JPH07169908A - はんだ付け方法、半導体装置の製造方法及び複合はんだ板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】はんだ板の融点より低い温度ではんだ付けする
ことにより、接合部に応力及びボイドが残留せず、しか
も耐熱性が高い接合構造を実現すること。 【構成】複合はんだ板１１は、厚さが約１００μｍの中
央層たるはんだ板本体１１ａと、厚さが約１μｍの両側
層たる低融点はんだ層１１ｂとから構成された３層構造
になっている。ここで、はんだ板本体１１ａの融点は約
３１８℃であり、低融点はんだ層１１ｂの融点は約２９
８℃である。この構成の複合はんだ板１１は、低融点は
んだ層１１ｂの融点からはんだ板本体１１ａの融点まで
の範囲の温度、約３００℃のはんだ付け温度で使用され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電極部等
の接合に使用されるはんだ付け方法、半導体装置の製造
方法及びはんだ材に関し、特に、低融点はんだ層を利用
したはんだ付け技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｐｂ−Ｓｎ合金に代表されるはんだ板を
使用した接合方法は、広い分野に使用されており、半導
体装置の製造工程においても、各部材の接合に利用され
ている。例えば、高耐圧整流素子は、図６に示す如く、
シリコン半導体片８１ａの積層体８１を有しており、各
シリコン半導体片８１ａははんだ層（はんだ板）８２を
介して接合されている。かかる接合構造は、シリコン半
導体片８１ａの両面側にニッケルめっき電極層８３を形
成しておき、各シリコン半導体片８１ａの間にはんだ板
８２を挟み合わせた状態で、はんだの融点より約２０〜
５０℃高い温度に加熱することにより形成される。同様
に、銅リード端子８４と積層体８１との接合構造も、こ
れらの間にはんだ板８５を挟み込んだ状態で、はんだの
融点より高い温度に加熱することにより形成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
はんだ付け方法は、はんだ板８２，８５を融点以上の高
温度に加熱して溶融し、ニッケルめっき電極層８３、銅
リード端子８４の表面層にＳｎ原子等を拡散させて接合
するため、以下の問題点を有する。

【０００４】 はんだ板８２を融点以上の温度に高め
ると、ニッケルめっき電極層８３、銅リード端子８４も
加熱されて膨張する。この状態から、はんだ層８２が冷
却されて固化すると、はんだ板８２及び各被接合材の熱
膨張率が異なるため、接合部周囲に応力が残留する。こ
の残留応力は、接合部分の強度低下をもたらし、高耐圧
整流素子の信頼性を低下させる。かかる残留応力の発生
を防止するために、低融点のはんだを使用する方法があ
るが、この方法を採用すると接合部の耐熱性が低下する
という問題が発生するため、好ましくない。

【０００５】 はんだ板８２全体が溶融し液状となる
ため、溶融したはんだ内部に、例えば被接合材の表面ま
たは内部から発生した気泡が侵入しやすい状態となる。
侵入した気泡がはんだ内部に包含されたまま、はんだ層
が固化し、接合後のはんだ層内部にボイドが残留する
と、接合強度の低下と共に、熱抵抗特性が低下する。か
かるボイドの発生は、はんだの液相線温度と固相線温度
の間の温度ではんだ付けすることにより解消されるが、
温度差が小さい場合には、温度制御が困難である。

【０００６】しかも、はんだの液相線温度と固相線温度
は、はんだ組成により規定される性質のものであり、温
度差を拡張するには、はんだ組成を変更する必要があ
る。しかし、はんだ組成は、電気特性、機械的強度、熱
抵抗特性等から規定され、組成変更に対し制限があるた
め、実用的な対策にはなり得ない。

【０００７】以上の問題点に鑑み、本発明の課題は、は
んだ接合部の特性を変えることなく、低温でのはんだ付
けを可能にし、接合部に応力及びボイドが残留しない接
合構造を形成可能なはんだ付け方法、半導体装置の製造
方法及び複合はんだ板を実現することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明に係るはんだ付け方法においては、被接合
材、または、これに接合すべきＰｂ−Ｓｎ合金に代表さ
れるはんだ材の接合面側に、はんだ材の融点に比して低
い融点の低融点はんだ層を形成しておき、低融点はんだ
層の融点以上、かつ、はんだ材の融点以下の温度で、被
接合材及びはんだ材の接合面同士を接合する。

