JP6734655B2

JP6734655B2 - Etching equipment

Info

Publication number: JP6734655B2
Application number: JP2016015426A
Authority: JP
Inventors: 直明小川; 公彦斎藤; 政憲秋山; 哲也片庭
Original assignee: CHEMITRON INC.
Current assignee: CHEMITRON INC.
Priority date: 2016-01-29
Filing date: 2016-01-29
Publication date: 2020-08-05
Anticipated expiration: 2036-01-29
Also published as: JP2017133078A

Description

本発明は、エッチング装置に関し、特にプリント配線板を製造する工程において、基板上の被加工導電層をパターンエッチングして配線部をパターン形成するエッチング装置に関する。 The present invention relates to an etching apparatus, and more particularly, to an etching apparatus that forms a wiring portion by pattern etching a conductive layer to be processed on a substrate in a process of manufacturing a printed wiring board.

半導体等の部品が実装されるプリント配線板（基板）の表面に微細なパターンの配線部を形成するエッチング装置として、スプレーノズルから基板上にエッチング液を噴射する装置が広く用いられている。銅箔上には予めマスク層であるレジスト膜がパターン形成されており、レジスト膜で保護されていない銅箔にエッチング液が接触することによって、銅箔がパターン加工される。 2. Description of the Related Art As an etching apparatus for forming a wiring portion having a fine pattern on a surface of a printed wiring board (substrate) on which a component such as a semiconductor is mounted, an apparatus for spraying an etching solution onto a substrate from a spray nozzle is widely used. A resist film, which is a mask layer, is patterned in advance on the copper foil, and the copper foil is patterned by bringing the etching solution into contact with the copper foil that is not protected by the resist film.

また、特許文献１には、スライド式の遮蔽板を設けたスプレーエッチング装置が記載されている。遮蔽板は、金属基材を覆う幅を持ち、その一方の端辺がエッチングチャンバー内の金属基材搬入口側付近と接続し、他方の端辺が金属基材搬送方向に適宜平行移動可能に、エッチングチャンバー内の金属基板とスプレーノズルとの間に設けられる。遮蔽板が展張した領域で金属基材へのエッチング液の接触を妨げることにより、金属基材のエッチング時間の調整が行われる。 Further, Patent Document 1 describes a spray etching apparatus provided with a slide type shield plate. The shield plate has a width that covers the metal base material, and one end side of the shield plate is connected to the vicinity of the metal base material inlet side in the etching chamber, and the other end side can be appropriately translated in the metal base material transport direction. , Provided between the metal substrate in the etching chamber and the spray nozzle. The etching time of the metal base material is adjusted by preventing the etching liquid from contacting the metal base material in the region where the shield plate is spread.

特開平９−３６６１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-3661

スプレーノズルから基板上にエッチング液を噴射してエッチングを行うエッチング装置では、スプレーノズルから噴射されたエッチング液が基板の表面に当たることによってエッチングされるだけでなく、噴射されたエッチング液が基板の表面上を流れることによってもエッチングされる。 In an etching device that performs etching by spraying an etching liquid onto a substrate from a spray nozzle, not only is the etching liquid sprayed from the spray nozzle hitting the surface of the substrate to etch it, but also the sprayed etching liquid is exposed to the surface of the substrate. It is also etched by flowing over.

基板は所定の搬送方向へ連続して搬送され、スプレーノズルから噴射され基板の表面に当たったエッチング液は、基板（エッチング対象面）上を搬送方向の上流側及び下流側（前後方向）に拡がるため、Ｅ／Ｆ（エッチファクター）を悪化させる可能性がある。 The substrate is continuously transported in a predetermined transport direction, and the etching liquid sprayed from the spray nozzle and hitting the surface of the substrate spreads on the substrate (etching target surface) upstream and downstream (front-back direction) in the transport direction. Therefore, the E/F (etch factor) may be deteriorated.

なお、特許文献１には、金属基材へのエッチング液の接触を妨げる遮蔽板が記載されているが、この遮蔽板は、金属基材搬送方向に平行移動して展張し、複数のスプレーノズルから噴射されるエッチング液のスプレー範囲の全域に対して上流側の一部を遮蔽するものであるため、各スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向への拡がりを抑制することはできない。 Note that Patent Document 1 describes a shield plate that prevents the etching liquid from contacting the metal base material. However, the shield plate is moved in parallel in the metal base material conveying direction to be expanded, and a plurality of spray nozzles are provided. Since it shields a part of the upstream side of the entire spray range of the etching solution sprayed from, it suppresses the spread of the etching solution sprayed from each spray nozzle in the front-back direction on the surface to be etched. You cannot do it.

そこで、本発明は、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを抑制して好適なＥ／Ｆを得ることが可能なエッチング装置の提供を目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide an etching apparatus capable of suppressing the spread of the etching liquid sprayed from the spray nozzle in the front-rear direction on the surface to be etched and obtaining a suitable E/F.

上記目的を達成すべく、本発明の第１の態様に係るエッチング装置は、搬送手段と、スプレーノズルと、上流側の噴射範囲制限手段と、下流側の噴射範囲制限手段と、を備える。 In order to achieve the above object, the etching apparatus according to the first aspect of the present invention includes a conveying unit, a spray nozzle, an upstream side injection range limiting unit, and a downstream side injection range limiting unit.

搬送手段は、エッチング対象面を有するエッチング対象物を、エッチング対象面が鉛直方向と交叉する姿勢（例えば、略水平な姿勢）で所定の搬送方向（例えば、所定の水平方向）へ移動するように、装置本体の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する。スプレーノズルは、搬送経路の上方又は下方で装置本体側に固定され、搬送方向へ搬送されるエッチング対象物のエッチング対象面へ向けてエッチング液を噴射する。 The transfer means moves the etching target object having the etching target surface in a predetermined transfer direction (for example, a predetermined horizontal direction) in a posture in which the etching target surface intersects the vertical direction (for example, a substantially horizontal posture). , Is transported from the upstream side to the downstream side along the transport path of the apparatus body. The spray nozzle is fixed to the apparatus main body side above or below the transport path, and sprays the etching liquid toward the etching target surface of the etching target transported in the transport direction.

