KR20090128407A - 사출 성형 솔더에 의한 반도체 웨이퍼 범핑 장치 및 방법 - Google Patents

사출 성형 솔더에 의한 반도체 웨이퍼 범핑 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

사출 성형 솔더 공정을 이용하는 개선된 반도체 웨이퍼 범핑 장치 및 방법이 개시된다. 상기 장치는 대량 제조용으로 설계되며, 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비, 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 설비, 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송하는 고정 기구, 및 고정 기구를 수용하고 솔더를 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 설비를 포함한다.

Description

사출 성형 솔더에 의한 반도체 웨이퍼 범핑 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER BUMPING VIA INJECTION MOLDED SOLDER}
본 발명은 반도체 웨이퍼 범핑 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 솔더 전사 공정(solder transfer process)을 위해 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 유지 및 이송하기 위한 고정 기구, 반도체 웨이퍼 범핑을 위한 솔더 전사 장치, 및 패터닝된 반도체 표면을 반도체 웨이퍼 범핑용 몰드의 솔더 충전 몰드 캐버티(mold cavities)에 정렬하는 장치에 관한 것이다.
사출 성형 솔더(injection molded solder; IMS) 공정은 반도체 웨이퍼 표면상에 솔더 범프들을 형성하기 위해 이용되는 공정이다. 도 1을 참조하면, IMS 공정(30)은 솔더를 몰드 캐버티들 내부에 증착하는 단계(34), 반도체 웨이퍼 표면에 패턴을 형성하는 단계(32), 및 솔더 충전된 몰드 캐버티들을 패터닝된 반도체 웨이퍼 표면에 정렬하고 솔더를 몰드 캐버티들로부터 반도체 웨이퍼 표면으로 전사하는 단계(38)를 포함한다. 용융된 솔더를 에칭된 몰드 캐버티들 내부에 주입함으로써 솔더 범프들이 유리 몰드 플레이트(82) 내에 형성된다. 에칭된 캐버티들은 반도체 웨이퍼 표면 상에 요구되는 솔더 범프 패턴과 일치한다. 이러한 공정은 인접한 솔더 범프들 사이의 이격 거리가 10 내지 500 마이크로미터의 범위가 되도록 솔더 범프들의 미세한 피치를 갖는 배치를 제공한다.
상기 IMS 공정은 실험실 스케일로 이용되기 위해 테스트되며 적용되어 왔다. 따라서, 대량의 제조 공정을 최적화하기 위하여 설계된 스케일-업 과정(scale-up process)과 대량 제조(high volume manufacturing; HVM) 장치의 제공이 요구된다. 스케일-업 과정의 중요한 측면들은 정렬된 몰드 플레이트와 반도체 웨이퍼의 정렬 및 운송, 솔더 전사 장치 및 공정, 및 충전된 몰드 캐버티들의 패터닝된 반도체 웨이퍼와의 정렬과 관련이 있다. 반도체 웨이퍼에 대한 몰드 플레이트의 신뢰성 있으며 고정밀한 반복 가능한 위치 제어가 요구된다. 또한, 반도체 웨이퍼에 대한 몰드 플레이트의 신뢰성 있으며 고정밀한 반복 가능한 위치 제어를 유지하면서도 빠른 가열 및 냉각 사이클을 갖는 밀봉 가능한 증착 챔버의 제공이 요구된다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치는 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비, 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 설비, 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하고 이송하는 고정 기구, 및 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 고정 기구를 수용하고 솔더를 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 설비를 포함한다. 몰드 캐버티들의 패턴이 반도체 면의 패턴과 일치한다.
본 발명의 이러한 측면의 실행은 다음과 같은 특징들 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 고정 기구는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임 및 프레임 주위에 대칭적으로 배치되는 하나 또는 그 이상의 클램프/스페이서 어셈블리를 포함한다. 기판은 반도체 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면과 접촉된다. 클램프/스페이서 어셈블리 각각은 몰드와 반도체 구조를 함께 고정하도록 형성되는 클램프와 반도체 구조의 제 1 면과 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되어 몰드 및 반도체 구조들을 그의 높이와 동일한 거리 만큼 분리시키도록 형성되는 스페이서를 포함한다. 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 스페이서 및 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성된다. 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성된다. 스페이서는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 제 2 단부가 반도체 구조의 제 1 면과 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되도록 형성된다. 스페이서는 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서 고정밀성과 반복성을 가지고 회전되도록 형성된다. 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치는 스페이서 회전의 고정밀성과 반복성을 제공하는 고정밀 회전 스트로크 베어링들을 더 포함할 수 있다. 클램프는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 제 2 단부가 몰드 구조의 제 2 면에 배치되어 몰드 및 반도체 구조들을 함께 고정시킨다. 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 분리할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는다. 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 50~1,000㎛의 범위의 거리만큼 분리할 수 있는 치수의 높이를 갖는다. 클램프는 몰드 및 반도체 구조들을 고정할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는다. 고정 기구는 프레임과 기판 사이에 실 링을 더 포함하며, 실 링은 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서의 밀봉을 제공하도록 형성된다. 실 링은 흑연을 포함하고, 기판은 실리콘을 포함하며, 기판은 반도체 구조의 열 팽창 계수와 일치하는 열 팽창 계수를 갖는다. 기판은 기판에 형성된 동심원들의 주위에 방사형으로 배치되는 진공 홈들 포함할 수 있으며, 반도체 구조를 기판에 유지함으로써 진공 홈들을 통하여 진공이 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치는 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비, 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 설비, 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송하는 고정 기구, 및 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 고정 기구를 수용하고 솔더를 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 솔더 전사 설비를 포함한다. 고정 기구는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임을 포함하며, 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면의 반대편인 제 2 면은 기판의 제 1 면과 접촉한다. 솔더 전사 설비는 반도체 구조를 가열하기 위한 웨이퍼 히터 스택, 및 몰드 구조를 솔더의 용융점 약간 위의 공정 온도로 가열하기 위한 몰드 히터 스택을 포함한다. 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 고정 기구가 웨이퍼 히터 스택과 몰드 히터 스택 사이에 삽입되어 기판의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 웨이퍼 히터 스택과 접촉하고 몰드 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 몰드 히터 스택과 접촉한다. 웨이퍼 히터 스택과 몰드 히터 스택을 프레임에 대하여 밀봉함으로써 웨이퍼 히터 스택과 몰드 히터 사이에 증착 챔버가 형성된다.
솔더 전사 공정은 다음과 같은 단계들을 포함한다. 먼저, 몰드 및 반도체 구조들을 프레임 내에서 클램프들을 통하여 서로 그리고 프레임에 고정되며 스페이서들을 통하여 분리된 상태로 유지하면서, 몰드 및 반도체 구조들을 공정 온도 아래의 제 1 온도로 예비 가열한다. 다음으로, 공정 가스를 증착 챔버에 주입된다. 다음으로, 기판 및 몰드 척에 각각 형성되는 진공 홈들을 통하여 진공을 형성하고 클램프들을 해제함으로써 반도체 구조는 기판에 몰드 구조는 몰드 척에 지지하며, 각각 몰드 핫 플레이트 및 웨이퍼 핫 플레이트에 의하여 몰드 및 반도체 구조들을 공정 온도로 가열하여 몰드 캐버티들 내부의 솔더를 용융한다. 다음으로, 스페이서들을 제거하고 몰드 구조를 반도체 구조와 접촉시켜 용융된 솔더를 몰드 캐버티들로부터 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면에 전사시킨다. 다음으로, 반도체 구조로부터 몰드 구조를 이동시켜 몰드 및 반도체 구조들을 분리시키며, 스페이서들을 분리된 몰드 및 반도체 구조들 사이에 삽입하고, 분리된 몰드 및 반도체 구조들을 공정 온도에서 일정 시간 동안 유지시킨다. 다음으로, 몰드 및 반도체 구조들을 클램프들을 이용하여 서로 함께 그리고 프레임에 고정시키며, 진공을 해제한다. 마지막으로, 몰드 및 반도체 구조들을 실온으로 냉각시킨다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제 1 반도체 구조의 패터닝된 면을 제 2 반도체 구조의 패터닝된 면과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 장치는 제 1 반도체 구조 상의 제 1 기점 마커 및 제 2 반도체 구조의 제 1 기점 마커와 정렬되도록 형성되는 적어도 하나의 전동 정렬핀과 패턴 기인 정렬 기구를 포함한다. 패턴 기인 정렬 기구는 제 1 및 제 2 학습 반도체 구조들 상에 각각 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 정의하기 위한 수단, 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 가지고 정렬 기구를 학습시키기 위한 수단, 학습 패턴 이미지들을 위치시키기 위한 수단, 정렬 기구에 의해 학습된 위치를 저장하기 위한 수단, 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들과 각각 일치하는 제 1 및 제 2 반도체 구조들의 패터닝된 면에 형성되는 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들을 식별하기 위한 수단, 및 식별된 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들의 중심을 정렬하기 위한 수단을 포함한다.
도 1은 실험실 스케일의 사출 성형 솔더(injection molded solder; IMS) 공정의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 스케일-업 IMS 공정의 개략도이다.
도 3은 스케일-업 IMS 라인 공정 흐름의 블럭도이다.
도 4는 본 발명에 따른 HVM IMS 라인 설비 시스템의 개략도이다.
도 5는 몰드 충전 공정의 개략적인 측면도이다.
도 6은 몰드 충전 공정의 상면도이다.
도 7A는 미충전된 캐버티들을 갖는 몰드 영역의 확대도이다.
도 7B는 솔더 충전된 캐버티들을 갖는 몰드 영역의 확대도이다.
도 8은 솔더 전사 공정의 개략도이다.
도 9는 본 발명에 따른 HVM STT 설비 시스템의 개략도이다.
도 10은 HVM STT 자재 흐름을 도시한다.
도 11은 STT 공정 단계들의 개략적인 블럭도이다.
도 12는 STT 정상 상태의 사이클 타임의 개략적인 블럭도이다.
도 13은 고정 메커니즘이 없는 HVM 얼라이너 모듈을 도시한다.
도 14는 왼편의 운송 고정구는 가지며 오른 편의 운송 고정구는 갖지 아니하는 HVM 얼라이너 모듈을 도시한다.