【０００９】この場合に、低融点はんだ層がはんだ付け
後の接合部の組成に大きく影響して、接合部の電気特
性、機械的強度、熱抵抗特性等が低下することを防ぐ目
的に、低融点はんだ層の厚さが約０．１μｍから約１０
μｍまでの範囲であることが好ましい。

【００１０】上記のはんだ付け方法には、Ｐｂ−Ｓｎ合
金に代表されるはんだ材たるはんだ板が、その少なくと
も一方の面側に、はんだ板本体の融点に比して低融点の
低融点はんだ層を備える複合はんだ板を使用することが
できる。

【００１１】ここで、はんだ板本体と低融点はんだ層と
の界面が、明確な組成の差を有する階段形接合状、また
は連続的に組成が変化する傾斜形接合状のいずれの状態
にあってもよい。また、複合はんだ板は、はんだ板本体
を構成する金属種から構成されたもの、または、他の金
属種が添加されたもののいずれであってもよい。

【００１２】かかる複合はんだ板を半導体装置の製造工
程に使用する場合には、はんだ付け後、はんだ板本体と
低融点はんだ層とが完全に均質化し、接合部の組成が均
一になることが必要であるため、はんだ板の厚さが約３
０μｍから約２００μｍまでの範囲であって、低融点は
んだ層の厚さが約０．１μｍから約１０μｍまでの範囲
であることが好ましい。

【００１３】

【作用】本発明に係るはんだ付け方法及びはんだ板にお
いて、はんだ材たる複合はんだ板の低融点はんだ層と被
接合材とを接触させた状態で、低融点はんだ層の融点以
上で、はんだ板本体の融点以下の温度をはんだ付け温度
として設定して、加熱すると、低融点はんだ層が溶融し
て、低融点はんだ層と被接合材の界面において形成され
る合金層または金属結合によって、被接合材と複合はん
だ板とは接合する。ここで、複合はんだ板の温度がはん
だ板本体の融点以下であるため、はんだ板本体は溶融し
ないが、はんだ板と溶融状態の低融点はんだ層との界面
においては金属原子の相互拡散が生じ、低融点はんだ層
から拡散してきた金属原子により、はんだ板の表面側
は、融点の低い組成に変化して溶融する。このため、は
んだ板の表面側と低融点はんだ層とは、組成が均質化
し、さらに、冷却した後も、金属原子の拡散は進行する
ため、複合はんだ板全体が均一な組成を有するはんだ層
となる。よって、高い温度ではんだ付けすることによる
弊害が発生することなく、高融点のはんだ層で接合部を
形成できる。すなわち、はんだ付けの熱による各部材の
熱膨張が小さいので、各部材の熱膨張率が大きく異なっ
ていても、接合部には応力が残留せず、また、はんだ付
け温度が低く、低融点はんだ層とはんだ板の表面のみが
溶融するので、気泡の発生が抑制され、接合部内にボイ
ドが残留しない。

【００１４】なお、低融点はんだ層を被接合材の接合面
側に形成しておいても、上記と同様な現象を発生させる
ことができ、低い温度でのはんだ付けを実現できる。

【００１５】

【実施例】〔実施例１〕次に、本発明の実施例１に係る
複合はんだ板及びはんだ付け方法を説明する。

【００１６】図１は、本例の複合はんだ板の構造を示す
断面図である。

【００１７】図１において、１１は複合はんだ板であ
り、厚さが約１００μｍの中央層たるはんだ板本体１１
ａ（はんだ材）と、厚さが約１μｍの両側層たる低融点
はんだ層１１ｂとから構成された３層構造になってい
る。ここで、はんだ板本体１１ａは約９８ｗｔ％のＰｂ
と約２ｗｔ％のＳｎからなり、その融点は約３１８℃で
ある。一方、低融点はんだ層１１ｂは約９０ｗｔ％のＰ
ｂと約１０ｗｔ％のＳｎからなり、その融点は約２９８
℃である。なお、低融点はんだ層１１ｂは、はんだ板本
体１１ａの表面に電気めっきにより形成されたものであ
る。