上流側の噴射範囲制限手段は、スプレーノズルの上流側で且つスプレーノズルと搬送経路との間でスプレーノズルから離間して装置本体側に固定され、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲を上流側で部分的に遮蔽して制限する。下流側の噴射範囲制限手段は、スプレーノズルの下流側で且つスプレーノズルと搬送経路との間でスプレーノズルから離間して装置本体側に固定され、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲を下流側で部分的に遮蔽して制限する。上流側及び下流側の噴射範囲制限手段は、搬送方向に沿った長さ（前後長さ）が非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に液噴射範囲を制限する。 The upstream injection range limiting means is fixed on the upstream side of the spray nozzle and apart from the spray nozzle between the spray nozzle and the transfer path to the apparatus main body side, and the surface to be etched of the etching solution sprayed from the spray nozzle. The liquid injection range in is partially shielded on the upstream side and limited. The injection range limiting means on the downstream side is fixed on the apparatus main body side on the downstream side of the spray nozzle and apart from the spray nozzle between the spray nozzle and the transfer path, and the surface to be etched of the etching solution injected from the spray nozzle. The liquid injection range in is partially shielded on the downstream side and limited. The upstream and downstream injection range limiting means limits the liquid injection range to a liquid injection effective range in which the length (front-back length) along the transport direction is shorter than that in the unshielded state.

上流側及び下流側の噴射範囲制限手段によって制限される液噴射有効範囲の搬送方向に沿った長さ（前後長さ）は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下が好適である。 The length (longitudinal length) along the transport direction of the effective liquid injection range limited by the upstream and downstream injection range limiting means is preferably 10 mm or more and 60 mm or less.

上記構成では、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、好適なＥ／Ｆを得ることができる。 In the above configuration, the liquid jetting range of the etching liquid jetted from the spray nozzle on the surface to be etched is limited to the liquid jetting effective range in which the front-rear length is shortened as compared with the non-shielding non-shielding state. In comparison, the spread of the etchant sprayed from the spray nozzle in the front-rear direction on the surface to be etched (the momentum of the flow of the etchant in the front-rear direction) is suppressed, and a suitable E/F can be obtained.

特に、液噴射有効範囲の前後長さを１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下に設定することにより、好適なＥ／Ｆを効率良く得ることができる。 In particular, a suitable E/F can be efficiently obtained by setting the front-rear length of the liquid ejection effective range to 10 mm or more and 60 mm or less.

本発明の第２の態様は、第１の態様のエッチング装置であって、スプレーノズルは、搬送経路の上方に配置される。上流側及び下流側の噴射範囲制限手段の少なくとも一方は、エッチング対象面からエッチング液を吸引して除去する吸引手段を有する。 A second aspect of the present invention is the etching apparatus according to the first aspect, wherein the spray nozzle is arranged above the transport path. At least one of the upstream side and the downstream side injection range limiting means has a suction means for sucking and removing the etching liquid from the surface to be etched.

上記構成では、上流側及び下流側の噴射範囲制限手段の少なくとも一方に設けられた吸引手段によって、エッチング対象面からエッチング液が吸引して除去されるので、スプレーノズルを搬送経路の上方に配置してエッチング液を下方へ吹き付ける場合において、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを確実に抑制することができる。 In the above configuration, since the etching solution is sucked and removed from the surface to be etched by the suction means provided on at least one of the upstream side and the downstream side injection range limiting means, the spray nozzle is arranged above the transport path. When the etching liquid is sprayed downward by the spraying method, the spread of the etching liquid sprayed from the spray nozzle in the front-rear direction on the surface to be etched can be reliably suppressed.

本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様のエッチング装置であって、スプレーノズルは、搬送方向と交叉する所定方向（例えば、搬送方向と略直交する方向）に沿って直線状に並んで複数設けられる。上流側の噴射範囲制限手段は、上記所定方向に沿って延び、複数のスプレーノズルに対応する複数の液噴射範囲の各々を上流側で部分的に遮蔽して制限する。下流側の噴射範囲制限手段は、上流側噴射範囲制限手段の下流側で上流側噴射範囲制限手段から離間して上記所定方向に沿って延び、複数のスプレーノズルに対応する複数の液噴射範囲の各々を下流側で部分的に遮蔽して制限する。 A third aspect of the present invention is the etching apparatus according to the first or second aspect, wherein the spray nozzle is linear along a predetermined direction intersecting the transport direction (for example, a direction substantially orthogonal to the transport direction). Are provided side by side. The upstream injection range limiting means extends along the above-mentioned predetermined direction and partially blocks and limits each of the plurality of liquid injection ranges corresponding to the plurality of spray nozzles on the upstream side. The downstream-side injection range limiting means is separated from the upstream-side injection range limiting means on the downstream side of the upstream-side injection range limiting means and extends along the above-mentioned predetermined direction, and has a plurality of liquid injection ranges corresponding to a plurality of spray nozzles. Each is partially shielded on the downstream side to limit it.

上記構成では、直線状に並ぶ複数のスプレーノズルに対して上流側及び下流側の噴射範囲制限手段を設ければよいので、装置の簡素化を図ることができる。 In the above configuration, the upstream and downstream injection range limiting means may be provided for the plurality of linearly arranged spray nozzles, so that the apparatus can be simplified.

本発明によれば、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを抑制して好適なＥ／Ｆを得ることができる。 According to the present invention, a suitable E/F can be obtained by suppressing the spread of the etching liquid sprayed from the spray nozzle in the front-rear direction on the surface to be etched.

本発明の一実施形態に係るエッチング装置を模式的に示す概略構成図である。It is a schematic structure figure showing the etching device concerning one embodiment of the present invention typically. エッチング処理を説明するためのプリント配線板の拡大断面図であり、（ａ）は絶縁性の基板の両面に導電層を形成した状態を、（ｂ）は導電層の上層にレジスト膜をパターン形成した状態を、（ｃ）は導電層をレジスト膜のパターンに沿ってエッチングし、配線部をパターン形成した状態をそれぞれ示す。3A and 3B are enlarged cross-sectional views of a printed wiring board for explaining the etching process, where FIG. 3A is a state in which conductive layers are formed on both surfaces of an insulating substrate, and FIG. 6C shows the state in which the conductive layer is etched along the pattern of the resist film and the wiring portion is patterned. 複数のスプレーノズルと遮蔽板との位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of a some spray nozzle and a shielding plate. 複数のスプレーノズルと遮蔽板との位置関係を示す側面図である。It is a side view showing a positional relationship between a plurality of spray nozzles and a shielding plate. Ｅ／Ｆの説明図である。It is explanatory drawing of E/F. 上側の遮蔽板に代えて吸引ユニットを用いた場合のエッチング装置を模式的に示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows typically the etching apparatus when a suction unit is used instead of the upper shield plate. 複数のスプレーノズルと吸引ユニットとの位置関係を示す側面図である。It is a side view showing a positional relationship between a plurality of spray nozzles and a suction unit. 液噴射有効範囲の前後長さとＥ／Ｆとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the front-back length of a liquid injection effective range, and E/F. 液噴射有効範囲の前後長さとエッチング時間との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the front-back length of a liquid spray effective range, and the relationship of etching time.

