KR20100123638A - Surface treatment apparatus for substrate material - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A surface treating apparatus of a substrate is provided to spray on the substrate with a strong impact. CONSTITUTION: A surface treating apparatus(6) of a substrate is used for the manufacturing of electrical circuit substrate, and process the surface by coating with processing liquid from a spray nozzle(7) about the substrate. The corresponding spray nozzle is comprised in 2 fluid nozzles, and the processing liquid and air are mixed and sprayed. The spray nozzle is installed in each spray tube(12) respectively. The corresponding spray tube is made possible to move to the right and left.

Description

기판재의 표면 처리 장치{SURFACE TREATMENT APPARATUS FOR SUBSTRATE MATERIAL}SURFACE TREATMENT APPARATUS FOR SUBSTRATE MATERIAL}

본 발명은 기판재의 표면 처리 장치에 관한 것이다. 즉 전자 회로 기판의 제조 공정, 대표적으로는 에칭 공정에서 사용되고, 기판재를 처리액으로 표면 처리하는 표면 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a surface treatment apparatus for a substrate material. That is, it is related with the surface treatment apparatus used for the manufacturing process of an electronic circuit board, typically an etching process, and surface-treating a board | substrate material with a process liquid.

《기술적 배경》Technical background

프린트 배선 기판, 그 밖의 전자 회로 기판의 대표적인 제조 공정에서는 동피복 적층판으로 이루어지는 기판재의 외표면에, →우선 액상이나 드라이 필름상의 감광성 레지스트가 도포 또는 부착된다.In the typical manufacturing process of a printed wiring board and other electronic circuit boards, the photosensitive resist of a liquid form or a dry film is apply | coated or adhered to the outer surface of the board | substrate material which consists of a copper clad laminated board.

→그리고 회로의 네가 필름을 얹어서 노광한 후, →회로 형성 부분 이외의 레지스트를 현상에 의해 용해 제거하고, →나아가서 노출된 회로 형성 부분 이외의 동박을 에칭에 의해 용해 제거하고나서, →회로 형성 부분의 레지스트를 박리에 의해 용해 제거한다.→ After the negative film of the circuit is put on and exposed, → the resist other than the circuit forming part is dissolved and removed by development, and → further, copper foils other than the exposed circuit forming part are dissolved and removed by etching, → the circuit forming part The resist is dissolved and removed by peeling.

이와 같은 프로세스를 따름으로써 기판재의 외표면에 남은 동박으로 전자 회로가 형성되어 전자 회로 기판이 제조되고 있다. 또한 이 종류의 동박으로서는, 전해동, 도금동, 양자를 병용한 것 등이 사용되고 있다.By following such a process, an electronic circuit is formed with the copper foil which remained on the outer surface of a board | substrate material, and the electronic circuit board is manufactured. Moreover, as this kind of copper foil, electrolytic copper, plating copper, the thing using both together, etc. are used.

《종래 기술》<< conventional technology >>

그런데 도 5의 (1)도에 나타낸 바와 같이, 상기한 현상 공정, 에칭 공정, 박리 공정 등에서는 각각 현상 장치, 에칭 장치, 박리 장치 등의 표면 처리 장치(1)에서, 반송되는 기판재(A)에 대하여 스프레이 노즐(2)(1액체 노즐)로부터 현상액, 에칭액, 박리액 등의 처리액(B)이 분사된다.By the way, as shown to FIG. 5 (1), in the above-mentioned image development process, an etching process, a peeling process, etc., the board | substrate material A conveyed by the surface treatment apparatus 1, such as a developing apparatus, an etching apparatus, and a peeling apparatus, respectively. ), The processing liquid B, such as a developing solution, an etching liquid, and a peeling liquid, is sprayed from the spray nozzle 2 (one liquid nozzle).

나아가서 기판재(A)에 대하여 현상, 에칭, 박리 등의 표면 처리가 차례 차례 실시되고 있었다. 도 5의 (1)도 중, 3은 기판재(A)를 반송하는 컨베이어(4)의 반송 롤러이고, 5는 처리액(B)의 액조이다.Furthermore, surface treatment, such as image development, an etching, peeling, was performed in order with respect to the board | substrate material A. In FIG. 5 (1), 3 is a conveyance roller of the conveyor 4 which conveys a board | substrate material A, and 5 is a liquid tank of a process liquid B. In FIG.

이와 같은 표면 처리 장치(1)로서는, 예를 들면 다음의 특허 문헌 1, 특허 문헌 2에 나타내어진 것을 들 수 있다.
As such a surface treatment apparatus 1, what was shown by following patent document 1 and patent document 2 is mentioned, for example.

일본국 특개2002―68435호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-68435 일본국 특개2006―222117호 공보JP 2006-222117 A

그런데 상기한 이 종류의 종래예의 표면 처리 장치(1)에 대해서는, 다음의 과제가 지적되고 있었다.By the way, the following subject was pointed out about the surface treatment apparatus 1 of this kind of conventional example mentioned above.

《과제로 되는 문제점》Problem

전자 회로 기판은 패턴 형성되는 회로(C)(도 5의 (2)도를 참조)의 미세화, 고밀도화의 진전이 현저하다. 예를 들면 회로폭(L)이나 회로간 스페이스(S)에서 15㎛∼40㎛ 정도까지 미세화, 고밀도화되어 있다.The electronic circuit board has remarkable progress in miniaturization and densification of the circuit C (see FIG. 5 (2)) to be patterned. For example, it is miniaturized and densified to about 15 micrometers-about 40 micrometers by the circuit width L and the space | interval S of circuits.

이에 대하여 그 기판재(A)의 에칭 등의 표면 처리에 대해서 정밀도나 안정성에 문제가 지적되고 있었다. 예를 들면 도 3의 (4)도에 나타낸 바와 같이, 대략 후지산 형상ㆍ급경사 사다리꼴 형상의 단면 형상의 회로(C)가 형성되어 버리는 사이드 에칭ㆍ오버 에칭의 발생이 보고되고 있었다.On the other hand, the problem regarding the precision and stability about surface treatment, such as the etching of the board | substrate material A, was pointed out. For example, as shown in FIG. 3 (4), generation | occurrence | production of side etching and over etching which the circuit C of the cross-sectional shape of substantially Fuji-shaped and steep trapezoidal shape is formed is reported.

도 3의 (4)도의 예에서는 40㎛의 회로폭(L), 40㎛의 회로간 스페이스(S), 20㎛의 회로 높이(H) 등의 설정 하에 있어서, 정상면폭(X)이 25㎛∼35㎛ 정도이고, 사이드 에칭폭(Y)이 좌우 5㎛ 전후 정도로 된 회로(C) 부분이 많이 에칭 형성되어 버리고 있었다. 나아가서 에칭 평가의 기준인 에칭 팩터는 3 전후 정도로 낮았다.In the example of FIG. 3 (4), the top surface width X is 25 mu m under the setting of a circuit width L of 40 mu m, an inter circuit space S of 40 mu m, a circuit height H of 20 mu m, and the like. The circuit (C) part which became about -35 micrometers and whose side etching width Y was about 5 micrometers of right and left was etching-formed. Furthermore, the etching factor which is a criterion of an etching evaluation was low about 3 back and forth.

그리고 이와 같은 사이드 에칭ㆍ오버 에칭의 발생은 상기한 회로(C)의 미세화, 고밀도화 경향에 있어서 큰 문제로 되어 있었다. 회로(C)에 이와 같은 부분이 발생하면 통전 용량, 저항값 등이 설정값에 대하여 크게 변동해 버려서 신호 전달 등에도 지장이 발생하고, 발열하는 일도 있었다.The occurrence of such side etching and over etching has become a big problem in the miniaturization and densification tendency of the circuit C described above. When such a portion occurs in the circuit C, the current carrying capacity, resistance value, and the like fluctuate greatly with respect to the set value, which may cause a problem in signal transmission or the like and generate heat.

《그 원인에 대하여》《About the cause》

회로(C)가 이와 같이 사이드 에칭ㆍ오버 에칭되고, 회로폭(L)이 좁고 가늘어지는 원인으로서는, 에칭액 등의 처리액(B)의 임팩트 부족을 우선 들 수 있다. 예를 들면 에칭 분사에 의한 회로(C) 패턴 형성에는 기판재(A)로의 최대 충격값 200mN 이상의 임팩트가 필요하게 되어 있는데, 이 종류의 종래예에서는 크게 부족해 있었다.As the cause of the side etching and overetching of the circuit C and the narrowing and narrowing of the circuit width L, the impact shortage of the processing liquid B, such as the etching liquid, is given first. For example, an impact of 200 mN or more at the maximum impact value on the substrate material A is required to form the circuit C pattern by etching spraying, but this type of conventional example has been largely insufficient.

그래서 이 종류의 종래예에서는 기판재(A)에 대하여 스프레이된 에칭액의 갱신이 방해되고, 액 적체나 체류도 발생하여 에칭 부족 부분이 발생하며, 이것을 커버하기 위해 에칭량을 늘리면 상기한 바와 같이, 에칭 과다의 사이드 에칭ㆍ오버 에칭이 발생하고 있었다.Therefore, in this type of conventional example, updating of the etching liquid sprayed on the substrate material A is hindered, droplets and retention also occur, and an etching shortage portion occurs. If the etching amount is increased to cover this, as described above, Excessive side etching and over etching occurred.

또한 이와 같은 사이드 에칭ㆍ오버 에칭의 발생 원인으로서는, 기판재(A)에 스프레이되는 에칭액 등의 처리액(B)의 입경이 커서, 미세화, 고밀도화된 회로(C) 패턴 내로의 진입이 불확실화되는 것도 들 수 있었다.In addition, as a cause of such side etching and over etching, the particle size of the processing liquid B, such as the etching liquid sprayed onto the substrate material A, is large, and the entry into the finer, densified circuit C pattern becomes uncertain. I could hear that.

