JP2010518606A - 射出成形された半田によって半導体ウェーハにバンプを形成するための装置及び方法 - Google Patents
射出成形された半田によって半導体ウェーハにバンプを形成するための装置及び方法 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図10
Description
Claims (85)
- 半導体構造上に半田バンプを形成するための装置であって、
型構造の第1の表面上に形成されるパターニングされた型穴に半田を充填するための装置と、
前記半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせするための装置と、
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具と、
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を有する前記固定具を収容すると共に、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写するための装置と、
を備え、前記型穴パターンは前記半導体表面パターンと一致する、半導体構造上に半田バンプを形成するための装置。 - 前記固定具は、
基板を支持するような寸法で形成される中央開口部を有するフレームであって、該基板は前記半導体構造の第2の表面と接触し、該第2の表面は前記第1の表面の反対側にある、フレームと、
前記フレームの周囲に対称に配置される1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリであって、各該クランプ/スペーサアセンブリは、前記型及び前記半導体構造を固定するように構成されるクランプと、前記半導体構造の前記第1の表面と前記型構造の前記第1の表面との間に挿入され、それにより、前記型構造及び前記半導体構造を前記スペーサの高さに等しい距離だけ分離するように構成されるスペーサとを備える、1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリと、
を備える、請求項1に記載の装置。 - 各前記クランプ/スペーサアセンブリ内の前記スペーサ及び前記クランプは互いに独立して動くように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記クランプ/スペーサアセンブリは互いに独立して動くように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記クランプ/スペーサアセンブリは互いに独立して動くように構成され、且つ各該クランプ/スペーサアセンブリにおいて前記スペーサ及び前記クランプは互いに独立して動くように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記スペーサは、第1の端部及び第2の端部を有する細長い本体を備えると共に、前記細長い本体に対して垂直であり且つ前記第1の端部を通る軸を中心として回転し、それにより前記第2の端部を前記半導体構造の前記第1の表面と前記型構造の前記第1の表面との間に挿入するように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記スペーサは、動作温度において高い精度及び信頼性で遠隔制御により回転するように構成され、該動作温度において、前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面への前記半田転写が行なわれる、請求項6に記載の装置。
- 前記スペーサ回転の前記高い精度及び信頼性を与える高精度ロータリストロークベアリングをさらに備える、請求項7に記載の装置。
- 前記クランプは第1の端部及び第2の端部を有する細長い本体を備えると共に、前記細長い本体に対して垂直であり且つ前記第1の端部を通る軸を中心として回転し、それにより前記第2の端部を前記型構造の第2の表面上に配置し、それにより前記型構造及び前記半導体構造を固定するように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記スペーサは、前記型構造を前記半導体構造から分離するような寸法で形成される長さを含み、前記半導体構造は100mm〜400mmの範囲の直径を含む、請求項2に記載の装置。
- 前記スペーサは、50μm〜1000μmの範囲の距離だけ、前記型構造を前記半導体構造から分離するような寸法で形成される高さを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記クランプは、前記型構造及び前記半導体構造を固定するような寸法で形成される長さを含み、前記半導体構造は100mm〜400mmの範囲の直径を含む、請求項2に記載の装置。
- 前記固定具は、前記フレームと前記基板との間にシールリングをさらに備え、該シールリングは、動作温度において封止を実現するように構成され、該動作温度において、前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面への前記半田転写が行なわれる、請求項2に記載の装置。
- 前記シールリングはグラファイトを含む、請求項13に記載の装置。