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本実施形態のエッチング装置を適用するプリント配線板の製造方法の概要について、図２の断面図を参照して説明する。 First, an outline of a method for manufacturing a printed wiring board to which the etching apparatus of this embodiment is applied will be described with reference to the sectional view of FIG.

図２（ａ）に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶縁性の基板（エッチング対象物）１の両面に、例えば銅箔などの導電層（被エッチング層）２を数μｍ〜数１０μｍの膜厚で形成する。導電層２を形成する方法は、張り付け、めっき、気相成長など、どのような方法でも可能であり、基板１の両面がエッチング対象面となる。 As shown in FIG. 2A, on both surfaces of an insulating substrate (object to be etched) 1 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or another resin, a conductive layer such as a copper foil (a layer to be etched) is formed. 2) is formed with a film thickness of several μm to several tens of μm. The conductive layer 2 can be formed by any method such as sticking, plating, vapor phase growth, etc., and both surfaces of the substrate 1 are surfaces to be etched.

次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー工程（ドライフィルムレジストや液状レジストなど）によって導電層２の上層にレジスト膜３を成膜し、パターン露光し、現像処理を行うことによって、導電層２の上層にレジスト膜３をパターン形成する。レジスト膜３の形成処理は、基板１の両面に対してそれぞれ行われる。 Next, as shown in FIG. 2B, a resist film 3 is formed on the upper layer of the conductive layer 2 by a photolithography process (dry film resist, liquid resist, etc.), pattern exposure is performed, and development processing is performed. A resist film 3 is patterned on the conductive layer 2. The formation process of the resist film 3 is performed on both surfaces of the substrate 1, respectively.

次に、図２（ｃ）に示すように、基板１の両面上の導電層２に対してレジスト膜３をマスクとしたエッチング処理を施す。すなわち、導電層２をレジスト膜３のパターンに沿ってエッチングし、配線部２ａをパターン形成する。 Next, as shown in FIG. 2C, the conductive layer 2 on both surfaces of the substrate 1 is subjected to an etching process using the resist film 3 as a mask. That is, the conductive layer 2 is etched along the pattern of the resist film 3 to pattern the wiring portion 2a.

配線部２ａをパターン形成した後、例えば、強アルカリ溶液または有機溶剤処理などによりレジスト膜３を剥離する。これにより、所望のプリント配線板が形成される。 After patterning the wiring portion 2a, the resist film 3 is peeled off by, for example, treatment with a strong alkaline solution or an organic solvent. As a result, a desired printed wiring board is formed.

上記のレジスト膜３をマスクとした導電層２に対するエッチング処理は、本実施形態に係るエッチング装置１０を用いて行うことができる。図１は、本実施形態に係るエッチング装置１０を模式的に示す概略構成図である。 The etching process for the conductive layer 2 using the resist film 3 as a mask can be performed using the etching apparatus 10 according to the present embodiment. FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing an etching apparatus 10 according to this embodiment.

図１に示すように、エッチング装置１０は、装置本体１２と、搬送ローラ（搬送手段）１６と、複数のスプレーノズル２０と、複数の遮蔽板（噴射範囲制限手段）１７（１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ）とを備え、装置本体１２はエッチング処理室１１を区画形成する。なお、基板１は、所定の大きさに切断された平板材であってもよく、長尺なフープ材であってもよい。 As shown in FIG. 1, the etching apparatus 10 includes an apparatus body 12, a conveying roller (conveying means) 16, a plurality of spray nozzles 20, and a plurality of shielding plates (ejection range limiting means) 17 (17A, 17B, 17C). ) And the device main body 12 defines the etching processing chamber 11. The substrate 1 may be a flat plate material cut into a predetermined size or a long hoop material.

エッチング処理室１１内には、一側（図１中左側）の入口１４から他側（図１中右側）の出口１５に向かって水平直線状に延びる搬送経路１３が設定され、この搬送経路１３に複数の搬送ローラ１６が設けられている。搬送ローラ１６は、レジスト膜３がパターン形成された基板１を、一面（上面）が略鉛直上方を向き他面（下面）が略鉛直下方を向く略水平状に保持して、搬送経路１３（搬送方向１８）に沿って上流側から下流側へ略水平に搬送する。なお、以下の説明において、前方は搬送方向１８の下流方向を、後方は搬送方向１８の上流方向を、左右方向は搬送方向１８と略直交する略水平方向をそれぞれ意味する。 In the etching processing chamber 11, a transfer path 13 extending in a horizontal straight line from an inlet 14 on one side (left side in FIG. 1) to an outlet 15 on the other side (right side in FIG. 1) is set. A plurality of transport rollers 16 are provided in the. The transport roller 16 holds the substrate 1 on which the resist film 3 is patterned in a substantially horizontal state in which one surface (upper surface) is substantially vertically upward and the other surface (lower surface) is substantially vertically downward, and the transportation path 13 ( It is transported from the upstream side to the downstream side substantially horizontally along the transport direction 18). In the following description, the front means a downstream direction of the transport direction 18, the rear means an upstream direction of the transport direction 18, and the left-right direction means a substantially horizontal direction substantially orthogonal to the transport direction 18.

エッチング処理室１１内の上部領域には、複数個のスプレーノズル２０が、搬送経路１３の上方及び下方にそれぞれ配列して設けられている。各スプレーノズル２０は、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。 In the upper region of the etching processing chamber 11, a plurality of spray nozzles 20 are provided so as to be arranged above and below the transfer path 13, respectively. Each spray nozzle 20 is fixed to the apparatus main body 12 side via a bracket (not shown).

複数の遮蔽板１７は、各スプレーノズル２０の上流側及び下流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側及び下側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。 The plurality of shielding plates 17 are arranged on the upstream side and the downstream side of each spray nozzle 20 and between the spray nozzle 20 and the transfer path 13 on the upper side and the lower side of the transfer path 13 separately from the spray nozzle 20. It is fixed to the apparatus main body 12 side via a bracket (not shown).