【００１８】この構成の複合はんだ板１１を使用して製
造した高耐圧整流素子の構造を、図２を参照して、説明
する。

【００１９】図２（ａ）は高耐圧整流素子の断面図であ
る。

【００２０】図において、高耐圧整流素子１０のシリコ
ン半導体片（被接合材）１２の表面には、ドナー及びア
クセプタが拡散された半導体領域が形成されており、そ
の表面側にはニッケル・リンめっきにより形成されたニ
ッケルめっき電極層１２ａを有している。かかるシリコ
ン半導体片１２は、はんだ層１１ｃにより接合されて３
層の積層体１３を形成している。また、積層体１３の両
側には、接続部１４ａとリード部１４ｂからなる銅リー
ド端子１４が、はんだ層１１ｄにより接合されており、
積層体１３及び銅リード端子１４は、その側面にインナ
ーコーティングされたＪＣＲ層１５と、さらに外側のモ
ールド樹脂１６によって樹脂封止されている。ここで、
はんだ層１１ｃは、図１の複合はんだ板１１において、
はんだ付け時の熱により、はんだ板本体１１ａと低融点
はんだ層１１ｂとが均質化されて形成された層である。
また、はんだ層１１ｄも、図１の複合はんだ板１１にお
いて、はんだ付け時の熱により、はんだ板本体１１ａと
低融点はんだ層１１ｂとが均質化されて形成された層で
ある。従って、はんだ付けにより、複合はんだ板１１
が、はんだ層１１ｃ，１１ｄに変化しないものとして、
高耐圧整流素子の断面図を示すと、図２（ｂ）のように
なる。

【００２１】この構成の高耐圧整流素子１０の製造工程
（はんだ付け工程）を、図３を参照して、説明する。

【００２２】図３（ａ）において、１１は複合はんだ板
であり、はんだ板本体１１ａと低融点はんだ層１１ｂを
有する。また、１２はシリコン半導体片であり、その表
面には、ニッケルめっき電極層１２ａを有する。

【００２３】まず、図３（ｂ）に示す如く、複合はんだ
板１１をシリコン半導体片（被接合材）１２で挟み込ん
だ状態で、高周波誘導加熱装置を利用して、３００±
０．１℃にまで加熱すると、融点が約２９８℃である低
融点はんだ層１１ｂは溶融し、低融点はんだ層１１ｂと
ニッケルめっき電極層１２ａとは、その界面において形
成される合金層または金属結合によって接合される。一
方、はんだ板本体１１ａは溶融しないが、低融点はんだ
層１１ｂとはんだ板本体１１ａとの界面での金属原子の
相互拡散により、図３（ｃ）に示す如く、金属原子が低
融点はんだ層１１ｂからはんだ板本体１１ａに拡散し
て、はんだ板本体１１ａの表面側の組成を低融点の組成
に変化させる結果、はんだ板本体１１ａの表面側も溶融
する。その故、低融点はんだ層１１ｂとはんだ板本体１
１ａとは均質化し、さらに、冷却された以降も、金属原
子の相互拡散は進行して、図３（ｄ）に示す如く、複合
はんだ板１１は、組成が均一なはんだ層１１ｃとなる。

【００２４】一方、積層体１３と銅リード端子１４との
はんだ付け工程においても、同様に、複合はんだ板１１
を、積層体１３と銅リード端子１４とで挟み込んだ状態
で、リフロー炉を利用して、約３００にまで加熱する
と、融点が約２９８℃である低融点はんだ層１１ｂは溶
融する。一方、はんだ板本体１１ａは溶融しないが、そ
の表面層は、低融点はんだ層１１ｂから拡散してきた金
属原子により、融点が低下し溶融する。その結果、補助
層１４ｂとはんだ板１４ａとは均質化し、さらに、冷却
された以降も、金属原子の相互拡散は進行して、複合は
んだ板１１は、組成が均一なはんだ層１１ｄとなる。

【００２５】ここで、低融点はんだ層１１ｂ及びはんだ
板本体１１ａは、いずれもＰｂ−Ｓｎ合金であり、低融
点はんだ層１１ｂの厚さが、はんだ板本体１１ａに比し
て薄いため、低融点はんだ層１１ｂは、はんだ層１１
ｃ，１１ｄの組成にほとんど影響を与えず、はんだ層１
１ｃ，１１ｄの組成は、はんだ板本体１１ａの組成と同
等組成、すなわち、約３１８℃の融点を有する層になっ
ている。従って、低いはんだ付け温度で、はんだ板本体
１１ａを使用した場合と同等の耐熱性を有する接合部を
形成できるので、各被接合材の熱膨張が小さく、各部材
の熱膨張率が大きく異なっていても、接合部には応力が
残留しない。また、加熱温度が低く、低融点はんだ層１
１ｂ及びはんだ板本体１１ａの表面のみが溶融状態にな
るため、気泡の発生が極めて抑制される。その結果、は
んだ板本体１１ａと同一組成の約９８ｗｔ％のＰｂと約
２ｗｔ％のＳｎからなるはんだ板を使用して、約３５０
℃の温度ではんだ付けした場合に比較して、ボイド量
を、約１／１０にまで低減できる。それ故、接合部の信
頼性が高い高耐圧整流素子１０を実現できる。