《본 발명에 대하여》<< about this invention >>

본 발명의 기판재의 표면 처리 장치는 이와 같은 실정을 감안하여 상기 종래예의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이다.The surface treatment apparatus of the board | substrate material of this invention is made | formed in order to solve the subject of the said prior art in view of such a situation.

그리고 본 발명은 첫째로, 기판재에 대하여 강한 임팩트로 균일한 스프레이가 실시되고, 둘째로, 나아가서 전자 회로 기판을 정밀도 높고 안정적으로 제조 가능한 기판재의 표면 처리 장치를 제안하는 것을 목적으로 한다.
The present invention firstly aims to propose a surface treatment apparatus for a substrate material which can be uniformly sprayed with a strong impact on the substrate material, and secondly, an electronic circuit board can be manufactured with high precision and stability.

《청구항에 대하여》《About Claims》

이와 같은 과제를 해결하는 본 발명의 기술적 수단은 다음과 같다. 우선 청구항 1에 대해서는 다음과 같다.The technical means of this invention which solves such a subject is as follows. First, the claim 1 is as follows.

청구항 1의 기판재의 표면 처리 장치는 전자 회로 기판의 제조 공정에서 사용되고, 반송되는 기판재에 대하여 스프레이 노즐로부터 처리액을 분사해서 표면 처리한다.The surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 1 is used in the manufacturing process of an electronic circuit board, and sprays a process liquid from a spray nozzle with respect to the board | substrate material conveyed, and surface-treats.

그리고 해당 스프레이 노즐은 2유체 노즐로 이루어지고, 처리액과 에어를 혼합하여 분사하며, 해당 기판재와 해당 스프레이 노즐 간은 5㎜ 이상∼40㎜ 이하의 거리 간격으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.The spray nozzle is composed of a two-fluid nozzle, and the treatment liquid and the air are mixed and sprayed, and the substrate material and the spray nozzle have a distance interval of 5 mm or more and 40 mm or less.

청구항 2에 대해서는 다음과 같다. 청구항 2의 기판재의 표면 처리 장치에서는 청구항 1에 있어서, 해당 스프레이 노즐은 각 스프레이관에 각각 복수개 설치되어 있다.Claim 2 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 2, multiple spray nozzles are provided in each spray pipe of Claim 1, respectively.

그리고 각 해당 스프레이관은 좌우 방향을 향하여 배열되고, 전후의 반송 방향으로 상호 간격을 남기면서 복수개 설치되는 것과 함께, 좌우 방향으로 수평 왕복 이동 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 한다.And each said spray pipe is arrange | positioned toward the left-right direction, It is characterized by being provided in multiple numbers, leaving a mutual space | interval in the conveyance direction before and behind, and being able to perform horizontal reciprocating movement in the left-right direction.

청구항 3에 대해서는 다음과 같다. 청구항 3의 기판재의 표면 처리 장치에서는 청구항 2에 있어서, 해당 스프레이 노즐로부터 해당 에어와 함께 분사된 해당 처리액은 미소 입자로 되어 해당 기판재에 스프레이된다.Claim 3 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 3, the said process liquid injected with the said air from the said spray nozzle becomes a microparticle, and is sprayed on the said board | substrate material in Claim 2.

또한 해당 처리액은 매우 가까운 상기 거리 간격 하에서 해당 기판재에 대하여 강한 임팩트로 스프레이되는 것과 함께, 해당 스프레이관, 그리고 해당 스프레이 노즐의 상기 수평 왕복 이동에 의해 해당 기판재에 대하여 넓고 균일하게 스프레이되는 것을 특징으로 한다.In addition, the treatment liquid is sprayed with a strong impact with respect to the substrate material under the very close distance distance, and is widely and uniformly sprayed with respect to the substrate material by the horizontal reciprocating movement of the spray tube and the spray nozzle. It features.

청구항 4에 대해서는 다음과 같다. 청구항 4의 기판재의 표면 처리 장치에서는 청구항 3에 있어서, 해당 처리액은 최대 충격값 200mN 이상의 강한 임팩트로 해당 기판재에 스프레이되는 것을 특징으로 한다.Claim 4 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 4, the said process liquid is sprayed on the said board | substrate material with the strong impact of 200 mN or more of maximum impact values, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 5에 대해서는 다음과 같다. 청구항 5의 기판재의 표면 처리 장치에서는 청구항 1에 있어서, 해당 스프레이 노즐에서는 압송 공급된 해당 에어가 내부 분사로를 직진하고, 압송 공급된 해당 처리액이 직진하는 해당 에어에 대하여 해당 내부 분사로의 도중에서 가로 방향으로부터 공급, 혼합되는 것을 특징으로 한다.Claim 5 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 5, in the said spray nozzle, the said air supplied by the pressurization feeds straight through an internal injection path, and the said injection liquid flows in the middle of the said internal injection path with respect to the said air which goes straight. In the horizontal direction is supplied, characterized in that the mixing.

청구항 6에 대해서는 다음과 같다. 청구항 6의 기판재의 표면 처리 장치는 청구항 3 또는 청구항 5에 있어서, 해당 에어는 압송원인 송풍기로부터 해당 스프레이 노즐로 압송 공급되는 것을 특징으로 한다.Claim 6 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 6, the said air is supplied by pressure-feeding to the said spray nozzle from the blower which is a pressure feed source.

청구항 7에 대해서는 다음과 같다. 청구항 7의 기판재의 표면 처리 장치는 청구항 6에 있어서, 해당 송풍기로부터 해당 스프레이 노즐에 압송 공급되는 해당 에어, 그리고 해당 스프레이 노즐로부터 해당 에어와 혼합하여 분사되는 해당 처리액은 온도가 상승해 있으며, 나아가서 해당 처리액이 해당 기판재에 스프레이됨으로써 해당 기판재의 표면 처리 정밀도 향상 기능을 발휘하는 것을 특징으로 한다.Claim 7 is as follows. The surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 7 WHEREIN: The said air supplied by pressure-feeding to the said spray nozzle from the said blower, and the said process liquid injected by mixing with the said air from the said spray nozzle are temperature rising, Furthermore, The processing liquid is sprayed onto the substrate material to exhibit a surface treatment accuracy improvement function of the substrate material.

청구항 8에 대해서는 다음과 같다. 청구항 8의 기판재의 표면 처리 장치에서는 청구항 1에 있어서, 해당 표면 처리 장치는 현상 공정, 에칭 공정, 박리 공정, 또는 세정 공정에서 사용되고, 해당 스프레이 노즐은 현상액, 에칭액, 박리액, 또는 세정액을 해당 처리액으로서 분사하는 것을 특징으로 한다.Claim 8 is as follows. In the surface treatment apparatus of the board | substrate material of Claim 8, the said surface treatment apparatus is used in a developing process, an etching process, a peeling process, or a washing | cleaning process, The said spray nozzle processes a developing solution, an etching liquid, a peeling liquid, or a cleaning liquid with the said processing. It is sprayed as a liquid, It is characterized by the above-mentioned.

《작용 등에 대하여》<< about action >>

본 발명은 이와 같은 수단으로 이루어지기 때문에 다음과 같이 된다.Since this invention consists of such means, it becomes as follows.

(1) 이 표면 처리 장치는 전자 회로 기판의 제조 공정, 예를 들면 에칭 공정에서 사용된다.(1) This surface treatment apparatus is used in the manufacturing process of an electronic circuit board, for example, an etching process.

(2) 나아가서 그 스프레이 노즐로부터 처리액을 분사하여 기판재를 표면 처리한다.(2) Furthermore, a process liquid is sprayed from the spray nozzle and surface treatment of a board | substrate material is carried out.

(3) 그리고 2유체 노즐제의 스프레이 노즐을 기판재에 대하여 5㎜∼40㎜의 거리 간격으로 설치하는 것과 함께, 수평 왕복 이동시키는 구성으로 이루어진다.(3) A spray nozzle made of a two-fluid nozzle is provided at a distance interval of 5 mm to 40 mm with respect to the substrate material, and a horizontal reciprocating movement is made.

(4) 그래서 스프레이 노즐로부터 에어와 함께 분사된 처리액은 미소 입자화되는 것과 함께, 최대 충격값 200mN 이상의 강한 임팩트로 기판재에 스프레이된다.(4) Thus, the processing liquid jetted together with air from the spray nozzle is sprayed onto the substrate material with a strong impact with a maximum impact value of 200 mN or more, with fine graining.

(5) 또한 스프레이 노즐이 좌우로 왕복 이동되기 때문에 처리액은 넓은 스프레이 범위 하에서 기판재에 대하여 골고루 균일하게 스프레이된다.(5) In addition, since the spray nozzle is reciprocated from side to side, the treatment liquid is evenly sprayed evenly with respect to the substrate material under a wide spray range.

(6) 이상에 의해 미세화, 고밀도화한 회로 패턴 형성 시에도 기판재의 표면 처리가 정밀도 높고 안정적으로 실시되게 된다.(6) The surface treatment of the board | substrate material is performed highly and stably also in the case of the formation of the circuit pattern which refined | miniaturized and densified by the above.

(7) 즉 처리액은 회로 패턴 내에 확실하게 진입할 수 있는 것과 함께, 갱신이 진전되어 액 적체나 체류 발생은 회피되고, 나아가서 에칭 부족, 그리고 오버 에칭 등은 발생하지 않게 된다.(7) In other words, while the processing liquid can reliably enter the circuit pattern, the update is advanced, and droplets and retention are avoided, and further, the lack of etching and the over etching do not occur.