搬送経路１３の下方のエッチング処理室１１内の底部には、塩化第二銅、塩化第二鉄又はアルカリ性物質をベースとしたエッチング液５が貯留される。各スプレーノズル２０には、エッチング処理室１１内に貯留したエッチング液５を供給するエッチング液供給管路２１が接続されている。エッチング液供給管路２１にはポンプ２２とフィルタ２４と圧力計２３とが設けられ、エッチング処理室１１内のエッチング液５は、ポンプ２２からフィルタ２４によって濾過された後、所定圧で各スプレーノズル２０に供給される。スプレーノズル２０へのエッチング液の供給圧は、圧力計２３によって計測される。 An etching solution 5 based on cupric chloride, ferric chloride or an alkaline substance is stored in the bottom of the etching processing chamber 11 below the transfer path 13. An etching liquid supply pipe line 21 for supplying the etching liquid 5 stored in the etching processing chamber 11 is connected to each spray nozzle 20. A pump 22, a filter 24, and a pressure gauge 23 are provided in the etching liquid supply conduit 21, and the etching liquid 5 in the etching processing chamber 11 is filtered by the filter 24 from the pump 22 and then each spray nozzle is pressurized at a predetermined pressure. 20. The supply pressure of the etching liquid to the spray nozzle 20 is measured by the pressure gauge 23.

図３に示すように、上側の複数のスプレーノズル２０は、略平行な複数の列２５の各列２５上に所定間隔をおいて配置される。各列２５は、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延び、搬送方向１８に略等間隔に離間する。上側と同様に、下側の複数のスプレーノズル２０も、略平行な複数の列の各列上に所定間隔をおいて配置される。各列は、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延び、搬送方向１８に略等間隔に互いに離間する。 As shown in FIG. 3, the plurality of upper spray nozzles 20 are arranged at predetermined intervals on each row 25 of the plurality of substantially parallel rows 25. Each row 25 extends along a predetermined direction (a substantially horizontal direction that is substantially orthogonal in the present embodiment) intersecting with the transport path 13 (the transport direction 18), and is spaced at substantially equal intervals in the transport direction 18. Similarly to the upper side, the plurality of lower spray nozzles 20 are also arranged at predetermined intervals on each of the plurality of substantially parallel rows. Each row extends along a predetermined direction (a substantially horizontal direction that is substantially orthogonal in the present embodiment) that intersects the transport path 13 (the transport direction 18), and is separated from each other at substantially equal intervals in the transport direction 18.

１つの列２５上で互いに隣接するスプレーノズル２０間の距離（左右距離）Ｄ１と、搬送経路１３（搬送方向１８）に沿って前後に隣接する２つの列２５間の距離（前側の列２５のスプレーノズル２０と後側の列２５のスプレーノズル２０との前後距離）Ｄ２とは、各左右距離Ｄ１同士が略等しく設定されるとともに、各前後距離Ｄ２同士が略等しく設定され、複数のスプレーノズル２０は、格子状に並ぶ。なお、複数のスプレーノズル２０を格子状以外（例えば千鳥状など）に配置してもよい。 The distance (left-right distance) D1 between the spray nozzles 20 adjacent to each other on one row 25 and the distance between the two rows 25 adjacent to each other in the front-back direction along the transport path 13 (transport direction 18) (of the front row 25). The front and rear distances D2 between the spray nozzles 20 and the spray nozzles 20 in the rear row 25 are set such that the left and right distances D1 are set substantially equal to each other, and the front and rear distances D2 are set substantially equal to each other. The 20 are arranged in a grid pattern. Note that the plurality of spray nozzles 20 may be arranged in a shape other than the grid shape (for example, in a staggered shape).

図３及び図４に示すように、スプレーノズル２０は、エッチング液を噴射口３０から所定形状（本実施形態では円錐状）に噴射し、噴射口３０からの射出方向（ノズル射出方向）は、基板１の表面（上面又は下面）と交叉（本実施形態では略直交）する。噴射口３０からの射出方向と基板１の表面との交点（噴射対象点）３１が、個々のスプレーノズル２０から単独でエッチング液が噴射された場合に基板１の表面上に形成される設計上の液噴射範囲（スプレーパターン）３２の中心となり、液噴射範囲３２は、噴射対象点３１を中心とした円形状となる。また、全てのスプレーノズル２０は、同一性能を有する同じノズルであり、１つの列２５上に配置される複数のスプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面上の各液噴射範囲３２は、左右に互いに重なり合う。 As shown in FIGS. 3 and 4, the spray nozzle 20 ejects the etching liquid from the ejection port 30 into a predetermined shape (conical shape in the present embodiment), and the ejection direction from the ejection port 30 (nozzle ejection direction) is It intersects with the surface (upper surface or lower surface) of the substrate 1 (substantially orthogonal in this embodiment). A design is such that an intersection point (jetting target point) 31 of the jetting direction from the jet port 30 and the surface of the substrate 1 is formed on the surface of the substrate 1 when the etching liquid is jetted alone from each spray nozzle 20. Is the center of the liquid ejection range (spray pattern) 32, and the liquid ejection range 32 has a circular shape with the ejection target point 31 as the center. Further, all the spray nozzles 20 are the same nozzle having the same performance, and each of the liquid spray ranges 32 on the surface of the substrate 1 of the etching liquid sprayed from the plurality of spray nozzles 20 arranged on one row 25. Overlap each other left and right.

各遮蔽板１７は、左右に長い平板状の部材であり、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延びる。各遮蔽板１７は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２のうち搬送経路１３の上流側の外縁部又は下流側の外縁部の少なくとも一方を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置され、装置本体１２側に固定される。 Each of the shielding plates 17 is a flat plate member that is long in the left and right, and extends along a predetermined direction (a substantially horizontal direction that is substantially orthogonal in the present embodiment) intersecting with the transport path 13 (the transport direction 18). Each of the shielding plates 17 partially shields the liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 in a range including at least one of the upstream outer edge and the downstream outer edge of the transport path 13. Is disposed between the spray nozzle 20 and the transport path 13 and is fixed to the apparatus body 12 side.

各遮蔽板１７は、搬送経路１３から遮蔽部材１４までの距離がスプレーノズル２０から遮蔽部材１４までの距離よりも短くなるように、スプレーノズル２０と搬送経路１３との間の中央位置よりも搬送経路１３側に配置されている。本実施形態の遮蔽板１７は、基板１の表面に近接して配置される。 Each shielding plate 17 conveys more than the central position between the spray nozzle 20 and the conveying route 13 so that the distance from the conveying route 13 to the shielding member 14 is shorter than the distance from the spray nozzle 20 to the shielding member 14. It is arranged on the route 13 side. The shield plate 17 of the present embodiment is arranged close to the surface of the substrate 1.

上側及び下側の遮蔽板１７は、入口側の遮蔽板１７Ａと出口側の遮蔽板１７Ｂと所定数（図１の例では６枚）の中間の遮蔽板１７Ｃとからそれぞれ構成される。 The upper and lower shield plates 17 each include an inlet-side shield plate 17A, an outlet-side shield plate 17B, and a predetermined number (six in the example of FIG. 1) of intermediate shield plates 17C.

