JP2010283774A - 非可逆回路内蔵多層基板 - Google Patents

Abstract

【課題】多層基板に非可逆回路を内蔵する場合に、多層基板を大型化することなくアイソレーションを向上させることが可能な非可逆回路内蔵多層基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 多層基板１は、多層基板１内に配置されるフェライト層１４と、フェライト層１４の表面または層間に形成され、高周波信号の線路を構成する導電部材（トリプレート上層グランド面１６、トリプレート下層グランド面１６’、フェライト中間層導体パターン１７等）と、多層基板１内に配置され、かつ、フェライト層１４内に、高周波信号の線路に対して垂直方向に磁界を発生させる磁界発生源である磁石１３と、多層基板１の上部に磁石１３を覆うように配置され、閉磁回路を構成するカバー部材４と、を備えている。
【選択図】図２

Description

本発明は、非可逆回路内蔵多層基板に関し、詳細には、マイクロ波帯通信機等に適用されるサーキュレータやアイソレータからなる非可逆回路を内蔵した多層基板に関する。

従来、送受信モジュールでは、送信出力部と受信入力部との間にサーキュレータを配置し、送信出力部と受信入力部との間のアイソレーションを確保している。しかしながら、
ドロップインタイプのサーキュレータを使用する場合、その磁石部分が露出しており、磁石部分の周囲空間を高周波信号が伝播するため、送信出力部と受信入力部との間のアイソレーションが劣化するという問題がある。

上記アイソレーションを確保するため、例えば、特許文献１では、多層基板からなる回路基板と、この回路基板に設けられた非可逆回路素子を含む高周波回路素子とを備え、非可逆回路素子は、回路基板の収容部に形成された磁性材の膜部からなる下ヨークと、収容部内に収容されたフェライト部材と、誘電体を介してフェライト部材上に配置された第１，第２，第３の中心導体と、磁石と、この磁石と収容部を覆うように配設された上ヨークとを有する非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールが提案されている。

特開２００６−４９９６９号公報

しかしながら、上記特許文献１では、上下のヨークによって閉磁回路を形成する構造であるので、ヨークは実装面積が大きいため、非可逆回路素子を内蔵する多層基板が大型化するという問題がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、多層基板に非可逆回路を内蔵する場合に、多層基板を大型化することなくアイソレーションを向上させることが可能な非可逆回路内蔵多層基板を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、配線パターンを有し、複数の絶縁層が積層された多層基板と、前記多層基板内に配置されるフェライト層と、前記フェライト層の表面または層間に形成され、高周波信号の線路を構成する導電部材と、
前記多層基板内に配置され、かつ、前記フェライト層内に、前記高周波信号の線路に対して垂直方向に磁界を発生させる磁界発生源と、前記多層基板の上部に配置され、閉磁回路を構成するカバー部材と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、配線パターンを有し、複数の絶縁層が積層された多層基板と、前記多層基板内に配置されるフェライト層と、前記フェライト層の表面または層間に形成され、高周波信号の線路を構成する導電部材と、前記多層基板内に配置され、かつ、前記フェライト層内に、前記高周波信号の線路に対して垂直方向に磁界を発生させる磁界発生源と、前記多層基板の上部に配置され、閉磁回路を構成するカバー部材と、を備えているので、
多層基板に非可逆回路を内蔵する場合に、多層基板を大型化することなくアイソレーションを向上させることが可能な非可逆回路内蔵多層基板を提供することが可能になるという効果を奏する。

図１は、実施の形態１に係る多層基板の上面図である。 図２は、図１のＡ―Ａ切断面の側面図である。 図３は、図２の多層基板表面層の導体パターンの上面図である。 図４は、図２のトリプレート上層グランド面の上面図である。 図５は、図２のフェライト中間層導体パターンの上面図である。 図６は、実施の形態１の変形例１を示す断面図である。 図７は、実施の形態１の変形例２を示す断面図である。 図８は、実施の形態１の多層基板１を内部に配置した通信モジュールの断面構造を示す図である。 図９は、非可逆回路と受信回路を一体化した多層基板の上面図である。 図１０は、図９の側面透視図である。 図１１は、実施の形態２に係る多層基板の上面透視図である。 図１２は、図１１の側面透視図である。 図１３は、図１２で示す多層基板の第１層〜第９層の表面導体パターン、フェライトコア、およびカバー部材の外形を示す図である。 図１４は、実施の形態２の変形例１の側面透視図である。 図１５は、図１４で示す多層基板の第１層、第２層、第４層〜第１２層の表面導体パターン、フェライトコア、およびカバー部材の外形を示す図である。 図１６は、実施の形態２の変形例２を説明するための図である。