(8) 이와 같이 하여 이상에 가까운 단면 형상의 회로가 얻어지게 된다.(8) In this way, a circuit having a cross-sectional shape close to the above is obtained.

(9) 그런데 에어 압송원으로서 송풍기가 사용된 경우에는 스프레이 노즐에 압송 공급되어 분사되는 에어, 그리고 처리액이 온도 상승하고 있다. 나아가서 이 면에서도 기판재의 표면 처리가 한층 부드럽고 또한 신속하고 정밀도 높게 실시되어 이상에 가까운 단면 형상의 회로가 얻어지게 된다.(9) By the way, when a blower is used as the air pressure feeding source, the air injected by pressure feeding and spraying to the spray nozzle and the processing liquid are rising in temperature. Furthermore, also in this aspect, surface treatment of a board | substrate material is performed more smoothly, quickly, and with high precision, and the circuit of the cross-sectional shape near the above is obtained.

(10) 그래서 본 발명은 다음의 효과를 발휘한다.
(10) Thus, the present invention has the following effects.

《제 1 효과》<< first effect >>

첫째로, 기판재에 대하여 강한 임팩트로 균일한 스프레이가 실시된다. 본 발명의 표면 처리 장치는 2유체 노즐, 5㎜∼40㎜의 거리 간격, 수평 왕복 이동 등을 조합하여 채용한 것을 특징으로 한다.First, uniform spraying is performed with a strong impact on the substrate material. The surface treatment apparatus of this invention employ | adopted combining the two fluid nozzle, the distance interval of 5 mm-40 mm, horizontal reciprocating movement, etc., It is characterized by the above-mentioned.

나아가서 예를 들면 에칭 시에는 미소 입자 형상으로 된 에칭액이 최대 충격값 200mN 이상의 강한 임팩트로 기판재에 스프레이되는 것과 함께, 왕복 이동에 의해 넓고 균일하게 스프레이된다.Furthermore, for example, during etching, the etching liquid in the form of fine particles is sprayed onto the substrate material with a strong impact of 200 mN or more at the maximum impact value, and is widely and uniformly sprayed by reciprocating movement.

그래서 1유체 스프레이를 이용한 상기한 이 종류의 종래예와 같은 사이드 에칭ㆍ오버 에칭은 회피되고, 회로폭이 좁고 가늘어지는 부분의 발생은 방지되며, 나아가서 이상에 가까운 단면 형상의 회로가 형성되게 된다. 본 발명의 표면 처리 장치에서는 이와 같이 에칭, 그 밖의 표면 처리가 정밀도 높고 안정적으로 실시된다.Thus, side etching and over etching as in the conventional example of this kind using a one-fluid spray are avoided, and the occurrence of narrow and narrow circuit widths is prevented, and a circuit having a cross-sectional shape close to the above is formed. In the surface treatment apparatus of this invention, etching and other surface treatment are performed with high precision and stability in this way.

또한 상기한 이유에 기초하여 예를 들면 에칭 스피드도 빨라지는 등, 장치 전체의 처리 스피드가 향상된다는 잇점도 있다.Moreover, there also exists an advantage that the processing speed of the whole apparatus improves, for example, an etching speed also increases based on the said reason.

특히 에어 압송원으로서 송풍기가 사용된 경우에는 기판재의 표면 처리가 한층 정밀도 높고 안정적으로, 또한 처리 스피드도 뛰어나게 실시되게 된다.In particular, when an air blower is used as the air feeding source, the surface treatment of the substrate material is performed with higher accuracy, stability, and excellent processing speed.

즉 온도 상승한 처리액이 기판재에 스프레이되기 때문에 기판재의 에칭 등의 표면 처리가 한층 스무드화되어 정밀도 높고 안정적으로 실시되는 것과 함께, 에칭 스피드 등의 처리 스피드도 향상된다.That is, since the process liquid which temperature rises is sprayed on a board | substrate material, surface treatment, such as etching of a board | substrate material, becomes smoother and is performed with high precision and stability, and processing speeds, such as an etching speed, also improve.

《제 2 효과》<< second effect >>

둘째로, 그래서 미세화, 고밀도화된 회로의 전자 회로 기판이어도 정밀도 높고 안정적으로 제조 가능하게 된다.Secondly, even an electronic circuit board of a miniaturized and densified circuit can be manufactured with high precision and stability.

즉 본 발명의 표면 처리 장치에서는 상기한 바와 같이, 에칭, 그 밖의 표면 처리가 정밀도 높고 안정적으로 실시된다. 그래서 회로폭이나 회로간 스페이스에서 15㎛∼40㎛ 정도까지 미세화된 회로를 패턴 형성할 때에도 소기대로 표면 처리가 실시되고, 나아가서 고정밀도의 전자 회로 기판을 안정적으로 제조 가능하게 된다.That is, in the surface treatment apparatus of this invention, as mentioned above, etching and other surface treatment are performed with high precision and stability. Therefore, when patterning a circuit refined to about 15 µm to 40 µm in a circuit width or an inter-circuit space, surface treatment is performed as desired, and further, a highly accurate electronic circuit board can be stably manufactured.

1유체 노즐을 이용한 상기한 이 종류의 종래예와 같이, 제조된 전자 회로 기판의 회로에 대하여, 통전 용량, 저항값 등이 설정값에 대하여 변동하는 일도 없고, 신호 전달에 지장이 발생하거나 발열하는 일도 방지된다.As in the conventional example of this kind using the one-fluid nozzle, the conduction capacity, resistance value, and the like of the circuit of the manufactured electronic circuit board do not fluctuate with respect to the set value, and there is a problem in signal transmission or heat generation. Work is prevented.

이와 같이, 이 종류의 종래예에 남아 있던 과제가 모두 해결되는 등, 본 발명이 발휘하는 효과는 현저하고 크다.
Thus, the effect which this invention exhibits, such as all the subject which remained in this kind of conventional example is solved is remarkable and big.

도 1은 본 발명에 관련되는 기판재의 표면 처리 장치에 대하여 발명을 실시하기 위한 형태의 설명에 제공되고, 정면의 단면 설명도이다.
도 2는 동 발명을 실시하기 위한 형태의 설명에 제공되고, 평면 설명도이다.
도 3은 동 발명을 실시하기 위한 형태의 설명에 제공되고, (1)도는 스프레이 노즐 등의 정면의 설명도이다. (2)도, (3)도, (4)도는 회로의 단면 설명도이며, (2)도는 이상예를, (3)도는 좋은 예(본 발명)를, (4)도는 나쁜 예(종래예)를 나타낸다.
도 4는 동 발명을 실시하기 위한 형태의 설명에 제공되고, 스프레이 임팩트(최대 충격값)의 그래프이다.
도 5의 (1)도는 표면 처리 장치의 측면의 단면 설명도이다. (2)도는 전자 회로 기판의 테스트 패턴의 주요부를 확대한 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is provided in description of the form for inventing the surface treatment apparatus of the board | substrate material which concerns on this invention, and is a cross-sectional explanatory drawing of the front surface.
It is provided in description of the form for implementing this invention, and is a plan explanatory drawing.
FIG. 3 is provided for description of the form for implementing the invention, and (1) is an explanatory view of the front of a spray nozzle or the like. (2), (3) and (4) are cross-sectional explanatory views of a circuit, (2) is an ideal example, (3) is a good example (invention), and (4) is a bad example (conventional example) ).
4 is a graph of a spray impact (maximum impact value) provided in the description of a form for carrying out the invention.
FIG. 5 (1) is sectional explanatory drawing of the side surface of a surface treatment apparatus. (2) is the top view which expanded the principal part of the test pattern of an electronic circuit board.

이하 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated in detail.

《표면 처리 장치(6)에 대하여》<< about surface treatment apparatus 6 >>

도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 기판재(A)의 표면 처리 장치(6)는 전자 회로 기판의 제조 공정에서 사용되고, 반송되는 기판재(A)에 대하여, 스프레이 노즐(7)로부터 처리액(B)을 분사해서 표면 처리한다(제조 공정 등에 대해서는, 상기한 배경 기술란도 참조).As shown in FIG. 1, FIG. 2, the surface treatment apparatus 6 of the board | substrate material A of this invention is used in the manufacturing process of an electronic circuit board, and the spray nozzle 7 with respect to the board | substrate material A conveyed. The treatment liquid B is sprayed from the surface and subjected to surface treatment (see also the background art section for the manufacturing process and the like).

즉 이 표면 처리 장치(6)는 에칭 공정을 비롯하여 현상 공정이나 박리 공정, 나아가서는 이들의 공정에 부수하여 설치된 세정 공정 등에 있어서, 에칭 장치, 현상 장치, 박리 장치, 또는 세정 장치 등으로서 사용된다. 또한 대표적으로는 서브트랙티브법에 적용되는데, 그 이외의 전자 회로 기판의 각종 제조 방법, 예를 들면 세미애디티브법에도 적용 가능하다.That is, this surface treatment apparatus 6 is used as an etching apparatus, a developing apparatus, a peeling apparatus, a cleaning apparatus, etc. in an etching process, a developing process, a peeling process, and also the washing | cleaning process etc. provided in conjunction with these processes. Representatively, the present invention is applied to a subtractive method, but can also be applied to various manufacturing methods of an electronic circuit board, for example, a semiadditive method.