도 15는 STT 모듈/웨이퍼 운송 고정구를 도시한다.
도 16은 STT 모듈/웨이퍼 운송 고정구의 정면 분해도이다.
도 17은 클램프 및 스페이서 엑츄에이터들을 도시한다.
도 18A는 300mm의 웨이퍼를 갖는 STT 모듈/웨이퍼 운송 고정구를 도시한다.
도 18B는 200mm의 웨이퍼를 갖는 STT 모듈/웨이퍼 운송 고정구를 도시한다.
도 19는 HVM STT 챔버를 도시한다.
도 20은 HVM STT 챔버의 단면도이다.
도 21은 HVM STT 챔버의 분해도이다.
도 22는 STT 챔버 몰드 스택의 분해 사시도이다.
도 23은 몰드 히터 스택의 사시도이다.
도 24는 도 23의 몰드 히터 스택의 분해 사시도이다.
도 25는 도 23의 몰드 히터 스택의 분해 측면도이다.
도 26은 몰드 히터 스택 실 프레임의 상면 사시도이다.
도 27은 핫 플레이트 냉각 플랜지와 몰드 척 미세 Z-드라이브의 측면도이다.
도 28은 웨이퍼 히터 스택의 상면 사시도이다.
도 29는 도 28의 웨이퍼 히터 스택의 측면 분해도이다.
도 30은 운송 고정구 웨이퍼 척의 상면도이다.
도 31은 도 28의 웨이퍼 히터 스택의 측면 사시도이다.
도 32A는 설치된 운송 고정구를 갖는 STT 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 32B는 실이 하강된 몰드 스택의 단면도이다.
도 32C는 실이 상승된 몰드 스택의 단면도이다.
도 33은 반도체 웨이퍼의 패터닝된 표면의 고 확대 이미지를 도시한다.
도 34는 특정한 웨이퍼 패드 패턴을 갖는 도 33의 이미지 내에서의 제 1 타깃 영역의 선택을 도시한다.
도 35는 도 34의 제 1 타깃 영역 내에서의 패드 주위의 웨이퍼 패드 영역의 정의를 도시한다.
도 36은 도 34의 제 1 타깃 영역 내에서의 웨이퍼 타깃 영역에 대한 모든 패드 위치들의 설정 및 카운팅을 도시한다.
도 37은 제 1 타깃 영역의 패턴과 일치하는 모든 가능한 타깃 영역들의 검색을 도시한다.
도 38은 제 1 타깃 영역의 패턴과 일치하는 모든 가능한 타깃 영역들 내의 웨이퍼 패드들의 카운팅을 도시한다.
도 39는 도 38에서 카운팅된 모든 웨이퍼 패드들에 대한 중심 좌표들의 확인을 도시한다.
도 40은 학습에 사용되는 예비 타깃 영역을 도시한다.
도 41은 학습에 사용되는 예비 타깃 영역 내의 제 1 웨이퍼 패드 영역을 도시한다.
도 42는 도 41의 제 1 웨이퍼 패드 영역의 X 및 Y 경계의 측정을 도시한다.
도 43은 도 41의 제 1 웨이퍼 패드 영역의 90%를 덮는 웨이퍼 패드 마스크의 형성을 도시한다.
도 44는 도 43의 웨이퍼 패드 마스크의 도 40의 예비 타깃 영역 내의 웨이퍼 패드들 상에 배치를 도시한다.
도 45는 정렬 공정에 사용되는 고유 웨이퍼 타깃 영역을 도시한다.
도 46은 정렬 시스템의 학습을 위한 고유 웨이퍼 타깃 식별 공정의 블럭도이다.
도 47은 정렬 시스템의 학습을 위한 고유 몰드 타깃 식별 공정의 블럭도이다.
도 48 내지 49는 고유하게 식별된 웨이퍼 및 몰드 타깃 영역을 이용하는 웨이퍼/몰드 정렬 공정의 블럭도를 도시한다.
도 50 내지 51은 마스크를 이용하는 정렬 시스템의 학습을 위한 고유 웨이퍼 타깃 식별 공정의 다른 실시예의 블럭도이다.
도 2를 참조하면, 스케일-업 IMS 공정(50)은 몰드 캐버티들을 솔더로 충전하는 단계(34), 충전된 몰드 플레이트를 검사하는 단계(86), 반도체 웨이퍼 표면 상에 패턴을 형성하는 단계(32), 웨이퍼 표면을 검사하는 단계(75), 및 솔더를 몰드 캐버티들로부터 반도체 웨이퍼 표면으로 전사하는 단계(38)를 포함한다. 도 3을 참조하면, 스케일-업 IMS 공정(50)은 몰드 세정 스테이션(mold clean station; 60)에서 몰드를 세정하는 단계, 몰드 준비 스테이션(mold prepare station; 80)에서 몰드 캐버티들을 솔더로 충전하며 충전된 몰드 플레이트를 검사하는 단계, 및 웨이퍼 범프 스테이션(wafer bump station; 90)에서 솔더를 몰드 캐버티들로부터 패터닝된 반도체 웨이퍼 표면으로 전사하는 단계를 포함한다. 몰드 준비 스테이션(80)은 몰드 충전 기구(mold fill tool(MFT); 100), 몰드 검사 기구(mold inspect tool(MIT); 200), 및 몰드 수리 기구(88)를 포함한다. 웨이퍼 범프 스테이션(90)은 솔더 전사 기구(solder transfer tool(STT); 300) 및 웨이퍼 로더 기구(400)를 포함한다. 새로운 몰드(61) 및 이미 사용된 몰드(62)가 몰드 세정 스테이션(60)을 통과하면서 산 용액(63)과 염기 용액(64)에 의해 세정된다. 세정된 몰드(82)는 몰드 스토커(mold stocker; 500)로 진입하고, 몰드 스토커(500)로부터 MFT(100)로 도입된다. 몰드 캐버티들을 솔더로 충전한 후에, 몰드는 MIT(200)에서 검사되고 완료 몰드 스토커(ready mold stocker; 550)로 이송된다. 검사를 통과하지 못한 몰드는 몰드 세정 스테이션(60)으로 재순환되거나 수리 기구(88)에서 수리된다. 수리된 몰드는 MIT(200)를 다시 통과하며 검사를 통과하자마자 곧 완료 몰드 스토 커(550)로 이송된다. 몇몇의 실시예들에서는, 몰드 수리 기구(88)가 MIT(200)와 일체로 형성된다. 완료 몰드 스토커(ready mold stocker; 550)로부터의 몰드들은 STT(300)로 도입된다. 패터닝된 웨이퍼들(74)이 웨이퍼 로더(400)로 도입되고, 그로부터 STT(300)로 도입된다. 솔더 전사 공정 이후에, 범프된 웨이퍼들(76)은 웨이퍼 범프 스테이션(90)으로부터 나오고, 오염된 몰드들(62b)은 몰드 세정 스테이션(60)으로 다시 도입된다. 상기 공정은 모든 웨이퍼들(74)이 범프될 때까지 반복된다. HVM IMS 설비 시스템(52)이 도 4에 개략적으로 도시되어 있다. 이러한 시스템(52)은 몰드 세정 스테이션(60), 몰드 스토커(500), MFT(100), MIT(200), STT(300), 웨이퍼 로더, 즉, 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod(FOUP); 400), 및 몰드 카트(600)를 포함한다. 예를 들면, HVM 시스템(52)은 하루 300개의 웨이퍼(4분당 1개의 웨이퍼)와 하루 350개의 몰드(3.5분당 1개의 몰드)의 수용량을 갖는다. 이는 웨이퍼 및 몰드 이송의 자동화(automation)를 제공한다. STT(300)는 어떠한 하드웨어 변경 없이도 200mm및 300mm 웨이퍼들을 처리할 수 있으며, 각각의 몰드 캐리어는 25개까지의 몰드들을 운반할 수 있다. 몰드들은 바 코드 메커니즘으로 식별되며, 몰드 스토커/소터(mold stocker/sorter)는 공정 라인과 일체로 형성된다. 또한, 일체식 몰드 및 웨이퍼 편성 및 관리 시스템이 있다. 이러한 시스템은 초기에 납/공융점 PbSn(저온)을 포함하지 아니하며 후에 고융점 납을 포함하지 아니하는 어떠한 솔더 방식이라도 수용할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 몰드 충전 공정(34)은 저장소(81) 내에서 대량의 솔더(와이어, 샷, 슬러그 형태)를 용융하는 단계를 포함한다. 저장소(81)는 솔더 의 용융점을 넘도록 가열되며, 약간 가압된다. 인젝터 헤드(83)은 저장소(81)와 연통되며, 몰드 플레이트(82)와 접촉한다. 몰드 플레이트(82)는 인젝터 헤드(83) 하부에서 주사 방향(87)으로 주사되며, 용융 솔더가 인젝터 헤드(83)의 바닥에 형성된 솔더 슬롯(89)을 통하여 주입되어 몰드(82) 내부의 비어 있는 캐버티들(85a)을 충전시킨다. 다음으로, 충전된 몰드 플레이트(82)는 냉각되며 MIT(200)에서 검사된다. 도 7A는 미충전된 캐버티들(85a)을 갖는 유리 몰드 플레이트(82)를 도시하며, 도 7B는 충전된 캐버티들(85b)을 갖는 유리 몰드를 도시한다. 캐버티들(85)은 필요한 범프 패턴에 따라 유리 몰드 플레이트(82) 상에 에칭된다. 유리 몰드(82)는 반도체 웨이퍼(72)의 열 팽창 계수(thermal expansion coefficient; CTE)와 유사한 열 팽창 계수를 갖는다.