以下に、この発明に係る非可逆回路内蔵多層基板の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施の形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものまたは実質的に同一のものが含まれる。

（実施の形態１）
実施の形態１に係る非可逆回路内蔵多層基板（以下、「多層基板」と称する）を図１〜図５を参照して説明する。図１は、実施の形態１に係る多層基板の上面図、図２は、図１のＡ―Ａ切断面の側面図、図３は、図２の多層基板表面層の導体パターンの上面図、図４は、図２のトリプレート上層グランド面の上面図、図５は、図２のフェライト中間層導体パターンの上面図である。図３〜図５では、各層における多層基板の外形、各層の導体パターンとビアの他に、相対位置を表わすために磁石の位置をそれぞれ図示している。

図１において、１は、配線パターンを有し、複数（１０層）の絶縁層（誘電層）が積層されたＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ―ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：低温焼成セラミック多層基板）等で構成される多層基板を示している。この多層基板１には、マイクロストリップ線路の第１の高周波信号用ポート５、第２の高周波信号用ポート６、および第３の高周波信号用ポート７と、これら第１〜第３の高周波信号用ポート５〜７の周囲を囲むグランドパターン３（表層パターン）と、多層基板１の外周に配置される層間接続ビア２と、高周波信号用グランドの層間接続ビア１１と、第１の高周波信号用層間接続ビア８と、第２の高周波信号用層間接続ビア９と、第３の高周波信号用層間接続ビア１０と、グランドパターン３に導電性接着材等で接着され、閉磁回路を構成するカバー部材４とが設けられている。

層間接続ビア２は、鉄粉などの強磁性体材料を混ぜたペーストが充填・焼成されており、基板側面部の閉磁回路を形成する。高周波信号用グランド層間接続ビア１１は、高周波損失を低減させるため、ＡｇＰｄやＡｇが配合されたペースト材が充填されている。

図２において、多層基板１の左右方向の略中央部には、その上下両方向にキャビティ部１２が設けられており、この上下両方のキャビティ部１２の内部に、磁石１３が配置されている。キャビティ部１２の上下方向の略中央には、非可逆動作を行なわせるために必要なフェライト層１４が配置される。フェライト層１４の円形の開口部に円柱形状の磁石１３が挿入される（図５参照）。フェライト層１４には、磁石１３により、直流磁界１５が矢印方向に印加される。フェライト層１４は、従来のＬＴＣＣで用いられているセラミック系のグリーンシート上にフェライト系ペーストを塗布するか、または、フェライト材で構成されたシートを用いて、一括製作することができる。また、フェライト層１４には、高周波信号の伝送路となるトリプレート線路を構成する、トリプレート上層グランド面１６と、トリプレート下層グランド面１６’と、フェライト中間層導体パターン１７が形成されている。

このように、多層基板１の上下方向にキャビティ部１２を設けて、磁石１３をキャビティ部１２の上下両方向に配置する構成を採用することにより、フェライト層１４での直流磁界を、高周波信号の伝送方向に対して垂直な方向に揃えることができ、また、磁石１３を多層基板１の上下方向に配置することで、直流磁界が強くなるため、小さな磁石を用いて、回路を小型化することができる。

上記のように構成される多層基板１の高周波信号の伝送経路を説明する。図１において、第１の高周波信号用ポート５から入力された高周波信号は、そのほとんどが第２の高周波信号用ポート６から出力され、第２の高周波信号用ポート６から入力された高周波信号は、そのほとんどが第３の高周波信号用ポート７から出力され、第３の高周波信号用ポート７から入力された高周波信号は、そのほとんどが第１の高周波信号用ポート５から出力される。したがって、この非可逆回路を送受信モジュールで用いる場合、例えば、第１の高周波信号用ポート５には、送信系高出力増幅器の出力電力を入力することができる。また、第２の高周波信号用ポート６には、コネクタ等にインターフェース変換した後，アンテナ部を接続することができる。また、第３の高周波信号用ポート７には、スイッチや低雑音増幅器などで構成される受信系デバイスを接続することができる。

