JP2010503526A - レニウム含有トランスアルキル化触媒とその製造方法および使用 - Google Patents

Abstract

レニウム成分および、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩とモルデナイトを含む分子篩成分を含むトランスアルキル化触媒が、ベンゼン共沸物の含有量が低いトランスアルキル化生成物を提供する。本発明は、硫化触媒の態様、および該触媒の調製方法及び使用方法を包含する。

Description

本発明は、改良された触媒と、該触媒の調製方法と、該触媒を使用するアルキル芳香族化合物のトランスアルキル化の方法とに関する。前記触媒は、低いベンゼン共沸物（ｃｏ−ｂｏｉｌｅｒ）を有する所望のトランスアルキル化生成物を得るために、８０未満のＳｉ／Ａｌ_２モル比を有する酸性ＭＦＩ分子篩成分と、モルデナイト成分と、レニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含み、硫黄成分を含んでもよい。前記触媒はまた、トルエンの不均化および、エチル基およびメチルエチルベンゼン等のアルキルベンゼンのより高次のアルキル基の脱アルキル化にも適している。

キシレン異性体は、種々の重要な化成物用の供給原料として、石油から多量に生産されている。最も重要なキシレン異性体は、ポリエステル用の主な供給原料であるパラキシレンであり、これは多大な基本需要により高い成長率を維持している。オルトキシレンはフタル酸無水物の生成に使用され、大規模だが比較的成熟した市場に供給されている。メタキシレンはそれよりも小規模ではあるが、可塑剤、アゾ染料、木材プリザーバ（ｗｏｏｄ ｐｒｅｓｅｒｖｅｒ）といった製品用に、使用が増加してきている。ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌが出版しているＭｅｙｅｒｓのＨＡＮＤＢＯＯＫ ＯＦ ＰＥＴＲＯＬＥＵＭ ＲＥＦＩＮＩＮＧ ＰＲＯＣＥＳＳＥＳ，Ｓｅｃｏｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，１９９７の第２部では、芳香族複合体フロースキーム（ａｒｏｍａｔｉｃｓ ｃｏｍｐｌｅｘ ｆｌｏｗ ｓｃｈｅｍｅ）の先行技術を開示している。

一般的に、キシレン製造設備では種々の処理反応が行われる。ベンゼンおよび／またはトルエンが炭素数９以上の芳香族化合物と反応しキシレンを形成するトランスアルキル化がその一つである。他には、キシレンの非平衡混合物が異性化される、脱アルキル化も含む場合のあるキシレン異性化がある。更には、ベンゼンとキシレンを形成するトルエンの不均化もその一つである。

上記のトランスアルキル化においては、不都合な副反応が起こる場合がある。例えば、芳香環が飽和され、または開裂されることさえあり、ナフテンと非環式パラフィン（非芳香族）の副生成につながる場合もある。無論のこと、これらの非芳香族化合物の副生成は、貴重な芳香族化合物の消失につながる。加えて、ベンゼンはキシレン製造設備において求められる副生成物であることが多い。上記非芳香族化合物の中には、ベンゼンと似通った沸点を有するものがあるため（ベンゼン共沸物（ｃｏ−ｂｏｉｌｅｒ））、それらは容易に取り除くことができず、純度９９．８５パーセント以上のベンゼン生成物が頻繁に要求される商業用途で求められる純度のベンゼン生成物を達成できない。

米国特許第３，５６２，３４５号には、モルデナイト等のアルミノケイ酸塩を含有する、アルキル芳香族化合物のトランスアルキル化用または不均化用の触媒が開示されている。ＶＩＢ族金属およびＶＩＩＩ族金属等の触媒的に活性な金属がふくまれていてよい。

米国特許第４，８５７，６６６号には、モルデナイト上でのトランスアルキル化方法が開示されており、水蒸気非活性化（ｓｔｅａｍ ｄｅａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）または金属改質剤を触媒に組み入れることによりモルデナイトを改質することが示唆されている。

米国特許第５，００４，８５５号には、白金、ニッケルまたはレニウム等の水素化金属および酸性ゼオライトを含有する、エチルベンゼンの脱アルキル化用の触媒が開示されている。同号には、使用前に触媒が硫化処理されることが提示されている。同号には、レニウムを硫化物への転換が可能な任意の方法が採用できることが提示されているが、室温〜５００℃の温度での硫化水素を用いた硫化が好まれる。この硫化処理は、使用直前または空気中での活性化のための焼成に先がけて、反応容器中で行える。硫化により、触媒の活性が増加するとされており、副反応によるキシレンの消失が減少すると言われている。

米国特許第５，７６３，７２０号には、ゼオライトを含む触媒上での炭素数９以上の芳香族の転換のトランスアルキル化方法が開示されており、このゼオライトは非晶質シリカアルミナ、ＭＣＭ−２２、ＺＳＭ−１２およびゼオライトベータを含む長大なリストに例示されていて、該触媒は更に白金等のＶＩＩＩ族金属を含んでいる。

米国特許第５，９４２，６５１号には、触媒を含む２種類のゼオライト存在下でのトランスアルキル化方法が開示されている。１つ目のゼオライト触媒は、ＭＣＭ−２２、ＰＳＨ−３、ＳＳＺ−２５、ＺＳＭ−１２およびゼオライトベータから成る群から選択される。２つ目のゼオライト触媒はＺＳＭ−５を含み、飽和共沸物の濃度を下げて高純度ベンゼン生成物を製造するのに使用される。

米国特許第５，９５２，５３６号には、ＳＳＺ−２６、Ａ１−ＳＳＺ−３３、ＣＩＴ−１、ＳＳＺ−３５およびＳＳＺ−４４から成る群から選択されるゼオライトを含む触媒を使用するトランスアルキル化方法が開示されている。前記触媒は、ニッケルやパラジウム等のマイルドな水素化金属も含み、ベンゼンを含む１個以上のアルキル基を持つ芳香族化合物の転換に使用されてもよい。

米国特許第５，８４７，２５６号には、触媒上での、エチル基を持つ炭素数９のアルキル芳香族化合物を含む供給原料からのキシレンの生成方法が開示されており、該触媒は、好ましくはモルデナイトであるゼオライト成分と、好ましくはレニウムである金属成分を含む。

米国特許第６，０６０，４１７号には、アルキル芳香族化合物のトランスアルキル化の触媒とその方法が開示されており、該触媒はモルデナイト、無機酸化物および／または粘土、更にレニウム、白金、およびニッケルの金属成分を１つ以上を含んでいる。米国特許第６，３５９，１８４号も参照されたし。

米国特許第６，８６７，３４０号には、担体とその担体上に金属成分を持つ不均化／トランスアルキル化触媒が開示されている。前記金属成分は、白金およびスズまたは鉛のいずれかあり、前記担体は、モルデナイトおよび／または所定のＡｌ／Ｓｉ_２比のベータゼオライトを含み、所定のＡｌ／Ｓｉ_２比のＺＳＭ−５ゼオライトを含んでいてもよく、結合剤を含む。前記触媒の利点は、キシレンを高収率で生じることおよび触媒の不活性化を抑制することにあると言われる。

米国特許第６，８７２，８６６号には、ゼオライトベータとペンタシル系ゼオライトを使用する液相キシレンの異性体化方法が開示されている。その触媒は、白金族金属等の水酸化金属成分およびレニウム、スズ、ゲルマニウム、鉛、コバルト、ニッケル、インジウム、ガリウム、亜鉛、ウラン、ジスプロシウム、タリウム、およびそれらの混合物等の改質剤を含んでいてもよい。

米国特許第２００５／００２６７７１号（現米国特許第７，２０２，１８９号）には、最大有効径が０．１６ｃｍの三葉形を有する炭素数８の芳香族への炭素数７、９、および１０の芳香族のトランスアルキル化用触媒が開示されている。前記触媒は、モルデナイト、ベータ、ＭＦＩ、シリカアルミナおよびそれらの混合物から成る群から選択される支持体を含む。前記触媒は更に、白金、スズ、鉛、インジウム、ゲルマニウム、レニウムまたはこれら成分の組み合わせから成る群から選択される支持体上に被着した随意的成分も含む。前記触媒は更に、好ましくはアルミナである結合剤を含んでいてもよい。支持体にはモルデナイトが好ましい。

米国特許第２００５／０２６６９７９号（現米国特許第７，２２０，８８５号）には、硫黄成分と、レニウム成分と、固体酸成分を含む、メタンの生成を減少させつつ芳香族化合物をキシレンへと転換するトランスアルキル化方法用の触媒が開示されている。この触媒は、モルデナイト、マザイト（ｍａｚｚｉｔｅ）、ゼオライトベータ、ＺＳＭ−１１、ＺＳＭ−１２、ＺＳＭ−２２、ＺＳＭ−２３、ＭＦＩトポロジーゼオライト、ＮＥＳ位相ゼオライト、ＥＵ−１、ＭＡＰＯ−３６、ＭＡＰＳＯ−３１、ＳＡＰＯ−５、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−４１及びシリカアルミナ等の固体酸成分を含む。前記硫黄成分は、公知のいずれの方法によって前記触媒に組み込まれてもよい。ｉｎ ｓｉｔｕおよび／またはｅｘ ｓｉｔｕでの硫黄処理のいずれか、またはそれらの組み合わせが好ましい。結果として得られる触媒の、レニウムに対する硫黄のモル比は、好ましくは０．１〜１．５未満である。ｅｘ ｓｉｔｕ硫化においては、前記触媒を硫黄源と０℃〜５００℃の温度範囲で接触させる。硫黄源は、典型的には硫化水素であり、前記触媒と直接または典型的には水素や窒素等の不活性ガスである担体ガスを介して接触させてもよい。１ｐｐｍモルの硫黄〜１０，０００ｐｐｍモルの硫黄の濃度範囲で炭化水素の供給流に触媒組成物を加えることにより、ｉｎ ｓｉｔｕで硫黄源を触媒組成物と接触させる処理ができる。適切な硫黄源の典型的な例には、二硫化炭素および、硫化メチル、硫化ジメチル、二硫化ジメチル、硫化ジエチルおよび硫化ジブチル等の硫化アルキルが含まれる。

モルデナイトは、その高いトランスアルキル化活性の理由から、トランスアルキル化方法用の触媒成分としての応用を見出されてきた。水素化成分としてのレニウムの添加は、トランスアルキル化方法での触媒の性能を大いに向上させてきた。トランスアルキル化条件下では、例えばメチルエチルベンゼンからのエチル置換基が典型的には芳香環から開裂され、エタンへと水素化されるはずである。問題の一つは、この反応が選択的でなくてはならないということである。従って、水素化は、エチレンをエタンに転換するのに充分であり、それでいて芳香環の水素化をもたらさないものでなければならない。水素化活性と環消失の回避との間で釣り合いが取れるように、従来のトランスアルキル化触媒は、一般的には０．２質量パーセント以下の比較的少量のレニウムを使用してきた。しかしながら、この低い金属添加量は、炭素数１０以上の芳香族化合物を含む供給物の場合は特に、所望よりも高い非活性化率を有する触媒をもたらす。キシレン生成ユニットからより高いキシレン値を回収するためには、これらの高次のアルキル芳香族化合物を含む供給物が有利である。ＭＦＩを含む他の分子篩がトランスアルキル化用に提案されている。従って、キシレン等の所望のアルキル芳香族化合物への転換の活性と選択性を有しつつ、それでいて低い環消失をもたらし、向上した安定性を有し、ベンゼン共沸物の含有量が低いベンゼン副生成物を提供する（すなわち、炭素数６および７の非芳香族化合物の含有量が低い）アルキル芳香族化合物のトランスアルキル化のための方法および触媒への需要が存在する。

定義
評価条件は以下の通りである；
供給原料（＋／−０．５質量パーセント）：
トルエン： ７５質量パーセント
トリメチルベンゼン： １０質量パーセント
メチルエチルベンゼン： １０質量パーセント
プロピルベンゼン： ２質量パーセント
ジメチルエチルベンゼン １質量パーセント
ジエチルベンゼン： ０．５質量パーセント
テトラメチルベンゼン ０．５質量パーセント
他のアルキル芳香族化合物およびベンゼン 少量
圧力：１７２５ｋＰａ（絶対圧力）
ＷＨＳＶ、ｈｒ^−１：４
Ｈ_２／ＨＣ：６
総転換率：３０質量パーセント

本明細書においては、値は「範囲」、「〜にわたって」、「〜間」等として提示される場合、該値は両端の値を含むものである。Ｈ_２／ＨＣとは、炭化水素に対する水素のモル比である。総転換率とは、供給物中の化合物の転換平均重量を指す。環消失はモルパーセントで表記され、トランスアルキル化反応器への供給物中の単環式芳香環のモル数と、供給物中の単環式芳香環に対するトランスアルキル化反応器からの流出物中の単環式芳香環のモル数との差異として測定される。ＭＣＰインデックスとは、触媒存在下の３８０℃、１７２５ｋＰａ（絶対圧力）で０．１質量パーセントのメチルシクロペンタンをベンゼン中に含み、毎時重量空間速度（ＷＨＳＶ）が４ｈｒ^−１で、メチルシクロペンタンに対する水素のモル比が６である供給物中でのメチルシクロペンタンの転換に基づきパーセントで表記される、供給物中のメチルシクロペンタンに対する生成物中のメチルシクロペンタンの比である。

発明の要旨
本発明によれば、非芳香族のベンゼン共沸物の副生成が比較的低量で、アルキル芳香族化合物のトランスアルキル化への好ましい活性と選択性を示す、レニウム含有触媒が提供される。本明細書においては、トランスアルキル化という用語は、アルキル芳香族間並びに内での、及びベンゼンとアルキル芳香族間でのトランスアルキル化を含むことを意図しており、そして、不均化（例えばトルエンのベンゼンとキシレンへの不均化）を含む。ある態様においては、トランスアルキル化触媒は、モルデナイト成分、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分、レニウム成分及びレニウム分散結合剤を含有する。他の態様においては、トランスアルキル化触媒は、さらに硫黄成分を含有し、その場合、レニウムに対する硫黄の原子比は０．２：１〜０．７：１である。そのような触媒は、所望の全体的な転換をもたらすだけでなく、低いベンゼン共沸物をもたらす。さらに、本発明の触媒は、高められた安定性と、そして、キシレンへのトランスアルキル化（特に、トランスアルキル化のための原料がトリメチルベンゼン及びメチルエチルベンゼンを含有する場合）における高められたキシレン収率を提供することができる。

本発明は、ある態様においては、モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、レニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む触媒を形成することと、ここで形成された触媒を、酸素雰囲気下、３７０℃〜６５０℃の温度範囲および０．５〜１０時間の条件下で酸化することと、ここで酸化された触媒を１００℃〜６５０℃の温度条件下で、水素を含むガス中で還元することとを含む、トランスアルキル化触媒の製造方法である。前記触媒が硫黄を含む場合、該硫黄は、レニウムに対する硫黄の原子比率が０．２：１〜０．７：１になるように、好ましくは０℃〜５００℃の温度で、周知のいずれの方法によって添加されてもよい。ある態様では、前記酸化された触媒の還元中に、１〜１０，０００ｐｐｍモルの濃度の硫黄が還元ガスに添加される。別の態様では、この還元／硫化の方法は、２００℃〜４００℃で炭化水素と共に還元ガス下で行われる。

ある様態においては、本発明はキシレンの生成方法であり、該方法は、炭素数７以上の芳香族炭化水素を含有する供給流を、モルデナイト、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分、レニウム成分及びレニウム分散結合剤を含有する触媒と、水素の存在を含む芳香族転換条件で接触させること、及び、増加したキシレン濃度を有する生成物流を生成すること、を含む。

発明の詳細な説明
使用方法
トランスアルキル化
本発明の方法は、軽（ｌｉｇｈｔｅｒ）（非置換または低置換度（ｌｅｓｓ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ））芳香族と重（ｈｅａｖｉｅｒ）高置換度（ｇｒｅａｔｅｒ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ）アルキル芳香族との間のトランスアルキル化により、軽画分の置換基数ないし重画分の置換基数の範囲の置換基数を持つアルキル芳香族化合物を生成すること、および置換芳香族の不均化して高置換度芳香族化合物および低置換度芳香族化合物を得ること（例えば、トルエンを不均化してキシレンとベンゼンを形成すること）を含む。前記軽芳香族化合物は０〜２個の置換基を有し、前記重芳香族化合物は２〜５個の置換基を有し、生成物の置換基数はそれら２つの置換基数の間となる。例えば、ベンゼンがメチルエチルベンゼンとトランスアルキル化され、トルエンとエチルベンゼンが得られてもよい。同様に、ベンゼンまたはトルエンがトリメチルベンゼンとトランスアルキル化され、キシレンを生じてもよい。例えばキシレン生成設備では、トランスアルキル化で副生成物としてベンゼンを生成するよりもベンゼンを消費することが好ましい場合がある。そのような場合、ベンゼンは前記軽芳香族の５〜８０質量パーセント、好ましくは１０〜６０質量パーセントを構成する。

従って、本発明の方法への供給流は、通常、一般式Ｃ_６Ｈ_{（６−ｎ）}Ｒ_ｎ（式中、ｎは０〜５の整数を表し、それぞれのＲはＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ_３Ｈ_７、またはＣ_４Ｈ_９のいずれの組み合わせでもよい）で表わされるアルキル芳香族炭化水素を含有する。適切なアルキル芳香族炭化水素には、例えば、本発明を限定するものではないが、トルエン、オルト−キシレン、メタ−キシレン、パラ−キシレン、エチルベンゼン、エチルトルエン、プロピルベンゼン、テトラメチルベンゼン、エチルジメチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチルプロピルベンゼン、エチルプロピルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−イソプロピルベンゼンおよびこれらの混合物が含まれる。特に炭素数１０の芳香族化合物が存在しキシレンが目的の生成物の場合、ベンゼンもまた存在してよい。

キシレンが求められる生成物の場合、該供給流は、好ましくは、軽画分としてトルエンを含みベンゼンを含んでも良く、重画分として１つ以上の炭素数９以上の芳香族化合物を含む。ある態様では、炭素数９以上の芳香族化合物に対するベンゼンおよびトルエンのモル比は０．１：１〜１０：１、好ましくは０．３：１〜１０：１、更により好ましくは０．４：１〜６：１である。目的の生成物がキシレンである場合の供給原料の好ましい成分は、炭素数９以上の芳香族化合物を含む重芳香族化合物流である。炭素数１０以上の芳香族化合物が、典型的には供給流の５０質量パーセント以下で含まれてもよい。重芳香族流化合物は、一般的に９０質量パーセント以上の芳香族化合物を含む。

供給原料は、水素の存在下、気相でトランスアルキル化されるのが好ましい。供給原料が気相でトランスアルキル化される場合、一般的には１モルのアルキル芳香族化合物当たり０．１モルないし供給流に含まれる全芳香族化合物１モル当たり１０モルの量で、水素が添加される。この芳香族化合物に対する水素の比は、炭化水素に対する水素の比ともいう。トランスアルキル化が液相で行われる場合、典型的な液体の芳香族供給原料に既に存在し溶解しているであろう以外には実質的に水素が存在しない状態で、トランスアルキル化が通常行われる。部分液相の場合、水素はアルキル芳香族化合物１モル当たり１モル未満の量で添加されてもよい。

トランスアルキル化の条件は、典型的には高温、例えば１００℃〜５４０℃、好ましくは２００℃〜５００℃である。商業設備ではしばしば、トランスアルキル化の温度は触媒活性の減少を補うように高温にされる。トランスアルキル化反応域への供給流は通常、まず反応域の流出物に対する間接的熱交換により加熱され、その後より高温の流物、蒸気または加熱炉との熱交換により反応温度まで加熱される。供給流はその後、本発明の触媒を含む独立した反応炉を１つ以上含んでいてもよい反応域を通過する。反応炉はどの適した種類および形態であってもよい。固定された円筒状触媒床を有する単一の反応槽の使用が好ましいが、所望により、移動触媒床を使用する他の反応形態または半径流式反応器を用いてもよい。

トランスアルキル化の条件には、１００ｋＰａ〜６ＭＰａ絶対圧力、好ましくは０．５〜５ＭＰａ絶対圧力が挙げられる。トランスアルキル化反応は、広範囲の空間速度で行なうことができる。毎時重量空間速度（ＷＨＳＶ）は一般的に、０．１〜２０ｈｒ^−１、好ましくは０．５〜１５ｈｒ^−１、そして殆どの場合１〜５ｈｒ^−１である。有利には、トランスアルキル化は、１０モルパーセント以上、好ましくは２０モルパーセント以上、そしてしばしば２０〜６０モルパーセントの重アルキル芳香族、例えば炭素数９以上の芳香族化合物、を消費するのに十分な他の条件下および反応時間で行われる。消費された重アルキル芳香族のうち、７０モルパーセント以上、最も好ましくは、少なくとも７５モルパーセントが、より低分子量の芳香族化合物に転換されるのが好ましい。キシレン生成設備用のキシレンが、アルキルトランス化の好ましい生成物である。

トランスアルキル化反応からの前記流出物は、典型的には、トランスアルキル化生成物に加え、未反応の軽芳香族および重芳香族を含有する。ナフテンやパラフィン等の副生成物も存在するであろう。典型的には、この流出物は、供給物に対する反応域への間接的熱交換によって冷却され、その後空気や冷却水の使用を介して更に冷却される。この流出物は、蒸留されてもよく、実質的に流出物に存在するすべての炭素数５以下の炭化水素がオーバーヘッド流に得られ、プロセスから除去される。同様または異なる蒸留においては、少なくとも一部の未反応の軽芳香族化合物が回収され再利用される。トランスアルキル化生成物画分が取り出され、重芳香族流が提供される。前記重芳香族流のすべてまたは一部が、トランスアルキル化域に再利用されてもよい。前記軽芳香族流のすべてまたは一部が、トランスアルキル化域に再利用されてもよい。

触媒の質量を基準にして０．４質量パーセント以上、好ましくは０．７質量パーセント以上の量でレニウムが存在する本発明の触媒は、その強化された安定性により、炭素数１０以上のアルキル芳香族化合物を含有する、トランスアルキル化の供給原料における使用を見出すことができる。それ故、トランスアルキル化への供給原料は、主に炭素数９の芳香族化合物を含むが、炭素数１０の芳香族化合物および少量の炭素数１１及びより高次のアルキル芳香族化合物も含む、キシレンカラムからの底部流（ｂｏｔｔｏｍｓ ｓｔｒｅａｍ）を含んでいてもよい。そのような場合においては、供給流に存在する炭素数１０以上の芳香族化合物は、全芳香族供給流の５質量パーセント以上、例えば５〜３０質量パーセントであってよい。

ある態様においては、芳香族供給流は、多環式芳香族化合物を含む。しばしば、供給流の終沸点（Ｅｎｄ Ｂｏｉｌｉｎｇ Ｐｏｉｎｔ）は、２１０℃以上であり、好ましくは２２０℃以上、そして時には２４０℃〜２８０℃および３４０℃〜３６０℃である。トランスアルキル化中、トランスアルキル化に加え、多環式芳香族化合物はその大部分が、しばしば５０質量パーセント以上、単環式芳香族化合物に転換される。従って、本発明のある局面によると、インダンおよびナフタレンを、アルキル基で置換されているか否かに関わらず、アルキル基で置換された単環式芳香族化合物に転換することが可能である。単環式芳香族化合物への転換におけるインダンおよびナフタレンの分解生成物は、アルキル部分源を提供できる。重要なことに、本発明の方法は、単環式部分を過度に消失することなく、多環式芳香族化合物を単環式芳香族化合物に転換することを可能にし、それ故、目的の単環式アルキル芳香族化合物に対する高い選択性を提供することを可能にする。

ある態様においては、トランスアルキル化条件は、トランスアルキル化への供給流の終沸点よりも５℃以上低い、更に好ましくは１０℃以上低い、トランスアルキル化生成物の終沸点を提供するに十分なものである。終沸点とは、ＡＳＴＭ法Ｄ２８８７模擬蒸留ガスクロマトグラフィー（ＡＳＴＭ Ｍｅｔｈｏｄ Ｄ２８８７ ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｔｉｌｌａｔｉｏｎ ＧＣ ｍｅｔｈｏｄ）で判定されるように、９９．５質量パーセントの試料が沸騰したであろう温度である。

ある態様においては、供給流中の多環式芳香族化合物は、供給流の全炭素数９以上の芳香族化合物の０．５質量パーセント、時には２質量パーセント以上、例えば５〜３０質量パーセントを構成する。キシレンが好ましい生成物の場合、供給流は、ベンゼンおよびトルエンの少なくともどちらかを含んでいることが好ましい。本発明の方法の別の態様においては、供給流は、キシレン生成設備でのキシレンカラムから得られるような炭素数９以上の芳香族を含む、より沸点が高い画分の少なくとも一部を含み、そしてトランスアルキル化は、ベンゼンおよびトルエンの少なくともどちらかと共に行われて、キシレン含有トランスアルキル化生成物を生ずる。

ある態様においては、本発明の方法は、しばしば、インダン、メチル基で置換されたインダン、ナフタレン、およびメチル基で置換されたナフタレンの少なくとも１つを含み、多環式芳香族化合物を含む炭素数９以上の芳香族化合物を含有する供給流を、モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２のモル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５質量パーセントのレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む触媒と、水素存在下ということを含むトランスアルキル化条件で接触させ、トランスアルキル化生成物を生ずることを含む。前記接触は、多環式芳香族化合物の少なくとも一部、好ましくは２５質量パーセント以上、最も好ましくは５０質量パーセントを転換するのに十分な時間をかけて行われる。

不均化
不均化用の供給原料は、より価値のあるアルキル芳香族化合物を得るために、一般式Ｃ_６Ｈ_{（６−ｎ）}Ｒ_ｎ（式中、ｎは０〜５の変数であり、ＲはＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ_３Ｈ_７、またはＣ_４Ｈ_９のいずれの組み合わせでもよい）で表わされるアルキル芳香族炭化水素を含有する。適切なアルキル芳香族炭化水素には、例えば、本発明を限定するものではないが、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、エチルトルエン、プロピルベンゼン、テトラメチルベンゼン、エチルジメチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチルプロピルベンゼン、エチルプロピルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−イソプロピルベンゼンおよびこれらの混合物が含まれる。

供給原料は、好ましくはトルエンを含み、炭素数９の芳香族化合物との組み合わせで含んでいてもよく、１種類以上の原料に由来することが適切である。前記供給原料は、例えばナフサから接触改質または熱分解とそれに続く芳香族リッチな生成物を得るための水素処理によって、合成的に生成されてもよい。前記供給原料は、芳香族炭化水素を芳香族炭化水素と非芳香族炭化水素の混合物から抽出し、その抽出物を分画することで得られる、適切な純度を持つような生成物に由来してもよい。好ましくは、供給原料は１０質量パーセント以下の非芳香族化合物を含んでいるはずであり、ベンゼンおよび炭素数８の芳香族化合物の含有量は、原理的には、これら芳香族からのトルエンの希釈に関する経済性により決定される。

従って、本発明は、不均化およびトランスアルキル化等、キシレンの生成方法を包含する。ある態様においては、本発明は、炭素数７以上の芳香族炭化水素を含む供給流と触媒とを、水素存在下ということを含む芳香族転換条件で接触させること、および供給流と比較してキシレン濃度が高い生成物流を生成することを含む。ここで前記触媒は、モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２のモル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５質量パーセントのレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む。

供給原料の好ましい成分は、炭素数９の芳香族化合物を含む重芳香族化合物流であり、それによってトルエンおよび炭素数９の芳香族化合物のトランスアルキル化を可能にし、さらにキシレンを生じる。トルエンをさらに得るために、ベンゼンをトランスアルキル化してもよい。炭素数８の芳香族生成物を高収率で得るのに好ましい成分ではないが、インダンが重芳香族流に存在していてもよい。炭素数１０以上の芳香族化合物も、好ましくは供給物の３０パーセント以下の量で存在していてよい。

不均化プロセスにおいては、供給物は通常、まず反応域の流出物に対する間接的な熱交換によって加熱され、その後さらに加熱炉内で加熱される。これによって得られる蒸気性流はその後、独立した反応器を１つ以上含んでいてもよい反応域を通過する。固定された円筒状触媒床を有する単一の反応槽の使用が好ましいが、所望により、移動触媒床を使用する他の反応形態または半径流式反応炉を用いてもよい。この混合された供給物が反応域を通過することで、水素および生成物と未転換の供給炭化水素の両方を含む蒸気性流出物流が生成される。この流出物は通常、反応域に入ってくる流れに対する間接的な熱交換で冷却され、その後外気や冷却水の使用を介して更に冷却される。流出物流の温度は通常、熱交換によって、実質的にすべての供給物と１分子当たり炭素数６以上の炭化水素生成物を凝縮させるのに十分な温度に下げられる。得られる混合相流は、２相が分離される蒸気相−液相分離機に通され、水素リッチな蒸気は、反応域へとリサイクルされる。分離機からの凝縮物は、ストリッピングカラム（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｃｏｌｕｍｎ）に通され、ここで流出物流に含まれるすべての炭素数５の炭化水素と軽炭化水素がオーバーヘッド流に濃縮され、プロセスから除去される。ここで不均化流出物流（ｄｉｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ ｅｆｆｌｕｅｎｔ ｓｔｒｅａｍ）と称される芳香族化合物に富んだ流れは、回収残留物純量（ｎｅｔ ｓｔｒｉｐｐｅｒ ｂｏｔｔｏｍｓ）として回収される。

不均化域で用いられる条件としては、２００℃〜６００℃、好ましくは３５０℃〜５７５℃の温度が含まれる。所望の転換度を維持するのに必要な温度は、工程中に触媒が徐々に活性を失うに連れて高くなるであろう。従って、標準的な工程終了温度は、工程開始温度を６５℃以上超える場合もある。

不均化域は、一般的に炭化水素に対する水素の比が０．２〜０．５の範囲で運転される。水素の炭化水素に対する比は、供給原料炭化水素に対して比較される遊離水素のモル比に基づき算出される。炭化水素に対する水素の比の、０．５を超える、好ましくは１〜５の範囲での断続的な増加は、軟質コークスの水素化による触媒の再活性化を可能にする。別の態様においては、炭化水素に対する水素の比は、不均化域内で１〜２の範囲である。

不均化域は、１００ｋＰａ〜６ＭＰａ絶対圧力という広範囲での、適度な高圧下で運転される。好ましい圧力範囲は、２〜３．５ＭＰａである。不均化反応は、広範囲の空間速度に渡って可能であり、高空間速度は転換率の犠牲のもとに高いパラキシレン比をもたらす。液体毎時速度は一般的に、０．２〜２０ｈｒ^−１の範囲内である。

キシレン異性化
芳香族異性化プロセスへの供給原料は、非平衡のキシレンとエチルベンゼンとを含有する。これらの芳香族化合物は、非平衡性混合物の状態にあり、すなわち、異性化条件での平衡濃度と実質的に異なる濃度で、炭素数８の芳香族異性体が１種類以上存在する。従って、１個または２個のキシレン異性体が単数または複数の他のキシレン異性体に対して平衡比率未満の状態で、非平衡性キシレン組成物が存在している。平衡比率未満にあるキシレンは、パラ−、メタ−およびオルト−異性体のいずれであってもよい。パラ−およびオルト−キシレンへの需要がメタ−キシレンへの需要より大きいことから、通常、供給原料はメタ−キシレンを含むことになる。一般的に、混合物は、１〜６０質量パーセントのエチルベンゼンと、０〜３５質量パーセントのオルト−キシレンと、２０〜９５質量パーセントのメタ−キシレンと、０〜３０質量パーセントのパラ−キシレンとを含むことになる。非平衡性混合物は通常、芳香族生成プロセスから得られる新たな炭素数８の芳香族混合物から、パラ−、オルト−および／またはメタ−キシレンを除去することにより生成される。前記供給原料は、他の成分を例えば、これらに限定されないが、ナフテンおよび非環式パラフィン、更に高分子量および低分子量の芳香族化合物を含んでいてもよい。

種々の石油精製流からの適切な画分に見出される、アルキル芳香族炭化水素を本発明で使用できる（例えば、独立した成分として、または接触分解されたまたは改質炭化水素を選択的に分留および蒸留することで得られる特定の沸点範囲を持つ画分として使用できる）。異性化可能な芳香族炭化水素の濃縮は、任意であり、本発明の方法は、接触改質ガソリン等のアルキル芳香族含有流を異性体化し、続いて芳香族化合物を抽出するまたはしないことで、指定のキシレン異性体の生成を、特にはパラキシレンの生成を可能にする。

本発明の方法によると、供給原料は、水素の存在下で、本明細書で説明する触媒を接触させる。固定床システム、移動床システム、流動床システムおよび沸騰床システムにおける触媒系の使用またはバッチ型操作において、接触が可能である。貴重な触媒の消費のおそれと、より単純な操作とを考慮した場合、固定床システムを用いるのが好ましい。このシステムにおいては、供給混合物は、必要に応じて他の流との熱交換等の適切な加熱手段で所望の反応温度に予熱され、その後触媒を含む異性化域に通される。異性化域は、それぞれの域への入口で所望の異性化温度を確実に維持するための適切な手段を間に有する、１つ以上の別々の反応器であってよい。反応物は、上向き、下向きまたは放射状流様式で、触媒床と接触させてよい。

異性化は、一般的に１００℃〜５５０℃以上の範囲内、好ましくは１５０℃〜５００℃の範囲の異性化温度等の異性化条件下で行われる。１０ｋＰａ〜５ＭＰａ絶対圧力が一般的であり、好ましくは１００ｋＰａ〜３ＭＰａ絶対圧力である。異性化条件には、炭化水素に対する水素のモル比が０．５：１〜６：１、好ましくは１：１または２：１〜５：１での水素の存在が含まれる。本発明の方法の利点の１つは、比較的水素の分圧が低くてもなお、異性化およびエチルベンゼン転換の目的の選択性と活性が得られることである。（触媒混合物中の分子篩の量に基づき計算される）十分な質量の触媒が異性化域に含まれることで、０．１〜５０ｈｒ^−１、好ましくは０．５〜２５ｈｒ^−１の、液体供給流（標準温度と標準気圧で通常は液体である成分）に対する毎時重量空間速度を得る。

異性化条件は、異性化が液体中、蒸気中、または少なくとも一部が蒸気相で行われるような条件であってよい。水素分配における便宜上、異性化は少なくとも一部が蒸気相で行われるのが好ましい。少なくとも一部が蒸気相で行われる場合、反応域に含まれる炭素数８の芳香族化合物の分圧は、その炭素数８の芳香族の５０質量パーセント以上が蒸気相に含まれるであろうと想定されるような分圧が好ましい。しばしば、異性化は、本質的にすべての炭素数８の芳香族化合物が蒸気相に含まれている状態で行われる。

通常、異性化条件は、供給流に含まれるエチルベンゼンの１０パーセント以上、好ましくは２０〜８０または９０パーセント、が転換されるのに十分なものである。一般的に、異性化条件は、キシレンの平衡状態への到達をもたらすものではない。しばしば、生成物流に含まれるキシレンのモル比は、異性化条件下において、平衡の８０パーセント以上、例えば８５〜９５パーセントである。異性化プロセスが例えばメタキシレンからパラキシレンを生成する場合、供給流は５質量パーセント未満のパラキシレンを含み、異性化生成物のキシレンに対するパラキシレンのモル比は、０．２０：１〜０．２５：１、好ましくは０．２３：１以上、最も好ましくは０．２３６：１以上となる。

触媒とその調製
本発明の触媒は、レニウム成分と、分子篩成分と、結合剤とを含有する。前記分子篩成分は、ＭＯＲおよび酸性ＭＦＩを含む。前記モルデナイトは、完成した触媒において、少なくとも一部が水素形態である。前記ＭＦＩは酸性で、つまり、アンモニア昇温脱離（Ａｍｍｏｎｉａ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ（アンモニアＴＰＤ））で測定されるように、０．１５以上の全酸度、好ましくは０．２５以上の全酸度、最も好ましくは０．４以上の全酸度、例えば０．４〜０．８の全酸度を有する。ＭＦＩ分子篩の全酸度は、本発明の触媒の調製に使用されるＭＦＩの全酸度でよく、または本発明の触媒の調製中に達成される酸度であってよい。典型的には、ＭＦＩ分子篩は、完成した触媒において、少なくとも一部が水素形態である。

アンモニアＴＰＤでは、まず分子篩の試料（２５０ミリグラム）を、ヘリウム雰囲気中の２０体積パーセントの酸素存在下で（流速１００ミリリットル／分）、５５０℃まで毎分５℃の割合で加熱する。１時間維持した後、ヘリウムをそのシステムを洗い流すのに使い（１５分）、試料を１５０℃まで冷却する。試料はその後、少量ずつのヘリウム中のアンモニアを１分間当たり４０ミリリットルとなるように断続的に加えて飽和させる。使用されるアンモニアの総量は、試料のすべての酸性部位を飽和するのに必要な量を大きく上回る。試料を８時間かけてヘリウムで一掃し（４０ミリリットル／分）、物理吸着アンモニアを除去する。ヘリウムでの一掃を継続しつつ、終温度である６００℃まで、毎分１０℃の割合で温度を上げる。キャリブレートした熱伝導度検出器を使って、吸着したアンモニア量をモニタリングする。積分で総アンモニア量を計算する。総アンモニア量を試料の乾燥重量で割り、全酸度を計算する。ここで使用されるように、全酸度の値は、乾燥試料１グラム当たりのアンモニアのミリモル数の単位で表わされる。

モルデナイトは、４０：１未満のＳｉ／Ａｌ_２モル比、好ましくは２５：１未満のＳｉ／Ａｌ_２モル比、最も好ましくは１５：１〜２５：１のＳｉ／Ａｌ_２モル比を有することが好ましい。しばしば、好ましいモルデナイトは、１０：１〜２０：１のＳｉ／Ａｌ_２モル比で合成される。モルデナイトはそのままの状態で使用しても良く、触媒への導入前にまたは後に脱アルミニウム化（ｄｅａｌｕｍｉｎａｔｅｄ）してもよい。

本発明の触媒に使用されるＭＦＩ分子篩は、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満、好ましくは４０未満、より好ましくは２５未満、例えば１５：１〜２５：１である。ＭＦＩは合成された状態で使用されても、脱アルミニウム化されてもよい。脱アルミニウム化すると触媒活性が改善されるが、過度の脱アルミニウム化は、より多いベンゼン共沸物を含むトランスアルキル化生成物をもたらす場合がある。理論に限定されることを望むわけではないが、脱アルミニウム化はＭＦＩ構造へのメソ多孔性の導入を引き起こす可能性がある。ＭＦＩ構造におけるメソ多孔性によって、全般的な転換率を改善することが可能だと考えられる。

脱アルミニウム化は、酸処理および蒸気処理等のいずれの適切な手法でも可能である。蒸気処理された分子篩を使用する場合、穏やかに蒸気処理を行うのが好ましい（例えば、２〜５０、好ましくは５〜３０体積パーセントの蒸気を使い、１００ｋＰａ〜２ＭＰａの圧力および６５０℃未満の温度、例えば５００℃〜６００℃、より好ましくは５５０℃〜６００℃の温度で行う）。分子篩が目的の触媒の形態（例えば、結合剤を使用して）となる前にまたは後に、蒸気焼成が起こってよい。所望の触媒は、触媒の形成後に蒸気処理して得られる。

モルデナイトに対するＭＦＩの質量比は、１：１０〜５：１の範囲、最も好ましくは１：１０〜１：１であることが好ましい。ある態様においては、モルデナイト成分は、触媒の２０〜８０質量パーセントを構成し、酸性ＭＦＩ分子篩成分は、触媒の１０〜７０質量パーセントを構成し、結合剤成分は、触媒の１〜４０質量パーセントを構成する。本発明の好ましい触媒においては、触媒は、評価条件下で４０質量パーセント以上のＭＣＰインデックスを有し、それでいて、評価条件下で２モルパーセント未満の環消失を示す。評価条件下において、本発明の好ましい触媒は、含まれるすべての炭素数６および７の非芳香族の質量が１０，０００百万分率未満、場合によっては５，０００百万分率未満である生成物を提供する。

触媒製造のための処理手法は、触媒の性能に影響を及ぼす。例えば、触媒的活性部位の閉塞が起こりえる。従って、特に含浸によってレニウムを触媒上に提供する場合、触媒の活性が過度に低下しないように、そして、トランスアルキル化生成物の、目標とする低い量のベンゼン共沸物量が得られるように、注意が払われるべきである。

触媒の加工を容易にし、強度を提供し、加工コストを低減するために、適切な耐熱性の結合剤または基質が用いられる。この結合剤は、レニウム成分の分散のための表面も提供し、従って、レニウム分散結合剤である。特に非イオンまたは陰イオンの形態でレニウムが触媒上に提供される場合、レニウムを分子篩中に引き込むためにイオン交換機構が使用できない。従って、結合剤がレニウムの分散を可能にしなければならない。適切な結合剤には、アルミナ、酸化マグネシウム、ジルコニア、酸化クロム、二酸化チタン、ボリア（ｂｏｒｉａ）、酸化トリウム、リン酸アルミニウム、および酸化亜鉛の１つまたは複数等の無機酸化物が含まれる。好ましい無機酸化物結合剤には、そのレニウム分散の特性により、アルミナ、特に遷移アルミナおよびガンマアルミナが含まれる。特に有用はアルミナは、Ｃａｔａｐａｌ（商標）Ｂおよび／またはＶｅｒｓａｌ（商標）２５０の商品名で市販されている。シリカは、典型的には良好なレニウム分散結合剤ではない。

分子篩は、触媒の５〜９９質量パーセントの範囲で存在してよく、耐熱性の無機酸化物は、１〜９５質量パーセントの範囲で存在してよい。おそらくレニウムが結合剤上に存在するであろうから、好ましくは、結合剤は、触媒の５質量パーセント以上の量、好ましくは１０〜４０質量パーセントの量で提供される。

分子篩成分は、１種類以上の分子篩を含む。分子篩には、以下に限定するものではないが、ＢＥＡ、ＭＴＷ、ＦＡＵ（ゼオライトＹ（立方形と六角形の両型）及びゼオライトＸの両方を含む）、ＭＯＲ、ＬＴＬ、ＩＴＨ、ＩＴＷ、ＭＥＬ、ＦＥＲ、ＴＯＮ、ＭＦＳ、ＩＷＷ、ＭＦＩ、ＥＵＯ、ＭＴＴ、ＨＥＵ、ＣＨＡ、ＥＲＩ、ＭＷＷ、ＬＴＡが含まれる。少なくとも１つの１０員以上の環をもつ細孔を有する任意の適切なアルミノケイ酸塩分子篩で、ＭＦＩを置換してもよい。同様に、少なくとも１つの１２員以上の環をもつ細孔を有する任意の適切なアルミノケイ酸塩分子篩で、ＭＯＲを置換してもよい。加えて、分子篩の細孔構造は、１次元以上になる可能性がある。既知の構造型の分子篩は、国際ゼオライト協会の構造委員会（ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｚｅｏｌｉｔｅ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）による三文字表記（ｗｗｗ．ｉｚａ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．ｏｒｇ／ｄａｔａｂａｓｅｓのホームページで入手可能）に基づいて分類されてきており、そのような表記が本明細書において使用される。分子篩は、完成した触媒において、少なくとも一部が水素の形態であるのが好ましい。分子篩の酸性度は、本発明の触媒の製造に使用される分子篩の酸性度であってよく、または、触媒の調製中に達成される酸性度であってよい。

本発明の触媒のある形状は、円柱である。当該分野で公知の押出成形方法によって、そのような円柱を形成することが可能である。触媒の別の形状は、三葉（ｔｒｉｌｏｂａｌ）型または三つ葉のクローバー型の断面を有する形状で、押出成形で形成可能である。別の形状は球体で、油滴方法または当該分野で公知のその他の形成方法によって形成可能である。

触媒はまた、必須レニウム金属成分も含む。この成分は、最終触媒混合物中に、酸化物または硫化物等の化合物として、該混合物の１つ以上の他の構成要素との化学的組み合わせで存在してよい。触媒は、さらなる金属改質剤成分を含んでいてもよい。触媒の好ましい金属改質剤成分には、例えばスズ、ゲルマニウム、鉛、インジウム、白金、パラジウム、およびそれらの混合物が含まれる。好ましい改質剤は、少なくともスズとゲルマニウムの１つである。しばしば、触媒は、触媒的に有効な量の酸性分子篩、触媒的に有効な量のレニウム、およびスズとゲルマニウムの組み合わせと含み、ここで、レニウムに対するゲルマニウムの原子比率は２：１以上であり、レニウムに対するスズの原子比率は０．１：１以上である。例えば、２００６年７月２８日に出願された、出願中の米国特許出願第１１／４６０，６４７号（参照によってすべてが本明細書に組み入れられる）を参照されたい。金属成分は、共沈澱、イオン交換、共混和（ｃｏ−ｍｕｌｌｉｎｇ）、または含浸等の、当該分野で公知の任意の手段によって、触媒中に組み入れられることができる。好ましい量は、元素基準で０．０１〜５．０質量パーセントの範囲である。ある態様においては、触媒は、触媒の総重量を基準にして０．０５〜５．０質量パーセントのレニウムを含み、別の態様においては、０．１〜３．０質量パーセントのレニウムを含む。理論に限定されることを望むわけではないが、触媒的に有効な量とは、トランスアルキル化用のモルデナイトの量、ナフテンのクラッキング用の酸性ＭＦＩゼオライトの量、および総転換率と選択された方法条件での触媒の安定性を向上するのに使用するレニウムの量である。

触媒の調製のある方法では、溶解性で分解性のレニウムを含む化合物を使用して、担体材料を比較的均一に含浸させることが含まれる。使用可能な典型的なレニウム化合物には、過レニウムアンモニウム、過レニウムナトリウム、過レニウムカリウム、オキシ塩化カリウムレニウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｒｈｅｎｉｕｍ ｏｘｙｃｈｌｏｒｉｄｅ）、六クロロレニウム（ＩＶ）酸カリウム、塩化レニウム、過レニウム酸等の化合物が含まれる。好ましくは、前記化合物は、過レニウム酸アンモニウムまたは過レニウム酸であり、これは共混入物質種を取り除くための余分な段階が不必要であろうからである。

触媒を調製する別の方法は、分子篩成分と、レニウムと、結合剤とを共混和し、目的の触媒形状を形成するための押出成形可能な混合物を得ることを含む。共混和の手法において、任意の適切な方法を用いてよい。一般的には、分子篩成分および結合剤は、乾燥形態または練り生地形態で混合される。分子篩成分と結合剤の混合に先がけてまたはその間中、もしくは分子篩成分と結合剤の混合が完了した後、レニウムを含む溶解性で分解性の化合物が、分子篩成分に溶液で提供される。典型的なレニウム化合物は、上で記載されているものである。利便性の目的で、水を前記練り生地の液相として使用するが、その他の液体も使用可能である。通常、押出可能な塊（ｍａｓｓ）を得るのに十分な液体が添加される。しばしば、酸を添加して結合剤を解凝固する。

混和は、任意の都合良い温度で行ってよく、しばしば、５℃〜９０℃の範囲で、成分分布の求める均一性を得るのに十分な時間をかけて行われる。混和時間は、混和装置の特徴および混和の程度によって変動するであろう。しばしば、混和時間は０．１時間以上、例えば０．２〜２４時間である。分子篩成分へのダメージを避ける目的で、物理的により穏やかな混和条件を用いられるが、そうすると成分分布の求める均一性を達成するためにより長い時間が必要となる。前記練り生地を目的の触媒形状に押出成形し、通常は５０〜３００℃の温度で１〜２４時間かけて乾燥させる。

好ましくは、触媒が含浸、共混和、または他の手法で製造されるかに関わらず、少なくとも一段階の酸化工程または焼成段階が行われる。この焼成段階が、触媒におけるレニウムの分散を補助すると考えられる。前記酸化工程を可能にするのに用いられる条件は、触媒混合物中の実質的にすべての金属性成分が、それらの対応する酸化物形態に転換するように、選択される。この酸化工程は、典型的には３７０℃〜６５０℃の温度で行われる。典型的には空気を含む、酸素雰囲気が用いられる。一般的に、酸化工程は、０．５〜１０時間またはそれ以上の時間をかけて行い、正確な酸化工程の時間は、実質的にすべての金属性成分がそれらの対応する酸化物形態に転換するのに必要な時間である。この時間は、無論のこと、触媒の製造に使用するレニウム成分、酸化温度、および雰囲気の酸素含有量に伴って変化する。場合によっては、焼成中、分子篩の酸性度および／または細孔構造を改変するために、例えば５〜７０体積パーセント、例えば５〜４０体積パーセントの量で、水蒸気が存在する。いずれの場合においても、硫化時点で、レニウムは少なくとも部分酸化物形態であることが好ましい。通常、硫化時点でのレニウムの酸化状態は、＋４以上である。

触媒の調製において、還元工程が行われてもよい。この還元工程は、炭化水素転換域（ｅｘ ｓｉｔｕ還元）への触媒混合物の装填に先がけて行ってもよく、または炭化水素転換プロセス工程の開始手順の一部として、ｉｎ ｓｉｔｕで行ってもよい。ｅｘ ｓｉｔｕ還元の段階無しで、良好な触媒性能を得ることが可能である。ｅｘ ｓｉｔｕ還元の段階が行われる場合、必ずしも実質的にすべての金属成分が対応する元素金属の状態に還元されることは必須ではない。例えば、ｅｘ ｓｉｔｕで部分還元を行い、さらなる還元をｉｎ ｓｉｔｕで行ってもよい。好ましくは、実質的に水分が存在しない環境で、前記還元工程が行われる。好ましくは、還元ガスは、実質的に純粋な乾燥水素（すなわち、２０ｐｐｍ質量未満の水分）である。ｅｘ ｓｉｔｕ還元では、ＣＯ、窒素等の、その他の気体が存在してもよい。典型的には、２００℃〜６５０℃の還元温度、しばしば２５０℃〜４００℃の還元温度で、０．５〜２４時間またはそれ以上の時間、ということを含む条件で、還元ガスを触媒と接触させる。この還元工程は、常圧で、またはより高圧で行ってもよい。ｉｎ ｓｉｔｕ還元では、転換装置を実質的に水分が存在しない状態まで事前乾燥するように適切な注意が払われなければならず、実質的に水分が存在しない還元ガスが用いられなければならない。還元ガスが水素と炭化水素の少なくとも１つを含むことが好ましい。

従って、ある態様においては、本発明は、トランスアルキル化触媒の製造方法であり、この方法は、ａ）モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５．０質量パーセントのレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む触媒を形成することと、ｂ）該形成された触媒を、酸素雰囲気下、３７０℃〜６５０℃の温度範囲および０．５〜１０時間の条件下で酸化することと、ｃ）該酸化された触媒を、１００℃〜６５０℃の温度条件で、水素および炭化水素の少なくとも１つを含む還元ガス中で還元することと、を含む。

好ましくは、前記触媒混合物を硫黄処理または事前硫化段階にかける。硫化された場合、本発明の触媒は、先に見出された商業的に許容可能なレベルよりも高いレベルでレニウムを含んでいる可能性があり、従って、総転換率および触媒安定性と触媒寿命をさらに向上させる。硫化した触媒は、例えば、０．４質量パーセント以上、例えば０．４パーセント〜５．０質量パーセントのレニウムを有利に含んでいる場合がある。硫黄成分は、公知の任意の手法で触媒中に組み入れられてよい。ｉｎ ｓｉｔｕ硫化処理方法および／またはｅｘ ｓｉｔｕ硫化処理方法のいずれか１つもしくは組み合わせが好ましい。得られる触媒の、レニウムに対する硫黄のモル比は、０．１〜１．５未満であるのが好ましく、さらにより好ましくは、触媒のレニウムに対する硫黄のモル比は、０．３〜０．８である。０℃〜５００℃の温度範囲で、触媒を硫黄源と接触させることにより、効果的な処理が達成できる。硫黄源を直接触媒と接触させることもできるし、典型的には水素または窒素等の不活性ガスである担体ガスを介して接触させることもできる。この態様においては、硫黄源は典型的には硫化水素であるが、本明細書で以下に記載されているものを含む、その他の硫黄化合物を使用してもよい。

触媒組成物はまたｉｎ ｓｉｔｕでの硫化も可能で、ここでは１ｐｐｍモル〜５，０００または１０，０００ｐｐｍモルの硫黄、好ましくは５〜５００ｐｐｍモルの硫黄の濃度範囲の炭化水素供給流に触媒組成物を添加することにより、硫黄源と触媒組成物を接触させる。いくつかの炭化水素流に既に存在しているかもしれない硫黄の実際量によっては、炭化水素供給流への硫黄源の添加の必要は、低減または完全に排除されるかもしれない。適切な硫黄源の典型例には、硫化水素、二硫化炭素、および硫化メチル、硫化ジメチル、二硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジブチル等の硫化アルキルが含まれる。特に断りのない限り、このような源は、本明細書に記載のすべての硫化において典型例である。典型的には、硫化処理は供給物に硫黄源を組み入れることで開始し、目的の硫化量を得るのに十分な時間で硫化処理を続ける。供給物に含まれる硫黄の濃度によっては、硫化は１時間未満で達成できる場合もあれば、長時間に渡って、例えば１日間以上かけて行う場合もある。生成物に含まれる硫黄濃度を気体から測定することで、硫化処理をモニタリングしてもよい。硫化処理の算出時間は、供給物に含まれる実際の硫黄濃度および触媒上に達成される所望の硫黄装填量によって決まるであろう。特に硫化がｉｎ ｓｉｔｕでなされる場合、触媒を事前還元する必要なしに、良好な結果を得ることが可能である。場合によっては、目標とする硫黄対レニウムの原子比率よりも多い硫黄が提供される場合でさえ、レニウムに対する硫黄の比率は一定レベルに達しているようであり、レニウムが過度に硫化されないことが発見されている。

本発明によれば、特定の触媒調製手順は、レニウム含有触媒の硫化を可能にでき、これは分子篩等のその他の触媒成分の性能に悪影響を与えることなく行なうことが可能であり、一方で、触媒の安定性を向上するより高濃度のレニウムの使用を可能にする、ということが見出されている。本発明の触媒は、アルキル芳香族化合物の不均化およびトランスアルキル化、ならびにアルキル芳香族化合物の異性化において、特に有用である。本発明の触媒が示す向上した安定性により、触媒を、炭素数１０以上の芳香族化合物を含有する供給物のトランスアルキル化で使用可能になる。

前述の特許および公開済特許出願で例示されているレニウム触媒の硫化手順は、レニウムが低濃度の（すなわち、０．４質量パーセントのレニウム、そして特に０．２５質量パーセントのレニウム）許容可能な触媒を提供する一方、レニウムが高濃度の商業的に実行可能な触媒を提供できない。本発明によれば、レニウムが部分的に還元されている触媒から調製された硫化レニウム触媒が、レニウム濃度が０．４質量パーセントを超えるにも関わらず、向上した安定性と中程度の水素化活性を有することが見出されている。好ましくは、前記硫化は、比較的希薄な硫化雰囲気で（例えば、１０，０００百万分率モル硫黄未満、最も好ましくは１，０００百万分率モル硫黄）達成される。好ましくは、前記硫化は、１００℃を超える温度で、最も好ましくは２００℃を超える温度で、例えば２００〜４００℃で、水素と炭化水素の少なくとも１つの存在下で、そして最も好ましい態様においてはカルベニウムイオンの存在下で、という還元条件下で行われる。

ある態様においては、本発明の触媒は、レニウム分散結合剤を含む支持体上に、分散し選択的に硫化したレニウム成分を含み、ここで該レニウム（元素金属として算出される）は、触媒の０．０５〜５質量パーセント、好ましくは０．４〜４質量パーセントの量で存在し、レニウムに対する硫黄の原子比率は、０．２：１〜０．７：１、好ましくは０．２５：１〜０．５：１である。前記触媒は、触媒的に有効な量の酸性分子篩をさらに含む。

本発明の好ましい触媒は、レニウム分散結合剤上でレニウムの分散を向上させるために、空気の存在下で焼成にかけられており、そして、最も好ましくは該分散レニウムのいかなる有意な凝塊形成にも先がけて、硫化される一方、レニウムは少なくとも部分酸化状態にある。前記レニウムの硫化時のバルク酸化状態は、少なくとも＋４でよい。

本発明の好ましい触媒の第一の硫化は、硫化条件下で、極めて希薄な硫化ガスを用いて調製される。この極めて希薄な硫化ガスは、触媒に含まれるレニウムの硫化の均一性を向上させると考えられる。しばしば、硫化は、硫黄含有ガスを触媒上に通過させることで達成する（例えば、０．５ｈｒ^−１以上の毎時重量空間速度で）。前記硫化ガスはしばしば、５，０００百万分率モル硫黄（ｐｐｍ−モル）未満、より好ましくは５００百万分率モル硫黄未満の硫黄を含む。

本発明の好ましい触媒はまず、１００℃以上の温度、例えば２００℃〜４００℃の温度の還元条件下で硫化される。還元条件は、酸素分子、二酸化窒素等の酸化成分が実質的非存在下で、炭化水素と水素の少なくとも１つの存在によって提供することができる。場合によっては、圧力下（例えば、０．１〜１０Ｍｐａゲージ圧）での硫化が望ましい。しばしば、硫化中の水素分圧は、０．０２ＭＰａ以上、例えば０．０４〜１０Ｍｐａである。

本発明のさらに好ましい触媒はまず、カルベニウムイオンの存在下で硫化される。カルベニウムイオンは中間化学反応生成物であるため、カルベニウムイオンの最も便利な導入様式は、硫化中に炭化水素のクラッキングを生じることである。この炭化水素は、硫化条件においてクラッキング可能な任意の適切な化合物でよく、特に適切な炭化水素は、エチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、およびプロピルベンゼンを含む。特に触媒が酸性分子篩を含む場合、カルベニウムイオンは容易に生成し得る。硫化におけるクラッキングは、２５０℃〜５００℃の範囲で生じてよく、２５０℃〜４００℃でのクラッキングが好ましい。レニウム含有触媒が不十分なクラッキング活性を有する場合、より高温が必要になる場合がある。好ましくは、硫化は、カルベニウムイオン生成のための硫化成分および炭化水素を含むガスを、触媒上に通過させることで達成する。水素もまた存在する。しばしば、前記硫化ガスは、５，０００百万分率モル硫黄（ｐｐｍ−モル）未満、より好ましくは５００百万分率モル硫黄未満の硫黄を含む。前記ガスはさらに、カルベニウムイオンを生成可能な炭化水素を、２モルパーセント以上、好ましくは５〜９９モルパーセント含む。前記ガスの残余は、水素およびその他の炭化水素であってよい。一般的に、炭化水素に対して１：１〜１０：１のモル比で水素が存在する。

典型的には、レニウム原子１個当たり、硫黄原子０．２〜０．７個、好ましくは０．２５〜０．５個の硫黄原子を得るように、硫化を達成する。触媒が硫黄を吸収または硫黄と反応できる他の成分を含む場合、提供される総硫黄量は、レニウムに対して目的の硫黄量を提供するのに十分な量でなければならない。本発明の硫化触媒は、減衰した水素化活性を示す。従って、過度の水素化活性無しで向上した安定性を得るのに、従来可能だったよりも多量のレニウムを使用することができる。ほとんどの場合、前記触媒は、一度調製されると、通常の運転中はさらなる硫化が不必要である。プロセスの不調または酸化的再生で、再硫化が必要となる場合がある。