도 8을 참조하면, 솔더 전사 공정(38)은 UBM(under bump metallurgy) 구조들(73)을 갖도록 패터닝된 웨이퍼(74)를 솔더 충전 캐버티들(85b)을 갖는 몰드 플레이트(82)와 함께 정렬하는 단계(92)를 포함한다. 다음으로, 몰드(82) 및 웨이퍼(74)를 솔더 용융점보다 20도 높은 온도로 가열하는 단계(94), 및 솔더가 UBM 구조들(73)을 적시도록 몰드(82) 및 웨이퍼(74)를 근접시키거나(약, 20 마이크로미터 정도로), 소프트 접촉시키는 단계(96)를 포함한다. 솔더 범프들은 캐버티들(85b)로부터 UBM 구조들(73)로 전사되며, 몰드(82)가 웨이퍼(74)로부터 분리된 후에는 웨이퍼(74) 상에 위치하게 된다(98). 이러한 공정의 중요한 측면은 솔더 범프들(85b)이 정확하게 UBM 구조들(73)에 전사되도록 하는 반도체 웨이퍼(74)에 대한 몰드 플레이트(82)의 정렬이다. 이러한 정렬은 스테이션들 사이의 정렬된 몰드-웨 이퍼의 운송시 그리고 필요한 온도, 분위기, 압력에서의 실제 솔더 전사 공정 시 유지될 필요가 있다.
도 9를 참조하면, HVM STT 설비 시스템(300)은 몰드/웨이퍼 얼라이너(800), 몰드/웨이퍼 운송 고정구(900), 및 솔더 전사 기구(STT) 챔버 유닛(301)을 포함한다. 도 10, 도 11, 및 도 12를 참조하면, HVM STT 공정(100)은 다음과 같은 단계들을 포함한다. 먼저, 패터닝된 웨이퍼(74)가 웨이퍼 FOUP 유닛(401)에 진입하며(101), 충전된 몰드(82)가 몰드 포드 유닛(420)에 진입한다(106). 다음으로, 로봇 엔드 이팩터 모듈(robot end effector module(EFEM); 850)이 웨이퍼(74) 및 몰드(82)를 트랜스퍼 스테이션(856)으로 이송하여 웨이퍼(74)가 광학적으로 특징지어지고(102), 예비 정렬되며(103), 뒤집어진다(104). 충전된 몰드(82)는 예비 정렬되며(107), 몰드 식별 바코드가 판독되어 컴퓨터 내부에 저장된다(108). 다음으로, 로봇 엔드 이팩터 모듈(850)이 웨이퍼(74) 및 몰드(82)를 얼라이너(800)로 이송한다. 얼라이너(800) 내에서, 웨이퍼(74) 및 몰드(82)는 몰드/웨이퍼 운송 고정구(900) 내에서 몰드(82)는 웨이퍼(74) 아래에 위치하도록 배치되며(105, 109), 웨이퍼 및 몰드의 이미지들이 획득된다(110, 112). 웨지 에러 보상 공정(wedge error compensation process)이 이 시점에서 실행된다(111). 웨지 에러 보상은 몰드가 얼라이너 척 상에 부유하여(웨이퍼 에지에 교대로 안착하는) 모든 고정구 스페이서 플래그들과 균일하게 접촉하는 동작을 표현한다. 일단 이러한 균일한 접촉에서는, 몰드 척이 고정되고 웨이퍼에 대한 몰드의 평행 상태(웨지 에러 없는)가 설정된다. 다음으로, 몰드 및 웨이퍼가 정렬되며(113), 정렬된 몰드 및 웨이퍼가 운송 고정구(900)내에 고정된다(114). 정렬된 몰드(82) 및 웨이퍼(74)를 갖는 운송 고정구(900)는 솔더 범프의 전사가 일어나는 STT 챔버 유닛(301)으로 이송된다. 정렬된 몰드 및 웨이퍼는 질소를 이용하여 정화되며(115), 예열된다(116). 예를 들면, 온도가 2분 이내에 실온으로부터 180℃까지 올라간다. 적어도 180℃의 온도에서 몰드(82) 및 웨이퍼(74)는 산을 이용하여 스크럽되며(117), 온도가 3분 이내에 180℃로부터 280℃까지 올라간다(118). 다음으로, 몰드가 웨이퍼와(제어된 압력하에서) 접촉되며(119), 솔더 범프들(85b)이 몰드 캐버티들(85)로부터 패터닝된 웨이퍼(74)의 UBM 패드들(73)로 전사된다. 솔더 전사 후에, 몰드는 제어된 방식으로 웨이퍼로부터 분리된다(120). 솔더 범프들과 웨이퍼 표면상의 패터닝된 도전 배선들 사이에 우수한 금속간 결합(금속간 드웰; inter-metallic dwell)이 형성되도록, 분리된 웨이퍼 및 몰드는 약 10분 동안 280℃의 온도로 유지된다(121). 다음으로, 온도가 3분 이내에 200℃로 떨어지며 솔더 범프들이 웨이퍼 표면상에서 응고되고(122), 온도가 8분 이내에 60℃로 다시 떨어진다. 분리된 몰드 및 웨이퍼를 갖는 고정구(900)는 공기를 이용하여 정화되며(124), 정렬 고정이 해제된다(125). 다음으로, 웨이퍼는 뒤집어지고(126), 빈 몰드(82)가 몰드 포트(mold port; 430)로 이송되며(127), 범프된 웨이퍼(74)는 웨이퍼 FOUP 유닛(440)으로 이송된다(128). 이러한 공정은 다음 몰드/웨이퍼 쌍을 위해 반복된다. 예를 들면, 솔더 전사 공정 시간은 29분이며 정렬 시간은 65초이다. STT 시스템은 생산 작업 처리량을 증가시키도록 하나 이상의 STT 챔버 유닛(301)을 갖도록 설계된다. 도 10의 예에서는, 4개의 STT 챔버 유닛(301, 302, 303, 304)이 구비된다. 도 10의 STT 시스템은 하루 웨이퍼 150개의 작업 처리량과 약 8분 당 웨이퍼 하나의 생산율을 갖는다. 이러한 병렬 공정 사이클이 도 12에 개략적으로 도시된다. 도시된 바와 같이, 고정구(n) 내에 위치한 제 1 몰드/웨이퍼 쌍이 얼라이너에 적재되고(151), 정렬되며(152), 정렬된 고정구는 얼라이너로부터 공정 스테이션(ST1)으로 이송되어(153), 처리된다(154). 처리된 고정구(n)는 공정 스테이션(ST1)으로부터 고정구 언로더/트랜스퍼 스테이션으로 하적되며(156), EFEM이 고정구를 고정구 언로더/트랜스퍼 스테이션으로부터 대응하는 몰드 포트(430) 또는 웨이퍼 유닛(440)으로 하적한다(159). 고정구(n)에 대한 전체 처리 시간은 2,051초이며, 이는 다음과 같이 분배된다: 고정구(n)를 얼라이너로 적재하는데(단계 151) 걸리는 131초, 고정구(n)를 정렬하는데(단계 152) 걸리는 65초, 정렬된 고정구(n)를 공정 스테이션(ST1)으로 이송하는데(단계 153) 걸리는 41초, 고정구(n)의 솔더 전사 공정에(단계 154) 걸리는 1,742초, 고정구(n)를 공정 스테이션(ST1)으로부터 트랜스퍼 스테이션으로 하적하는데(단계 156) 걸리는 25초, 몰드와 웨이퍼를 각각의 포트로 이동시키는데(단계 159) 걸리는 47초. 다음 스태거형의 병렬 공정에서, 고정구(n+1) 내의 제 2 몰드/웨이퍼 쌍이 트랜스퍼 스테이션에 적재되고(149), 얼라이너에 적재되며(155), 정렬되며(157), 정렬된 고정구는 얼라이너로부터 공정 스테이션(ST2)으로 이송되어(161), 처리된다(162). 처리된 고정구(n+1)는 공정 스테이션(ST2)으로부터 고정구 언로더/트랜스퍼 스테이션으로 하적되며(163), EFEM이 고정구(n+1)를 고정구 언로더/트랜스퍼 스테이션으로부터 대응하는 몰드 포트(430) 또는 웨이퍼 유닛(440)으로 하적한다(164). 고정구(n+1)에 대한 전체 처리 시간은 2,288초이며, 이는 상기한 바와 같이 분배되며 트랜스퍼 스테이션 내에서 대기하는데(단계 149) 걸리는 42초를 포함한다. 이와 유사하게, 고정구(n+2) 내의 제 3 몰드/웨이퍼 쌍이 단계 158에서 시작하는 다음 스태거형의 공정으로 처리되며, 고정구(n+3) 내의 제 4 몰드/웨이퍼 쌍이 단계 177에서 시작하는 다음 스태거형의 공정으로 처리된다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 몰드/웨이퍼 운송 고정구(900)는 중앙 홀(911)을 갖는 정사각의 프레임(910) 및 네 개의 클램프/스페이서 어셈블리(930a-930d)를 포함한다. 원형의 세라믹 척(920)이 프레임의 중앙 홀(911)에 장착되며, 실 링(922)이 세라믹 척(922)의 정면 에지와 중앙 홀(911)의 후면 에지 사이의 경계면에 위치한다. 클램프/스페이서 어셈블리(930a-930d)가 정사각의 프레임의 각 면(910a-910d)의 중앙에 각각 장착된다. 각 클램프/스페이서 어셈블리(930a-930d)는 스페이서(932a-932d) 및 클램프(934a-934d)를 포함한다. 스페이서(932a) 및 클램프(934a)는 도 17에 도시된 엑츄에이터(832)로 독립적으로 원격 제어된다. 스페이서(932a) 및 클램프(934a)의 동작은 실온 및 솔더 전사 공정이 일어나는 고온에서 매우 정밀하며 반복적이다. 도 15의 실시예에 있어서, 스페이서(932a) 및 클램프(934a)는 그들의 길게 연장된 몸체에 수직하며 몸체의 단부 또는 중앙을 통과하는 축 주위를 회전하도록 구성된다. 스페이서(932a-932d) 및 클램프(934a-934d)의 고정밀의 반복적인 회전은 도 17에 도시된 회전축을 따른 고정밀 회전 스트로크 베어링(rotary stroke bearing; 834)의 사용에 의해 달성된다. 예를 들면, 회전 스트로크 베어링(834)은 마하사(Mahr International Co, Goettingen, Germany)의 제품이다. 다른 예들을 들면, 링키지(linkage), 캠 팔로워(cam follower), 또는 선 형 슬라이드(linear slide) 등이 스페이서 및 클램프의 반복적인 고정밀 동작을 제공하기 위해 사용된다. 스페이서(932a-932d) 및 클램프(934a-934d)는 운송 고정구(900)가 각각 도 18A 및 18B에 도시된 바와 같은 300mm의 웨이퍼 및 200mm의 웨이퍼를 둘 다를 수용할 수 있도록 하는 치수를 가지고 배치된다. 작동중, 웨이퍼(74)가 실리콘 척(920)에 적재되며 스페이서(932a-932d)는 웨이퍼(74)의 상부에 위치한다. 다음으로, 몰드(82)가 스페이서(932a-932d)의 상부에 위치하고 클램프(934a-934d)가 웨이퍼/몰드 스택 상으로 이동되어 스택을 함께 고정한다. 클램핑력(clamping force)이 스페이서를 통하여 가해지며 이러한 배열은 웨이퍼 또는 몰드 상으로의 스트레스 또는 토크의 도입, 웨이퍼 및 몰드 표면의 손상, 및 몰드와 웨이퍼 사이의 접촉을 방지하며 웨이퍼와 몰드 사이의 고정밀 정렬을 촉진한다. 세라믹 척(920)은 진공(진공 홈)이 이를 통하여 형성되어 척(920)과 접촉하는 웨이퍼(74)를 고정하는 원형 및 방사형의 홈(922)을 갖는다. 진공 펌프 라인이 진공 관통 요소(935)를 통하여 운송 고정구(910)에 연결된다. 세라믹 척(920)은 웨이퍼(74)와 동일한 열 팽창 계수(CTE)를 갖는다. 예를 들면, 척(920)은 실리콘으로 만들어지며 실 링(922)은 흑연으로 만들어진다. 예를 들면, 운송 고정구 프레임(920)은 알루미늄 또는 다른 열적으로 안정한 합금으로 만들어지며 420-430mm의 너비, 430-440mm의 길이, 및 40mm의 높이를 갖는다. 프레임(910)의 중앙 홀(911)은 적어도 300mm의 직경을 갖고 있어서 300mm까지의 직경을 갖는 기판들과 웨이퍼들을 수용할 수 있다. 도 30에 도시된 바와 같이, 세라믹 척(920)은 또한 흑연 실 링(922)과 접촉하는 돌출된 에지(921)를 구비하여 운송 고정구 프레임(910)의 후면 의 내부 에지에 대하여 밀봉된다.