【００２６】〔実施例２〕本発明の実施例２について、
図４を参照して、説明する。

【００２７】図４は、実施例２に係る複合はんだ板、及
びこの複合はんだ板を使用して製造した電力用増幅器の
断面図である。

【００２８】図４において、２１は電力用増幅器であ
り、銅放熱板２２の表面と、アルミナ基板２３の下面側
の銅配線層２３ａとは、共晶はんだ層２４によってはん
だ付けされている。さらに、アルミナ基板２３の上面側
の銅配線層２３ｂの表面と、シリコン半導体片２４の下
面側のニッケルめっき電極層２４ａとは、複合はんだ板
２５によってはんだ付けされている。ここで、複合はん
だ板２５は、融点が約２９７℃のＰｂ−Ｓｎ合金からな
るはんだ板本体２５ａ（はんだ材）と、その両面側の融
点が約１６７℃のＰｂ−Ｓｎ合金からなる低融点はんだ
層２５ｂとからなる３層構造を有する。この構成の複合
はんだ板２５は、はんだ板本体２５ａと２枚の低融点は
んだ層２５ｂとを重ね合わせて圧延することにより形成
されたものである。なお、複合はんだ板２５は、はんだ
付け後においては、はんだ板本体２５ａと低融点はんだ
層２５ｂとは組成が均一化されたはんだ層になってい
る。さらに、シリコン半導体片２４の側方位置では、銅
リード端子２６が、アルミナ基板２３の上面側の銅配線
層２３ｂの表面に、複合はんだ板２７によってはんだ付
けされている。この複合はんだ板２７も、複合はんだ板
２５と同様に、融点が約２９７℃のＰｂ−Ｓｎ合金から
なるはんだ板２７ａと、その両面側に形成され、融点が
約１６７℃のＰｂ−Ｓｎ合金からなる低融点はんだ層２
７ｂとからなる３層構造を有し、はんだ付け後において
は、はんだ板２７ａと低融点はんだ層２７ｂとは組成が
均一化されたはんだ層になっている。かかる銅リード端
子２６と、シリコン半導体片２４の上面側のニッケルめ
っき電極層２４ｂとは、アルミニウムワイヤー２８によ
り電気的接続されている。ここで、回路素子はプラスチ
ックケース２９によりケーシングされ、このプラスチッ
クケース２９の内部には、シリコンゲル２９ａが充填さ
れている。

【００２９】かかる電力用増幅器２１の製造工程（はん
だ付け工程）は、銅配線層２３ｂの表面とニッケルめっ
き電極層２４ａとの間に複合はんだ板２５を、また銅リ
ード端子２６と銅配線層２３ｂとの間には複合はんだ板
２７を挟んだ状態で、約２３０℃の温度にまで加熱して
行なわれる。

【００３０】従って、温度が約２３０℃の加熱条件で
は、融点が約１６７℃である低融点はんだ層２５ｂ，２
７ｂは溶融し、銅配線層２３ｂとニッケルめっき電極層
２４ａ、銅リード端子２６と銅配線層２３ｂとは、複合
はんだ板２５を介して接合されるが、融点が約２９７℃
であるはんだ板本体２５ａ，２７ａは溶融しない。しか
しながら、溶融した低融点はんだ層２５ｂ，２７ｂとは
んだ板本体２５ａ，２７ａの界面において、Ｓｎ原子が
相互拡散すると、はんだ板本体２５ａ，２７ａの表面層
の組成が低融点の組成に変化し、はんだ板本体２５ａ，
２７ａの表面層も溶融状態となる。このため、低融点は
んだ層２５ｂ，２７ｂとはんだ板本体２５ａ，２７ａと
は均質化さら、さらに冷却された以降も、金属原子の相
互拡散は進行する。しかも、低融点はんだ層２５ｂ，２
７ｂとはんだ板本体２５ａ，２７ａは、いずれもＰｂ−
Ｓｎ合金であって、低融点はんだ層２５ｂ，２７ｂの厚
さは、はんだ板本体２５ａ，２７ａの厚さに比して薄
い。このため、はんだ付け後、複合はんだ板２５全体が
はんだ板本体２５ａ，２７ａと略同一組成のはんだ層と
なり、銅配線層２３ｂとニッケルめっき電極層２４ａ、
銅リード端子２６と銅配線層２３ｂとが、実質的には、
高融点のはんだ板本体２５ａ，２７ａではんだ付けされ
た接合構造となっているので、これらの接合部の耐熱性
が高い。