- 前記基板は、前記半導体構造の熱膨張係数(CTE)と一致するCTEを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記基板はシリコンを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記基板は、径方向に、且つ前記基板上に形成される同心円の周囲に配置される真空溝を備え、前記半導体構造を前記基板上に保持するために、前記真空溝を通して真空が生成される、請求項2に記載の装置。
- 半導体構造上に半田バンプを形成する方法であって、
型構造の第1の表面上に形成される、パターニングされた型穴に半田を充填すること、
前記半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせすること、
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具を提供すること、及び
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を有する前記固定具を半田転写装置内に配置すると共に、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写すること、
を含み、前記型穴パターンは前記半導体表面パターンと一致する、半導体構造上に半田バンプを形成する方法。 - 前記固定具は、
基板を支持するような寸法で形成される中央開口部を有するフレームであって、該基板は前記半導体構造の第2の表面と接触し、該第2の表面は前記第1の表面の反対側にある、フレームと、
前記フレームの周囲に対称に配置される1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリであって、各該クランプ/スペーサアセンブリは、前記型及び前記半導体構造を固定するように構成されるクランプと、前記半導体構造の前記第1の表面と前記型構造の前記第1の表面との間に挿入され、それにより、前記型構造及び前記半導体構造を前記スペーサの高さに等しい距離だけ分離するように構成されるスペーサとを備える、1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリと、
を備える、請求項18に記載の方法。 - 各前記クランプ/スペーサアセンブリ内の前記スペーサ及び前記クランプは、互いに独立して動くように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記クランプ/スペーサアセンブリは、互いに独立して動くように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記クランプ/スペーサアセンブリは互いに独立して動くように構成され、且つ各該クランプ/スペーサアセンブリ内において前記スペーサ及び前記クランプは互いに独立して動くように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記スペーサは、第1の端部及び第2の端部を有する細長い本体を備えると共に、前記細長い本体に対して垂直であり且つ前記第1の端部を通る軸を中心として回転し、それにより前記第2の端部を前記半導体構造の前記第1の表面と前記型構造の前記第1の表面との間に挿入するように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記スペーサは、動作温度において高い精度及び信頼性で遠隔制御により回転するように構成され、該動作温度において、前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面への前記半田転写が行なわれる、請求項23に記載の方法。
- 前記スペーサ回転の前記高い精度及び信頼性を与える、高精度ロータリストロークベアリングをさらに備える、請求項24に記載の方法。
- 前記クランプは第1の端部及び第2の端部を有する細長い本体を備えると共に、前記細長い本体に対して垂直であり且つ前記第1の端部を通る軸を中心として回転し、それにより前記第2の端部を前記型構造の第2の表面上に配置し、それにより前記型構造及び前記半導体構造を固定するように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記スペーサは、前記型構造を前記半導体構造から分離するような寸法で形成される長さを含み、前記半導体構造は100mm〜400mmの範囲の直径を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記スペーサは、50μm〜1000μmの範囲の距離だけ、前記型構造を前記半導体構造から分離するような寸法で形成される高さを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記スペーサは、前記型構造及び前記半導体構造を固定するような寸法で形成される長さを含み、前記半導体構造は100mm〜400mmの範囲の直径を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記固定具は、前記フレームと前記基板との間にシールリングをさらに備え、該シールリングは、動作温度において封止を実現するように構成され、該動作温度において、前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面への前記半田転写が行なわれる、請求項19に記載の方法。