그리고 이 표면 처리 장치(6)에서는 챔버(8) 내에 있어서, 컨베이어(4)의 반송 롤러(3) 등(도 1 등에서는 도시를 생략, 상기한 도 5의 (1)도를 참조)에서 수평 반송되는 기판재(A)에 대하여 에칭액, 현상액, 박리액, 또는 세정액 등의 처리액(B)이 분사된다. 나아가서 처리액(B)이 스프레이된 기판재(A)가 소정의 약액 처리나 세정 처리되는 등 표면 처리된다.In the surface treatment apparatus 6, the chamber 8 is horizontally disposed in the conveying roller 3 and the like of the conveyor 4 (not shown in FIG. 1, and the like (see FIG. 1) of FIG. 5). Process liquid B, such as an etching liquid, a developing liquid, a peeling liquid, or a washing | cleaning liquid, is sprayed with respect to the board | substrate material A conveyed. Further, the substrate material A onto which the treatment liquid B is sprayed is subjected to a surface treatment such as predetermined chemical liquid treatment or washing treatment.

또한 표면 처리 후의 처리액(B)은 액조(5)로 유하, 회수, 저장된 후, 펌프(9), 필터(10), 배관(11) 등을 경유하여 스프레이관(121)으로부터 스프레이 노즐(7)로 순환 공급되어 재사용된다.In addition, after the treatment liquid B after the surface treatment flows down, is recovered, and stored in the liquid tank 5, the spray nozzle 12 is sprayed from the spray pipe 12 1 via the pump 9, the filter 10, the pipe 11, or the like. Circulated to 7) and reused.

표면 처리 장치(6)는 대략 이와 같이 되어 있다.The surface treatment apparatus 6 is substantially like this.

《본 발명의 개요》<< Summary of this invention >>

이하 본 발명의 표면 처리 장치(6)에 대하여 도 1∼도 4를 참조해서 설명한다. 우선 그 개요에 대하여 서술한다.Hereinafter, the surface treatment apparatus 6 of this invention is demonstrated with reference to FIGS. First, the outline is described.

이 표면 처리 장치(6)의 스프레이 노즐(7)은 2유체 노즐로 이루어지고, 처리액(B)과 에어(D)를 혼합하여 분사한다. 기판재(A)와 스프레이 노즐(7) 간은 5㎜ 이상∼40㎜ 이하의 거리 간격(E)으로 되어 있다.The spray nozzle 7 of this surface treatment apparatus 6 consists of two fluid nozzles, and mixes and injects the process liquid B and air D. FIG. The distance between the substrate material A and the spray nozzle 7 is 5 mm or more and 40 mm or less.

그리고 스프레이 노즐(7)은 각 스프레이관(12)에 각각 복수개 설치되어 있으며, 각 스프레이관(12)은 좌우 방향(F)을 향하여 배열되고, 전후의 반송 방향(G)으로 상호 간격을 남기면서 복수개 설치되는 것과 함께, 좌우 방향(F)으로 수평 왕복 이동 가능하게 되어 있다.A plurality of spray nozzles 7 are provided in each spray tube 12, and each spray tube 12 is arranged toward the left and right direction F, leaving a mutual gap in the conveyance direction G before and after. In addition to being provided in plural, horizontal reciprocating movement is possible in the left-right direction (F).

그리고 스프레이 노즐(7)로부터 에어(D)와 함께 분사된 처리액(B)은 미소 입자로 되어 기판재(A)에 스프레이된다.And the processing liquid B injected with the air D from the spray nozzle 7 turns into microparticles, and is sprayed on the board | substrate material A. FIG.

또한 처리액(B)은 매우 가까운 상기 거리 간격(E) 하에서 기판재(A)에 대하여 강한 임팩트로 스프레이되는 것과 함께, 기판재(A)에 대하여 그만큼 좁아지는 스프레이 범위가 스프레이관(12), 그리고 스프레이 노즐(7)의 상기 수평 왕복 이동에 의해 커버되어 있으며, 나아가서 기판재(A)에 대하여 넓고 균일하게 스프레이된다.Further, while the treatment liquid B is sprayed with a strong impact on the substrate material A under the above-mentioned distance distance E, the spray range that is narrowed with respect to the substrate material A is spray tube 12, And it is covered by the said horizontal reciprocation movement of the spray nozzle 7, Furthermore, it sprays widely and uniformly with respect to the board | substrate material A. Moreover, as shown in FIG.

처리액(B)은 기판재(A)에 대하여 예를 들면 최대 충격값 200mN 이상의 강한 임팩트로 넓고 균일하게 스프레이된다.The treatment liquid B is widely and uniformly sprayed onto the substrate material A with a strong impact, for example, a maximum impact value of 200 mN or more.

본 발명의 개요는 이와 같이 되어 있다.The outline of the present invention is as described above.

《본 발명의 상세》<< of this invention >>

이와 같은 표면 처리 장치(6)에 대하여 더욱 상세히 서술한다. 우선 도 1이나 도 3의 (1)도 중에 나타낸 바와 같이, 그 스프레이 노즐(7)은 2유체 노즐로 이루어진다.Such surface treatment apparatus 6 is explained in more detail. First, as shown in FIG. 1 or FIG. 3 (1), the spray nozzle 7 consists of a two-fluid nozzle.

그리고 이 2유체 노즐제의 스프레이 노즐(7)에서는 압송 공급된 에어(D)가 내부 분사로(13)를 직진하고, 압송 공급된 처리액(B)이 직진하는 에어(D)에 대하여 내부 분사로(13)의 도중에서 직교하는 가로 방향으로부터 공급, 혼합된다.In this spray nozzle 7 made of a two-fluid nozzle, the pressurized supplied air D goes straight through the internal injection path 13, and the inner injection is directed against the air D through which the pressurized supplied processing liquid B goes straight. It is supplied and mixed from the horizontal direction orthogonal to the middle of the furnace 13.

에어(D)는 이와 같이 직진함으로써 내부 저항이 적다는 잇점이 있다. 이에 대하여 처리액(B)은 직진하는 에어(D)에 대해서 가로로부터 공급됨으로써 스무드하게 에어(D)에 흡입되어 혼합된다는 잇점이 있다. 또한 이에 따라 그 압송 공급압이 낮아도 좋다는 잇점도 있다.Air D has the advantage of low internal resistance by going straight in this way. On the other hand, the processing liquid B is advantageously smoothly sucked into the air D and mixed by being supplied from the horizontal to the air D going straight. This also has the advantage that the pressure supply pressure may be low.

그리고 에어(D)는 도입된 외기가 팬, 압축기, 또는 송풍기 등의 압송원(14)으로부터 압송되고, 나아가서 필터(15), 유량계(16), 배관(17) 등을 경유한 후, 스프레이관(122)으로부터 스프레이 노즐(7)로 공급된다. 도면 중 18은 압력계이다.The air D is introduced into the air from the feed source 14 such as a fan, a compressor, or a blower, and furthermore, after passing through the filter 15, the flow meter 16, the pipe 17, and the like, the spray pipe. It is supplied from 12 2 to the spray nozzle 7. 18 in the figure is a pressure gauge.

이 에어(D)는 0.01MPa 이상∼0.6MPa 이하 정도의 공급 압력으로 공급된다. 압송원(14)으로서 압축기가 사용되는 경우에는 0.3MPa 이상∼0.6MPa 이하 정도의 고압 에어가 대표적이고, 송풍기가 사용되는 경우에는 0.01MPa 이상∼0.08MPa 이하 정도의 저압 에어가 대표적이다.The air D is supplied at a supply pressure of about 0.01 MPa or more and about 0.6 MPa or less. When the compressor is used as the pressure source 14, high pressure air of about 0.3 MPa or more and 0.6 MPa or less is typical, and low pressure air of about 0.01 MPa or more and 0.08 MPa or less is typical when a blower is used.

압송원(14)으로서 송풍기, 예를 들면 루츠 송풍기가 사용되는 경우에는 도입되는 외기의 분위기 온도보다 온도 상승한 에어(D)가 송풍기에서 생성된다. 예를 들면 40℃∼90℃ 정도로 온도 상승한 에어(D)가 송풍기에서 생성되고, 나아가서 적절히 공급되게 된다.When a blower, for example, a Roots blower, is used as the pressure source 14, air D generated at a temperature higher than the ambient temperature of the introduced outdoor air is generated in the blower. For example, the air D, which has risen in temperature at about 40 ° C. to 90 ° C., is produced by the blower, and furthermore, it is appropriately supplied.

한편 처리액(B)은 상기한 바와 같이, 스프레이관(121)으로부터 스프레이 노즐(7)로 공급된다.On the other hand, the processing liquid B is supplied from the spray tube 12 1 to the spray nozzle 7 as described above.

스프레이 노즐(7)의 분사 구멍(19)으로부터 에어(D)와 함께 분사된 처리액(B)은 평균 입자 직경이 20㎛∼30㎛ 정도의 미소 입자로 되는 것과 함께, 에어(D)의 상기 공급압보다 약간 낮은 분사압으로 기판재(A)에 스프레이된다.The treatment liquid B injected together with the air D from the injection hole 19 of the spray nozzle 7 becomes fine particles having an average particle diameter of about 20 μm to 30 μm. Sprayed to the substrate material (A) at a spray pressure slightly lower than the supply pressure.

그리고 스프레이 노즐(7)의 분사 구멍(19)으로부터 기판재(A)까지의 거리 간격(E)은 상하 5㎜∼40㎜ 정도로 설정되어 있다. 에칭 등의 표면 처리에 의한 회로(C) 패턴 형성 시에 분사된 처리액(B)이 기판재(A)에 대하여 최대 충격값이 안정적으로 200mN 이상으로 되는 타압(打壓), 즉 강한 임팩트를 주는 것이 필요하게 되어 있는데, 이와 같은 거리 간격(E)에 의해 필요한 임팩트가 얻어지게 된다.And the distance gap E from the injection hole 19 of the spray nozzle 7 to the board | substrate material A is set to about 5 mm-40 mm up and down. The processing liquid B injected at the time of forming the circuit C pattern by surface treatment such as etching gives a pressurized pressure, i.e., a strong impact, that the maximum impact value stably becomes 200 mN or more with respect to the substrate material A. It is necessary to obtain the required impact by this distance interval E.

