記支持リブ部が、前記薄い金属酸化物層のもう一方側の支持リブ部に対して垂直方向に飛び飛びに形成されている、請求項30に記載の電極。
- 前記薄い金属酸化物層の一方側の前記支持リブ部が、前記薄い金属酸化物層のもう一方側の前記支持リブ部と異なる幅を有する、請求項31に記載の電極。
- 前記薄い金属が、金属線電極の平行アレイを含み、前記応力低減手段が、前記金属線電極の平行アレイの両端に関して対称性がある薄い金属酸化物層を含む、請求項28に記載の電極。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US93039307P | 2007-05-16 | 2007-05-16 | |
US60/930,393 | 2007-05-16 | ||
PCT/US2008/006226 WO2008153663A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-05-15 | Arrays of microcavity plasma devices and electrodes with reduced mechanical stress |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010527502A true JP2010527502A (ja) | 2010-08-12 |
JP5318857B2 JP5318857B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=40130010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010508425A Expired - Fee Related JP5318857B2 (ja) | 2007-05-16 | 2008-05-15 | 機械的応力低減型のマイクロキャビティ・プラズマ装置アレイおよび電極 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8159134B2 (ja) |
EP (1) | EP2153454B1 (ja) |
JP (1) | JP5318857B2 (ja) |
WO (1) | WO2008153663A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9123499B1 (en) * | 2006-01-26 | 2015-09-01 | Imaging Systems Technology, Inc. | Plasma-shell gas discharge device |
US8362699B2 (en) | 2007-10-25 | 2013-01-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Interwoven wire mesh microcavity plasma arrays |
WO2009140509A1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microcavity and microchannel plasma device arrays in a single, unitary sheet |
US8179032B2 (en) * | 2008-09-23 | 2012-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Ellipsoidal microcavity plasma devices and powder blasting formation |
US9659737B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-05-23 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Phosphor coating for irregular surfaces and method for creating phosphor coatings |
EP2724358A4 (en) * | 2011-06-24 | 2014-11-26 | Univ Illinois | NETWORKS OF METAL OR METAL OXIDE MICROPLASMA DEVICES HAVING A DEFECT-FREE OXIDE |
US9627351B2 (en) * | 2012-10-22 | 2017-04-18 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Device electrode formation using metal sheet |
US8995658B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Physics-based key generation |
WO2015003064A2 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | The Trustees Columbia University In The City Of New York | System and method for high-throughput assessment of cellular cardiotoxicity, drug screening, and cardiogenic factors via on-line physiological measurements |
WO2015102689A2 (en) * | 2013-09-24 | 2015-07-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Modular microplasma microchannel reactor devices, miniature reactor modules and ozone generation devices |
US9465960B2 (en) | 2013-12-04 | 2016-10-11 | Honeywell International Inc. | Physics-based authentication |
TWI569690B (zh) * | 2015-01-23 | 2017-02-01 | 國立臺灣大學 | 一種電漿產生裝置與其製備方法 |
US11202843B2 (en) | 2017-05-18 | 2021-12-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microplasma devices for surface or object treatment and biofilm removal |
TWI829156B (zh) * | 2021-05-25 | 2024-01-11 | 大陸商北京屹唐半導體科技股份有限公司 | 電漿源陣列、電漿處理設備、電漿處理系統以及用於在電漿處理設備中加工工件的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929571A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-16 | ||
JP2006156352A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
WO2007011865A2 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microcavity plasma devices with dielectric encapsulated electrodes |
WO2008013820A2 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | The Board Of Trustees Of University Of Illinois | Buried circumferential electrode microcavity plasma device arrays, electrical interconnects, and formation method |
JP2008098150A (ja) * | 2006-10-09 | 2008-04-24 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
JP2008235274A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1169647A (en) * | 1966-09-05 | 1969-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A Method for Forming Anodic Oxide Film on Aluminium or Aluminium Alloy |
JPS5481133A (en) | 1977-12-12 | 1979-06-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | Anodic oxidation device |
GB2158554B (en) * | 1984-05-09 | 1988-05-18 | Gevipi Ag | A mixer valve with hard material plaques |
US5156720A (en) * | 1989-02-02 | 1992-10-20 | Alcan International Limited | Process for producing released vapor deposited films and product produced thereby |
KR930005549B1 (ko) * | 1991-06-17 | 1993-06-23 | 삼성전자 주식회사 | 표시패널 및 그의 제조방법 |
TW237487B (en) * | 1993-06-02 | 1995-01-01 | Furukawa Electric Co Ltd | A metal foil manufacturing method and an anodized film forming apparatus used therefor |
US5841219A (en) * | 1993-09-22 | 1998-11-24 | University Of Utah Research Foundation | Microminiature thermionic vacuum tube |
US6016027A (en) * | 1997-05-19 | 2000-01-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microdischarge lamp |
KR100230425B1 (ko) * | 1997-06-20 | 1999-11-15 | 윤종용 | 보이드를 갖는 트렌치 소자분리막 형성방법 |
JP2002075917A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
KR20020044737A (ko) * | 2000-12-06 | 2002-06-19 | 윤종용 | 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비 |
US6563257B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multilayer ceramic microdischarge device |
JP2003016972A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 陰極線管および表示装置 |
US6541915B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-04-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High pressure arc lamp assisted start up device and method |
US6853117B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and producing method therefor |
DK200101287A (da) * | 2001-08-31 | 2003-03-01 | Bang & Olufsen As | Udlæsningsenhed og fremgangsmåde til dens fremstilling |
US6695664B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-02-24 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microdischarge devices and arrays |
US6815891B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-11-09 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method and apparatus for exciting a microdischarge |