도 19, 도 20, 및 도 21을 참조하면, STT 챔버 유닛(301)은 상부 프레임(306), 하부 프레임(308), 프레임 Z-가이드 로드(309a-309d), 중간 프레임(307)에 지지되는 몰드 히터 스택(310), 및 상부 프레임(306)에 지지되는 웨이퍼 히터 스택(330)을 포함한다. 도 22를 참조하면, 몰드 히터 스택(310)은 냉각 플랜지 가스 다기관(311), 수냉식 열교환기(312), 세라믹 팽창 방지벽(313), 냉각 플랜지 에어 벨로우즈(314), 핫 플레이트 냉각 플랜지(315), 몰드 핫 플레이트(316), 몰드 척(317), 벨로우즈 가스 실(320), 및 포름산 주입용 실 프레임(319)을 포함한다. 냉각 플랜지 가스 다기관(311)은 수냉식 열교환기(312) 하부에 위치한다. 열교환기(312)는 높은 열 전도성을 갖는 물질로 이루어지며 세라믹 팽창 방지벽(313) 하부에 위치한다. 예를 들면, 열교환기(312)는 알루미늄으로 만들어진다. 세라믹 팽창 방지벽(313)은 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 물질로 이루어지며 핫 플레이트 냉각 플랜지(315) 하부에 위치한다. 예를 들면, 방지벽(313)은 스콧사(Schott AG, Duryea, PA, USA)에 의해 제조된 매우 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 유리 세라믹 복합제인 제로더(Zerodur®)로 이루어진다. 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 세라믹 팽창 방지벽은 일 측에 고온(약 300℃ 또는 그 이상)의 핫 플레이트를 수용할 수 있으며, 다른 측은 실온의 수냉식 열교환기와 접촉한다. 냉각 플랜지 에어 벨로우즈(314)는 수냉식 열교환기(312) 및 세라믹 팽창 방지벽(313) 내에 형성되는 관통공들을 통과하여 냉각 플랜지(315)도 도달한다. 몰드 핫 플레이트(316)는 냉각 플랜지(315)의 상부에 위치하며 몰드 척(317)은 핫 플레이트(316)의 상부에 위 치한다. 예를 들면, 몰드 척(317)은 실리콘 카바이드로 이루어지며 핫 플레이트(316)는 세라믹 발열판(ceramic heater plate)이다.
도 28 및 도 29를 참조하면, 웨이퍼 히터 스택(330)은 수냉식 열교환기(331), 세라믹 팽창 방지벽(332), 냉각 플랜지 에어 벨로우즈(333), 핫 플레이트 냉각 플랜지(334), 및 웨이퍼 핫 플레이트(335)를 포함한다. 상술한 바와 같이, 세라믹 팽창 방지벽(332)은 일 측에 고온(약 300℃ 또는 그 이상)의 핫 플레이트를 수용할 수 있으며, 다른 측은 실온의 수냉식 열교환기와 접촉할 수 있는 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 가는 물질로 이루어진다. 웨이퍼 히터 스택(330)은 몰드 히터 스택(310)에 대한 미러 영상화된 형태로 배치된다. 몰드 척(317)과 대응하는 웨이퍼 척이 도 30에 도시되는 운송 고정구(900)의 웨이퍼 척(920)으로 구비된다. 도 30에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 척(920)은 흑연으로 이루어진 실 링(922)과 접촉하는 돌출된 에지(921)를 구비하여, 도 32A에 도시된 운송 고정구 프레임(910)의 후면의 내부 에지에 대하여 밀봉된다.
솔더 전사 공정을 위하여, 정렬된 충전 몰드(82) 및 웨이퍼(74)를 갖는 운송 고정구(900)는 몰드 히터 스택(31)과 웨이퍼 히터 스택(330) 사이의 솔더 전사 유닛(301) 내에 위치한다. 웨이퍼 척(915; 도 15에 도시)의 후면이 웨이퍼 스택(340)의 웨이퍼 핫 플레이트(335)와 접촉하며 몰드 플레이트(940; 도 18B에 도시)의 후면이 몰드 히터 스택(310)의 몰드 척과 접촉하도록 운송 고정구(900)는 몰드 스택(310)과 웨이퍼 스택(330) 사이에 위치한다. 도 32A에 도시된 바와 같이, 몰드 히터 스택(310), 운송 고정구(900), 및 웨이퍼 히터 스택(330)을 함께 결합함 으로써 임시 증착 챔버(350)가 형성된다. 임시 증착 챔버(350)의 바닥면은 몰드 핫 플레이트(316), 몰드 척(317), 및 몰드(82)에 의해 형성된다. 몰드(82)는 그 후면(940)이 몰드 척(317)과 접촉하며 충전된 캐버티들을 갖는 그 정면이 위를 향하도록 위치한다. 임시 증착 챔버(350)의 상부면은 웨이퍼 핫 플레이트(335), 웨이퍼 척(920), 및 웨이퍼(74)에 의해 형성된다. 웨이퍼(74)는 그 패터닝된 표면이 솔더 충전된 몰드 캐버티들과 직접 마주보며 아래를 향하도록 위치한다. 증착 챔버(350)의 상부면과 바닥면은 몰드 히터 스택 실 프레임(319), 실 링(320), 및 웨이퍼 척(920)의 정면에 돌출된 에지와 운송 고정구 프레임(910)의 후면 사이의 흑연 실(922)과 함께 밀봉된다. 도 32A, 도 32B, 및 도 32C를 참조하면, 실 링(320)은 실 프레임(319)에 장착되며 운송 고정구 프레임(910)의 정면과 접촉하여 임시 챔버(350)의 측면들을 밀봉한다. 솔더 전사 공정 시, 웨이퍼(74)와 몰드(82)는 고정구(900)로부터 해제되며, 웨이퍼(74)는 웨이퍼 핫 플레이트(335)에 의해 번갈아 고정되는 웨이퍼 척(317)과 접촉되며, 몰드(82)는 몰드 핫 플레이트(316)에 의해 번갈아 고정되는 몰드 척(317)에 의해 고정된다. 조절 가능한 갭(352)이 웨이퍼(74)와 몰드(82) 사이에 형성된다. 갭(352)은 0과 3,000㎛ 사이의 범위 내에서 조절될 수 있다. 갭(352)은 그 측면의 실 링(320) 및 흑연 실(922)에 의해 밀봉되며 공정 가스(354)가 실 프레임의 개구부들을 통하여 갭 영역(352)으로 주입된다. 예를 들면, 공정 가스(354)는 포름산이다. 도 8의 공정 단계들은 이러한 임시 증착 챔버(350) 내에서 일어난다.
도 26을 참조하면, 실 프레임(319)은 포름 가스 라인(321)과 진공 라인(322) 에 연결되는 가스 피드 쓰루 커낵터(gas feed-through connectors; 323a, 323b) 및 진공 커낵터(324a, 324b)를 포함한다. 가스 흐름은 리드 밸브(325)로 제어된다. 실 프레임(319)은 벨로우즈 가스 실(실 링; 320)이 위치하는 홈(326)을 포함한다. 가스 실(320)은 증착 챔버(350)의 가혹한 화학적 및 열적 환경을 견디도록 설계된다. 예를 들면, 가스 실(32)은 펄레스트사(Perlast Ltd, San Jose, CA)에 의해 제조된 펄레스트(Perlast®)로 이루어진다. 몰드(82)의 포지티브 제어(positive control)을 운송 고정구(900)로부터 넘겨줌으로써 몰드(82)가 몰드 척(317)으로 이송된다. 몰드 트랜스퍼 핀(982a, 982b, 982c)으로 몰드를 스페이서(932c)에 고정하고 고정구 언클램핑 동작을 고정구 인덱서 어셈블리(980a; 도 31에 도시)로 작동시킴으로써 이러한 작용이 이루어진다. 다음으로, 몰드 스택(310)은 몰드에 접촉하게 되고, 몰드 척(317)의 진공이 작동되어 몰드(82)를 몰드 척(317)에 장착시킨다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 얼라이너 모듈(800)은 정렬 지지 프레임(801), 몰드/웨이퍼 운송 고정구(900)를 지지하기 위한 정렬 스테이지(802), 두 개의 현미경 XYZ 스테이지(804), 두 개의 현미경(806), 웨지 보상 시스템(808), 및 정렬 스테이지 XYT 드라이브(809)를 포함한다. 몰드/웨이퍼 정렬 공정은 기계적 예비 정렬과 패턴 기인 이미지 정렬을 포함한다. 최종 정렬은 운송 고정구(900) 내에서 고정되며 STT 유닛(301) 내의 전체 솔더 전사 공정 동안 계속 유지된다. 정렬 공정을 위하여, 먼저 운송 고정구(900)가 정렬 스테이지(802) 내에 적재되고, 몰드(82) 및 웨이퍼(74)가 운송 고정구(900) 내에서 기점 마커(fiduciary marker)들 을 이용하여 기계적으로 예비 정렬된다. 웨이퍼(74)는 그 반경 외주에 형성되는 노치 및 세 개의 전동 정렬핀으로 정렬되는 그 표면에 형성되는 세 개의 마킹 포인트를 포함한다. 몰드(82) 또한 세 개의 전동 정렬핀으로 정렬되는 세 개의 마킹 포인트를 포함한다. 기계적 예비 정렬 후, 패터닝된 웨이퍼 표면과 솔더 충전된 캐버티들을 갖는 몰드 표면의 이미지들이 형성되고, 이러한 웨이퍼 및 몰드 표면 이미지들은 패턴 인식 방법(pattern recognition methodology)을 이용하여 정렬된다.