次に、図２〜図５を参照して、高周波信号の伝送形態および非可逆動作について説明する。マイクロストリップ線路の第２の高周波信号用ポート６から入力された高周波信号は、高周波信号２用層間接続ビア９と、その周囲に配置されたグランドビア１１で構成した擬似同軸線路を通過後、フェライト層１４の、トリプレート上層グランド面１６と、トリプレート下層グランド面１６’と、フェライト中間層導体パターン１７で構成されるトリプレート線路へ伝送される。フェライト中間導体パターン１７の外周は、高周波信号が多層基板１外部へ漏れ出すのを防ぐために、グランドパターン２０で囲われている。トリプレート線路を伝送する高周波信号は、その進行方向に対して垂直な方向に存在する直流磁界１５の影響により、非可逆動作を行なうため、第３の高周波信号用ポート７に伝送され、第１の高周波信号用ポート５には高周波信号がほとんど出力されない。理想的な非可逆動作を行なわせるためには、トリプレート線路のインピーダンス、直流磁界を経験するトリプレート線路部の電気長、および直流磁界の強さを、使用周波数に対して適切に設定する必要がある。なお、磁石の極性を反対にして、直流磁界の方向を逆にすれば、非可逆回路の方向性が変わることは言うまでもない。

また、多層基板１の外周およびキャビティ部１２の外周に、鉄粉などの強磁性体材料を混ぜたペーストを充填した層間接続ビア２と、コバールなどの強磁性体材料で製作したキャリア１８、およびカバー部材４で閉磁回路を構成する。この構成ではヨークが不要となることから、小型化が可能である。

図６は、実施の形態１の変形例１を示す断面図である。図６において、図２と同等機能を有する部位には同一符号を付している。実施の形態１では、フェライト層１４でトリプレート線路の構造のサーキュレータの例を示したが、マイクロストリップ線路の構造としてもよい。変形例１は、図６に示すように、フェライト層１４の表面および裏面に形成したフェライト表面導体パターン２１およびフェライト裏面グランドパターン２２でマイクロストリップ線路を形成する構成である。

図７は、実施の形態１の変形例２を示す断面図である。図７において、図２と同等機能を有する部位には同一符号を付している。変形例１は、図７に示すように、キャビティ部１２と磁石１３を多層基板１の上面側だけに配置し、フェライト層１４の表面および裏面に形成したフェライト表面導体パターン２１およびフェライト裏面導体パターン２３で、マイクロストリップ線路を形成する構成である。フェライト裏面導体パターン２３は、強磁性体を含む導体ペーストなどでパターンを形成し、閉磁回路を形成する。

以上説明したように、実施の形態１によれば、配線パターンを有し、複数の絶縁層が積層された多層基板１と、多層基板１内に配置されるフェライト層１４と、フェライト層１４の表面または層間に形成され、高周波信号の線路を構成する導電部材（トリプレート上層グランド面１６、トリプレート下層グランド面１６’、フェライト中間層導体パターン
１７等）と、多層基板１内に配置され、かつ、フェライト層１４内に、高周波信号の線路（トリプレート線路やマイクロストリップ線路）に対して垂直方向に磁界を発生させる磁界発生源である磁石１３と、多層基板１の上部に磁石１３を覆うように配置され、閉磁回路を構成するカバー部材４と、を備えているので、閉磁するためのヨークが不要となり、非可逆回路を大型化することなく、アイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施の形態１によれば、多層基板１の層間接続として用いられるビアホール（層間接続ビア２）に、鉄粉などの強磁性体材料を混ぜたペーストを充填した強磁性体ペーストを充填して閉磁回路を形成しているので、多層基板１側面の閉磁回路を簡単かつ低コストに構成することができる。

また、実施の形態１によれば、磁界発生源として、多層基板１に形成されたキャビティ１２内に配置した磁石１３を使用することとしたので、小さな磁石で強力な直流磁界を発生させることが可能となる。

図８は、実施の形態１の多層基板１（上記図２参照）を内部に配置したモジュールの断面構造を示している。図８において、多層基板１のキャリア１８は、ねじ止め、はんだ、および導電性接着剤等でモジュールケース２４に取り付けられている。このモジュールケース２４には、リン青銅などで製作した導電性フィンガー２６と一体化したモジュールカバー２５が取り付けられている。モジュールカバー２５を取り付ける際には、導電性フィンガー２６を多層基板１のカバー部材４に接触させ、モジュール内の送信―受信間の高周波信号シールド回路を構成する。これにより、磁石部分と、モジュールカバーとの間を導電性接着材などで導通をとる方法に比して、モジュールカバー２５の取り付けの作業性を向上できると共に、そのモジュールカバー２５の開封が容易となる。