入口側の遮蔽板１７Ａは、最も入口側の列２５のスプレーノズル２０の上流側に配置され、各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。出口側の遮蔽板１７Ｂは、最も出口側の列２５のスプレーノズル２０の下流側に配置され、各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。 The shield plate 17A on the inlet side is disposed on the upstream side of the spray nozzles 20 in the row 25 closest to the inlet side, and includes the outer edge portion on the upstream side in each liquid spray range 32 of the etching liquid sprayed from each spray nozzle 20. Partially occlude the area. The outlet-side shield plate 17B is arranged on the downstream side of the spray nozzles 20 in the row 25 on the most outlet side, and includes the outer edge portion on the downstream side in each liquid spray range 32 of the etching liquid sprayed from each spray nozzle 20. Partially occlude the area.

中間の遮蔽板１７Ｃは、互いに隣接する上流側及び下流側の２列２５，２５のスプレーノズル２０の列間に配置され、上流側の各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するとともに、下流側の各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各噴射領域３２のうち上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。 The intermediate shielding plate 17C is arranged between the rows of the spray nozzles 20 in the two rows 25 and 25 on the upstream side and the downstream side, which are adjacent to each other, and each liquid spray range of the etching liquid sprayed from each spray nozzle 20 on the upstream side. A part of the area 32 including the outer edge portion on the downstream side is partially shielded, and a part of the area 32 including the outer edge portion on the upstream side of each of the injection regions 32 of the etching liquid ejected from the spray nozzles 20 on the downstream side is partially shielded. Shield to.

このように、最も入口側の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲が入口側の遮蔽板１７Ａによって遮蔽され、下流側の外縁部を含む領域が中間の遮蔽板１７Ｃによって遮蔽される。中間の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲と下流側の外縁部を含む範囲とが、左右の中間の遮蔽板１７Ｃによってそれぞれ遮蔽される。最も出口側の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲が中間の遮蔽板１７Ｃによって遮蔽され、下流側の外縁部を含む領域が出口側の遮蔽板１７Ｂによって遮蔽される。 As described above, in each liquid spraying range 32 of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 of the row 25 closest to the inlet side, the range including the outer edge portion on the upstream side is shielded by the shielding plate 17A on the inlet side, and the downstream side is covered. The area including the outer edge is shielded by the intermediate shield plate 17C. In each liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzles 20 in the middle row 25, the range including the outer edge on the upstream side and the range including the outer edge on the downstream side are defined by the left and right intermediate shield plates 17C. Each is shielded. In each liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 of the row 25 on the most outlet side, the range including the outer edge portion on the upstream side is shielded by the intermediate shielding plate 17C and the outer edge portion on the downstream side is included. Is shielded by the shield plate 17B on the exit side.

すなわち、入口側の遮蔽板１７Ａと中間の遮蔽板１７Ｃとは、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を上流側で部分的に遮蔽して制限する上流側の噴射範囲制限手段として機能し、出口側の遮蔽板１７Ｂと中間の遮蔽板１７Ｃとは、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を下流側で部分的に遮蔽して制限する下流側の噴射範囲制限手段として機能する。 That is, the inlet-side shield plate 17A and the intermediate shield plate 17C are the upstream side that partially shields and limits the liquid spray range 32 of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1 on the upstream side. And the shield plate 17B on the outlet side and the shield plate 17C on the intermediate side partially part the liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1 on the downstream side. It functions as a downstream injection range limiting means that shields and limits.

各スプレーノズル２０の上流側及び下流側の遮蔽板１７は、当該スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を、搬送方向１８に沿った長さ（前後長さ）Ｌが非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に制限する。液噴射有効範囲の前後長さＬは、前後方向に隣接する遮蔽板１７間の距離と略等しく、前後長さＬの値は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下の所定値に設定されている。また、各遮蔽板１７は、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置されている。 The shielding plates 17 on the upstream side and the downstream side of each spray nozzle 20 have a length (front-back length) along the transport direction 18 in the liquid spray range 32 of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1. ) L is limited to a liquid injection effective range that is shorter than the unshielded state. The front-rear length L of the liquid jet effective range is substantially equal to the distance between the shield plates 17 adjacent in the front-rear direction, and the value of the front-rear length L is set to a predetermined value of 10 mm or more and 60 mm or less. In addition, in each of the shielding plates 17, the approximate center of the front-rear length L of the effective liquid ejection range and the injection target point 31 of the etching liquid ejected from the spray nozzle 20 substantially coincide (on the upstream side of the liquid ejection range 32). And the downstream side are equally limited).

遮蔽板１７を設けることにより、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さＬが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、品質上好適なエッチファクター（Ｅ／Ｆ）を得ることができる。ここで、Ｅ／Ｆとは、図５に示すように、被エッチング層２の横方向のエッチ量（アンダカット量）に対するエッチング深さ（被エッチング層２の厚さ）の比率（Ｅ／Ｆ＝２×Ｈ／（Ａ−Ｂ））であり、数値が大きいほど品質上好適である。遮蔽板１７によってエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がりが抑制されると、配線部２ａの上側部分（基板１から最も離れたスプレーノズル２０側の部分）４のエッチングの進行が抑制（図５中のＡの増大が抑制）されるため、良好なＥ／Ｆを得ることができる。 By providing the shielding plate 17, the liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1 is limited to the liquid jetting effective range in which the front-rear length L is shortened as compared with the unshielded state. Therefore, as compared with the unshielded state, the spread of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 in the front-back direction on the surface of the substrate 1 (the momentum of the flow of the etching liquid in the front-back direction) is suppressed, and the quality is improved. A suitable etch factor (E/F) can be obtained. Here, as shown in FIG. 5, the E/F means the ratio (E/F) of the etching depth (thickness of the etching target layer 2) to the lateral etching amount (undercut amount) of the etching target layer 2. =2×H/(A−B)), and the larger the value, the better the quality. When the shielding plate 17 suppresses the spread of the etching liquid in the front-rear direction on the surface of the substrate 1, the etching of the upper portion 4 of the wiring portion 2 a (the portion farthest from the substrate 1 on the spray nozzle 20 side) 4 progresses. Since it is suppressed (the increase in A in FIG. 5 is suppressed), a good E/F can be obtained.