종래의 패턴 인식 방법들은 대상 표면의 고유한 특징들을 이용한다. 이러한 종래 패턴 인식 방법들 중 일례는 코그넥스사(Cognex Co, Natick Ma)로부터 이용가능한 Patmax® 프로그램이다. 그러나, 본 발명에서는 웨이퍼(74) 및 몰드(82)가 각각 원형으로 균일하며 동종의 UBM 구조(패드; 73)와 솔더 범프(85b)의 동종의 분포를 갖고 있으며, 종래의 패턴 인식 방법들이 적용될 수 없다. 패터닝된 웨이퍼 상의 고유 웨이퍼 타깃 영역과 몰드 상의 고유 몰드 대상 영역을 정의하기 위해서 새로운 공정이 이용되며, 팻맥스(Patmax®) 프로그램으로 이러한 고유 웨이퍼 및 몰드 타깃 영역들을 식별하기 위해서 얼 라이너 시스템이 학습된다. 이렇게 학습된 고유 웨이퍼 및 몰드 타깃 영역들은 웨이퍼/몰드 쌍들을 정렬시키기 위해 이용된다.
도 46 및 도 33 내지 도 40을 참조하면, 고유의 웨이퍼 타깃를 식별하기 위한 현미경 학습 공정(600)은 다음과 같은 단계들을 포함한다. 먼저, 예비 정렬된 웨이퍼가 얼라이너 모듈(800) 내에 적재된다(601). 다음으로, 도 33에 도시된 바 와 같이, 현미경(806)이 배치되어 시야각(field of view; FOV) 내의 가능한 고유 타깃를 갖는 웨이퍼의 일 영역(813)에 초점이 맞추어진다(602). FOV 내의 웨이퍼 검색 영역(813)은 현미경(806)의 위치에 대하여 정의된다(603). 도 34에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 검색 영역(813) 내에 웨이퍼 타깃 영역(813a; 학습 타깃)이 고유 패드 패턴 주위에 정의되며, 시스템은 이러한 고유 웨이퍼 타깃으로 학습된다(604). 도 35에 도시된 바와 같이, 이러한 학습 웨이퍼 타깃(813a) 내에 하나의 패드(812) 주위에 웨이퍼 패드 영역(812a)이 정의되며, 시스템은 이러한 패드 영역으로 학습된다(605). 다음으로, 웨이퍼 타깃 위치를 웨이퍼 검색 영역(606) 내에 위치시키도록 검색이 실행되며(606), 도 36에 도시된 바와 같이, 모든 패드 위치들이 검색되어 웨이퍼 타깃 영역(813a)에 대하여 위치된다. 웨이퍼 패드의 상대 위치 및 개수가 대응 웨이퍼 타깃 영역에 저장된다(608). 다음으로, 현미경(806)이 식별된 고유 웨이퍼 타깃 영역(813a)이 FOV 내에서 중심에 오도록 X 및 Y 방향으로 이동되며, 웨이퍼에 대한 그 위치가 저장된다(609). 현미경 위치는 X-Y 평면 내에 고정된다(610). 다음으로, 몰드 상의 고유 몰드 타깃 영역의 정의와 함께 학습 공정(600)이 계속되며 시스템은 이러한 몰드 타깃으로 학습된다. 도 47을 참조하면, 현미경(806)이 Z 방향으로 하강되며, 몰드 스테이지가 웨이퍼 아래에서 중심에 오도록 조정된다(611). 다음으로, 몰드가 웨이퍼와 현미경 사이의 몰드 스테이지에 적재되고 예비 정렬되며(612), 현미경은 Z 방향으로 상승되며 FOV 내 가능한 고유 몰드 타깃를 갖는 몰드에 초점이 맞추어진다(613). 몰드 스테이지가 X 및 Y 방향으로 이동되며 그 표면에 수직하는 축을 중심으로 쎄타(T) 각만큼 회전되어 FOV 내 에 고유 몰드 타깃이 중심에 오도록 조정된다(614). FOV 내의 몰드 검색 영역이 현미경과 스테이지의 위치에 대하여 정의되고(615), 솔더 범프들의 고유 패턴 주위의 몰드 타깃 영역이 검색 영역 내에서 정의되며, 시스템이 이러한 몰드 타깃으로 학습된다(616). 몰드 타깃 영역 내에서, 하나의 솔더 범프 주위의 몰드 솔더 범프 영역이 정의되고, 시스템은 이러한 몰드 범프로 학습된다(617). 다음으로, 몰드 타깃 위치를 몰드 검색 영역 내에 위치시키도록 검색이 실행되며(618), 모든 몰드 범프 위치들이 검색되어 몰드 타깃 영역에 대하여 위치된다(619). 몰드 범프의 상대 위치 및 개수가 대응 몰드 타깃 영역에 저장된다(620). 다음으로, 몰드 스테이지가 FOV 내에 고유 몰드 타깃 영역이 중심에 오도록 X 및 Y 방향 이동되며, 영(0)에 대한 몰드 스테이지 오프셋 위치가 저장된다(621).
학습 공정 후에, 시스템은 웨이퍼/몰드 쌍들의 정렬을 위하여 저장된 고유 웨이퍼 타깃 및 몰드 타깃를 이용할 준비가 되어 있다. 도 48 및 도 49를 참조하면, 정렬 공정(810)은 다음과 같은 단계들을 포함한다. 먼저, 예비 정렬된 웨이퍼가 얼라이너에 적재되고(809), 현미경이 배치되어 학습 위치에 초점이 맞추어진다(811). 도 37에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 조망 영역이 고유 웨이퍼 타깃 패턴(816)과 일치하는 모든 가능한 패턴들(813b, 813c, 813d)에 대해서 검색된다(816). 다음으로, 도 38에 도시된 바와 같이, 모든 패턴 일치 영역의 패드들이 검색되고 카운트된다(817). 선택된 패턴에서의 패드들의 개수가 학습 타깃 영역(813a)에서의 패드들의 개수와 일치하지 아니하면, 패턴은 고려 대상으로부터 제거되며(818), 다음 가능한 패턴이 검색된다. 선택된 패턴에서의 패드들의 개수가 학습 타깃 영역(813a)에서의 패드들의 개수와 일치하면, 패턴 내에서의 패드 위치들이 검색된다(819). 패드들의 패턴과 개수가 학습 타깃 영역(813a)에서의 패드들의 패턴과 개수와 일치하는 각 타깃 영역에 있어서는, 도 39에 도시된 바와 같이, 모든 패드들의 중심의 X-Y 위치 좌표들이 식별되어 학습 타깃(813a)에서의 패드들의 중심의 X-Y 위치 좌표들과 비교된다. 패드 중심들의 X-Y 위치 좌표들이 학습 타깃 영역의 패드 중심들의 X-Y 위치 좌표들과 일치하지 아니하면, 검색된 패터닝된 타깃 영역이 제거되고 다음 패터닝된 타깃 영역이 검색된다(820). 패드 중심들의 X-Y 위치 좌표들이 학습 타깃 영역의 패드 중심들의 X-Y 위치 좌표들과 일치하면, 발견된 패턴 일치들의 개수가 하나만큼 증가한다(821). 발견된 패턴 일치들의 개수가 하나이면, 도 40에 도시된 바와 같이, 고유 웨이퍼 타깃 패턴이 시야에 놓이고(822), 현미경 위치가 X 및 Y 방향으로 고정된다(823). 다음으로, 현미경이 Z 방향으로 하강되고, 몰드 스테이지가 웨이퍼 바로 아래에서 중심에 오도록 조정된다(824). 다음으로, 몰드가 웨이퍼와 현미경 사이의 몰드 스테이지에 적재되고 예비 정렬되며(825), 현미경은 Z 방향으로 상승되며 몰드 시야에 초점이 맞추어진다(826). 다음으로, 몰드 스테이지가 학습된 X-Y 및 T 위치로 이동되고(827), 몰드 조망 영역이 모든 가능한 몰드 패턴 일치들에 대해서 검색되고(828), 각각의 몰드 패턴 일치 영역이 솔더 범프들의 정확한 개수에 대해서 먼저 검색되며(829), 다음으로 정확한 솔더 범프 중심 위치들에 대해서 검색된다(831). 솔더 범프들의 개수가 학습 타깃 내의 솔더 범프들의 개수와 일치하지 아니하면, 상기 패턴이 제거되고 다음 가능한 패턴 일치가 검색된다(830). 솔더 범프들의 개수가 학습 타깃 내의 솔더 범프들의 개수와 일치하면, 패턴이 올바른 솔더 범프 중심 위치들에 대해서 검색된다(831). 각각의 솔더 범프 패턴에 있어서, 각각의 솔더 범프의 중심이 학습된 솔더 범프의 중심과 일치하지 아니하면, 상기 패턴이 제거되고 다음 패턴이 검색된다(832). 각각의 솔더 범프 패턴에 있어서, 솔더 범프 위치들이 학습된 솔더 범프 위치들과 일치하면, 발견된 패턴 일치들의 개수는 하나만큼 증가한다(833). 발견된 패턴 일치들의 개수가 하나이면, 고유 몰드 패턴이 시야에 놓이게 된다(834). 마지막으로, 고유 몰드 타깃 영역의 중심이 고유 웨이퍼 타깃 영역의 중심과 일치되도록 몰드 스테이지가 X-Y 방향으로 이동되며 쎄타(T) 각만큼 회전된다(835).
