JP2010518640A - 有機トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に係る有機トランジスタは、導電性粒子と有機半導体高分子とが化学結合している物質を含む有機半導体層を含むことを特徴とする。
厚さが10nm未満である場合には、5nmまたはそれ以下の厚さに形成された電荷導電層が水分または酸素によって分解(degradation)され易く、1μm超過である場合には、オン/オフ比が小さくなる問題がある。
nは5〜1,000の整数であり、より好ましくは10〜1,000の整数であり、
ArおよびAr’は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、共役構造を有する2価の環状もしくは非環状の炭化水素基、または共役構造を有する2価の複素環基であり、
AおよびBは、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、共役構造を有する2価の環状もしくは非環状の炭化水素基、共役構造を有する2価の複素環基、または下記非環式基(acyclicgroup)であり、
R1およびR2は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、エステル基、エーテル基、アミノ基、イミド基、シラン基、チオエステル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルコキシ基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のチオアルコキシ基、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R1および/またはR2に含まれる互いに隣接しない2以上の炭素原子は、O、S、NH、−NRO−、SiROROO−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−S−CO−、−CO−S−、−CH=CH−、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基によって連結されていてもよく、ここで、ROとROOは互いに同じであるか異なり、独立に、水素、アリール基、または炭素数1〜12のアルキル基であり、
R1とR2は、互いに連結されて環を形成していてもよい。
R5〜R8は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、エステル基、エーテル基、アミノ基、イミド基、シラン基、チオエステル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルコキシ基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のチオアルコキシ基、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R5〜R8に含まれる互いに隣接しない2以上の炭素原子は、O、S、NH、−NRO−、SiROROO−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−S−CO−、−CO−S−、−CH=CH−、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基によって連結されていてもよく、ここで、ROおよびROOは、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素、アリール基、または炭素数1〜12のアルキル基であり、
R5およびR6またはR7およびR8は、互いに連結されて環を形成していてもよく、
n、x、y、z、A、およびBは化学式2で定義した通りである。
これらは互いに連結されて環を形成してもよく、n、x、yは化学式2で定義した通りである。
活性化させたマグネシウム(1.22g;50mmol)に無水エチルエーテル(40ml)を加え、1−ブロモドデカン(12.46g;50mmol)を加えて、グリニャール試薬(Grignard reagent)を製造した後、Ni(dppp)Cl2(33mg)を添加し、10mlのエーテルに溶かした3−ブロモチオフェン(3−bromothiophene)(8g;49mmol)をゆっくりと滴下により添加した。
反応液を1日間還流させた後、2N HCl/氷の混合液(50ml)を加えて反応を終了させた。エチルエーテルで抽出した後、溶媒を減圧蒸留により除去し、残渣をDMF(50ml)に溶かした後、濾過して、残っているパラフィンを除去した。濾液を濃縮した後、残留物を減圧下で蒸留して、無色液体である3−ドデシルチオフェン(3−dodecylthiophene)(10.5g;85%)を得た。
N−ブロモスクシンイミド(N−bromosuccinimide;NBS)(48g;0.27mol)のDMF(160ml)溶液を、DMF(110ml)に溶かした3−ドデシルチオフェン(68g;0.27mol)の溶液に徐々に加えた。反応液を1日間攪拌した後、750mlの水を加えた。有機物をエチルエーテル(3x300ml)で抽出し、食塩水(brine)および水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで残留水分を除去した。溶媒を除去した後、残渣を125℃/約5mmHgで減圧蒸留して生成物(84.85g、収率94%)を得た。
マグネシウム(0.63g;25.8mmol)および無水THF(25ml)をフラスコに加えた後、2−ブロモ−3−ドデシルチオフェン(2−bromo−3−dodecylthiophene)(7.78g;23.5mmol)を徐々に加えた。グリニャール反応が始まった後、この溶液をマグネシウムがほぼ無くなるまで還流させた。その後、精製DMF(3.65g;約4ml;50mmol)を反応液に徐々に滴加により添加した。