예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이, 기판재(A)에 대하여 반경 40㎜ 정도로 형성되는 전체적, 외관적 스프레이 범위 중, 반경 20㎜ 정도로 형성되는 중심적, 실질적 스프레이 범위에 있어서, 최대 충격값은 확실히 200mN 이상으로 된다.For example, as shown in FIG. 4, in the central and substantial spray range formed with a radius of 20 mm among the overall and external spray ranges formed with a radius of 40 mm with respect to the substrate material A, the maximum impact value is assuredly. It becomes 200mN or more.

또한 거리 간격(E)이 40㎜를 넘으면 최대 충격값이 200mN을 밑도는 것에 대하여, 거리 간격(E)이 5㎜ 미만인 경우에는 스프레이 노즐(7)과 기판재(A)가 지나치게 접근하여 처리액(B)의 반사 등에 의해 스무드한 표면 처리에 지장이 발생한다.If the distance distance E exceeds 40 mm, while the maximum impact value is less than 200 mN, when the distance distance E is less than 5 mm, the spray nozzle 7 and the substrate material A approach excessively and the treatment liquid ( There is a problem in smooth surface treatment due to the reflection of B).

스프레이 노즐(7)로서는, 플랫 콘 노즐(스프레이 패턴이 타원형)이나 풀 콘 노즐(스프레이 패턴이 원형)이 대표적으로 사용되는데, 물론 이들 이외의 각종 노즐도 사용 가능하다.As the spray nozzle 7, a flat cone nozzle (spray pattern is elliptical) and a full cone nozzle (spray pattern is circular) are used typically, Various nozzles other than these can also be used.

또한 기판재(A)로서는, 표리 양면에 회로(C)가 형성되는 양면 기판 타입이 대표적인데, 물론 편면 만에 회로(C)가 형성되는 편면 기판 타입도 생각되고, 또한 다층 기판, 그 밖에 각종 타입의 기판에 대해서도 이 표면 처리 장치(6)는 널리 적용 가능하다.As the substrate material A, a double-sided board type in which the circuit C is formed on both sides of the front and back is typical. Of course, a single-sided board type in which the circuit C is formed only on one side is also considered. This surface treatment apparatus 6 is also widely applicable to substrates of a type.

도시예에서는 스프레이 노즐(7)은 각 스프레이관(12)에 5개씩 설치되어 있다. 그리고 각 스프레이관(12)은 전후 방향인 반송 방향(G)과 직교하는 좌우 방향(F)을 향하여 평행하게 배열되어 있다. 즉 전후의 반송 방향(G)으로 상호 전후 간격을 남기면서 챔버(8) 내에 예를 들면 상하 4개씩 설치되어 있다.In the example of illustration, five spray nozzles 7 are provided in each spray pipe 12. And each spray pipe 12 is arranged in parallel toward the left-right direction F orthogonal to the conveyance direction G which is a front-back direction. That is, four top and bottom, for example, are provided in the chamber 8, leaving back and front space | interval mutually in the conveyance direction G of the front and back.

그리고 각 스프레이관(12), 그리고 스프레이 노즐(7)은 좌우 방향(F)을 향하여 동기 연동해서 소정 거리 간을 수평 슬라이드하면서 왕복 이동 가능하게 되어 있다.Each of the spray pipes 12 and the spray nozzles 7 is synchronously interlocked toward the left and right directions F so as to reciprocate while horizontally sliding a predetermined distance.

그런데 에어(D)는 스프레이관(122)으로부터, 처리액(B)은 스프레이관(121)으로부터 각각 스프레이 노즐(7)로 공급된다. 그리고 도 1의 예에서는 스프레이관(122)과 스프레이관(121)은 별개로 설치되는 것과 함께, 동기 연동하여 수평 왕복 이동한다.By the way, air D is supplied from the spray pipe 12 2 and the process liquid B is supplied from the spray pipe 12 1 to the spray nozzle 7, respectively. And in the example of Figure 1, along with being installed spray tube (12 2) and the spray tube (12 1) has a separate, synchronously interlocked with reciprocal horizontal movement.

이에 대하여 도 2에 나타낸 예와 같이, 공통의 스프레이 노즐(7)에 대하여 쌍을 이루는 스프레이관(122)과 스프레이관(121)을 스프레이관(12)으로서 병존, 일체 연접 설치해 두면(예를 들면 스프레이관(12) 내부를 2유체용으로 구획한 구성), 왕복 이동 동작이 용이화된다.On the other hand, as shown in FIG. 2, when the spray pipe 12 2 and the spray pipe 12 1 which are paired with respect to the common spray nozzle 7 coexist and are integrally provided as the spray pipe 12, (for example, For example, the inside of the spray pipe 12 is divided into two fluids), and the reciprocating movement becomes easy.

본 발명은 이와 같이 되어 있다.The present invention is as described above.

《작용 등》<< action >>

본 발명의 기판재(A)의 표면 처리 장치(6)는 이상 설명한 바와 같이 구성되어 있다. 그래서 이하와 같이 된다.The surface treatment apparatus 6 of the board | substrate material A of this invention is comprised as mentioned above. Thus, it becomes as follows.

(1) 이 표면 처리 장치(6)는 전자 회로 기판의 제조 공정에서 사용된다. 즉 제조 공정의 중핵을 이루는 에칭 공정을 비롯하여 현상 공정, 박리 공정, 세정 공정 등에 있어서, 에칭 장치, 나아가서는 현상 장치, 박리 장치, 세정 장치 등으로서 사용된다.(1) This surface treatment apparatus 6 is used in the manufacturing process of an electronic circuit board. That is, it is used as an etching apparatus, further, a developing apparatus, a peeling apparatus, a washing | cleaning apparatus etc. in the developing process, the peeling process, the washing process, etc. as well as the etching process which forms the core of a manufacturing process.

(2) 그리고 표면 처리 장치(6)는 기판재(A)를 처리액(B)으로 회로(C) 형성용으로 표면 처리한다.(2) And the surface treatment apparatus 6 surface-treats the board | substrate material A with the process liquid B for circuit C formation.

즉 반송되는 기판재(A)에 대하여 스프레이관(12(121, 122))을 경유해서 스프레이 노즐(7)로부터 에칭액, 현상액, 박리액, 세정액 등의 처리액(B)을 분사하고, 나아가서 기판재(A)를 에칭, 현상, 박리, 세정 등을 한다(도 1, 도 2를 참조). 에칭액으로서는, 예를 들면 염화제2동이나 염화제2철이 사용된다.That is, the process liquid B, such as etching liquid, a developing solution, a peeling liquid, and a cleaning liquid, is sprayed from the spray nozzle 7 to the substrate material A to be conveyed via the spray tubes 12 (12 1 , 12 2 ), Subsequently, the substrate material A is etched, developed, peeled off, washed, or the like (see FIGS. 1 and 2). As the etching solution, for example, cupric chloride and ferric chloride are used.

(3) 그리고 본 발명의 표면 처리 장치(6)는 스프레이 노즐(7)로서 2유체 노즐을 채용하는 것과 함께, 이 스프레이 노즐(7)을 기판재(A)에 대하여 5㎜∼40㎜의 거리 간격(E)으로 설치하고, 또한 스프레이관(12(121, 122))과 함께 좌우 방향(F)으로 수평 왕복 이동시키는 구성으로 이루어진다.(3) The surface treatment apparatus 6 of the present invention employs a two-fluid nozzle as the spray nozzle 7, and the spray nozzle 7 has a distance of 5 mm to 40 mm with respect to the substrate material A. installed at an interval (E), and further comprises a spray tube (12 (12 1, 12 2)) configured to move horizontally reciprocating in the lateral direction (F) along with.

본 발명은 이와 같은 구성을 조합하여 채용한 것을 특징으로 한다(도 1, 도 2, 도 3의 (1)도 등을 참조).The present invention is characterized by employing a combination of such a configuration (see Fig. 1, Fig. 2, Fig. 1 (1) and the like).

(4) 그래서 스프레이 노즐(7)로부터 에어(D)와 함께 분사된 처리액(B)은 우선 20㎛∼40㎛ 정도로 미소 입자화하여 기판재(A)에 스프레이된다.(4) Thus, the processing liquid B injected together with the air D from the spray nozzle 7 is first micronized to about 20 µm to 40 µm and sprayed onto the substrate material A. FIG.

그리고 처리액(B)은 5㎜∼40㎜로 매우 가까운 거리 간격(E)으로 기판재(A)를 향하여 분사되고, 나아가서 강한 임팩트로 기판재(A)에 스프레이된다. 에칭 등의 표면 처리에는 최대 충격값 200mN 정도 이상의 임팩트가 필요하게 되어 있는데, 이와 같은 강한 임팩트가 확실하게 얻어진다(후술하는 표 1이나 도 4도 참조).And the processing liquid B is sprayed toward the board | substrate material A at the distance | interval E which is very close to 5 mm-40 mm, and is also sprayed on the board | substrate material A with a strong impact. The surface treatment such as etching requires an impact of about 200 mN or more at maximum impact value, but such a strong impact can be reliably obtained (see also Table 1 and FIG. 4 described later).

(5) 그런데 이와 같이 가까운 거리 간격(E)으로 처리액(B)이 분사되기 때문에 그 상태로는 기판재(A)로의 스프레이 범위가 좁아진다(도 4를 참조).(5) By the way, since the processing liquid B is injected at such close distance interval E, the spray range to substrate material A becomes narrow in that state (refer FIG. 4).