【００３１】また、本例におけるはんだ付け温度は、約
２３０℃の温度であり、融点が約２９７℃であるはんだ
板本体２５ａ，２７ａ自身を使用した場合のように、約
３６０℃にまで加熱する必要がないため、各部材への熱
ストレスが小さい。それ故、アルミナ基板２２の割れ等
により発生した不良率が約１０分の１にまで低下でき、
電力用増幅器２１の歩留りが向上する。しかも、溶融部
分が小さいため、接合部にボイドも残留しにくいので、
電力用増幅器２１の信頼性も向上する。さらに、はんだ
付け工程において使用する加熱用電気量をも削減するこ
とができる。

【００３２】〔実施例３〕本発明の実施例３について、
図５を参照して、説明する。

【００３３】図５は、実施例３に係る低融点はんだ層、
及びこの低融点はんだ層を利用して製造したメサ型整流
素子の断面図である。

【００３４】図５において、３１はメサ型整流素子であ
り、シリコン半導体片３２の両面側には、ニッケルめっ
き電極層３２ａが形成されている。さらに、その表面側
には、融点が約１８３℃のＰｂ−Ｓｎ合金たる低融点は
んだ層３３が形成されている。一方、その両端側に接続
されている銅リード端子３４の接合面側にも、融点が約
１８３℃のＰｂ−Ｓｎ合金たる低融点はんだ層３５が形
成されている。この構成のシリコン半導体片３２及び銅
リード端子３４は、融点が約１８３℃のＰｂ−Ｓｎ合金
を溶融し、ここに、シリコン半導体片３２及び銅リード
端子３４をディップすることにより形成されたものであ
る。かかる銅リード端子３４の接合面側と、シリコン半
導体片３２の接合面側との間には、それぞれ、融点が約
３１８℃のＰｂ−Ｓｎ合金たるはんだ板３６（はんだ
材）が挟まれている。ここで、はんだ板３６と、低融点
はんだ層３３、低融点はんだ層３５とは、はんだ付け
後、組成が均一化されたはんだ層になっている。さら
に、シリコン半導体片３２及び銅リード端子３４は、そ
の側面がＪＣＲ層によりインナーコートされた状態で、
樹脂封止されている。

【００３５】かかるメサ型整流素子３１の製造工程（は
んだ付け工程）は、シリコン半導体片３２と銅リード端
子３４との間にはんだ板３６を挟んだ状態で保持した状
態で、約２５０℃の温度にまで加熱して行なわれる。

【００３６】従って、温度が約２５０℃の加熱条件で
は、融点が約１８３℃である低融点はんだ層３３，３５
は溶融し、シリコン半導体片３２と銅リード端子３４と
は、低融点はんだ層３３，３５及びはんだ板３６を介し
て接合されるが、融点が約３１８℃であるはんだ板３６
は溶融しない。しかしながら、溶融した低融点はんだ層
３３，３５とはんだ板３６の界面においては、Ｓｎ原子
が相互拡散するため、はんだ板３６の両表面層の組成が
低融点の組成に変化し、はんだ板３５の両表面層も溶融
状態となる。従って、低融点はんだ層３３，３５とはん
だ板３６とは均質化し、冷却された以降も、Ｓｎ原子の
相互拡散が進行する。しかも、低融点はんだ層３３，３
５とはんだ板３６は、いずれもＰｂ−Ｓｎ合金であっ
て、低融点はんだ層３３，３５の厚さは、はんだ板３６
の厚さに比して薄いため、はんだ付け後のはんだ層の組
成は、はんだ板３６と略同一組成になる。従って、シリ
コン半導体片３２と銅リード端子３４とは、実質的に
は、高融点のはんだ層で接合された状態になっているの
で、これらの接合部の耐熱性が高い。また、はんだ付け
温度が低いので、各部材への熱ストレスが小さく、はん
だ付け後の接合部周囲に大きな応力が残留しない。さら
に、発生する気体量が抑えられ、溶融する部分も小さい
ため、ボイドの残留も抑制される。その結果、はんだ板
３６のみを使用し、約３５０℃でのはんだ付けにより製
造したメサ型整流素子に比較して、ヒートサイクル特性
が約１０倍向上し、また、はんだ付け工程における加熱
用電気量を削減することもできる。