図９および図１０は、多層基板で構成した受信回路と、実施の形態１の多層基板１を一体化した通信モジュールの構造を示している。図９は、非可逆回路と受信回路を一体化した多層基板の上面図に、フェライト中間層導体パターンと、シールリングと、シールリング下部のフィードスルー部の導体パターンを加えて図示したものである。図１０は、図９の側面透視図であり、説明の簡略化のため、受信回路部の制御信号用内層配線は省略している。多層基板で構成した受信回路と、多層基板１を一体化することで、通信モジュール内のデバイスをさらに小型化することができる。

図９および図１０において、受信回路部２７は、スイッチ、低雑音増幅器、および終端器等のＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３２や、チップコンデンサ３３で構成されており、それらは多層基板１の受信回路キャビティ部３０に配置される。非可逆回路部の、第１の高周波信号用ポート５、第２の高周波信号用ポート６、第３の高周波信号用ポート７に対する高周波信号の伝送経路は、実施の形態１で示したとおりである。第３の高周波信号用ポート７に伝送された高周波受信信号は、ＭＭＩＣ３２を伝送した後、多層基板１の表層部にある高周波受信信号用ポート２８のマイクロストリップ線路に接続される。ＭＭＩＣ３２と、多層基板１の高周波信号の接続には、金ワイヤ３４が使用される。ＭＭＩＣ３２の制御信号は、同様に金ワイヤ３４を用いて、多層基板１にパターン化された制御信号用パッド３１に接続され、多層基板１の内層配線を通過後、シールリング３５の外部にある制御信号用パッド３１で、外部デバイスとの接続を行なう。

さらに、ＭＭＩＣ３２の気密を確保するために、高周波受信信号用ポート２８はフィードスルー部２９を有し、第１の高周波信号用層間接続ビア８と、第２の高周波信号用層間接続ビア９も、シールリング３５の外部に配置し、それぞれ、第１の高周波信号用ポート５と、第２の高周波信号用ポート６のマイクロストリップ線路に変換を行ない、外部デバイスとの接続を行なう。受信回路キャビティ部３０と、非可逆回路部のキャビティ部１２の周囲に、コバールなどの強磁性体材料で製作したシールリング３５を配置し、カバー部材３６でシーリングし、気密を確保する。シールリング３５と、カバー部材３６は同時に非可逆回路の閉磁回路の一部を構成しており、多層基板１の側面部には、実施の形態１と同様に、鉄粉などの強磁性体材料を混ぜたペーストを充填した層間接続ビア２を配置し、多層基板１の底部は、コバールなどの強磁性体材料で製作したキャリア１８を用いて閉磁回路を構成する。なお、図９および図１０では、ＭＭＩＣやチップ部品の、高周波信号、制御信号を、金ワイヤ３４で接続しているが、代わりにフリップチップ実装としてもよい。

上記図８〜図１０では、実施の形態１（図１〜図５）の多層基板１のモジュールについて説明したが、上記変形例１，２および後述する実施の形態２（その変形例１，２を含む）の多層基板１も同様にモジュール化することが可能である。

このように、非可逆回路を多層基板１に内蔵することで、受信回路部２７の多層基板とも一体化した多層基板を形成することができ、閉磁回路と気密保持機構を、シールリング３５とカバー部材３６を併用して構成することができるため、デバイスまたはモジュールのさらなる小型化が可能である。ここでは、一例として、受信回路と一体化した非可逆回路内蔵多層基板の構造を説明したが、受信回路でなく送信回路と一体化しても良く、また、送信回路および受信回路の両者と共に一体化すれば、より一層の小型化が可能である。

（実施の形態２）
実施の形態２に係る多層基板を図１１〜図１３を参照して説明する。実施の形態１では、磁界発生源として、磁石１３を使用する構成であるのに対して、実施の形態２は、磁石の代わりに電磁コイルを使用する構成である。

図１１は、実施の形態２に係る多層基板の上面透視図であり、多層基板の全層と、カバーを重ねて図示したものである。図１２は、図１１の側面透視図である。図１３は、図１２で示す多層基板の第１層〜第９層の表面導体パターン、フェライトコア、およびカバー部材の外形を図示したものである。

図１１において、上記実施の形態１と同様に、多層基板１には、マイクロストリップ線路の第１の高周波信号用ポート５、第２の高周波信号用ポート６、第３の高周波信号用ポート７と、第１〜第３の高周波信号用ポート５〜７の周囲をグランドパターン３で囲んだ表層パターンと、そのグランドパターン３に導電性接着材等で接着されたカバー部材４とが設けられている。多層基板１の外周に配置された層間接続ビア２には、鉄粉などの強磁性体材料を混ぜたペーストを充填・焼成し、基板側面の閉磁回路を形成する。高周波信号用グランドの層間接続ビア１１に充填するペースト材は、高周波損失を低減させるため、ＡｇＰｄや、Ａｇが配合されたペーストを用いることができる。

図１１および図１２において、実施の形態１では、多層基板１にキャビティ部１２を形成し、キャビティ部１２内に磁石１３を配置する構成であるが、実施の形態２では、磁石１３の代わりに導体パターンで各層（第１，２，６，７層４６，４７，５１，５２）に形成した電磁コイル３７を使用する。電磁コイル３７の層間接続には、電磁コイル用層間接続ビア３９を使用し、多層基板１の表層にある電磁コイル用パッド４１に電圧を印加し、各層の電磁コイル３７に電流を流す。また、電磁コイル３７に電流を流して発生した直流磁界の磁束が、電磁コイル３７中央付近に収束するように、電磁コイル３７の中心部にはフェライト材を積層し、フェライトコア３８を形成する。電磁コイル３７に流す直流電流の方向４０を、図１１のように定めると、フェライトコア３８内は、図１２で示す直流磁界１５の磁力線の向きになる。

図１２において、マイクロストリップ線路の第２の高周波信号用ポート６から入力された高周波信号は、第２の高周波信号用層間接続ビア９と、その周囲に配置されたグランドビア１１で構成した擬似同軸線路を通過後、多層基板１の内層にある、トリプレート線路中央導体４２、トリプレート上層グランド面４３、トリプレート下層グランド面４４で構成されるトリプレート線路へ伝送される。トリプレート線路中央導体４２の外周は、図１３に示すように、グランドパターン４５で囲い、高周波信号が多層基板外部へ漏れ出すのを防止している。トリプレート線路は、電磁コイル３７の中央部付近で、その伝送媒質がフェライトとなるため、高周波信号は、電磁コイル３７とフェライトコア３８によって発生する、高周波信号の進行方向に対して垂直な方向に存在する直流磁界１５の影響により、第３の高周波信号用ポート７に伝送され、第１の高周波信号用ポート５にはほとんど高周波信号が出力されない。

なお、トリプレート線路の媒質が、フェライトコア３８ではフェライトに変化するため、フェライトコア３８におけるトリプレート線路のインピーダンス、電気長、および直流磁界の強さを、使用周波数に対して適切に設定する必要がある。直流磁界の強さは、電磁コイル３７に流す電流量によって調整可能である。これにより、非可逆回路の高周波伝送特性（通過、反射、アイソレーション特性）を、電磁コイル３７に流す電流量で、容易に調整することが可能となる。また、電磁コイル３７に流す電流の方向を反転させて磁力線の方向を反対にすれば、通過およびアイソレーション特性が反転するため、スイッチの機能も兼ね備えることができる。

図１４および図１５は、実施の形態２の変形例１を説明するための図であり、図１４は、実施の形態２の変形例１に係る多層基板の側面透視図であり、説明の簡略化のため、電磁コイル以外の導体パターン、キャリア、およびカバーは図示していない。図１５は、図１４で示す多層基板の第１層、第２層、第４層〜第１２層の表面導体パターン、フェライトコア、およびカバー部材の外形を図示したものである。図１４および図１５において、図１２および図１３と同等機能を有する部位には同一符号を付してある。

上記実施の形態２の構造では、直流磁界の強さが不足する場合があるため、図１４に示すように、電磁コイル部３７を、２つの電磁コイル部（第１の電磁コイル部５５，第２の電磁コイル部５６）で構成し、さらに、フェライトコア３８を図１４に示すように構成することで、直流磁界を強くすることができる。

第１の電磁コイル部５５、第２の電磁コイル部５６の電磁コイル３７に、図１５で示す方向に直流電流４０を流すと、第１電磁コイル部５５、第２の電磁コイル部５６の電磁コイル３７で発生した直流磁界１５の磁束は、フェライトコア３８に沿うため、トリプレート線路部では高周波信号の垂直方向となり、非可逆回路動作を行なうことができる。

図１６は、実施の形態２の変形例２を説明するための図であり、トリプレート線路層の導体パターンを図示したものである。実施の形態２およびその変形例１では、電磁コイル３７と、トリプレート線路中央導体４２、トリプレート上層グランド面４３、トリプレート下層グランド面４４とが干渉する場合があるため、干渉を避けるために、多層基板の層数が増えてしまう。

