JP2010526989A - マイクロメカニカル構成素子および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第1の導電層は前記基板の上に設けられており、該基板に設けられた中空空間上に、弾性に偏向可能な単結晶質シリコンからなるダイヤフラム領域(4a)と、これに当接する周辺領域とを形成し、
前記導体路面は前記第1の導電層の上では、前記第1の導電層から電気絶縁されており、
前記導体路面はダイヤフラム領域の上に第1の電極領域を有し、前記周辺領域の上にこれと電気的に接続された第1の接続領域を有し、
前記第2の導電層は前記導体路面の上に設けられており、
前記第2の導電層は前記ダイヤフラム領域の上に第2の電極領域を有し、
前記第2の電極領域は前記第1の電極領域から電気絶縁されており、かつ前記周辺領域上に第2の接続領域を有し、
前記第2の接続領域は前記第2の電極領域から電気絶縁されており、かつ前記第1の接続領域と電気接続されている、ことを特徴とするマイクロメカニカル構成素子によって解決される。
Claims (12)
- マイクロメカニカル構成素子であって、導電性基板(1)と、第1の導電層(4)と、導体路面(12;12a)と、第2の導電層(6)とを有し、
前記第1の導電層(4)は前記基板(1)の上に設けられており、該基板(1)に設けられた中空空間(2)上に、弾性に偏向可能な単結晶質シリコンからなるダイヤフラム領域(4a)と、これに当接する周辺領域(4b)とを形成し、
前記導体路面は前記第1の導電層(4)の上では、前記第1の導電層(4)から電気絶縁されており、
前記導体路面(12;12a)はダイヤフラム領域(4a)の上に第1の電極領域(EB1)を有し、前記周辺領域(4b)の上にこれと電気的に接続された第1の接続領域(AB1;AB1’)を有し、
前記第2の導電層(6)は前記導体路面(12)の上に設けられており、
前記第2の導電層(6)は前記ダイヤフラム領域(4a)の上に第2の電極領域(EB2;EB2’)を有し、
前記第2の電極領域は前記第1の電極領域(EB1)から電気絶縁されており、かつ前記周辺領域(4b)上に第2の接続領域(AB2;AB2’)を有し、
前記第2の接続領域は前記第2の電極領域(EB2;EB2’)から電気絶縁されており、かつ前記第1の接続領域(AB1;AB1’)と電気接続されている、
ことを特徴とするマイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第1の導電層(4)内に回路構成(15)が集積され、前記第1の接続領域(AB1’)は前記回路構成(15)と電気接続される
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項2記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第2の電極領域(EB2;EB2’)は前記回路構成(15)と電気接続している
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第2の導電層(6)は、前記回路構成(15a)が集積された領域(6d)を有する
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項4記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第1の導電層(4)は単結晶質であり、
前記領域(6d)は前記第1の導電層(4)の上に単結晶に成長される
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項4記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記基板(1)は単結晶質であり、
前記領域(6d)は前記基板(1)の上に単結晶に成長される
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記基板(1)は、前記ダイヤフラム領域(4a)に対向する側にパーフォレーション開口部(1a)を有し、
該パーフォレーション開口部は、中空空間(2)へ基板裏側からアクセス可能にする
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第2の電極領域(EB2’)および/または第2の接続領域(AB2’)は貫通接触接続領域を有し、
該貫通接触接続領域は電気的に絶縁されて前記基板(1)を通り、前記ダイヤフラム領域(4a)に対向する基板(1)の側に案内され、電気的接触接続面(17a、17b)と接続されている
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記第1の導電層(4)は単結晶質シリコンから、前記第2の導電層(6)は多結晶質シリコンから作製される
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項9記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記基板(1)と前記第1の導電層(4)との間の中空空間(2)の上には、単結晶質シリコンからなるグリッド構造体(3)が設けられている
マイクロメカニカル構成素子。 - 請求項1記載のマイクロメカニカル構成素子において、
前記導体路面(12;12a)は多結晶質シリコンから作製される
マイクロメカニカル構成素子。 - マイクロメカニカル構成素子の製造方法であって、
・中空空間(2)を備える導電基板(1)を作製し、
・第1の導電層(4)を、前記基板(1)の上に形成し、
前記第1の導電層(4)は、前記中空空間(2)上に、弾性に偏向可能な単結晶質シリコンからなるダイヤフラム領域(4a)と、これに当接する周辺領域(4b)を形成し、
・第1の絶縁層(11;11a)を前記第1の導電層(4)の上に形成し、
・導体路面(12;12a)を前記第1の絶縁層(11;11a)の上に形成し、
前記導体路面(12;12a)は前記ダイヤフラム領域(4a)の上に第1の電極領域(EB1)を有し、前記周辺領域(4b)の上にこれと電気的に接続された第1の接続領域(AB1;AB1’)を有しており、
・第2の絶縁層(13)を前記導体路面(12;12a)の上に形成し、
・犠牲層面(5)を前記第2の絶縁層(13)の上に形成し、
・第2の導電層(6)を前記犠牲層面(5)の上に形成し、
前記第2の導電層(6)は前記ダイヤフラム領域(4a)の上に第2の電極領域(EB2;EB2’)を有し、
前記第2の電極領域は前記第1の電極領域(EB1)から電気絶縁されており、かつ前記周辺領域(4b)上に第2の接続領域(AB2;AB2’)を有し、
前記第2の接続領域は前記第2の電極領域(EB2;EB2’)から電気絶縁されており、かつ前記第1の接続領域(AB1;AB1’)と電気接続されている、
ことを特徴とするマイクロメカニカル構成素子の製造方法。
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