그래서 좁은 스프레이 범위를 커버하기 위해 스프레이관(12(121, 122)), 그리고 스프레이 노즐(7)을 좌우 방향(F)으로 수평 왕복 이동시키는 시스템이 채용되고 있다. 나아가서 처리액(B)은 기판재(A)에 대하여 강한 임팩트를 주는 것과 함께, 수평 왕복 이동에 의해 넓은 스프레이 범위 하에서 기판재(A)에 대하여 골고루 균일하게 스프레이된다.Therefore, in order to cover the narrow spray range, the system which horizontally reciprocates the spray pipe 12 (12 1 , 12 2 ) and the spray nozzle 7 in the left-right direction F is employ | adopted. Furthermore, while the processing liquid B gives a strong impact with respect to the board | substrate material A, it is sprayed uniformly evenly with respect to the board | substrate material A under a wide spray range by horizontal reciprocating movement.

(6) 본 발명의 표면 처리 장치(6)에서는 이와 같이 처리액(B)이 미소 입자화하여 강한 임팩트로 균일하게 기판재(A)에 스프레이된다.(6) In the surface treatment apparatus 6 of the present invention, the treatment liquid B is finely granulated as described above, and is uniformly sprayed onto the substrate material A with a strong impact.

그래서 회로폭(L)이나 회로간 스페이스(S)에서 15㎛∼40㎛ 정도까지 미세화, 고밀도화된 회로(C)의 패턴 형성 시에도 표면 처리가 정밀도 높고 안정적으로 실시된다.Therefore, the surface treatment is performed with high accuracy and stability even when the pattern of the circuit C refined and densified to about 15 µm to 40 µm in the circuit width L or the inter-circuit space S is formed.

(7) 즉 처리액(B)은 미립자화되어 있기 때문에 기판재(A)의 미세화, 고밀도화된 회로(C)의 패턴 내에 확실히 진입 가능하게 된다. 그리고 처리액(B)은 강한 임팩트에 기초하여 기판재(A) 외표면에서의 갱신이 진전되고, 액 적체나 체류 발생은 회피되어 에칭 부족이나 오버 에칭도 발생하기 어렵다.(7) That is, since the processing liquid B is made into fine particles, it becomes possible to reliably enter the pattern of the circuit C in which the substrate material A is made finer and densified. Then, the treatment liquid (B) is updated on the outer surface of the substrate material (A) based on the strong impact, and droplets and retention are avoided, and insufficient etching or overetching is unlikely.

(8) 이와 같이 하여 기판재(A)의 표면 처리가 진행되고, 이상에 가까운 단면 형상의 회로(C)가 얻어지게 된다. 이 종류의 종래예와 같은 사이드 에칭은 회피되어 회로폭(L)이 좁고 가늘어지는 부분의 발생은 방지된다.(8) Thus, the surface treatment of the board | substrate material A advances and the circuit C of cross-sectional shape near the above is obtained. Side etching as in the conventional example of this kind is avoided, and the occurrence of the narrow and thinned portion of the circuit width L is prevented.

나아가서 단면 형상이 정사각형이나 직사각형의 이상예(도 3의 (2)도를 참조)에 가까운 회로(C)가 얻어지게 된다(도 3의 (3)도를 참조). 이 종류의 종래예와 같이, 대략 후지산 형상ㆍ급경사 사다리꼴 형상의 회로(C)는(도 3의 (4)도를 참조) 회피된다.Further, a circuit C close to the ideal example of the square or rectangular cross section (see Fig. 3 (2)) is obtained (see Fig. 3 (3)). As in the conventional example of this kind, the circuit C of the substantially Mt. Fuji shape and the steep trapezoidal shape (see FIG. 3 (4)) is avoided.

예를 들면 에칭 시에 40㎛의 회로폭(L), 40㎛의 회로간 스페이스(S), 20㎛의 회로 높이(H) 등의 설정 하에서는 다음과 같이 된다(도 3의 (3)도를 참조).For example, at the time of etching, under the setting of the circuit width L of 40 mu m, the inter-circuit space S of 40 mu m, the circuit height H of 20 mu m, and the like, the following results are shown (Fig. 3 (3)). Reference).

즉 적어도 정상면폭(X)이 36㎛ 정도, 사이드 에칭폭(Y)이 좌우 2㎛ 정도인 회로(C)가 형성되게 된다(도 3의 (4)도와 비교 대조). 에칭 평가의 기준인 에칭 팩터는 5∼10 전후 정도까지 향상되었다.In other words, the circuit C having at least the top surface width X of about 36 µm and the side etching width Y of about 2 µm on the left and right sides is formed (compared with FIG. 3 (4)). The etching factor which is a standard of etching evaluation improved to about 5-10 degree.

(9) 그런데 에어(D)의 압송원(14)으로서, 송풍기, 예를 들면 루츠 송풍기를 사용한 경우에는 더한층 이들의 작용이 우수하게 된다.(9) By the way, when a blower, for example, a Roots blower, is used as the pressure source 14 of the air D, these effects are further improved.

즉 송풍기로 이루어지는 압송원(14)으로부터 압송 공급되는 에어(D)는 외기의 분위기 온도보다 온도 상승해 있기 때문에 스프레이 노즐(7)로부터 에어(D)와 혼합하여 분사되는 처리액(B)도 이에 동반하여 온도 상승한다.That is, since the air D supplied by the pressure feeder 14 made of the blower has a temperature rise above the ambient temperature of the outside air, the treatment liquid B which is mixed with the air D from the spray nozzle 7 and sprayed is also applied thereto. Accompany the temperature rise.

나아가서 온도 상승한 처리액(B)이 기판재(A)에 스프레이되게 된다. 그래서 기판재(A)의 에칭, 현상, 박리 등의 표면 처리가 한층 스무드하고, 또한 신속하고 정밀도 높게 실시되기 때문에 이 면에서도 이상에 가까운 회로(C)가 얻어지게 된다.Furthermore, the process liquid B which rose in temperature is sprayed on the board | substrate material A. FIG. Therefore, since the surface treatment such as etching, developing, peeling, etc. of the substrate material A is performed smoothly and quickly and with high accuracy, the circuit C close to the abnormality is obtained in this respect as well.

(10) 예를 들면 에칭 공정에서 기판재(A)를 에칭 처리하는 경우에는, 대표적으로는 45℃∼50℃ 정도의 온도가 적합하다. 경우에 따라서는 60℃ 전후 정도가 적합한 일도 있으며, 소프트 에칭의 경우에는 예를 들면 30℃∼35℃ 정도가 적합하있다.(10) For example, when etching a board | substrate material A in an etching process, the temperature of about 45 degreeC-about 50 degreeC is typically suitable. In some cases, about 60 degreeC grade may be suitable, and about 30 degreeC-35 degreeC are suitable for soft etching, for example.

또한 박리 공정에서 기판재(A)를 박리 처리하는 경우에는, 대표적으로는 45℃∼50℃ 정도가 적합하며, 현상 공정에서 기판재(A)를 현상 처리하는 경우에는 예를 들면 30℃∼35℃ 정도가 적합하다.In addition, when peeling-processing the board | substrate material A in a peeling process, about 45 degreeC-50 degreeC is typically suitable, and when developing a board | substrate material A in a image development process, it is 30 degreeC-35, for example. ℃ degree is suitable.

이에 대하여 압송원(14)인 송풍기에서 생성되는 온도 상승한 에어(D)는 40℃∼90℃ 정도 간의 소정 온도역에 있다.On the other hand, the air D which rises in temperature produced by the blower which is the pressure feed source 14 exists in the predetermined temperature range between about 40 degreeC-about 90 degreeC.

그래서 그 표면 처리에 적합한 온도의 에어(D)가 압송원(14)의 송풍기에서 생성되는 경우에서는 송풍기로부터 스프레이 노즐(7)에 대하여 상기 온도역까지 온도 상승한 에어(D)가 그대로 압송 공급된다.Therefore, when the air D of the temperature suitable for the surface treatment is produced by the blower of the pressure feeding source 14, the air D which temperature rose from the blower to the said temperature range with respect to the spray nozzle 7 is supplied by pressure supply as it is.

이에 대하여 그 표면 처리에 적합한 온도가 송풍기에서 생성되는 상기 온도역보다 낮은 경우에서는 송풍기에 냉각 장치가 부설된다. 나아가서 그 표면 처리에 적합한 온도까지 온도 조절, 온도 저하된 에어(D)가 스프레이 노즐(7)에 압송 공급된다.
On the other hand, when the temperature suitable for the surface treatment is lower than the temperature range generated in the blower, the cooling device is installed in the blower. Furthermore, temperature D and temperature reduced air D to the temperature suitable for the surface treatment are supplied to the spray nozzle 7 by pressure supply.

(실시예 1)(Example 1)

여기에서 본 발명의 실시예 1의 데이터에 대하여 설명한다. 다음의 표 1 및 첨부된 도 4는 실시예 1의 표면 처리 장치(6)에 관하여 얻어진 데이터를 나타낸다.Here, the data of Example 1 of this invention is demonstrated. The following Table 1 and the accompanying FIG. 4 show the data obtained with respect to the surface treatment apparatus 6 of Example 1. FIG.

성능 테스트Performance testing 데이터data 공기량(L／min)Air volume (L / min) 200200 분무 수량(L／min)Spray quantity (L / min) 0.80.8 공기압(MPa)Air pressure (MPa) 0.0380.038 수압(MPa)Hydraulic pressure (MPa) 0.0260.026 측정 거리(㎜)Measuring distance (mm) 4545 4040 3030 2020 1010 55 최대 충격값(mN)Impact value (mN) 212212 224224 244244 298298 385385 477477

우선 테스트 조건에 대해서는 표 1 중에도 나타낸 바와 같이, 다음과 같다.First, as shown in Table 1, the test conditions are as follows.