다른 실시예에 따르면, 개선된 웨이퍼/몰드 패턴 인식 방법은 분명치 않은 원형의 패드들 또는 솔더 범프들을 식별하기 위한 자동화된 마스크 발생 공정을 이용한다. 도 50 내지 도 51을 참조하면, 패터닝된 마스크(840)를 갖는 시스템을 학습하는 공정은 다음과 같은 단계들을 포함한다. 먼저, 현미경이 웨이퍼(또는 몰드) 영역 상에 배치되어 도 33에 도시된 바와 같이, 원하는 패턴을 포함하는 검색 위치를 정의한다(841). 이러한 패턴 영역 내에서, 패드 타깃 영역(813a)이 정의되며(842), 도 41에 도시된 바와 같이, 패드 검색 영역이 패드 학습 영역(843)과 일치하도록 설정된다(843). 다음으로, 패드 학습 영역(813a) 내에 위치하는 패드들이 식별되고(844), 도 42에 도시된 바와 같이, 각각의 패드의 에지들이 위치된다(845). 다음으로, X 및 Y 방향으로의 패드 직경들이 측정되며(846), 패드의 중심 위치 및 반경을 바탕으로 하는 마스크 이미지를 설계하기 위해 패드 치수들이 이용된다(847). 다음으로, 도 43에 도시된 바와 같이, 패드 타깃이 패드 중심 영역의 90%를 제거하는 새로운 마스크(855)로 재학습된다(848). 다음으로, 도 44에 도시된 바와 같이, 검색 영역이 타깃 패턴 학습 영역과 일치하도록 설정되고(849), 패턴 타깃 내에 패드들이 위치되고 카운트되며(850) 패드 위치들의 어레이가 획득된다(851). 다음으로, 도 45에 도시된 바와 같이, 패턴 마스크 이미지가 학습 영역, 패드 위치들 및 패드 반경들을 바탕으로 하여 형성되며(852), 패턴 타깃이 패턴 마스크를 이용하여 재학습된다(853). 패턴 마스크 이미지(813u)가 상술한 바와 같은 이미지 정렬 공정을 위해서 이용된다.

Claims (85)

  1. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 설비;
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송하는 고정 기구; 및
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 수용하고 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 설비를 포함하며,
    상기 몰드 캐버티들의 패턴이 상기 반도체 면의 패턴과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 고정 기구는
    반도체 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면과 접촉되는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임; 및
    상기 프레임 주위에 대칭적으로 배치되며 각각은 상기 몰드와 반도체 구조를 함께 고정하도록 형성되는 클램프와 상기 반도체 구조의 제 1 면과 상기 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되어 상기 몰드 및 반도체 구조들을 그의 높이와 동일한 거리 만큼 분리시키도록 형성되는 스페이서를 포함하는 하나 또는 그 이상의 클램프/ 스페이서 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 상기 스페이서 및 상기 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되며 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 상기 스페이서 및 상기 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 스페이서는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 상기 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 상기 제 2 단부가 반도체 구조의 제 1 면과 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서 고정밀성과 반복성을 가지고 원격으로 회전되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 스페이서 회전의 고정밀성과 반복성을 제공하는 고정밀 회전 스트로크 베어링들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 클램프는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 상기 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 상기 제 2 단부가 몰드 구조의 제 2 면에 배치되어 상기 몰드 및 반도체 구조들을 함께 고정시키는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  10. 제 2 항에 있어서, 상기 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 분리할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 상기 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 50~1,000㎛의 범위의 거리만큼 분리할 수 있는 치수의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 클램프는 상기 몰드 및 반도체 구조들을 고정할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 상기 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 고정 기구는 프레임과 기판 사이에 실 링을 더 포함하며, 상기 실 링은 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서의 밀봉을 제공하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 실 링은 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  15. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 상기 반도체 구조의 열 팽창 계수와 일치하는 열 팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  16. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도 체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  17. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 기판에 형성된 동심원들의 주위에 방사형으로 배치되는 진공 홈들 포함하며, 상기 반도체 구조를 상기 기판에 유지함으로써 상기 진공 홈들을 통하여 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  18. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 단계;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 단계;
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송하기 위한 고정 기구를 준비하는 단계; 및
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 솔더 전사 설비에 위치시키고 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 단계를 포함하며,
    상기 몰드 캐버티들의 패턴이 상기 반도체 면의 패턴과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 고정 기구는
    반도체 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면과 접촉되는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임; 및
    상기 프레임 주위에 대칭적으로 배치되며 각각은 상기 몰드와 반도체 구조를 함께 고정하도록 형성되는 클램프와 상기 반도체 구조의 제 1 면과 상기 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되어 상기 몰드 및 반도체 구조들을 그의 높이와 동일한 거리 만큼 분리시키도록 형성되는 스페이서를 포함하는 하나 또는 그 이상의 클램프/스페이서 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 상기 스페이서 및 상기 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되며 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 상기 스페이서 및 상기 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반 도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  23. 제 19 항에 있어서, 상기 스페이서는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 상기 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 상기 제 2 단부가 반도체 구조의 제 1 면과 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서 고정밀성과 반복성을 가지고 원격으로 회전되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 스페이서 회전의 고정밀성과 반복성을 제공하는 고정밀 회전 스트로크 베어링들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  26. 제 19 항에 있어서, 상기 클램프는 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 길게 연장된 몸체를 포함하며, 몸체에 수직하며 상기 제 1 단부를 통과하는 축 주위를 회전하여 상기 제 2 단부가 몰드 구조의 제 2 면에 배치되어 상기 몰드 및 반도체 구조들을 함께 고정시키는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  27. 제 19 항에 있어서, 상기 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 분리할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 상기 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  28. 제 19 항에 있어서, 상기 스페이서는 반도체 구조로부터 몰드 구조를 50~1,000㎛의 범위의 거리만큼 분리할 수 있는 치수의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  29. 제 19 항에 있어서, 상기 클램프는 상기 몰드 및 반도체 구조들을 고정할 수 있는 치수의 길이를 갖으며, 상기 반도체 구조는 100~400mm의 범위의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  30. 제 19 항에 있어서, 상기 고정 기구는 프레임과 기판 사이에 실 링을 더 포함하며, 상기 실 링은 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 정렬된 패터닝된 반도체 제 1 면으로의 솔더 전사가 일어나는 작동 온도에서의 밀봉을 제공하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 실 링은 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  32. 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 상기 반도체 구조의 열 팽창 계수와 일치하는 열 팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  33. 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  34. 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 기판에 형성된 동심원들의 주위에 방사형으로 배치되는 진공 홈들 포함하며, 상기 반도체 구조를 상기 기판에 유지함으로써 상기 진공 홈들을 통하여 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  35. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 설비;
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하고 이송하며, 상기 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면의 반대편인 제 2 면과 접촉하는 제 1 면을 갖는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임을 포함하는 고정 기구; 및
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 수용하고 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하며, 상기 반도체 구조를 가열하기 위한 웨이퍼 히터 스택, 및 상기 몰드 구조를 상기 솔더의 용융점 약간 위의 공정 온도로 가열하기 위한 몰드 히터 스택을 포함하는 솔더 전사 설비를 포함하며,
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구가 상기 웨이퍼 히터 스택과 상기 몰드 히터 스택 사이에 삽입되어 상기 기판의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 상기 웨이퍼 히터 스택과 접촉하고 상기 몰드 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 상기 몰드 히터 스택과 접촉하며,
    상기 웨이퍼 히터 스택과 상기 몰드 히터 스택을 상기 프레임에 대하여 밀봉함으로써 웨이퍼 히터 스택과 몰드 히터 사이에 증착 챔버가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 기판의 제 1 면의 반대편인 제 2 면의 에지와 상기 중앙 홀의 에지 사이에 위치하는 흑연 실 링을 통하여 상기 웨이퍼 히터 스택이 상기 프레임에 대하여 밀봉되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 가스 벨로우즈 실 링을 통하여 상기 몰드 히터 스택이 상기 프레임에 대하여 밀봉되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형 성하는 장치.