US7112918B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-26 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microdischarge devices and arrays having tapered microcavities |
US6828730B2 (en) * | 2002-11-27 | 2004-12-07 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microdischarge photodetectors |
JP2004211116A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kuroda Seiki Seisakusho:Kk | アルミニウムまたはアルミニウム合金の陽極酸化処理装置 |
EP1597408B1 (en) * | 2003-02-27 | 2012-12-05 | Symmorphix, Inc. | Method for forming dielectric barrier layers |
US6828583B2 (en) * | 2003-03-12 | 2004-12-07 | The Regents Of The University Of California | Injection lasers fabricated from semiconducting polymers |
KR20050066970A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 전자발광 장치, 이를 사용하는 면광원 및 디스플레이 |
JP2005256071A (ja) | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Shozo Niimiyabara | 陽極酸化膜の製造方法 |
US7372202B2 (en) * | 2004-04-22 | 2008-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Phase locked microdischarge array and AC, RF or pulse excited microdischarge |
US7511426B2 (en) * | 2004-04-22 | 2009-03-31 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microplasma devices excited by interdigitated electrodes |
KR20050113533A (ko) | 2004-05-29 | 2005-12-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
US7126266B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-10-24 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Field emission assisted microdischarge devices |
US7489074B2 (en) * | 2004-09-28 | 2009-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reducing or eliminating color change for microcavity OLED devices |
US7297041B2 (en) * | 2004-10-04 | 2007-11-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of manufacturing microdischarge devices with encapsulated electrodes |
US7573202B2 (en) * | 2004-10-04 | 2009-08-11 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Metal/dielectric multilayer microdischarge devices and arrays |
US7385350B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-06-10 | The Broad Of Trusstees Of The University Of Illinois | Arrays of microcavity plasma devices with dielectric encapsulated electrodes |
US7235493B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Low-k dielectric process for multilevel interconnection using mircocavity engineering during electric circuit manufacture |
WO2007091993A2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-08-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Plasma extraction microcavity plasma devive and method |
JP4660222B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
KR100670347B1 (ko) * | 2005-06-16 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 단자부 연결 구조 및이를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100787434B1 (ko) * | 2005-11-12 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 플라즈마디스플레이 장치 |
KR100768222B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널과, 이의 제조 방법 |
-
2008
- 2008-05-15 WO PCT/US2008/006226 patent/WO2008153663A1/en active Application Filing
- 2008-05-15 EP EP08779623.1A patent/EP2153454B1/en not_active Not-in-force
- 2008-05-15 JP JP2010508425A patent/JP5318857B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-15 US US12/152,550 patent/US8159134B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-20 US US13/425,214 patent/US8535110B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929571A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-16 | ||
JP2006156352A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
WO2007011865A2 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microcavity plasma devices with dielectric encapsulated electrodes |
JP2009502010A (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-22 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 封じ込められた誘電体電極を有するマイクロキャビティプラズマ素子からなるアレイ |
WO2008013820A2 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | The Board Of Trustees Of University Of Illinois | Buried circumferential electrode microcavity plasma device arrays, electrical interconnects, and formation method |
JP2008098150A (ja) * | 2006-10-09 | 2008-04-24 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
JP2008235274A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100001629A1 (en) | 2010-01-07 |
WO2008153663A1 (en) | 2008-12-18 |
EP2153454A1 (en) | 2010-02-17 |
EP2153454A4 (en) | 2011-02-23 |
JP5318857B2 (ja) | 2013-10-16 |
US8535110B2 (en) | 2013-09-17 |
EP2153454B1 (en) | 2013-04-24 |
US20120178335A1 (en) | 2012-07-12 |
US8159134B2 (en) | 2012-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5318857B2 (ja) | 機械的応力低減型のマイクロキャビティ・プラズマ装置アレイおよび電極 | |
US8404558B2 (en) | Method for making buried circumferential electrode microcavity plasma device arrays, and electrical interconnects | |
JP5271080B2 (ja) | 封じ込められた誘電体電極を有するマイクロキャビティプラズマ素子からなるアレイ | |
US7385350B2 (en) | Arrays of microcavity plasma devices with dielectric encapsulated electrodes | |
US7573202B2 (en) | Metal/dielectric multilayer microdischarge devices and arrays | |
US8890409B2 (en) | Microcavity and microchannel plasma device arrays in a single, unitary sheet | |
US8796926B2 (en) | AC, RF or pulse excited microdischarge device and array | |
US7511426B2 (en) | Microplasma devices excited by interdigitated electrodes | |
JP5435868B2 (ja) | マイクロ放電装置、マイクロ放電装置アレイ、誘電体で覆われた電極を製造する方法 | |
US20110260609A1 (en) | Interwoven wire mesh microcavity plasma arrays | |
JP5346946B2 (ja) | 均一でない断面をもつマイクロキャビティを有するマイクロキャビティプラズマデバイス | |
US8541946B2 (en) | Variable electric field strength metal and metal oxide microplasma lamps and fabrication | |
Park | Eden et al. | |
JP2006032242A (ja) | 二次元アレー型誘電体バリア放電装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110509 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120925 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130326 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130402 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130501 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5318857 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |