JP2010287881A - Surface processing apparatus of substrate material - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface processing apparatus of a substrate material, in which spray is uniformly performed to the substrate material at strong impact first, and which highly accurately and stably manufactures also an electronic circuit board whose circuit is made to be minute and high-density second. <P>SOLUTION: The surface processing apparatus 6 is used in a manufacturing process of an electronic circuit board to process the surface of a substrate material A by spraying processing liquid B from respective spray nozzles 7. Each spray nozzle 7 is composed of a two-fluid nozzle, mixes the processing liquid B with air D to spray the mixed processing liquid B. Also, an interval between the substrate material A and the spray nozzle 7 is a distance interval E of 5 to 40 mm, and the processing liquid B sprayed together with the air D is sprayed to the substrate material A as fine particles. Then, the processing liquid B is sprayed to the substrate material A at strong impact and widely and uniformly sprayed by horizontal reciprocal movement in a horizontal direction F. The air D is compression-transport-fed from the blower of a compression-transport source 14 while increasing temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程、代表的にはエッチング工程で使用され、基板材を処理液にて表面処理する、表面処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate material surface treatment apparatus. That is, the present invention relates to a surface treatment apparatus that is used in a manufacturing process of an electronic circuit board, typically an etching process, and performs surface treatment of a substrate material with a treatment liquid.

《技術的背景》
プリント配線基板，その他の電子回路基板の代表的な製造工程では、銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→まず、液状やドライフィルム状の感光性レジストが、塗布又は張り付けられる。
→それから、回路のネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→もって露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥離により溶解除去する。
このようなプロセスを辿ることにより、基板材の外表面に残った銅箔にて電子回路が形成され、電子回路基板が製造されている。なお、この種の銅箔としては、電解銅，メッキ銅，両者を併用したもの、等が使用されている。 《Technical background》
In a typical manufacturing process of a printed wiring board and other electronic circuit boards, a liquid or dry film photosensitive resist is first applied or pasted on the outer surface of a substrate material made of a copper-clad laminate.
→ Then, after exposing and exposing the negative film of the circuit, → The resist other than the circuit forming portion is dissolved and removed by development, → The copper foil other than the exposed circuit shape portion is dissolved and removed by etching, → The resist at the circuit forming part is dissolved and removed by peeling.
By following such a process, an electronic circuit is formed from the copper foil remaining on the outer surface of the substrate material, and an electronic circuit board is manufactured. As this type of copper foil, electrolytic copper, plated copper, a combination of both, and the like are used.

《従来技術》
さて、図５の（１）図に示したように、上述した現像工程，エッチング工程，剥離工程等では、それぞれ、現像装置，エッチング装置，剥離装置等の表面処理装置１にて、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル２（１液体ノズル）から現像液，エッチング液，剥離液等の処理液Ｂが、噴射される。
もって、基板材Ａについて、現像，エッチング，剥離等の表面処理が、順次実施されていた。図５の（１）図中、３は、基板材Ａを搬送するコンベア４の搬送ローラーであり、５は処理液Ｂの液槽である。 <Conventional technology>
Now, as shown in FIG. 5 (1), in the development process, etching process, peeling process, and the like described above, they are transported by the surface treatment apparatus 1 such as a developing apparatus, an etching apparatus, and a peeling apparatus, respectively. A processing liquid B such as a developing solution, an etching solution, and a stripping solution is sprayed onto the substrate material A from the spray nozzle 2 (one liquid nozzle).
Therefore, surface treatment such as development, etching, and peeling was sequentially performed on the substrate material A. In FIG. 5 (1), 3 is a transport roller of the conveyor 4 for transporting the substrate material A, and 5 is a liquid tank for the processing liquid B.

このような表面処理装置１としては、例えば、次の特許文献１，特許文献２に示されたものが挙げられる。
特開２００２−６８４３５号公報 特開２００６−２２２１１７号公報 Examples of such a surface treatment apparatus 1 include those shown in the following Patent Document 1 and Patent Document 2.
JP 2002-68435 A JP 2006-222117 A

ところで、上述したこの種従来例の表面処理装置１については、次の課題が指摘されていた。
《課題となる問題点》
電子回路基板は、パターン形成される回路Ｃ（図５の（２）図を参照）の微細化，高密度化の進展が顕著である。例えば、回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、微細化，高密度化されている。
これに対し、その基板材Ａのエッチング等の表面処理について、精度や安定性に問題が指摘されていた。例えば、図３の（４）図に示したように、略富士山状・急傾斜台形状の断面形状の回路Ｃが形成されてしまう、サイドエッチング・オーバーエッチングの発生が、報告されていた。
図３の（４）図の例では、４０μｍの回路幅Ｌ，４０μｍの回路間スペースＳ，２０μｍの回路高さＨ等の設定下において、頂面幅Ｘが２５μｍ〜３５μｍ程度でサイドエッチング幅Ｙが左右５μｍ前後程度となった回路Ｃ箇所が、多々エッチング形成されてしまっていた。もって、エッチング評価の目安であるエッチングファクターは、３前後程度と低かった。
そして、このようなサイドエッチング・オーバーエッチングの発生は、上述した回路Ｃの微細化，高密度化傾向にとって、大きな問題となっていた。回路Ｃにこのような箇所が発生すると、通電容量，抵抗値等が設定値に対し大きく変動してしまい、信号伝達等にも支障が生じ、発熱することもあった。 By the way, the following subject was pointed out about the surface treatment apparatus 1 of this kind of prior art example mentioned above.
《Problems to be solved》
In the electronic circuit board, the progress of miniaturization and high density of the circuit C (see FIG. 5B) to be patterned is remarkable. For example, the circuit width L and the inter-circuit space S are miniaturized and densified to about 15 μm to 40 μm.
On the other hand, problems have been pointed out in the accuracy and stability of the surface treatment such as etching of the substrate material A. For example, as shown in FIG. 3 (4), the occurrence of side etching / over-etching in which a circuit C having a substantially Mt. Fuji-shaped and steeply trapezoidal cross-sectional shape has been reported.
In the example of FIG. 3 (4), the side etching width Y with a top surface width X of about 25 μm to 35 μm under the setting of a circuit width L of 40 μm, an inter-circuit space S of 40 μm, a circuit height H of 20 μm, etc. A lot of the circuit C portions where the left and right are about 5 μm have been formed by etching. Therefore, the etching factor, which is a standard for etching evaluation, was as low as about 3.
The occurrence of such side etching and over-etching has been a serious problem for the above-described trend toward miniaturization and higher density of the circuit C. When such a location occurs in the circuit C, the current-carrying capacity, the resistance value, and the like greatly fluctuate with respect to the set value, which causes problems in signal transmission and the like and sometimes generates heat.

《その原因について》
回路Ｃがこのようにサイドエッチング・オーバーエッチングされ、回路幅Ｌが狭く細くなる原因としては、エッチング液等の処理液Ｂのインパクト不足が、まず挙げられる。例えば、エッチング噴射による回路Ｃパターン形成には、基板材Ａへの最大衝撃値２００ｍＮ以上のインパクトが必要とされているが、この種従来例では大きく不足していた。
そこでこの種従来例では、基板材Ａについて、スプレーされたエッチング液の更新が妨げられ、液溜まりや滞留も生じて、エッチング不足箇所が発生し、これをカバーすべくエッチング量を増やすと、上述したようにエッチング過多のサイドエッチング・オーバーエッチングが発生していた。
更に、このようなサイドエッチング・オーバーエッチングの発生原因としては、基板材Ａにスプレーされるエッチング液等の処理液Ｂの粒径が大きく、微細化，高密度化された回路Ｃパターン内への入り込みが、不確実化することも挙げられていた。 About the cause
The reason why the circuit C is side-etched and over-etched in this way and the circuit width L becomes narrow and narrow is first due to insufficient impact of the processing solution B such as an etching solution. For example, the formation of the circuit C pattern by etching spraying requires an impact of 200 mN or more on the substrate material A, but this type of conventional example is largely insufficient.
Therefore, in this type of conventional example, with respect to the substrate material A, renewal of the sprayed etching solution is hindered, liquid pooling and stagnation occur, and an insufficient etching location occurs. When the etching amount is increased to cover this, As described above, side etching / over-etching due to excessive etching occurred.
Further, the cause of such side etching / over-etching is that the particle size of the processing liquid B such as the etching liquid sprayed on the substrate material A is large, and into the circuit C pattern that is miniaturized and densified. It was also pointed out that the entry was uncertain.

《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施され、第２に、もって電子回路基板を精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案することを、目的とする。 << About the present invention >>
In view of such a situation, the surface treatment apparatus for a substrate material of the present invention has been made in order to solve the problems of the conventional example.
The present invention proposes, firstly, a surface treatment apparatus for a substrate material in which the surface treatment of the substrate material is carried out with high accuracy and stability, and secondly, an electronic circuit board can be produced with high accuracy and stability. That is the purpose.

《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する。
そして該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、処理液とエアーとを混合して噴射し、該基板材と該スプレーノズル間が、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔となっている。
また該スプレーノズルは、各スプレー管にそれぞれ複数個設けられており、各該スプレー管は、左右方向に向けて配列され、前後の搬送方向に相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向に水平往復移動可能である。 <About Claim>
The technical means of the present invention for solving such a problem is as follows. First, claim 1 is as follows.
The surface treatment apparatus for a substrate material according to a first aspect of the present invention is used in a manufacturing process of an electronic circuit board and performs a surface treatment on a substrate material to be conveyed by spraying a treatment liquid from a spray nozzle.
The spray nozzle is composed of a two-fluid nozzle, and a treatment liquid and air are mixed and sprayed, and the distance between the substrate material and the spray nozzle is 5 mm to 40 mm.
A plurality of the spray nozzles are provided in each spray pipe, and each spray pipe is arranged in the left-right direction, and a plurality of the spray nozzles are provided while maintaining a mutual interval in the front-rear transport direction, Horizontal reciprocation is possible in the left-right direction.

そして該スプレーノズルから該エアーと共に噴射された該処理液は、微小粒子となって該基板材にスプレーされ、極めて近い前記距離間隔のもと、該基板材に対し最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトでスプレーされると共に、該スプレー管そして該スプレーノズルの前記水平往復移動により、該基板材に対し広く均一にスプレーされる。
かつ該エアーは、圧送源であるブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、該スプレーノズルに圧送供給される。
更に、該ブロワから該スプレーノズルに圧送供給される該エアー、そして該スプレーノズルから該エアーと混合して噴射される該処理液は、該基板材の表面処理に適した温度へと設定可能に温度上昇しており、もって該処理液が該基板材にスプレーされることにより、該基板材の表面処理精度向上機能を発揮すること、を特徴とする。 The processing liquid sprayed together with the air from the spray nozzle is sprayed on the substrate material as fine particles, and has a strong impact with a maximum impact value of 200 mN or more on the substrate material under the extremely close distance. The substrate material is sprayed widely and uniformly by the horizontal reciprocation of the spray tube and the spray nozzle.
And this air is pumped and supplied to this spray nozzle by the air pressure of 0.01 Mpa-0.08 Mpa from the blower which is a pumping source.
Further, the air pressure-fed and supplied from the blower to the spray nozzle, and the treatment liquid mixed and sprayed from the spray nozzle can be set to a temperature suitable for the surface treatment of the substrate material. The temperature rises, and the treatment liquid is sprayed onto the substrate material, thereby exhibiting a function of improving the surface treatment accuracy of the substrate material.

請求項２については、次のとおり。請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１ににおいて、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする。   About Claim 2, it is as follows. The substrate material surface treatment apparatus according to claim 2 is the substrate material surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment apparatus is used in a development process, an etching process, a peeling process, or a cleaning process, and the spray nozzle includes a developer and an etchant. , And a stripping solution or a cleaning solution is jetted as the processing solution.

《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程、例えばエッチング工程で使用される。
（２）もって、そのスプレーノズルから処理液を噴射して、基板材を表面処理する。
（３）そして、２流体ノズル製のスプレーノズルを、基板材に対し５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔で配設すると共に、水平往復移動させる構成よりなる。エアーは、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズルに圧送供給される。
（４）そこで、スプレーノズルからエアーと共に噴射された処理液は、微小粒子化されると共に、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで、基板材にスプレーされる。
（５）又、スプレーノズルが左右へ往復移動されるので、処理液は広いスプレー範囲のもと、基板材に対し満遍なく均一にスプレーされる。
（６）以上により、微細化，高密度化した回路パターン形成に際しても、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施されるようになる。
（７）すなわち処理液は、回路パターン内に確実に入り込むことができると共に、更新が進展し液留まりや滞留発生は回避され、もってエッチング不足そしてオーバーエッチング等は、発生しなくなる。
（８）このようにして、理想に近い断面形状の回路が得られるようになる。
（９）そして本発明は、エアー圧送源としてブロワを採用したので、スプレーノズルに圧送供給されて噴射されるエアーそして処理液が、温度上昇している。もって、基板材の表面処理が、一段とスムーズかつ迅速に精度高く実施され、極めて理想に近い断面形状の回路が得られるようになる。
（１０）さてそこで、本発明は次の効果を発揮する。 <About the action>
Since the present invention comprises such means, the following is achieved.
(1) This surface treatment apparatus is used in an electronic circuit board manufacturing process, for example, an etching process.
(2) Accordingly, the processing liquid is ejected from the spray nozzle to surface-treat the substrate material.
(3) A spray nozzle made of a two-fluid nozzle is arranged at a distance of 5 mm to 40 mm with respect to the substrate material and is configured to reciprocate horizontally. The air is pumped and supplied to the spray nozzle at an air pressure of 0.01 MPa to 0.08 MPa.
(4) Therefore, the treatment liquid sprayed together with air from the spray nozzle is atomized and sprayed onto the substrate material with a strong impact having a maximum impact value of 200 mN or more.
(5) Since the spray nozzle is reciprocated left and right, the processing liquid is sprayed evenly and uniformly over the substrate material in a wide spray range.
(6) As described above, the surface treatment of the substrate material can be carried out with high accuracy and stability even when forming miniaturized and highly densified circuit patterns.
(7) That is, the processing liquid can surely enter the circuit pattern, and renewal progresses to avoid liquid retention and stagnation, so that insufficient etching and over-etching do not occur.
(8) In this way, a circuit having an ideal cross-sectional shape can be obtained.
(9) Since the present invention employs a blower as an air pressure supply source, the temperature of the air and the processing liquid that are supplied by being sprayed to the spray nozzle and injected is increased. Accordingly, the surface treatment of the substrate material is performed more smoothly and quickly with high accuracy, and a circuit having a cross-sectional shape extremely close to ideal can be obtained.
(10) Now, the present invention exhibits the following effects.

《第１の効果》
第１に、基板材の表面処理が精度高く安定的に実施される。本発明の表面処理装置は、まず、２流体ノズル、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔、水平往復移動等を、組み合わせて採用してなる。もって、例えばエッチングに際しては、微小粒子状となったエッチング液が、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで基板材にスプレーされると共に、往復移動により、広く均一にスプレーされる。
そこで、１流体スプレーを用いた前述したこの種従来例のようなサイドエッチング・オーバーエッチングは回避されて、回路幅が狭く細くなる箇所の発生は防止され、もって理想に近い断面形状の回路が形成されるようになる。本発明の表面処理装置では、このようにエッチングその他の表面処理が、精度高く安定的に実施されるようになる。
又、上述した理由に基づき、例えばエッチングスピードも早くなる等、装置全体の処理スピードが向上する、という利点もある。 << First effect >>
First, the surface treatment of the substrate material is performed with high accuracy and stability. The surface treatment apparatus of the present invention employs a combination of a two-fluid nozzle, a distance interval of 5 mm to 40 mm, horizontal reciprocation, and the like. Thus, for example, during etching, the etching solution in the form of fine particles is sprayed on the substrate material with a strong impact having a maximum impact value of 200 mN or more, and is sprayed widely and uniformly by reciprocal movement.
Therefore, side etching and over-etching such as the above-described conventional example using one fluid spray are avoided, and the occurrence of a portion where the circuit width becomes narrow and narrow is prevented, thereby forming a circuit having a cross-sectional shape close to an ideal. Will come to be. In the surface treatment apparatus of the present invention, etching and other surface treatments are thus performed with high accuracy and stability.
In addition, there is an advantage that the processing speed of the entire apparatus is improved, for example, the etching speed is increased based on the reason described above.

そして本発明は、エアー圧送源としてブロワを採用したことを特徴とし、もって基板材の表面処理が、一段と精度高く安定的に、しかも処理スピードにも優れて実施されるようになる。
すなわち、温度上昇した処理液が基板材にスプレーされるので、基板材のエッチング等の表面処理が、一段とスムーズ化し精度高く安定的に実施されると共に、エッチングスピード等の処理スピードも向上する。 The present invention is characterized in that a blower is employed as an air pressure supply source, so that the surface treatment of the substrate material can be carried out with higher accuracy and stability and at a higher processing speed.
That is, since the processing liquid whose temperature has been increased is sprayed on the substrate material, the surface treatment such as etching of the substrate material can be performed more smoothly and stably with high accuracy, and the processing speed such as the etching speed can be improved.

《第２の効果》
第２に、そこで微細化，高密度化された回路の電子回路基板であっても、精度高く安定的に製造可能となる。
すなわち、本発明の表面処理装置では、上述したように、エッチングその他の表面処理が、精度高く安定的に実施される。そこで、回路幅や回路間スペースで１５μｍ〜４０μｍ程度まで微細化された回路を、パターン形成する際も、所期のとおり表面処理が実施され、もって高精度の電子回路基板を安定的に製造可能となる。
１流体ノズルを用いた前述したこの種従来例のように、製造された電子回路基板の回路について、通電容量，抵抗値等が設定値に対して変動するようなこともなく、信号伝達に支障が生じたり、発熱したりすることも防止される。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。 << Second effect >>
Secondly, even an electronic circuit board of a circuit that has been miniaturized and densified can be manufactured with high accuracy and stability.
That is, in the surface treatment apparatus of the present invention, as described above, etching and other surface treatments are performed with high accuracy and stability. Therefore, the surface treatment is performed as expected even when forming a circuit pattern that has been miniaturized to about 15 μm to 40 μm in terms of circuit width and inter-circuit space, so that highly accurate electronic circuit boards can be manufactured stably. It becomes.
As in the conventional example of this type using a one-fluid nozzle, the circuit capacity of the manufactured electronic circuit board does not fluctuate with respect to the set value, and the signal transmission is hindered. It is also possible to prevent occurrence of heat and heat generation.
As described above, the effects exhibited by the present invention are remarkably large, such as all the problems existing in this type of conventional example are solved.

本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、正面の断面説明図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a front cross-sectional explanatory view of a surface treatment apparatus for a substrate material according to the present invention, for explaining an embodiment for carrying out the invention. 同発明を実施するための形態の説明に供し、平面説明図である。It is an explanatory plan view for explaining the embodiment for carrying out the invention. 同発明を実施するための形態の説明に供し、（１）図は、スプレーノズル等の正面の説明図である。（２）図，（３）図，（４）図は、回路の断面説明図であり、（２）図は、理想例を、（３）図は、良い例（本発明）を、（４）図は、悪い例（従来例）を示す。It uses for description of the form for implementing this invention, (1) FIG. Is explanatory drawing of the front, such as a spray nozzle. FIGS. (2), (3), and (4) are cross-sectional explanatory views of the circuit, (2) is an ideal example, (3) is a good example (the present invention), (4 The figure shows a bad example (conventional example). 同発明を実施するための形態の説明に供し、スプレーインパクト（最大衝撃値）のグラフである。It uses for description of the form for implementing this invention, and is a graph of a spray impact (maximum impact value). （１）図は、表面処理装置の側面の断面説明図である。（２）図は、電子回路基板のテストパターンの要部を拡大した、平面図である。(1) The figure is a cross-sectional explanatory view of the side surface of the surface treatment apparatus. (2) The figure is an enlarged plan view of the main part of the test pattern of the electronic circuit board.

以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《表面処理装置６について》
図１，図２に示したように、本発明の基板材Ａの表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して、表面処理する（製造工程等については、前述した背景技術欄も参照）。
すなわち、この表面処理装置６は、エッチング工程を始め現像工程や剥離工程、更にはこれらの工程に付随して設けられた洗浄工程等において、エッチング装置，現像装置，剥離装置，又は洗浄装置等として、使用される。又、代表的にはサブトラクティブ法に適用されるが、それ以外の電子回路基板の各種の製造方法、例えばセミアディティブ法にも適用可能である。
そして、この表面処理装置６では、チャンバー８内において、コンベア４の搬送ローラー３等（図１等では図示を省略、前述した図５の（１）図を参照）で、水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液，現像液，剥離液，又は洗浄液等の処理液Ｂが、噴射される。もって、処理液Ｂがスプレーされた基板材Ａが、所定の薬液処理や洗浄処理される等、表面処理される。
なお、表面処理後の処理液Ｂは、液槽５へと流下，回収，貯留された後、ポンプ９，フィルター１０，配管１１等を経由して、スプレー管１２１からスプレーノズル７へと、循環供給されて再使用される。
表面処理装置６は、概略このようになっている。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
<< About the surface treatment apparatus 6 >>
As shown in FIGS. 1 and 2, the surface treatment apparatus 6 for a substrate material A according to the present invention is used in a manufacturing process of an electronic circuit board, and a treatment liquid B is applied from a spray nozzle 7 to a substrate material A to be conveyed. The surface treatment is performed by spraying (see also the background art section described above for the manufacturing process and the like).
That is, the surface treatment apparatus 6 is used as an etching apparatus, a developing apparatus, a peeling apparatus, or a cleaning apparatus in an etching process, a developing process, a peeling process, and a cleaning process provided in association with these processes. ,used. Although typically applied to the subtractive method, the present invention can also be applied to various other manufacturing methods of electronic circuit boards, such as a semi-additive method.
In this surface treatment apparatus 6, the substrate material that is horizontally transported in the chamber 8 by the transport rollers 3 of the conveyor 4 (not shown in FIG. 1 and the like, see FIG. 5 (1) described above). A processing solution B such as an etching solution, a developing solution, a stripping solution, or a cleaning solution is sprayed onto A. Accordingly, the substrate material A sprayed with the processing liquid B is subjected to a surface treatment such as a predetermined chemical processing or a cleaning processing.
The processing liquid B after the surface treatment, flows down into the liquid tank 5, recovered after being stored, a pump 9, a filter 10, through the pipe 11 and the like, and from the spray pipe 12 1 into the spray nozzle 7, It is recycled and reused.
The surface treatment apparatus 6 is roughly like this.

《本発明の概要》
以下、本発明の表面処理装置６について、図１〜図４を参照して説明する。まず、その概要について述べる。
この表面処理装置６のスプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤとを混合して噴射する。基板材Ａとスプレーノズル７間は、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔Ｅとなっている。エアーＤは、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズル７に圧送供給される。
そしてスプレーノズル７は、各スプレー管１２にそれぞれ複数個設けられており、各スプレー管１２は、左右方向Ｆに向けて配列され、前後の搬送方向Ｇに相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向Ｆに水平往復移動可能となっている。
そしてスプレーノズル７からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。処理液Ｂは、極めて近い前記距離間隔Ｅのもと、基板材Ａに対し強いインパクトでスプレーされると共に、基板材Ａに対しその分だけ狭くなるスプレー範囲が、スプレー管１２そしてスプレーノズル７の前記水平往復移動によりカバーされており、もって基板材Ａに対し、広く均一にスプレーされる。
なお処理液Ｂは、基板材Ａに対し、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで、広く均一にスプレーされる。
そして本発明では、エアーＤがブロワを圧送源１４として、圧送供給されるようになっている。
本発明の概要は、このようになっている。 << Outline of the Invention >>
Hereinafter, the surface treatment apparatus 6 of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the outline is described.
The spray nozzle 7 of the surface treatment apparatus 6 is composed of a two-fluid nozzle, and mixes and injects the treatment liquid B and air D. The distance E between the substrate material A and the spray nozzle 7 is 5 mm to 40 mm. Air D is pumped and supplied to the spray nozzle 7 at an air pressure of 0.01 MPa to 0.08 MPa.
A plurality of spray nozzles 7 are provided in each spray pipe 12, and each spray pipe 12 is arranged in the left-right direction F, and a plurality of spray nozzles 7 are provided while maintaining a mutual interval in the front-rear transport direction G. In addition, horizontal reciprocation in the left-right direction F is possible.
Then, the treatment liquid B sprayed together with the air D from the spray nozzle 7 is sprayed onto the substrate material A as fine particles. The treatment liquid B is sprayed with a strong impact on the substrate material A under the extremely close distance interval E, and a spray range that is narrower by that amount corresponding to the substrate material A corresponds to the spray tube 12 and the spray nozzle 7. Covered by the horizontal reciprocation, the substrate material A is sprayed widely and uniformly.
The processing liquid B is sprayed widely and uniformly on the substrate material A with a strong impact having a maximum impact value of 200 mN or more.
In the present invention, the air D is pumped and supplied using the blower as the pumping source 14.
The outline of the present invention is as described above.

《本発明の詳細》
このような表面処理装置６について、更に詳述する。まず、図１や図３の（１）図中に示したように、そのスプレーノズル７は２流体ノズルよりなる。
そして、この２流体ノズル製のスプレーノズル７では、圧送供給されたエアーＤが内部噴射路１３を直進し、圧送供給された処理液Ｂが、直進するエアーＤに対し、内部噴射路１３の途中で直交する横方向から供給，混合される。
エアーＤは、このように直進することにより、内部抵抗が少ないという利点がある。これに対し処理液Ｂは、直進するエアーＤに対し横から供給されることにより、スムーズにエアーＤに吸い込まれて混合されるという利点がある。又これにより、その圧送供給圧が低くてよいという利点もある。 << Details of the Invention >>
Such a surface treatment apparatus 6 will be further described in detail. First, as shown in FIG. 1 and FIG. 3 (1), the spray nozzle 7 comprises a two-fluid nozzle.
In the spray nozzle 7 made of the two-fluid nozzle, the pressure-supplied air D travels straight through the internal injection path 13, and the pressure-supplied processing liquid B is in the middle of the internal injection path 13 with respect to the straight air D. Supplied and mixed from the transverse direction.
The air D has an advantage that the internal resistance is small by going straight in this way. On the other hand, the processing liquid B has an advantage that it is smoothly sucked into the air D and mixed by being supplied from the side to the air D traveling straight. This also has the advantage that the pumping supply pressure may be low.

そしてエアーＤは、導入された外気が、ブロワよりなる圧送源１４から圧送され、もって、フィルター１５，流量計１６，配管１７等を経由した後、スプレー管１２２からスプレーノズル７へと供給される。図中１８は圧力計である。
このエアーＤは、圧送源１４のブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下程度の比較的低圧の供給圧で、供給される。
圧送源１４としてブロワ例えばルーツブロワが使用されるので、導入される外気の雰囲気温度より温度上昇したエアーＤが、ブロワで生成される。例えば、４０℃〜９０℃程度に温度上昇したエアーＤが、ブロワにて生成され、もって適宜供給されることになる。
他方、処理液Ｂは前述したように、スプレー管１２１からスプレーノズル７へと供給される。 The air D is introduced outside air is pumped from the pumping source 14 of the blower, with it, the filter 15, flow meter 16, after passing through the pipe 17 or the like, is supplied from a spray pipe 12 2 to the spray nozzles 7 The In the figure, 18 is a pressure gauge.
The air D is supplied from the blower of the pressure source 14 at a relatively low supply pressure of about 0.01 MPa to 0.08 MPa.
Since a blower, for example, a Roots blower is used as the pressure supply source 14, the air D having a temperature higher than the ambient temperature of the introduced outside air is generated by the blower. For example, the air D whose temperature has risen to about 40 ° C. to 90 ° C. is generated by the blower and is appropriately supplied.
On the other hand, the process liquid B, as described above, is supplied from a spray pipe 12 1 into the spray nozzle 7.

スプレーノズル７の噴射孔１９からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、平均粒子径が２０μｍ〜３０μｍ程度の微小粒子となると共に、エアーＤの前記供給圧より若干低い噴射圧で、基板材Ａにスプレーされる。
そして、スプレーノズル７の噴射孔１９から基板材Ａまでの距離間隔Ｅは、上下５ｍｍ〜４０ｍｍ程度に設定されている。エッチング等の表面処理による回路Ｃパターン形成に際し、噴射された処理液Ｂが基板材Ａに対し、最大衝撃値が安定的に２００ｍＮ以上となる打圧、つまり強いインパクトを与えることが必要とされているが、このような距離間隔Ｅにより、必要なインパクトが得られるようになる。
例えば図４に示したように、基板材Ａに対し半径４０ｍｍ程度で形成される全体的，外観的スプレー範囲中、半径２０ｍｍ程度で形成される中心的，実質的スプレー範囲において、最大衝撃値は確実に２００ｍＮ以上となる。
なお、距離間隔Ｅが４０ｍｍを超えると、最大衝撃値が２００ｍＮを下廻るのに対し、距離間隔Ｅが５ｍｍ未満の場合は、スプレーノズル７と基板材Ａが接近し過ぎ、処理液Ｂの反射等によりスムーズな表面処理に支障が生じる。
スプレーノズル７としては、フラットコーンノズル（スプレーパターンが楕円形）やフルコーンノズル（スプレーパターンが円形）が、代表的に使用されるが、勿論これら以外の各種ノズルも使用可能である。
又、基板材Ａとしては、表裏両面に回路Ｃが形成される両面基板タイプが代表的であるが、勿論、片面のみに回路Ｃが形成される片面基板タイプも考えられ、更に、多層基板その他各種タイプの基板についても、この表面処理装置６は広く適用可能である。 The treatment liquid B sprayed together with the air D from the spray holes 19 of the spray nozzle 7 becomes fine particles having an average particle diameter of about 20 μm to 30 μm, and is slightly lower than the supply pressure of the air D, and the substrate material A Sprayed on.
The distance interval E from the spray hole 19 of the spray nozzle 7 to the substrate material A is set to about 5 mm to 40 mm in the vertical direction. When forming a circuit C pattern by surface treatment such as etching, it is necessary that the sprayed processing liquid B gives an impact pressure with which the maximum impact value stably becomes 200 mN or more, that is, a strong impact, to the substrate material A. However, a necessary impact can be obtained by such a distance interval E.
For example, as shown in FIG. 4, the maximum impact value in the central and substantial spray range formed with a radius of about 20 mm in the overall and external spray range formed with a radius of about 40 mm with respect to the substrate material A is It is surely 200 mN or more.
When the distance interval E exceeds 40 mm, the maximum impact value is less than 200 mN. On the other hand, when the distance interval E is less than 5 mm, the spray nozzle 7 and the substrate material A are too close and the treatment liquid B is reflected. This causes problems in smooth surface treatment.
As the spray nozzle 7, a flat cone nozzle (spray pattern is oval) and a full cone nozzle (spray pattern is circular) are typically used. Of course, various other nozzles can be used.
Further, as the substrate material A, a double-sided board type in which circuits C are formed on both front and back surfaces is typical. Of course, a single-sided board type in which circuits C are formed only on one side is also conceivable. The surface treatment apparatus 6 can be widely applied to various types of substrates.

図示例では、スプレーノズル７は、各スプレー管１２に５個ずつ設けられている。そして各スプレー管１２は、前後方向である搬送方向Ｇと直交する左右方向Ｆに向け、平行に配列されている。つまり、前後の搬送方向Ｇに相互前後間隔を存しつつ、チャンバー８内に例えば上下４本ずつ設けられている。
そして、各スプレー管１２そしてスプレーノズル７は、左右方向Ｆに向け、同期連動して所定距離間を水平スライドしつつ、往復移動可能となっている。
ところで、エアーＤはスプレー管１２２から、処理液Ｂはスプレー管１２１から、それぞれスプレーノズル７へと供給される。そして図１の例では、スプレー管１２２とスプレー管１２１とは、別個に配設されると共に同期連動して水平往復移動する。
これに対し、図２に示した例のように、共通のスプレーノズル７に対して対をなすスプレー管１２２とスプレー管１２１とを、スプレー管１２として並存，一体連接設しておくと（例えば、スプレー管１２内部を２流体用に区画した構成）、往復移動動作が容易化する。
本発明は、このようになっている。 In the illustrated example, five spray nozzles 7 are provided in each spray pipe 12. The spray tubes 12 are arranged in parallel in the left-right direction F perpendicular to the transport direction G, which is the front-rear direction. That is, for example, four upper and lower portions are provided in the chamber 8 with a mutual front-rear interval in the front-rear transport direction G.
Each spray tube 12 and spray nozzle 7 can move back and forth in the left-right direction F while being horizontally slid within a predetermined distance in synchronization with each other.
Meanwhile, from the air D spray pipe 12 2, the process liquid B from the spray pipe 12 1 is supplied to the respective spray nozzles 7. And in the example of FIG. 1, the spray pipe 12 2 and the spray pipe 12 1, separately horizontally reciprocated interlocked synchronously while being arranged.
In contrast, as in the example shown in FIG. 2, a spray pipe 12 2 and the spray pipe 12 1 paired to a common spray nozzles 7, coexist as a spray tube 12 and keep integrally connected set (For example, the configuration in which the inside of the spray tube 12 is partitioned for two fluids), the reciprocating movement operation is facilitated.
The present invention is as described above.

《作用等》
本発明の基板材Ａの表面処理装置６は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用される。すなわち、製造工程の中核をなすエッチング工程を始め、現像工程，剥離工程，洗浄工程等において、エッチング装置、更には現像装置，剥離装置，洗浄装置等として、使用される。 《Action etc.》
The surface treatment apparatus 6 for the substrate material A of the present invention is configured as described above. Therefore, it becomes as follows.
(1) This surface treatment apparatus 6 is used in the manufacturing process of an electronic circuit board. That is, it is used as an etching apparatus, and further as a developing apparatus, a peeling apparatus, a cleaning apparatus, etc. in an etching process, which forms the core of the manufacturing process, and in a developing process, a peeling process, a cleaning process, and the like.

（２）そして表面処理装置６は、基板材Ａを処理液Ｂにて、回路Ｃ形成用に表面処理する。
すなわち、搬送される基板材Ａに対し、スプレー管１２（１２１，１２２）を経由してスプレーノズル７から、エッチング液，現像液，剥離液，洗浄液等の処理液Ｂを噴射し、もって基板材Ａをエッチング，現像，剥離，洗浄等する（図１，図２を参照）。エッチング液としては、例えば塩化第二銅や塩化第二鉄が使用される。 (2) Then, the surface treatment apparatus 6 subjects the substrate material A to the surface treatment for forming the circuit C with the treatment liquid B.
That is, the processing liquid B such as an etching solution, a developing solution, a stripping solution, and a cleaning solution is sprayed from the spray nozzle 7 to the substrate material A to be conveyed through the spray tube 12 (12 1 , 12 2 ). The substrate material A is etched, developed, peeled off, washed, etc. (see FIGS. 1 and 2). For example, cupric chloride or ferric chloride is used as the etching solution.

（３）そして、本発明の表面処理装置６は、スプレーノズル７として２流体ノズルを採用すると共に、このスプレーノズル７を、基板材Ａに対し５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅに配設し、更にスプレー管１２（１２１，１２２）と共に、左右方向Ｆに水平往復移動せしめる構成よりなる。そしてエアーＤは、圧送源１４であるブロワから、０．０１ＭＰａ以上〜０．０８ＭＰａ以下のエアー圧で、スプレーノズル７に圧送供給される。
本発明は、このような構成を組み合わせて採用したことを、特徴とする（図１，図２，図３の（１）図等を参照）。 (3) Then, the surface treatment apparatus 6 of the present invention employs a two-fluid nozzle as the spray nozzle 7, and disposes the spray nozzle 7 at a distance interval E of 5 mm to 40 mm with respect to the substrate material A. Together with the spray tube 12 (12 1 , 12 2 ), it is configured to reciprocate horizontally in the left-right direction F. And the air D is pumped and supplied to the spray nozzle 7 from the blower which is the pumping source 14 with an air pressure of 0.01 MPa or more and 0.08 MPa or less.
The present invention is characterized by adopting a combination of such configurations (see FIGS. 1, 2 and 3 (1)).

（４）そこで、スプレーノズル７からエアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、まず、２０μｍ〜４０μｍ程度に微小粒子化して、基板材Ａにスプレーされる。
そして処理液Ｂは、５ｍｍ〜４０ｍｍと極めて近い距離間隔Ｅで基板材Ａに向けて噴射され、もって強いインパクトで基板材Ａにスプレーされる。エッチング等の表面処理には、最大衝撃値２００ｍＮ程度以上のインパクトが必要とされているが、このような強いインパクトが確実に得られる（後述する表１や図４も参照）。 (4) Therefore, the treatment liquid B sprayed together with the air D from the spray nozzle 7 is first made into fine particles of about 20 μm to 40 μm and sprayed onto the substrate material A.
Then, the processing liquid B is sprayed toward the substrate material A at a distance interval E that is extremely close to 5 mm to 40 mm, and sprayed onto the substrate material A with a strong impact. The surface treatment such as etching requires an impact having a maximum impact value of about 200 mN or more, but such a strong impact can be surely obtained (see also Table 1 and FIG. 4 described later).

（５）ところで、このように近い距離間隔Ｅで処理液Ｂが噴射されるので、そのままでは、基板材Ａへのスプレー範囲が狭くなる（図４を参照）。
そこで、狭いスプレー範囲をカバーするため、スプレー管１２（１２１，１２２）そしてスプレーノズル７を、左右方向Ｆへ水平往復移動させるシステムが、採用されている。もって処理液Ｂは、基板材Ａに対し強いインパクトを与えると共に、水平往復移動により広いスプレー範囲のもと、基板材Ａに対し満遍なく均一にスプレーされる。 (5) By the way, since the processing liquid B is ejected at such a close distance interval E, the spray range on the substrate material A is narrow as it is (see FIG. 4).
Therefore, in order to cover a narrow spray range, a system is adopted in which the spray tube 12 (12 1 , 12 2 ) and the spray nozzle 7 are horizontally reciprocated in the left-right direction F. Accordingly, the processing liquid B has a strong impact on the substrate material A and is sprayed evenly and uniformly on the substrate material A under a wide spray range by horizontal reciprocation.

（６）本発明の表面処理装置６では、このように処理液Ｂが、微小粒子化し強いインパクトで均一に、基板材Ａにスプレーされる。
そこで、回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、微細化，高密度化された回路Ｃのパターン形成に際しても、表面処理が精度高く安定的に実施される。 (6) In the surface treatment apparatus 6 of the present invention, the treatment liquid B is thus made into fine particles and sprayed uniformly onto the substrate material A with a strong impact.
Therefore, the surface treatment is performed with high accuracy and stability even when forming a pattern of the circuit C that is miniaturized and densified to about 15 μm to 40 μm in the circuit width L and the inter-circuit space S.

（７）すなわち処理液Ｂは、微粒子化しているので、基板材Ａの微細化，高密度化された回路Ｃのパターン内に、確実に入り込み可能となる。そして処理液Ｂは、強いインパクトに基づき、基板材Ａ外表面での更新が進展し、液留まりや滞留発生は回避され、エッチング不足やオーバーエッチングも発生しずらい。   (7) That is, since the processing liquid B is finely divided, it can surely enter the pattern of the circuit C in which the substrate material A is miniaturized and densified. Then, the processing liquid B is renewed on the outer surface of the substrate material A based on a strong impact, so that liquid retention and stagnation are avoided, and insufficient etching and over-etching hardly occur.

（８）このようにして、基板材Ａの表面処理が進行し、理想に近い断面形状の回路Ｃが得られるようになる。この種従来例のようなサイドエッチングは回避され、回路幅Ｌが狭く細くなる箇所の発生は防止される。
もって、断面形状が正方形や長方形の理想例（図３の（２）図を参照）に近い、回路Ｃが得られるようになる（図３の（３）図を参照）。この種従来例のように、略富士山状・急傾斜台形状の回路Ｃは（図３の（４）図を参照）、回避される。 (8) In this way, the surface treatment of the substrate material A proceeds, and a circuit C having an ideal cross-sectional shape can be obtained. Such side etching as in the conventional example is avoided, and the occurrence of a portion where the circuit width L becomes narrow and narrow is prevented.
Accordingly, a circuit C having a cross-sectional shape close to an ideal example of a square or rectangle (see FIG. 3B) can be obtained (see FIG. 3C). As in the conventional example of this kind, the circuit C having a substantially Mt. Fuji-like shape and a steeply inclined trapezoidal shape (see FIG. 3 (4)) is avoided.

例えば、エッチングに際して、４０μｍの回路幅Ｌ，４０μｍの回路間スペースＳ，２０μｍの回路高さＨ等の設定下では、次のようになる（図３の（３）図を参照）。
すなわち少なくとも、頂面幅Ｘが３６μｍ程度、サイドエッチング幅Ｙが左右２μｍ程度の回路Ｃが、形成されるようになる（図３の（４）図と比較対照）。エッチング評価の目安であるエッチングファクターは、５〜１０前後程度まで向上した。 For example, in the etching, under the settings of a circuit width L of 40 μm, an inter-circuit space S of 40 μm, a circuit height H of 20 μm, and the like (see FIG. 3 (3)).
That is, at least a circuit C having a top surface width X of about 36 μm and a side etching width Y of about 2 μm on the left and right sides is formed (comparison with FIG. 4 (4)). The etching factor, which is a standard for etching evaluation, improved to about 5 to 10.

（９）そして本発明は、エアーＤの圧送源１４として、ブロワ例えばルーツブロワを採用したので、更に一段とこれらの作用に優れるようになる。
すなわち、ブロワよりなる圧送源１４から圧送供給されるエアーＤは、外気の雰囲気温度より温度上昇しているので、スプレーノズル７からエアーＤと混合して噴射される処理液Ｂも、これに伴い温度上昇する。
もって、温度上昇した処理液Ｂが、基板材Ａにスプレーされることになる。そこで、基板材Ａのエッチング，現像，剥離等の表面処理が、一段とスムーズかつ迅速に精度高く実施されるので、極めて理想に近い回路Ｃが得られるようになる。 (9) Since the present invention employs a blower, for example, a Roots blower, as the pressure source 14 of the air D, these functions are further improved.
That is, since the air D fed by pressure from the pressure feed source 14 made of a blower rises in temperature from the ambient temperature of the outside air, the treatment liquid B mixed and injected from the spray nozzle 7 with the air D is also accompanied by this. The temperature rises.
Accordingly, the processing liquid B whose temperature has increased is sprayed onto the substrate material A. Therefore, surface treatment such as etching, development, and peeling of the substrate material A is performed more smoothly and quickly with high accuracy, so that an extremely ideal circuit C can be obtained.

（１０）例えば、エッチング工程で基板材Ａをエッチング処理する場合は、代表的には４５℃〜５０℃程の温度が適している。場合によっては、６０℃前後程度が適していることもあり、ソフトエッチングの場合は、例えば３０℃〜３５℃程度が適している。
又、剥離工程で基板材Ａを剥離処理する場合は、代表的には４５℃〜５０℃程度が適しており、現像工程で基板材Ａを現像処理する場合は、例えば３０℃〜３５℃程度が適している。
これに対し、圧送源１４であるブロワで生成される温度上昇したエアーＤは、４０℃〜９０℃程度間の所定温度域にある。
そこで、その表面処理に適した温度のエアーＤが、圧送源１４のブロワで生成されるケースでは、ブロワからスプレーノズル７に対し、上記温度域まで温度上昇したエアーＤが、そのまま圧送供給される。
これに対し、その表面処理に適した温度が、ブロワで生成される上記温度域より低いケースでは、ブロワに冷却装置が付設される。もって、その表面処理に適した温度まで温度調節，温度低下せしめられたエアーＤが、スプレーノズル７に圧送供給される。 (10) For example, when the substrate material A is etched in the etching process, a temperature of about 45 ° C. to 50 ° C. is typically suitable. In some cases, about 60 ° C. may be suitable, and in the case of soft etching, for example, about 30 ° C. to 35 ° C. is suitable.
Further, when the substrate material A is peeled in the peeling step, typically about 45 ° C. to 50 ° C. is suitable, and when the substrate material A is developed in the developing step, for example, about 30 ° C. to 35 ° C. Is suitable.
On the other hand, the air D with the increased temperature generated by the blower that is the pumping source 14 is in a predetermined temperature range between about 40 ° C. and 90 ° C.
Therefore, in the case where the air D having a temperature suitable for the surface treatment is generated by the blower of the pressure supply source 14, the air D whose temperature has been raised from the blower to the spray nozzle 7 to the above temperature range is pressure-supplied and supplied as it is. .
On the other hand, in the case where the temperature suitable for the surface treatment is lower than the temperature range generated by the blower, a cooling device is attached to the blower. Accordingly, the air D whose temperature has been adjusted and decreased to a temperature suitable for the surface treatment is supplied to the spray nozzle 7 by pressure.

ここで、本発明の実施例１のデータについて説明する。次の表１および添付の図４は、実施例１の表面処理装置６に関して得られたデータを示す。   Here, data of the first embodiment of the present invention will be described. The following Table 1 and accompanying FIG. 4 show the data obtained for the surface treatment apparatus 6 of Example 1.

Figure 2010287881
Figure 2010287881

まず、テスト条件については、表１中にも示したように、次のとおりである。
・使用したスプレーノズル７ ： ２流体ノズル
・エアーＤの供給量（空気量） ： ２００Ｌ／ｍｉｎ
・処理液Ｂの供給量（噴霧水量）： ０．８Ｌ／ｍｉｎ
・エアーＤの供給圧（空気圧） ： ０．０３８ＭＰａ
・ 噴射圧（水圧） ： ０．０２６ＭＰａ First, as shown in Table 1, the test conditions are as follows.
・ Spray nozzle 7 used: 2-fluid nozzle ・ Supply amount of air D (air amount): 200 L / min
-Supply amount of treatment liquid B (amount of spray water): 0.8 L / min
・ Air D supply pressure (pneumatic pressure): 0.038 MPa
・ Injection pressure (water pressure): 0.026 MPa

このようなテスト条件のもとで、基板材Ａに対するスプレーノズル７の距離間隔Ｅを、順次変更すると共に、各距離間隔Ｅ毎に、基板材Ａへの処理液Ｂによる最大衝撃値を計測した。（なお、処理液Ｂの粒子径は、３０μｍ程度で計測された。）
すると、表１や図４中に示した計測結果が得られた。本発明のように距離間隔Ｅを５ｍｍ〜４０ｍｍに設定すると、必要なインパクトである２００ｍＮ以上の最大衝撃値が、安定的に得られた。
すなわち、距離間隔Ｅが５ｍｍで４７７ｍＮ、１０ｍｍで３８５ｍＮ、２０ｍｍで２９８ｍＮ、３０ｍｍで２４４ｍＮ、４０ｍｍで２２４ｍＮの最大衝撃値が、それぞれ計測された。そしてこれと共に、各距離間隔Ｅ共に、基板材Ａへの半径２０ｍｍの中心的，実質的スプレー範囲において、２００ｍＮ以上の最大衝撃値が安定的に得られた。
なお第１に、距離間隔Ｅが４５ｍｍでは、２１２ｍＮの最大衝撃値が計測されたが、この最大衝撃値は部分的，瞬間的であり、スプレー範囲について安定的に得られたものではない。又、距離間隔Ｅが５０ｍｍでは、１６０ｍＮ程度の最大衝撃値へと低下した。
このように、距離間隔Ｅが４０ｍｍを超えると、２００ｍＮ未満の最大衝撃値となり、必要なインパクトは得られなかった。
なお第２に、距離間隔Ｅが小さくなるほど、最大衝撃値は大きくなるが、スプレー範囲は狭くなる。そこで、水平往復移動の移動距離が、大きく設定されるようになる。
実施例１については、以上のとおり。 Under such test conditions, the distance interval E of the spray nozzle 7 relative to the substrate material A was sequentially changed, and the maximum impact value of the processing liquid B on the substrate material A was measured for each distance interval E. . (The particle diameter of the treatment liquid B was measured at about 30 μm.)
Then, the measurement results shown in Table 1 and FIG. 4 were obtained. When the distance interval E was set to 5 mm to 40 mm as in the present invention, a maximum impact value of 200 mN or more, which is a necessary impact, was stably obtained.
That is, the maximum impact values were measured at a distance interval E of 477 mN at 5 mm, 385 mN at 10 mm, 298 mN at 20 mm, 244 mN at 30 mm, and 224 mN at 40 mm. At the same time, for each distance interval E, a maximum impact value of 200 mN or more was stably obtained in a central and substantial spray range with a radius of 20 mm on the substrate material A.
First, when the distance interval E is 45 mm, a maximum impact value of 212 mN was measured, but this maximum impact value was partial and instantaneous, and was not stably obtained for the spray range. Further, when the distance interval E was 50 mm, the maximum impact value decreased to about 160 mN.
Thus, when the distance interval E exceeded 40 mm, the maximum impact value was less than 200 mN, and the required impact was not obtained.
Second, the smaller the distance interval E, the larger the maximum impact value, but the narrower the spray range. Therefore, the moving distance of the horizontal reciprocating movement is set to be large.
About Example 1, it is as above.

次に、本発明の実施例２のデータについて説明する。
次の表２は、実施例２の表面処理装置６に関して得られたデータを示し、表３は、この種従来例の表面処理装置１に関して得られたデータを示す。但し、データには若干の測定誤差が含まれている可能性がある。 Next, data of Example 2 of the present invention will be described.
The following Table 2 shows data obtained with respect to the surface treatment apparatus 6 of Example 2, and Table 3 shows data obtained with respect to this type of conventional surface treatment apparatus 1. However, the data may contain some measurement errors.

Figure 2010287881
Figure 2010287881

Figure 2010287881
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そして、各ライン＆スペース（つまり回路幅Ｌ／回路間スペースＳ）の各々の目標値・理想値（前述した図３の（２）図を参照）毎に、共通のエアー圧（エアーＤの供給圧，空気圧），液圧（噴射圧，水圧），エッチング時間等の条件下で、テストした。なお、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）も共通に３０ｍｍとした。
その結果、本発明の実施例２では、上記表２に示したように、パターントップ幅（頂面幅Ｘ），パターンボトム幅（回路幅Ｌ），パターン間隔（回路間スペースＳ），パターン高さ（回路高さＨ）等の各ポイントの測定値から見て、理想に近い良い形状の回路Ｃが得られ（前述した図３の（３）図を参照）、もってエッチングファクター（Ｅ／Ｆ）も高かった。
これに対し、この種従来例では、上記表３に示したように、各ポイントの測定値から見て、略富士山状・急傾斜台形状の悪い形状の回路Ｃとなり（前述した図３の（４）図を参照）、エッチングファクター（Ｅ／Ｆ）も低かった。
このように、データ的にも本発明の優れた作用効果が、裏付けられた。実施例２については、以上のとおり。 For each line and space (that is, circuit width L / inter-circuit space S), a common air pressure (supply of air D) is set for each target value / ideal value (see FIG. 3B). Pressure, air pressure), liquid pressure (injection pressure, water pressure), etching time, and other conditions. The nozzle height (distance interval E) was also 30 mm in common.
As a result, in Example 2 of the present invention, as shown in Table 2 above, the pattern top width (top surface width X), pattern bottom width (circuit width L), pattern interval (inter-circuit space S), pattern height The circuit C having a good shape close to the ideal is obtained from the measured value of each point such as the height (circuit height H) (see FIG. 3 (3) described above), and the etching factor (E / F) is obtained. ) Was also high.
On the other hand, in this type of conventional example, as shown in Table 3, the circuit C has a bad shape with a substantially Mt. Fuji and steeply inclined trapezoidal shape as viewed from the measured values at each point (see FIG. 4) See FIG.), And the etching factor (E / F) was also low.
In this way, the excellent operational effects of the present invention were confirmed in terms of data. About Example 2, it is as above.