次に、本実施形態の変形例に係るエッチング装置４０について、図６及び図７を参照して説明する。 Next, an etching apparatus 40 according to a modified example of this embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

この変形例は、上側の遮蔽板１７に代えて、複数の吸引ユニット（吸引バー）５０Ａ，５０Ｂを設けたものであり、上記実施形態と共通する構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。なお、搬送経路１３の下側には、下側の複数の遮蔽板１７が上記実施形態と同様に設けられる。 In this modification, a plurality of suction units (suction bars) 50A and 50B are provided in place of the upper shield plate 17, and the same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. Detailed description is omitted. It should be noted that a plurality of lower shield plates 17 are provided below the transport path 13 as in the above embodiment.

図６及び図７に示すように、搬送経路１３の上方には、各列２５（図３参照）の複数のスプレーノズル２０に対して、上流側（後側）の吸引ユニット５０Ａと下流側（前側）の吸引ユニット５０Ｂとがそれぞれ設けられる。上流側（後側）の吸引ユニット５０Ａは、スプレーノズル２０の上流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。下流側（前側）の吸引ユニット５０Ｂは、スプレーノズル２０の下流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。 As shown in FIGS. 6 and 7, above the transport path 13 with respect to the plurality of spray nozzles 20 in each row 25 (see FIG. 3), the suction unit 50A on the upstream side (rear side) and the suction unit 50A on the downstream side (rear side). And a suction unit 50B on the front side). The suction unit 50A on the upstream side (rear side) is arranged on the upstream side of the spray nozzle 20 and between the spray nozzle 20 and the transfer path 13 and above the transfer path 13 and away from the spray nozzle 20, and the bracket ( It is fixed to the apparatus main body 12 side via (not shown). The suction unit 50</b>B on the downstream side (front side) is arranged downstream of the spray nozzle 20 and between the spray nozzle 20 and the transfer path 13 on the upper side of the transfer path 13 and apart from the spray nozzle 20. It is fixed to the apparatus body 12 side via (omitted).

各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、左右に長い長尺状であり、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延びる。上流側の吸引ユニット５０Ａのユニット本体５５は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２（図３参照）のうち搬送経路１３の上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置されている。下流側の吸引ユニット５０Ｂのユニット本体５５は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２のうち搬送経路１３の下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置されている。 Each of the suction units 50A and 50B has an elongated shape that is long in the left and right, and extends along a predetermined direction (a substantially horizontal direction that is substantially orthogonal in the present embodiment) intersecting with the transport path 13 (the transport direction 18). The unit main body 55 of the suction unit 50A on the upstream side partially shields the range including the outer edge portion on the upstream side of the transfer path 13 in the liquid jetting range 32 (see FIG. 3) of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20. Is arranged between the spray nozzle 20 and the transport path 13. The unit main body 55 of the suction unit 50B on the downstream side is a spray nozzle so as to partially block a range including the outer edge portion on the downstream side of the transport path 13 in the liquid spraying range 32 of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20. It is arranged between 20 and the transport path 13.

各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂのユニット本体５５は、基板１の左右方向の全幅に亘って搬送経路１３と略直交する方向に略水平状に延びる吸引パイプ（図示省略）と、吸引パイプの外周面（下面）に形成され搬送経路１３に向かって開口する複数のスリット状の吸引ノズル（図示省略）とを備え、基板１の上面に近接して配置される。吸引ノズルは、スプレーノズル２０から噴射されて基板１の上面に吹き付けられたエッチング液を吸引して除去する。なお、ユニット本体５５は、吸引パイプの上方を覆うユニットカバーを備えてもよい。 The unit main body 55 of each of the suction units 50A and 50B has a suction pipe (not shown) extending substantially horizontally over the entire width of the substrate 1 in the left-right direction in a direction substantially orthogonal to the transport path 13, and an outer peripheral surface of the suction pipe ( A plurality of slit-shaped suction nozzles (not shown) formed on the lower surface) and opening toward the transport path 13 are provided, and are arranged close to the upper surface of the substrate 1. The suction nozzle sucks and removes the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 and sprayed on the upper surface of the substrate 1. The unit body 55 may include a unit cover that covers the suction pipe.

各吸引パイプは、循環管路５４の途中に設けられたエジェクタ５２の吸引口５２ａに、吸引管路５１を介して接続されている。循環管路５４は、両端がエッチング処理室１１内と連通し、途中に循環ポンプ５３が設けられ閉回路である。循環ポンプ５３は、エッチング処理室１１内のエッチング液５を汲み出し、エジェクタ５２で圧力を加えた状態として、再びエッチング処理室１１へ戻す。循環管路５４を循環するエッチング液は、エジェクタ５２を通過する際に、エジェクタ５２の吸引口５２ａを負圧とするため、基板１の上面に吹き付けられたエッチング液は、吸引ノズルから吸引管路５１を通って吸引される。 Each suction pipe is connected to a suction port 52a of an ejector 52 provided in the middle of the circulation pipeline 54 via the suction pipeline 51. The circulation line 54 is a closed circuit in which both ends communicate with the inside of the etching processing chamber 11 and a circulation pump 53 is provided in the middle thereof. The circulation pump 53 pumps out the etching solution 5 in the etching processing chamber 11 and returns the etching liquid 5 to the etching processing chamber 11 again in a state where pressure is applied by the ejector 52. Since the etching liquid circulating in the circulation pipe 54 causes the suction port 52a of the ejector 52 to have a negative pressure when passing through the ejector 52, the etching liquid sprayed on the upper surface of the substrate 1 is sucked from the suction nozzle. Aspirated through 51.

このように、上流側の吸引ユニット５０Ａのユニット本体５５（本実施形態では吸引パイプ）は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を上流側で部分的に遮蔽して制限する上流側の噴射範囲制限手段として機能し、下流側の吸引ユニット５０Ｂのユニット本体５５（本実施形態では吸引パイプ）は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を下流側で部分的に遮蔽して制限する下流側の噴射範囲制限手段として機能する。また、上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、基板１の表面からエッチング液を吸引して除去する吸引手段として機能する。 As described above, the unit main body 55 (in this embodiment, the suction pipe) of the suction unit 50A on the upstream side partially covers the liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1 on the upstream side. The unit main body 55 (in this embodiment, a suction pipe) of the suction unit 50B on the downstream side, which functions as an upstream injection range limiting unit that shields and limits, has a surface of the substrate 1 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20. Function as a downstream side injection range limiting means for partially blocking and limiting the liquid injection range 32 in the above. The upstream and downstream suction units 50A and 50B also function as suction means for sucking and removing the etching liquid from the surface of the substrate 1.