本発明はさらに、硫化したレニウム含有触媒の製造方法に関する。ある局面においては、これらの方法は、レニウム分散結合剤を含み硫黄が本質的に非存在の支持体上に分散レニウムを有する触媒を提供すること、および、前記レニウムが少なくとも部分酸化状態にしながら前記触媒を硫黄含有ガスと接触させることを含む。

本発明の触媒は、キシレン異性化、キシレンとベンゼンへのトルエンの不均化、および、キシレンを生成するための、炭素数９以上の芳香族化合物とトルエンとベンゼンの少なくとも１つとのトランスアルキル化において、特に有用である。前記触媒は、ベンゼンへのエチルベンゼンの転換、およびエチル基とメチルエチルベンゼン等のアルキルベンゼンの高級アルキル基の脱アルキル化において、魅力的である。前記触媒は、例えば非芳香族化合物を飽和させ／またはクラッキングするための、非芳香族化合物の転換においても魅力的である。キシレン異性化のための供給原料は、例えば５〜６０質量パーセントのエチルベンゼンを含むことが可能で、エチルベンゼンは転換可能である。有益には、本発明の触媒の減衰した水素化活性によって、供給原料の所望の転換を達成する一方、低い環消失がもたらされる。

場合によっては、焼成された触媒は、硫化に先がけてまたは硫化中に、部分的に還元される。還元量は、還元雰囲気、還元温度、および還元時間の関数である。過度の還元条件下、特に高温の還元条件下は、触媒に含まれるレニウムの分散に悪影響を及ぼす可能性がある。硫化に先がけて還元が行われる場合、還元温度は４００℃未満、好ましくは１００℃〜３５０℃の範囲である。還元時間は、触媒上でのレニウムの過度の凝塊形成が起こらないような時間が好ましく、前記レニウムが＋４以上の酸化状態を有するような還元時間が好ましい。従って、典型的には２４時間未満で還元を行い、より高温では還元時間はより短くなる。例えば、２８０℃では、還元時間は１２時間未満であるのが好ましい。

硫化は、還元の少なくとも一部と同時に行ってもよく、または還元後に行ってもよい。還元条件下で硫化を行うのが好ましい。この還元条件は、好ましくは、実質的にすべての金属成分が対応する元素金属状態に転換されるような激しいものであってはならない。還元は、実質的に水分が存在しない環境下で行うことが好ましい。好ましくは、還元ガスは、実質的に純粋な乾燥水素（すなわち、２０ｐｐｍ質量未満の水分）である。しかしながら、炭化水素、一酸化炭素、窒素等の他の気体が存在してもよい。還元工程は、常圧下またはより高圧下で行ってもよい。好ましい圧力は、５０ｋＰａ（絶対圧力）〜１０ＭＫａ（絶対圧力）であり、しばしば２００〜５，０００ｋＰａ（絶対圧力）である。

硫化を還元条件下で行う場合、還元ガスは硫化成分を含んでいるであろう。この硫化成分は、公知の任意の手法で触媒に組み入れてよい。ｉｎ ｓｉｔｕおよび／またはｅｘ ｓｉｔｕでの硫化処理方法のいずれか１つまたは組み合わせが好ましい。硫黄源と触媒を０℃〜５００℃の温度範囲で接触させることで、効果的な処理を行うことができる。硫黄源は、触媒と直接または典型的には水素や窒素等の担体ガスを介して接触させてもよい。この態様においては、硫黄源は典型的には硫化水素であるが、その他の源を用いることもできる。

本発明の触媒が焼成によって再生される場合には、再硫化が有益なことが多い。一般的に再生条件は、酸素含有雰囲気中（例えば、空気中、もしくは追加の窒素および／または水蒸気を含む空気中）、３７０℃〜６５０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間かけて、触媒上の炭素質沈着物の制御された炭素焼失を行うことを含む。ある態様においては、前記炭素焼失時間は、７〜１４日間の場合がある。炭素質沈着物を焼失し、レニウムを再分散してもよい。レニウムの酸化状態を増加させてもよく、酸化物に転換してもよい。上に記載の様式で前記再硫化を行うことが可能である。

下記の実施例においては、特に他の指定がない限りまたは文脈から明白でない限り、液体および固体のすべての部および比率は質量基準であり、気体のすべての部および比率はモル基準である。下記の実施例は、単に本発明の種々の局面を例示するものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。

触媒調製
下記の一般的な調製により、本発明の触媒を製造する。アルミナ（Ｃａｔａｐａｌ（登録商標）Ｂの商品名で市販されている）とモルデナイト（アンモニウムの形態でＳｉ／Ａｌ_２のモル比が１８：１に合成されている）が最終触媒において求められる質量比に相当する質量比で存在する粉末混合体を、粉砕機（ｍｕｌｌｅｒ）に添加し混和する。本質的に均一な混和物が生成される限り、乾燥混和の持続時間は重要ではない。しばしば、３０分で均一な混和物を得ることができる。硝酸（６９．５質量パーセントＨＮＯ_３）と、脱イオン化水と、過レニウム酸アンモニウムとを含む混合液を、混和継続中に、前記乾燥混和物に添加する。添加した混合液の質量は、（過レニウム酸アンモニウムの質量を除いて）乾燥混和物１グラム当たり０．１１３グラムである。混合液に含まれる過レニウム酸アンモニウムの質量は、触媒中のレニウムを目的の濃度で存在させるのに十分なものである。混和を１５〜３０分継続し、蒸留水を更に添加して、４０質量パーセントのＬＯＩを有する生地（ｄｏｕｇｈ）を得る。混和物が小さい凝集体になり、手で圧搾すると塊形成が可能な程度に半壊するまで混和を継続する。生地をダイ・プレート（ｄｉｅ ｐｌａｔｅ）を通して押し出し、円柱状形（直径０．１６ｃｍ）の押出成形粒子を形成する。

触媒が通常７０質量パーセントのＭＯＲと、１５質量パーセントのＭＦＩ（Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が２３：１）と、残余のアルミナと、０．１５質量パーセントのレニウム（金属として計算）とを含むような成分比で前述の手順を行い、触媒Ａを調製する。続いて、押出成形粒子を１時間かけて１００℃の空気中で乾燥させ、６時間５８０℃の空気中で焼成する。この６時間中の４時間は、この最大温度への加熱および最大温度からの冷却に費やす。

触媒が通常７０質量パーセントのＭＯＲと、１５質量パーセントのＭＦＩ（Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が３８：１）と、残余のアルミナと、０．１５質量パーセントのレニウム（金属として計算）とを含むような成分比で前述の手順を行い、触媒Ｂを調製する。続いて、押出成形粒子を１時間かけて１００℃の空気中で乾燥させ、６時間５８０℃の空気中で焼成する。この６時間中の４時間は、この最大温度への加熱および最大温度からの冷却に費やす。

触媒が通常５０質量パーセントのＭＯＲと、２５質量パーセントのＭＦＩ（Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が２３：１）と、残余のアルミナと、０．１５質量パーセントのレニウム（金属として計算）とを含むような成分比で前述の手順を行い、触媒Ｃを調製する。続いて、押出成形粒子を１時間かけて１００℃の空気中で乾燥させ、６時間５８０℃の空気中で焼成する。この６時間中の４時間は、この最大温度への加熱および最大温度からの冷却に費やす。

触媒が通常５０質量パーセントのＭＯＲと、２５質量パーセントのＭＦＩ（Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が３８：１）と、残余のアルミナと、０．１５質量パーセントレニウム（金属として計算）とを含むような成分比で前述の手順を行い、触媒Ｄを調製する。続いて、押出成形粒子を１時間かけて１００℃の空気中で乾燥させ、６時間５８０℃で２５体積パーセントの蒸気を含む空気中で焼成する。この６時間中の４時間は、この最大温度への加熱および最大温度からの冷却に費やす。

触媒が通常５０質量パーセントのＭＯＲと、２５質量パーセントのＭＦＩ（Ｓｉ／Ａｌ_２モル比が２３：１）と、残余のアルミナと、１．０質量パーセントのレニウム（金属として計算）とを含むような成分比で前述の手順を行い、触媒Ｅを調製する。続いて、押出成形粒子を１時間かけて１００℃の空気中で乾燥させ、６時間５８０℃の空気中で焼成する。この６時間中の４時間は、この最大温度への加熱および最大温度からの冷却に費やす。

触媒Ｆは、触媒Ｅの一部を、１２時間かけて５００℃の水素下で還元し、窒素雰囲気下に保持したまま室温まで冷却し、触媒を取り巻く窒素雰囲気中へ硫化水素を注入することで室温で硫化したものである。注入する硫化水素量は、レニウム１原子当たり硫黄原子が０．５であるように計算する。触媒上に付加される硫黄の実際量は、前記予定量よりも少ないであろうと考えられる。

触媒Ｇは、触媒Ｅの一部を、１２時間かけて５００℃の水素下で還元し、窒素雰囲気下に維持したまま室温まで冷却したものである。
触媒Ｈは、触媒Ｅの一部を、１２時間かけて２８０℃の水素下で還元し、窒素雰囲気下に維持したまま室温まで冷却したものである。

触媒Ｉは、触媒Ｅの一部を、１２時間かけて２８０℃の水素下で還元し、窒素雰囲気下に維持したまま室温まで冷却し、触媒を取り巻く窒素雰囲気中へ硫化水素を注入することで室温で硫化したものである。注入する硫化水素量は、レニウム１原子当たり硫黄原子が０．５であるように計算する。触媒上に付加される硫黄の実際量は、前記予定量よりも少ないと考えられる。