  38. 제 37 항에 있어서, 공정 가스를 상기 증착 챔버에 주입하는 설비를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 공정 가스는 포름산을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  40. 제 38 항에 있어서, 상기 공정 가스는 수소 및 질소 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  41. 제 38 항에 있어서, 상기 가스 벨로우즈 실 링은 실 프레임 및 실 프레임 홈 내에 위치하는 가스 벨로우즈를 포함하며, 상기 실 프레임은 상기 공정 가스를 증착 챔버에 주입하기 위한 가스 피드 쓰루 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  42. 제 42 항에 있어서, 상기 실 프레임은 상기 증착 챔버를 배기하기 위한 진공 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  43. 제 42 항에 있어서, 상기 가스 벨로우즈는 상기 공정 가스와 상기 공정 온도를 견뎌내는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  44. 제 43 항에 있어서, 상기 가스 벨로우즈 재료는 펄레스트(Perlast)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  45. 제 35 항에 있어서, 상기 고정 기구는 상기 프레임 주위에 대칭적으로 배치되며 각각은 상기 몰드와 반도체 구조를 함께 고정하도록 형성되는 클램프와 상기 반도체 구조의 제 1 면과 상기 몰드 구조의 제 1 면 사이에 삽입되어 상기 몰드 및 반도체 구조들을 그의 높이와 동일한 거리 만큼 분리시키도록 형성되는 스페이서를 포함하는 하나 또는 그 이상의 클램프/스페이서 어셈블리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  46. 제 45 항에 있어서, 각각의 클램프/스페이서 어셈블리 내의 상기 스페이서 및 상기 클램프는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  47. 제 46 항에 있어서, 상기 클램프/스페이서 어셈블리는 서로로부터 독립적으로 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  48. 제 47 항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 공정 온도에서 고정밀성과 반복성을 가지고 원격으로 회전되도록 형성되는 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  49. 제 48 항에 있어서, 상기 스페이서 회전의 고정밀성과 반복성을 제공하는 고정밀 회전 스트로크 베어링들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  50. 제 35 항에 있어서, 상기 기판은 상기 반도체 구조의 열 팽창 계수와 일치하는 열 팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  51. 제 50 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  52. 제 35 항에 있어서, 상기 기판은 기판에 형성된 동심원들의 주위에 방사형으로 배치되는 진공 홈들 포함하며, 상기 반도체 구조를 상기 기판에 유지함으로써 상기 진공 홈들을 통하여 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  53. 제 35 항에 있어서, 상기 몰드 히터 스택은 몰드 척, 상기 몰드 척의 제 1 면과 접촉하는 몰드 핫 플레이트, 상기 몰드 핫 플레이트와 접촉하는 몰드 핫 플레이트 냉각 플랜지, 상기 몰드 핫 플레이트 냉각 플랜지와 접촉하는 몰드 세라믹 팽창 방지벽, 및 상기 몰드 세라믹 팽창 방지벽과 접촉하는 몰드 수냉식 열 교환기를 포함하며, 상기 몰드 척의 제 1 면의 반대편인 제 2 면은 상기 몰드 구조의 제 2 면과 접촉하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  54. 제 53 항에 있어서, 상기 몰드 수냉식 열교환기 및 상기 몰드 세라믹 팽창 방지벽 내에 형성되는 관통공들을 통과하여 상기 몰드 핫 플레이트 냉각 플랜지에 도달하는 몰드 냉각 플랜지 에어 벨로우즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  55. 제 53 항에 있어서, 상기 몰드 척은 실리콘 카바이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  56. 제 53 항에 있어서, 상기 웨이퍼 히터 스택은 상기 기판의 제 1면의 반대편인 제 2 면과 접촉하는 웨이퍼 핫 플레이트, 상기 웨이퍼 핫 플레이트와 접촉하는 웨이퍼 핫 플레이트 냉각 플랜지, 상기 웨이퍼 핫 플레이트 냉각 플랜지와 접촉하는 웨이퍼 세라믹 팽창 방지벽, 및 상기 웨이퍼 세라믹 팽창 방지벽과 접촉하는 웨이퍼 수냉식 열 교환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  57. 제 56 항에 있어서, 상기 웨이퍼 수냉식 열교환기 및 상기 웨이퍼 세라믹 팽창 방지벽 내에 형성되는 관통공들을 통과하여 상기 웨이퍼 핫 플레이트 냉각 플랜지에 도달하는 웨이퍼 냉각 플랜지 에어 벨로우즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  58. 제 56 항에 있어서, 상기 세라믹 팽창 방지벽들은 낮은 열 팽창 계수를 갖는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  59. 제 58 항에 있어서, 상기 세라믹 팽창 방지벽들은 제로더(Zerodur)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  60. 제 35 항에 있어서, 조절 가능한 갭이 상기 몰드 구조의 제 1 면과 상기 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면 사이의 상기 증착 챔버 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  61. 제 60 항에 있어서, 상기 갭은 0~3,000㎛ 범위 내에서 조절 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  62. 제 61 항에 있어서, 상기 몰드 히터 스택과 상기 몰드 플레이트를 상기 반도체 구조를 향하여 이동시켜 상기 갭을 조절하도록 형성되는 구동 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  63. 제 62 항에 있어서, 상기 몰드 척은 몰드 척에 형성된 동심원들의 주위에 방사형으로 배치되는 진공 홈들 포함하며, 상기 몰드 구조를 상기 몰드 척에 유지함으로써 상기 진공 홈들을 통하여 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  64. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 단계;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 단계;
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하고 이송하며, 상기 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면의 반대편인 제 2 면과 접촉하는 제 1 면을 갖는 기판을 지지하기 위한 치수로 형성되는 중앙 홀은 갖는 프레임을 포함하는 고정 기구를 준비하는 단계;
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 상기 반도체 구조를 가열하기 위한 웨이퍼 히터 스택, 및 상기 몰드 구조를 상기 솔더의 용융점 약간 위의 공정 온도로 가열하기 위한 몰드 히터 스택을 포함하는 솔더 전사 설비에 삽입하고, 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 단계를 포함하며,
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구가 상기 웨이퍼 히터 스택과 상기 몰드 히터 스택 사이에 삽입되어 상기 기판의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 상기 웨이퍼 히터 스택과 접촉하고 상기 몰드 구조의 제 1 면의 반대편인 제 2 면이 상기 몰드 히터 스택과 접촉하며,
    상기 웨이퍼 히터 스택과 상기 몰드 히터 스택을 상기 프레임에 대하여 밀봉함으로써 웨이퍼 히터 스택과 몰드 히터 사이에 증착 챔버가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  65. 제 64 항에 있어서, 조절 가능한 갭이 상기 몰드 구조의 제 1 면과 상기 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면 사이의 상기 증착 챔버 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  66. 제 65 항에 있어서, 상기 갭은 0~3,000㎛의 범위 내에서 조절 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  67. 제 66 항에 있어서, 상기 솔더 전사 단계는
    상기 몰드 및 반도체 구조들이 상기 프레임 내에서 클램프들을 통하여 서로 그리고 상기 프레임에 고정되며 스페이서들을 통하여 분리된 상태로 유지하면서, 상기 몰드 및 반도체 구조들을 상기 공정 온도 아래의 제 1 온도로 예비 가열하는 단계;
    공정 가스를 상기 증착 챔버에 주입하는 단계;
    기판 및 몰드 척에 각각 형성되는 진공 홈들을 통하여 진공을 형성하고 상기 클램프들을 해제함으로써 상기 반도체 구조는 상기 기판에 그리고 상기 몰드 구조는 상기 몰드 척에 지지하는 단계;
    각각 몰드 핫 플레이트 및 웨이퍼 핫 플레이트에 의하여 상기 몰드 및 반도체 구조들을 상기 공정 온도로 가열하여 상기 몰드 캐버티들 내부의 솔더를 용융하는 단계;
    상기 스페이서들을 제거하고 상기 몰드 구조를 상기 반도체 구조와 접촉시켜 용융된 솔더를 상기 몰드 캐버티들로부터 상기 반도체 구조의 패터닝된 제 1 면에 전사시키는 단계;
    상기 반도체 구조로부터 상기 몰드 구조를 이동시켜 상기 몰드 및 반도체 구조들을 분리시켜는 단계;
    상기 스페이서들을 상기 분리된 몰드 및 반도체 구조들 사이에 삽입하고, 상기 본리된 몰드 및 반도체 구조들을 공정 온도에서 일정 시간 동안 유지시키는 단계;
    상기 몰드 및 반도체 구조들을 상기 클램프들을 이용하여 서로 함께 그리고 상기 프레임에 고정시키며, 진공을 해제하는 단계; 및
    상기 몰드 및 반도체 구조들을 실온으로 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  68. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 설비;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키며,
    상기 몰드 구조 상의 제 1 기점 마커 및 상기 반도체 구조의 제 1 기점 마커와 정렬되도록 형성되는 적어도 하나의 전동 정렬핀; 및
    학습 몰드 구조 및 학습 반도체 구조 상에 각각 형성된 몰드 학습 패턴 이미지 및 반도체 학습 패턴 이미지를 식별하기 위한 수단, 상기 학습 패턴 이미지들로 정렬 기구를 학습하기 위한 수단, 상기 정렬 기구 학습 위치를 저장하기 위한 수단, 상기 몰드 학습 패턴 이미지 및 상기 반도체 학습 패턴 이미지와 각각 일치하는 상기 몰드 구조 및 상기 반도체 구조 상에 형성된 몰드 패턴 이미지 및 반도체 패턴 이미지를 식별하기 위한 수단, 및 상기 식별된 몰드 패턴 이미지를 상기 식별된 반도체 패턴 이미지와 정렬시키기 위한 수단을 포함하는 패턴 기인 정렬 기구를 포함하는 설비;
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송시키는 고정 기구; 및
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 수용하고 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 솔더 전사 설비를 포함하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 장치.
  69. 제 1 반도체 구조의 패터닝된 면을 제 2 반도체 구조의 패터닝된 면과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 장치에 있어서, 패턴 기인 정렬 기구를 포함하며, 상기 패턴 기인 정렬 기구는
    제 1 및 제 2 학습 반도체 구조들 상에 각각 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 정의하기 위한 수단;
    상기 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들로 상기 정렬 기구를 학습시키기 위한 수단;
    상기 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 위치시키기 위한 수단;
    상기 정렬 기구 학습 위치를 저장하기 위한 수단;
    상기 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들과 각각 일치하는 상기 제 1 및 제 2 반도체 구조들의 패터닝된 면들에 형성되는 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들을 식별하기 위한 수단; 및
    상기 식별된 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들의 중심을 정렬하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  70. 제 69 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 학습 반도체 구조들 상에 각각 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 정의하기 위한 수단은 요소들의 고유 패턴 주위의 타깃 영역을 정의하기 위한 수단 및 각 요소 주위의 영역을 정의하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  71. 제 70 항에 있어서, 상기 정렬 기구를 학습시키기 위한 수단은 자동 패턴 인식 적용을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  72. 제 71 항에 있어서, 상기 자동 패턴 인식 적용은 팻맥스(Patmax) 적용을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  73. 제 72 항에 있어서, 상기 학습 패턴 이미지들을 위치시키기 위한 수단은 상기 학습 패턴 이미지 위치를 반도체 구조 검색 영역 내에 위치시키기 위한 수단, 상기 학습 패턴 이미지 내의 모든 요소들을 카운팅하기 위한 수단, 및 모든 요소들의 위치를 상기 학습 패턴 이미지 내에 위치시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  74. 제 73 항에 있어서, 상기 학습 패턴 이미지들과 일치하는 상기 반도체 구조들의 패터닝된 면에 형성되는 상기 반도체 패턴 이미지들을 식별하기 위한 수단은 패턴 영역들, 패턴 영역들 내의 요소들의 개수, 및 패턴 영역들 내의 요소들의 위 치를 일치시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  75. 제 74 항에 있어서, 상기 요소들의 중심 위치들과 치수들에 기인하여 마스크 이미지를 설계하며 상기 마스크 이미지에 의해 차폐된 상기 요소들을 포함하는 패턴 마스크 이미지를 가지고 상기 정렬 기구를 학습시키기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  76. 제 75 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 구조 상의 제 1 기점 마커 및 상기 제 2 반도체 구조의 제 1 기점 마커와 정렬되도록 형성되는 적어도 하나의 전동 정렬핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  77. 몰드 구조의 제 1 면 상에 형성되는 패터닝된 몰드 캐버티들을 솔더로 충전시키는 단계;
    반도체 구조의 패터닝된 제 1 면을 몰드 구조의 상기 솔더 충전된 패터닝된 몰드 캐버티들과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키며,
    적어도 하나의 전동 정렬핀을 상기 몰드 구조 상의 제 1 기점 마커 및 상기 반도체 구조의 제 1 기점 마커와 정렬시키는 단계; 및
    학습 몰드 구조 및 학습 반도체 구조 상에 각각 형성된 몰드 학습 패턴 이미지 및 반도체 학습 패턴 이미지를 식별하는 단계, 상기 학습 패턴 이미지들을 가지고 정렬 기구를 학습시키는 단계, 상기 정렬 기구에 의해 학습된 위치를 저 장하는 단계, 상기 몰드 학습 패턴 이미지 및 상기 반도체 학습 패턴 이미지와 각각 일치하는 상기 몰드 구조 및 상기 반도체 구조 상에 형성된 몰드 패턴 이미지 및 반도체 패턴 이미지를 식별하는 단계, 및 상기 식별된 몰드 패턴 이미지를 상기 식별된 반도체 패턴 이미지와 정렬시키는 단계를 포함하는 패턴 기인 정렬을 실행하는 단계를 포함하는 단계;
    상기 정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 함께 유지하며 이송시키는 고정 기구를 준비하는 단계; 및
    정렬된 몰드 및 반도체 구조들을 갖는 상기 고정 기구를 솔더 전사 설비에 삽입하며, 솔더를 상기 정렬된 패터닝된 몰드 캐버티들로부터 상기 정렬된 패터닝된 반도체 제 1면으로 전사하는 단계를 포함하는 반도체 구조에 솔더 범프를 형성하는 방법.