- 前記シールリングはグラファイトを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記基板は、前記半導体構造の熱膨張係数(CTE)と一致するCTEを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記基板はシリコンを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記基板は、径方向に、且つ前記基板上に形成される同心円の周囲に配置される真空溝を備え、前記半導体構造を前記基板上に保持するために、前記真空溝を通して真空が生成される、請求項19に記載の方法。
- 半導体構造上に半田バンプを形成するための装置であって、該装置は、
型構造の第1の表面上に形成されるパターニングされた型穴に半田を充填するための装置と、
前記半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせするための装置と、
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具であって、基板を支持するような寸法で形成される中央開口部を有するフレームを備え、前記半導体構造の前記パターニングされた第1の表面の反対側にある第2の表面は、前記基板の第1の表面と接触する、固定具と、
前記位置合わせされた型及び半導体構造を有する前記固定具を収容すると共に、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写するための半田転写装置であって、
前記半導体構造を加熱するように構成されるウェーハヒータスタックと、
前記型構造を前記半田の融点よりもわずかに高いプロセス温度まで加熱するように構成される型ヒータスタックとを備える、半田転写装置と、
を備え、前記位置合わせされた型及び半導体構造を有する前記固定具は、前記基板の前記第1の表面の反対側にある第2の表面が前記ウェーハヒータスタックと接触し、且つ前記型構造の前記第1の表面の反対側にある第2の表面が前記型ヒータスタックと接触するように、前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとの間に挿入され、
前記フレームに対して前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとを封止することによって、前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとの間に堆積チャンバが形成される、半導体構造上に半田バンプを形成するための装置。 - 前記ウェーハヒータスタックは前記基板の前記第1の表面の反対側にある第2の表面の縁部と前記中央開口部の縁部との間に位置決めされるグラファイトシールリングを介して、前記フレームに対して封止される、請求項35に記載の装置。
- 前記型ヒータスタックは、ガスベローズシールリングを介して前記フレームに対して封止される、請求項36に記載の装置。
- 前記堆積チャンバ内にプロセスガスを注入するための装置をさらに備える、請求項37に記載の装置。
- 前記プロセスガスは蟻酸を含む、請求項38に記載の装置。
- 前記プロセスガスは水素又は窒素のうちの1つを含む、請求項38に記載の装置。
- 前記ガスベローズシールリングは、シールフレームと、シールフレーム溝内に配置されるガスベローズとを備え、前記シールフレームは、前記プロセスガスを前記堆積チャンバ内に注入するためのガスフィードスルーラインを備える、請求項38に記載の装置。
- 前記シールフレームは前記堆積チャンバを真空排気するための真空ラインをさらに備える、請求項41に記載の装置。
- 前記ガスベローズは、前記プロセスガス及び前記プロセス温度に耐えるように構成される材料を含む、請求項42に記載の装置。
- 前記ガスベローズ材料はPerlastを含む、請求項43に記載の装置。
- 前記固定具は、
前記フレームの周囲に対称に配置される1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリであって、各該クランプ/スペーサアセンブリは、前記型及び前記半導体構造を固定するように構成されるクランプと、前記半導体構造の前記第1の表面と前記型構造の前記第1の表面との間に挿入され、それにより、前記型構造及び前記半導体構造を前記スペーサの高さに等しい距離だけ分離するように構成されるスペーサとを備える、1つ又は複数のクランプ/スペーサアセンブリをさらに備える、請求項35に記載の装置。 - 各前記クランプ/スペーサアセンブリ内の前記スペーサ及び前記クランプは、互いに独立して動くように構成される、請求項45に記載の装置。
- 前記クランプ/スペーサアセンブリは、互いに独立して動くように構成される、請求項46に記載の装置。
- 前記スペーサは、前記プロセス温度において高い精度及び信頼性で遠隔制御により回転するように構成される、請求項47に記載の装置。
- 前記スペーサ回転の前記高い精度及び信頼性を与える高精度ロータリストロークベアリングをさらに備える、請求項48に記載の装置。
- 前記基板は、前記半導体構造の熱膨張係数(CTE)と一致するCTEを含む、請求項35に記載の装置。
- 前記基板はシリコンを含む、請求項50に記載の装置。