各スプレーノズル２０の上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、当該スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を、搬送方向１８に沿った前後長さＬが非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に制限する。液噴射有効範囲の前後長さＬは、上流側の吸引ユニット５０Ａと下流側の吸引ユニット５０Ｂの間の距離と略等しく、前後長さＬの値は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下の所定値に設定されている。また、各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置されている。 The suction units 50</b>A and 50</b>B on the upstream side and the downstream side of each spray nozzle 20 have a front-rear length L along the transport direction 18 in the liquid spray range 32 of the etching liquid sprayed from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1. Is limited to a liquid injection effective range that is shorter than the unshielded state. The front-rear length L of the liquid injection effective range is approximately equal to the distance between the upstream suction unit 50A and the downstream suction unit 50B, and the value of the front-rear length L is set to a predetermined value of 10 mm or more and 60 mm or less. ing. Further, in each of the suction units 50A and 50B, the approximate center of the front-rear length L of the liquid jet effective range and the jetting target point 31 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 are substantially aligned with each other (in the liquid jetting range 32). It is arranged so as to limit the upstream side and the downstream side equally.

吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂを設けることにより、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さＬが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、品質上好適なエッチファクター（Ｅ／Ｆ）を得ることができる。 By providing the suction units 50A and 50B, the liquid jetting range 32 of the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 on the surface of the substrate 1 is a liquid jetting effective range in which the front-rear length L is shortened compared to the unshielded state. Therefore, the spread of the etching solution sprayed from the spray nozzle 20 in the front-rear direction on the surface of the substrate 1 (the momentum of the flow of the etching solution in the front-rear direction) is suppressed as compared with the unshielded state. An etch factor (E/F) suitable for quality can be obtained.

また、上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂによって、基板１の表面からエッチング液が吸引して除去されるので、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液が基板１の表面上で長時間滞留することがなく、基板１の表面上でのエッチング液の前後方向の拡がりを確実に抑制することができ、Ｅ／Ｆがさらに向上させることができる。 Further, since the etching liquid is sucked and removed from the surface of the substrate 1 by the suction units 50A and 50B on the upstream side and the downstream side, the etching liquid jetted from the spray nozzle 20 stays on the surface of the substrate 1 for a long time. Therefore, the spread of the etching liquid in the front-rear direction on the surface of the substrate 1 can be reliably suppressed, and the E/F can be further improved.

次に、噴射有効範囲の前後方向の距離ＬとＥ／Ｆ及びエッチング時間との各関係を求めるために行った各エッチング試験の結果について、図８及び図９を参照して説明する。 Next, the results of each etching test performed to find each relationship between the distance L in the front-rear direction of the effective injection range, the E/F, and the etching time will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

各試験では、略水平に停止して上方を向くエッチング対象面に対し、噴射有効範囲の前後長さＬを設定し（スプレーノズルの前後にそれぞれｌ／２Ｌ離間した噴射範囲制限手段を設定し）、略鉛直上方のスプレーノズルからエッチング対象面を噴射してエッチングを行った場合のＥ／Ｆ（エッチファクター）とエッチング時間とを、異なる前後長さＬについてそれぞれ測定した。設定した前後長さＬは、１０ｍｍ、１５ｍｍ、３０ｍｍ、６０ｍｍ、９０ｍｍ、１２０ｍｍの６種類である。エッチングでは、１８μｍ銅箔の銅張積層板にＷ／Ｓ＝３０／３０μｍのパターン形成を行った。図２（ｃ）に示すように、Ｗはレジスト膜３の下層となる配線パターン（配線部２ａ）の幅であり、Ｓは隣接するレジスト膜３のそれぞれの下層となる配線パターン（隣接する配線パターン）間の距離である。Ｗ／Ｓ＝３０／３０μｍのパターン形成の場合、配線パターンの幅と、隣接する配線パターン間の距離とは、ともに３０μｍである。使用したスプレーノズルの噴射角は６５°であり、エッチング対象面からスプレーノズルの噴射口までの距離（噴射高さ）を９０ｍｍに設定し、スプレーノズルにおけるエッチング液圧力を０．２ＭＰａに設定した。噴射範囲制限手段として、図７に示すような吸引ユニットを用いて遮蔽と吸引とを行った。 In each test, the front-rear length L of the effective injection range is set for the surface to be etched that is stopped substantially horizontally and faces upward (the injection range limiting means separated by 1/2L is set before and after the spray nozzle). The E/F (etch factor) and the etching time when the surface to be etched was jetted from a spray nozzle located substantially vertically above were measured for different front and rear lengths L. The set front-rear length L is six types of 10 mm, 15 mm, 30 mm, 60 mm, 90 mm, and 120 mm. In the etching, a pattern of W/S=30/30 μm was formed on a copper clad laminate of 18 μm copper foil. As shown in FIG. 2C, W is the width of the wiring pattern (wiring portion 2a) which is the lower layer of the resist film 3, and S is the wiring pattern (adjacent wiring of the lower layer of each adjacent resist film 3). Pattern) distance. In the case of pattern formation with W/S=30/30 μm, both the width of the wiring pattern and the distance between adjacent wiring patterns are 30 μm. The spray angle of the spray nozzle used was 65°, the distance (spray height) from the surface to be etched to the spray port of the spray nozzle was set to 90 mm, and the etching solution pressure in the spray nozzle was set to 0.2 MPa. As the ejection range limiting means, the shielding and suction were performed using a suction unit as shown in FIG.

噴射有効範囲の前後長さＬを変えて実験を行った結果、噴射有効範囲の前後長さＬとＥ／Ｆとの関係は図８のようになり、噴射有効範囲の前後長さＬとエッチング時間との関係は図９のようになった。Ｅ／Ｆについては、噴射有効範囲の前後長さＬが短いほど大きな値となり、前後長さＬが長くなるほど値が低下する（図８参照）。一方、エッチング時間については、噴射有効範囲の前後長さＬが短いほど長時間となり、前後長さＬが長くなるほど時間が短縮される（図９参照）。図８の結果から、高い値のＥ／Ｆを得るためには、前後長さＬは６０ｍｍ以下であることが望ましいことが確認された。また、図９の結果から、前後長さＬが小さくなるとエッチング時間が非常に長くなることが確認された。品質上要求されるＥ／Ｆが大きい場合には、前後長さＬを可能な限り短くすることが好ましいが、前後長さＬの短縮はエッチング時間の増大を招くことから、両者（Ｅ／Ｆ及びエッチング時間）の特性を考慮し、噴射有効範囲の前後長さＬは１０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲内が好適であることが判った。 As a result of performing an experiment by changing the front-rear length L of the effective injection range, the relationship between the front-rear length L of the effective injection range and E/F is as shown in FIG. The relationship with time is as shown in Fig. 9. Regarding the E/F, the shorter the front-rear length L of the effective injection range, the larger the value, and the longer the front-rear length L, the lower the value (see FIG. 8). On the other hand, as for the etching time, the shorter the front-rear length L of the effective spray range, the longer the etching time, and the longer the front-rear length L, the shorter the etching time (see FIG. 9). From the results of FIG. 8, it was confirmed that the front-rear length L is preferably 60 mm or less in order to obtain a high E/F value. Further, from the results of FIG. 9, it was confirmed that the etching time becomes very long as the front-rear length L becomes small. When the E/F required for quality is large, it is preferable to shorten the front-rear length L as much as possible. However, since shortening the front-rear length L causes an increase in etching time, both (E/F And the etching time), it was found that the front-back length L of the effective spraying range is preferably in the range of 10 mm to 60 mm.