【００３７】以上のとおり、いずれの実施例において
も、低融点はんだ層を利用して、低温ではんだ付けする
ことにより、はんだ付け温度が高い場合の弊害が発生す
ることを防止しているので、信頼性の高い接合部を形成
している。

【００３８】さらに、低融点はんだ層の厚さを０．１〜
１０μｍに変えて、またはんだ板の厚さを３０〜２００
μｍに変えて、さらには、被接合材を変えて評価を行な
ったが、いずれの組合せにおいても、低いはんだ付け温
度で耐熱性が高い接合構造を得ることができた。

【００３９】なお、低融点はんだ層の組成は、はんだ板
本体に使用されている金属種に限定されるものではな
く、これらの金属種が主成分であれば、他の成分を添加
してもよいものである。

【００４０】

【発明の効果】以上のとおり、本発明においては、はん
だ材たるはんだ板の少なくとも一方の面側に、または被
接合材の接合面側に、低融点はんだ層を形成しておくこ
とに特徴を有する。従って、本発明によれば、以下の効
果を奏する。

【００４１】 低融点はんだ層が溶融可能な温度であ
れば、はんだ材本体の融点以下の温度であっても、はん
だ付け後には、低融点はんだ層とはんだ材本体とは、組
成が均一化されたはんだ層を形成する。従って、高温度
ではんだ付けする必要がないので、接合部に応力及びボ
イドが残留することなく、耐熱性が高い接合構造を形成
することができる。また、はんだ付け工程で使用する電
力量を低減することもできる。

【００４２】 低融点はんだ層の厚さが、約０．１μ
ｍから約１０μｍまでの範囲であってはんだ板本体に比
して薄い場合には、はんだ付け後に形成されるはんだ層
の組成が確実に均一化されると共に、低融点はんだ層の
組成が、接合部の特性に影響を与えないので、はんだ層
全体が耐熱性の高い接合部となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る複合はんだ板の構造を
示す断面図である。

【図２】本発明の実施例１に係る複合はんだ板を使用し
て製造した高耐圧整流素子の断面図である。

【図３】図２の高耐圧整流素子の製造工程におけるはん
だ付け工程を示す工程断面図である。

【図４】本発明の実施例２に係る複合はんだ板、及びこ
の複合はんだ板を使用して製造した電力用増幅器の断面
図である。

【図５】本発明の実施例３に係る低融点はんだ層、及び
この低融点はんだ層を利用して製造したメサ型整流素子
の断面図である。

【図６】従来のはんだ板を使用して製造した高耐圧整流
素子の断面図である。

【符号の説明】

１０・・・高耐圧整流素子 １１，２５・・・複合はんだ板 １１ａ，２５ａ・・・はんだ板本体（はんだ材） １１ｂ，２５ｂ，３５・・・低融点はんだ層 ２１・・・電力用増幅器 ３１・・・メサ型整流素子 ３６・・・はんだ板（はんだ材）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被接合材及びはんだ材のうちの少なくとも
   一方の接合面側に、前記はんだ材の融点に比して低い融
   点の低融点はんだ層を形成しておき、前記低融点はんだ
   層の融点から前記はんだ材の融点までの範囲内の温度
   で、前記被接合材及び前記はんだ材の接合面同士を接合
   することを特徴とするはんだ付け方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記低融点はんだ層の
   厚さが約０．１μｍから約１０μｍまでの範囲であるこ
   とを特徴とするはんだ付け方法。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２記載のはんだ付け
   方法を用いたはんだ付け工程を有することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】はんだ板本体の少なくとも一方の面側に
   は、前記はんだ板本体の融点に比して低い融点の低融点
   はんだ層を備えていることを特徴とする複合はんだ板。
5. 【請求項５】請求項４において、前記はんだ板本体の厚
   さが約３０μｍから約２００μｍまでの範囲であって、
   前記低融点はんだ層の厚さが約０．１μｍから約１０μ
   ｍまでの範囲であることを特徴とする複合はんだ板。