- 前記基板は、径方向に、且つ前記基板上に形成される同心円の周囲に配置される真空溝を備え、前記半導体構造を前記基板上に保持するために、前記真空溝を通して真空が生成される、請求項35に記載の装置。
- 前記型ヒータスタックは、型チャックと、該型チャックの第1の表面と接触している型ホットプレートと、該型ホットプレートと接触している型ホットプレート冷却フランジと、該型ホットプレート冷却フランジと接触している型セラミック膨張障壁と、該型セラミック膨張障壁と接触している型水冷熱交換器とを備え、前記第1の表面の反対側にある前記型チャックの第2の表面は前記型構造の前記第2の表面と接触する、請求項35に記載の装置。
- 前記型水冷熱交換器及び前記型セラミック膨張障壁内に形成される貫通孔を通り抜けて、前記型ホットプレート冷却フランジに達する型冷却フランジエアベローズをさらに備える、請求項53に記載の装置。
- 前記型チャックは炭化シリコンを含む、請求項53に記載の装置。
- 前記ウェーハヒータスタックは、前記基板の前記第1の表面の反対側にある第2の表面と接触しているウェーハホットプレートと、該ウェーハホットプレートと接触しているウェーハホットプレート冷却フランジと、該ウェーハホットプレート冷却フランジと接触しているウェーハセラミック膨張障壁と、該ウェーハセラミック膨張障壁と接触しているウェーハ水冷熱交換器とを備える、請求項53に記載の装置。
- 前記ウェーハ水冷熱交換器及び前記ウェーハセラミック膨張障壁内に形成される貫通孔を通り抜けて、前記ウェーハホットプレート冷却フランジに達するウェーハ冷却フランジエアベローズをさらに備える、請求項56に記載の装置。
- 前記セラミック膨張障壁は低CTE材料を含む、請求項56に記載の装置。
- 前記セラミック膨張障壁はZerodurを含む、請求項58に記載の装置。
- 前記型構造の前記第1の表面と前記半導体構造の前記パターニングされた第1の表面との間の堆積チャンバ内に、調整可能な間隙が形成される、請求項35に記載の装置。
- 前記間隙は、0μm〜3000μmの範囲内で調整可能である、請求項60に記載の装置。
- 前記型ヒータスタック及び前記型板を前記半導体構造に向かって動かし、それにより前記間隙を調整するように構成されるドライブ素子をさらに備える、請求項61に記載の装置。
- 前記型チャックは、径方向に、且つ前記型チャック上に形成される同心円の周囲に配置される真空溝を含み、前記型チャック上に前記型構造を保持するために、前記真空溝を通して真空が生成される、請求項62に記載の装置。
- 半導体構造上に半田バンプを形成する方法であって、
型構造の第1の表面上に形成されるパターニングされた型穴に半田を充填すること、
前記半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせすること、
前記位置合わせされた型及び前記半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具を提供することであって、該固定具は、基板を支持するような寸法で形成される中央開口部を有するフレームを備え、前記半導体構造の前記パターニングされた第1の表面の反対側にある第2の表面は、前記基板の第1の表面と接触する、提供すること、及び
前記位置合わせされた型及び半導体構造を有する前記固定具を半田転写装置内に挿入すると共に、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写することであって、前記半田転写装置は、
前記半導体構造を加熱するように構成されるウェーハヒータスタックと、
前記型構造を前記半田の融点よりもわずかに高いプロセス温度まで加熱するように構成される型ヒータスタックと、
を備える、挿入すると共に転写すること、
を含み、前記位置合わせされた型及び半導体構造を有する前記固定具は、前記基板の前記第1の表面の反対側にある第2の表面が前記ウェーハヒータスタックと接触し、且つ前記型構造の前記第1の表面の反対側にある第2の表面が前記型ヒータスタックと接触するように、前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとの間に挿入され、
前記フレームに対して前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとを封止することによって、前記ウェーハヒータスタックと前記型ヒータスタックとの間に堆積チャンバが形成される、半導体構造上に半田バンプを形成する方法。 - 前記型構造の前記第1の表面と前記半導体構造の前記パターニングされた第1の表面との間の堆積チャンバ内に、調整可能な間隙が形成される、請求項64に記載の方法。
- 前記間隙は、0μm〜3000μmの範囲内で調整可能である、請求項65に記載の方法。
- 前記半田転写は、
クランプを介して互いに且つ前記フレームに固定され、且つスペーサによって互いに分離される前記位置合わせされた型構造及び前記半導体構造を前記フレーム内に保持しながら、前記型構造及び前記半導体構造を前記プロセス温度未満の第1の温度まで予熱すること、
前記堆積チャンバ内にプロセスガスを注入すること、
基板及び型チャック上にそれぞれ形成される真空溝を通して真空を生成し、前記クランプによる固定を解除することによって、前記半導体構造を該基板上に、且つ前記型構造を該型チャック上に保持すること、
型ホットプレート及びウェーハホットプレートを介してそれぞれ、前記型構造及び前記半導体構造を前記プロセス温度まで加熱することであって、それにより前記型穴内の前記半田を溶融する、加熱すること、