ㆍ사용한 스프레이 노즐(7) : 2유체 노즐ㆍ spray nozzle (7) used: two-fluid nozzle

ㆍ에어(D)의 공급량(공기량) : 200L／minㆍ Supply amount of air (D) (air volume): 200L / min

ㆍ처리액(B)의 공급량(분무 수량) : 0.8L／minㆍ supply amount (spray quantity) of treatment liquid B: 0.8 L / min

ㆍ에어(D)의 공급압(공기압) : 0.038MPaㆍ Supply pressure of air (D) (air pressure): 0.038MPa

ㆍ분사압(수압) : 0.026MPa
Injection pressure (hydraulic pressure): 0.026 MPa

이와 같은 테스트 조건 하에서 기판재(A)에 대한 스프레이 노즐(7)의 거리 간격(E)을 차례 차례 변경하는 것과 함께, 각 거리 간격(E)마다 기판재(A)로의 처리액(B)에 의한 최대 충격값을 계측했다.(또한 처리액(B)의 입자 직경은 30㎛ 정도로 계측되었다.)Under such test conditions, the distance interval E of the spray nozzle 7 with respect to the substrate material A is changed in turn, and the processing liquid B to the substrate material A for each distance interval E is turned on. The maximum impact value was measured. (The particle diameter of the treatment liquid B was measured to be about 30 μm.)

그러면 표 1이나 도 4 중에 나타낸 계측 결과가 얻어졌다. 본 발명과 같이, 거리 간격(E)을 5㎜∼40㎜로 설정하면 필요한 임팩트인 200mN 이상의 최대 충격값이 안정적으로 얻어졌다.Then, the measurement result shown in Table 1 or FIG. 4 was obtained. As in the present invention, when the distance interval E is set to 5 mm to 40 mm, a maximum impact value of 200 mN or more, which is a necessary impact, is stably obtained.

즉 거리 간격(E)이 5㎜에서 477mN, 10㎜에서 385mN, 20㎜에서 298mN, 30㎜에서 244mN, 40㎜에서 224mN의 최대 충격값이 각각 계측되었다. 그리고 이와 함께 각 거리 간격(E) 모두 기판재(A)로의 반경 20㎜의 중심적, 실질적 스프레이 범위에 있어서, 200mN 이상의 최대 충격값이 안정적으로 얻어졌다.That is, the maximum distance values E of 477 mN at 5 mm, 385 mN at 10 mm, 298 mN at 20 mm, 244 mN at 30 mm, and 224 mN at 40 mm were measured, respectively. And along with this, the maximum impact value of 200 mN or more was stably obtained for each distance interval E in the central and substantial spray range of 20 mm of radius to the board | substrate material A. As shown to FIG.

또한 첫째로, 거리 간격(E)이 45㎜에서는 212mN의 최대 충격값이 계측되었지만, 이 최대 충격값은 부분적, 순간적이고, 스프레이 범위에 대하여 안정적으로 얻어진 것은 아니다. 또한 거리 간격(E)이 50㎜에서는 160mN 정도의 최대 충격값으로 저하되었다.First, although the maximum impact value of 212 mN was measured at the distance interval E of 45 mm, this maximum impact value was partial and instantaneous and was not obtained stably for the spray range. Moreover, when distance distance E was 50 mm, it fell to the maximum impact value of about 160 mN.

이와 같이, 거리 간격(E)이 40㎜를 넘으면 200mN 미만의 최대 충격값으로 되고, 필요한 임팩트는 얻어지지 않았다.Thus, when distance distance E exceeds 40 mm, it will become a maximum impact value of less than 200 mN, and the required impact was not acquired.

또한 둘째로, 거리 간격(E)이 작아질수록 최대 충격값은 커지지만, 스프레이 범위는 좁아진다. 그래서 수평 왕복 이동의 이동 거리가 크게 설정되게 된다.Secondly, the smaller the distance distance E, the larger the maximum impact value, but the narrower the spray range. Thus, the moving distance of the horizontal reciprocating movement is set large.

실시예 1에 대해서는 이상과 같다.
Example 1 is as described above.

(실시예 2)(Example 2)

다음으로 본 발명의 실시예 2의 데이터에 대하여 설명한다.Next, the data of Example 2 of this invention is demonstrated.

다음의 표 2는 실시예 2의 표면 처리 장치(6)에 관하여 얻어진 데이터를 나타내고, 표 3은 이 종류의 종래예의 표면 처리 장치(1)에 관하여 얻어진 데이터를 나타낸다. 다만 데이터에는 약간의 측정 오차가 포함되어 있을 가능성이 있다.
The following Table 2 shows the data obtained about the surface treatment apparatus 6 of Example 2, and Table 3 shows the data obtained about the surface treatment apparatus 1 of this kind of conventional example. However, the data may contain some measurement errors.

본 발명의 실시예Embodiment of the present invention 라인 및 스페이스
(㎛)Lines and spaces
(Μm) 에어압
(Mpa)Air pressure
(Mpa) 액압
(Mpa)Hydraulic pressure
(Mpa) 패턴 최대폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 최소폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 간격
(㎛)Pattern spacing
(Μm) 패턴 높이
(㎛)Pattern height
(Μm) E/FE / F 에칭 시간
(sec)Etching time
(sec) 30/3030/30 0.060.06 0.040.04 2323 3030 3030 2323 6.66.6 4040 25/2525/25 0.060.06 0.040.04 1818 2626 2424 2020 5.05.0 4040 20/2020/20 0.060.06 0.040.04 1717 2121 1919 1818 9.09.0 4040

종래 기술Conventional technology 라인 및 스페이스
(㎛)Lines and spaces
(Μm) 에어압
(Mpa)Air pressure
(Mpa) 액압
(Mpa)Hydraulic pressure
(Mpa) 패턴 최대폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 최소폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 간격
(㎛)Pattern spacing
(Μm) 패턴 높이
(㎛)Pattern height
(Μm) E/FE / F 에칭 시간
(sec)Etching time
(sec) 30/3030/30 ―― 0.10.1 1919 3131 2929 2323 3.83.8 120120 25/2525/25 ―― 0.10.1 1313 2727 2323 1919 2.72.7 130130 20/2020/20 ―― 0.10.1 55 2020 2020 1919 2.52.5 130130

그리고 각 라인 및 스페이스(즉 회로폭(L)／회로간 스페이스(S))의 각각의 목표값ㆍ이상값(상기한 도 3의 (2)도를 참조)마다 공통의 에어압(에어(D)의 공급압, 공기압), 액압(분사압, 수압), 에칭 시간 등의 조건 하에서 테스트했다. 또한 노즐 높이(거리 간격(E))도 공통적으로 30㎜로 했다.And common air pressure for each line and space (i.e., circuit width L / inter-circuit space S) of each target value and abnormal value (see FIG. 3 (2) above). ) Were tested under conditions such as supply pressure, air pressure), liquid pressure (injection pressure, water pressure), and etching time. Moreover, the nozzle height (distance spacing E) was also 30 mm in common.

그 결과, 본 발명의 실시예 2에서는 상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 패턴 최대폭(정상면폭(X)), 패턴 최소폭(회로폭(L)), 패턴 간격(회로간 스페이스(S)), 패턴 높이(회로 높이(H)) 등의 각 포인트의 측정값에서 보아 이상에 가까운 좋은 형상의 회로(C)가 얻어지고(상기한 도 3의 (3)도를 참조), 나아가서 에칭 팩터(E/F)도 높았다.As a result, in Example 2 of the present invention, as shown in Table 2 above, the maximum pattern width (normal surface width X), the minimum pattern width (circuit width L), the pattern spacing (inter-circuit space S), From the measured values of each point such as the pattern height (circuit height H), a circuit C of a good shape close to an abnormality is obtained (see FIG. 3 (3) above), and furthermore, the etching factor E / F) was also high.

이에 대하여 이 종류의 종래예에서는 상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 각 포인트의 측정값에서 보아 대략 후지산 형상, 급경사 사다리꼴 형상의 나쁜 형상의 회로(C)로 되고(상기한 도 3의 (4)도를 참조), 에칭 팩터(E/F)도 낮았다.On the other hand, in this type of conventional example, as shown in Table 3 above, a bad shape circuit C having an approximately Fuji shape and a steep trapezoidal shape, as seen from the measured values at each point, is shown in Fig. 3 (4). ), The etching factor (E / F) was also low.

이와 같이, 데이터적으로도 본 발명의 우수한 작용 효과가 뒷받침되었다. 실시예 2에 대해서는 이상과 같다.
As such, the data also supported the excellent effects of the present invention. Example 2 is as described above.

(실시예 3)(Example 3)

다음으로 본 발명의 실시예 3의 데이터에 대하여 설명한다.Next, the data of Example 3 of this invention is demonstrated.

다음의 표 4는 노즐 높이(거리 간격(E))를 30㎜로 설정한 실시예의 표면 처리 장치(6)에 관하여 얻어진 데이터를 나타내고, 표 5는 노즐 높이(거리 간격(E))를 40㎜로 설정한 실시예의 표면 처리 장치(6)에 관하여 얻어진 데이터를 나타낸다. 다만 데이터에는 약간의 측정 오차가 포함되어 있을 가능성이 있다.The following Table 4 shows data obtained with respect to the surface treatment apparatus 6 of the embodiment in which the nozzle height (distance interval E) is set to 30 mm, and Table 5 shows the nozzle height (distance interval E) 40 mm. The data obtained regarding the surface treatment apparatus 6 of the Example set to is shown. However, the data may contain some measurement errors.