この反応液を1日間還流させた後、0℃に冷却し、5%HCl(100ml)を加えて反応を終了させた。有機層をエチルエーテルで抽出し、得られた有機層を、NaHCO3NaCl飽和水溶液、および水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで残存水分を除去した。溶媒を除去した後、残渣を、シリカゲルによるカラム分離(エチルアセテート/ヘキサン=1/9)にかけて、3−ドデシルチオフェン−2−カルボアルデヒド(3−dodecylthiophene−2−carboaldehyde)(3.6g;55%)を得た。
3−ドデシルチオフェン−2−カルボアルデヒド(3.9g;14mmol)およびジチオオキサミド(dithiooxamide)(0.8g;6.6mmol)をフラスコに加えた後、180℃で1時間加熱した。その後、常温に冷却し、クロロホルムを加えて攪拌した後、濾過した。得られた物質をヘキサンで3回再結晶し、アセトン/エチルアセテートでさらに再結晶して、純度99.57%(HPLCによる純度)の生成物(1.5g;35%)を得た。この物質の融点は60℃であった。
光を遮断した後、クロロホルム/酢酸の混合物(20/10ml)に溶かしたNBS(0.28g、1.57mmol)溶液を、CHCl3/AcOH mixture(20/10ml)に溶かした5,5’−ビス(3−ドデシル−2−チエニル)−チアゾロチアゾール(0.5g、0.78mmol)に、0℃で徐々に滴下により添加した。この反応液を同じ温度で2時間攪拌した後、常温に温度を上げて1日間攪拌した。この反応液を、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで処理した後、アセトン/ヘキサン1:1溶媒で再結晶して、2,2’−ビス(ブロモ)−5,5’−ビス(3−ドデシル−2−チエニル)−チアゾロチアゾール(0.6g、96%収率)を得た。
窒素雰囲気下で、マグネシウム(0.22g、9mmol)が分散された35mlのTHF溶液に、2−ブロモ−3−ドデシルチオフェン(6.0g、18mmol)を滴下により添加した。グリニャール試薬が形成された後、反応液を常温に冷却した。ここに、Pd(dppp)Cl2〔(1,3−ビス[ジフェニルホスフィノ]プロパン)ジクロロニッケル(II)ビスジフェニルホスフィノエタンジクロロニッケル〕(0.2g、0.4mmol)および15mlの無水THFを添加した後、24時間還流させた。5%HCl水溶液で反応を終了させた後、エチルエーテルで希釈した後、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで水分を除去した。溶媒を除去した後、残渣を、シリカゲルおよびn−ヘキサンを用いるカラム精製にかけて、5,5’−ビス(3−ドデシル)−2,2’−ジチオフェン(2.5g;54%収率)を得た。
5,5’−ビス(3−ドデシル)−2,2’−ジチオフェン(14.3g;28.4mmol)およびTMEDA(13ml;85.3mmol)を、無水ヘキサン350mlに溶かし、この溶液に−78℃で、2.5M n−BuLi(ヘキサン中2.5M)溶液(30ml;71mmol)を徐々に滴下した。反応液の温度を0℃まで上げ、1時間攪拌した後、再び−78℃に冷却した。ここに、ヘキサン30mlに希釈したトリメチルスズクロライド(17g;85.3mmol)を加え、反応液の温度を常温まで上げた後、1日間攪拌した。反応液をヘキサンで希釈した後、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで水分を除去した。減圧して溶媒を除去した後、残渣(約24g)をエタノール/アセトン(350ml/100ml)で再結晶し、エタノール(600ml)でさらに再結晶して、純粋な生成物(21.4g;収率:91%)を得た。
[チオフェノールでエンドキャッピングされたポリ(テトラ(ドデシルチオフェン)チアゾロチアゾール)(高分子1)の合成]
[ポリ(テトラ(ドデシルチオフェン)チアゾロチアゾール)−金ナノ粒子の合成(高分子:Au=2:1)]
[ポリ(テトラ(ドデシルチオフェン)チアゾロチアゾール)−金ナノ粒子の合成(高分子:Au=10:1)]
図1に示した構造の有機トランジスタを製作した。n−ドーピングされたシリコンウェハを基板およびゲート電極として用い、その上に、熱処理によって成長させて形成させたシリコンオキシド(300nm)をゲート絶縁層として用いた。このゲート絶縁層上に、電子ビーム(e−beam)を利用して、金からなるソース電極およびドレイン電極を形成させた。こうして準備した基板をHMDS(ヘキサメチルジシラザン;hexamethyldisilazane)で処理した。このソース電極とドレイン電極が形成された基板上に、クロロベンゼンに実施例3で製造した物質を0.1w/v%で溶かした溶液を、500rpmの速度で30秒間スピンコーティングし、70℃でプレアニーリングした後、100℃で1時間熱処理して有機半導体層を形成させた。この時、有機トランジスタのチャネル幅および長さは、それぞれ、300μmおよび10μmであった。
Claims (18)
- 導電性粒子と有機半導体高分子とが化学結合している物質を含む有機半導体層を含む有機トランジスタ。
- 前記導電性粒子が、金属または金属酸化物粒子である、請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記導電性粒子が、Au、Ag、Pt、ITO、IZO、およびZnOのうちの1以上を含む、請求項2に記載の有機トランジスタ。
- 前記導電性粒子の粒径が5nm〜1μmである、請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記Xが、チオフェン(thiophene)、アニリン(aniline)、およびピロール(pyrrole)の1つ以上を含む導電性高分子である、請求項5に記載の有機トランジスタ。