前記スペーサを除去すると共に、前記型構造を前記半導体構造と接触させることであって、それにより前記溶融した半田は、前記型穴から前記半導体構造の前記パターニングされた第1の表面に転写される、除去すると共に接触させること、
前記型構造を前記半導体構造から離れるように動かすことであって、それにより前記型構造及び前記半導体構造を分離する、動かすこと、
前記分離した型構造と半導体構造との間に前記スペーサを挿入すると共に、前記分離した型構造及び半導体構造を、一定時間だけ前記プロセス温度に保持すること、
前記型構造及び前記半導体構造を前記クランプを用いて互いに且つ前記フレーム上に固定すると共に、前記真空を解除すること、及び
前記型構造及び前記半導体構造を室温まで冷却すること、
を含む、請求項66に記載の方法。 - 半導体構造上に半田バンプを形成するための装置であって、
型構造の第1の表面上に形成されるパターニングされた型穴に半田を充填するための装置と、
半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴に直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせするための装置であって、該装置は、
前記型構造上の第1の基準マーカ、及び前記半導体構造上の第1の基準マーカと位置合わせされるように構成される少なくとも1つの電動式位置合わせピンと、
パターンベース位置合わせツールであって、トレーニング型構造及びトレーニング半導体構造上でそれぞれ、型トレーニングパターン画像及び半導体トレーニングパターン画像を特定する手段と、前記トレーニングパターン画像で前記位置合わせツールをトレーニングする手段と、前記位置合わせツールでトレーニングされた位置を格納する手段と、前記型トレーニングパターン画像及び前記半導体トレーニングパターン画像とそれぞれ一致する、前記型構造及び前記半導体構造上の型パターン画像及び半導体パターン画像を特定する手段と、前記特定された型パターン画像を前記特定された半導体パターン画像と位置合わせする手段とを備える、パターンベース位置合わせツールと、
を備える、装置と、
前記位置合わせされた型構造及び半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具と、
前記位置合わせされた型構造及び半導体構造を有する前記固定具を収容し、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写するための半田転写装置と、
を備える、半導体構造上に半田バンプを形成するための装置。 - 第1の半導体構造のパターニングされた表面を、第2の半導体構造のパターニングされた表面と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせするための装置であって、パターンベース位置合わせツールを備え、該パターンベース位置合わせツールは、
第1のトレーニング半導体構造及び第2のトレーニング半導体構造上でそれぞれ、第1のトレーニングパターン画像及び第2のトレーニングパターン画像を画定する手段と、
前記位置合わせツールを前記第1のトレーニングパターン画像及び前記第2のトレーニングパターン画像でトレーニングする手段と、
前記第1のトレーニングパターン画像及び前記第2のトレーニングパターン画像の位置を特定する手段と、
前記位置合わせツールでトレーニングされた位置を格納する手段と、
前記第1のトレーニングパターン画像及び前記第2のトレーニングパターン画像とそれぞれ一致する、前記第1の半導体構造及び前記第2の半導体構造のパターニングされた表面上の第1の半導体パターン画像及び第2の半導体パターン画像を特定する手段と、
前記特定された第1の半導体パターン画像及び第2の半導体パターン画像の中心を位置合わせする手段と、
を備える、第1の半導体構造のパターニングされた表面を、第2の半導体構造のパターニングされた表面と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせするための装置。 - 第1のトレーニング半導体構造及び第2のトレーニング半導体構造上でそれぞれ、第1のトレーニングパターン画像及び第2のトレーニングパターン画像を画定するための前記手段は、特有の素子パターンの周囲にターゲットエリアを画定する手段と、各素子の周囲にエリアを画定する手段とを備える、請求項69に記載の装置。
- 前記位置合わせツールをトレーニングするための前記手段は、自動パターン認識アプリケーションを含む、請求項70に記載の装置。
- 前記自動パターン認識アプリケーションは、Patmaxアプリケーションを含む、請求項71に記載の装置。
- 前記トレーニングパターン画像の位置を特定するための前記手段は、半導体構造探索エリア内で前記トレーニングパターン画像位置を特定する手段と、前記トレーニングパターン画像内で全ての素子をカウントする手段と、前記トレーニングパターン画像内の全ての素子の位置を特定する手段とを含む、請求項72に記載の装置。
- 前記トレーニングパターン画像と一致する、前記半導体構造のパターニングされた表面上の前記半導体パターン画像を特定するための前記手段は、パターンエリア、該パターンエリア内の素子の数、及び該パターンエリア内の素子の位置を一致させる手段を含む、請求項73に記載の装置。