  78. 제 1 반도체 구조의 패터닝된 면을 제 2 반도체 구조의 패터닝된 면과 직접 마주하도록 위치시키고 정렬시키는 방법에 있어서, 패턴 기인 정렬을 실행하는 단계를 포함하며 상기 패턴 기인 정렬을 실행하는 단계는
    제 1 및 제 2 학습 반도체 구조들 상에 각각 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 정의하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 가지고 정렬 기구를 학습시키는 단계;
    상기 학습 패턴 이미지들을 위치시키는 단계;
    상기 정렬 기구에 의해 학습된 위치를 저장하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들과 각각 일치하는 상기 제 1 및 제 2 반도체 구조들의 패터닝된 면에 형성되는 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들을 식별하는 단계; 및
    상기 식별된 제 1 및 제 2 반도체 패턴 이미지들의 중심을 정렬하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  79. 제 78 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 학습 반도체 구조들 상에 각각 제 1 및 제 2 학습 패턴 이미지들을 정의하는 단계는 요소들의 고유 패턴 주위의 타깃 영역을 정의하는 단계 및 각 요소 주위의 영역을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  80. 제 79 항에 있어서, 상기 정렬 기구를 학습시키는 단계는 자동 패턴 인식 적용을 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  81. 제 80 항에 있어서, 상기 자동 패턴 인식 적용은 팻맥스(Patmax) 적용을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  82. 제 81 항에 있어서, 상기 학습 패턴 이미지들을 위치시키는 단계는 상기 학습 패턴 이미지 위치를 반도체 구조 검색 영역 내에 위치시키는 단계, 상기 학습 패턴 이미지 내의 모든 요소들을 카운팅하는 단계, 및 모든 요소들의 위치를 상기 학습 패턴 이미지 내에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  83. 제 82 항에 있어서, 상기 학습 패턴 이미지들과 일치하는 상기 반도체 구조들의 패터닝된 면에 형성되는 상기 반도체 패턴 이미지들을 식별하는 단계는 패턴 영역들, 패턴 영역들 내의 요소들의 개수, 및 패턴 영역들 내의 요소들의 위치를 일치시키기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  84. 제 83 항에 있어서, 상기 요소들의 중심 위치들과 치수들에 기인하여 마스크 이미지를 설계하며 상기 마스크 이미지에 의해 차폐된 상기 요소들을 포함하는 패턴 마스크 이미지를 가지고 상기 정렬 기구를 학습시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  85. 제 84 항에 있어서, 적어도 하나의 전동 정렬핀을 상기 제 1 반도체 구조 상의 제 1 기점 마커 및 상기 제 2 반도체 구조의 제 1 기점 마커와 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210037552A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 주식회사 뷰웍스 신틸레이터 증착을 위한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법
CN114514336A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8088684B2 (en) * 2007-02-05 2012-01-03 Suss Microtec Ag Apparatus and method for semiconductor wafer bumping via injection molded solder
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
US8237086B2 (en) * 2008-01-16 2012-08-07 International Business Machines Corporation Removing material from defective opening in glass mold
KR101150572B1 (ko) 2010-08-02 2012-06-01 세크론 주식회사 솔더 범핑 장치 및 솔더 범핑 방법
US20120318945A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Siemens Industry, Inc. Remote actuated pivoting clamp mechanism for hot rolling mills split guides, including cooling system water boxes and equalization troughs
TWI552824B (zh) * 2011-10-18 2016-10-11 千住金屬工業股份有限公司 焊料凸塊形成方法及裝置
US8934999B2 (en) * 2012-02-13 2015-01-13 Tesla Motors, Inc. Robotic processing system and method
US10105883B2 (en) * 2013-03-15 2018-10-23 Nanonex Corporation Imprint lithography system and method for manufacturing
US10108086B2 (en) 2013-03-15 2018-10-23 Nanonex Corporation System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography
US9433070B2 (en) 2013-12-13 2016-08-30 Kla-Tencor Corporation Plasma cell with floating flange
JP6161852B2 (ja) * 2015-04-06 2017-07-12 三菱電機株式会社 非破壊検査システム及び特異点検出システム
NL2015170B1 (en) * 2015-07-15 2017-02-01 Suss Microtec Lithography Gmbh Spacer displacement device for a wafer illumination unit and wafer illumination unit.
US9859241B1 (en) 2016-09-01 2018-01-02 International Business Machines Corporation Method of forming a solder bump structure
US11211354B2 (en) * 2017-11-29 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for semi-flexible eutectic bonder piece arranegments
US10766086B2 (en) * 2017-11-29 2020-09-08 International Business Machines Corporation Injection-molded solder (IMS) tool assembly and method of use thereof
WO2019160796A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding semiconductor elements to a substrate, including use of a reducing gas, and related bonding machines
US11205633B2 (en) 2019-01-09 2021-12-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
US11515286B2 (en) 2019-01-09 2022-11-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937006A (en) * 1988-07-29 1990-06-26 International Business Machines Corporation Method and apparatus for fluxless solder bonding
US6471115B1 (en) * 1990-02-19 2002-10-29 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing electronic circuit devices
US5381848A (en) * 1993-09-15 1995-01-17 Lsi Logic Corporation Casting of raised bump contacts on a substrate
JPH07307341A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプの形成方法
JP3399681B2 (ja) * 1995-01-31 2003-04-21 松下電器産業株式会社 画像認識方法
US6127735A (en) * 1996-09-25 2000-10-03 International Business Machines Corporation Interconnect for low temperature chip attachment
US6119927A (en) 1997-02-18 2000-09-19 Edm Supplies, Inc. Method and apparatus for placing and attaching solder balls to substrates
US7007833B2 (en) * 1997-05-27 2006-03-07 Mackay John Forming solder balls on substrates
WO1999048642A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Spheretek, Llc Methods and apparatuses for forming solder balls on substrates
US6189772B1 (en) * 1998-08-31 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method of forming a solder ball
JP3397313B2 (ja) * 1999-12-20 2003-04-14 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法
JP2002298940A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いた電気接触子、電気コネクタ及びこれらのプリント配線板への接続方法
JP3908068B2 (ja) * 2002-03-27 2007-04-25 ジャパン・イー・エム株式会社 球体保持装置ならびに微小球体受け渡し方法およびその装置
US7134199B2 (en) 2002-06-13 2006-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluxless bumping process
US6805279B2 (en) * 2002-06-27 2004-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluxless bumping process using ions
US7267741B2 (en) * 2003-11-14 2007-09-11 Lam Research Corporation Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon
KR101359514B1 (ko) * 2004-01-07 2014-02-10 가부시키가이샤 니콘 적층 장치 및 집적 회로 소자의 적층 방법
US7332424B2 (en) * 2004-08-16 2008-02-19 International Business Machines Corporation Fluxless solder transfer and reflow process
US20060043640A1 (en) 2004-08-24 2006-03-02 Texas Instruments Incorporated Method and system for multi-stage injection in a transfer molding system
JP5065889B2 (ja) * 2005-04-28 2012-11-07 東レエンジニアリング株式会社 画像認識実装方法
US20060289607A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Buchwalter Stephen L Composite solder transfer moldplate structure and method of making same
JP4956963B2 (ja) 2005-11-02 2012-06-20 富士通セミコンダクター株式会社 リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
US7416104B2 (en) * 2006-04-21 2008-08-26 International Business Machines Corporation Rotational fill techniques for injection molding of solder
US8088684B2 (en) * 2007-02-05 2012-01-03 Suss Microtec Ag Apparatus and method for semiconductor wafer bumping via injection molded solder
US7703658B2 (en) * 2007-03-29 2010-04-27 Suss Microtec Ag Apparatus and method for semiconductor wafer bumping via injection molded solder
WO2008136524A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Japan E. M. Co., Ltd. 半田バンプ形成方法および半田バンプ形成装置
US8148255B2 (en) * 2007-09-18 2012-04-03 International Business Machines Corporation Techniques for forming solder bump interconnects

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210037552A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 주식회사 뷰웍스 신틸레이터 증착을 위한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법
CN114514336A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法
CN114514336B (zh) * 2019-09-27 2024-03-26 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法

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