変形例２では、図１６に示すように、トリプレート線路を避けるように電磁コイル３７（第１電磁コイル部６９、第２の電磁コイル部７０、第３の電磁コイル部７１）を配置することで、多層基板１の層数の削減が可能となる。電磁コイル３７に直流電流を流して発生した直流磁界は、変形例１と同様に、フェライトコア３８に沿って、トリプレート線路部で高周波信号の垂直方向となり、非可逆回路動作を行なう。このように構成することで、図１４で示した変形例１の多層基板の第５層６１、第６層６２、第７層６３を減らすことが可能となる。

以上説明したように、実施の形態２によれば、磁界発生源として、多層基板１の内層に導体ペーストとビアで形成された電磁コイル３７を使用することとしたので、部品点数を削減できると共に、電磁コイルに流す電流量を調整することにより、非可逆回路の特性を調整することが可能となる。

なお、上記実施の形態では、非可逆回路をサーキュレータに適用することとしたが、アイソレータに適用することにしてもよい。

以上のように、本発明にかかる非可逆回路内蔵多層基板は、アンテナ機器や通信機器等に利用可能であり、特に、マイクロ波帯のアンテナ機器や通信機器に適している。

１ 多層基板
２ 層間接続ビア
３ 表面層導体パターン（グランド）
４ カバー部
５ 第１の高周波信号用ポート
６ 第２の高周波信号用ポート
７ 第３の高周波信号用ポート
８ 第１の高周波信号用層間接続ビア
９ 第２の高周波信号用層間接続ビア
１０ 第３の高周波信号用層間接続ビア
１１ 高周波信号用グランド層間接続ビア
１２ キャビティ部
１３ 磁石
１４ フェライト層
１５ 直流磁界の磁力線
１６ トリプレート上層グランド面
１６’ トリプレート下層グランド面
１７ フェライト中間層導体パターン
１８ キャリア
１９ 多層基板表面層
２０ フェライト中間層グランドパターン
２１ フェライト表面導体パターン
２２ フェライト裏面グランドパターン
２３ フェライト裏面導体パターン
２４ モジュールケース
２５ モジュールカバー
２６ 導電性フィンガー
２７ 受信回路部
２８ 高周波受信信号用ポート
２９ フィードスルー部
３０ 受信回路キャビティ部
３１ 制御信号用パッド
３２ ＭＭＩＣ
３３ チップコンデンサ
３４ 金ワイヤ
３５ シールリング
３６ カバー
３７ 電磁コイル
３８ フェライトコア
３９ 電磁コイル用層間接続ビア
４０ 直流電流の方向
４１ 電磁コイル用パッド
４２ トリプレート線路中央導体
４３ トリプレート上層グランド面
４４ トリプレート下層グランド面
４５ トリプレート線路外周グランドパターン
４６，５７ 多層基板の第１層
４７，５８ 多層基板の第２層
４８，５９ 多層基板の第３層
４９，６０ 多層基板の第４層
５０，６１ 多層基板の第５層
５１，６２ 多層基板の第６層
５２，６３ 多層基板の第７層
５３，６４ 多層基板の第８層
５４，６５ 多層基板の第９層
５５，６９ 第１の電磁コイル部
５６，７０ 第２の電磁コイル部
６６ 多層基板の第１０層
６７ 多層基板の第１１層
６８ 多層基板の第１２層
７１ 第３の電磁コイル部

Claims (4)

1. 配線パターンを有し、複数の絶縁層が積層された多層基板と、
   前記多層基板内に配置されるフェライト層と、
   前記フェライト層の表面または層間に形成され、高周波信号の線路を構成する導電部材と、
   前記多層基板内に配置され、かつ、前記フェライト層内に、前記高周波信号の線路に対して垂直方向に磁界を発生させる磁界発生源と、
   前記多層基板の上部に配置され、閉磁回路を構成するカバー部材と、
   を備えたことを特徴とする非可逆回路内蔵多層基板。
2. 前記多層基板の層間接続として用いられるビアホールに強磁性体ペーストを充填して、前記多層基板の側面の閉磁回路を形成したことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路内蔵多層基板。
3. 前記磁界発生源は、前記多層基板に形成されたキャビティ内に配置される磁石であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路内蔵多層基板。
4. 前記磁界発生源は、前記多層基板の内層に導体ペーストで形成された電磁コイルであることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路内蔵多層基板。

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