以上、本発明について、上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の内容に限定をされるものではなく、当然に本発明を逸脱しない範囲では適宜の変更が可能である。 Although the present invention has been described above based on the above-described embodiment, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and can be appropriately modified without departing from the scope of the present invention. is there.

例えば、上記実施形態では、基板１の両面をエッチング対象面とする例について説明したが、基板１の一面のみをエッチング対象面としてもよい。 For example, in the above embodiment, an example in which both surfaces of the substrate 1 are the etching target surfaces has been described, but only one surface of the substrate 1 may be the etching target surface.

また、上記実施形態では、エッチング液を円錐状に噴射するスプレーノズル２０を用いる場合について説明したが、エッチング液を他の形状（例えば楕円錘状など）に噴射するスプレーノズルを用いてもよい。 Further, in the above embodiment, the case where the spray nozzle 20 that sprays the etching liquid in a conical shape is used has been described, but a spray nozzle that sprays the etching liquid in another shape (for example, an elliptic cone shape) may be used.

また、上記実施形態では、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置したが、エッチング液の噴射対象点３１が液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央から前方又は後方へ偏るように（液噴射範囲３２の上流側及び下流側のうち一方を他方よりも広範囲で制限するように）配置してもよい。 Further, in the above-described embodiment, the approximate center of the front-rear length L of the effective liquid ejection range and the injection target point 31 of the etching liquid ejected from the spray nozzle 20 are substantially aligned (with the upstream side of the liquid ejection range 32). However, the target point 31 of the etching solution is biased forward or backward from the approximate center of the front-rear length L of the effective liquid injection range (upstream of the liquid injection range 32). It may be arranged such that one of the side and the downstream side is restricted in a wider range than the other).

また、上記変形例では、スプレーノズル２０の上流側及び下流側の双方を吸引機能を有する吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂとしたが、上流側及び下流側の一方のみを吸引機能を有する吸引ユニットとし、他方を吸引機能を有さない遮蔽板としてもよい。 Further, in the above modification, both the upstream side and the downstream side of the spray nozzle 20 are the suction units 50A and 50B having the suction function, but only one of the upstream side and the downstream side is the suction unit having the suction function, and the other side. May be a shielding plate having no suction function.

１：基板（エッチング対象物）
２：導電層（被エッチング層）
３：レジスト膜
１０，４０：エッチング装置
１２：装置本体
１３：搬送経路
１６：搬送ローラ（搬送手段）
１７，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ：遮蔽板（噴射範囲制限手段）
１８：搬送方向
２０：スプレーノズル
３２：液噴射範囲
５０Ａ，５０Ｂ：吸引ユニット（噴射範囲制限手段、吸引手段）
Ｌ：液噴射有効範囲の前後長さ 1: Substrate (etching target)
2: Conductive layer (layer to be etched)
3: resist film 10, 40: etching device 12: device body 13: transport path 16: transport roller (transport means)
17, 17A, 17B, 17C: Shielding plate (injection range limiting means)
18: Transport direction 20: Spray nozzle 32: Liquid ejection range 50A, 50B: Suction unit (injection range limiting means, suction means)
L: Front and rear length of effective range of liquid injection

Claims

Conveying means for conveying an etching object having an etching target surface from an upstream side to a downstream side along a conveying path of the apparatus main body so that the etching target surface moves in a predetermined conveying direction with the posture intersecting the vertical direction. When,
A plurality of spray nozzles that are fixed to the apparatus main body side above or below the transport path and are aligned in the transport direction, and spray an etching liquid toward the etching target surface of the etching target transported in the transport direction. When,
Is fixed to the apparatus main body at a distance from the shielding target nozzle between one and the shielding target nozzle and the conveying path on the upstream side of the shielding target nozzles included in the plurality of spray nozzles, the shielding target nozzle An upstream injection range limiting means for partially blocking and limiting the liquid injection range on the etching target surface of the etching liquid injected from the upstream side;
The fixed to the apparatus body between and the shielding target nozzle downstream of the shielding target nozzle and the conveying path, said fluid spray range in the etching target surface of the etching solution ejected from the shielding target nozzle And a downstream injection range limiting means for partially blocking and limiting the downstream side,
The etching apparatus characterized in that the upstream and downstream injection range limiting means limits the liquid injection range to a liquid injection effective range in which the length along the transport direction is shorter than that in the unshielded state. ..

The etching apparatus according to claim 1, wherein
The length along the transport direction of the liquid jet effective range is 10 mm or more and 60 mm or less.

The etching apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The shielding target nozzle is arranged above the transport path,
At least one of the upstream side and the downstream side injection range limiting means has a suction means for sucking and removing the etching liquid from the etching target surface.

The etching apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A plurality of the shielding target nozzles are arranged in a line along a predetermined direction intersecting with the transport direction,
The upstream side injection range limiting means extends along the predetermined direction and partially shields and limits each of the plurality of liquid injection ranges corresponding to the plurality of shielding target nozzles on the upstream side.
Injection range limiting means of the downstream side, the downstream side apart from the injection range limiting means of the upstream-side extending along said predetermined direction, said plurality of said fluid ejection range of the injection range limiting means of the upstream The etching apparatus is characterized in that each of the above is partially shielded and restricted on the downstream side.

The etching apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The plurality of spray nozzles include, as the shielding target nozzles, upstream first shielding target nozzles and downstream second shielding target nozzles arranged in the transport direction,
The upstream side injection range limiting means and the downstream side injection range limiting means are respectively provided corresponding to the first shielding target nozzle and the second shielding target nozzle,
The downstream injection range limiting means provided corresponding to the first shielding target nozzle also functions as the upstream injection range limiting means provided corresponding to the second shielding target nozzle.
An etching apparatus characterized by the above.