본 발명의 실시예(노즐 높이 30㎜)Embodiment of the present invention (nozzle height 30 mm) 라인 및 스페이스
(㎛)Lines and spaces
(Μm) 에어압
(Mpa)Air pressure
(Mpa) 액압
(Mpa)Hydraulic pressure
(Mpa) 패턴 최대폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 최소폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 간격
(㎛)Pattern spacing
(Μm) 패턴 높이
(㎛)Pattern height
(Μm) E/FE / F 에칭 시간
(sec)Etching time
(sec) 20/2020/20 0.040.04 0.030.03 1111 2121 1919 1818 3. 63. 6 4040 0.050.05 0.030.03 1313 2121 1919 1919 4. 84. 8 4040 0.060.06 0.040.04 1717 2020 2020 1717 11. 311. 3 4040

본 발명의 실시예(노즐 높이 40㎜)Example of the present invention (nozzle height 40 mm) 라인 및 스페이스
(㎛)Lines and spaces
(Μm) 에어압
(Mpa)Air pressure
(Mpa) 액압
(Mpa)Hydraulic pressure
(Mpa) 패턴 최대폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 최소폭
(㎛)Pattern width
(Μm) 패턴 간격
(㎛)Pattern spacing
(Μm) 패턴 높이
(㎛)Pattern height
(Μm) E/FE / F 에칭 시간
(sec)Etching time
(sec) 20/2020/20 0.040.04 0.030.03 1414 2424 1616 1919 3. 83. 8 4040 0.050.05 0.030.03 1313 2121 1919 2020 5. 05. 0 4040 0.060.06 0.040.04 1515 2222 1818 1919 5. 45. 4 4040

그리고 모두 라인 및 스페이스(즉 회로폭(L)／회로간 스페이스(S))의 목표값ㆍ이상값(상기한 도 3의 (2)도를 참조)을 공통의 20／20으로 하는 것과 함께, 공통의 에칭 시간 하에서 에어압(에어(D)의 공급압, 공기압) 및 액압(분사압, 수압)의 조건을 차례 차례 변화시켜서 테스트했다. 그 결과, 모두 양호한 데이터가 얻어졌다.In addition, both the line and the space (i.e., the circuit width (L) / inter-circuit space (S)) set the target value and the ideal value (see FIG. 3 (2) above) to 20/20 in common, It tested by changing the conditions of air pressure (supply pressure of air D, air pressure), and liquid pressure (injection pressure, water pressure) in order under common etching time. As a result, good data were all obtained.

즉 패턴 최대폭(정상면폭(X)), 패턴 최소폭(회로폭(L)), 패턴 간격(회로간 스페이스(S)), 패턴 높이(회로 높이(H)) 등의 각 포인트의 측정값에서 보아 이상에 가까운 좋은 형상의 회로(C)가 얻어지고(상기한 도 3의 (3)도도 참조), 양호한 에칭 팩터(E/F)로 되었다.That is, from the measured values of each point such as the maximum pattern width (normal surface width (X)), the minimum pattern width (circuit width (L)), the pattern spacing (inter-circuit space (S)), and the pattern height (circuit height (H)) A circuit C of a good shape close to the above is obtained (see also FIG. 3 (3) above), and a good etching factor (E / F) is obtained.

이와 같은 데이터면에서도 본 발명의 우수한 작용 효과가 뒷받침되었다. 실시예 3에 대해서는 이상과 같다.
This data also supported the excellent effect of the present invention. Example 3 is as described above.

1: 표면 처리 장치(종래예)
2: 스프레이 노즐(종래예)
3: 반송 롤러
4: 컨베이어
5: 액조
6: 표면 처리 장치(본 발명)
7: 스프레이 노즐(본 발명)
8: 챔버
9: 펌프
10: 필터
11: 배관
12: 스프레이관
121: 스프레이관
122: 스프레이관
13: 내부 분사로
14: 압송원
15: 필터
16: 유량계
17: 배관
18: 압력계
19: 분사 구멍
A: 기판재
B: 처리액
C: 회로
D: 에어
E: 거리 간격
F: 좌우 방향
G: 반송 방향
H: 회로 높이
L: 회로폭
S: 회로간 스페이스
X: 정상면폭
Y: 사이드 에칭폭1: Surface treatment device (conventional example)
2: spray nozzle (conventional example)
3: conveying roller
4: conveyor
5: liquid tank
6: surface treatment apparatus (this invention)
7: spray nozzle (invention)
8: chamber
9: pump
10: filter
11: Piping
12: spray tube
12 1 : spray tube
12 2 : spray tube
13: internal spraying furnace
14: convoy
15: filter
16: flow meter
17: Piping
18: pressure gauge
19: spray hole
A: Substrate
B: treatment liquid
C: circuit
D: Air
E: distance interval
F: left and right direction
G: conveying direction
H: circuit height
L: circuit width
S: space between circuits
X: normal surface width
Y: side etching width

Claims (8)

전자 회로 기판의 제조 공정에서 사용되고, 반송되는 기판재에 대하여 스프레이 노즐로부터 처리액을 분사하여 표면 처리하는 기판재의 표면 처리 장치로서,
해당 스프레이 노즐은 2유체 노즐로 이루어지고, 처리액과 에어를 혼합하여 분사하며, 해당 기판재와 해당 스프레이 노즐간은 5㎜ 이상∼40㎜ 이하의 거리 간격으로 되어 있는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
As a surface treatment apparatus of the board | substrate material used in the manufacturing process of an electronic circuit board, and spraying a process liquid from a spray nozzle with respect to the board | substrate material conveyed, and surface-treating,
The spray nozzle comprises a two-fluid nozzle, and the processing liquid and air are mixed and sprayed, and the substrate material and the spray nozzle have a distance interval of 5 mm or more and 40 mm or less.
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 1 항에 있어서,
해당 스프레이 노즐은 각 스프레이관에 각각 복수개 설치되어 있으며,
각 해당 스프레이관은 좌우 방향을 향하여 배열되고, 전후의 반송 방향으로 상호 간격을 남기면서 복수개 설치되는 것과 함께, 좌우 방향으로 수평 왕복 이동 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method of claim 1,
Multiple spray nozzles are installed in each spray tube.
Each said spray pipe is arrange | positioned toward the left-right direction, and it is provided in multiple numbers, leaving a mutual space | interval in the conveyance direction before and behind, and horizontal reciprocating movement is possible in the left-right direction, It is characterized by the above-mentioned.
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 2 항에 있어서,
해당 스프레이 노즐로부터 해당 에어와 함께 분사된 해당 처리액은 미소 입자로 되어 해당 기판에 스프레이되고,
또한 해당 처리액은 매우 가까운 상기 거리 간격 하에서 해당 기판재에 대하여 강한 임팩트로 스프레이되는 것과 함께, 해당 스프레이관, 그리고 해당 스프레이 노즐의 상기 수평 왕복 이동에 의해 해당 기판재에 대하여 넓고 균일하게 스프레이되는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method of claim 2,
The treatment liquid sprayed with the air from the spray nozzle becomes fine particles and is sprayed onto the substrate.
In addition, the treatment liquid is sprayed with a strong impact with respect to the substrate material under the very close distance distance, and is widely and uniformly sprayed with respect to the substrate material by the horizontal reciprocating movement of the spray tube and the spray nozzle. Characterized
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 3 항에 있어서,
해당 처리액은 최대 충격값 200mN 이상의 강한 임팩트로 해당 기판재에 스프레이되는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method of claim 3, wherein
The treatment liquid is sprayed onto the substrate with a strong impact of 200 mN or more maximum impact value
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 1 항에 있어서,
해당 스프레이 노즐에서는 압송 공급된 해당 에어가 내부 분사로를 직진하고, 압송 공급된 해당 처리액이 직진하는 해당 에어에 대하여 해당 내부 분사로의 도중에서 가로 방향으로부터 공급, 혼합되는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method of claim 1,
In the spray nozzle, the feed air supplied is fed straight through the internal injection path, and the feed liquid supplied is fed and mixed from the horizontal direction in the middle of the inside injection path with respect to the air to go straight.
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
해당 에어는 압송원인 송풍기로부터 해당 스프레이 노즐에 압송 공급되는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method according to claim 3 or 5,
The air is pressurized and supplied to the spray nozzle from the blower that is the pressure source.
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 6 항에 있어서,
해당 송풍기로부터 해당 스프레이 노즐에 압송 공급되는 해당 에어, 그리고 해당 스프레이 노즐로부터 해당 에어와 혼합되어 분사되는 해당 처리액은 온도 상승해 있으며, 나아가서 해당 처리액이 해당 기판재에 스프레이됨으로써 해당 기판재의 표면 처리 정밀도 향상 기능을 발휘하는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.
The method according to claim 6,
The air that is pressurized and supplied from the blower to the spray nozzle, and the treatment liquid mixed with the air from the spray nozzle are heated in temperature, and further, the treatment liquid is sprayed onto the substrate material, thereby treating the surface of the substrate material. It is characterized by exerting a precision improvement function
Surface treatment apparatus of substrate material.
제 1 항에 있어서,
해당 표면 처리 장치는 현상 공정, 에칭 공정, 박리 공정, 또는 세정 공정에서 사용되고,
해당 스프레이 노즐은 현상액, 에칭액, 박리액, 또는 세정액을 해당 처리액으로서 분사하는 것을 특징으로 하는
기판재의 표면 처리 장치.The method of claim 1,
The surface treatment apparatus is used in a developing step, an etching step, a peeling step, or a cleaning step,
The spray nozzle sprays a developer, an etching solution, a peeling solution, or a cleaning solution as the treatment solution.
Surface treatment apparatus of substrate material.
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