実施例１
触媒Ａ〜Ｄを、トランスアルキル化の触媒活性について試験工場で評価する。乾燥水素の存在下２８０℃で５〜６時間触媒を維持して前準備する。活性検査用の供給流は、４９．９体積パーセントのトルエンおよび４０．０体積パーセントの炭素数９のアルキル芳香族化合物を含み、残余は主に炭素数１０のアルキル芳香族化合物、および炭化水素に対する水素のモル比が４となるような十分量の水素である。供給速度は、毎時重量空間速度が４ｈｒ^−１となるのに十分な速度である。試験工場は、２７６０ｋＰａのゲージ圧で、５０質量パーセントの芳香族化合物を転換させるのに十分な温度である。性能パラメータの報告値は、供給流の５０パーセント転換でのものだが、転換がその目標と異なる場合、性能パラメータの報告値は５０パーセント転換に補間して算出されたものである。結果を表１にまとめる。表１においては、ＷＡＢＴは重量平均床温を表し、キシレン収率はトランスアルキル化生成物に含まれるキシレンの質量パーセントを表し、ベンゼン共沸物はトランスアルキル化生成物に含まれるベンゼン単位質量当たりの、炭素数６および７のすべての非芳香族の百万分率質量（ｐｐｍ−ｍａｓｓ）を表す。すべての値は、触媒が、触媒１キログラム当たり７２リットルの供給流と接触した時点でのものである。

実施例２
触媒Ｅ〜Ｉを、硫黄成分を共供給するのが可能な別の試験工場で評価する。触媒が多量のレニウムを含む場合、硫化行わない場合、環消失率およびキシレン消失率が高いため、該触媒がトランスアルキル化には不適切なものとなるであろう。乾燥水素の存在下２８０℃で５〜６時間触媒を維持して前準備する。活性検査用の供給流は、４９．９体積パーセントのトルエンおよび４０．０体積パーセントの炭素数９のアルキル芳香族化合物を含み、残余は主に炭素数１０のアルキル芳香族化合物、および炭化水素に対する水素のモル比が４となるような十分量の水素である。

供給速度は、毎時重量空間速度が４ｈｒ^−１となるのに十分な速度である。試験工場は、２７６０ｋＰａのゲージ圧で、供給物中の５０質量パーセントの芳香族化合物を転換させるのに目標とされる温度である。いくつかの操作においては、硫黄を、供給物の１５０ｐｐｍ−モルの量でジメチルジスルフィドとして共供給する。この供給の継続時間は、触媒中のレニウム１原子当たり硫黄０．５原子とするのに十分な時間である。試験中の触媒の性能を表２に概略を説明し報告する。性能パラメータの報告値は供給物の５０パーセント転換でのものだが、転換がその目標と異なる場合、性能パラメータの報告値は５０パーセント転換に補間して算出されたものである。表２においては、ＷＡＢＴは重量平均床温を表し、キシレン収率はトランスアルキル化生成物に含まれるキシレンの質量パーセントを表し、ベンゼン共沸物はトランスアルキル化生成物に含まれるベンゼン単位質量当たりの、炭素数６および７のすべての非芳香族の百万分率質量（ｐｐｍ−ｍａｓｓ）を表す。ＳＯＲは、試験開始時（ｓｔａｒｔ ｏｆ ｒｕｎ）を表す。

５００℃で還元された触媒ＦおよびＧは、５〜６時間、２８０℃の還元条件下で前処理しただけの触媒Ｅが達成可能な、高いキシレン収率および低い環消失を示さない。触媒Ｅは、低いベンゼン共沸物生成も達成する。触媒ＦおよびＧの性能は、ｅｘ ｓｉｔｕまたはｉｎ ｓｉｔｕでの硫化に関わらず、触媒Ｅの性能に及ばない。

試験ＩＶにおいては、触媒Ｇもまた５００℃で還元するが、触媒Ｆのようにｅｘ ｓｉｔｕで硫化はせず、試験開始時にｉｎ ｓｉｔｕで硫化する。しかしながら、上記硫化では、触媒Ｅの低い環消失率と高いベンゼン純度は達成できない。さらなる硫化はベンゼン純度の向上につながるが、ここでもまた触媒Ｅの性能は得られない。触媒Ｇを開始時に２回硫化した試験Ｖを参照すると、２回の硫化によって、試験ＩＶに比べて環消失率が低く、そしてベンゼン共沸物の生成量が少ない性能が得られる。しかしながら、試験ＩＶの触媒Ｇと同様に、硫化の効果では触媒Ｅと同程度の触媒性能が得られない。

触媒ＨおよびＩを事前還元させるが、触媒ＦおよびＧの調製に使用したよりも低い温度で行う。しかしながら、硫化に先がけて行う還元の継続時間は、触媒Ｅの場合よりも長い。依然本発明の広い局面の範囲内ではあるが、上記の触媒により、より軽度の還元および還元条件下での初期硫化の利点が証明されている。これらのデータは、異なる硫化機構により、触媒の性能を大きく変えることが可能なことを示している。

Claims (17)

1. モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２のモル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５質量パーセントのレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含むトランスアルキル化触媒。
2. 前記酸性ＭＦＩ分子篩成分のＳｉ／Ａｌ_２のモル比が４０未満であり、前記モルデナイト成分のＳｉ／Ａｌ_２のモル比が４０未満であり、前記結合剤がアルミナを含む、請求項１に記載の触媒。
3. 前記酸性ＭＦＩ分子篩成分が０．２５以上の全酸度を有し、前記モルデナイト成分に対する前記酸性ＭＦＩ分子篩成分の質量比が１：１０〜５：１の範囲にある、請求項１に記載の触媒。
4. 前記モルデナイト成分が触媒の２０〜８０質量パーセントを構成し、前記酸性ＭＦＩ分子篩成分が触媒の１０〜７０質量パーセントを構成し、前記結合剤が触媒の１〜４０質量パーセントを構成する、請求項１に記載の触媒。
5. レニウムに対する硫黄の原子比率が０．２：１〜０．７：１である硫黄成分をさらに含み、前記レニウム成分が触媒の０．４〜５質量パーセントである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の触媒。
6. （ａ）モルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２のモル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５質量パーセントを占めるレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む触媒を生成すること；
   （ｂ）生成された触媒を、酸素雰囲気下、３７０℃〜６５０℃の温度範囲および０．５〜１０時間の条件下で酸化すること；および
   （ｃ）酸化された触媒を、１００℃〜６５０℃の温度条件下で、水素と炭化水素の少なくとも１つを含む還元ガス中で還元すること、
   を含む、トランスアルキル化触媒の製造方法。
7. （ｄ）酸性ＭＦＩ分子篩成分を蒸気処理すること、好ましくは酸化雰囲気中に５〜７０の体積パーセントの量で蒸気が存在する前記酸化工程中で蒸気処理すること；
   （ｅ）触媒を硫化すること、好ましくは前記還元工程中に硫化すること（ここで、還元ガスは１〜１０，０００ｐｐｍモルの硫黄を更に含み、そして２モルパーセント以上の濃度で前記炭化水素を含み、還元工程は、２００℃〜４００℃の温度で、レニウムに対する硫黄の原子比率が０．２：１〜０．７：１となる触媒の硫黄成分を得るのに十分な時間をかけて行われる）；
   をさらに含む、請求項６に記載の方法。
8. 炭素数７以上の芳香族炭化水素を含む供給流を、水素存在下ということを含む芳香族転換条件において触媒と接触させること、および、キシレン濃度が増加された生成物流を生成すること、を含むキシレンの製造方法であって、ここで、該触媒がモルデナイト成分と、Ｓｉ／Ａｌ_２のモル比が８０未満である酸性ＭＦＩ分子篩成分と、触媒の０．０５〜５質量パーセントを占めるレニウム成分と、レニウム分散結合剤とを含む、前記製造方法。
9. 硫黄をさらに含み、ここでレニウムに対する硫黄の原子比率が０．２：１〜０．７：１であり、前記レニウム成分が触媒の０．４〜５質量パーセントである、請求項８に記載の方法。
10. 前記酸性ＭＦＩ分子篩成分のＳｉ／Ａｌ_２のモル比が４０未満であり、前記モルデナイト成分のＳｉ／Ａｌ_２のモル比が４０未満であり、前記結合剤がアルミナを含む、請求項８または９に記載の方法。
11. 前記酸性ＭＦＩ分子篩成分が０．２５以上の全酸度を有し、前記モルデナイト成分に対する前記酸性ＭＦＩ分子篩成分の質量比が１：１０〜５：１である、請求項８または９に記載の方法。
12. 前記モルデナイト成分が触媒の２０〜８０質量パーセントを構成し、前記酸性ＭＦＩ分子篩成分が触媒の１０〜７０質量パーセントを構成し、前記結合剤が触媒の１〜４０質量パーセントを構成する、請求項８または９に記載の方法。
13. 前記供給物がトルエンを含み、ここで前記芳香族転換条件はトルエン不均化条件であり、２００℃〜６００℃の温度範囲と、０．２〜０．５の範囲の炭化水素に対する水素のモル比と、１００ｋＰａ〜６ＭＰａ絶対圧力である圧力と、０．２ｈｒ^−１〜２０ｈｒ^−１の毎時重量空間速度（ＷＨＳＶ）範囲との条件をさらに含む、請求項８または９に記載の方法。
14. 前記芳香族転換条件がトランスアルキル化条件であり、１００℃〜５４０℃の温度範囲と、１００ｋＰａ〜６ＭＰａ絶対圧力である圧力範囲と、０．１ｈｒ^−１〜２０ｈｒ^−１の毎時重量空間速度（ＷＨＳＶ）範囲との条件をさらに含む、請求項８または９に記載の方法。
15. 前記供給流が２１０℃以上の終沸点を有し、前記生成物流が該供給流の終沸点よりも１０℃以上低い終沸点を有する、請求項１４に記載の方法。
16. 前記供給流が、炭素数９以上の芳香族化合物、前記の全供給流の５〜３０質量パーセントの範囲の炭素数１０以上の芳香族化合物、およびベンゼンとトルエンの少なくとも１つを含み、ここで、前記供給流に含まれる前記の全炭素数９以上の芳香族化合物の０．５質量パーセント以上が多環式芳香族化合物である、請求項１４に記載の方法。
17. 前記供給流に含まれる前記の全炭素数９以上の芳香族化合物の２０モルパーセント以上が消費され、該消費された炭素数９以上の芳香族化合物の７０モルパーセント以上が、より低分子量を有する芳香族化合物へと転換される、請求項１６に記載の方法。