JP2010506733A5

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Publication number: JP2010506733A5
Application number: JP2009533505A
Authority: JP
Filing date: 2007-10-17
Publication date: 2010-12-02
Anticipated expiration: 2027-10-17

Claims

電気装置において電気的接続を作製する方法であって、前記方法は、
半田付けされる接合部上に、ゼロＣＴＥ材料と混合された半田を配置するステップを含み、半田は、半田と半田付けされる接合部における材料との熱膨張係数の不整合を減少させるのに有効な量のゼロＣＴＥ材料と混合され、半田は低融点半田構成要素を有し、さらに、
接合部を半田付けして電気的接続を設けるステップを含む、方法。
ゼロＣＴＥ材料はベータユークリプタイトである、請求項１に記載の方法。
半田付けステップ中に、電気装置の少なくとも２つの層を同時に積層するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
低融点半田構成要素は、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５８）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５７）／Ａｇ（１）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（５０）／Ｉｎ（５０）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｉｎ（７０−３０）、Ｉｎ（９７）／Ａｇ（３）、Ｉｎ（９０−１００）／Ａｇ（０−１０）、Ｓｎ（５０）／Ｐｂ（３２）／Ｃｄ（１８）、Ｓｎ（３０−６０）／Ｐｂ（２０−４０）／Ｃｄ（１０−３０）、Ｓｎ（４３）／Ｐｂ（４３）／Ｂｉ（１４）およびＳｎ（３０−５０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ｂｉ（５−２０）からなるグループから選択される低融点半田として構成される、請求項１に記載の方法。
ベース半田を低融点半田構成要素または低融点半田合金要素と混合するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
ベース半田構成要素は、ＳＡＣ３０５合金、Ｓｎ（９０−１００）／Ａｇ（
０−５）／Ｃｕ（０−５）、ＳＡＣＸ０３０７合金、Ｓｎ（９６．５）／Ａｇ（３．５）、Ｓｎ（９０−９５）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（９９）／Ｃｕ（１）、Ｓｎ（９５−１００）／Ｃｕ（０−５）、Ｓｎ（１００）、Ｓｎ（６３）／Ｐｂ（３７）、Ｓｎ（２０−８０）／Ｐｂ（０−２０）、Ｓｎ（６２）／Ｐｂ（３６）／Ａｇ（２）、Ｓｎ（５０−７０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（６０）／Ｐｂ（３８）／Ｃｕ（２）およびＳｎ（５０−７０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ｃｕ（０−５）からなるグループから選択される、請求項５に記載の方法。
太陽電池アセンブリにおいて電気的接続を作製する方法であって、前記方法は、
ゼロＣＴＥ材料と混合された半田を回路基板と太陽電池との間に配置するステップを含み、半田は、配置された半田に接触する太陽電池および回路基板の少なくとも一方上の材料の熱膨張係数の不整合を減少させるのに有効な量のゼロＣＴＥ材料と混合され、半田は低融点半田構成要素を含み、さらに、
配置された半田に熱を加えて、回路基板と太陽電池との間に電気的接続を設けるステップを含む、方法。
ゼロＣＴＥ材料はベータユークリプタイトである、請求項７に記載の方法。
加えられた熱を用いて太陽電池アセンブリを同時に積層するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
低融点半田構成要素は、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５８）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５７）／Ａｇ（１）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（５０）／Ｉｎ（５０）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｉｎ（７０−３０）、Ｉｎ（９７）／Ａｇ（３）、Ｉｎ（９０−１００）／Ａｇ（０−１０）、Ｓｎ（５０）／Ｐｂ（３２）／Ｃｄ（１８）、Ｓｎ（３０−６０）／Ｐｂ（２０−４０）／Ｃｄ（１０−３０）、Ｓｎ（４３）／Ｐｂ（４３）／Ｂｉ（１４）およびＳｎ（３０−５０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ｂｉ（５−２０）からなるグループから選択される低融点半田として構成される、請求項７に記載の方法。
ベース半田を低融点半田構成要素または低融点半田合金要素と混合するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
ベース半田構成要素は、ＳＡＣ３０５合金、Ｓｎ（９０−１００）／Ａｇ（
０−５）／Ｃｕ（０−５）、ＳＡＣＸ０３０７合金、Ｓｎ（９６．５）／Ａｇ（３．５）、Ｓｎ（９０−９５）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（９９）／Ｃｕ（１）、Ｓｎ（９５−１００）／Ｃｕ（０−５）、Ｓｎ（１００）、Ｓｎ（６３）／Ｐｂ（３７）、Ｓｎ（２０−８０）／Ｐｂ（０−２０）、Ｓｎ（６２）／Ｐｂ（３６）／Ａｇ（２）、Ｓｎ（５０−７０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（６０）／Ｐｂ（３８）／Ｃｕ（２）およびＳｎ（５０−７０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ｃｕ（０−５）からなるグループから選択される、請求項１１に記載の方法。
太陽電池アセンブリにおいて電気的接続を作製する方法であって、前記方法は、
低融点半田要素を回路基板と太陽電池との間に配置するステップを含み、低融点半田構成要素は、１５０℃以下の温度でベース半田構成要素との合金または金属間化合物を形成するのに有効な量存在し、さらに、
配置された半田に熱を加えて、回路基板と太陽電池との間に電気的接続を設けるステップを含む、方法。
低融点半田構成要素は、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５８）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）、Ｓｎ（４２）／Ｂｉ（５７）／Ａｇ（１）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｂｉ（７０−３０）／Ａｇ（０−５）、Ｓｎ（５０）／Ｉｎ（５０）、Ｓｎ（３０−５０）／Ｉｎ（７０−３０）、Ｉｎ（９７）／Ａｇ（３）、Ｉｎ（９０−１００）／Ａｇ（０−１０）、Ｓｎ（５０）／Ｐｂ（３２）／Ｃｄ（１８）、Ｓｎ（３０−６０）／Ｐｂ（２０−４０）／Ｃｄ（１０−３０）、Ｓｎ（４３）／Ｐｂ（４３）／Ｂｉ（１４）およびＳｎ（３０−５０）／Ｐｂ（３０−５０）／Ｂｉ（５−２０）からなるグループから選択される低融点半田として構成される、請求項１３に記載の方法。
加えられた熱を用い、１５０℃以下の温度を用いて太陽電池アセンブリを同時に積層するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。