次に、本発明の実施例３のデータについて説明する。
次の表４は、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）を３０ｍｍに設定した実施例の表面処理装置６に関して得られたデータを示し、表５は、ノズル高さ（距離間隔Ｅ）を４０ｍｍに設定した実施例の表面処理装置６に関して得られたデータを示す。但し、データには若干の測定誤差が含まれている可能性がある。 Next, data of Example 3 of the present invention will be described.
Table 4 below shows data obtained for the surface treatment apparatus 6 of the example in which the nozzle height (distance interval E) is set to 30 mm, and Table 5 sets the nozzle height (distance interval E) to 40 mm. The data obtained regarding the surface treatment apparatus 6 of the example which was done are shown. However, the data may contain some measurement errors.

Figure 2010287881
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Figure 2010287881
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そして共に、ライン＆スペース（つまり回路幅Ｌ／回路間スペースＳ）の目標値・理想値（前述した図３の（２）図を参照）を、共通の２０／２０とすると共に、共通のエッチング時間のもとで、エアー圧（エアーＤの供給圧，空気圧）および液圧（噴射圧，水圧）の条件を、順次変化させてテストした。その結果、いずれも良好なデータが得られた。
すなわち、パターントップ幅（頂面幅Ｘ），パターンボトム幅（回路幅Ｌ），パターン間隔（回路間スペースＳ），パターン高さ（回路高さＨ）等の各ポイントの測定値から見て、理想に近い良い形状の回路Ｃが得られ（前述した図３の（３）図も参照）、良好なエッチングファクター（Ｅ／Ｆ）となった。
このようなデータ面からも、本発明の優れた作用効果が、裏付けられた。実施例３については、以上のとおり。 In both cases, the target value / ideal value of the line & space (that is, the circuit width L / inter-circuit space S) is set to 20/20 common and the common etching is performed. The test was performed by changing the conditions of air pressure (supply pressure of air D, air pressure) and liquid pressure (injection pressure, water pressure) sequentially over time. As a result, good data was obtained in all cases.
That is, from the measured values of each point such as pattern top width (top surface width X), pattern bottom width (circuit width L), pattern interval (inter-circuit space S), pattern height (circuit height H), A circuit C having a good shape close to the ideal was obtained (see also FIG. 3 (3)), and the etching factor (E / F) was good.
From such a data aspect, the excellent operational effects of the present invention were confirmed. About Example 3, it is as above.

１ 表面処理装置（従来例）
２ スプレーノズル（従来例）
３ 搬送ローラー
４ コンベア
５ 液槽
６ 表面処理装置（本発明）
７ スプレーノズル（本発明）
８ チャンバー
９ ポンプ
１０ フィルター
１１ 配管
１２ スプレー管
１２１ スプレー管
１２２ スプレー管
１３ 内部噴射路
１４ 圧送源
１５ フィルター
１６ 流量計
１７ 配管
１８ 圧力計
１９ 噴射孔
Ａ 基板材
Ｂ 処理液
Ｃ 回路
Ｄ エアー
Ｅ 距離間隔
Ｆ 左右方向
Ｇ 搬送方向
Ｈ 回路高さ
Ｌ 回路幅
Ｓ 回路間スペース
Ｘ 頂面幅
Ｙ サイドエッチング幅

1 Surface treatment equipment (conventional example)
2 Spray nozzle (conventional example)
3 Conveying roller 4 Conveyor 5 Liquid tank 6 Surface treatment device (present invention)
7 Spray nozzle (present invention)
8 Chamber 9 Pump 10 Filter 11 Pipe 12 Spray pipe 12 1 Spray pipe 12 2 Spray pipe 13 Internal injection path 14 Pressure source 15 Filter 16 Flow meter 17 Pipe 18 Pressure gauge 19 Injection hole A Substrate material B Processing liquid C Circuit D Air E Distance interval F Left-right direction G Transport direction H Circuit height L Circuit width S Circuit space X Top surface width Y Side etching width

Claims (8)

電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する、基板材の表面処理装置において、
該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、処理液とエアーとを混合して噴射し、該基板材と該スプレーノズル間は、５ｍｍ以上〜４０ｍｍ以下の距離間隔となっていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。 In a substrate material surface treatment apparatus that performs surface treatment by spraying a treatment liquid from a spray nozzle on a substrate material that is used and transported in an electronic circuit board manufacturing process,
The spray nozzle is composed of a two-fluid nozzle, mixed with a treatment liquid and air and sprayed, and the distance between the substrate material and the spray nozzle is 5 mm to 40 mm. Surface treatment device for substrate material. 請求項１に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルは、各スプレー管にそれぞれ複数個設けられており、
各該スプレー管は、左右方向に向けて配列され、前後の搬送方向に相互間隔を存しつつ、複数本設けられると共に、左右方向に水平往復移動可能となっていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。 In the surface treatment apparatus according to claim 1, a plurality of the spray nozzles are provided in each spray pipe,
Each of the spray tubes is arranged in the left-right direction, and a plurality of spray tubes are provided while being spaced apart from each other in the front-rear transport direction, and can be horizontally reciprocated in the left-right direction. Surface treatment equipment for plate materials. 請求項２に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルから該エアーと共に噴射された該処理液は、微小粒子となって該基板材にスプレーされ、
かつ該処理液は、極めて近い前記距離間隔のもと、該基板材に対し強いインパクトでスプレーされると共に、該スプレー管そして該スプレーノズルの前記水平往復移動により、該基板材に対し広く均一にスプレーされること、を特徴とする基板材の表面処理装置。 The surface treatment apparatus according to claim 2, wherein the treatment liquid sprayed together with the air from the spray nozzle is sprayed on the substrate material as fine particles,
In addition, the processing liquid is sprayed with a strong impact on the substrate material in the extremely close distance distance, and the spray pipe and the spray nozzle move horizontally and uniformly on the substrate material. A surface treatment apparatus for a substrate material, characterized by being sprayed. 請求項３に記載した表面処理装置において、該処理液は、最大衝撃値２００ｍＮ以上の強いインパクトで、該基板材にスプレーされること、を特徴とする基板材の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 3, wherein the treatment liquid is sprayed on the substrate material with a strong impact having a maximum impact value of 200 mN or more. 請求項１に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルでは、圧送供給された該エアーが内部噴射路を直進し、圧送供給された該処理液が、直進する該エアーに対し、該内部噴射路の途中で横方向から供給，混合されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。   2. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein, in the spray nozzle, the pressure-supplied air travels straight through the internal injection path, and the pressure-supplied treatment liquid flows straight to the internal injection path. A substrate surface treatment apparatus characterized by being supplied and mixed from the lateral direction in the middle of the process. 請求項３又は請求項５に記載した表面処理装置において、該エアーは、圧送源であるブロワから、該スプレーノズルに圧送供給されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。   6. The surface treatment apparatus according to claim 3, wherein the air is supplied by pressure from a blower as a pressure supply source to the spray nozzle. 請求項６に記載した表面処理装置において、該ブロワから該スプレーノズルに圧送供給される該エアー、そして該スプレーノズルから該エアーと混合して噴射される該処理液は、温度上昇しており、もって該処理液が該基板材にスプレーされることにより、該基板材の表面処理精度向上機能を発揮すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 6, wherein the air pressure-fed and supplied from the blower to the spray nozzle, and the treatment liquid sprayed and mixed with the air from the spray nozzle are heated. A substrate material surface treatment apparatus characterized by exhibiting a function of improving the surface treatment accuracy of the substrate material by spraying the treatment liquid onto the substrate material. 請求項１に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、
該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。 The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment apparatus is used in a development process, an etching process, a peeling process, or a cleaning process,
The spray nozzle ejects a developing solution, an etching solution, a stripping solution, or a cleaning solution as the processing solution.
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