- 前記B1およびB2が、−SHまたはリン酸基を含む基である、請求項5に記載の有機トランジスタ。
- 前記導電性高分子Xが、有機半導体層を形成させる際に用いられる溶媒に対して、0.1重量%以上の濃度に溶解可能である、請求項5に記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体高分子が、3,000以上の分子量を有する、請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記導電性高分子Xが、下記化学式2に示す構造単位を含む、請求項5に記載の有機トランジスタ:
nは5〜1,000の整数であり、
ArおよびAr’は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、共役構造を有する2価の環状もしくは非環状の炭化水素、または共役構造を有する2価の複素環基であり、
AおよびBは、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、共役構造を有する2価の環状もしくは非環状の炭化水素基、共役構造を有する2価の複素環基、または下記非環式基(acyclic group)であり、
- 前記AおよびBが、下記の化学式で示す基から選択される、請求項10に記載の有機トランジスタ:
R1およびR2は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、エステル基、エーテル基、アミノ基、イミド基、シラン基、チオエステル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルコキシ基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のチオアルコキシ基、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R1および/またはR2に含まれる互いに隣接しない2以上の炭素原子は、O、S、NH、−NRO−、SiROROO−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−S−CO−、−CO−S−、−CH=CH−、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基によって連結されていてもよく、ここで、ROおよびROOは、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素、アリール、または炭素数1〜12のアルキル基であり、
R1およびR2は、互いに結合して環を形成してもよい〕。 - 前記化学式2が下記化学式3で表される、請求項10に記載の有機トランジスタ:
R5〜R8は、互いに同じであるかまたは異なり、独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、エステル基、エーテル基、アミノ基、イミド基、シラン基、チオエステル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルキル基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のアルコキシ基、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の直鎖、分枝鎖、もしくは環状のチオアルコキシ基、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R5〜R8に含まれる互いに隣接しない2以上の炭素原子は、O、S、NH、−NRO−、SiROROO−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−S−CO−、−CO−S−、−CH=CH−、置換もしくは非置換のアリール基、または置換もしくは非置換のヘテロアリール基によって連結されていてもよく、ここで、ROおよびROOは、互いに同じであるか異なり、独立に、水素、アリール、または炭素数1〜12のアルキル基であり、
R5およびR6 、またはR7およびR8は、互いに結合して環を形成していてもよく、
n、x、y、z、A、およびBは化学式2で定義した通りである〕。 - 前記化学式2が下記化学式R−1〜R−5、S−16〜S−31、およびS−34〜S−41から選択される、請求項10に記載の有機トランジスタ:
- 前記有機半導体層中に、前記有機半導体高分子および導電性粒子が10:1〜1:10,000の重量比で含まれる、請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 基板上に、絶縁層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層をそれぞれ積層させる工程を含む有機トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体層を、導電性粒子と有機半導体高分子とが化学結合している物質を用いて形成させることを特徴とする、有機トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層を湿式方法によって形成させる、請求項16に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記湿式方法が、スクリーン印刷、インクジェット印刷、またはマイクロコンタクト印刷の方法である、請求項17に記載の有機トランジスタの製造方法。
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