- 前記素子の中心位置及び寸法に基づいてマスク画像を設計すると共に、該マスク画像によってマスクされる前記素子を含むパターンマスク画像で前記位置合わせツールをトレーニングする手段をさらに備える、請求項74に記載の装置。
- 前記第1の半導体構造上の第1の基準マーカ、及び前記第2の半導体構造上の第1の基準マーカと位置合わせされるように構成される少なくとも1つの電動式位置合わせピンをさらに備える、請求項75に記載の装置。
- 半導体構造上に半田バンプを形成する方法であって、
型構造の第1の表面上に形成されるパターニングされた型穴に半田を充填すること、
半導体構造のパターニングされた第1の表面を、前記型構造の前記半田を充填されたパターニングされた型穴に直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせすることであって、該位置合わせすることは、
少なくとも1つの電動式位置合わせピンを、前記型構造上の第1の基準マーカ、及び前記半導体構造上の第1の基準マーカと位置合わせすること、並びに
パターンベース位置合わせを実施することであって、トレーニング型構造及びトレーニング半導体構造上でそれぞれ、型トレーニングパターン画像及び半導体トレーニングパターン画像を特定すること、前記トレーニングパターン画像で前記位置合わせツールをトレーニングすること、前記位置合わせツールでトレーニングされた位置を格納すること、前記型トレーニングパターン画像及び前記半導体トレーニングパターン画像とそれぞれ一致する、前記型構造及び前記半導体構造上の型パターン画像及び半導体パターン画像を特定すること、並びに前記特定された型パターン画像を前記特定された半導体パターン画像と位置合わせすることを含む、実施すること、
を含む、位置合わせすること、
前記位置合わせされた型構造及び半導体構造を共に保持すると共に移送するための固定具を提供すること、並びに
前記位置合わせされた型構造及び半導体構造を有する前記固定具を半田転写装置に挿入すると共に、前記半田を前記位置合わせされたパターニングされた型穴から前記位置合わせされたパターニングされた半導体の第1の表面に転写すること、
を含む、半導体構造上に半田バンプを形成する方法。 - 第1の半導体構造のパターニングされた表面を、第2の半導体構造のパターニングされた表面と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせする方法であって、パターンベース位置合わせを実施することを含み、該パターンベース位置合わせは、
第1のトレーニング半導体構造及び第2のトレーニング半導体構造上でそれぞれ、第1のトレーニングパターン画像及び第2のトレーニングパターン画像を画定すること、
前記位置合わせツールを前記第1のトレーニングパターン画像及び前記第2のトレーニングパターン画像でトレーニングすること、
前記トレーニングパターン画像の位置を特定すること、
前記位置合わせツールでトレーニングされた位置を格納すること、
前記第1のトレーニングパターン画像及び前記第2のトレーニングパターン画像とそれぞれ一致する、前記第1の半導体構造及び前記第2の半導体構造のパターニングされた表面上の第1の半導体パターン画像及び第2の半導体パターン画像を特定すること、及び
前記特定された第1の半導体パターン画像及び第2の半導体パターン画像の中心を位置合わせすること、
を含む、第1の半導体構造のパターニングされた表面を、第2の半導体構造のパターニングされた表面と直に向かい合うように位置決めすると共に位置合わせする方法。 - 前記第1のトレーニング半導体構造及び第2のトレーニング半導体構造上でそれぞれ、第1のトレーニングパターン画像及び第2のトレーニングパターン画像を画定することは、特有の素子パターンの周囲にターゲットエリアを画定すること、及び各素子の周囲にエリアを画定することを含む、請求項78に記載の方法。
- 前記位置合わせツールをトレーニングすることは、自動パターン認識アプリケーションを実行することを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記自動パターン認識アプリケーションは、Patmaxアプリケーションを含む、請求項80に記載の方法。
- 前記トレーニングパターン画像の位置を特定することは、半導体構造探索エリア内で前記トレーニングパターン画像位置を特定すること、前記トレーニングパターン画像内で全ての素子をカウントすること、及び前記トレーニングパターン画像内の全ての素子の位置を特定することを含む、請求項81に記載の方法。
- 前記トレーニングパターン画像と一致する、前記半導体構造のパターニングされた表面上の前記半導体パターン画像を特定することは、パターンエリア、該パターンエリア内の素子の数、及び該パターンエリア内の素子の位置を一致させることを含む、請求項82に記載の方法。
- 前記素子の中心位置及び寸法に基づいてマスク画像を設計すると共に、該マスク画像によってマスクされる前記素子を含むパターンマスク画像で前記位置合わせツールをトレーニングすることをさらに含む、請求項83に記載の方法。
- 少なくとも1つの電動式位置合わせピンを、前記第1の半導体構造上の第1の基準マーカ、及び前記第2の半導体構造上の第1の基準マーカと位置合わせすることをさらに含む、請求項84に記載の方法。
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